JP2019029046A

JP2019029046A - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2019029046A
Application number: JP2017148158A
Authority: JP
Inventors: 賢太郎渡邉; Kentaro Watanabe; 祥之上田; Yoshiyuki Ueda; 健三塙; Kenzo Hanawa
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 2017-07-31
Filing date: 2017-07-31
Publication date: 2019-02-21

Abstract

【課題】保護層に窒化処理を施さずに、グライド試験の合格率を高くすることが可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、磁性層２と、保護層３と、保護層３上に接して形成されている潤滑剤層４とをこの順で有する。保護層３は、炭素原子または炭素原子と水素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満である。潤滑剤層４は、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物を含む。第１の有機フッ素化合物は、一般式（１）で表される化合物である。第２の有機フッ素化合物は、一般式（２−Ａ）で表される化合物、または、一般式（２−Ｂ）で表される化合物である。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関する。

現在、磁気記録媒体の記録密度は、４００ｋＴＰＩにも到達しており、外径６５ｍｍの磁気ディスク１枚の両面に情報を記録すると、記録容量が５００ＧＢに達する。今後さらに磁気記録再生装置の記録密度が向上すると言われている。磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために最も重要なことは、磁気ヘッドのセンサー部分と磁気記録媒体の記録層との距離（いわゆるスペースロス）を短くすることである。そのため、磁気ヘッド、磁気記録媒体の保護層を薄くすること、磁気ヘッドの飛行高さを低くすることが継続的に検討されてきた。この時、磁気記録媒体の保護層上に形成される潤滑剤層の厚さがスペースロスを招くことが判明しており、潤滑剤層を極力薄くする試みもたゆみなく続けられている。

従来から、磁気記録媒体として、磁気記録媒体用の基板上に記録層等を積層した後、記録層上にカーボン等の保護層を形成し、さらに保護層上に潤滑剤層を形成したものが知られている。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高めるものである。

しかしながら、磁気記録媒体の耐久性は十分ではない。

このため、一般に、保護層上に潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する。保護層上に潤滑剤層を形成することによって、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止することができるとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドの摩擦力を著しく低減させることができ、その結果、磁気記録媒体の耐久性が向上する。

磁気記録媒体に使用される潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル基を有する有機フッ素化合物が知られている。

例えば、特許文献１には、化学式
ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ・・・（３）
（ただし、ｐ、ｑは、それぞれ１以上の整数である。）
で表される有機フッ素化合物を保護層上に塗布した磁気記録媒体が開示されている。このような有機フッ素化合物としては、例えば、フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）が挙げられる。

また、特許文献２には、化学式
ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ・・・（４）
（ただし、ｍ、ｎは、整数であり、化学式（４）で表される化合物の数平均分子量は５００〜５０００である。）
で表される有機フッ素化合物フォンブリンＺｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）よりなる潤滑剤層を有する磁気記録媒体が開示されている。

上述の有機フッ素化合物は、いずれも２価のパーフルオロポリエーテル基の両末端に、ヒドロキシメチレン基を有することを特徴としている。このため、磁気記録媒体の保護層に潤滑剤を吸着させる際には、保護層と潤滑剤との間に水素結合を形成するために、一般に、保護層に窒化処理を施す必要がある。

特許文献３〜５には、パーフルオロポリエーテル基をフラーレン骨格に付与した有機フッ素化合物からなる潤滑剤が開示されている。具体的には、フラーレンに縮合したシクロプロパン環やピロリジン環を介して、パーフルオロポリエーテル基が付与された有機フッ素化合物からなる潤滑剤が開示されている。このような有機フッ素化合物は、球状のπ共役系であるフラーレン部位を利用して、ｓｐ^２炭素を含む保護層上への潤滑剤層の形成を実現している。

特許文献３〜５は、耐摩耗性が向上することや、磁気ヘッドによってかき乱された潤滑剤層が平滑性を保ちやすいことが実施例に記載されているものの、実際に潤滑剤を塗布した磁気記録媒体が磁気ヘッドの安定飛行を保証するためのグライド試験に合格するか否かが記載されていない。

なお、特許文献５には、分子中に、フラーレン骨格と、フラーレン骨格に縮合したｎ個のピロリジン環とを有し、ピロリジン環はｍ個のパーフルオロポリエーテル鎖を含む基を有するアリール基を１個有し、ｍは２〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数であるフラーレン誘導体が開示されている。

特開昭６２−６６４１７号公報特開平９−２８２６４２号公報特許第５６００２０２号公報特許第５６００２２２号公報国際公開第２０１７／００６８１２号

一般に、磁気記録媒体の保護層上に潤滑剤層を形成することは、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止することができるとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドの摩擦力を著しく低減させることができ、耐久性を向上させることができるため、磁気記録再生装置の構成に不可欠である。一方、磁気記録媒体の保護層上に潤滑剤を単に付着させるだけでは、経時によって潤滑剤層が剥がれ落ちてしまい、磁気記録媒体の耐摩耗性や耐久性を維持することができない。

そこで、磁気記録媒体の保護層上に潤滑剤を吸着させる必要がある。この吸着を実現するために、保護層と潤滑剤の間に作用する水素結合が利用されている。この水素結合は、例えば、窒化処理を施した保護層とヒドロキシ基を含む潤滑剤の組み合わせによって形成される。

一般に、潤滑剤の吸着に不可欠な窒化処理を施した保護層は、水などに対する耐腐食性が低下することが知られている。これは、炭素原子を主成分とする保護層に、電気陰性度が大きい窒素原子が加わることが原因である。

また、保護層への窒化処理は、薄膜である保護層の下に存在する磁性層にも影響しうる。これは、保護層への窒化処理が１０ｅＶオーダーのエネルギーを有しうるプラズマ照射により実施され、電場バイアスによりプラズマを保護層に引き付ける際に、プラズマの一部が磁性層に到達することが不可避であるためである。このため、保護層への窒化処理を省略することができれば、磁気記録再生装置の電磁変換特性が向上する。

さらに、保護層への窒化処理を省略した磁気記録媒体を実用化することができると、磁気記録再生装置の製造工程数を減少させることにより、生産コストを削減することが可能となる。

以上のような利点を実現するためには、窒化処理を施していない保護層に吸着することが可能な潤滑剤を用い、かつ、磁気記録再生装置として使用することが可能であることを保証するために、磁気ヘッドの安定飛行を判定するグライド試験の合格率を高くする必要がある。

本発明の一態様は、上記のような事情を鑑み、保護層に窒化処理を施さずに、グライド試験の合格率を高くすることが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。

すなわち、本発明は以下に示す構成を備えるものである。

［１］非磁性基板上に、磁性層と、保護層と、前記保護層上に接して形成されている潤滑剤層とをこの順で有し、前記保護層は、炭素原子または炭素原子と水素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満であり、前記潤滑剤層は、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物を含み、前記第１の有機フッ素化合物は、一般式

（ただし、ＦＬＮは、フラーレン骨格であり、Ｒ^１は、水素原子または炭素数が２４以下の炭化水素基であり、Ｒ^２は、一般式
Ａｒ^１−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^１−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ａ）
（式中、Ａｒ^１は炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^１は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、一般式
Ａｒ^２−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−・・・（Ｂ）
（式中、Ａｒ^２は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^２は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、または、一般式
Ａ^３−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ｃ）
（式中、Ａ^３は、１価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基であり、ｍは２〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数である。）
で表される化合物であり、前記第２の有機フッ素化合物は、一般式
Ａｒ^３−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^４−ＣＨ_２−ＯＣＯ−Ａｒ^４・・・（２−Ａ）
（ただし、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^４は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物、または、一般式
Ａｒ^５−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^５−ＣＨ_２−Ｏ−Ａｒ^６・・・（２−Ｂ）
（ただし、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^５は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物である磁気記録媒体。
［２］前記Ａ^１、前記Ａ^２、前記Ａ^３、前記Ａ^４および前記Ａ^５は、それぞれ独立に、一般式
−（ＣＦ_２）_ｘＯ−
（ただし、ｘは１〜５の整数である。）
で表される構成単位を有する［１］に記載の磁気記録媒体。
［３］前記第１の有機フッ素化合物が、化学式

で表される化合物、化学式

で表される化合物、または、化学式

で表される化合物である［１］または［２］に記載の磁気記録媒体。
［４］前記第２の有機フッ素化合物が、化学式

で表される化合物、化学式

で表される化合物、または、化学式

で表される化合物である［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体。
［５］非磁性基板上に、磁性層と、炭素原子または炭素原子と水素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満である保護層とをこの順で有する基体に、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物がフッ素系溶媒に溶解している溶液を塗布することにより、前記保護層上に潤滑剤層を形成する工程を有し、前記第１の有機フッ素化合物は、一般式

（ただし、ＦＬＮは、フラーレン骨格であり、Ｒ^１は、水素原子または炭素数が２４以下の炭化水素基であり、Ｒ^２は、一般式
Ａｒ^１−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^１−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ａ）
（式中、Ａｒ^１は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^１は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、一般式
Ａｒ^２−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−・・・（Ｂ）
（式中、Ａｒ^２は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^２は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、または、一般式
Ａ^３−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ｃ）
（式中、Ａ^３は、１価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基であり、ｍは２〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数である。）
で表される化合物であり、前記第２の有機フッ素化合物は、一般式
Ａｒ^３−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^４−ＣＨ_２−ＯＣＯ−Ａｒ^４・・・（２−Ａ）
（ただし、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^４は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物、または、一般式
Ａｒ^５−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^５−ＣＨ_２−Ｏ−Ａｒ^６・・・（２−Ｂ）
（ただし、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^５は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物であり、前記溶液は、前記第１の有機フッ素化合物および前記第２の有機フッ素化合物の濃度が、それぞれ独立に、０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲内である磁気記録媒体の製造方法。
［６］［１］〜［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報を記録する記録部と、前記磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生部とからなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号を処理する信号処理部とを有する磁気記録再生装置。

本発明の一態様によれば、保護層に窒化処理を施さずに、グライド試験の合格率を高くすることが可能な磁気記録媒体を提供することができる。

本発明の一実施形態である磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。本発明の一実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて、その構成を説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴を分かり易くするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合がある。各構成要素の寸法比率等は、一例であって、本発明は、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

以下、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体について図面を用いて説明する。

（磁気記録媒体）
図１に、本発明の一実施形態である磁気記録媒体の一例を示す。

磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、磁性層２と、保護層３と、保護層上に接して形成されている潤滑剤層４とをこの順で有する。

なお、磁気記録媒体１１においては、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層と、軟磁性下地層と、シード層と、配向制御層とがこの順で積層されていてもよい。

以下では、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層と、軟磁性下地層と、シード層と、配向制御層とがこの順で積層されている構成を例に挙げて説明する。

ここで、密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層は、必要に応じて設けられるものであり、これらのうちの一部または全部は設けられていなくてもよい。

（非磁性基板）
非磁性基板１としては、ＡｌまたはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基板上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金、その他のアモルファス金属からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。

また、非磁性基板１としては、ガラス、石英、セラミックス、シリコンなどの非金属材料からなるものを用いてもよいし、非金属材料からなる基板上にアモルファス金属膜を形成したものを用いてもよい。

（密着層）
密着層は、非磁性基板１と、密着層上に設けられる軟磁性下地層とを接して配置した場合における非磁性基板１の腐食の進行を防止するものである。

密着層を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金などが挙げられる。

密着層の厚みは、２ｎｍ以上であることが好ましく、２〜１０ｎｍであることがより好ましい。これにより、密着層を設けることによる効果が十分に得られる。

（軟磁性下地層）
軟磁性下地層は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。これにより、外部からの磁界に対する耐性、並びに、垂直磁気記録方式に特有の問題であるＷＡＴＥ（ＷｉｄｅＡｒｅａＴａｃｋＥｒａｓｕｒｅ）現象に対する耐性を高めることができる。

軟磁性下地層の厚みは、１５〜８０ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。軟磁性下地層の厚みが１５ｎｍ以上であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができ、書き込みが十分となり、磁気記録媒体１１の記録再生特性が向上する。一方、軟磁性下地層の厚みが８０ｎｍ以下であると、磁気記録媒体１１の生産性が向上する。

第１および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなるものであることが好ましい。これにより、磁気記録媒体１１の高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４Ｔ以上）を実現することができる。

また、第１および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能になる。

（シード層）
シード層は、その上に設けられる配向制御層および磁性層２の配向や結晶サイズを制御するためのものである。具体的には、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層２の磁化の方向をより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定するために、シード層が設けられる。

シード層は、ＮｉＷ合金からなるものであることが好ましい。

シード層を構成するＮｉＷ合金に、必要に応じて、Ｂ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。

シード層の厚みは、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。シード層の厚みが２ｎｍ以上であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られる。一方、シード層の厚みが２０ｎｍ以下であると、磁性層２の結晶サイズを良好に制御することができる。

（配向制御層）
配向制御層は、磁性層２の配向が良好なものとなるように制御するものである。

配向制御層は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものであることが好ましい。

配向制御層の厚みは、５〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。配向制御層の厚みを５ｎｍ以上とすることで、磁性層２の配向を良好に制御することができる。一方、配向制御層の厚みを３０ｎｍ以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層との間の距離が小さいものとなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。

配向制御層は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。配向制御層が複数層からなるものである場合、各層を構成する材料が同一であってもよいし、異なっていてもよい。

（磁性層）
磁性層２は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いている。

磁性層２は、ＣｏとＰｔを含むものであり、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを更に含むものであってもよい。

磁性層２に含まれる酸化物としては、例えば、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２などが挙げられる。

磁性層２は、１層からなるものであってもよいし、組成の異なる複数層からなるものであってもよい。

例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなるものである場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含む材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。

第１磁性層に含まれる酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物が挙げられる。その中でも、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などが好適に用いられる。

また、第１磁性層は、酸化物を２種以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。

第１磁性層に含まれる複合酸化物としては、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２などが好適に用いられる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種以上の元素を含むことができる。これにより、第１磁性層に含まれる磁性粒子の微細化を促進させる、または、第１磁性層の結晶性や配向性を向上させることができ、高密度記録に適した磁気記録媒体１１の記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。

第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造のものであることが好ましい。

また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。

第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｎの中から選ばれる１種以上の元素を含むことができる。これにより、第３磁性層に含まれる磁性粒子の微細化を促進させる、または、第３磁性層の結晶性や配向性を向上させることができ、高密度記録に適した磁気記録媒体１１の記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。

磁性層２の厚みは、５〜２５ｎｍとすることが好ましい。磁性層２の厚みが５ｎｍ以上であると、十分な再生出力が得られ、熱揺らぎ特性も向上する。一方、磁性層２の厚みが２５ｎｍ以下であると、磁性層２中の磁性粒子の微細化を促進させ、磁気記録媒体１１に情報を記録する、または、磁気記録媒体に記録された情報を再生する時のノイズが減少し、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）や記録特性（ＯＷ）に代表される磁気記録媒体１１の記録再生特性が向上する。

なお、磁性層２が複数層からなる場合、磁性層２の厚みとは、複数層の全体の厚みをいう。

また、磁性層２が複数層からなるものである場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を適度な厚みで設けることが好ましい。これにより、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、磁気記録媒体１１のＳ／Ｎ比を向上させることができる。

例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

非磁性層を構成する材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（ただし、Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種以上の元素である。）などが挙げられる。

また、非磁性層を構成する合金は、酸化物、金属窒化物または金属炭化物をさらに含むことが好ましい。

酸化物としては、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３などが挙げられる。

金属窒化物としては、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮなどが挙げられる。

金属炭化物としては、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣなどが挙げられる。

非磁性層の厚みは、０．１〜１ｎｍとすることが好ましい。これにより、磁気記録媒体１１のＳ／Ｎ比を向上させることができる。

また、磁性層２は、高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録の磁性層であってもよい。

（保護層）
保護層３は、記録層２を保護するためのものである。

保護層３は、一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。

保護層３は、炭素原子または炭素原子と水素原子を含むものである。

一般には、保護層は、窒素等が含まれている。これは、保護層に潤滑剤を保持する方法として、潤滑剤にヒドロキシ基を導入し、保護層に窒素原子を導入することにより、極性を持たせて水素結合を形成するからである。

本実施形態においては、保護層３上に形成されている潤滑剤層４は、フラーレンを含む第１の有機フッ素化合物が球状のπ共役系を有するとともに、フラーレンを含まない第２の有機フッ素化合物が芳香環によるπ共役系を有するから、保護層３中の炭素との結合力を高くすることができる。

したがって、本実施形態において、保護層３は、窒素原子を本質的に必要としないため、窒素原子の含有量を１原子％未満とすることが可能となる。

ここで、保護層３中の窒素原子の含有量は、Ｘ線光電子分光法を用いて測定することができる。

保護層３の厚みは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。保護層３の厚みが１ｎｍ以上であると、記録層２を保護する効果が十分となる。一方、保護層３の厚みが１０ｎｍ以下であると、磁気記録媒体１１を備える磁気記録再生装置における磁気的スペーシングを十分に低減することができ、磁気記録媒体１１の記録密度を向上させるとともに、耐久性を向上させることができる。

一般に、保護層に窒素原子を導入すると、窒素原子の電気陰性度が炭素原子の電気陰性度よりも大きいため、保護層の極性が上昇し、親水性の汚染物質の影響を受けやすくなる。

一方、本実施形態においては、保護層３に窒素原子を導入する必要がない、即ち、窒化処理が不要であるので、磁気記録媒体１１の耐久性を向上させることができる上、工程数を削減することもできる。

（潤滑剤層）
潤滑剤層４は、磁気記録媒体１１の汚染を防止するとともに、磁気記録媒体１１上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１１の耐久性を向上させるためのものである。

潤滑剤層４は、保護層３上に接して形成されており、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物を含む。

第１の有機フッ素化合物は、一般式

（ただし、ＦＬＮは、フラーレン骨格であり、Ｒ^１は、水素原子または炭素数が２４以下の炭化水素基であり、Ｒ^２は、一般式
Ａｒ^１−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^１−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ａ）
（式中、Ａｒ^１は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^１は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、一般式
Ａｒ^２−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−・・・（Ｂ）
（式中、Ａｒ^２は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^２は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、または、一般式
Ａ^３−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ｃ）
（式中、Ａ^３は、１価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基であり、ｍは２〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数である。）
で表される化合物である。

すなわち、第１の有機フッ素化合物は、分子中に、フラーレン骨格と、フラーレン骨格に３位および４位で縮合したｎ個のピロリジン環とを有し、ピロリジン環は、ｍ個のパーフルオロポリエーテル鎖を有するアリール基を１個有する。

Ｒ^１は、メチル基であることが好ましい。

Ｒ^２は、直鎖基であることが好ましい。

ＦＬＮは、Ｃ_６０フラーレン骨格であることが好ましい。

Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、フェニル基またはナフチル基であることが好ましい。

Ａ^１、Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立に、一般式
−（ＣＦ_２）_ｘＯ−
（ただし、ｘは１〜５の整数である。）
で表される構成単位を有することが好ましく、一般式
−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ（ＣＦ_２Ｏ）_ｚ−
（ただし、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、１〜５０である。）
で表される基であることがさらに好ましい。

第１の有機フッ素化合物、即ち、一般式（１）の化合物の具体例としては、いずれも後述するが、一般式（Ａ）のＲ^２を有する化合物１（Ｃ１）、一般式（Ｂ）のＲ^２を有する化合物３（Ｃ３）、一般式（Ｃ）のＲ^２を有する化合物４（Ｃ４）などが挙げられる。

なお、第１の有機フッ素化合物は、特許文献５に記載されている合成法により合成することができる。

第２の有機フッ素化合物は、一般式
Ａｒ^３−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^４−ＣＨ_２−ＯＣＯ−Ａｒ^４・・・（２−Ａ）
（ただし、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^４は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物、または、一般式
Ａｒ^５−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^５−ＣＨ_２−Ｏ−Ａｒ^６・・・（２−Ｂ）
（ただし、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^５は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物である。

Ａｒ^３〜Ａｒ^６は、それぞれ独立に、フェニル基またはナフチル基であることが好ましい。

Ａ^４及びＡ^５は、一般式
−（ＣＦ_２）_ｘＯ−
（ただし、ｘは１〜５の整数である。）
で表される構成単位を有することが好ましく、一般式
−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ（ＣＦ_２Ｏ）_ｚ−
（ただし、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、１〜５０である。）
で表される基であることがさらに好ましい。

第２の有機フッ素化合物の具体例としては、いずれも後述するが、一般式（２−Ａ）の化合物としての、化合物２（Ｃ２）、化合物５（Ｃ５）、一般式（２−Ｂ）の化合物としての、化合物６（Ｃ６）などが挙げられる。

なお、第２の有機フッ素化合物のうち、一般式（２−Ａ）で表される有機フッ素化合物は、既存の末端にヒドロキシ基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を塩基存在下で酸塩化物と反応させ、エステル化することによって、合成することができる。また、一般式（２−Ｂ）で表される有機フッ素化合物は、既存の末端にヒドロキシ基を有するパーフルオロポリエーテル化合物に塩基を作用させ、脱プロトン化させることによって生成するアルコキシド種を、銅触媒存在下でハロゲン化アリールとカップリング反応させることによって、合成することができる。

潤滑剤層４の主成分の１つとして、フラーレン骨格を有する第１の有機フッ素化合物を用いる。第１の有機フッ素化合物は、炭素原子または炭素原子と水素原子を含む保護層３との相互作用によって吸着することができる。フラーレンは、球状に配列した炭素原子により構成される炭素の分子状同素体であり、π共役系を有するため、炭素原子または炭素原子と水素原子からなる保護層３との相互作用を強めることができる。

通常、フラーレンやその誘導体の多くは、一般的な溶媒に溶けにくいので、磁気記録媒体１１の表面に塗布するのが困難である。

しかしながら、第１の有機フッ素化合物は、フッ素系溶媒に可溶である。これにより、潤滑剤層４の厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層３の表面を被覆することができる。すなわち、第１の有機フッ素化合物を用いることで、炭素または炭素と水素からなる保護層３との相互作用を強めることと、潤滑剤層４の厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層３の表面を被覆することとを同時に実現することができる。

また、潤滑剤層４の第１の有機フッ素化合物とは異なる成分として、鎖状のパーフルオロポリエーテル基の末端に芳香環を有する第２の有機フッ素化合物を用いる。第２の有機フッ素化合物も炭素原子または炭素原子と水素原子を含む保護層３との相互作用によって吸着することができる。

このような潤滑剤層４は、後述する、第１の有機フッ素化合物及び第２の有機フッ素化合物を含む潤滑剤層用塗布液を基体の表面に塗布することにより、形成することができる。このような潤滑剤層用塗布液を用いることにより、第１の有機フッ素化合物を単独で用いた場合に不足してしまう潤滑剤層４の流動性を高めることで、磁気ヘッドの摺動性を高め、グライド試験に合格する水準のヘッド飛行安定性を確保することができる。

一方、潤滑剤として、第２の有機フッ素化合物を単独で用いた場合は、粘度が比較的低いことから、第２の有機フッ素化合物が磁気ヘッドに付着しやすい傾向がある。このため、長時間に及ぶヘッド飛行安定性を確保しにくいという問題が生じる。

潤滑剤層４の平均厚みは、０．６ｎｍ（６Å）〜１．５ｎｍ（１５Å）の範囲内とすることが好ましく、０．８ｎｍ〜１．２ｎｍの範囲内とすることが特に好ましい。潤滑剤層４の平均厚みを０．６ｎｍ以上とすることにより、均一な厚みで保護層３の表面を高い被覆率で被覆することができる。また、潤滑剤層４の平均厚みを１．５ｎｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１１の記録密度を高くすることができる。

保護層３の表面が潤滑剤層４によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１１の表面に吸着した、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質を含む水が、潤滑剤層４の隙間を通り抜けて、潤滑剤層４の下に侵入する。その結果、潤滑剤層４の下層に侵入した環境物質は、潤滑剤層４の下に隠されていた微少なイオン成分を凝集させてイオン性の汚染物質が生成する。そして、磁気記録媒体１１に情報を記録する、または、磁気記録媒体１１に記録された情報を再生する際に、凝集した汚染物質が磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドが破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。このような潤滑剤層４の隙間からの環境物質の侵入に起因する問題は、磁気記録媒体１１を高温条件下で保持した場合、より顕著に現れる。

汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、イオン性不純物が挙げられる。

イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンなどが挙げられる。

イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、ケイ素イオン、塩化物イオン、炭酸水素イオン、硫酸水素イオン、硫酸イオン、アンモニアイオン、シュウ酸イオン、蟻酸イオンなどが挙げられる。

次に、磁気記録媒体１１の製造方法を説明する。

まず、非磁性基板１上に、磁性層２と、保護層３とを、この順で有する基体を作製する。

基体を作製する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。

例えば、前述した密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層、磁性層２の成膜方法としては、スパッタリング法などを用いることができる。

また、保護層３の成膜方法としては、カーボンターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエンなどの炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法などを用いることができる。

次に、基体の表面に潤滑剤層用塗布液を塗布する。

潤滑剤層用塗布液の塗布方法としては、特に限定されないが、浸漬塗布が好ましい。

具体的には、潤滑剤層用塗布液が入れられた浸漬塗布装置の浸漬槽中に基体を浸漬した後、浸漬槽から基体を一定の速度で引き上げることにより、保護層３上に潤滑剤層４を形成する。このとき、引き上げる気液界面でフッ素系溶媒が蒸発し、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物が均一に塗布され、均一に混合した潤滑剤層４が形成される。

潤滑剤層用塗布液としては、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物が溶解している溶液を用いる。

溶液中の第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物の濃度は、それぞれ独立に、０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲内であり、０．００１質量％〜０．０５質量％の範囲内であることが好ましい。溶液中の第１の有機フッ素化合物または第２の有機フッ素化合物の濃度が０．０００１質量％未満であると、必要な厚みの潤滑剤層４を形成することができなくなり、０．１質量％を超えると、潤滑剤層４が必要以上に厚くなり、磁気記録媒体１１の記録密度を損なう。

また、溶液中の第１の有機フッ素化合物に対する第２の有機フッ素化合物の質量比は、０．００１〜１０００であることが好ましく、０．１〜１００であることがより好ましく、３〜３０であることがさらに好ましい。

フッ素系溶媒の市販品としては、例えば、ＰＦ−５０６０（テトラデカフルオロヘキサン）（３Ｍ社製）などが挙げられる。

（磁気記録再生装置）
図２に、本発明の一実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す。

磁気記録再生装置１０１は、磁気記録媒体１１（図１参照）と、磁気記録媒体１１を記録方向に駆動する媒体駆動部１２３と、磁気ヘッド１２４と、磁気ヘッド１２４を磁気記録媒体１１に対して相対運動させるヘッド移動部１２６と、磁気ヘッド１２４からの記録再生信号を処理する信号処理部１２８とを有する。磁気ヘッド１２３は、磁気記録媒体に情報を記録する記録部と、磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生部からなる。

磁気ヘッド１２４の素子部（再生部）をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、記録密度が高くても、十分な信号強度を得ることができ、記録密度が高い磁気記録再生装置を実現することができる。

また、磁気ヘッド１２４の浮上量を０．００５μｍ（５ｎｍ）〜０．０２０μｍ（２０ｎｍ）で浮上させた場合には、出力が向上して高いＳＮＲが得られ、記録容量が大きく、信頼性が高い磁気記録再生装置とすることができる。

磁気記録再生装置１０１は、磁気記録媒体１１上に存在する汚染物質が少ない磁気記録媒体１１を有しているので、磁気記録媒体１１上に存在する汚染物質が、磁気記録再生装置１０１の磁気ヘッド１２４に転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることが防止されたものとなる。したがって、磁気記録再生装置１０１は、安定した磁気記録再生特性を有するものとなる。

また、磁気記録再生装置１０１は、窒化処理が施されていない保護層を有する磁気記録媒体１１を備えるため、窒化処理によって損なわれていた保護層の耐久性や磁性層の性能が向上する。その結果、磁気記録再生装置１０１は、優れた電磁変換特性と耐久性を有する。また、磁気記録再生装置１０１の製造工程数も、従来と比較して、減少する。

以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。なお、本発明は、実施例のみに限定されるものではない。

（保護層中の窒素原子の含有量）
ＸＰＳ装置ＰＨＩＱｕａｎｔｅｒａＩＩ（登録商標）（アルバック・ファイ社製）を用いて、保護層中の窒素原子の含有量を測定した。

（潤滑剤層の平均厚み）
フーリエ変換赤外分光光度計ＮｉｃｏｌｅｔｉＳ５０（ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、高感度反射法により、赤外吸収スペクトルのＣ−Ｆ結合の伸縮振動エネルギーに相当する吸収ピークの強度を測定し、潤滑剤層の平均厚みを求めた。このとき、各潤滑剤層について、４点ずつ厚みを測定し、その平均値を平均厚みとした。

（グライド試験）
磁気記録媒体に対し、ＡＥセンサーを付けた磁気ヘッドを、通常の磁気ヘッドの飛行高さよりも低い高さで飛行させて、表面の突起物を検出する試験をグライド試験という。磁気ヘッドの飛行高さは、通常、７〜１０ｎｍであるが、グライド試験では、磁気ヘッドの飛行高さを４〜７ｎｍとする。磁気記録媒体の全面に亘って、かつ、カバー率が２００％以上となるように、磁気ヘッドをシークさせ、突起物が一点でも観測されると、不合格となる。また、グライド試験は、磁気ヘッドの飛行安定性も同時に評価している。磁気ヘッドの飛行が不安定になると、ノイズが大きくなるが、基本ノイズの大きさを計測して、一定の閾値を用いて、全面において閾値以下であったものを合格とした。

（実施例１）
外径６５ｍｍの洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置Ｃ−３０４０（アネルバ社製）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０^−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。

その後、このガラス基板の上に、スパッタリング法により、ＣｒＴｉターゲットを用いて厚み１０ｎｍの密着層を成膜した。

次いで、密着層の上に、スパッタリング法により、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅの含有量２０原子％、Ｚｒの含有量５原子％、Ｔａの含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて、１００℃以下の基板温度で、厚み２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜した。さらに、第１軟磁性層の上に、厚み０．７ｎｍのＲｕからなる中間層と、厚み２５ｎｍのＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる第２軟磁性層とを成膜し、軟磁性下地層を形成した。

次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法により、Ｎｉ−６Ｗ｛Ｗの含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、厚み５ｎｍのシード層を成膜した。その後、シード層の上に、スパッタリング法により、第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして、厚み１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により、第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして、厚み１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。

続いて、第２の配向制御層の上に、スパッタリング法により、スパッタ圧力を２Ｐａとして、９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ_２）−３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒの含有量１５原子％、Ｐｔの含有量１６原子％、残部Ｃｏの合金の含有量９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２の含有量６ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２の含有量３ｍｏｌ％｝からなる厚み９ｎｍの第１磁性層を成膜した。

次に、第１磁性層の上に、スパッタリング法により、スパッタ圧力を２Ｐａとして、８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒの含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金の含有量８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２の含有量１２ｍｏｌ％｝からなる厚み０．３ｎｍの非磁性層を成膜した。その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により、９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ_２）−３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒの含有量１１原子％、Ｐｔの含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金の含有量９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２の含有量５ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２の含有量３ｍｏｌ％｝からなる厚み６ｎｍの第２磁性層を成膜した。

その後、第２磁性層の上に、スパッタリング法により、Ｒｕからなる厚み０．３ｎｍの非磁性層を成膜した。次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法により、Ｃｏ−２０Ｃｒ−１４Ｐｔ−３Ｂ｛Ｃｒの含有量２０原子％、Ｐｔの含有量１４原子％、Ｂの含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして、厚み７ｎｍの第３磁性層を成膜した。次に、ＣＶＤ法により、炭素と水素からなる厚み２ｎｍの保護層を成膜し、基体を作製した。

保護層は、水素原子の含有量が約１５原子％であり、窒素原子の含有量が１原子％未満であった。

次に、浸漬塗布法を用いて、保護層上に潤滑剤を塗布した。具体的には、まず、化学式

で表される化合物１（Ｃ１）および化学式

で表される化合物２（Ｃ２）を、それぞれ濃度が０．００１質量％および０．０１質量％となるように、テトラデカフルオロヘキサンに溶解させ、潤滑剤層用塗布液を調製した。次に、浸漬塗布装置の浸漬槽に入れられた潤滑剤層用塗布液中に、基体を浸漬した後、浸漬槽から基体を一定の速度で引き上げることにより、基体の保護層上に、平均厚み１．１ｎｍの潤滑剤層を形成した。次に、ナイロンテープおよびアルミナ粒子を含むポリエステルテープを用いて、潤滑剤層を研磨した。

ここで、化合物１の合成法は、特許文献５に記載されている。また、化合物２は、数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）を、ジクロロメタン中、トリエチルアミンの存在下で、１−ナフトイルクロリドを用いてエステル化することにより、合成することができる。

次に、１５０℃で１０分間空気中で焼成した後、低圧水銀灯ＥＵＶ２００ＵＳ−Ａ２（ＳＥＮ特殊光源社製）を用いて、波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線を８秒間照射し、磁気ディスクを作製した。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品４７枚、不合格品３枚となった。

（実施例２）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物１の代わりに、化学式

で表される化合物３（Ｃ３）を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは１．１ｎｍであった。

ここで、化合物３の合成法は、特許文献５に記載されている。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品４９枚、不合格品１枚となった。

（実施例３）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物１の代わりに、化学式

で表される化合物４（Ｃ４）を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは１．０ｎｍであった。

ここで、化合物４の合成法は、特許文献５に記載されている。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品４５枚、不合格品５枚となった。

（実施例４）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物２の代わりに、化学式

で表される化合物５（Ｃ５）を用いた以外は、実施例２と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは１．０ｎｍであった。

ここで、化合物５は、数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）を、ジクロロメタン中、トリエチルアミンの存在下で、塩化ベンゾイルを用いてエステル化することにより、合成することができる。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品４４枚、不合格品６枚となった。

（実施例５）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物２の代わりに、化学式

で表される化合物６（Ｃ６）を用いた以外は、実施例２と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは１．１ｎｍであった。

ここで、化合物６は、数平均分子量（Ｍｎ）約１３００の有機フッ素化合物フォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製）を、炭酸セシウムで脱プロトンすることによって生じるアルコキシド種に対し、ヨウ化銅（Ｉ）および２−シクロヘキサノンカルボン酸エチルからなる触媒の存在下で、溶媒を用いずに、１−ヨードナフタレンとカップリング反応を進行させることにより、合成することができる。

（比較例１）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物２を添加せず、化合物３の濃度を０．００１６質量％とした以外は、実施例２と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは１．１ｎｍであった。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品２２枚、不合格品２８枚となった。

（比較例２）
潤滑剤層用塗布液を調製する際に、化合物１を添加せず、化合物２の濃度を０．０１５質量％とした以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは１．０ｎｍであった。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品４枚、不合格品４６枚となった。

（比較例３）
化学式（３）
ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐ（ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ・・・（３）
（ただし、ｐ、ｑは、それぞれ１以上の整数である。）
で表されるフォンブリンＺｄｏｌ（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製、数平均分子量２０００）を、濃度が０．０１量％となるように、テトラデカフルオロヘキサンに溶解させ、潤滑剤層用塗布液を調製した。

得られた潤滑剤層用塗布液を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気ディスクを作製した。このとき、潤滑剤層の平均厚みは０．８ｎｍであった。

磁気ディスク５０枚のグライド試験を実施したところ、合格品０枚、不合格品５０枚となった。

表１に、グライド試験の結果を示す。

表１から、実施例１〜５の磁気記録媒体は、グライド試験の合格率が高いことがわかる。

これに対して、比較例１、２の磁気記録媒体は、潤滑剤層が第１の有機フッ素化合物または第２の有機フッ素化合物を含まないため、グライド試験の合格率が低い。

また、比較例３の磁気記録媒体は、潤滑剤層が第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物を含まないため、グライド試験の合格率が低い。このことから、窒化処理が施されていない保護層を有する磁気記録媒体を用いて、グライド試験の合格率を高くすることは、従来より磁気記録媒体に使用されてきた潤滑剤では発現できない特性であることがわかる。

以上の結果は、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物を含む潤滑剤層の、ヘッド飛行安定性に対する好適性を示すものである。

なお、実施例１〜３の磁気記録媒体のグライド試験の合格率の対比から、化合物３は、化合物１、４よりも、第１の有機フッ素化合物として好適であることが示唆される。

また、実施例２、４、５の磁気記録媒体のグライド試験の合格率の対比から、化合物２は、化合物５、６よりも、第２の有機フッ素化合物として好適であることが示唆される。

１非磁性基板
２磁性層
３保護層
４潤滑剤層
１１磁気記録媒体
１０１磁気記録再生装置
１２３媒体駆動部
１２４磁気ヘッド
１２６ヘッド移動部
１２８信号処理部

本実施形態の磁気記録媒体および磁気記録再生装置は、高い記録密度と耐久性を示し、かつ製造工程数が削減された磁気記録媒体および磁気記録再生装置を利用する産業において利用可能性がある。

Claims

非磁性基板上に、磁性層と、保護層と、前記保護層上に接して形成されている潤滑剤層とをこの順で有し、
前記保護層は、炭素原子または炭素原子と水素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満であり、
前記潤滑剤層は、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物を含み、
前記第１の有機フッ素化合物は、一般式

（ただし、ＦＬＮは、フラーレン骨格であり、Ｒ^１は、水素原子または炭素数が２４以下の炭化水素基であり、Ｒ^２は、一般式
Ａｒ^１−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^１−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ａ）
（式中、Ａｒ^１は炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^１は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、一般式
Ａｒ^２−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−・・・（Ｂ）
（式中、Ａｒ^２は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^２は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、または、一般式
Ａ^３−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ｃ）
（式中、Ａ^３は、１価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基であり、ｍは２〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数である。）
で表される化合物であり、
前記第２の有機フッ素化合物は、一般式
Ａｒ^３−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^４−ＣＨ_２−ＯＣＯ−Ａｒ^４・・・（２−Ａ）
（ただし、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^４は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物、または、一般式
Ａｒ^５−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^５−ＣＨ_２−Ｏ−Ａｒ^６・・・（２−Ｂ）
（ただし、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^５は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物である磁気記録媒体。
前記Ａ^１、前記Ａ^２、前記Ａ^３、前記Ａ^４および前記Ａ^５は、それぞれ独立に、一般式
−（ＣＦ_２）_ｘＯ−
（ただし、ｘは１〜５の整数である。）
で表される構成単位を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記第１の有機フッ素化合物が、化学式

で表される化合物、化学式

で表される化合物、または、化学式

で表される化合物である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
前記第２の有機フッ素化合物が、化学式

で表される化合物、化学式

で表される化合物、または、化学式

で表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
非磁性基板上に、磁性層と、炭素原子または炭素原子と水素原子を含み、窒素原子の含有量が１原子％未満である保護層とをこの順で有する基体に、第１の有機フッ素化合物および第２の有機フッ素化合物がフッ素系溶媒に溶解している溶液を塗布することにより、前記保護層上に潤滑剤層を形成する工程を有し、
前記第１の有機フッ素化合物は、一般式

（ただし、ＦＬＮは、フラーレン骨格であり、Ｒ^１は、水素原子または炭素数が２４以下の炭化水素基であり、Ｒ^２は、一般式
Ａｒ^１−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^１−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ａ）
（式中、Ａｒ^１は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^１は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、一般式
Ａｒ^２−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−・・・（Ｂ）
（式中、Ａｒ^２は、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^２は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基、または、一般式
Ａ^３−ＣＨ_２−Ｏ−・・・（Ｃ）
（式中、Ａ^３は、１価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される基であり、ｍは２〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数である。）
で表される化合物であり、
前記第２の有機フッ素化合物は、一般式
Ａｒ^３−ＣＯＯ−ＣＨ_２−Ａ^４−ＣＨ_２−ＯＣＯ−Ａｒ^４・・・（２−Ａ）
（ただし、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^４は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物、または、一般式
Ａｒ^５−Ｏ−ＣＨ_２−Ａ^５−ＣＨ_２−Ｏ−Ａｒ^６・・・（２−Ｂ）
（ただし、Ａｒ^５及びＡｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数６〜２２のアリール基であり、Ａ^５は、２価のパーフルオロポリエーテル基である。）
で表される化合物であり、
前記溶液は、前記第１の有機フッ素化合物および前記第２の有機フッ素化合物の濃度が、それぞれ独立に、０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲内である磁気記録媒体の製造方法。
請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に情報を記録する記録部と、
前記磁気記録媒体に記録された情報を再生する再生部とからなる磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドからの記録再生信号を処理する信号処理部とを有する磁気記録再生装置。