JPH09147344A

JPH09147344A - 磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH09147344A
Application number: JP30306795A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ishii; たかし石井
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-11-21
Filing date: 1995-11-21
Publication date: 1997-06-06

Abstract

(57)【要約】【課題】高記録密度を有する磁気記録媒体に適した、
表面平滑性の高い磁気記録媒体用基板の提供。【解決手段】本発明の磁気記録媒体用基板は、その表
面にＳｉＯ₂層が形成されてなることを特徴とする。こ
れにより基板表面の粗さの細かいコントロールが可能と
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体用基
板に関するものであり、更に詳しくは、極めて高い表面
平滑性を有する磁気記録媒体用基板に関する。また、本
発明は、かかる磁気記録媒体用基板を具備する磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク媒体用基板としては、一般
にアルミニウム合金基板、ガラス基板又はガラス状カー
ボン基板等が用いられている。これらの基板において
は、磁気ディスク媒体の記録密度を高めるために、その
表面が平滑であり、且つ欠陥のないことが要求されてい
る。この目的のために、図４に示すように、仕上げ研磨
工程に付される前の、表面粗さの大きな基板１２（一般
に表面粗さＲａ＝約２００ｎｍ程度、最大高さＲｔ＝約
２０００ｎｍ程度）を仕上げ研磨工程に付して、図５に
示すように、それ以前の研磨工程で基板１２に発生した
加工変質層（マイクロクラック、化学的特性の変化層、
結晶学的変化層等）を除去すると共に、その表面粗さＲ
ａ約を２．０ｎｍ以下とし、最大高さＲｔを約１０ｎｍ
程度にしている。

【０００３】かかる仕上げ研磨工程は、一般に数１０分
〜数時間を要するので、生産能力の向上の妨げとなって
いる。また仕上げ研磨工程に付された基板であっても、
図５に示すように、その表面に大きさ０．０１μｍから
数１００μｍの微小な凹部又は突起が残る場合があり、
これらが高記録密度用磁気ディスク媒体の欠陥の原因と
なっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高記録密度を有する磁気記録媒体に適した、表面平
滑性の高い磁気記録媒体用基板を提供することにある。
また、本発明の目的は、研磨工程に要する時間を短縮し
得る磁気記録媒体用基板を提供することにある。更に、
本発明の目的は、上記磁気記録媒体用基板を具備する、
エラーフリーな磁気記録媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明者らは鋭意検討した結果、仕上げ研磨工程前又は
後の基板に特定の層を形成せしめることにより、該基板
の表面に存在する欠陥が被覆されると共に、その表面平
滑性が向上することを知見した。

【０００６】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
であり、表面にＳｉＯ₂層が形成されてなることを特徴
とする磁気記録媒体用基板を提供することにより、上記
目的を達成したものである。

【０００７】また、本発明は、上記磁気記録媒体用基板
を具備することを特徴とする磁気記録媒体を提供するも
のである。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体用基板を図
面を参照して説明する。ここで、図１は、仕上げ研磨工
程後の基板の表面にＳｉＯ₂層が形成されてなる磁気記
録媒体用基板を表す概略図であり、図２は、仕上げ研磨
工程前の基板の表面にＳｉＯ₂層が形成されてなる磁気
記録媒体用基板を表す概略図である。

【０００９】図１及び図２に示すように、本発明の磁気
記録媒体用基板１０は、基板１２の表面にＳｉＯ₂層１
４が形成されてなることを特徴とするものである。該基
板の材質としては、磁気記録媒体用の基板として一般に
用いられている材質を特に制限無く用いることができ
る。更に詳細には、上記基板１２として磁性基板及び非
磁性基板の何れをも用いることができる。一般には、非
磁性基板を用いることが好ましい。該非磁性基板として
は、例えば、Ａｌ基板、ＮｉＰめっきＡｌ合金基板、強
化ガラス基板、結晶化ガラス基板、セラミックス基板、
Ｓｉ合金基板、Ｔｉ基板、Ｔｉ合金基板、プラスチック
基板、カーボン基板、及びこれらの複合材料から成る基
板等が使用できる。特に、カーボン基板、就中ガラス状
カーボン基板は、小径／薄板化に有利であり、しかも導
電性も有しているので、本発明において好ましく用いら
れる。更に、ガラス状カーボン基板は耐熱性に優れてい
るので、後述するように、上記ＳｉＯ₂層１４をポリシ
ラザンを主成分とする塗布液から塗布・焼成する場合に
も、加熱（約６０〜６００℃）によるダメージを受けに
くい。

【００１０】上記基板１２としては、仕上げ研磨工程に
付された後の、局所的な微小欠陥を有する基板（表面粗
さ８〜１０Å程度、図４参照）、及び仕上げ研磨工程に
付される前の、中仕上げ状態の基板（表面粗さ１２〜１
５Å程度、図５参照）の何れをも用いることができる。
仕上げ研磨工程に付された後の基板を用いる場合には、
その表面に上記ＳｉＯ₂層１４を形成することによって
基板の表面平滑性を極めて向上させ、且つ欠陥数を極め
て低下させることができる。一方、中仕上げ状態の基板
を用いる場合には、その表面に上記ＳｉＯ₂層１４を形
成することによって、基板の表面平滑性を向上させ、且
つ欠陥数を低下させることができると共に、仕上げ研磨
工程を省略し、工程の短縮化を図ることができる。な
お、上記仕上げ研磨工程は、所定の粒径を有する研磨砥
粒が付着した研磨テープ等を用いて行うことができる。

【００１１】図１及び図２に示すように、上記基板１２
の表面には、上記ＳｉＯ₂層１４が直接形成されてい
る。該ＳｉＯ₂層１４を形成することにより、研磨加工
に起因する加工変質層（マイクロクラック、化学的特性
の変化層、結晶学的変化層等）の影響を回避し得ると共
に、基板の表面平滑性を向上させることができる。ま
た、基板の表面粗さよりも小さな表面粗さを実現するこ
とができ、表面粗さの細かいコントロールが可能となる
（特に、仕上げ研磨工程に付された後の基板を用いる場
合に有効である）。即ち、上記ＳｉＯ₂層１４の表面粗
さは、該ＳｉＯ₂層１４が形成される前の基板１２の表
面粗さよりも小さくなる。また、上記ＳｉＯ₂層１４
は、後述するように、その上に設けられる磁性層等に対
するガスバリア層としても作用する。即ち、磁性層等の
成膜時に基板を加熱すると、磁性層の保磁力を低下させ
るような不純物ガス、例えば、ＣＯ、ＣＯ、Ｎ₂、Ｈ₂
などが発生する場合があるが、上記ＳｉＯ₂層１４はこ
れらの不純物ガスのバリア層として作用するので、磁性
層の保磁力低下が防止される。

【００１２】上記ＳｉＯ₂層１４を形成するための手段
に特に制限は無く、例えば、スパッタリング法等の物理
的気相成長法（ＰＶＤ）や化学的気相成長法（ＣＶＤ）
を用いることができるが、特に、ピンホールやボイドの
無い緻密な非晶質のＳｉＯ₂層が形成される点から、ポ
リシラザンを主成分とする塗布液から形成することが特
に好ましい。また、上記塗布液を用いることにより、上
記基板１２中の凹部が容易に埋まるので、平滑な表面の
形成が容易である。

【００１３】上記ポリシラザンからの上記ＳｉＯ₂層１
４の形成について説明すると、該ポリシラザンとして
は、シラザン又はシラザン中の水素原子が炭化水素基等
で置換されたものの重合体を用いることができる。特
に、該ポリシラザンとして、下記式（Ｉ）で表される繰
り返し単位を有するものを使用することが好ましい。

【００１４】

【化１】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、同一の又は異なる水素
原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基、アルケニル
基、シクロアルキル基又はアリール基である。）

【００１５】上記一般式（Ｉ）におけるＲ₁〜Ｒ₃がア
ルキル基である場合には、該アルキル基は低級アルキル
基であることが好ましく、特に、メチル基、エチル基、
プロピル基又はブチル基であることが好ましい。就中、
上記Ｒ₁〜Ｒ₃のすべてが水素原子であることが好まし
い。かかるポリシラザンは、例えば、特開平５−２３８
８２７号公報、特公昭６３−１６３２５号公報及び米国
特許第４３９７８２８号明細書に記載の方法に従って好
ましく製造することができる。

【００１６】上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位
を有するポリシラザンは、直鎖状、環状及び架橋体の何
れであってもよい。あるいは、該ポリシラザンは直鎖
状、環状及び架橋体ポリシラザンの何れか２種以上の混
合物であってもよい。また、上記ポリシラザンは、他の
ポリマーとの混合物又は他の化合物との混合物であって
もよい。

【００１７】上記ポリシラザンの分子量に特に制限はな
いが、上記塗布液の粘度及び塗布膜の経時安定性の点か
ら、その重量平均分子量は、好ましくは５００〜１００
００であり、更に好ましくは１０００〜４０００であ
る。

【００１８】特に、上記ポリシラザンとして、分子量１
０００以下の低分子量成分がポリシラザン全体の１０〜
４０重量％（特に好ましくは１５〜４０重量％）を占め
るようなものを使用することが、上記塗布液の粘度及び
塗布膜の経時安定性の点から好ましい。

【００１９】次に、上記ポリシラザンを主成分とする塗
布液の好ましい調製方法について説明すると、該塗布液
は、好ましくは、上記ポリシラザンをアルコール、ケト
ン、トルエン、キシレン又はＴＨＦ等の有機溶媒に溶解
せしめることによって得られる。

【００２０】上記塗布液中における上記ポリシラザンの
配合割合は、塗布ムラを少なくし、且つ塗布時間を短縮
するために、０．１〜３０重量％であることが好まし
く、１〜２０重量％であることが一層好ましい。また、
上記塗布液には、特開平５−２３８８２７号公報に記載
されているケイ素アルコキシド又はケイ素アリールオキ
シドを併用してもよい。更に、上記塗布液には、本発明
の効果を損なわない範囲でその他の任意成分を添加する
こともできる。

【００２１】次に、上記塗布液からの上記ＳｉＯ₂層の
形成について説明する。上記ＳｉＯ₂層は、好ましく
は、被塗布面、即ち上記基板１２上に上記塗布液をスプ
レーコーティング、ディップコーティング、スピンコー
ティング等の塗布手段により直接塗布（１回又は２回以
上）して塗布膜を形成せしめた後、該塗布膜を乾燥・大
気中焼成することによって形成される。上記乾燥・焼成
の温度は好ましくは６０〜６００℃である。この場合、
ポリシラザン骨格の一部が−（Ｓｉ−Ｏ）−に転化され
ない場合があるが、そのような場合であっても−（Ｓｉ
−Ｏ）−が主成分であることが必須であり、１００％転
化していることが好ましい。また、上記ＳｉＯ₂層をカ
ーボン基板上に形成する場合、上述の通りカーボン基板
は高温加熱が可能であるので、４５０〜６００℃で加熱
処理を行うと、ポリシラザンから−（Ｓｉ−Ｏ）−への
転化が効率良く行われるので好ましい。なお、上記塗布
膜の乾燥・焼成に際しては、紫外線や電子線照射による
塗膜の硬化処理を併用することもできる。更に、上記塗
布液の塗布に先立ち、上記基板１２の表面を、純水によ
って超音波洗浄したり、熱酸化処理することが好まし
い。

【００２２】このようにして形成されたＳｉＯ₂層の厚
さは、上記基板１２の表面粗さに応じて調整されるが、
一般に５〜５０００ｎｍであることが好ましく、１０〜
１０００ｎｍであることが一層好ましい。上記ＳｉＯ₂
層の厚さが５ｎｍに満たないと、上記基板１２の表面に
おける凹凸を十分に被覆できず、平滑な表面を得ること
ができない場合がある。一方、上記ＳｉＯ₂層の厚さが
５０００ｎｍを超えると、磁性ディスク等の磁気記録媒
体の薄型化が困難となる場合がある。

【００２３】また、このようにして形成された上記Ｓｉ
Ｏ₂層の表面粗さＲａは、１〜２０Åであることが好ま
しく、１〜１０Åであることが更に好ましい。

【００２４】次に、上記磁気記録媒体用基板を具備する
本発明の磁気記録媒体について図３を参照して説明す
る。ここで、図３は、本発明の磁気記録媒体の好ましい
実施態様の構成を表す概略図である。

【００２５】図３に示す磁気記録媒体１００は、仕上げ
研磨工程に付された後の基板１２の表面にＳｉＯ₂層１
４が直接形成されてなる磁気記録媒体用基板１０を具備
し、更に該ＳｉＯ₂層１４上に、ベース層１６、テクス
チャ層１８、非金属アモルファス層２０、第１下地層２
２及び第２下地層２４が順次形成されている。

【００２６】上記ベース層１６は、上記ＳｉＯ₂層１４
と、この上に設けられる層との密着性を高める目的で設
けられるものである。該ベース層１６は、カーバイドを
形成し得る金属から形成されていることが好ましく、該
金属としては、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｙ、Ｍｏ及びＶ等を用いることができる。特に、Ｔ
ｉ又はＣｒからなるベース層を用いた場合には、該ベー
ス層１６と上記ＳｉＯ₂層１４との密着性が極めて高く
なるので好ましい。該ベース層１６は、スパッタリング
等のＰＶＤによって形成され、その厚さは５〜２００ｎ
ｍであることが好ましい。

【００２７】上記ベース層１６上に形成されるテクスチ
ャ層１８は、凹凸（表面粗さＲａが５〜５０Å程度）を
形成せしめてヘッド吸着を防止するために設けられる層
である。そして、かかる凹凸が、該テクスチャ層１８以
降に設けられる各層にそのまま引き継がれることにな
る。上記テクスチャ層１８は、Ａｌ−Ｍ系合金（Ｍは、
カーバイドを形成し得る金属であり、具体的には上記ベ
ース層１６に用いられる金属と同様の金属を用いること
ができる）からスパッタリング等のＰＶＤによって形成
され、その厚さが５〜１００ｎｍであることが好まし
い。

【００２８】上記テクスチャ層１８上に設けられる非金
属アモルファス層２０は、該テクスチャ層１８と、該非
金属アモルファス層２０上に設けられる第１及び第２下
地層２２、２４との結晶的相互作用を遮断し、該下地層
の結晶化を進めると共に、磁性層２６の磁気的配向を良
好なものとするために設けられるものである。上記非金
属アモルファス層２０は、スパッタリング等のＰＶＤよ
って形成されたアモルファスカーボン層からなり、その
厚さが５〜５０ｎｍであることが好ましい。

【００２９】上記非金属アモルファス層２０上に設けら
れる第１下地層２２は、媒体ノイズを低減化せしめる目
的で設けられるものであり、Ｔｉ又はＴｉ合金から構成
されるものであることが好ましい。一方、該第１下地層
２２上に設けられる第２下地層２４は、磁性層の静磁気
特性の向上を目的として設けられるものであり、この目
的のために、その材質としては磁性層を構成する物質の
格子定数に近いものを用いることが好ましい。特に、該
第２下地層２４は、Ｃｒ又はＣｒを含む二元合金からな
ることが静磁気特性の向上と共に媒体ノイズの低減化の
点から好ましい。上記第１下地層２２及び第２下地層２
４の厚さは、それぞれ５〜２００ｎｍ及び５〜１５０ｎ
ｍであることが好ましい。

【００３０】図３に示すように、上記第２下地層２４上
には、磁性層２６、保護層２８及び潤滑剤層３０が順次
形成されている。

【００３１】上記磁性層２６としては、例えば、ＰＶＤ
法により形成された金属薄膜型の磁性層を挙げることが
できる。該金属薄膜型の磁性層を形成する材料として
は、例えばＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒＸ（但し、Ｘ
＝Ｃｒを除く）、ＣｏＣｒＰｔＸ（但し、Ｘ＝Ｃｒ及び
Ｐｔを除く）、ＣｏＳｍ、ＣｏＳｍＸ（但し、Ｘ＝Ｓｍ
を除く）、ＣｏＮｉＸ（但し、Ｘ＝Ｎｉを除く）及びＣ
ｏＷＸ（但し、Ｘ＝Ｗを除く）（ここで、Ｘは、Ｔａ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ
ａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、
Ｓｂ及びＨｆ等からなる群より選ばれる１種又は２種以
上の金属を示す）等で表されるＣｏを主成分とするＣｏ
系の磁性合金等を好ましく挙げることができる。使用に
際しては、これらを単独で又は２種以上の混合物として
用いることができる。上記磁性層２６の厚さは２０〜５
０ｎｍであることが好ましい。

【００３２】上記磁性層２６上に順次設けられる保護層
２８及び潤滑剤層３０としては、通常の磁気記録媒体に
おいて用いられるものを特に制限無く用いることができ
る。例えば、上記保護層２８としては、耐磨耗性の点か
ら硬度の高い材料が用いられ、具体的にはＡｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属の酸
化物、窒化物、炭化物や、ダイヤモンドライクカーボン
等のカーボンが好ましく用いられる。一方、上記潤滑剤
層３０は、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布
する方法や、フッ化炭素系化合物と酸素とを気相重合
（特に光ＣＶＤ）する方法（例えば、特願平６−２８６
９４０号記載の方法等）により形成することができる。

【００３３】本発明の磁気記録媒体用基板及び磁気記録
媒体は、例えば、ディスク、ドラム、テープ等の形態で
用いられ、特に、ディスクの形態で好適に用いられる。

【００３４】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、かかる実施例に限定されるものでは
ない。

【００３５】〔実施例１〕仕上げ研磨工程前のガラス状
カーボン基板（表面粗さＲａ＝１８０ｎｍ、最大高さＲ
ｔ＝２１００ｎｍ）上に東燃株式会社製ポリシラザン標
準品〔上記式（Ｉ）においてＲ₁〜Ｒ₃＝Ｈ〕のキシレ
ン溶液（ポリシラザン濃度２０重量％）をスピンコーテ
ィングによって塗布した。塗膜の厚さは４μｍであっ
た。この基板をクリーン度が１０００以下の焼成炉中に
入れ、昇温速度毎分１０℃で４５０℃まで加熱し、この
温度を５時間以上保持して、上記塗膜を焼成した。焼成
後、降温速度毎分１０℃で上記焼成炉を冷却し、室温ま
で冷却された後、上記基板を上記焼成炉から取り出し
た。このようにして得られた磁気記録媒体用基板におけ
るＳｉＯ₂層の表面粗さＲａ及び最大高さＲｔをＴｅｎ
ｃｏｒ社製Ｐ２を用いて測定すると共に、該ＳｉＯ ₂層
表面の欠陥数（１μｍ以上）を光学顕微鏡により測定し
た。その結果を表１に示す。

【００３６】〔実施例２〕実施例１における仕上げ研磨
工程前のガラス状カーボン基板に代えて、仕上げ研磨工
程後のガラス状カーボン基板（表面粗さＲａ＝１ｎｍ、
最大高さＲｔ＝１０ｎｍ）を用い、且つポリシラザン塗
膜の厚さを５０ｎｍとする以外は、実施例１と同様の操
作を行い磁気記録媒体用基板を得た。このようにして得
られた磁気記録媒体用基板について実施例１と同様の測
定を行った。その結果を表１に示す。

【００３７】〔実施例３〕実施例１における仕上げ研磨
工程前のガラス状カーボン基板に代えて、仕上げ研磨工
程前のガラス基板（表面粗さＲａ＝１００ｎｍ、最大高
さＲｔ＝１１００ｎｍ）を用いる以外は、実施例１と同
様の操作を行い磁気記録媒体用基板を得た。このように
して得られた磁気記録媒体用基板について実施例１と同
様の測定を行った。その結果を表１に示す。

【００３８】〔比較例１〕実施例１における仕上げ研磨
工程前のガラス状カーボン基板そのものについて実施例
１と同様の測定を行った。その結果を表１に示す。

【００３９】〔比較例２〕実施例２における仕上げ研磨
工程前のガラス状カーボン基板そのものについて実施例
１と同様の測定を行った。その結果を表１に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】表１に示す結果から明らかなように、Ｓｉ
Ｏ₂層を有する本発明の磁気記録媒体用基板（実施例１
〜３）においては、その表面は非常に平滑であり、しか
も欠陥数も僅かであることが分かる。特に、仕上げ研磨
工程後の基板上にＳｉＯ₂層を形成した磁気記録媒体用
基板（実施例２）においては、その表面は極めて平滑で
あり、しかも欠陥数も極く僅かである。これに対して、
ＳｉＯ₂層が形成されていない比較例１及び２の磁気記
録媒体用基板では、その表面粗さ及び欠陥数共に劣った
ものである。

【００４２】〔実施例４〜６並びに比較例３及び４〕実
施例１〜３並びに比較例１及び２で得られたガラス状カ
ーボン基板上に、それぞれ常法に従って所定厚さのＴｉ
層（ベース層）、ＡｌＳｉ層（テクスチャ層）、Ｔｉ層
（第１下地層）、Ｃｒ層（第２下地層）、ＣｏＣｒ₁₂Ｐ
ｔ₈層（磁性層）、及びアモルファスカーボン層（保護
層）を順次スパッタリングにより形成した。更に、該ア
モルファスカーボン層上にアオジモント社製フォンブリ
ンＺ−０３を所定量塗布し、潤滑剤層を形成して磁気デ
ィスクを得た。得られた磁気ディスクについて、Ｐｒｏ
ｑｕｉｐ社製ＭＧ１５０Ｔを用い、７０％スライダヘッ
ドを用い、記録密度５１ＫＦＣＩの条件でエラー特性を
評価した。スライスレベルは６０％とし、各磁気ディス
ク５０枚について１６ビット未満のミッシングエラーの
個数をカウントし、以下の様に評価した。その結果を表
２に示す。Ｓ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が０〜１５
個Ａ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が１６〜３
５個Ｂ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が３６〜６
０個Ｃ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が６１個以
上

【００４３】

【表２】

【００４４】表２に示す結果から明らかなように、表面
にＳｉＯ₂層が形成されてなるガラス状カーボン基板を
用いて製造された磁気ディスクは、ＳｉＯ₂層が形成さ
れていないガラス状カーボン基板を用いて製造された磁
気ディスクよりも、エラー特性に優れたものである。

【００４５】

【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の磁気記録
媒体用基板によれば、基板の表面にＳｉＯ₂層を形成す
ることにより、基板の表面粗さよりも小さな表面粗さを
実現することができ、表面粗さの細かいコントロールが
可能となる。

【００４６】また、研磨加工に起因する加工変質層（マ
イクロクラック、化学的特性の変化層、結晶学的変化層
等）の影響を回避し得ると共に、基板の表面平滑性を向
上させることができる。

【００４７】また、基板として仕上げ研磨工程に付され
た後の基板を用いる場合には、その表面にＳｉＯ₂層を
形成することによって基板の表面平滑性を極めて向上さ
せ、且つ欠陥数を極めて低下させることができる。ま
た、基板として中仕上げ状態の基板を用いる場合には、
その表面にＳｉＯ₂層を形成することによって、基板の
表面平滑性を向上させ、且つ欠陥数を低下させることが
できると共に、仕上げ研磨工程を省略し、工程の短縮化
を図ることができる。

【００４８】また、上記ＳｉＯ₂層は、磁性層の保磁力
低下の一因となる不純物ガスのバリア層として作用する
ので、磁性層の保磁力低下が防止される。

【００４９】また、上記ＳｉＯ₂層は耐熱性を有するの
で、磁性層の磁気的相互作用を低下させるための熱酸化
処理を行うことが可能となる。

【００５０】更に、上記ＳｉＯ₂層はＴｉやＣｒ等との
密着性が良好なので、該ＳｉＯ₂層上にＴｉやＣｒ等の
金属薄膜層を設ける場合には、該ＳｉＯ₂層と該金属薄
膜層との密着強度が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】仕上げ研磨工程後の基板の表面にＳｉＯ₂層が
形成されてなる磁気記録媒体用基板を表す概略図であ
る。

【図２】仕上げ研磨工程前の基板の表面にＳｉＯ₂層が
形成されてなる磁気記録媒体用基板を表す概略図であ
る。

【図３】本発明の磁気記録媒体の好ましい実施態様の構
成を表す概略図である。

【図４】仕上げ研磨工程前の基板の表面状態を表す概略
図である。

【図５】仕上げ研磨工程後の基板の表面状態を表す概略
図である。

【符号の説明】

１０磁気記録媒体用基板１２基板１４ＳｉＯ₂層１００磁気記録媒体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面にＳｉＯ₂層が形成されてなること
を特徴とする磁気記録媒体用基板。
【請求項２】上記ＳｉＯ₂層が非晶質である、請求項
１記載の磁気記録媒体用基板。
【請求項３】上記ＳｉＯ₂層が、ポリシラザンを主成
分とする塗布液から形成される、請求項１又は２記載の
磁気記録媒体用基板。
【請求項４】上記ＳｉＯ₂層の表面粗さが、該ＳｉＯ
₂層が形成される前の基板の表面粗さよりも小さい、請
求項１〜３の何れかに記載の磁気記録媒体用基板。
【請求項５】ガラス状カーボン基板の表面に上記Ｓｉ
Ｏ₂層が形成されてなる、請求項１〜４の何れかに記載
の磁気記録媒体用基板。
【請求項６】基板の表面にポリシラザンを塗布し、次
いで焼成してＳｉＯ ₂層を形成させることを特徴とする
磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項７】表面にＳｉＯ₂層が形成されてなる磁気
記録媒体用基板を具備することを特徴とする磁気記録媒
体。