JPS61214208A - 磁気記録媒体用の保護膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に係り、特
に耐ヘツド摺動性の優れた保護膜の構造に関する。

〔発明の背景〕

近年高密度記録の要求の高まりにこたえて、真空蒸着、
スパッタリング、あるいはイオンブレーティング法など
によって形成される強磁性薄膜を記録媒体とする、いわ
ゆるバインダーを使用しない非バインダー型の磁気記録
媒体が注目を浴び。

実用化への努力が行なわれている。この型の磁気記録媒
体では磁気特性の改良もさることながら１、酸化等によ
る媒体の変質防止およびヘッドとの接触に対する強度で
ある耐摺動性の向上が実用上解決すべき重要課題となっ
ている６ 媒体の変質防止および耐摺動性の向上を目的としたもの
には、耐酸化性の金属、例えばＲｈ。

Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ａｆｉ、Ｐｄ−Ｂ、Ｇｅ−５
ｎ、Ａｇ−Ｃｕなどを強磁性薄膜上に保護膜として形成
する方法等がある（特開昭５３−４０５０５号公報およ
び特開昭５５−７３９３２号公報に記載されている。）
。

しかし、上記金属保護膜を形成する方法では耐摺動性の
点でまだ十分ではなかった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、強磁性薄膜上に設ける保護膜を異なっ
た役割を果す２つの層の薄膜で構成することにより、耐
ヘツド摺動性の向上を可能ならしめる磁気記録媒体用の
保護膜を提供することにある。

〔発明の概要〕

強磁性薄膜上に設ける保護膜の役割は、（１）強磁性薄
膜の酸化等による変質を防ぐこと、（２）ヘッドで摺動
したとき摩耗し難いこと、（３）ヘッドの摺動に対して
摩擦が小さいこと、が要求される。

この様な条件を単一の保護膜で満すことは難しい。

本発明では役割分担の異なる２つの薄膜を重ね合せた２
層膜を用いることにより、上記条件を満たす保護膜を提
供することをその特徴としている。

すなわち、第１層として、強磁性薄膜の変質を防ぎ、か
つ耐摩耗性の良い材料の薄膜を、第２層として、ヘッド
の摺動に対して摩擦の小さい材料の薄膜を設ける。第１
層の材料としてはＳｉ、Ｇｅ。

Ｂもしくはこれらの一元素を主成分とする合金、あるい
はＳｉＣ，Ｓｉ、Ｎ４．Ｂ４Ｓｉ、Ｂ４Ｃなど、これら
の元素を主成分として含む化合物が望ましい。これらの
材料は一般に硬く耐摩耗性が良く、ピンホール等の無い
ち密な膜が得易く、さらに強磁性膜に対する付着強度を
大きくとることができる。そして第２層の材料としては
Ｓ　ｎ　ｒ　Ｐ　ｂ　＊Ｉｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ａｇ
、Ａｕもしくはこれらの一元素を主成分とする合金が良
い。これらの材料は一般に軟かく、硬い材料の第１層と
硬い材料から成るヘッドの間にあって潤滑剤の役割を果
し得る。

保護膜の厚さは、充分な保護作用が得られること、磁気
記録層面と磁気ヘッドの間隙によるスペーシングロスに
よって磁気記録再生出力の低下しないこと、等の条件に
よって０．００３〜０．５μｍ。

好ましくは０．０１〜０．２μｍの範囲が良いとされて
いる。したがって、第１層と第２層の厚さを加えた値が
上記値の範囲にあることが必要である。

２層構造の保護膜の場合は第１層の厚さを第２層に比べ
て大きくとる方がより望ましく、その比は１．５〜５倍
の範囲が適当である。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を実施例で説明する。

実施例１ 基板としてポリイミドフィルムを用いて、第１図に示す
構成の蒸着装置を用いて保護膜付の磁気記録媒体を作製
した。Ｉ　Ｘ　１０””Ｔｏｒｒの真空中でポリイミド
フィルム基板１を赤外線加熱ヒータ２で１８０℃に加熱
しながら蒸着源３よりＣｏ−Ｃｒ合金を蒸発させ、膜厚
２０００人のＣｏ−２０ｗｔ％Ｃｒの強磁性金属薄膜を
形成した。さらに同じ基板温度で蒸着源４よりＳｉを蒸
発させ膜厚２００人の第１層を形成し、続いて蒸着源５
よりＳｎを蒸発させて１００人の第２層を形成し、第２
図に示す磁気記録媒体を作製した。

同様の条件で、Ｓｎの代りにＰｂ、Ｉｎ、Ｓｓ。

Ｔ　ｅ　、　Ｃｕ　、　Ａ　ｇ　、　Ａ　ｕ　、　Ｓ　
ｎ　−３０ｗ　ｔ％Ｂｉ。

Ｉ　ｎ　−１０ｗ　ｔ％Ｂｉ、Ｓｅ−３０ｗｔ％Ｔｅ。

Ａ　ｕ　　５　ｗ　ｔ％Ａｎを用いて同様の構造を持つ
磁気記録媒体を作製した。

比較試料として、Ｇｏ−Ｃｒ合金のみを付着した保護膜
を設けない試料、および第１層のＳｉだけの保護膜を設
けた試料を準備した−０このようにして得られた各試料
からディスク試料を切り出し、下記の方法で耐摺動性テ
ストを行なった。ディスク回転装置に試料をセットし、
荷重１０ｇのヘッドを接触させてディスクをｉｎ／Ｓの
速度で連続回転させ、磁気記録媒体が破壊されるまでの
回転の数を測定した。結果を表１に示す。

表１の結果から明らかなように、保護膜として２層構造
を用いることにより耐摺動性が大幅に向上する効果があ
ることが確認された。また２層から成る保護膜を設けた
磁気記録媒体の酎環境テストを温度６５℃、湿度９５％
の条件で１０４時間放置することによって行なった結果
ではいずれもＣｏ　−Ｃｒ強磁性膜は変質しておらず、
耐蝕性も極めて優れていることが確認された。

実施例２ 実施例１において保護膜の第１層材料としてＳｉの代り
にＧｅを用いた以外は同様にして一連の試料を作製し、
同様の耐摺動性試験を行なった。

保護膜を設けない試料および第１層のＧｅ保護膜だけを
設けた試料の摺動回数が１０１回以下であったのに対し
、第１層上に第２層を設けた場合はいずれの第２層保護
膜材料でも１０’回以上の摺動回数が得られた。

実施例３ 実施例１において保護膜の第１層材料としてＳｉの代り
にＳｉ−３０ｗｔ％Ｇｅを用いた以外は同様にして一連
の試料を作製し、同様の耐摺動性試験を行なった。保護
膜を設けない試料および第１層の保護膜を設けただけの
試料の摺動回数は１０３以下であったのに対し、第１層
上に第２層を設けた場合はいずれの第２層保護膜材料で
も１０’回以上の摺動回数が得られた。

実施例４ 基板として表面をアルマイト化した直径１００ｍ厚さ２
腫の円板上に０．５　μｍ厚のパーマロイ膜とその上に
０．１５　　μｍ厚のＣｏ　−２０、５ｗｔ％Ｃｒ膜か
ら成る強磁性膜を設けた磁気記録媒体上に、以下の手順
で保護膜を形成した。上記媒体を連続スパッタ装置に入
れ、高周波出力４Ｗ／ｄ、基板温度１２０℃の条件で第
１層としてＢ膜を２００人、ついで同様の条件でＳｎ膜
を１００人第２層として形成した。

同様の条件で第１層のＢの代りにＳｉＣ。

Ｓｉ３Ｎ４．Ｂ、Ｃ，Ｂ、Ｓｉ、Ｓｉ−５ｗｔ％Ｂ。

Ｂ−３ｗｔ％Ｃを用いて同様の構造を持つ試料を作製し
た。比較試料として、保護膜を全く設けない試料と磁性
膜上にＳｎ膜を１００人だけ形成した試料を準備した。

以下、実施例１と同様の条件で行なった耐摺動性試験の
結果を表２に示す。

表２ 〔発明の効果〕 本発明による保護膜は耐摩耗性と潤滑性を兼ねそなえて
いるため、この保護膜を設けた磁気記録媒体では耐ヘツ
ド摺動性が向上するという実用上好ましい効果が生じる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気記録媒体用の保護膜を形成す
るための製造装置の一例を示す側面図。 第２図は本発明によって作製した保護膜付の磁気記録媒
体の断面構造の一例を示す断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、所定基板上に形成された磁性体薄膜の保護膜として
   、第一層にＳｉ、Ｇｅ、Ｂもしくはこれらのいずれかの
   元素を主成分とする合金あるいは化合物から成る薄膜、
   第二層としてＳｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ａ
   ｇ、Ａｕもしくはこれらのいずれかの元素を主成分とす
   る合金から成る薄膜を用いたことを特徴とする磁気記録
   媒体用の保護膜。