JPS61283024A - 磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、耐熱性、耐久性、耐候性に優れかつ高記録密
度が可能な薄膜磁気ディスクに関するものである。

薄膜磁気ディスクとは、スパッタ・メッキ等の方法によ
り、薄く磁性媒体を付与することで従来の塗布型ディス
クより磁気特性を著しく向上させたものである。この薄
膜磁気ディスクの基板としては、ヘッドの接触に耐える
強度、ヘッドの低浮上量化を満足する平滑度、高記録密
度を可能せしめる表面の無欠陥性、温度・湿度の環境の
変化で寸法・材質等が変化しない安定性等が望まれる。

（従来の技術） 現在使用されている薄膜磁気ディスク基板としては、ア
ルミニウムまたはアルミニウム合金の表面を硬くするた
め、無電解ニッケルメッキ処理や陽極酸化処理を施して
満足な強度・平滑度・無欠陥性・安定性等を有するもの
が開発され実用化されている。

また、薄膜磁気媒体として、より磁気特性の優れたγ−
ＦｅａｒｓやＣｏ　−Ｎｉ　−Ｎ　を用いると、磁気特
性を良好にするため３００〜３５０℃の熱処理が必要に
なるが、この熱に安定な基板として、クロム酸浴による
陽極酸化処理を施した、高純度アルミニウム合金基板、
アルミナ系セラミックス基板等が開発されている。

（発明が解決しようとする問題点） 磁気ディスクに高密度の記録を課す場合、ヘッドと磁性
媒体との距離を一定にし低ノイズを期す最大面粗さくＲ
ｍａｘ）をもつ平滑面が必要となる。

しかし、ディスクがこれほど平滑になると、ヘッドも最
大面粗さで０．０２μｍと同様に平滑であるため、未使
用時のヘッドとディスクとの吸着やＣ８Ｓ　（コンタク
ト・スタート・ストップ）性（ヘッドとディスクとの耐
摺動摩耗特性）の低下が問題になる。

そのため、平滑にした面をもつ基板にスクラッチをいれ
る加工を行ない、ノイズを犠牲にして、吸着を防止する
方法もとられているが、なお塗布型ディスクに比べ壱程
度のＣ８Ｓ回数しかもたず実用化に必要な３０に回をク
リヤしないのもある。

また液体潤滑膜を塗布すれば、Ｃ８Ｓ回数は大きくなる
が”１００に以上の膜厚で吸着を生じる。

なお、従来の酸化膜磁気媒体を塗布する磁気ディスクは
、磁性粉と樹脂とアルミナ粉とを主に混ぜた液をスピン
コードしているが、ヘッドの非吸着性、耐Ｃ８Ｓ性等は
、その塗膜上につきでたアルミナが集中的にヘッドの負
荷を受け、液体潤滑液膜からヘッドをうかせることで解
決し、耐Ｃ８Ｓ回数は１００に回以上に達する。

（問題点を解決するための手段） そこで、上記の問題点を検討した結果、平滑な非磁性基
材上にアルミナ等の硬質物質の粉と樹脂とを混ぜたもの
をスピンコードし、その上に薄膜磁性媒体を付与すれば
解決することがわかった。

なお、樹脂には、半導体の絶縁膜として開発された半導
体表面コート用超耐熱特殊ポリイミド系樹脂を用いれば
耐熱性（最高４５０℃）に優れ、かつクラック、ピンボ
ールが皆無で下地基材の腐食がなく、体積波、変質等の
経時変化のない基板が得られること、薄膜磁性媒体を付
与する方法は、真空時に一部ベーキングを行なえば、ス
パッタリングにより薄膜の密着性、磁性等が満足され他
の下地膜につける時の同じスパッタ条件で膜が生成され
ること、硬質物質としては、スピンコードした膜の表面
に粉の一部が突きでるような粒径を選び、かつ少量でノ
イズ特性をスクラッチ加工より小さい劣化でおさえられ
、Ｃ５５ｓ性が塗布凰磁気ディスクと同等になること等
がわかった。

なお、非磁性基材としてはアルミニウム合金。

Ｃｕ合金、セラミックス等非磁性材ならかまわないが、
樹脂の硬化のための熱処理する時、熱膨張率が同程度に
なるアルミニウム合金が特に望ましいこと、樹脂は０．
２μｍ以上なら容易にスピンコードで均一にでき、外径
付近の面ダレ、盛り上がりの少ない２μ寓ぐらいが最も
望ましいこと、硬質物質は、その膜厚の０．５〜１．５
倍特に０．８〜１．０倍の粒径にすると埋めこみ部と突
きだし部とが、耐Ｃ８Ｓ性に特に耐え得る形で硬化し、
／ＪＳさいと膜よりはく離し、大きいと浮上量が大きく
なること、硬質物質の硬さとしてはヘッドより硬いＨｖ
８００以上、特Ｋ　ＡＬｔ　Ｏｓの１５００ぐらいが欠
落せず望ましいこと、硬質物質の濃度は０　、１　ｗｔ
％以下では、ヘッドが樹脂にあたりクラッシュし、５−
以上ではノイズが大きくなり高記録密度に適さないため
０．１〜５チ以内特に１〜２％が望ましいこと等が明ら
かになった。

（実施例） 基材として、Ｒｍａｘ　０　、０６　Ａｒｎ／　０　、
８＋ａ＋の鏡面仕上を施したアルミニウム合金’（Ｍｇ
３％）（表ＩＡ）Ｒｍａｘ　Ｏ、０９ａｍｌｏ　、　８
ｓｍ＋のセラミックス（アルミナ−ジルコニア）（表Ｉ
Ｂ）とを用いた。

樹脂は、半導体表面コート用超耐熱ファインポリマ（日
立化成製ＰＩＱ、熱膨張係数２　Ｘ　１０−’ヤング蹴
３　Ｘ　１０　　ｆｆ／ｍ　）を用い、硬質物質として
高純度アルミナ（Ｓ：６０００平均粒径約２．５μＩＦ
ｌ）を重量比で１％いれ、均一に分散するようにかくし
たこれを樹−脂Ａとする。また、硬質物質としてより微
細な高純度アルミナ（平均粒径約１μ＋ｙ）を重量比で
２．５チいれ分散かくはんした。（これを樹脂Ｂとする
。）両者を基材上に樹脂Ａでは膜厚３μｍｆ３では１．
５μｍとなるようにスピンコードし、９０℃×６０分の
熱処理によシ浴剤を揮散させ、ついで２２０℃×６０分
の熱処理によシ、ポリイシド環を形成させた。さらに３
７０℃Ｘ６０分真空度１０−′Ｔｏｒｒで真空熱処理し
て硬化させた。次に、Ｆｅ５Ｏ４を、約１７０ＯＡスパ
ツタし、３３０℃で３ｈｒ大気中で熱酸化させγ−Ｆｅ
ｚｅｓ　（これを表１では磁気媒体Ａとする）にした。

また、同様に樹脂上にＣｏ　−ＮｉをＮ！雰囲気中で７
０ＯＡスパツタし、３４０℃で３ｈｒ、真空中で結晶さ
せＣｏ−Ｎｉ　−Ｎ　（これを表１では磁気媒体Ｂとす
る）にした。両者の媒体の上にはアモルファスカーボン
をスパッタし、サファイヤヘッド（浮上量０．２μｍ）
で５分間パンシングした。これらを４枚（樹脂Ａを２枚
、樹脂Ｂを２枚）作成し、そのＣ８Ｓテストとノイズ（
出力／ＤＣイレーズノイズ）測定の結果を表１に示す。

これらの他に比較用として、従来の塗布型磁気ディスク
（表ＩＣ）スパッタ型の薄膜磁気ディスク（媒体はγ−
Ｆｅ２Ｑｓｔ）スクラッチ加工（ラッピングテープＧＣ
ヰ４０００）のあり（表ＩＤ）とない（表゛１Ｅ）の３
種類のテストを同様に行ない表１に示す。なお、樹脂Ａ
、Ｈの差による有意差は見られなかった。

表　　　　　　　１ 表１から明らかなように、本発明の磁気ディスクＡ、Ｂ
、Ｆは表面を荒したディスク（Ｄ、Ｇ）よりノイズ劣化
（ディスクＥ、Ｇに対し）が小さく耐Ｃ８Ｓ回数は、デ
ィスクＣと同程度であることがわかる。

（発明の効果）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルミニウム合金またはセラミックス等の非磁性
   材を基板として用いる磁気ディスクにおいて、平滑な基
   材上に、膜厚０．２μｍ以上の樹脂で、かつその中に膜
   厚の０．５〜１．５倍の粒径でビックース硬度８００以
   上の硬質物質を重量比で０．１〜５％混入した膜と、そ
   の上に付与した薄膜磁性媒体・保護膜・潤滑膜とを有す
   ることを特徴とする磁気ディスク。
2. （２）特許請求の範囲第１項において樹脂がポリイミド
   系耐熱性樹脂であることを特徴とする磁気ディスク。