WO2016039115A1 - 磁気記録媒体用アルミニウム基板、及びその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体用アルミニウム基板、及びその製造方法 Download PDF

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WO2016039115A1
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film
sio
anodic oxide
thickness
aluminum plate
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藤原　直也
鈴木　哲雄
角王 飯沼
高田　悟
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株式会社神戸製鋼所
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/10—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing organic acids
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739—Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73911—Inorganic substrates
    • G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
    • G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers

Definitions

  • the present invention relates to an aluminum substrate on which a film suitable as a substrate for a magnetic recording medium is formed, and a method for manufacturing the same.
  • Magnetic recording media used in various electronic devices such as computers have a magnetic film as a recording layer formed on a non-magnetic substrate.
  • a substrate for a magnetic recording medium is required to have a light weight, a high hardness, a smooth surface, and a scratch resistance. Therefore, an aluminum plate is used as a material that is nonmagnetic, lightweight, and can easily obtain a smooth surface by mirror finishing or the like.
  • a substrate on which a Ni—P plating film is formed hereinafter sometimes referred to as “Ni—P plating aluminum substrate” is used for a magnetic recording medium. It is widely used as a substrate.
  • a zincate treatment is performed as a pretreatment to remove the oxide film formed on the surface of the aluminum plate and to obtain good plating adhesion. Sexuality sometimes worsened. In addition, defects such as pits were formed on the surface of the Ni—P plating film due to the crystallized substances inevitably contained in the aluminum plate, and the smoothness of the Ni—P plated aluminum substrate was sometimes lowered. .
  • an amorphous SiO 2 film as disclosed in Patent Documents 1 and 2 has been studied as a film that can be substituted for the Ni—P plating film.
  • the SiO 2 film is attracting attention because it is non-magnetic, has high hardness, and excellent heat resistance.
  • Patent Document 1 discloses that a surface of an alumite substrate for magnetic recording that smoothes the surface of an alumite film by applying a silicon oxide to the surface of the alumite film and heat-treating the surface of the aluminum substrate after anodizing. A processing method is described. According to Patent Document 1, it is disclosed that the smoothness of the surface of the alumite film is extremely improved.
  • Patent Document 2 describes a magnetic recording medium substrate having a SiO 2 film formed on the surface thereof.
  • Patent Document 2 also describes that the SiO 2 film is preferably formed from a coating solution containing polysilazane as a main component. According to Patent Document 2, it is disclosed that a surface roughness smaller than the surface roughness of a substrate can be realized by forming a SiO 2 film on the surface of the substrate.
  • An object of the present invention is to provide an aluminum substrate for a magnetic recording medium that has both excellent smoothness and scratch resistance, and a method for producing the same.
  • One aspect of the present invention is an aluminum substrate for a magnetic recording medium having an aluminum plate and a film formed on the surface thereof, wherein the film is an anodized film and an SiO 2 film in order from the aluminum plate side. And a film thickness of the anodic oxide film is 7 ⁇ m or more and 45 ⁇ m or less, and a film thickness of the SiO 2 film is 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • Aluminum substrate is an aluminum substrate for a magnetic recording medium having an aluminum plate and a film formed on the surface thereof, wherein the film is an anodized film and an SiO 2 film in order from the aluminum plate side.
  • a film thickness of the anodic oxide film is 7 ⁇ m or more and 45 ⁇ m or less
  • a film thickness of the SiO 2 film is 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • Another aspect of the present invention is a method for manufacturing the aluminum substrate for a magnetic recording medium, the step of forming an anodized film on the aluminum plate, and an inorganic polysilazane-containing surface on the surface of the anodized film Applying the solution and then heating to convert the inorganic polysilazane to SiO 2 and forming the SiO 2 film on the anodic oxide film.
  • a method for manufacturing a substrate is a method for manufacturing the aluminum substrate for a magnetic recording medium, the step of forming an anodized film on the aluminum plate, and an inorganic polysilazane-containing surface on the surface of the anodized film Applying the solution and then heating to convert the inorganic polysilazane to SiO 2 and forming the SiO 2 film on the anodic oxide film.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an aluminum substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a micrograph of 3-1.
  • FIG. 3 is a drawing-substituting photograph showing the surface smoothness of 3-1.
  • FIG. It is a micrograph of 3-2.
  • FIG. 3 is a drawing-substituting photograph showing the surface smoothness of 3-2.
  • FIG. It is a photomicrograph of 3-3.
  • FIG. 3 is a drawing-substituting photograph showing the surface smoothness of 3-3.
  • the organosiloxane used as silicon oxide in Patent Document 1 cannot form a SiO 2 film having sufficient hardness and heat resistance. Further, the aluminum substrate coated with the anodized film did not have sufficient scratch resistance.
  • Patent Document 2 if the SiO 2 film is thickened to ensure the scratch resistance, the SiO 2 film may crack due to the manufacturing process or the thermal history during use, or the SiO 2 film may be an aluminum plate. There was a problem such as peeling off.
  • the present invention has been made paying attention to the above-described circumstances, and an object thereof is to provide an aluminum substrate for a magnetic recording medium having both excellent smoothness and scratch resistance. That is, an object of the present invention is to provide an aluminum substrate for a magnetic recording medium on which a film having both excellent smoothness and scratch resistance is formed. Another object of the present invention is to provide a method for producing the aluminum substrate for a magnetic recording medium.
  • the inventors of the present invention have made extensive studies on an aluminum substrate having a hardness of 4.0 to 8.0 GPa, which is comparable to that of glass, and excellent in smoothness and scratch resistance.
  • the background to the present invention is as follows.
  • the present inventors have conducted research to secure the scratch resistance and smoothness, and as a result, while suppressing deterioration of the surface roughness of the anodized film, smoothness and scratch resistance are achieved.
  • it has been found that it is effective to have a laminated structure including a anodic oxide film and a SiO 2 film having a predetermined film thickness, and the present invention has been achieved.
  • the aluminum substrate for magnetic recording media has an aluminum plate and a film formed on the surface thereof. Then, the film includes sequentially from the aluminum plate side, a multilayer film including an anodized film and the SiO 2 film.
  • the film thickness of the anodic oxide film is 7 ⁇ m or more and 45 ⁇ m or less
  • the film thickness of the SiO 2 film is 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the film thickness of the anodic oxide film tends to be unable to secure the scratch resistance unless it has a sufficient film thickness.
  • the thickness of the anodic oxide film is 7 ⁇ m or more, preferably 8 ⁇ m or more, more preferably 9 ⁇ m or more.
  • the manufacturing cost increases and the effect of improving the scratch resistance tends to be saturated.
  • the increase in film thickness tends to deteriorate the surface roughness of the anodized film and reduce the smoothness.
  • the thermal history tends to cause breakage or peeling of the anodized film due to the difference in thermal expansion from the aluminum plate or the SiO 2 film, and the heat resistance tends to deteriorate.
  • the thickness of the anodized film is 45 ⁇ m or less, preferably 40 ⁇ m or less, more preferably 35 ⁇ m or less. From these facts, when the thickness of the anodic oxide film is within the above range, a film having excellent smoothness and scratch resistance can be obtained by forming a SiO 2 film on the surface thereof.
  • the thickness of the SiO 2 film is 1 ⁇ m or more, preferably 1.5 ⁇ m or more, more preferably 2 ⁇ m or more. From the viewpoint of ensuring smoothness, it is desirable to increase the thickness of the SiO 2 film. However, if the film is too thick, the SiO 2 film may be damaged or peeled off due to a difference in thermal expansion due to thermal history. There is a tendency to get worse.
  • the thickness of the SiO 2 film is 5 ⁇ m or less, preferably 4 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or less. From these facts, a film having both excellent smoothness and scratch resistance can be obtained by forming a SiO 2 film having a film thickness within the above range on the anodized film.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an aluminum substrate according to this embodiment.
  • the film is not particularly limited as long as it is a laminated film in which the anodized film and the SiO 2 film are laminated in order from the aluminum plate. That is, the film includes sequentially from the aluminum plate side may be a multilayer film including the anodized film and the SiO 2 film, as shown in FIG. 1, consisting of the said anodic oxide film SiO 2 film It may be a laminated layer. Moreover, the film has only include the anodic oxide film and the SiO 2 film, it may include other layers (the anode oxide film and a layer other than the SiO 2 film). Further, as shown in FIG.
  • the film structure of the film is composed of an anodized film 2 formed on the surface of the aluminum plate 1 and an SiO 2 film 3 formed on the surface of the anodized film 2.
  • Examples include a layer structure.
  • the coating, as described above, may include other layers, but the like made of an anode oxide film and the SiO 2 film, and with the anodic oxide film and the SiO 2 film is in contact Preferably it is.
  • the film becomes a composite structure of the anodic oxide film and SiO 2 as described above, and adhesion is improved, and the film is thinned. It is considered that sufficient scratch resistance can be secured.
  • the film thickness of the laminated film may be adjusted as appropriate so that the film thickness of the anodic oxide film and the film thickness of the SiO 2 film are within the above ranges, and smoothness and scratch resistance can be obtained within these ranges. There is no particular limitation.
  • the aluminum substrate according to this embodiment in which a laminated film having an anodic oxide film and a SiO 2 film is formed on the surface of the aluminum plate is excellent in smoothness.
  • the roughness Ra is preferably 1.0 nm or less, more preferably 0.8 nm or less.
  • the aluminum substrate according to the present embodiment is also excellent in scratch resistance, and has a scratch resistance equivalent to that of the Ni—P plating film, and preferably superior to that of the Ni—P plating film.
  • the wrinkle resistance is preferably 0.28 ⁇ m or less, more preferably 0.20 ⁇ m or less, as determined by the test methods of Examples described later.
  • the film forming conditions are not particularly limited.
  • a step of forming an anodized film on an aluminum plate, and after applying an inorganic polysilazane-containing solution on the surface of the anodized film A manufacturing method including a step of heating, removing the solvent, converting the inorganic polysilazane into SiO 2 , and forming a SiO 2 film on the anodized film is recommended.
  • the aluminum plate used as the base material in the present embodiment is not particularly limited as long as it includes aluminum, and may be a pure aluminum plate or an aluminum alloy plate.
  • As the aluminum plate various known pure aluminum plates and aluminum alloy plates that are widely used for magnetic recording media can be used.
  • a 5D86 alloy plate manufactured by Kobe Steel, a 5086 alloy plate described in JIS H4000: 2006, a 2219 alloy plate, and an aluminum alloy substrate described in Japanese Patent No. 5325869 are preferable.
  • the aluminum alloy substrate described in Japanese Patent No. 5325869 is “a Mg containing 3.5% by mass to 6% by mass, with the balance being Al and inevitable impurities, and a heating rate of 2 ° C./min or less. The temperature is increased to 360 ° C.
  • the 5D86 alloy plate, the 2219 alloy plate, and the aluminum alloy substrate described in the above-mentioned Japanese Patent No. 5325869 which have excellent high temperature heat resistance.
  • the thickness of the aluminum plate is not particularly limited as long as it is required for the magnetic recording medium.
  • an aluminum substrate for a magnetic recording medium having a diameter of 3.5 inches has a thickness of 1.2 mm to 1.8 mm, but is not limited thereto.
  • the aluminum plate is punched into a desired shape and annealed.
  • the annealing process may be performed at a temperature of 300 ° C. or higher, for example.
  • the rolling surface may be removed by grinding or cutting the surface alteration layer.
  • the processing method is not particularly limited, and generally, wet grinding using a polyvinyl alcohol (PVA) grindstone or face milling using a diamond tool can be employed. Moreover, you may perform wet grinding using a polyvinyl alcohol grindstone after chamfering.
  • PVA polyvinyl alcohol
  • the surface roughness of the aluminum plate is, for example, preferably 1.0 nm or less, more preferably 0.8 nm or less in terms of the centerline average roughness Ra defined by JIS B0601: 2001.
  • the step of forming the anodic oxide film on the aluminum plate is not particularly limited, and examples thereof include a step of anodizing the aluminum plate using a general anodizing solution.
  • the conditions for forming the anodic oxide film on the aluminum plate surface are not particularly limited.
  • Examples of a general anodizing solution include organic acids such as oxalic acid and formic acid, and inorganic acids such as phosphoric acid, chromic acid, and sulfuric acid. Among these, it is preferable to use an anodizing solution containing oxalic acid from the viewpoint of reducing the occurrence of cracks at a high temperature.
  • the oxalic acid concentration in the anodizing solution is not particularly limited, and is generally controlled to be preferably 10 g / L or more, more preferably 20 g / L or more, preferably 50 g / L or less, more preferably 40 g / L or less. It is preferable.
  • the upper limit temperature (hereinafter sometimes referred to as “liquid temperature”) at the time of anodizing treatment may be set within a range in which dissolution of the anodized film does not proceed excessively while ensuring productivity, preferably 50 ° C. Below, more preferably 40 ° C. or less.
  • the treatment can be performed at a low temperature, from the viewpoint of heat resistance, if the treatment temperature is too low, cracking may occur. Therefore, the lower limit temperature is preferably 15 ° C. or higher, more preferably 20 ° C. or higher.
  • the electrolytic voltage and current density at the time of performing an anodizing process suitably so that a desired anodized film may be obtained.
  • the electrolysis voltage when the electrolysis voltage is low, the current density becomes small and the film formation rate becomes slow.
  • the electrolytic voltage is too high, dissolution of the anodic oxide film may proceed due to a large current, and a desired film thickness may not be ensured.
  • the electrolytic voltage during the anodizing treatment is preferably 5 V or higher, more preferably 15 V or higher, preferably 100 V or lower, more preferably 80 V or lower.
  • the current density at the time of anodizing treatment becomes like this.
  • it is 100 A / dm ⁇ 2 > or less, More preferably, it is 30 A / dm ⁇ 2 > or less, More preferably, it is 5 A / dm ⁇ 2 > or less.
  • the step of forming the SiO 2 film on the anodic oxide film is not particularly limited, and after the anodic oxide film having a predetermined thickness is formed on the surface of the aluminum plate, the SiO 2 film is formed.
  • the anodic oxide film has a porous structure. When the surface of the anodic oxide film is observed with a microscope, there are many pit-like defects having a pore diameter of about 10 to 100 nm.
  • an inorganic polysilazane-containing solution is applied to the surface of such an anodic oxide film by a wet film forming method and then heated, the anodic oxide film forms a strong composite structure by SiO 2 into which the inorganic polysilazane that has entered the inside is converted.
  • the film has a higher hardness and improved scratch resistance. For this reason, even if the anodic oxide film is made thinner than the conventional anodic oxide film, sufficient scratch resistance can be secured by forming the SiO 2 film thereon. Moreover, since the anodic oxide film can be made thin, it is possible to suppress the deterioration of the surface roughness accompanying the development of the porous structure as described above. Further, the inorganic polysilazane-containing solution penetrates into the pit-like defects of the anodic oxide film, and the surface roughness due to the defects is improved by the leveling effect, thereby improving the smoothness.
  • Inorganic polysilazane has “— (SiH 2 NH) —” as a basic structural unit, does not contain organic components such as methyl groups in the basic structural unit, and is composed of a chain, a ring, or a composite structure thereof. It is a material that reacts with oxygen and moisture to convert to hard SiO 2 .
  • inorganic polysilazanes having various known compositions disclosed in JP-A-60-145903 can be used.
  • perhydropolysilazane can be suitably used as the inorganic polysilazane.
  • the inorganic polysilazane it is preferable to use one having a number average molecular weight of, for example, about 500 to 2500.
  • the inorganic polysilazane-containing solution a solution in which inorganic polysilazane is dissolved may be used.
  • the solvent for example, an organic solvent such as dibutyl ether, xylene, or toluene can be used.
  • concentration of the inorganic polysilazane contained in an inorganic polysilazane containing solution is not specifically limited, For example, Preferably it is 10 mass% or more with respect to the mass of the whole solution, More preferably, it is 20 mass% or more.
  • the inorganic polysilazane-containing solution may further contain a catalyst such as a palladium catalyst in order to promote the conversion of inorganic polysilazane to SiO 2 .
  • a catalyst such as a palladium catalyst in order to promote the conversion of inorganic polysilazane to SiO 2 .
  • the above-mentioned inorganic polysilazane-containing solution may be a commercially available product, and can be obtained from, for example, AZ Electronic Materials. Moreover, you may use, after concentrating the obtained solution.
  • organic polysilazane in addition to inorganic polysilazane, organic polysilazane containing an organic component such as a methyl group in a basic structural unit is also known. Inorganic polysilazane tends to progress in the formation of a three-dimensional Si—O bond at a low temperature, and silica conversion favorably proceeds. In addition, the SiO 2 film formed using inorganic polysilazane has higher hardness than the SiO 2 film formed using organic polysilazane. For these reasons, the manufacturing method according to the present embodiment uses inorganic polysilazane.
  • the method for applying the inorganic polysilazane-containing solution to the surface of the aluminum substrate is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, methods such as spin coating, dip coating, and spray coating can be applied.
  • the coating amount of the inorganic polysilazane-containing solution is not particularly limited. Therefore, the coating amount may be appropriately adjusted according to the thickness of the SiO 2 film to be formed.
  • the solvent may be removed by drying at a desired temperature in the air or in a dry atmosphere, that is, in an atmosphere not containing water vapor such as dry air or dry nitrogen.
  • the aluminum plate is coated with the above-mentioned inorganic polysilazane-containing liquid on the surface of the anodic oxide film, or further dried, and then inserted into a heating furnace such as an electric furnace, and heated to convert the inorganic polysilazane to silica to produce SiO 2.
  • a heating furnace such as an electric furnace, and heated to convert the inorganic polysilazane to silica to produce SiO 2.
  • a hard SiO 2 film mainly composed of is formed.
  • the aluminum plate inserted in the firing furnace is heated to the final firing temperature.
  • the firing temperature (final firing temperature) at this time is not particularly limited. However, if the final firing temperature is too high, the aluminum plate is deformed. Therefore, it is necessary to set the temperature lower than the deformation start temperature of the aluminum plate.
  • the heat-resistant temperature of the aluminum plate varies somewhat depending on the alloy components and the like. However, when the temperature exceeds approximately 370 ° C., the proof stress of the aluminum plate is likely to change to about 1 ⁇ 4 of room temperature. is there. On the other hand, the silica conversion of the inorganic polysilazane is accelerated when the temperature is 200 ° C. or higher, and the hardness is increased as the temperature is further increased.
  • the conversion is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher.
  • an air atmosphere may be sufficient until it adds water vapor
  • the method for supplying water vapor is not particularly limited.
  • the amount of water vapor supplied into the firing furnace is not particularly limited because it varies depending on the size of the firing furnace, the number of aluminum plates to be fired, the size, and the like.
  • the supply amount of water vapor may be adjusted as appropriate so that a SiO 2 film having the strength and heat resistance described below can be formed by performing a silica conversion reaction with water supplied with at least inorganic polysilazane.
  • the partial pressure of water vapor to be supplied is not particularly limited, and may be, for example, about 20 to 70%.
  • the SiO 2 film has a peak intensity due to Si—H bond and NH bond when the FT-IR (Fourier transform infrared spectrophotometer) spectrum of the film before and after heating is measured. This can be confirmed from the decrease or disappearance of the peak, the generation of a peak due to the Si—O bond, or the increase in peak intensity.
  • FT-IR Fastier transform infrared spectrophotometer
  • the aluminum plate coated with the hard SiO 2 film can be obtained.
  • the holding time at the final calcination temperature is not particularly limited as long as the silica conversion is completed, and is preferably 30 minutes or more, and more preferably 1 hour or more, for example.
  • the temperature raising rate of the temperature in the firing furnace is not particularly limited, and may be performed under normal production conditions, for example, an average temperature raising rate of about 3 ° C./min to 10 ° C./min.
  • cooling is performed to room temperature, but the cooling rate at that time is not particularly limited.
  • the aluminum substrate according to this embodiment obtained in this way is excellent in smoothness and scratch resistance.
  • the surface of the SiO 2 film may be polished, ground or cut under known conditions. Since the aluminum substrate according to the present embodiment has a hard SiO 2 film formed on the surface of the aluminum substrate, a conventionally used method and apparatus for polishing a glass substrate can be used as they are.
  • the aluminum substrate according to the present embodiment can be suitably used as a material for various electric and electronic devices such as a magnetic recording medium substrate.
  • a magnetic recording film is formed on the surface of the aluminum substrate under known conditions, and if necessary, a protective film or a lubricating film is further formed. May be formed.
  • an aluminum substrate for a magnetic recording medium having an aluminum plate and a film formed on the surface of the aluminum plate, and the film is an anode in order from the aluminum plate side. It is a laminated film including an oxide film and a SiO 2 film, the film thickness of the anodic oxide film is 7 ⁇ m or more and 45 ⁇ m or less, and the film thickness of the SiO 2 film is 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the aluminum substrate for magnetic recording media characterized by the above.
  • Another aspect of the present invention is a method for manufacturing the aluminum substrate for a magnetic recording medium, the step of forming an anodized film on the aluminum plate, and an inorganic polysilazane-containing surface on the surface of the anodized film Applying the solution and then heating to convert the inorganic polysilazane to SiO 2 and forming the SiO 2 film on the anodic oxide film.
  • a method for manufacturing a substrate is a method for manufacturing the aluminum substrate for a magnetic recording medium, the step of forming an anodized film on the aluminum plate, and an inorganic polysilazane-containing surface on the surface of the anodized film Applying the solution and then heating to convert the inorganic polysilazane to SiO 2 and forming the SiO 2 film on the anodic oxide film.
  • the step of forming the anodic oxide film is preferably an anodic oxidation process using an oxalic acid solution.
  • an aluminum substrate for a magnetic recording medium excellent in smoothness and scratch resistance can be suitably produced.
  • Example 1 In Experiment 1, the scratch resistance was evaluated.
  • a 5D86 alloy plate was used as the aluminum plate.
  • the composition of 5D86 alloy is as follows: Si: 0.015 mass%, Fe: 0.02 mass%, Cu: 0.04 mass%, Mg: 4.00 mass%, Zn: 0.15 mass%, balance: Al and It is an aluminum alloy composed of inevitable impurities.
  • This aluminum alloy plate was cold-rolled and then punched to produce a disk-shaped disk having an outer diameter of 65 mm, an inner diameter of 20 mm, and a thickness of about 0.65 mm. This was ground with a PVA grindstone, and the deteriorated layer due to rolling was removed.
  • a Speed Fam 16B double-sided machine was used, grinding pressure: 80 gf / cm 2 , sliding speed: 80 cm / sec, removal amount per surface: about 20 ⁇ m, polished aluminum plate
  • the aluminum plate for a test was produced by setting the thickness of the aluminum plate to 0.61 to 0.62 mm.
  • the above aluminum plate was anodized under the following conditions to form an anodized film.
  • the film thickness of the obtained anodic oxide film was measured based on the following measuring method.
  • Anodizing conditions Anodizing solution: Oxalic acid solution 30 g / L Treatment liquid temperature: 30 ° C Electrolytic voltage: 40V
  • an inorganic polysilazane-containing solution (NL120A-20 manufactured by AZ Electronic Materials) was applied by a spin coating method, and the solvent was removed by heating at 80 ° C. for 10 minutes in an air atmosphere. This was repeated a plurality of times to obtain a desired thickness such that the film thickness of the SiO 2 film after film formation was as shown in Table 1 below. Thereafter, the aluminum plate is inserted into an electric furnace, heated at an average temperature increase rate of about 10 ° C./min to a final firing temperature of 300 ° C., and then the furnace is made into a steam atmosphere and fired at that temperature for 60 minutes. did.
  • the mixture was allowed to cool to room temperature, and then the aluminum plate on which the SiO 2 film was formed was taken out of the electric furnace to obtain a test material. It was also measured based on the thickness of the SiO 2 film of each of the obtained test material the following measuring methods.
  • No. 8 is an example in which NiP plating was applied to the aluminum plate (the aluminum plate before the anodic oxide film and the SiO 2 film were formed, and the disk-shaped disk).
  • the treatment conditions were as follows. First, the aluminum plate was degreased with AD-68F at 70 ° C. for 5 minutes, then acid-etched with AD-101F at 68 minutes for 2 minutes, and desmutted with 30% nitric acid. Thereafter, the zincate treatment was carried out with AD-301F-3X at 20 ° C. for 30 seconds, Zn was dissolved with 30% nitric acid, and then the zincate treatment was carried out again at 20 ° C. for 15 seconds. Thereafter, electroless NiP plating treatment was performed at 90 ° C.
  • the HDX-7G solution is a NiP plating solution. These were all manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.
  • Reference numeral 9 denotes an aluminum plate on which the film (the anodic oxide film and the SiO 2 film) is not formed.
  • Reference numerals 10 to 13 denote aluminum plates on which an anodic oxide film was formed but no SiO 2 film was formed.
  • the thickness of the anodized film was measured using an eddy current film thickness meter. In the measurement, the same part was measured five times, the average value was taken as the thickness of the part, the five parts of the sample were measured, and the average was taken as the film thickness ( ⁇ m) of the anodized film.
  • the film thickness of the obtained anodic oxide film was described in the “anodized film ( ⁇ m)” column of the table.
  • the thickness of the SiO 2 film was measured using a nanospec / AFTmodel 5100 manufactured by nanometrics. In the measurement, the same part was measured five times, the average value was taken as the thickness of the part, the five parts of the sample were measured, and the average was taken as the film thickness ( ⁇ m) of the SiO 2 film.
  • the film thickness of the obtained SiO 2 film is described in the “SiO 2 film ( ⁇ m)” column of the table.
  • the evaluation of the scratch resistance was measured using a type 18 continuous load type scratch strength tester manufactured by Shinto Kagaku. The measurement was performed by subjecting the surface of the test piece to 10 mm by applying a load of 50 g to a conical scratching needle having a radius of 0.1 mm as an indenter with R processing at the tip. After running, the depth of the indenter marks on the surface of the test piece was measured with a Keyence Corporation VP-9510 laser microscope. The measured depth is described in the column “Deep depth ( ⁇ m)” in the table. The evaluation is based on the conventional Ni-P plated aluminum substrate No. Compared with the wrinkle depth of 8, the superiority or inferiority of the wrinkle resistance was evaluated.
  • No. 1 in which a laminated film of an anodic oxide film and a SiO 2 film having a thickness specified in the present invention was formed on an aluminum plate.
  • Nos. 1 to 7 are excellent in scratch resistance and are Nos. 1 and 2 which are Ni—P plated aluminum substrates. It had a scratch resistance equivalent to or higher than 8.
  • No. No. 9 was an example in which neither an anodic oxide film nor a SiO 2 film was formed, and a deep indenter mark exceeding 1 mm could be confirmed, and there was almost no scratch resistance.
  • No. Nos. 10 to 13 are examples in which only the anodic oxide film was formed, and the depth of wrinkle tended to decrease as the thickness of the anodic oxide film increased. A scratch resistance better than 8 was not obtained.
  • No. 14 is a case where a laminated film of an anodized film and a SiO 2 film is formed, but this is an example in which the film thickness of the anodized film is thin, and the depth of the defect still remains large.
  • No. No. 15 is a case where a laminated film of an anodized film and a SiO 2 film was formed, but the film thickness of the SiO 2 film was not sufficient and the scratch resistance was poor.
  • Example 2 In Experiment 2, the smoothness of the sample on which the anodized film and the SiO 2 film were formed was evaluated in the same manner as in Experiment 1 above.
  • the film thickness of the anodic oxide film obtained by forming the anodic oxide film was measured in the same manner as in the experiment 1 and described in the “anodized film ( ⁇ m)” column of the table.
  • the thickness of the SiO 2 film obtained by forming the SiO 2 film on the anodized film was measured and described in the “SiO 2 film ( ⁇ m)” column of the table.
  • the surface smoothness of the SiO 2 film was measured according to the following criteria and described in the “Surface roughness (nm)” column.
  • No. 2-11 to 2-16 are examples in which the SiO 2 film was not formed.
  • the smoothness of the SiO 2 film was evaluated by the average surface roughness (Ra: nm) when a 10 micron field of view was observed with an SPI-4000 type AFM (Atomic Force Microscope) manufactured by Seiko Instruments. Ra of 1.0 nm or less was evaluated as being excellent in smoothness.
  • No. 1 in which a laminated film of an anodic oxide film having a thickness specified in the present invention and a SiO 2 film was formed on an aluminum plate.
  • 2-1 to 2-9 had a surface roughness of 1.0 nm or less, and had excellent surface smoothness.
  • no. No. 2-10 had a thick anodized film and a slightly large surface roughness.
  • No. Nos. 2-11 to 2-16 are examples in which only the anodic oxide film is formed, and the outermost surface has a porous structure peculiar to the anodic oxide film, so that the surface increases as the thickness of the anodic oxide film increases. The tendency for the smoothness to deteriorate was observed, and the surface roughness was over 10 nm.
  • No. 2-17 to 2-20 are cases where a laminated film of an anodic oxide film and SiO 2 film was formed, but the film thickness of the SiO 2 film was thin, and the surface roughness remained large. .
  • Example 3 In Experiment 3, the leveling effect at the time of forming the SiO 2 film was confirmed. In the same manner as in Experiment 1, a 10 ⁇ m anodic oxide film was formed, and then a sample in which a SiO 2 film having a predetermined thickness was formed. In addition, No. 3-1 did not form a SiO 2 film. After an Au film was deposited on the measurement side surface of each sample so as to have a film thickness of 1000 mm, the presence or absence of pits was observed with an optical microscope with a magnification of 150 times. The micrographs at that time are shown in FIG. 2, FIG. 4, and FIG. FIG. 3 is a micrograph of 3-1, and FIG. 3-2 is a micrograph of FIG. 3 and FIG. It is a photomicrograph of 3-3.
  • FIG. 3-1 shows a shape chart
  • FIG. 3-2 shows a shape chart of FIG.
  • a shape chart of 3-3 is shown.
  • No. 3-1 is an example in which the SiO 2 film was not provided, but a plurality of pits were confirmed on the surface as shown in FIG. 2, and the surface smoothness was also poor as shown in FIG.
  • No. Nos. 3-2 and 3-3 are examples in which a SiO 2 film having a predetermined film thickness is formed. As shown in FIGS. 4 and 6, no pits are formed on the surface. It should be noted that No. 2 having a thick SiO 2 film. In 3-3, the surface was smoother as shown in FIG. No. 2 with thin SiO 2 film. In 3-2, the surface roughness could not be reduced sufficiently as shown in FIG.
  • the laminated film of the anodic oxide film and the SiO 2 film is formed with a predetermined film thickness on the surface of the aluminum plate, the magnetic recording medium having excellent characteristics of smoothness and scratch resistance An aluminum substrate is provided.

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Abstract

　本発明の一局面は、アルミニウム板と、その表面に成膜された皮膜とを有する磁気記録媒体用アルミニウム基板であって、前記皮膜は、前記アルミニウム板側から順に陽極酸化膜、及びＳｉＯ２膜を含む積層膜であり、且つ、前記陽極酸化膜の膜厚は、７μｍ以上、４５μｍ以下であり、前記ＳｉＯ２膜の膜厚は、１μｍ以上、５μｍ以下である磁気記録媒体用アルミニウム基板である。

Description

磁気記録媒体用アルミニウム基板、及びその製造方法
　本発明は、磁気記録媒体の基板として好適な皮膜が成膜されたアルミニウム基板、及びその製造方法に関する。
　コンピュータ等の各種電子機器で使用される磁気記録媒体は、非磁性の基板に記録層となる磁性膜が成膜されている。磁気記録媒体用の基板は、軽量、かつ高硬度を有し、平滑な表面と耐疵付性を有することが要求されている。そのため、非磁性で軽量、さらに鏡面加工等により平滑な表面を容易に得ることができる材料としてアルミニウム板が使用されている。そして、アルミニウム板の表面の硬度と耐疵付性を確保するため、Ｎｉ－Ｐめっき膜を成膜した基板（以下、「Ｎｉ－Ｐめっきアルミニウム基板」ということがある）が、磁気記録媒体用基板として汎用されている。
　Ｎｉ－Ｐめっきを施す際、アルミニウム板表面に形成されている酸化皮膜を除去し、良好なめっき密着性を得るため、前処理としてジンケート処理が行われているが、この際、アルミニウム板の平滑性が悪化することがあった。また、アルミニウム板に不可避的に含まれている晶出物に起因してＮｉ－Ｐめっき膜表面にピットなどの欠陥が形成され、Ｎｉ－Ｐめっきアルミニウム基板の平滑性が低下することがあった。
　こうした状況の下、Ｎｉ－Ｐめっき膜に代替可能な皮膜として、例えば、特許文献１、２に開示されているような非晶質のＳｉＯ２膜が検討されている。ＳｉＯ２膜は、非磁性であり、高硬度、かつ耐熱性にも優れた性質を有することから着目されている。
　例えば、特許文献１には、アルミニウム基板の表面をアルマイト処理した後、アルマイト膜の表面に、酸化シリコンを塗布し、熱処理することで、アルマイト膜の表面を平滑化する磁気記録用アルマイト基板の表面処理方法が記載されている。特許文献１によれば、アルマイト膜の表面の平滑性が極めて向上する旨が開示されている。
　また、特許文献２には、表面にＳｉＯ２膜が形成されてなる磁気記録媒体用基板が記載されている。また、特許文献２には、ＳｉＯ２膜が、ポリシラザンを主成分とする塗布液から形成されることが好ましいことも記載されている。特許文献２によれば、基板の表面にＳｉＯ２膜を形成することにより、基板の表面粗さよりも小さな表面粗さを実現できる旨が開示されている。
特開平２－７３５２０号公報 特開平９－１４７３４４号公報
　本発明は、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する磁気記録媒体用アルミニウム基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一局面は、アルミニウム板と、その表面に成膜された皮膜とを有する磁気記録媒体用アルミニウム基板であって、前記皮膜は、前記アルミニウム板側から順に陽極酸化膜、及びＳｉＯ２膜を含む積層膜であり、且つ、前記陽極酸化膜の膜厚は、７μｍ以上、４５μｍ以下であり、前記ＳｉＯ２膜の膜厚は、１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板である。
　また、本発明の他の一局面は、前記磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造する方法であって、前記アルミニウム板に陽極酸化膜を成膜する工程と、前記陽極酸化膜の表面に無機ポリシラザン含有溶液を塗布した後、加熱することによって、前記無機ポリシラザンをＳｉＯ２に転化して、前記陽極酸化膜に前記ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法である。
　上記並びにその他の本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な記載と添付図面とから明らかになるだろう。
図１は、本発明の実施形態に係るアルミニウム基板の構造を示す概略断面図である。 図２は、実験３のＮｏ．３－１の顕微鏡写真である。 図３は、実験３のＮｏ．３－１の表面平滑性を示す図面代用写真である。 図４は、実験３のＮｏ．３－２の顕微鏡写真である。 図５は、実験３のＮｏ．３－２の表面平滑性を示す図面代用写真である。 図６は、実験３のＮｏ．３－３の顕微鏡写真である。 図７は、実験３のＮｏ．３－３の表面平滑性を示す図面代用写真である。
本発明者らの検討によれば、特許文献１において酸化シリコンとして使用されているオルガノシロキサンでは、充分な硬度及び耐熱性を有するＳｉＯ２膜を形成できなかった。また、陽極酸化膜で被覆されたアルミニウム基板は、充分な耐疵付性を有していなかった。
　また、特許文献２において、耐疵付性を確保するためにＳｉＯ２膜を厚膜化すると、製造過程や使用時の熱履歴によって、ＳｉＯ２膜に亀裂が生じたり、ＳｉＯ２膜がアルミニウム板から剥離する等の問題があった。
　本発明は、上記のような事情に着目してなされたものであって、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する磁気記録媒体用アルミニウム基板を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する皮膜が成膜された磁気記録媒体用アルミニウム基板を提供することを目的とする。また、本発明は、前記磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、ガラスと同程度の４．０～８．０ＧＰａの硬度を有し、且つ、平滑性と耐疵付性とに優れたアルミニウム基板について鋭意研究を重ねた。本発明に至った経緯は、以下の通りである。
　まず、硬度と耐疵付性とを確保する観点から、無機ポリシラザンを原料としてアルミニウム板表面に成膜するＳｉＯ２膜の厚膜化を検討した。その結果、ＳｉＯ２膜の成膜過程で不可欠な水やアンモニア等の制御が難しく、５μｍ超の膜厚に成膜することは、工業的規模の生産においては困難であることがわかった。また、５μｍ程度の膜厚のＳｉＯ２膜を設けたアルミニウム板では、製造時や使用時に衝撃を受けた際に、アルミニウム板に疵や窪みが生じ、充分な耐疵付性が得られなかった。
　耐疵付性を向上させる観点から、厚膜化が容易な皮膜について検討したところ、陽極酸化膜が厚膜化しやすいことがわかった。しかしながら、陽極酸化膜で充分な耐疵付性を確保するためには、膜厚を２０μｍ以上とする必要があることがわかった。さらに、この場合、陽極酸化膜の多孔質構造が発達して、表面粗度が著しく悪化し、平滑性が確保できないことが判明した。
　さらに、本発明者らは、耐疵付性と平滑性とを確保すべく、研究を重ねた結果、陽極酸化膜の表面粗度の悪化を抑制しつつ、平滑性と耐疵付性とを確保するためには、所定の膜厚を有する、陽極酸化膜とＳｉＯ２膜とを含む積層構造とすることが有効であることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体用アルミニウム基板は、アルミニウム板と、その表面に成膜された皮膜とを有する。そして、前記皮膜は、前記アルミニウム板側から順に、陽極酸化膜及びＳｉＯ２膜を含む積層膜である。そして、前記陽極酸化膜の膜厚は、７μｍ以上、４５μｍ以下であり、ＳｉＯ２膜の膜厚は、１μｍ以上、５μｍ以下である。このような磁気記録媒体用アルミニウム基板は、上記のような皮膜を有することで、平滑性と耐疵付性とを兼備できる。すなわち、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する皮膜が成膜された磁気記録媒体用アルミニウム基板が得られる。具体的には、以下のことによると考えられる。
　上記したように、陽極酸化膜単独で耐疵付性を確保するためには、陽極酸化膜を厚膜化する必要があったが、ガラスと同程度の硬度を有するＳｉＯ２膜で被覆することで、陽極酸化膜の膜厚が薄くても充分な耐疵付性を確保できる。特に、ＳｉＯ２膜を成膜する際に、陽極酸化膜の多孔質構造内にＳｉＯ２前駆体を侵入させれば、陽極酸化膜がＳｉＯ２との複合構造となり、密着性が向上し、また、薄膜化しても充分な耐疵付性を確保できると考えられる。
　また、陽極酸化膜を薄膜化すると、陽極酸化膜の表面粗度の悪化を抑制できるため、ＳｉＯ２膜で被覆することで、より優れた平滑性が得られる。
　陽極酸化膜の膜厚は、充分な膜厚を有していないと耐疵付性を確保できない傾向がある。陽極酸化膜の膜厚は、７μｍ以上、好ましくは８μｍ以上、より好ましくは９μｍ以上である。一方、陽極酸化膜を厚膜化しすぎると、製造コストが増大し、また、耐疵付性向上効果が飽和する傾向がある。さらに、厚膜化によって、陽極酸化膜の表面粗度が悪化し、平滑性が低下する傾向がある。また、厚膜化すると、熱履歴によって、アルミニウム板やＳｉＯ２膜との熱膨張差に起因して、陽極酸化膜の破損や剥離が生じやすくなり、耐熱性が悪化する傾向がある。陽極酸化膜の膜厚は、４５μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下である。これらのことから、陽極酸化膜の膜厚が上記範囲内であれば、その表面上にＳｉＯ２膜を形成することによって、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する皮膜となる。
　ＳｉＯ２膜の膜厚は、充分な膜厚を有していないと、平滑性を確保できない傾向がある。ＳｉＯ２膜の膜厚は、１μｍ以上、好ましくは１．５μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上である。平滑性確保の観点からは、ＳｉＯ２膜は厚膜化することが望ましいが、厚膜化しすぎると、熱履歴による熱膨張差に起因してＳｉＯ２膜が破損や剥離する等、耐熱性が悪化する傾向がある。ＳｉＯ２膜の膜厚は、５μｍ以下、好ましくは４μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。これらのことから、膜厚が上記範囲内であるＳｉＯ２膜を陽極酸化膜に成膜することによって、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する皮膜が得られる。
　図１は、本実施形態に係るアルミニウム基板の構造を示す概略断面図である。前記皮膜は、前記アルミニウム板から順に、前記陽極酸化膜及び前記ＳｉＯ２膜が積層された積層膜であれば、特に限定されない。すなわち、前記皮膜は、前記アルミニウム板側から順に、前記陽極酸化膜及び前記ＳｉＯ２膜を含む積層膜であればよく、図１に示すように、前記陽極酸化膜と前記ＳｉＯ２膜とからなる積層層であってもよい。また、前記皮膜は、前記陽極酸化膜及び前記ＳｉＯ２膜を含んでいればよく、他の層（前記陽極酸化膜及び前記ＳｉＯ２膜以外の層）を含むものであってもよい。また、前記皮膜の膜構造としては、図１に示すように、アルミニウム板１表面に成膜された陽極酸化膜２と、該陽極酸化膜２表面に成膜されたＳｉＯ２膜３からなる２層構造が挙げられる。前記皮膜は、上述したように、他の層を含むものであってもよいが、前記陽極酸化膜と前記ＳｉＯ２膜とからなる等、前記陽極酸化膜と前記ＳｉＯ２膜とが接触していることが好ましい。前記陽極酸化膜と前記ＳｉＯ２膜とが接触していることによって、前記皮膜が、上述したような、陽極酸化膜とＳｉＯ２との複合構造となり、密着性が向上し、また、薄膜化しても充分な耐疵付性を確保できると考えられる。
　積層膜の膜厚は、陽極酸化膜の膜厚とＳｉＯ２膜の膜厚とが上記範囲内であればよく、これらの範囲内で平滑性と耐疵付性が得られるように適宜調整すればよく、特に限定されない。
　アルミニウム板表面に陽極酸化膜とＳｉＯ２膜を有する積層膜を成膜した、本実施形態に係るアルミニウム基板は、平滑性に優れており、例えば、ＪＩＳ 　Ｂ０６０１：２００１年で規定される中心線平均粗さＲａで、好ましくは１．０ｎｍ以下、より好ましくは０．８ｎｍ以下である。
　また、本実施形態に係るアルミニウム基板は、耐疵付性にも優れており、Ｎｉ－Ｐめっき膜と同等、好ましくはＮｉ－Ｐめっき膜よりも優れた耐疵付性を有している。耐疵付性は、例えば、後記する実施例の試験方法での疵深さが、好ましくは０．２８μｍ以下、より好ましくは０．２０μｍ以下である。
　以下、本発明の他の実施形態に係る磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法について説明する。
　本実施形態では、アルミニウム板の表面に所定の膜厚の陽極酸化膜とＳｉＯ２膜の積層膜を成膜できればよく、成膜条件は特に限定されない。
　本実施形態に係る、平滑性と耐疵付性に優れたアルミニウム基板の製造方法としては、アルミニウム板に陽極酸化膜を成膜する工程と、陽極酸化膜表面に無機ポリシラザン含有溶液を塗布した後、加熱して溶媒を除去後、無機ポリシラザンをＳｉＯ２に転化して、陽極酸化膜にＳｉＯ２膜を成膜する工程を含む製造方法が推奨される。
　本実施形態で母材として使用するアルミニウム板は、特に限定されず、アルミニウムを含む板であればよく、純アルミニウム板であっても、アルミニウム合金板であってもよい。このアルミニウム板としては、磁気記録媒体用に汎用されている各種公知の純アルミニウム板、アルミニウム合金板を用いることができる。例えば、神戸製鋼所社製の５Ｄ８６合金の板、ＪＩＳ 　Ｈ４０００：２００６年に記載されている５０８６合金の板、２２１９合金の板、及び、特許第５３２５８６９号公報に記載されているアルミニウム合金基板が好ましい。特許第５３２５８６９号公報に記載されているアルミニウム合金基板は、「Ｍｇを３．５質量％以上６質量％以下含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、２℃／分以下の昇温速度で３６０℃以上となるまで昇温し、３６０℃以上で２時間以上保持し、次いで、２℃／分以下の降温速度で冷却するという条件の積み付け焼鈍を行い、５００℃で１０秒間加熱された前後における平坦度の変化量が５μｍ以下であり、かつ５００℃で１０秒間加熱された前後における平均結晶粒径の変化量が１０μｍ以下である」アルミニウム合金板である。より好ましくは、高温耐熱性に優れた特性を有する上記５Ｄ８６合金の板、上記２２１９合金の板、上記特許第５３２５８６９号公報に記載のアルミニウム合金基板である。
　アルミニウム板の板厚は、磁気記録媒体に要求される板厚であればよく、特に限定されない。例えば、直径が３．５インチの磁気記録媒体用アルミニウム基板では、厚みは１．２ｍｍ以上１．８ｍｍ以下であるが、これに限定されない。
　上記アルミニウム板は、所望の形状に打ち抜き、焼鈍処理を施しておくことが推奨される。焼鈍処理を施すことによって、アルミニウム板の形状が固定され、残留応力を除去できる。焼鈍処理は、例えば、３００℃以上の温度で行えばよい。
　上記アルミニウム板表面には、圧延等に起因した表面変質層が形成されていることがあるため、必要に応じて、この表面変質層を研削加工あるいは切削加工により圧延面を除去しておくことが望ましい。上記加工方法は、特に限定されず、一般にはポリビニルアルコール（ＰＶＡ）砥石を用いた湿式研削や、ダイヤモンドバイトを用いた面削を採用できる。また、面削後に、ポリビニルアルコール砥石を用いた湿式研削をおこなってもよい。
　上記アルミニウム板の表面粗度は、例えば、ＪＩＳ　 Ｂ０６０１：２００１年で規定される中心線平均粗さＲａで１．０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．８ｎｍ以下である。
　また、アルミニウム板には、必要に応じて公知の脱脂処理や、デスマット処理を施してアルミニウム板表面を清浄化することが望ましい。
　アルミニウム板に陽極酸化膜を成膜する工程は、特に限定されず、一般的な陽極酸化処理液を用いてアルミニウム板を陽極酸化処理する工程が挙げられる。アルミニウム板表面に陽極酸化膜を成膜する条件は、特に限定されない。一般的な陽極酸化処理液として、シュウ酸及びギ酸等の有機酸、リン酸、クロム酸及び硫酸等の無機酸が挙げられる。この中でも、高温でクラックの発生を低減させるという観点から、シュウ酸を含む陽極酸化処理液を用いることが好ましい。陽極酸化処理液中のシュウ酸濃度は、特に限定されず、おおむね、好ましくは１０ｇ／Ｌ以上、より好ましくは２０ｇ／Ｌ以上、好ましくは５０ｇ／Ｌ以下、より好ましくは４０ｇ／Ｌ以下に制御することが好ましい。
　陽極酸化処理を行うときの上限温度（以下、「液温」ということがある）は、生産性を確保しつつ陽極酸化膜の溶解が進行しすぎない範囲で設定すればよく、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下である。低温で処理することはできるが、耐熱性の観点からは、処理温度が低すぎると割れが生じることがあるため、下限温度は好ましくは１５℃以上、より好ましくは２０℃以上である。
　陽極酸化処理を行うときの電解電圧や電流密度は、所望の陽極酸化膜が得られるように、適宜適切に調節すればよい。例えば、電解電圧については、電解電圧が低いと電流密度が小さくなって成膜速度が遅くなる。一方、電解電圧が高すぎると大電流によって陽極酸化膜の溶解が進行して所望の膜厚を確保できなくなることがある。陽極酸化処理時の電解電圧は、好ましくは５Ｖ以上、より好ましくは１５Ｖ以上、好ましくは１００Ｖ以下、より好ましくは８０Ｖ以下である。あるいは陽極酸化処理時の電流密度は、好ましくは１００Ａ／ｄｍ２以下、より好ましくは３０Ａ／ｄｍ２以下、さらに好ましくは５Ａ／ｄｍ２以下である。
　陽極酸化膜にＳｉＯ２膜を成膜する工程は、特に限定されず、アルミニウム板表面に所定の膜厚の陽極酸化膜を成膜した後、ＳｉＯ２膜を成膜する。上記陽極酸化膜は、多孔質構造であり、その表面を顕微鏡観察すると孔径１０～１００ｎｍ程度のピット状の欠陥が多数存在している。このような陽極酸化膜表面に湿式成膜法で無機ポリシラザン含有溶液を塗布した後、加熱すると、陽極酸化膜は内部に侵入した無機ポリシラザンが転化したＳｉＯ２によって強固な複合構造を形成するため、皮膜は、硬度が一層高くなり、耐疵付性が向上する。そのため、従来の陽極酸化膜と比べて、陽極酸化膜を薄膜化しても、その上にＳｉＯ２膜を成膜することで、充分な耐疵付性を確保できる。また、陽極酸化膜を薄膜化できるため、上記したように多孔質構造の発達に伴う表面粗度の悪化を抑制できる。さらに、陽極酸化膜のピット状欠陥の内部に該無機ポリシラザン含有溶液が侵入し、レベリング効果により該欠陥に起因する表面粗度が改善されて平滑性を向上できる。
　無機ポリシラザンとは、「－（ＳｉＨ２ＮＨ）－」を基本構成単位とし、基本構成単位内にメチル基などの有機質成分を含まず、鎖状、環状、若しくはこれらの複合構造からなり、高温下で酸素や水分と反応して硬質のＳｉＯ２に転化する材料である。例えば、特開昭６０－１４５９０３号公報などに開示されている各種公知の組成の無機ポリシラザンを用いることができる。
　上記無機ポリシラザンとしては、具体的には、ペルヒドロポリシラザンを好適に用いることができる。上記無機ポリシラザンとしては、数平均分子量が、例えば、５００～２５００程度のものを用いることが好ましい。
　上記無機ポリシラザン含有溶液としては、無機ポリシラザンを溶解している溶液を用いればよく、溶媒としては、例えば、ジブチルエーテル、キシレン、トルエンなどの有機溶媒を用いることができる。無機ポリシラザン含有溶液に含まれる無機ポリシラザンの濃度は、特に限定されないが、例えば、溶液全体の質量に対して、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である。
　無機ポリシラザン含有溶液には、無機ポリシラザンからＳｉＯ２への転化を促進するため、パラジウム触媒等の触媒を、さらに含んでいてもよい。
　上記無機ポリシラザン含有溶液は、市販品を用いてもよく、例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社等から入手できる。また、入手した溶液を濃縮してから用いてもよい。
　なお、ポリシラザンとしては、無機ポリシラザンの他、基本構成単位内にメチル基などの有機質成分を含んだ有機ポリシラザンも知られている。無機ポリシラザンは、低温での三次元Ｓｉ－Ｏ結合の形成が進行しやすく、シリカ転化が好適に進行する。また、無機ポリシラザンを用いて形成されたＳｉＯ２膜は、有機ポリシラザンを用いて形成されたＳｉＯ２膜より硬度が高い。これらのことから、本実施形態にかかる製造方法では、無機ポリシラザンを用いている。
　上記アルミニウム基板表面に上記無機ポリシラザン含有溶液を塗工する方法は、特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば、スピンコート、ディップコート、スプレーコートなどの方法を適用できる。
　上記無機ポリシラザン含有溶液の塗布量は、特に限定されない。したがって、塗布量は、成膜するＳｉＯ２膜の厚みに応じて適宜調整すればよい。
　上記無機ポリシラザン含有溶液を塗工した後、必要に応じて、乾燥させて溶媒を除去することが好ましい。乾燥方法としては、特に限定されないが、例えば、大気中、或いは乾燥雰囲気中、すなわち、乾燥空気、乾燥窒素など水蒸気を含まない雰囲気で所望の温度で乾燥させて溶剤を除去すればよい。
　［焼成］
　アルミニウム板は、陽極酸化膜表面に上記無機ポリシラザン含有液を塗工した後、又は、さらに乾燥させた後、電気炉等の加熱炉に挿入し、加熱して無機ポリシラザンをシリカ転化させてＳｉＯ２を主体とする硬質なＳｉＯ２膜を成膜する。
　焼成炉内に挿入したアルミニウム板は、最終焼成温度まで加熱される。この際の焼成温度（最終焼成温度）は、特に限定されないが、最終焼成温度が高すぎると、アルミニウム板が変形するため、アルミニウム板の変形開始温度よりも低い温度に設定する必要がある。アルミニウム板の耐熱温度は、合金成分等によって多少変動するが、概ね３７０℃を超えると、アルミニウム板の耐力が室温の１／４程度まで低下して変化しやすくなるため、好ましくは３７０℃以下である。一方、無機ポリシラザンのシリカ転化は、２００℃以上になると促進され、さらに高温になるほど硬度も高くなるため、好ましくは２００℃以上、より好ましくは２５０℃以上、である。また焼成炉内は、水蒸気雰囲気にしてシリカ転化反応を促進させているが、水蒸気を添加するまでは大気雰囲気でよい。
　水蒸気の供給方法は、特に限定されないが、例えば、焼成炉の外部に設けた高温気化器に所定量の水を滴下しながら所定流量の空気等を流通させることで、水蒸気分圧を制御した雰囲気ガスを焼成炉内に供給すればよい。
　焼成炉内に供給する水蒸気量は、焼成炉のサイズや焼成するアルミニウム板の数、サイズ等によって異なるため、特に限定されない。水蒸気は、少なくとも無機ポリシラザンを供給した水分とシリカ転化反応させて後記する強度、及び耐熱性を有するＳｉＯ２膜が成膜できるように適宜供給量を調整すればよい。また、供給する水蒸気分圧も、特に限定されず、例えば、水蒸気分圧２０～７０％程度でよい。
　なお、ＳｉＯ２膜であることは、加熱前後における皮膜のＦＴ－ＩＲ（フーリエ変換型赤外分光光度計）スペクトルを測定したときに、Ｓｉ－Ｈ結合、Ｎ－Ｈ結合に起因するピーク強度が減少ないしピークが消滅し、Ｓｉ－Ｏ結合に起因するピークが生成ないしピーク強度が増大していることから確認できる。
　その後も水蒸気を供給して焼成炉内を水蒸気雰囲気に維持しつつ所定の最終焼成温度まで加熱してシリカ転化させることで、硬質なＳｉＯ２膜で被覆されたアルミニウム板を得ることができる。
　最終焼成温度での保持時間は、シリカ転化が完了する程度の時間であればよく、特に限定されないが、例えば３０分以上とすることが好ましく、より好ましくは１時間以上である。
　また焼成炉内の温度の昇温速度は、特に限定されず、通常の製造条件で行えばよく、例えば、平均昇温速度３℃／分～１０℃／分程度でおこなえばよい。
　上記焼成後は室温まで冷却するが、その際の冷却速度は特に限定されず、例えば放冷すればよい。
　このようにして得られる、本実施形態に係るアルミニウム基板は、平滑性、及び耐疵付性に優れている。
　また、さらに平滑性を向上させる目的で、公知の条件でＳｉＯ２膜表面を研磨、或いは研削や切削加工を施してもよい。本実施形態に係るアルミニウム基板は、アルミニウム基板の表面に硬質なＳｉＯ２膜を成膜しているため、従来から用いられているガラス基板を研磨する方法やその装置等をそのまま利用できる。
　本実施形態に係るアルミニウム基板は、磁気記録媒体用基板等、各種電気電子機器用材料として好適に用いることができる。
　本実施形態に係るアルミニウム基板を用いて磁気記録媒体を製造するにあたっては、該アルミニウム基板の表面に、公知の条件で磁気記録膜を成膜し、必要に応じて、さらに、保護膜や潤滑膜を成膜すればよい。
　本明細書は、上記のように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。
　上記課題を解決し得た本発明の一局面は、アルミニウム板と、その表面に成膜された皮膜とを有する磁気記録媒体用アルミニウム基板であって、前記皮膜は、前記アルミニウム板側から順に陽極酸化膜、及びＳｉＯ２膜を含む積層膜であり、且つ、前記陽極酸化膜の膜厚は、７μｍ以上、４５μｍ以下であり、前記ＳｉＯ２膜の膜厚は、１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板である。
　このような構成によれば、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する磁気記録媒体用アルミニウム基板を提供することができる。すなわち、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する皮膜が成膜された磁気記録媒体用アルミニウム基板を提供することができる。
　また、本発明の他の一局面は、前記磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造する方法であって、前記アルミニウム板に陽極酸化膜を成膜する工程と、前記陽極酸化膜の表面に無機ポリシラザン含有溶液を塗布した後、加熱することによって、前記無機ポリシラザンをＳｉＯ２に転化して、前記陽極酸化膜に前記ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法である。
　このような構成によれば、優れた平滑性と耐疵付性を兼備する磁気記録媒体用アルミニウム基板を好適に製造できる磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法を提供することができる。
　また、前記磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法において、前記陽極酸化膜を成膜する工程は、シュウ酸溶液を用いた陽極酸化処理であることが好ましい。
　このような構成によれば、平滑性と耐疵付性とにより優れた磁気記録媒体用アルミニウム基板を好適に製造できる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、もとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらは、いずれも本発明の技術的範囲に包含される。
　（実験１）
　実験１では、耐疵付き性について評価した。アルミニウム板として、５Ｄ８６合金の板を用いた。５Ｄ８６合金の組成は、Ｓｉ：０．０１５質量％、Ｆｅ：０．０２質量％、Ｃｕ：０．０４質量％、Ｍｇ：４．００質量％、Ｚｎ：０．１５質量％、残部：Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金である。このアルミニウム合金の板を冷間圧延した後、打ち抜き加工を行い、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ約０．６５ｍｍの円盤状ディスクを作製した。これをＰＶＡ砥石で研削し、圧延による変質層を除去した。研削加工には、Ｓｐｅｅｄ　Ｆａｍ製１６Ｂ両面加工機を使用し、研削圧力：８０ｇｆ／ｃｍ２、摺動速度：８０ｃｍ／秒で行い、面あたりの除去量：約２０μｍ程度とし、研磨後のアルミニウム板の厚さが０．６１～０．６２ｍｍになるように設定して、試験用のアルミニウム板を作製した。
　上記アルミニウム板に下記条件にて陽極酸化処理を行い、陽極酸化膜を成膜した。得られた陽極酸化膜の膜厚を下記測定方法に基づいて測定した。
　陽極酸化処理条件
　陽極酸化処理液：シュウ酸溶液３０ｇ／Ｌ
　処理液温度：３０℃
　電解電圧：４０Ｖ
　アルミニウム板の陽極酸化膜上に、無機ポリシラザン含有溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製ＮＬ１２０Ａ－２０）をスピンコート法で塗工し、空気雰囲気中８０℃で１０分加熱して溶剤を除去した。これを複数回繰り返して、成膜後のＳｉＯ２膜の膜厚が下記表１記載の膜厚となるような所望の厚さを得た。その後、アルミニウム板を電気炉に挿入し、約１０℃／分の平均昇温速度で３００℃の最終焼成温度まで昇温した後、炉内を水蒸気雰囲気とし、該温度で６０分間保持して焼成した。焼成後、室温まで放冷してから、電気炉から、ＳｉＯ２膜を成膜したアルミニウム板を取り出し、試験材を得た。また、得られた各試験材のＳｉＯ２膜の膜厚を下記測定方法に基づいて測定した。
　なお、Ｎｏ．８は、上記アルミニウム板（前記陽極酸化膜及び前記ＳｉＯ２膜を成膜する前のアルミニウム板、上記円盤状ディスク）にＮｉＰめっきを施した例である。処理条件は、まずアルミニウム板をＡＤ－６８Ｆにより７０℃で５分間の脱脂を行った後、ＡＤ－１０１Ｆにより６８で２分間の酸エッチングを行い、３０％硝酸によりデスマットを行った。その後、ＡＤ－３０１Ｆ－３Ｘにより２０℃で３０秒間のジンケート処理を行った後、３０％硝酸でＺｎを溶解させた後、再び２０℃で１５秒間のジンケート処理を行った。その後、ＨＤＸ－７Ｇ液を使用して、９０℃、２時間で無電解ＮｉＰめっき処理を行い、１０μｍ厚さ程度のＮｉＰめっき膜を形成した。その後、両面、すなわちＮｉＰめっき膜表面を研磨して供試材を作製した。なお、前記のＡＤ－６８Ｆ、ＡＤ－１０１Ｆ、ＡＤ－３０１Ｆ－３Ｘは、ＮｉＰめっき前処理液である。ＨＤＸ－７Ｇ液は、ＮｉＰめっき液である。これらは全て上村工業（株）製のものを使用した。
　また、Ｎｏ．９は、表面に上記皮膜（前記陽極酸化膜及び前記ＳｉＯ２膜）を形成しなかったアルミニウム板である。Ｎｏ．１０～１３は、陽極酸化膜を成膜した後、ＳｉＯ２膜を成膜しなかったアルミニウム板である。
　（陽極酸化膜の膜厚の測定）
　陽極酸化膜の膜厚は、渦電流式膜厚計を用いて測定した。測定は、同一の箇所を５回測定し、その平均値を該箇所の厚みとし、試料の５箇所を測定し、その平均を陽極酸化膜の膜厚（μｍ）とした。得られた陽極酸化膜の膜厚は、表の「陽極酸化膜（μｍ）」欄に記載した。
　（ＳｉＯ２膜の膜厚の測定）
　ＳｉＯ２膜の膜厚は、ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃｓ社製ｎａｎｏｓｐｅｃ／ＡＦＴｍｏｄｅｌ５１００を用いて測定した。測定は、同一の箇所を５回測定し、その平均値を該箇所の厚みとし、試料の５箇所を測定し、その平均をＳｉＯ２膜の膜厚（μｍ）とした。得られたＳｉＯ２膜の膜厚は、表の「ＳｉＯ２膜（μｍ）」欄に記載した。
　（耐疵付き性の評価）
　耐疵付き性の評価は、新東科学社製Ｔｙｐｅ１８の連続荷重式引掻強度試験機を用いて測定した。測定は、先端にＲ加工を施し、圧子に半径０．１ｍｍのダイヤモンド球を用いた円錐型引掻針に、５０ｇの荷重を負荷して、試験片表面を１０ｍｍ走引した。走引後、試験片表面の圧子痕の深さを、キーエンス社製ＶＰ－９５１０型レーザー顕微鏡で測定した。この測定された深さは、表の「疵深さ（μｍ）」欄に記載した。評価は、従来技術のＮｉ－Ｐめっきアルミ基板であるＮｏ．８の疵深さと比較して、耐疵付き性の優劣を評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　アルミニウム板に本発明で規定する膜厚の陽極酸化膜及びＳｉＯ２膜の積層膜を成膜したＮｏ．１～７は、耐疵付性に優れており、Ｎｉ－Ｐめっきアルミニウム基板であるＮｏ．８と同等、若しくはそれ以上の耐疵付性を有していた。
　Ｎｏ．９は、陽極酸化膜もＳｉＯ２膜も成膜しなかった例であり、１ｍｍを超える深い圧子痕が確認でき、耐疵付性をほとんど有していなかった。
　Ｎｏ．１０～１３は、陽極酸化膜のみを成膜した例であり、陽極酸化膜の膜厚の増加に伴って疵深さが軽減する傾向が見られたが、Ｎｏ．８よりも優れた耐疵付性は得られなかった。
　Ｎｏ．１４は、陽極酸化膜とＳｉＯ２膜との積層膜を成膜した場合であるが、陽極酸化膜の膜厚が薄い例であり、疵深さが依然大きなままであった。
　Ｎｏ．１５は、陽極酸化膜とＳｉＯ２膜の積層膜を成膜した場合であるが、ＳｉＯ２膜の膜厚が充分でなく、耐疵付性が悪かった。
　（実験２）
　実験２では、上記実験１と同様にして、陽極酸化膜及びＳｉＯ２膜を形成した試料の平滑性について評価した。上記実験１と同様にして、陽極酸化膜を成膜して得られた陽極酸化膜の膜厚を測定し、表の「陽極酸化膜（μｍ）」欄に記載した。同様に、陽極酸化膜上にＳｉＯ２膜を成膜して得られたＳｉＯ２膜の膜厚を測定し、表の「ＳｉＯ２膜（μｍ）」欄に記載した。また、ＳｉＯ２膜の表面平滑性を下記基準で測定し、「表面粗度（ｎｍ）」欄に記載した。なお、Ｎｏ．２－１１～２－１６はＳｉＯ２膜を成膜しなかった例である。
　（ＳｉＯ２膜の平滑性）
　ＳｉＯ２膜の平滑性はセイコーインスツル社製のＳＰＩ－４０００型ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で１０ミクロン視野を観察した際の平均面粗さ（Ｒａ：ｎｍ）で表面粗さを評価した。Ｒａが１．０ｎｍ以下を平滑性に優れると評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　アルミニウム板に本発明で規定する膜厚の陽極酸化膜、及びＳｉＯ２膜の積層膜を成膜したＮｏ．２－１～２－９は、表面粗度は１．０ｎｍ以下であり、優れた表面平滑性を有していた。一方、Ｎｏ．２－１０は陽極酸化皮膜厚が厚く、表面粗度がやや大きかった。
　Ｎｏ．２－１１～２－１６は、陽極酸化膜のみを成膜した例であり、最表面が陽極酸化皮膜特有の多孔質構造となっているため、陽極酸化膜の膜厚の増加に伴って表面平滑性が悪化する傾向が見られ、表面粗度はいずれも１０ｎｍを超えていた。
　Ｎｏ．２－１７～２－２０は、陽極酸化膜とＳｉＯ２膜の積層膜を成膜した場合であるが、ＳｉＯ２膜の膜厚が薄い例であり、表面粗度は依然として大きなままであった。
　（実験３）
　実験３では、ＳｉＯ２膜成膜時のレベリング効果について確認した。上記実験１と同様にして、１０μｍの陽極酸化膜を形成した後、所定の膜厚のＳｉＯ２膜を形成した試料を作製した。なお、Ｎｏ．３－１は、ＳｉＯ２膜を形成しなかった。各試料の測定側表面に膜厚１０００ÅとなるようにＡｕ膜を蒸着させてから、倍率１５０倍の光学顕微鏡でピットの有無を観察した。その際の顕微鏡写真を、図２、図４、及び図６に示す。図２は、Ｎｏ．３－１の顕微鏡写真であり、図４は、Ｎｏ．３－２の顕微鏡写真であり、図６は、実験３のＮｏ．３－３の顕微鏡写真である。
　さらに、キーエンス社製ＶＰ－９５１０型レーザー顕微鏡で測定して、ピットの有無と表面平滑性について評価した。その際の形状チャートを、図３、図５、及び図７に示す。図３は、Ｎｏ．３－１の形状チャートを示し、図５は、Ｎｏ．３－２の形状チャートを示し、図７は、Ｎｏ．３－３の形状チャートを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　Ｎｏ．３－１は、ＳｉＯ２膜を設けなかった例であるが、図２に示すように表面にピットが複数確認できるとともに、図３に示すように表面平滑性も悪かった。
　Ｎｏ．３－２、３－３は、所定の膜厚のＳｉＯ２膜を夫々形成した例であり、図４、図６に示すようにいずれも表面にピットは形成されていなかった。なお、ＳｉＯ２膜を厚く形成したＮｏ．３－３では、図７に示されているように表面がより平滑になっていた。ＳｉＯ２膜が薄いＮｏ．３－２では、図５に示されているように表面粗さを十分に低減できなかった。
　これらの結果から、陽極酸化皮膜の上に所定の膜厚のＳｉＯ２膜を設けることで、陽極酸化皮膜に不可避的に生じるピットを被覆し、欠陥部を解消できる。
　この出願は、２０１４年９月１０日に出願された日本国特許出願特願２０１４－１８４１９９号を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。
　本発明を表現するために、上述において実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および／または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を逸脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。
　本発明によれば、アルミニウム板表面に所定の膜厚で陽極酸化膜とＳｉＯ２膜の積層膜が成膜されているため、平滑性と耐疵付性に優れた特性を有する磁気記録媒体用アルミニウム基板が提供される。
　１　 アルミニウム板
　２　 陽極酸化膜
　３　 ＳｉＯ２膜

Claims (3)

  1. 　アルミニウム板と、その表面に成膜された皮膜とを有する磁気記録媒体用アルミニウム基板であって、
    　前記皮膜は、前記アルミニウム板側から順に陽極酸化膜、及びＳｉＯ２膜を含む積層膜であり、且つ、
    　前記陽極酸化膜の膜厚は、７μｍ以上、４５μｍ以下であり、
    　前記ＳｉＯ２膜の膜厚は、１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板。
  2. 　請求項１に記載の磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造する方法であって、
    　前記アルミニウム板に前記陽極酸化膜を成膜する工程と、
    　前記陽極酸化膜の表面に無機ポリシラザン含有溶液を塗布した後、加熱することによって、前記無機ポリシラザンをＳｉＯ２に転化して、前記陽極酸化膜に前記ＳｉＯ２膜を成膜する工程と、
    　を含むことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。
  3. 　前記陽極酸化膜を成膜する工程は、シュウ酸溶液を用いた陽極酸化処理である請求項２に記載の製造方法。
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