JP2001126235A - 記録媒体用基板およびその製造方法ならびに記録媒体および情報記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨工程の短縮化を図ることが可能な樹脂塗布
法によって表面平滑性が付与され且つ非塗布部における
耐蝕性などの問題が解決された記録媒体用基板を提供す
る。 【解決手段】基板の全面に第１耐熱性樹脂層を設け、当
該第１耐熱性樹脂層の少なくとも片面に表面粗さＲａが
第１耐熱性樹脂層より小さい第２耐熱性樹脂層を設けて
成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体用基板お
よびその製造方法ならびに記録媒体および情報記録装置
に関し、詳しくは、平滑性に優れて高密度記録媒体に適
した記録媒体用基板およびその製造方法ならびに当該基
板を使用した記録媒体および当該記録媒体を搭載した情
報記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録媒体は基板上に記録層を形成して構
成され、記録層の構成により種々の記録媒体がある。そ
して、何れの記録媒体の場合においても、記録密度の向
上に伴い、一層高い表面平滑性を有する基板が求められ
ている。

【０００３】基板に表面平滑性を付与する方法の一つと
して、基板上にポリイミド樹脂の前駆体溶液などを塗布
し、溶液の表面張力による自己レベリング効果によって
平滑な表面（熱硬化後の樹脂表面）を形成する方法があ
る（特開昭５６−９４５２１号公報）。斯かる樹脂被覆
方法は、中仕上げ状態の基板にも適用することが出来
（特開平９−１６１２５８号公報）、その場合は、機械
研磨を中心とする従来の研磨工程の大幅な短縮化が可能
であり、基板のコストダウンを達成することが出来る。
そして、樹脂の塗布方法としては、通常、平滑な樹脂表
面が得られ易いスピンコート法が採用される。

【０００４】ところで、基板にスピンコート法によって
樹脂を塗布せんとした場合、スピンコート時に固定機構
によって基板を保持する関係から非塗布部が存在する。
特にドーナツ状基板の場合は、センターホールの周囲や
その周縁部は塗布することが出来ない。そのため、基板
の非塗布部においては、耐蝕性などが問題となる。斯か
る問題は、基板の片面のみに樹脂層と記録層を形成した
片面型記録媒体の場合に顕著である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みなされたものであり、その目的は、研磨工程の短縮
化を図ることが可能な樹脂塗布法によって表面平滑性が
付与され且つ非塗布部における耐蝕性などの問題が解決
された記録媒体用基板およびその製造方法を提供するこ
とにある。また、本発明の他の目的は、上記の基板を使
用した記録媒体なおよび当該記録媒体を搭載した情報記
録装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の要旨は、基板の全面に第１耐熱性樹脂層を設け、当該
第１耐熱性樹脂層の少なくとも片面に表面粗さＲａが第
１耐熱性樹脂層より小さい第２耐熱性樹脂層を設けて成
ることを特徴とする記録媒体用基板に存する。

【０００７】本発明の第２の要旨は、基板の全面にディ
ップコート法にて第１耐熱性樹脂層を形成した後、当該
第１耐熱性樹脂層の少なくとも片面にディップコート法
にて第２耐熱性樹脂層を形成することを特徴とする記録
媒体用基板の製造方法に存する。

【０００８】本発明の第３の要旨は、上記の記録媒体用
基板の第２耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて成ること
を特徴とする記録媒体に存する。

【０００９】そして、本発明の第４の要旨は、記録媒体
と、記録媒体を記録／再生方向に駆動させる駆動部と、
記録部と再生部を含む情報記録／再生ヘッドと、当該ヘ
ッドを記録媒体に対して相対運動させる手段と、当該ヘ
ッドへの記録信号入力と当該ヘッドからの再生信号出力
を行うための記録再生信号処理手段を有する情報記録装
置において、記録媒体が上記の記録媒体であることを特
徴とする情報記録装置に存する。

【００１０】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の記録媒体用基板お
よびその製造方法について説明する。本発明の記録媒体
用基板は、基板の全面に第１耐熱性樹脂層を設け、当該
第１耐熱性樹脂層の少なくとも片面に表面粗さＲａが第
１耐熱性樹脂層より小さい第２耐熱性樹脂層を設けて成
る。

【００１１】基板としては、磁性基板および非磁性基板
の何れをも使用することが出来る。一般には非磁性基板
が好適である。非磁性基板としては、例えば、Ａｌ基
板、Ａｌ合金基板、Ｍｇ合金基板、ＮｉＰメッキＡｌ合
金基板、強化ガラス基板、結晶化ガラス基板、セラミッ
クス基板、Ｓｉ合金基板、Ｔｉ基板、Ｔｉ合金基板、プ
ラスチック基板、カーボン基板、これらの複合材料から
成る基板などが使用できる。特に、カーボン基板、就中
ガラス状カーボン基板は、小径／薄板化に有利であり、
しかも、導電性も有している。更に、ガラス状カーボン
基板は、耐熱性に優れているので、耐熱性樹脂層の形成
時（焼成時）にダメージを受け難い。

【００１２】基板は、表面粗さＲaが１〜２０ｎｍ且つ
Ｒmax が１００ｎｍ以下のものを使用するのが好まし
い。更には、表面うねりＷaが１〜４ｎｍ且つＷmax が
３０ｎｍ以下のものを使用するのが一層好ましい。すな
わち、本発明においては、仕上げ研磨（最終研磨）を施
していない段階の基板を使用するのが基板のコストダウ
ンが図られる点において推奨される。そして、上記の様
な表面特性は、片面型記録媒体の場合には、耐熱性樹脂
層を設けられる片面のみについて要求される。代表的な
基板であるドーナツ状基板の寸法の一例を示せば次の表
１の通りである。斯かるドーナツ状基板の場合、表面う
ねりＷaおよびＷmax は、記録方向とラジアル方向の両
者について存在するが、上記の各値は、この両者につい
て満足するのが好ましい。

【００１３】

【表１】

【００１４】第１及び第２耐熱性樹脂層の構成樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、シリコン樹脂、
シリコンポリエステル樹脂、フッ素樹脂などが挙げられ
る。これらの中では、少なくとも第２耐熱性樹脂層の構
成樹脂としてポリイミド樹脂が好適に使用される。

【００１５】本発明で使用する好ましいポリイミド樹脂
は、次の（ａ）及び（ｂ）の条件を満足する反応生成物
の熱硬化反応で得られる。

【００１６】（ａ）ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物とジアミノジフェニルエーテルとを反応させて得ら
れ、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ジアミノジ
フェニルエーテルポリアミド酸を含有し、（ｂ）芳香環
に直結したＨに対するアミド基のＨのモル比が０．５以
下である反応生成物。

【００１７】上記のジアミノジフェニルエーテルには、
Ｐ，Ｐ’−ジアミノジフェニルエーテル、Ｐ，ｍ’−ジ
アミノジフェニルエーテル等の異性体があるが、その何
れであってもよい。

【００１８】下記の一般式（Ｉ）は、上記の反応生成物
に主成分として含有されるビフェニルテトラカルボン酸
二無水物−ジアミノジフェニルエーテルポリアミド酸
（ポリイミド樹脂の前駆体）の繰返し構造を表す。そし
て、（ａ）〜（ｅ）は芳香環に直結したＨ、（ｆ）アミ
ド基のＨを表す。

【００１９】

【化１】

【００２０】上記のＨモル比は、¹Ｈ−ＮＭＲの測定結
果に基づいて算出した値であり、好ましくは０．２５以
下、更に好ましくは０．１以下である。上記のＨモル比
の下限は通常０．０１である。

【００２１】本発明においては、上記の様な特定の反応
生成物（ポリイミド樹脂の前駆体）を使用することによ
り、表面に泡などが存在しない鏡面状の塗膜が得られ、
表面平滑性に一層優れるポリイミド樹脂層が形成され
る。

【００２２】ポリイミド樹脂層は次の様にして形成され
る。先ず、触媒の存在下、必要に応じ、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン
等の極性溶媒中、室温で上記の出発物質を反応させてポ
リイミド樹脂の前駆体を形成する。この前駆体を含む反
応生成物をそのままワニスとして使用しするか、また
は、前述の極性溶媒と更に混合してワニスを調製する。
次いで、基板の表面に上記のワニスを塗布した後に熱硬
化させる。

【００２３】第１耐熱性樹脂層は好ましくはディップコ
ート法にて形成され、第２耐熱性樹脂層は好ましくはス
ピンコート法にて形成される。すなわち、第１耐熱性樹
脂層は、基板の全面に設ける必要があることから、好ま
しくはディップコート法にて形成される。ディップコー
ト法の場合、比較的低粘度に調製されたワニスが使用さ
れ、塗布厚さも薄くなる。従って、ディップコート法に
て形成された第１耐熱性樹脂層のみでは基板に表面平滑
性を付与することが困難となる。

【００２４】ディップコート法においてワニスにドーナ
ツ状基板を浸漬する際に使用する保持具としては、例え
ば、「ディッピング法により磁気ディスクの表面を処理
する際に使用する磁気ディスクの保持具」として本出願
人によって提案された次の様な保持具を使用することが
出来る。

【００２５】（１）昇降ポールより水平方向に突出した
左右１対のアームから成り、各アームは、その上部が片
刃状に形成され且つ刃面同士を対向させて同一高さで平
行に配置され、刃線に沿った左右のアームの同一位置に
複数のＶ型溝を備え、そして、上記片刃の刃先角度は３
０°未満になされ、しかも、上記Ｖ型溝の底部には当該
Ｖ型溝に連なる凹状のスリットを備えている磁気ディス
クの保持具（特開平８−２８１１８９号公報）。

【００２６】（２）昇降ポールより水平方向に突出した
左右１対の１組のアームの複数組みから成り、各アーム
は、その上部が片刃状に形成され且つ同一高さで平行に
配置され、刃線に沿った各アームの同一位置に複数のＶ
型溝を備え、そして、左右１対の各アームの間隔は、デ
ィッピング処理液から引き上げる際に毛管現象によりデ
ィッピング処理液を吸引除去し得るに十分な距離になさ
れている磁気ディスクの保持具（特開平８−２８１１９
０号公報）。

【００２７】スピンコート法に使用されるスピンコータ
ー（回転式塗布装置）は、原理的には、アウターカッ
プ、その内側に配置され且つ回転軸に支承されたインナ
ーカップ、その中央部に配置されたドーナツ状基板の固
定機構、上記ドーナツ状基板の表面部の中央部にワニス
を供給する手段から構成され、ドーナツ状基板の表面部
の中央部に供給されたワニスはインナーカップの回転
（ドーナツ状基板の回転）による遠心力によって流延さ
れる。

【００２８】ポリイミド樹脂の前駆体のワニス中の濃度
（溶液中の濃度）は、ディップコート法の場合、通常１
〜３０重量％、好ましくは５〜３５重量％とされ、スピ
ンコート法の場合、通常５〜６０重量％、好ましくは１
０〜５０重量％とされる。特に、スピンコート法に使用
するワニスの粘度（２５℃における値）は、通常５〜５
００ｃｐ、好ましくは１５０〜２００ｃｐとされる。

【００２９】ワニスを塗布した後の熱硬化は、通常、次
の様に行われる。先ず、塗膜を例えば６０〜２００℃で
乾燥した後、不活性ガス（窒素）雰囲気中、例えば２０
０〜６００℃で焼成して硬化させる。焼成はワニスの塗
布毎に行うのが好ましいが、スピンコート法による塗膜
の焼成は省略してもよい。

【００３０】ポリイミド樹脂以外の耐熱性樹脂の場合も
上記と同様にワニスを調製して塗布した後に熱硬化させ
て耐熱性樹脂層が形成される。ワニスを調製時の溶媒や
熱硬化などの条件は、使用する樹脂によって適宜選択さ
れる。更に、本発明においては、ＵＶ硬化型耐熱性樹脂
も使用することが出来る。

【００３１】第１耐熱性樹脂層の厚さは、通常０．１〜
１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍ、第２耐熱性樹脂
層の厚さは、通常０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５
〜５μｍとされる。第１耐熱性樹脂層の厚さが０．１μ
ｍ未満の場合は、樹脂非塗布部の耐蝕性を十分に高める
ことが困難であり、１０μｍを超える場合は第１耐熱性
樹脂層全体の平坦化が困難である。第２耐熱性樹脂層の
厚さが０．１μｍ未満の場合は、基板表面に十分に平滑
な表面を形成することが困難であり、１０μｍを超える
場合は第２耐熱性樹脂層全体の平坦化が困難である。そ
して、この様にして形成された第２耐熱性樹脂層の表面
粗さＲａは、通常１ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以
下である。

【００３２】次に、本発明の記録媒体について説明す
る。本発明の記録媒体は、上記の記録媒体用基板の第２
耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて成る。記録層の種類
により種々の記録媒体を構成することが出来る。以下、
磁気記録媒体を例に挙げて説明する。

【００３３】記録媒体、特に磁気記録媒体の場合は、第
２耐熱性樹脂層上にＮｉＰ、ＮｉＡｌ等の非磁性合金層
を形成することが好ましい。非磁性合金層の形成手段は
任意である。例えば、無電解メッキ法、スパッタリング
法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの公知の薄膜形成手段を
利用することが出来る。非磁性合金層の厚さは、通常１
０〜２００ｎｍ、好ましくは２０〜１００ｎｍとされ
る。

【００３４】第２耐熱性樹脂層または非磁性合金層の上
には、例えばＣｒを主成分とする種子層等の下地層を形
成した後、Ｃｏ合金磁性層を形成するのが好ましい。

【００３５】Ｃｒを主成分とする種子層の材料として
は、純Ｃｒや酸化Ｃｒの他、Ｃｏ層との結晶マッチング
等の目的により、Ｖ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｂ等の元素が添加された
Ｃｒ等が使用される。これらの中では純Ｃｒが好まし
い。また、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚ
ｒ及びＨｆの群から選択される１種または２以上の元素
が添加されたＣｒも好ましい。添加元素の含有量は、通
常１〜５０原子％、好ましくは５〜３０原子％、更に好
ましくは５〜２０原子％の範囲である。

【００３６】Ｃｒを主成分とする種子層の厚さは、その
異方性を発現させ得るに十分な厚さであればよく、通常
０．１〜５０ｎｍ、好ましくは０．３〜３０ｎｍ、更に
好ましくは０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒを主成分とす
る種子層の成膜時は基板加熱を行っても行わなくてもよ
い。

【００３７】Ｃｏ合金磁性層としては、通常、純Ｃｏの
他、ＣｏＮｉ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ合金磁性材料が使用される。
これらのＣｏ合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、
Ｂ等の元素やＳｉＯ₂ 等の化合物を添加したＣｏ合金で
あってもよい。斯かるＣｏ合金としては、例えば、Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮ
ｉＣｒＰｔＢ等が挙げられる。Ｃｏ合金磁性層の膜厚
は、通常５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍであ
る。

【００３８】本発明においては、前記の下地層（第１下
地層）とＣｏ合金磁性層との間に、Ｃｒを主成分とする
第２下地層を設けてもよい。この第２下地層の材料に
は、Ｃｒを主成分とする種子層と同様の材料を使用する
ことが出来、両者の元素組成は同一であっても異ってい
てもよい。第２下地層の厚さは、目的とする磁気記録媒
体の諸特性にあわせて任意に設定できるが、通常１〜１
００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍである。

【００３９】通常、磁性層の上には、任意の保護層を形
成し、次いで潤滑層を形成する。保護層としては、炭素
（Ｃ）、水素化Ｃ、窒素化Ｃ、アルモファスＣ、ＳｉＣ
等の炭素質層、ＳｉＯ₂、Ｚｒ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＮ等が使用
される。また、保護層は、２層以上の層から構成されて
いてもよい。保護層の厚さは、通常１〜５０ｎｍ、好ま
しくは５〜３０ｎｍである。潤滑層に使用する潤滑剤と
しては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤およびびこ
れらの混合物などが挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで
潤滑層を形成する。

【００４０】また、本発明の磁気記録媒体においては、
磁性層が２種以上の積層構造であってもよい。更に、Ｃ
ｒを主成分とする第２下地層と磁性層との間に非磁性Ｃ
ｏＣｒ等の中間層を設けてもよい。

【００４１】磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法と
しては、例えば、直流（マグネトロン）スパッタリング
法、高周波（マグネトロン）スパッタリング法、ＥＣＲ
スパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法が挙
げられる。

【００４２】成膜時の条件は、特に制限されず、到達真
空度、基板加熱の方式と基板温度、スパッタリングガス
圧、バイアス電圧などは、成膜装置により適宜決定すれ
ばよい。例えば、通常のスパッタリング成膜の場合、到
達真空度は１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、必要に応じて加熱
される基板の温度は、通常〜４００℃、好ましくは１０
０〜３００℃、更に好ましくは１５０〜２５０℃である
が、耐熱性樹脂層のガラス転移温度以下で行う。スパッ
タリングガス圧は１×１０^-3〜２０×１０^-3Ｔｏｒｒ、
バイアス電圧は一般的には０〜−５００Ｖである。成膜
の際、磁性層のＣｒの偏析を促進するため、基板を１０
０〜３５０℃程度に加熱することが好ましい。基板の加
熱は下地層の形成前に行ってもよい。

【００４３】本発明の記録媒体は、前記の記録媒体用基
板の第２耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて構成される
ため、片面のみに第２耐熱性樹脂層が設けられている記
録媒体用基板を使用した場合は片面型記録媒体が構成さ
れる。従来、Ａｌ又はＡｌ合金製基板の片面のみに記録
層を含む各種の機能層を形成した片面型記録媒体は変形
（反り）が起こる問題があると言われている。しかしな
がら、本発明の片面型記録媒体の場合は、意外にも、基
板の表面に設けられる耐熱性樹脂層の樹脂としての性質
が作用し、上記の様な変形は皆無である。

【００４４】次に、本発明の情報記録装置について説明
する。本発明の情報記録装置は、前記の本発明に係る記
録媒体を使用する点を除き、従来の情報記録装置と同様
であり、記録媒体と、記録媒体を記録／再生方向に駆動
させる駆動部と、記録部と再生部を含む情報記録／再生
ヘッドと、当該ヘッドを記録媒体に対して相対運動させ
る手段と、当該ヘッドへの記録信号入力と当該ヘッドか
らの再生信号出力を行うための記録再生信号処理手段を
有する。

【００４５】そして、磁気ヘッドの再生部をＭＲヘッド
で構成することにより、高記録密度においても十分な信
号強度を得ることが出来、１平方インチ当たり２ガビッ
ト以上の高記録密度を持った磁気記憶装置を実現するこ
とが出来る。また、従来より低い高さで上記の磁気ヘッ
ド浮上させた場合（浮上量：０．０１μm 以上０．０５
μm 未満）は、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得ら
れ、大容量で高信頼性の磁気記憶装置を実現することが
出来る。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合
わせた場合は、更に記録密度が向上し、例えば、トラッ
ク密度１０ｋＴＰＩ以上、線記録密度２００ＫＦＣＩ以
上、１平方インチ当たり２G ビット以上の記録密度の条
件下で記録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎが得られ
る。

【００４６】更に、相互の磁化方向が外部磁界によって
相対的に変化することによって大きな抵抗変化を生じる
複数の導電性磁性層およびその導電性磁性層の間に配置
された導電性非磁性層から成るＧＭＲ ヘッド、また
は、スピン・バルブ効果を利用したＧＭＲ ヘッドによ
って磁気ヘッドの再生部を構成した場合は、信号強度を
更に高めることが出来、１平方インチ当たり３ギガビッ
ト以上、２４０ＫＦＣＩ以上の線記録密度を持った信頼
性の高い磁気記憶装置の実現が可能となる。

【００４７】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。なお、表面粗さＲａの測
定は、テンコール社製の「Ｐ−１２」を使用し、測定
長：２４０μｍ、針押し付け力：３ｍｇ、走査速度：１
０μｍ／ｓ、サンプリング周期：２００Ｈｚ、カットオ
フ値：１．４〜８０μｍの条件で行った。また、表面う
ねりＷａの測定は、テンコール社製の「Ｐ−１２」を使
用し、測定長：５０００μｍ、針押し付け力：３ｍｇ、
走査速度：１００μｍ／ｓ、サンプリング周期：１００
Ｈｚ、カットオフ値：８０〜４５０μｍの条件で行っ
た。

【００４８】実施例１ 基板として、仕上げ研磨工程前のＡｌ合金製３．５イン
チディスク（外径：９５ｍｍ、内径：２５ｍｍ、厚さ：
０．８ｍｍ、表面粗さＲａ：１１．０ｎｍ、Ｒｍａｘ：
６８ｎｍ、記録方向およびラジアル方向の表面うねりＷ
ａ：２．３ｎｍ、Ｗｍａｘ：１８．０ｎｍ）を使用し
た。

【００４９】耐熱性樹脂層形成用のワニスは、ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェニルエー
テルとをＮ−メチルピロリドン中にて反応させてビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物−ｐ，ｍ’−ジアミノジ
フェニルエーテルポリアミド酸（ポリイミド樹脂の前駆
体）を含有する反応生成物を調製した。ポリイミド樹脂
の前駆体の、芳香環に直結したＨ（本文中の一般式
（Ｉ）におけるａ〜ｅ）に対するアミド基のＨ（本文中
の一般式（Ｉ）におけるｆ）のモル比（¹Ｈ−ＮＭＲの
測定値から算出）は０．０３であった。なお、¹Ｈ−Ｎ
ＭＲの測定条件は次の通りである。

【００５０】＜¹Ｈ−ＮＭＲの測定条件＞試料５．０ｍ
ｇを重水素化ジメチルスルホキシド０．６ｍｌに溶解
し、バリアン社製の核磁気共鳴装置「Ｉｎｏｖａ５０
０」を使用して行なった。

【００５１】（１）第１ポリイミド樹脂層の形成：次の
要領で前記の基板の全面に第１耐熱性樹脂層を設けた。
先ず、脱脂剤（キザイ（株）製「ＮＧ−＃３０」）の３
０ｇ／ｌ水溶液中、６０℃で５分間脱脂洗浄を行なった
後、ディップコート法で低濃度ワニス（Ｎ−メチルピロ
リドン対するポリイミド樹脂の前駆体の割合：５重量
％）を塗布した。次いで、窒素雰囲気中、徐々に昇温し
約８０℃で３０分乾燥した後、更に、徐々に昇温し３０
０℃で３０分間焼成して硬化させ、平均厚さ０．１μｍ
の第１ポリイミド樹脂層を形成した。第１ポリイミド樹
脂層の平均表面粗さＲａは９ｎｍであった。

【００５２】上記のディップコートは、特開平８−２８
１１８９号公報の図１〜４に示されたのと同様の保持
具、すなわち、昇降ポールより水平方向に突出した左右
１対のアームから成り、各アームは、その上部が片刃状
に形成され且つ刃面同士を対向させて同一高さで平行に
配置され、刃線に沿った左右のアームの同一位置に複数
のＶ型溝を備え、そして、上記片刃の刃先角度は３０°
未満になされ、しかも、上記Ｖ型溝の底部には当該Ｖ型
溝に連なる凹状のスリットを備えている保持具を使用
し、左右１対のアームの複数のＶ字型溝に複数の基板の
各センターホールの周縁部を係止させることにより、複
数の基板を互いに接触させることなく垂直に保持して行
った。基板の係止部における液溜まりは殆ど無く、従っ
て、基板の全面に亘って第１ポリイミド樹脂層が形成さ
れた。

【００５３】（２）第２ポリイミド樹脂層の形成：次の
要領で第１ポリイミド樹脂層が設けられた前記の基板の
片面（第１ポリイミド樹脂層面）に高濃度のワニス（Ｎ
−メチルピロリドン対するポリイミド樹脂の前駆体の割
合：４５重量％、２５℃の粘度：１６０ｃｐ）を塗布し
た。塗布は、スピンコーターのインナーカップの中央部
に配置された固定機構で基板を保持し、２０００ｒｐ
ｍ、１０ｓｅｃの条件下でスピンコートした。得られた
塗膜は、表面に泡などが存在しない鏡面状の塗膜であっ
た。次いで、窒素雰囲気中、徐々に昇温し約８０℃で３
０分乾燥した後、更に、徐々に昇温し３００℃で３０分
間焼成して硬化させ、平均厚さ２．０μｍの第２ポリイ
ミド樹脂層を形成した。第２ポリイミド樹脂層の平均表
面粗さＲａは０．５ｎｍであった。

【００５４】（３）磁気記録媒体の製造および磁気記録
装置の組み立て：上記で得られた記録媒体用基板を使用
し、次の要領で磁気記録媒体を製造した。先ず、スパッ
タリングにより、記録媒体用基板の片面の第２ポリイミ
ド樹脂層の表面に、順次、ＮｉＰ層（１００ｎｍ）、Ｃ
ｒ層（２０ｎｍ）、ＣｏＣｒＴａ層（１５ｎｍ）、Ｃ層
（１０ｎｍ）を成膜した。次いで、Ｃ層の表面に潤滑層
を塗布し、片面型磁気記録媒体を得た。そして、得られ
た片面型磁気記録媒体と、記録媒体を記録／再生方向に
駆動させる駆動部と、記録部と再生部を含む情報記録／
再生ヘッドと、当該ヘッドを記録媒体に対して相対運動
させる手段と、当該ヘッドへの記録信号入力と当該ヘッ
ドからの再生信号出力を行うための記録再生信号処理手
段を有する磁気記録装置を組み立てた。

【００５５】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、研磨工程
の短縮化を図ることが可能な樹脂塗布法によって表面平
滑性が付与され且つ非塗布部における耐蝕性などの問題
が解決された記録媒体用基板が提供され、本発明の工業
的価値は大きい。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の全面に第１耐熱性樹脂層を設け、
   当該第１耐熱性樹脂層の少なくとも片面に表面粗さＲａ
   が第１耐熱性樹脂層より小さい第２耐熱性樹脂層を設け
   て成ることを特徴とする記録媒体用基板。
2. 【請求項２】 第１耐熱性樹脂層がディップコート法に
   て形成され、第２耐熱性樹脂層がスピンコート法にて形
   成される請求項１に記載の記録媒体用基板。
3. 【請求項３】 少なくとも第２耐熱性樹脂層がポリイミ
   ド樹脂である請求項１又は２に記載の記録媒体用基板。
4. 【請求項４】 ポリイミド樹脂が次の（ａ）及び（ｂ）
   の条件を満足する反応生成物の熱硬化反応で得られたも
   のである請求項３に記載の記録媒体用基板。（ａ）ビフ
   ェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェニル
   エーテルとを反応させて得られ、ビフェニルテトラカル
   ボン酸二無水物−ジアミノジフェニルエーテルポリアミ
   ド酸を含有し、（ｂ）芳香環に直結したＨに対するアミ
   ド基のＨのモル比が０．５以下である反応生成物。
5. 【請求項５】 基板の表面粗さＲaが１〜２０ｎｍ且つ
   Ｒmax が１００ｎｍ以下、第１耐熱性樹脂層厚さが０．
   １〜１０μｍ、第２耐熱性樹脂層の厚さが０．１〜１０
   μｍ、第２耐熱性樹脂層の表面粗さＲａが１ｎｍ以下で
   ある請求項１〜４の何れかに記載の記録媒体用基板。
6. 【請求項６】 基板の表面うねりＷaが１〜４ｎｍ且つ
   Ｗmax が３０ｎｍ以下である請求項５に記載の記録媒体
   用基板。
7. 【請求項７】 基板の全面にディップコート法にて第１
   耐熱性樹脂層を形成した後、当該第１耐熱性樹脂層の少
   なくとも片面にディップコート法にて第２耐熱性樹脂層
   を形成することを特徴とする記録媒体用基板の製造方
   法。
8. 【請求項８】 請求項１〜６の何れかに記載の記録媒体
   用基板の第２耐熱性樹脂層の上に記録層を設けて成るこ
   とを特徴とする記録媒体。
9. 【請求項９】 第２耐熱性樹脂層と記録層との間に非磁
   性合金層を有する請求項８に記載の記録媒体。
10. 【請求項１０】 記録層が磁気記録層である請求項８又
    は９に記載の記録媒体。
11. 【請求項１１】記録媒体と、記録媒体を記録／再生方向
    に駆動させる駆動部と、記録部と再生部を含む情報記録
    ／再生ヘッドと、当該ヘッドを記録媒体に対して相対運
    動させる手段と、当該ヘッドへの記録信号入力と当該ヘ
    ッドからの再生信号出力を行うための記録再生信号処理
    手段を有する情報記録装置において、記録媒体が請求項
    ８〜１０の何れかに記載の記録媒体であることを特徴と
    する情報記録装置。