JPH0927120A

JPH0927120A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH0927120A
Application number: JP7171196A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Ito; 英和伊藤
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-07-06
Filing date: 1995-07-06
Publication date: 1997-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】耐久性及び耐衝撃性に優れた磁気記録媒体の
提供。【解決手段】本発明の磁気記録媒体は、カーボン支持
体と、該カーボン支持体上に設けられた磁性膜と、微粒
子が単分散したポリ珪酸系被膜とを具備することを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
するものであり、更に詳しくは、耐久性及び耐衝撃性に
優れた磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】金属薄
膜型の磁性膜を有する磁気記録媒体（例えば、磁気ディ
スク）の支持体（基板）には、一般にアルミニウム合金
やガラスが用いられている。これらの支持体は、磁気記
録媒体としての性能をある程度発揮するものの、耐食性
に欠けたり耐衝撃性に劣るといった欠点を有する。そこ
で、近年では、これらの欠点を有さないカーボン材料が
注目されている。特にガラス状カーボン（ＧＣ）製の支
持体は、記録密度が向上する点で優れるのみならず、軽
量性、平滑性、耐熱性、導電性及び耐衝撃性などの面で
も優れたものである。

【０００３】ところで、磁気記録装置において、再生出
力を考慮した場合、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間
隔、即ち浮上量が小さいほど、スペーシングロスが少な
くなるので有利である。つまり、磁気記録媒体の表面は
平滑であることが望ましい。しかし、該表面が平滑過ぎ
ると、磁気記録媒体の走行開始時及び停止時において、
磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間で貼り付き（ヘッド吸
着）が生じ、磁気記録媒体あるいは磁気ヘッドが損傷す
るという問題が起こる。

【０００４】上記問題を解決するために、磁気記録媒体
の表面に微細な凹凸を形成する、いわゆるテクスチャ処
理により、磁気記録媒体表面の摩擦係数を低くする手法
が一般に行われている。特に、記録密度の向上に伴い、
耐久性及び耐衝撃性の向上が大きな課題となっている今
日では、上記テクスチャ処理に益々高度なレベルが要求
されている。

【０００５】従って、本発明の目的は、耐久性及び耐衝
撃性に優れた磁気記録媒体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、磁気記録
媒体の表面特性について鋭意検討した結果、微粒子の分
散形態が制御された被膜とカーボン支持体とを組み合わ
せて用いることにより、上記目的が達成され得ることを
発見した。

【０００７】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
であり、カーボン支持体と、該カーボン支持体上に設け
られた磁性膜と、微粒子が単分散したポリ珪酸系被膜と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体を提供するこ
とにより、上記目的を達成したものである。

【０００８】本発明の磁気記録媒体は、例えば、磁気ド
ラムや磁気テープとしても有用であるが、特に固定ディ
スク等の磁気ディスクとして有用である。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体につ
いて詳述する。

【００１０】上述の通り、本発明の磁気記録媒体は、カ
ーボン支持体と、該カーボン支持体上に設けられた磁性
膜と、微粒子が単分散したポリ珪酸系被膜とを具備する
ことを特徴とする。これらの部材及び膜に関して、以下
にそれぞれ説明する。

【００１１】本発明の磁気記録媒体における支持体は、
カーボンからなる。カーボン支持体は、従来この種の磁
気記録媒体の支持体として用いられているガラス支持体
等に比して弾性が高いので、該カーボン支持体を用いる
と磁気記録媒体の耐衝撃性が高くなるという利点があ
る。また、アルミニウム支持体に比して耐食性が高いと
いう利点もある。

【００１２】上記カーボンとしては、例えば、下記〜
のもの等を用いることができるが、これらには限定さ
れない。熱硬化性樹脂を炭素化して得られるカーボン。共重合や共縮合などにより熱硬化するよう変性され
た樹脂を炭素化して得られるカーボン。硬化又は炭素化の過程での化学処理により、結晶化
を著しく妨げて得られるカーボン。このようなカーボンの製造方法の詳細は、例えば、特公
昭６３−４６００４号公報、特公平１−２３０４７号公
報及び特公平３−１１００５号公報等に記載されてい
る。

【００１３】上記カーボン支持体は、機械的強度及び生
産コスト等の点から、その密度が１．４〜２．０ｇ／ｃ
ｍ³であることが好ましく、１．４〜１．６ｇ／ｃｍ³
であることが更に好ましい。

【００１４】また、上記カーボン支持体は、Ｘ線回折に
よる（００２）面のピークの半値幅が３°以上であるこ
とも好ましい。該半値幅を３°以上とすることで、欠陥
密度の低いカーボン支持体が得られるので、高品質支持
体の製造歩留まりが高く、且つ高密度記録用媒体用の支
持体として用いられるので好ましい。上記半値幅は、約
４°以上であることが更に好ましい。

【００１５】更に、上記カーボン支持体は、その表面を
偏光顕微鏡又は微分顕微鏡で観察したときの３μｍ以上
の欠陥の数が１個／ｃｍ²未満であることも好ましい。
該欠陥の数を１個／ｃｍ²未満とすることで、記録再生
時のエラー頻度が減少し、実質上問題なく使用すること
ができるので好ましい。上記欠陥の数は、０．１個／ｃ
ｍ²未満であることが更に好ましい。

【００１６】上記カーボン支持体は、カーボンのみで構
成されていてもよく、又はカーボン以外の材料、例えば
金属、セラミックス、樹脂等で構成された支持体上にカ
ーボンをスパッタリングや蒸着等の薄膜形成手段により
堆積させたものでもよい。本発明においては、上記カー
ボン支持体の材料として、とりわけ、ガラス状カーボン
を用いることが耐熱性及び軽量性等の点から好ましい。

【００１７】次に、本発明において上記支持体上に設け
られる上記磁性膜について説明すると、上記磁性膜とし
ては、例えば、ＰＶＤ（物理的気相成長）法により形成
された金属薄膜型の磁性膜を挙げることができる。該金
属薄膜型の磁性膜を形成する材料としては、例えばＣｏ
Ｃｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒＸ（但し、Ｘ＝Ｃｒを除
く）、ＣｏＣｒＰｔＸ（但し、Ｘ＝Ｃｒ及びＰｔを除
く）、ＣｏＳｍ、ＣｏＳｍＸ（但し、Ｘ＝Ｓｍを除
く）、ＣｏＮｉＸ（但し、Ｘ＝Ｎｉを除く）及びＣｏＷ
Ｘ（但し、Ｘ＝Ｗを除く）（ここで、Ｘは、Ｔａ、Ｐ
ｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ、
Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ
及びＨｆ等からなる群より選ばれる１種又は２種以上の
金属を示す）等で表されるＣｏを主成分とするＣｏ系の
磁性合金等を好ましく挙げることができる。使用に際し
ては、これらを単独で又は２種以上組み合わせて用いる
ことができる。上記磁性膜の厚さは２０〜５０ｎｍであ
ることが好ましいが、かかる範囲には限定されない。

【００１８】次に、上記ポリ珪酸系被膜について説明す
ると、該ポリ珪酸系被膜は、磁気記録媒体の表面特性を
改善するために設けられるものである。この目的のため
に、上記ポリ珪酸系被膜は、上記磁性膜上に設けられて
いるか又は上記カーボン支持体と上記磁性膜との間に設
けられていることが好ましい。特に、上記ポリ珪酸系被
膜は、後述するようにその硬度が高いので、上記磁性膜
を保護するための保護層の一つとして、上記磁性膜上に
設けられることが好ましい。

【００１９】上記ポリ珪酸系被膜について、図面に基づ
き更に詳述する。ここで、図１は、上記ポリ珪酸系被膜
の断面を示す模式図である。図１に示すように、上記ポ
リ珪酸系被膜１０は、微粒子１２が被覆されてなるもの
であり、該微粒子１２は上記ポリ珪酸系被膜１０中にお
いて単分散している。即ち、それぞれの微粒子１２は、
互いに距離をおいて存在しており、該微粒子１２の凝集
等は観察されない。そして、該微粒子１２が上記ポリ珪
酸系被膜１０中に単分散状態で存在することにより、上
記ポリ珪酸系被膜１０の表面には、均一な凹凸が形成さ
れている。

【００２０】上記ポリ珪酸系被膜１０の凹凸の程度は、
上記ポリ珪酸系被膜中における上記微粒子１２の粒子密
度に依存する。そして、本発明においては、磁気記録媒
体の表面特性を向上せしめるために、上記ポリ珪酸系被
膜１０の凹凸の程度を適切な範囲にコントロールするこ
とが望ましいので、この目的のために、本発明において
は、上記微粒子１２の粒子密度を０．１〜５０個／μｍ
²とすることが好ましい。上記粒子密度が０．１個／μ
ｍ²に満たないと、磁気ヘッドとディスクとの接触面積
が小さくなり過ぎて、摩耗が急激に進行して摩擦係数が
上昇し、上記粒子密度が５０個／μｍ²を超えると磁気
ヘッドとディスクとの接触面積が増加するため、ヘッド
吸着を起こし易くなるので、上記範囲内とすることが好
ましい。上記粒子密度は、１〜２０個／μｍ²であるこ
とが更に好ましく、５〜１０個／μｍ²であることが一
層好ましい。

【００２１】また、上記ポリ珪酸系被膜１０の凹凸の程
度は、上記微粒子１２の粒子径にも依存する。そして、
磁気記録媒体の表面特性を向上せしめるという上記と同
様の目的のために、上記微粒子１２の粒子径は、５〜４
０ｎｍであることが好ましい。上記粒子径が５ｎｍに満
たないと磁気ヘッドとディスクとが接触したときのすき
間が小さいのでヘッド吸着が起こり易くなり、上記粒子
径が４０ｎｍを超えるとＧＨ特性が低下するので、上記
範囲内とすることが好ましい。上記粒子径は、５〜２５
ｎｍであることが更に好ましく、１０〜２５ｎｍである
ことが一層好ましい。

【００２２】上記の通りの好ましい粒子密度及び粒子径
を有する上記ポリ珪酸系被膜１０は、その中心線平均粗
さ（Ｒａ）が５〜５０Åであることも好ましい。中心線
平均粗さをかかる範囲とすることで、磁気記録媒体の表
面に適度が粗さが付与され、その表面の摩擦係数が低く
なることでＣＳＳ特性が向上し得る。上記中心線平均粗
さは、５〜２５Åであることが更に好ましく、５〜１５
Åであることが一層好ましい。

【００２３】上記ポリ珪酸系被膜１０は、図１に示すよ
うに、上記微粒子１２の存在していない領域の厚みａが
１〜２０ｎｍであることが好ましく、また、上記微粒子
の存在している領域の厚みｂが２０〜４０ｎｍであるこ
とが、磁気記録媒体の表面特性の向上の観点から好まし
い。上記厚みａは、１〜１５ｎｍであることが更に好ま
しく、また、上記厚みｂは、１０〜２５ｎｍであること
が更に好ましい。

【００２４】上記ポリ珪酸系被膜は、後述するように、
（アルキル）アルコキシシラン、（アルキル）クロロシ
ラン及びシラザン化合物等の脱水重縮合によって得ら
れ、ＳｉＯ₂を主骨格とするものである。そして、上記
ポリ珪酸系被膜は、その硬度が高いので、上記磁性膜上
に設けられる保護層の一つとして好適に用いられる。上
記ポリ珪酸系被膜の硬度は、その原料となるシラン等の
化学構造に依存する。そして、上記ポリ珪酸系被膜の硬
度を高めるためには、上記ポリ珪酸系被膜を４官能シラ
ンから形成することが好ましく、更に好ましくは上記ポ
リ珪酸系被膜を３官能シランから形成する。

【００２５】次に、上記ポリ珪酸系被膜に被覆される上
記微粒子について説明する。上記微粒子としては、無機
化合物の粒子を好適に用いることができる。更に詳細に
は、シリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、酸化鉄
及び酸化タングステン等の金属酸化物微粒子、これらの
２種以上からなる複合微粒子並びにこれらの２種以上か
らなる混合物微粒子等が挙げられるが、これらに限定さ
れない。なお、上記微粒子の好ましい粒子径は、上述の
通りである。

【００２６】次に、上記ポリ珪酸系被膜の形成方法につ
いて説明する。上記珪酸系被膜は、好ましくは、被膜形
成用塗布液をスピンコーティングやディップコーティン
グ等の塗布手段によって塗布膜を形成した後、該塗布膜
に紫外線を照射し、次いで塗膜の硬化反応を促進するガ
ス雰囲気に晒し、更に熱処理することによって形成され
る。

【００２７】上記ポリ珪酸系被膜の形成方法について更
に詳述すると、上記被膜形成用塗布液としては、好まし
くは、イ）上記微粒子のコロイドを含むゾル、ロ）ポリ
珪酸系化合物形成用の有機珪素化合物を含む液及びハ）
有機溶媒からなり、そのイオン濃度が１．０ｍｍｏｌ／
ｌ以下である組成物が用いられる。該組成物は、例え
ば、イ）上記微粒子のコロイドを含むゾル及びロ）ポリ
珪酸系化合物形成用の有機珪素化合物を含む液並びにこ
れらの成分から得られた上記組成物の何れかに、陽イオ
ン交換及び陰イオン交換処理を行って、上記組成物中の
イオン濃度を１．０ｍｍｏｌ／ｌ以下とすることによっ
て好ましく調製される。

【００２８】上記組成物中の各成分について説明する
と、まず、上記イ）成分は、上記微粒子のコロイドを含
むゾルであり、更に詳しくは上述した微粒子（例えば、
金属酸化物等）のコロイドを含むものである。なお、上
記微粒子のコロイドの製造方法は、従来の公知の方法を
特に制限なく用いることができる。次に、上記ロ）成分
について説明すると、上記ロ）成分における有機珪素化
合物としては、例えば、Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄、Ｓｉ（Ｏ
Ｃ₂Ｈ₅）₄、ＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＣＨ₃・Ｈ
Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂及びＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅） ₃等
の（アルキル）アルコキシシラン、ＣＨ₃ＳｉＣｌ₃及
び（ＣＨ₃）₂ＳｉＣｌ₂等の（アルキル）クロロシラ
ン、〔ＣＨ₃ＳｉＮＨ〕ｎ（ｎ＝３、４）等のシラザン
化合物を挙げることが出来るが、これらに限定されるも
のではない。これら有機珪素化合物のうち、４官能シラ
ンを用いることが、得られるポリ珪酸系被膜の硬度を一
層高める観点から特に好ましく、３官能シランを用いる
ことが一層好ましい。次に、上記ハ）成分である有機溶
媒について説明すると、該有機溶媒としては、上記イ）
成分のコロイド及び上記ハ）成分の有機珪素化合物を良
好に分散せしめ得るものであれば特に制限なく用いるこ
とができる。具体的には、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノール及びブタノール等のアルコール類；エチ
レングリコール及びプロピレングリコール等のグリコー
ル類；ブチルエーテル及びテトラヒドロフラン等のエー
テル類；アセトン及びメチルエチルケトン等のケトン
類；メチルセロソルブ及びエチルセロソルブ等のエチレ
ングリコールエーテル類；並びに酢酸メチル、酢酸エチ
ル及び乳酸メチル等の有機酸エステル類を挙げることが
できる。

【００２９】上記組成物におけるイオン濃度が好ましく
は１．０ｍｍｏｌ／ｌ以下であることは上述の通りであ
るが、該イオン濃度を１．０ｍｍｏｌ／ｌ以下とするこ
とによって、上記ポリ珪酸系被膜中における上記微粒子
の分散状態を一層良好にすることができるので好まし
い。上記イオン濃度の更に好ましい範囲は０．６ｍｍｏ
ｌ／ｌ以下であり、一層好ましくは０．１ｍｍｏｌ／ｌ
以下である。

【００３０】上記ポリ珪酸系被覆における上記微粒子の
分散状態は、上記組成物における上記イ）〜ハ）成分の
配合割合、特に上記ロ）成分における有機珪素化合物の
量を調節することによりコントロールすることができ
る。そして、上記微粒子を単分散させるための上記イ）
〜ハ）成分の特に好ましい配合割合は、上記イ）成分が
上記微粒子の重量換算で１×１０^-5〜５．０重量％であ
り、上記ロ）成分が上記有機珪素化合物の重量換算で１
×１０^-4〜１０．０重量％であり、上記ハ）成分が９
９．９９９８９〜８５．０重量％であるが、かかる範囲
に限定されない。

【００３１】以上、本発明の磁気記録媒体における、カ
ーボン支持体、磁性膜及びポリ珪酸系被膜について詳述
したが、本発明の磁気記録媒体においては、これらの部
材及び膜以外に、図２及び図３に示すように、必要に応
じてその他の膜を設けてもよい。ここで、図２は、本発
明の磁気記録媒体の一例の断面を示す模式図であり、図
３は、本発明の磁気記録媒体の他の例の断面を示す模式
図である。図２に示すように、上記ポリ珪酸系被膜が上
記カーボン支持体と上記磁性膜との間に設けられる場合
には、上記カーボン支持体２０上に上記ポリ珪酸系被膜
１０を形成し、その上に下地膜２２を形成した後、その
上に上記磁性膜２４を形成することができる。この場
合、上記磁性膜２４の上に、順に保護膜２６及び潤滑膜
２８を設けることもできる。また、図３に示すように、
上記ポリ珪酸系被膜が上記磁性膜上に設けられる場合に
は、上記カーボン支持体２０上に、順に下地膜２２及び
磁性膜２４を設け、該磁性膜２４上に保護膜２６を設け
た後、上記ポリ珪酸系被膜１０を設けて、この上に潤滑
膜２８を設けることができる。以下、上記保護膜及び潤
滑膜についてそれぞれ説明する。

【００３２】まず、上記保護膜について説明すると、上
記保護膜は、例えば、ＰＶＤやスピンコーティング等に
より形成される層であり、耐摩耗性の観点から力学的強
度の高い材料で形成されていることが好ましい。上記保
護膜を形成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属の酸化
物（酸化ケイ素、酸化ジルコニウム等）；該金属の窒化
物（窒化ホウ素等）；該金属の炭化物（炭化ケイ素、炭
化タングステン等）；ダイヤモンドライクカーボン等の
カーボン（炭素）及びボロンナイトライド等からなる群
より選択される一種以上が用いられることが好ましい。
また、上記材料の中でも、カーボン、炭化ケイ素、炭化
タングステン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、窒化ホ
ウ素又はこれらの複合材料が好ましく、更に好ましくは
カーボンであり、中でも特にダイヤモンドライクカーボ
ン及びガラス状カーボンが好ましい。上記保護膜の厚さ
は、５〜２５ｎｍであることが好ましいが、かかる範囲
に限定されない。

【００３３】次に、上記潤滑膜について説明すると、上
記潤滑膜は、磁気記録媒体の走行性及び耐久性を向上さ
せるために用いられるものであり、例えば厚さが５〜１
００Å程度になるように潤滑剤を塗布する方法や、フッ
化炭素系化合物と酸素とを気相重合（特に光ＣＶＤ）す
る方法（例えば、特願平６−２８６９４０号記載の方法
等）により形成することができる。該潤滑剤としては、
フッ素系高分子を好適に用いることができる。該フッ素
系高分子としては、分子中に極性基を有するもの及び極
性基を有しないものの双方を単独で又は組み合わせて用
いることができる。分子中に極性基を有する上記フッ素
系高分子としては、分子量が２０００〜４０００のパー
フロロポリエーテル系の高分子であって、末端に芳香族
環又はＯＨ基を有するものが好ましく用いられる。より
詳細には、−（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）ｎ−（ＣＦ₂Ｏ）ｍ−
骨格を有し、末端に芳香族環又はＯＨ基を有し、且つ分
子量が２０００〜４０００であるものが好ましい。具体
例としては、フォンブリンＡＭ２００１、フォンブリン
ＺＤＯＬ（アオジモント社）等が挙げられる。一方、分
子中に極性基を有しない上記フッ素系高分子としては、
分子量が２０００〜１００００のパーフロロポリエーテ
ル系の高分子であって、末端にパーフルオロアルキル基
を有するものが好ましく用いられる。より詳細には、Ｃ
Ｆ₃−（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）ｎ−（ＣＦ₂Ｏ）ｍ−ＣＦ₃
で表わされ、分子量が２０００〜１００００であるもの
が好ましい。具体例としては、フォンブリンＺ０３（ア
オジモント社）等が挙げられる。

【００３４】以上、本発明の磁気記録媒体について詳細
に説明したが、上記の説明以外に特に詳述しなかった点
については、従来の磁気記録媒体に関する説明が適宜適
用される。

【００３５】

【実施例】次に、本発明の磁気記録媒体を、実施例に基
づき具体的に説明するが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではない。

【００３６】〔実施例１〕被膜形成用塗布液の調製イオン濃度が２０ｍｍｏｌ／ｌの市販のオルガノシリカ
ゾル（触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」：平
均粒子径２５ｎｍ、濃度１０ｗｔ％、溶媒イソプロピル
アルコール）を、陽イオン交換樹脂（三菱化成工業
（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」）と陰イ
オン交換樹脂（三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤ
イオンＳＡ−２０」）との中にそれぞれ１０ずつ回通
し、上記オルガノシリカゾル中のイオンを除去した。次
いで、加熱減圧蒸溜法で、上記オルガノシリカゾル中の
溶媒をヘキシレングリコールと溶媒置換して、濃度５ｗ
ｔ％のシリカコロイド分散液を得た。次に、テトラエト
キシシラン、水（テトラエトキシシラン中のＳｉＯ₂に
換算した量１ｍｏｌに対して４ｍｏｌ）、塩酸（テトラ
エトキシシラン中のＳｉＯ₂に換算した量１ｍｏｌに対
して０．１ｍｏｌ）、及び上記シリカコロイド分散液
（テトラエトキシシラン中のＳｉＯ₂に換算した量１ｍ
ｏｌに対して０．０２ｍｏｌ）を、イソプロピルアルコ
ールに溶解分散して、被膜形成用塗布液を調製した。な
お、この被膜形成用塗布液におけるイオン濃度は０．９
４ｍｍｏｌ／ｌであった。

【００３７】磁気ディスクの作製密度１．５ｇ／ｃｍ³、曲げ強度２９．８ｋｇ／ｍ
ｍ²、弾性率２５００ｋｇｆ／ｍｍ²のガラス状カーボ
ン支持体（直径１．８インチ、厚さ０．６３５ｍｍ、中
心線平均粗さＲａ１．０ｎｍ、Ｘ線回折による（００
２）面のピークの半値幅３．９°、３μｍ以上の欠陥の
数０．１個／ｃｍ³）を用意した。この支持体上に、Ａ
ｒガス雰囲気中でのＤＣマグネトロンスパッタにより厚
さ５０ｎｍのＴｉと厚さ５０ｎｍのＣｒとからなる下地
膜を上記支持体の上に設けた。次いで、上記下地膜上
に、厚さ４０ｎｍのＣｏＣｒＴａ系の磁性膜を設けた。
引き続き、上記磁性膜上に、該磁性膜の耐食性を向上さ
せるために、厚さ５ｎｍのＣｒ系保護膜を設けた。上記
保護膜上に、上記被膜形成用塗布液をスピンコート法に
より塗布し、塗膜を形成した。次いで、該塗膜に１５０
０ｍＪ／ｃｍ²のエネルギー量の紫外線を高圧水銀ラン
プを用いて照射した後、該塗膜をガス濃度１０００ｐｐ
ｍのアンモニアガス雰囲気に１２時間晒した。更に、該
塗膜を３００℃で１時間加熱処理して、厚さ１０ｎｍの
シリカ含有ポリ珪酸系被膜を形成した。電子顕微鏡によ
る観察の結果、上記ポリ珪酸系被膜におけるシリカ微粒
子は凝集することなく均一に単分散し、該シリカ微粒子
の粒子密度は５個／μｍ²であった。また、上記ポリ珪
酸系被膜の中心線平均粗さＲａは１２Åであり、中心線
最大高さＲｐは７０Åであった。最後に、上記ポリ珪酸
系被膜上にフォンブリンＺＤＯＬをディップコーティン
グし、厚さ２．０ｎｍの潤滑膜を形成し、磁気ディスク
を作製した。

【００３８】〔実施例２〜４〕実施例１において用いた
被膜形成用塗布液におけるシリカコロイドの濃度及び粒
子径を変更し、下記の表１に示す粒子密度及び粒子径を
有するシリカを含有するポリ珪酸系被膜を形成した以外
は実施例１と同様の操作により磁気ディスクを得た。

【００３９】

【表１】

【００４０】〔比較例１〕密度１．５ｇ／ｃｍ³、曲げ
強度２９．８ｋｇ／ｎｍ²、弾性率２５００ｋｇｆ／ｍ
ｍ²のガラス状カーボン支持体（直径１．８インチ、厚
さ０．６３５ｍｍ、中心線平均粗さＲａ１．０ｎｍ、Ｘ
線回折による（００２）面のピークの半値幅２．８°、
３μｍ以上の欠陥の数０．３個／ｃｍ³）の表面を、２
μｍのアルミナ砥粒がコーティングされた研磨テープを
用いテクスチャ処理し、該表面の中心線平均粗さＲａを
２０Åとし、中心線平均高さＲｐを２００Åとした。テ
クスチャ処理した上記支持体上にＣｒ下地膜及びＣｏＣ
ｒＴａ系の磁性膜を、実施例１と同様の操作で設けた。
続いて、ガラス状カーボン製ターゲットを装着した対向
ターゲット型のスパッタ装置を用い、室内を排気し、そ
して２ｍＴｏｒｒのガス圧となるようＡｒガスを導入し
てスパッタを行い、上記磁性膜上に１５ｎｍ厚のガラス
状カーボンからなる保護層を設けた。最後に、この保護
膜が形成された磁気ディスクをフォンブリンＡＭ２００
１溶液中に浸漬、引き上げて、上記保護膜上に厚さ２．
９ｎｍの潤滑膜を設け、磁気ディスクを作製した。な
お、この磁気ディスクには，ポリ珪酸系被膜は設けられ
ていない。

【００４１】〔比較例２〕比較例１におけるガラス状カ
ーボン支持体に代えて、ＮｉＰメッキされたＡｌ基板を
用いた以外は比較例１と同様の操作によって磁気ディス
クを得た。なお、この磁気ディスクには，ポリ珪酸系被
膜は設けられていない。

【００４２】〔比較例３〕実施例１におけるガラス状カ
ーボン支持体に代えて、強化ガラス基板を用いた以外は
実施例１と同様の操作によって磁気ディスクを得た。な
お、この磁気ディスクのポリ珪酸系被膜におけるシリカ
の微粒子の粒子径は２５ｎｍであり、粒子密度は２０個
／μｍ²であった。

【００４３】〔比較例４〕実施例１におけるガラス状カ
ーボン支持体に代えて、ＮｉＰメッキされたＡｌ基板を
用い、且つシリカ含有ポリ珪酸系被膜形成の熱処理温度
を２６０℃とした以外は実施例１と同様の操作によって
磁気ディスクを得た。なお、この磁気ディスクのポリ珪
酸系被膜におけるシリカの微粒子の粒子径は２５ｎｍで
あり、粒子密度は２０個／μｍ²であった。

【００４４】＜性能評価＞上記実施例及び比較例で得ら
れた磁気ディスクの性能を評価するために、これらの磁
気ディスクについて、ＣＳＳ（Contact Start Stop) テ
ストを行うと共に、耐衝撃性を測定した。測定は、下記
の要領で行った。

【００４５】＜ＣＳＳテスト＞ヤマハ社製の薄膜ヘッド
（Ａ１₂Ｏ₃・ＴｉＣ材スライダ）を用い、ヘッド荷重
３．５ｇ、ヘッド浮上量２．０μインチの条件下、４５
００ｒｐｍで５秒間稼働、５秒間停止のサイクルを繰り
返して行い、２万サイクル後の静摩擦係数（μｓ）の増
加を調べた。

【００４６】＜耐衝撃性＞ハードディスクドライブに磁
気ディスクと磁気ヘッドを装着した状態で、振り子型試
験機（吉田精機製ＰＳＴ−３００）を用いて、該磁気デ
ィスクの表面にそれぞれ４００Ｇ、６００Ｇ、１０００
Ｇ及び４０００Ｇの衝撃を与えたときの損傷の程度を、
光学顕微鏡又は反射型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、
下記の基準に従ってランク付けをした。Ｓ：変形が認められず、また、膜の剥離も認められな
い。Ａ：０．１μｍ未満の変形（膜の破損も含む）が認めら
れる。Ｂ：０．１μｍ未満の変形（膜の破損も含む）が認めら
れ且つ膜の剥離も認められる。Ｃ：０．１μｍ以上の変形（膜の破損も含む）が認めら
れる。Ｄ：０．１μｍ以上の変形（膜の破損も含む）が認めら
れ且つ膜の剥離が認められる。

【００４７】

【表２】

【００４８】表２の結果から明らかなように、実施例１
〜４で得られた本発明の磁気記録媒体は、可搬送型ハー
ドティスクに求められる２５００Ｇ以上の耐衝撃性を満
足すると共に、ＣＳＳ特性にも優れた耐久性の高いもの
であることが判る。

【００４９】

【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明によれば、
耐久性及び耐衝撃性に優れた磁気記録媒体を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ポリ珪酸系被膜の断面を示す模式図である

【図２】本発明の磁気記録媒体の一例の断面を示す模式
図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の他の例の断面を示す模
式図である。

【符号の説明】

１０ポリ珪酸系被膜１２微粒子２０カーボン支持体２２下地膜２４磁性膜２６保護膜２８潤滑膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カーボン支持体と、該カーボン支持体上
に設けられた磁性膜と、微粒子が単分散したポリ珪酸系
被膜とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記ポリ珪酸系被膜が、上記磁性膜上に
設けられているか又は上記カーボン支持体と上記磁性膜
上との間に設けられている、請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項３】上記微粒子の粒子密度が０．１〜５０個
／μｍ²である、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記微粒子の粒子径が５〜４０ｎｍであ
る、請求項１〜３の何れかに記載の磁気記録媒体。