JP2000511710A - 半導体ウェーハのプロセス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 分配用システムへの連結を除いて完全に閉鎖された少なくも１個の処理室を備えた半導体ウェーハの処理装置である。前記少なくも１個の処理室内に、好ましくは２個のリアクタ、及び選択的にボート内に配置されたウェーハに同じ処理作業を受けさせるための共通の供給／取出し用システムが置かれる。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体ウェーハのプロセス装置 本発明は、請求項１の前文による装置に関する。 本発明は、少なくも１個の処理室を備えた半導体ウェーハのプロセス装置であ って、気密システム、リアクタ、並びに半導体ウェーハを前記リアクタに送りそ してここから取り出すために前記少なくも１個の処理室内に配置された供給及び 取出し用手段を有する前記プロセス装置に関する。 この形式の装置は、出願人名による米国特許５４０７４４９号より知られる。 この装置においては、幾つかの処理室が、中央に配置された分配用システム又は ロボット構造の周りに配列される。半導体ウェーハは、この中央に配置されたロ ボットから、各処理室内に配置されたターンテーブル上に送られる。一般に、こ れは、ある一つの処理室内のボートに、又はターンテーブル内に置かれた半導体 ウェーハを別の処理室内のターンテーブル上に置かれたボートに輸送することに より行われる。 特定物質のドーピング及び高温における層（の部分の）除去及び／又は形成の ような処理作業は各処理室内で行われる。この際、次の処理作業の実施より前に 、管理された条件下でウェーハを冷却できることが必要である。この種の冷却は 問題の処理室内で行うことができるが、別の処理室で行うことも等しく可能であ る。 本技術においては、集積度を更に上げるために半導体ウェーハを更に大きくす る不変の希望がある。その結果、特に小さいバッチについてはボート内の一連の 半導体ウェーハの価値が定常的に増加し、特定の処理作業の失敗に伴う財務上の 危険が定常的に大きくなっている。更に、半 導体ウェーハ処理用の装置の容量の増大が要求される。 従来技術における一つの提案は、各が閉ざされかつ各が同じ処理作業を行う異 なった処理室を設けることを含む。これは、ある特定のシリーズの半導体ウェー ハが処理室に送られ、ここである処理作業を受け、同時に、別のシリーズが別の 処理室に送られ、ここで同じ処理作業を受けることを意味する。これは、共通の ロボット又は共通の分配用システム及びシステムへの共通の供給及び取出し機構 の使用を可能とするので、初期費用の節約を提供する。しかし、この種のシステ ムは、ある場合には、処理室内における半導体ウェーハの滞在時間が比較的長く 、多くの用途において、分配用システム、特にその中に配置されたロボットの容 量がこの種の装置の容量における隘路を形成することが見いだされている。 この種のシステムにおいては、処理すべき半導体ウェーハのあるボートを「待 ち位置」に置くことにより、この種の処理室内に３個の位置が設けられ、これに より、最適の利用を達成することができる。このことは、ターンテーブル上に３ 個のボートがあることを意味する。この数をより大きくできることが理解される であろう。 米国特許５４６４３１３号は、１個の線形作動システムによりウェーハのボー トが提供される２個の隣接したオーブンを備えた独立型オーブン組立体を明らか にする。この構造は空間節約型のものでなく、かつ米国特許５４０７４４９号に 説明されたような小型のクラスター構造においては使用できない。 本発明の目的は、分配用システムを延長させる必要なしに、かつ問題の床面積 をできるだけ有効に使用して上述の装置の処理容量を更に増加 させることである。これは、装置が一般にクリーンルーム内に配列されるであろ うため重要である。 この目的は、上述のような装置の場合、請求項１の特徴とする機能の手段によ りに達成される。 驚くことに、１個の処理室内に２個のリアクタを配置すること、即ち、分配用 システムにより分離されないことにより、床面積を実質的に拡大することなしに 容量を相当に増加させ得ることが見いだされた。更に、リアクタを別に設けるこ とが不必要であり、従って費用を下げられる。この新規な考えは、選択的に、例 えば米国特許５４０７４４９号から知られるような更なる処理ステーションと組 み合わせることができる。本発明により、ウェーハを、問題の処理室のターンテ ーブル上のカセットに送ったとき、好ましくは、半導体ウェーハの第１のシリー ズは第１のリアクタで処理され、半導体ウェーハの第２のシリーズは第２のリア クタで処理される。この場合、これら２個のリアクタにおける処理作業は同じと することができる。処理室は、米国特許５４０７４４９号より知られたターンテ ーブル構造を使用して装填することができる。即ち、ボート用の３個の位置を有 するターンテーブルの使用が可能である。この場合、冷却が重要であるならば、 半導体ウェーハをリアクタから取り出し得るより前に、これらの待ち時間のかな りの部分を減らすことができる。一方、カセットに対して４個の位置を設けるこ とにより、これを解決することができるが、別の事例においてはこれは重要では ない。それは、冷却時間と処理時間との比率は、処理時間が冷却時間の半分以上 であり、従って冷却された半導体ウェーハを処理室外に取り出し、これを処理す べきウェーハと置換するに十分な時間があるためである。 リアクタは適宜の形式のリアクタとすることができるが、２個の処理用オーブ ンを備えることが好ましい。本発明によるアイデアはリアクタが３個以上ある処 理室に拡張できることが理解されるであろう。この場合、ターンテーブルは３個 以上の位置を持たねばならず、又はターンテーブルを有する他の構造を別に設計 することが必要であろう。 米国特許５４０７４４９号におけるような上述された構造においては、ターン テーブルに加えて、関連のカセットをターンテーブルから取り出して、これをリ アクタ内に導入し、次いでこれをリアクタから再び取り出すために、各リアクタ 用のリフト手段もある。 本発明は、図面に示された実施例を参照、以下なお詳細に説明されるであろう 。 図１は従来技術による装置の線図的な平面図を示す。 図２は本発明による構造を組み入れた修正版の図１による装置の部分の線図的 な平面図を示す。 図３は図２による装置の部分の斜視図を示す。 図４ａ−ｃは本発明による処理室への装填及び取出しの方法を示す。 図５ａ−ｃは本発明による装置の第１の変更例の機能を示す。 図６ａ−ｃは図５と同じ変更例の別な可能な機能を示す。 図１に示された装置は、一般に用語半導体ウェーハで呼ばれている微小回路を 含んだウェーハを処理するためのものである。これら半導体ウェーハは、その表 面に集積回路を形成するために多くの処理を受け、その後で、集積回路はウェー ハから切り出され、更に処理される。 図１に示された装置１の使用により、この種のウェーハ上に、３種の、恐らく は連続した処理作業を行うことができる。 ウェーハは、図１の平面図において、供給ステーション２内に番号９で示され たカセット内で輸送されることが普通である。供給ステーション２はターンテー ブル４を備え、これにおいては、この種のカセットが６個ずつ３種の異なった高 さに置かれ、従ってこのターンテーブル４は全部で１８個のカセットを備えるこ とができる。 供給ユニット２は、壁３を介してクリーンルームに連結され、このクリーンル ーム内では、雰囲気はダストが極めて少ない状態に維持される。カセット９は、 これを入口点５を経てターンテーブル４の上に置くことができる。入口点５は特 別な供給ユニット（図示せず）に接続され、このユニットは気密機構を備えて、 カセットを入れるときに、望ましくな気体、特に酸素が装置１に確実に入らない ようにする。 図１より明らかなように、ユニット２は、少なくも部分的に正多角形の周囲の 断面を持ち、即ち、図１のユニット２の３個の壁が八角形断面の部分を形成する 。処理ステーション１０、１１及び１２は、同様に少なくも部分的に正多角形の 周囲の断面を持つ。ユニット２、１０、１１及び１２は、正多角形の周囲の辺７ のような辺の区域で他のユニットと連結された個別ユニットとして設計される。 装置１において、中央ユニットは、ロボットユニットを備えた分配用ユニット ８により形成される。このロボットユニット８は、処理ステーション１０、１１ 及び１２において、カセット９からウェーハ１３を取り出して、これをボートの ようなウェーハ用のキャリヤー内に置くことができる。処理作業の後、ロボット ８が処理済みウェーハを処理ステーションのボートから再び取り出して、これを 、次の作業ステーション又はターンテーブル４の手段により特定の位置に置かれ ている空のカセッ ト９内に置くことができる。処理されたウェーハ１３を有するカセット９は、出 口６を経て供給ステーション２から取り出すことができる。出口は、例えば入口 点５と同じ方法で気密機構を持った別の出口ステーションを備えることができる 。 処理室１０、１１、１２の各は、図の平面の上方に設けられるリアクタ（より 詳細には示されない）を備える。これは、半導体ウェーハの入っているボートを 、ターンテーブル３３からオーブン（より詳細には図示されない）のようなリア クタ内に輸送するリフト装置１７の上方に配列される。 このことは、ボートがロボット８と向かい合って置かれ、このボートは、ユニ ット２の関連のカセット９又は先行の処理室の一つからきたウェーハで満たされ る位置から出発することを意味する。問題のボートが満たされた後、テーブル３ ３が一位置だけ回され、これが問題のボートをリフト手段１７と組み合わせ、そ してオーブン内に置くことができる。オーブンにおいて処理された後、問題のボ ートはテーブル３３上に戻され、内部に置かれた半導体ウェーハを冷却するため に更に１位置だけ送られる。同時に、半導体ウェーハの次のボートはリアクタ内 に装填される。次の回転の後、少なくも部分的に冷却された半導体ウェーハを入 れたボートはロボット８の正面に置かれ、ユニット２のカセット内、又は次の処 理室のボート内に降ろされる。 本発明により、この種の装置を使って処理時間を最適化すること、即ち、多数 のウェーハに、所与の利用可能な床面積で同じ処理をなし得ることが提案される 。同じ分配用システム、即ちロボット８を含んだ構造及び同じ入口システムを使 用することを可能とする。本発明による提案 は、図２に図示される。この図面においては、本発明による装置はまとめて２１ で示され、また出入口は２５で示される。ウェーハ１３の入っているカセット９ は装置内に導かれ、そしてクリーンルームからの仕切りは２３で示される。図１ によるテーブル４と比較し得るテーブルは、ここでは２４で示され、そしてこの テーブルによりカセットは気密機構システム１８と向かい合って置かれ、ここに は図１と同様にロボット８がある。図２において、２個の処理室２９と３０とだ けが示され、処理室２９は線図的に示されるだけである。例えば図１において示 されたように、もっと多くの処理室が有り得ることを理解すべきである。形式を 改めることにより、かなり多くの数の処理ステーションを使うことができる。 さて、処理室３０の設計を説明することとする。そのために、図３も参照する 。この図面から、従来技術と対照して２個のリアクタ３１及び３２が設けられる ことを見ることができる。更に、線図的にのみ示される２個のリフト装置３４及 び３５がある。室は共通ターンテーブル３３により供給され、このターンテーブ ルは、従来技術におけると同様に、ボート受入れ用の３位置しか持たない。 ボートＡ、Ｂ及びＣにおけるカセット受入れの進行が図４ａ−ｃに例示され、 テーブル３３の回転方向は矢印で示されている。 冷却時間が処理中で比較的大きい役割を果たす場合は、ボートを受け入れるた めの４個の位置を持ったターンテーブルを提供することが可能である。かかる場 合は、図４ａ−ｃにおけるような一連の処理作業は変更されるであろう。 種々のリアクタの運転のために多くの変更、特にボート内に配列され る半導体ウェーハの供給及び取出しににおける変更が可能であることが、本技術 の熟練者に明らかであろう。 オーブン３１及び３２において同じ処理作業が行われることが好ましいがこれ らのオーブンにおいて異なった作業を行うことを考えることができる。 以上から、オーブン３２にようなリアクタを単に追加しかつリフト装置３５と 組み合わせることにより、装置の面積を実質的に広げることなくかつ費用を増加 させる技術的に更なる複雑な方法を要することなく処理室の容量をかなり大きく することができる。 図５及び６は、本発明による装置の変更例を線図的に示し、この場合も、２個 のリアクタ３１及び３２が設けられる。先に示された設計と比較して、ターンテ ーブル３３は４位置を有し、そして矢印は、種々のボートの運動をいかに具体化 するかを線図的に示す。ここでは、図４ａ−ｃについての上の説明が参照される 。 上述の本発明は、述べられた変更例には限定されず、以上の説明を読んだ熟練 技術者の想起し得る設計及び請求項の範囲内の設計も含む。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年２月２日（１９９９．２．２） 【補正内容】 明細書 半導体ウェーハのプロセス装置 本発明は、請求項１の前文による装置に関する。 本発明は、少なくも１個の処理室を備えた半導体ウェーハのプロセス装置であ って、気密システム、リアクタ、並びに半導体ウェーハを前記リアクタに送りそ してここから取り出すために前記少なくも１個の処理室内に配置された供給及び 取出し用手段を有する前記プロセス装置に関する。 この形式の装置は、出願人名による米国特許５４０７４４９号より知られる。 この装置においては、幾つかの処理室が、中央に配置された分配用システム又は ロボット構造の周りに配列される。半導体ウェーハは、この中央に配置されたロ ボットから、各処理室内に配置されたターンテーブル上に送られる。一般に、こ れは、供給ステーションにおけるカセット内に配置され、又は一つの処理室内の ターンテーブル上のボート内に配置された半導体ウェーハを、別の処理室内のタ ーンテーブル上に置かれたボートに輸送することにより行われる。 特定物質のドーピング及び高温における層（の部分の）除去及び／又は形成の ような処理作業は各処理室内で行われる。この際、次の処理作業の実施より前に 、管理された条件下でウェーハを冷却できることが必要である。この種の冷却は 問題の処理室内で行うことができるが、別の処理室で行うことも等しく可能であ る。 本技術においては、集積度を更に上げるために半導体ウェーハを更に大きくす る不変の希望がある。その結果、特に小さいバッチについてはボート内の一連の 半導体ウェーハの価値が定常的に増加し、特定の処理 作業の失敗に伴う財務上の危険が定常的に大きくなっている。更に、半導体ウェ ーハ処理用の装置の容量の増大が要求される。 従来技術における一つの提案は、各が閉ざされかつ各が同じ処理作業を行う異 なった処理室を設けることを含む。これは、ある特定のシリーズの半導体ウェー ハが処理室に送られ、ここである処理作業を受け、同時に、別のシリーズが別の 処理室に送られ、ここで同じ処理作業を受けることを意味する。これは、共通の ロボット又は共通の分配用システム及びシステムへの共通の供給及び取出し機構 の使用を可能とするので、初期費用の節約を提供する。しかし、この種のシステ ムは、ある場合には、処理室内における半導体ウェーハの滞在時間が比較的長く 、多くの用途において、分配用システム、特にその中に配置されたロボットの容 量がこの種の装置の容量における隘路を形成することが見いだされている。 この種のシステムにおいては、処理すべき半導体ウェーハのあるボートを「待 ち位置」に置くことにより、この種の処理室内に３個の位置が設けられ、これに より、最適の利用を達成することができる。このことは、ターンテーブル上に３ 個のボートがあることを意味する。この数をより大きくできることが理解される であろう。 米国特許５４６４３１３号は、１個の線形作動システムによりウェーハのボー トが提供される２個の隣接したオーブンを備えた独立型オーブン組立体を明らか にする。この構造は空間節約型のものでなく、かつ米国特許５４０７４４９号に 説明されたような小型のクラスター構造においては使用できない。 本発明の目的は、分配用システムを延長させる必要なしに、かつ問題 の床面積をできるだけ有効に使用して上述の装置の処理容量を更に増加させるこ とである。これは、装置が一般にクリーンルーム内に配列されるであろうため重 要である。 この目的は、上述のような装置の場合、請求項１の特徴とする機能の手段によ りに達成される。 驚くことに、１個の処理室内に２個のリアクタを配置すること、即ち、分配用 システムにより分離されないことにより、床面積を実質的に拡大することなしに 容量を相当に増加させ得ることが見いだされた。更に、リアクタを別に設けるこ とが不必要であり、従って費用を下げられる。この新規な考えは、選択的に、例 えば米国特許５４０７４４９号から知られるような更なる処理ステーションと組 み合わせることができる。本発明により、ウェーハを、問題の処理室のターンテ ーブル上のボートに送ったとき、好ましくは、半導体ウェーハの第１のシリーズ は第１のリアクタで処理され、半導体ウェーハの第２のシリーズは第２のリアク タで処理される。この場合、これら２個のリアクタにおける処理作業は同じとす ることができる。処理室は、米国特許５４０７４４９号より知られたターンテー ブル構造を使用して装填することができる。即ち、ボート用の３個の位置を有す るターンテーブルの使用が可能である。この場合、冷却が重要であるならば、半 導体ウェーハをリアクタから取り出し得るより前に、これらの待ち時間のかなり の部分を減らすことができる。一方、カセットに対して４個の位置を設けること により、これを解決することができるが、別の事例においてはこれは重要ではな い。それは、冷却時間と処理時間との比率は、処理時間が冷却時間の半分以上で あり、従って冷却された半導体ウェーハを処理室外に取り出し、これを処理す べきウェーハと置換するに十分な時間があるためである。 リアクタは適宜の形式のリアクタとすることができるが、２個の処理用オーブ ンを備えることが好ましい。本発明によるアイデアはリアクタが３個以上ある処 理室に拡張できることが理解されるであろう。この場合、ターンテーブルは３個 以上の位置を持たねばならず、又はターンテーブルを有する他の構造を別に設計 することが必要であろう。 米国特許５４０７４４９号におけるような上述された構造においては、ターン テーブルに加えて、関連のボートをターンテーブルから取り出して、これをリア クタ内に導入し、次いでこれをリアクタから再び取り出すために、各リアクタ用 のリフト手段もある。 本発明は、図面に示された実施例を参照、以下なお詳細に説明されるであろう 。 図１は従来技術による装置の線図的な平面図を示す。 図２は本発明による構造を組み入れた修正版の図１による装置の部分の線図的 な平面図を示す。 図３は図２による装置の部分の斜視図を示す。 図４ａ−ｃは本発明による処理室への装填及び取出しの方法を示す。 図５ａ−ｃは本発明による装置の第１の変更例の機能を示す。 図６ａ−ｃは図５と同じ変更例の別な可能な機能を示す。 図１に示された装置は、一般に用語半導体ウェーハで呼ばれている微小回路を 含んだウェーハを処理するためのものである。これら半導体ウェーハは、その表 面に集積回路を形成するために多くの処理を受け、その後で、集積回路はウェー ハから切り出され、更に処理される。 図１に示された装置１の使用により、この種のウェーハ上に、３種の、 恐らくは連続した処理作業を行うことができる。 ウェーハは、図１の平面図において、供給ステーション２内に番号９で示され たカセット内で輸送されることが普通である。供給ステーション２はターンテー ブル４を備え、これにおいては、この種のカセットが６個ずつ３種の異なった高 さに置かれ、従ってこのターンテーブル４は全部で１８個のカセットを備えるこ とができる。 供給ユニット２は、壁３を介してクリーンルームに連結され、このクリーンル ーム内では、雰囲気はダストが極めて少ない状態に維持される。カセット９は、 これを入口点５を経てターンテーブル４の上に置くことができる。入口点５は特 別な供給ユニット（図示せず）に接続され、このユニットは気密機構を備えて、 カセットを入れるときに、望ましくな気体、特に酸素が装置１に確実に入らない ようにする。 図１より明らかなように、ユニット２は、少なくも部分的に正多角形の周囲の 断面を持ち、即ち、図１のユニット２の３個の壁が八角形断面の部分を形成する 。処理ステーション、１０１１及び１２は、同様に少なくも部分的に正多角形の 周囲の断面を持つ。ユニット２、１０、１１及び１２は、正多角形の周囲の辺７ のような辺の区域で他のユニットと連結された個別ユニットとして設計される。 装置１において、中央ユニットは、ロボットユニットを備えた分配用ユニット ８により形成される。このロボットユニット８は、処理ステーション１０、１１ 及び１２において、カセット９からウェーハ１３を取り出して、これをボートの ようなウェーハ用のキャリヤー内に置くことができる。処理作業の後、ロボット ８が処理済みウェーハを処理ステーションのボートから再び取り出して、これを 、次の作業ステーション又 はターンテーブル４の手段により特定の位置に置かれている空のカセット９内に 置くことができる。処理されたウェーハ１３を有するカセット９は、出口６を経 て供給ステーション２から取り出すことができる。出口は、例えば入口点５と同 じ方法で気密機構を持った別の出口ステーションを備えることができる。 処理室１０、１１、１２の各は、図の平面の上方に設けられるリアクタ（より 詳細には示されない）を備える。これは、半導体ウェーハの入っているボートを 、ターンテーブル３３からオーブン（より詳細には図示されない）のようなリア クタ内に輸送するリフト装置１７の上方に配列される。 このことは、ボートがロボット８と向かい合って置かれ、このボートは、ユニ ット２の関連のカセット９又は先行の処理室の一つからきたウェーハで満たされ る位置から出発することを意味する。問題のボートが満たされた後、テーブル３ ３が一位置だけ回され、これが問題のボートをリフト手段１７と組み合わせ、そ してオーブン内に置くことができる。オーブンにおいて処理された後、問題のボ ートはテーブル３３上に戻され、内部に置かれた半導体ウェーハを冷却するため に更に１位置だけ送られる。同時に、半導体ウェーハの次のボートはリアクタ内 に装填される。次の回転の後、少なくも部分的に冷却された半導体ウェーハを入 れたボートはロボット８の正面に置かれ、ユニット２のカセット内、又は次の処 理室のボート内に降ろされる。 本発明により、この種の装置を使って処理時間を最適化すること、即ち、多数 のウェーハに、所与の利用可能な床面積で同じ処理をなし得ることが提案される 。同じ分配用システム、即ちロボット８を含んだ構造 及び同じ入ロシステムを使用することを可能とする。本発明による提案は、図２ に図示される。この図面においては、本発明による装置はまとめて２１で示され 、また出入口は２５で示される。ウェーハ１３の入っているカセット９は装置内 に導かれ、そしてクリーンルームからの仕切りは２３で示される。図１によるテ ーブル４と比較し得るテーブルは、ここでは２４で示され、そしてこのテーブル によりカセットは気密機構システム１８と向かい合って置かれ、ここには図１と 同様にロボット８がある。図２において、２個の処理室２９と３０とだけが示さ れ、処理室２９は線図的に示されるだけである。例えば図１において示されたよ うに、もっと多くの処理室が有り得ることを理解すべきである。形式を改めるこ とにより、かなり多くの数の処理ステーションを使うことができる。 さて、処理室３０の設計を説明することとする。そのために、図３も参照する 。この図面から、従来技術と対照して２個のリアクタ３１及び３２が設けられる ことを見ることができる。更に、線図的にのみ示される２個のリフト装置３４及 び３５がある。室は共通ターンテーブル３３により供給され、このターンテーブ ルは、従来技術におけると同様に、ボート受入れ用の３位置しか持たない。 ボートＡ、Ｂ及びＣにおけるカセット受入れの進行が図４ａ−ｃに例示され、 テーブル３３の回転方向は矢印で示されている。 冷却時間が処理中で比較的大きい役割を果たす場合は、ボートを受け入れるた めの４個の位置を持ったターンテーブルを提供することが可能である。かかる場 合は、図４ａ−ｃにおけるような一連の処理作業は変更されるであろう。 種々のリアクタの運転のために多くの変更、特にボート内に配列される半導体 ウェーハの供給及び取出しににおける変更が可能であることが、本技術の熟練者 に明らかであろう。 オーブン３１及び３２において同じ処理作業が行われることが好ましいがこれ らのオーブンにおいて異なった作業を行うことを考えることができる。 以上から、オーブン３２にようなリアクタを単に追加しかつリフト装置３５と 組み合わせることにより、装置の面積を実質的に広げることなくかつ費用を増加 させる技術的に更なる複雑な方法を要することなく処理室の容量をかなり大きく することができる。 図５及び６は、本発明による装置の変更例を線図的に示し、この場合も、２個 のリアクタ３１及び３２が設けられる。先に示された設計と比較して、ターンテ ーブル３３は４位置を有し、そして矢印は、種々のボートの運動をいかに具体化 するかを線図的に示す。ここでは、図４ａ−ｃについての上の説明が参照される 。 上述の本発明は、述べられた変更例には限定されず、以上の説明を読んだ熟練 技術者の想起し得る設計及び請求項の範囲内の設計も含む。 請求の範囲 １．処理室（２４、２９、３０）であって、ウェーハを、貯蔵所又は別の処理 室から前記処理室内のターンテーブル（３３）上のボートに、又はその逆方向に 輸送するための中央分配用システム（８）を有する前記処理室を備え、前記貯蔵 所又は別の処理室に関し及び中央分配用システムに関して前記処理室を閉鎖する ことが可能であり、更にリアクタ（３１）、並びに前記半導体ウェーハを有する ボートを前記ターンテーブルから前記処理室（３０）内に配列された前記リアク タ内に送るための供給及び取出し手段（３３、３４）を備えた半導体ウェーハ（ １３）の処理装置（２１）において、少なくも第２のリアクタが前記処理室（３ ０）内に配置され、この第２のリアクタには、半導体ウェーハを、前記ターンテ ーブルから前記第２のリアクタ内に及びその逆方向で輸送するための第２の供給 及び取出し手段（３５）が設けられることを特徴とする半導体ウェーハ（１３） の処理装置（２１）。 ２．前記リアクタが同じ処理を行うように設計された請求項１による装置。 ３．前記リアクタがオーブンを備える先行請求項の一つによる装置。 ４．ターンテーブル（３３）が、一方では、（カセット内の）半導体ウェーハ を中央分配用システム（１８）から受け取りそしてこれらを中央分配用システム （１８）に送り、他方では、ボート内のウェーハを各リアクタ用の導入手段（３ ４、３５）に送りそしてここから受け取る先行請求項の一つによる装置。 ５．前記ターンテーブルが半導体ウェーハ及び／又はカセットを受け取るため の３個の位置をその上に有する請求項４による装置。 ６．気密機構システムにより連結し得る少なくも２個の処理室（２９、３０） を備える先行請求項の一つによる装置。 ７．各処理室が少なくも２個のリアクタを備える請求項６による装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ジンガー，ジヤン オランダ・エヌエル―7191ビーデイ ドウ インゲロー・バルデルセベーク15

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．処理室（２４、２９、３０）であって、ウェーハを、貯蔵所又は別の処理 室から前記処理室に、又はその逆方向に輸送するための分配用システム（１８） を有する前記処理室を備え、前記貯蔵所又は別の処理室に関し及び中央分配用シ ステムに関して前記処理室を閉鎖することが可能であり、更にリアクタ（３１） 、並びに前記半導体ウェーハを前記処理室（３０）内に配列された前記リアクタ に送りそしてここから取り出すための供給及び取出し手段（３３、３４）を備え 、少なくも第２のリアクタが前記処理室（３０）内に配置され、この第２のリア クタには、半導体ウェーハを輸送するための第２の供給及び取出し手段（３５） が設けられ、前記第１及び第２の取出し手段は前記半導体ウェーハを平行に供給 しそして取り出すように設計されていることを特徴とする半導体ウェーハ（１３ ）の処理装置（２１）。 ２．前記リアクタが同じ処理を行うように設計された請求項１による装置。 ３．前記リアクタがオーブンを備える先行請求項の一つによる装置。 ４．前記第１及び第２の供給及び取出し手段がターンテーブル（３３）を備え 、これは、一方では、（カセット内の）半導体ウェーハを分配用システム（１８ ）から受け取りそしてこれらを分配用システム（１８）に送り、他方では、（ボ ート内の）ウェーハを各リアクタ用の導入手段（３４、３５）に送りそしてここ から受け取る先行請求項の一つによる装置。 ５．前記ターンテーブルが半導体ウェーハ及び／又はカセットを受け取るため の３個の位置をその上に有する請求項４による装置。 ６．気密機構システムにより連結し得る少なくも２個の処理室（２９、３０） を備える先行請求項の一つによる装置。 ７．各処理室が少なくも２個のリアクタを備える請求項６による装置。