JP2000284329A - マルチドメイン液晶表示素子 - Google Patents

マルチドメイン液晶表示素子

Info

Publication number
JP2000284329A
JP2000284329A JP2000065665A JP2000065665A JP2000284329A JP 2000284329 A JP2000284329 A JP 2000284329A JP 2000065665 A JP2000065665 A JP 2000065665A JP 2000065665 A JP2000065665 A JP 2000065665A JP 2000284329 A JP2000284329 A JP 2000284329A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
domain liquid
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000065665A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyon Jin Kim
キョン ジン キム
Yun Bok Lee
ユン ボク リー
Jang Jin Yoo
ヤン ジン ヨー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of JP2000284329A publication Critical patent/JP2000284329A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オープン領域を設けることなく、マルチドメ
イン効果を得ることができる液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 対向する第１基板および第２基板と、第
１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複数の
ゲート配線１およびデータ配線と、画素領域内でその内
部に電界誘導窓５１を有するように形成されている画素
電極１３と、ゲート配線と同一層において画素領域を囲
む共通補助電極１５と、第１基板全体に形成されたゲー
ト絶縁膜と、その上に第１基板全体に形成された保護膜
と、第２基板上に形成された遮光層と、その上に形成さ
れたカラーフィルタ層と、その上に形成された共通電極
と、第１基板および第２基板の内、少なくとも一方の基
板上に形成された配向膜と、第１基板と第２基板との間
に形成された液晶層とからマルチドメイン液晶表示素子
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示素子に
関するものであって、特に、ゲート配線と同一層で画素
領域を囲むように共通補助電極を形成し、前記画素電極
内に電界誘導窓を形成し、視野角を拡大したマルチドメ
イン液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を配向することなく、画素電
極と電気的に絶縁されている補助電極により液晶を駆動
する液晶表示素子が提案されている。図１および図２
は、従来の液晶表示素子の単位画素を示す断面図であ
る。
【０００３】従来の液晶表示素子は、第１基板および第
２基板３３と、第１基板上に縦横に形成されて第１基板
を複数の画素領域に分ける複数のデータ配線およびゲー
ト配線と、前記第１基板上の画素領域の各々に形成さ
れ、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、オーミック
コンタクト層(Ohmic contact layer)およびソース／ド
レイン電極等から構成されている薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）と、前記ゲート絶縁膜上に形成されている画素電
極１３と、その上に前記第１基板全体にわたって形成さ
れている保護膜３７と、該保護膜３７上で前記画素電極
１３の一部と重なるように形成されている補助電極２１
とからなっている（図１）。この場合において、前記画
素電極を特定の形状にエッチングしてオープン領域を形
成することにより画素領域を分割する構造も提案されて
いる。
【０００４】そして、前記第２基板３３上には、前記ゲ
ート配線、データ配線および薄膜トランジスタから漏洩
する光を遮断する遮光層と、該遮光層上に形成されてい
るカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に形成さ
れている共通電極１７と、前記第１基板と前記第２基板
との間に形成されている液晶層とが設けられている。前
記共通電極１７にオープン領域２７を形成することによ
り、液晶層に印加される電界を歪曲させる効果を生じさ
せている。
【０００５】画素電極１３の周りに形成されている補助
電極２１と、共通電極１７のオープン領域２７は、前記
液晶層に印加される電場を歪曲させて単位画素内で液晶
分子を多様に駆動する。このことは、前記液晶表示素子
に電圧を印加する際に、歪曲している電場による誘電エ
ネルギが液晶のディレクタを所望の方向に位置せしめる
ことを意味している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記液
晶表示素子は、マルチドメイン効果を得るために、画素
電極１３または共通電極１７にオープン領域２７を設け
ることが必要であり、このために、液晶表示素子の製造
工程中に前記電極等をパタニングする工程を追加しなけ
ればならない。
【０００７】また、前記オープン領域２７のない場合
や、その幅が狭い場合には、ドメインの分割に必要な電
場の歪曲の程度が弱いため、液晶のディレクタが安定し
た状態に至るまでの時間が相対的に長くなるという問題
点がある。
【０００８】この発明は、上述した従来の問題点に鑑み
てなされたものであって、ゲート配線と同一層で画素領
域を囲むように共通補助電極を形成し、画素電極内に電
界誘導窓を形成してマルチドメイン効果を発揮するマル
チドメイン表示素子を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるマルチドメイン液晶表示素子は、対向
する第１基板および第２基板と、前記第１基板上に縦横
に形成されて画素領域を定義する複数のゲート配線およ
びデータ配線と、前記画素領域内で、その内部に電界誘
導窓を有するように形成されている画素電極と、前記ゲ
ート配線と同一層に形成され、前記画素領域を囲むよう
に形成されている共通補助電極と、前記第１基板全体に
わたって形成されているゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁
膜上に、前記第１基板全体にわたって形成されている保
護膜と、前記第２基板上に形成されている遮光層と、該
遮光層上に形成されているカラーフィルタ層と、該カラ
ーフィルタ層上に形成されている共通電極と、前記第１
基板および前記第２基板の内の少なくとも一方の基板上
に形成されている配向膜と、前記第１基板と前記第２基
板との間に形成されている液晶層とから構成されてい
る。
【００１０】前記マルチドメイン液晶表示素子は、前記
共通電極上に電界歪曲用の誘電体構造物をさらに含む
か、または、その内部に電界誘導窓を有するように形成
される。前記誘電体構造物は、前記液晶層の誘電率より
小さい誘電率の感光性物質からなっており、アクリル樹
脂(photoacrylate)またはＢＣＢ(BenzoCycloButene)か
らなっていることが好ましい。前記液晶は、陽または陰
の誘電率異方性を有する液晶であり、液晶層はカイラル
ドパントを含んでいてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
一実施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子を詳細に
説明する。図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態
に係るマルチドメイン液晶表示素子の平面図であり、図
４〜図１３は、前記図３（ａ）のＩ−ＩおよびＩ′−
Ｉ′線による断面図である。
【００１２】前記図面に示したように、この発明のマル
チドメイン液晶表示素子は、第１基板３１および第２基
板３３と、前記第１基板上に縦横に形成されて画素領域
を定義する複数のデータ配線３およびゲート配線１と、
該ゲート配線と同一層に形成されて電界を歪曲させる共
通補助電極１５と、第１基板上の画素領域の各々に形成
され、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜３５、半導体層
５、オーミックコンタクト層およびソース／ドレイン層
７，９等から構成された薄膜トランジスタと、前記第１
基板全体にわたって形成された保護膜３７と、該保護膜
状でドレイン電極９に連結された画素電極１３とからな
っている。
【００１３】前記第２基板３３上には、ゲート電極１、
データ配線３および薄膜トランジスタから漏洩する光を
遮断する遮光層２５と、該遮光層２５上に形成されたカ
ラーフィルタ層２３と、該カラーフィルタ層上に形成さ
れた共通電極と、前記第１基板と第２基板との間に形成
された液晶層とが設けられている。
【００１４】前記画素電極１３内には、ホールまたはス
リット状の電界誘導窓５１が形成されており、前記共通
電極１７上には誘導体構造物５３が形成されているか、
または、画素電極とともにその内部に電界誘導窓５１が
形成されている。
【００１５】このような構造のマルチドメイン液晶表示
素子を製造するためには、まず、第１基板の画素領域の
各々にゲート電極１１、ゲート絶縁膜３５、半導体層
５、オーミックコンタクト層およびソース／ドレイン層
７，９からなる薄膜トランジスタを形成する。この際
に、第１基板を複数の画素領域に分ける複数のゲート配
線１およびデータ配線３が形成される。
【００１６】前記ゲート電極１１、ゲート配線１は、Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，ＴａまたはＡｌ合金、または、これら
の二重層のような金属をスパッタリング方法で積層した
後にパタニングして形成し、同時に画素領域を囲むよう
に共通補助電極１５を形成する。その上に、ゲート絶縁
膜３５をＳｉＮｘまたはＳｉＯｘをＰＥＣＶＤ法で積層
した後、パタニングして形成する。次いで、半導体層５
およびオーミックコンタクト層を、各々、ａ−Ｓｉおよ
びｎ＋ａ−ＳｉをＰＥＣＶＤ法で積層した後にパタニン
グして形成する。また、ゲート絶縁膜３５とａ・Ｓｉお
よびｎ＋ａ−ＳｉをＰＥＣＶＤ法で連続蒸着してゲート
絶縁膜３５を形成し、パタニングして半導体層５および
オーミックコンタクト層を形成することもできる。そし
て、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，ＴａまたはＡｌ合金等のような
金属をスパッタリング方法で積層した後に、パタニング
してデータ配線３およびソース／ドレイン電極７，９を
形成する。
【００１７】この際に、前記ゲート配線１および／また
は共通補助電極１５とオーバラップするようにストレー
ジ電極を同時に形成する。該ストレージ電極は、前記の
ゲート配線１および／または共通補助電極１５とともに
ストレージコンデンサＣＳＴの役割を果たす。
【００１８】次いで、第１基板３１全体にわたって、Ｂ
ＣＢ、アクリル樹脂、ポリイミド化合物、または、Ｓｉ
ＮｘまたはＳｉＯｘ等の物質から保護膜３７を形成し、
ＩＴＯ(indium tin oxide)のような金属を、スパッタリ
ング法で積層してからパタニングして画素電極１３を形
成する。その際に、前記画素電極１３はコンタクトホー
ルを通じて前記ドレイン電極９およびストレージ電極に
連結され、様々な形状にパタニングしてその内部に電界
誘導窓５１が形成される。
【００１９】前記共通補助電極１５は、前記ゲート配線
１と同一物質を用いて形成する場合には、同一のマスク
で前記のゲート配線１と同一層に形成して前記共通電極
１７と電気的に連結させ、また追加のマスクを用いて他
の金属で構成したり、互いに異なる二重の層に構成する
こともできる。
【００２０】第２基板３３上には遮光層２５を形成し、
Ｒ，Ｇ，Ｂ素子が、画素ごとに繰り返されるようにカラ
ーフィルタ層２３を形成する。その上に、共通電極１７
を画素電極１３と同様にＩＴＯ等のような透明電極で形
成し、前記共通電極１７上に感光性物質を積層した後
に、フォトリソグラフィでパタニングして様々な形状に
誘電体構造物５３を形成する（図４および図５）。ま
た、前記共通電極１７を形成する際に、様々な形状にパ
タニングしてホールまたはスリットのような電界誘導窓
５１を形成する（図６および図７）。次いで、前記第１
基板３１と第２基板３３との間に液晶を注入することに
よって、マルチドメイン液晶表示素子が完成する。
【００２１】前記誘電体構造物５３を構成する物質は、
前記液晶層の誘電率と同一またはそれより小さい誘電率
を有しているものがよく、３以下であることが好まし
く、例えば、アクリル(photoacrylate)、または、ＢＣ
Ｂのような物質を挙げることができる。
【００２２】前記共通補助電極１５に電圧(Vcom)を印加
する方法は、第１基板３１上で液晶表示素子の駆動領域
の各角部に銀ドッティング（Ag-Dotting）部を形成する
ことによって、第２基板３３に電界を印加して、上下の
電位差により液晶を駆動する。前記各角部の銀ドッティ
ング部と共通補助電極１５に連結して電圧(Vcom)を印加
する。この工程は、前記共通補助電極１５の形成と同時
に行われる。さらに、前記第１基板３１または第２基板
３３の少なくとも一方の基板上に、高分子を延伸して位
相差のフィルム２９を形成する。
【００２３】前記位相差フィルム２９は、陰性の一軸性
フィルム(negative uniaxial film)であって、光軸が一
つである一軸性物質で構成され、基板に垂直な方向と視
野角の変化による方向から使用者が感じる位相差を補償
する役割を果たす。したがって、階調反転(gray invers
ion)のない領域を広め、傾斜方向からコントラスト比を
高め、一つの画素をマルチドメインで形成することによ
り、いっそう効果的に左右方向の視野角を補償すること
ができる。
【００２４】本発明のマルチドメイン液晶表示素子にお
いて、前記陰性の一軸性フィルム以外に、位相差フィル
ムとして陰性の二軸性フィルム(negative biaxial fil
m)を形成してもよく、光軸が２つである二軸性物質から
構成される陰性の二軸性フィルムは、前記一軸性フィル
ムと比べて、広い視野角(viewing angle)を得ることが
できる。
【００２５】そして、前記位相差フィルムを付着した
後、両基板には偏光子(polarizer)（図示せず）を付着
する。この際に、前記偏光子は、前記位相差フィルムと
一体に形成して付着させることができる。
【００２６】図４〜図８に示したマルチドメイン液晶表
示素子は、画素電極１３を共通補助電極１５とオーバラ
ップするように形成してストレージコンデンサＣＳＴを
形成し、遮光層２５もやはり前記共通補助電極とオーバ
ラップするため、開口率が高い。図４に示したマルチド
メイン液晶表示素子は、前記画素電極１３と共通電極１
５がオーバラップしないように形成したものであり、こ
の場合には、前記遮光層２５を前記画素電極とオーバラ
ップするように形成して、光の漏れを防止する。
【００２７】図４，図５，図９，図１０は、前記共通電
極１７上に誘電体構造物５３を形成した実施形態であ
り、図６，図７，図１１，図１２は、前記共通電極１７
内に電界誘電窓５１を形成した実施形態である。また、
図４，図６，図９，図１１は前記保護膜３７をＳｉＮｘ
またはＳｉＯｘのような物質で形成した実施形態であ
り、図５，図７，図１０，図１２は、ＢＣＢ，アクリル
樹脂またはポリイミド化合物で形成して平坦化した実施
形態である。
【００２８】図１４（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施
形態によるマルチドメイン液晶表示素子の平面図であ
り、図１５〜図２４は、図１４（ａ）のII−IIおよびI
I′−II′線で切断したマルチドメイン液晶表示素子の
断面図である。
【００２９】前記実施形態は、図面に示されているよう
に、画素電極１３の電界誘電窓５１が形成される部分に
も、前記共通補助電極１５を様々な形状で形成したもの
である。
【００３０】図１５，図１６，図２０，図２１は、前記
共通電極１７上に誘電体構造物５３を形成した実施形態
であり、図１７，図１８，図２２，図２３は前記共通電
極１７内に電界誘電窓５１を形成した実施形態である。
また、図１５，図１７，図２０，図２２は、前記保護膜
３７をＳｉＮｘまたはＳｉＯｘのような物質で形成した
実施形態であり、図１６，図１８，図２１，図２３は、
ＢＣＢ、アクリル樹脂またはポリイミド化合物によって
形成して平坦化した実施形態である。
【００３１】上記実施形態以外にも、本発明のマルチド
メイン液晶表示素子は、前記画素電極、共通電極、カラ
ーフィルタ層および／またはオーバーコート層上に誘電
体構造物５３を形成したり、前記画素電極、保護膜、ゲ
ート絶縁膜、カラーフィルタ層、オーバーコート層およ
び／または共通電極をパタニングし、その内部にホール
またはスリット状の電界誘導窓５１を形成することによ
って、電界歪曲という効果およびマルチドメインを達成
することができる。
【００３２】前記電界誘導窓５１または誘電体構造物５
３は、横、縦または両対角線に細長くパタニングするこ
とによって、２ドメインに分割した効果を出したり、×
形状、＋形状、◇形状、くし目形状、ダブルワイ形状お
よび×と＋形状を同時にパタニングすることで、４ドメ
インおよびマルチドメインに分割した効果を発揮し、前
記第１および第２基板の内、少なくとも一方の基板上に
形成したり、両基板上に独立して、または、混合して形
成することもできる。
【００３３】さらに、本発明のマルチドメイン液晶表示
素子は、前記第１基板および／または第２基板全体にわ
たって配向膜（図示せず）を形成する。前記配向膜を光
反応性のある物質、つまりＰＶＣＮ(Polyvinylcinnamat
e)、ＰＳＣＮ(polysiloxanecinnamate)またはＣｅｌＣ
Ｎ(cellulosecinnamate)系化合物等の物質で構成して光
配向膜を形成することができ、その他の光配向処理に適
当な物質であれば、いかなるものであっても適用可能で
ある。前記光配向膜には、光を少なくとも１回照射し、
液晶分子のディレクタがなすプリチルト角(pretilt ang
le)および配向方向またはプリチルト方向(pretilt dire
ction)を同時に決定し、それによる液晶の配向安定性を
確保する。このような光配向に用いられる光は、紫外線
領域の光が適当であり、非偏光、線偏光および部分偏光
された光の内、いずれの光を用いてもよい。
【００３４】前記光配向法は、第１基板または第２基板
の内、いずれかの基板にのみ適用するか、両基板に適用
してもよく、両基板に互いに異なる配向処理をしたり、
配向膜のみを形成し、配向処理をしないことも可能であ
る。
【００３５】また、前記配向処理をすることによって、
少なくとも２つの領域に分割されたマルチドメイン液晶
表示素子を形成し、液晶層の液晶分子が各領域上で互い
に異なるように配向することもできる。すなわち、各画
素を＋形状または×形状のように４つの領域に分割する
か、横、縦または両対角線に分割し、各領域および各基
板での配向処理または配向方向を異ならせることによっ
て、マルチドメイン効果が発揮される。分割された領域
の内、少なくとも１つの領域を非配向の領域にすること
ができ、全ての領域を非配向の領域にすることも可能で
ある。上記実施形態の内、配向方向を示している図面を
図２５（ａ），（ｂ）に示した。
【００３６】図２６〜図２９は、左右または上下に隣接
する２つの画素を異なる形状の画素に形成して繰り返す
ことによって、マルチドメイン効果を発揮させる場合の
実施形態である。
【００３７】
【発明の効果】本発明のマルチドメイン液晶表示素子
は、ゲート配線と同一層に画素領域を囲むように共通補
助電極を形成し、画素電極内に電界誘導窓を形成して電
界歪曲を誘導することによって、ドメイン内での配向方
向の調節を容易にし、光視野角およびマルチドメイン効
果を増大させる効果がある。
【００３８】さらに、前記共通補助電極を、ゲート配線
と同一層に配することにより、画素電極と共通補助電極
との間の短絡を防止し、歩留まりを向上させることがで
きるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の液晶表示素子を示す断面図である。
【図２】 図１と同様の従来の液晶表示素子を示す断面
図である。
【図３】 本発明の第１の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子を示す平面図である。
【図４】 図３のＩ−Ｉ線で切断したマルチドメイン液
晶表示素子の断面図である。
【図５】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子の
図４と同様の断面図である。
【図６】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子の
図４と同様の断面図である。
【図７】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子の
図４と同様の断面図である。
【図８】 図３のＩ′−Ｉ′線で切断したマルチドメイ
ン液晶表示素子の断面図である。
【図９】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子の
図４と同様の断面図である。
【図１０】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図４と同様の断面図である。
【図１１】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図４と同様の断面図である。
【図１２】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図４と同様の断面図である。
【図１３】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図８と同様の断面図である。
【図１４】 本発明の第２の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子であって、電界誘導窓部にも共通補助
電極を配置したものを示す平面図である。
【図１５】 図１４のII−II線で切断したマルチドメイ
ン液晶表示素子の断面図である。
【図１６】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図１７】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図１８】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図１９】 図１４のII′−II′線で切断したマルチド
メイン液晶表示素子の断面図である。
【図２０】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図２１】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図２２】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図２３】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１５と同様の断面図である。
【図２４】 異なる構造のマルチドメイン液晶表示素子
の図１９と同様の断面図である。
【図２５】 本発明の第３の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子を示す平面図である。
【図２６】 本発明の第４の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子の複数の隣接する画素を示す平面図で
ある。
【図２７】 異なる構造の画素を有するマルチドメイン
液晶表示素子の図２６と同様の平面図である。
【図２８】 本発明の第５の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子であって、電界誘導窓部にも共通補助
電極を配置した複数の隣接する画素を示す平面図であ
る。
【図２９】 異なる構造の画素を有するマルチドメイン
液晶表示素子の図２８と同様の平面図である。
【符号の説明】
１ ゲート配線 ３ データ配線 １３ 画素電極 １５共通補助電極 １７ 共通電極 ２３ カラーフィルタ層 ２５ 遮光層 ３１ 第１基板 ３３ 第２基板 ３５ ゲート絶縁膜 ３７ 保護膜 ５１ 電界誘導窓 ５３ 誘導体構造物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リー ユン ボク 大韓民国 キュンキ−ドー， アンヤン− シ， ドンガン−ク， ブフン−ドン， ユンハス−チュンク アパート 107− 1702 (72)発明者 ヨー ヤン ジン 大韓民国 ソウル特別市， セオチョー− ク， バンポ−ドン 20−９， ジュコン アパート 305−502

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向する第１基板および第２基板と、前
    記第１基板上に縦横に形成されて画素領域を定義する複
    数のゲート配線およびデータ配線と、前記画素領域内に
    形成され、その内部に電界誘導窓を有する画素電極と、
    前記ゲート配線と同一層に形成され、前記画素領域を囲
    むように形成された共通補助電極と、前記第１基板全体
    にわたって形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜
    上に第１基板全体にわたって形成された保護膜と、前記
    第２基板上に形成された遮光層と、該遮光層上に形成さ
    れたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に形成
    された共通電極と、前記第１基板および第２基板の内、
    少なくとも一方の基板上に形成された配向膜と、前記第
    １基板と第２基板との間に形成された液晶層とを有する
    ことを特徴とするマルチドメイン液晶表示素子。
  2. 【請求項２】 前記保護膜の下で前記画素電極に連結さ
    れ、前記ゲート配線とオーバラップするように形成され
    ているストレージ電極を、さらに含むことを特徴とする
    請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  3. 【請求項３】 前記保護膜の下で前記画素電極に連結さ
    れ、前記共通補助電極とオーバラップするように形成さ
    れているストレージ電極を、さらに含むことを特徴とす
    る請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  4. 【請求項４】 前記画素電極が前記共通補助電極とオー
    バラップするように形成されていることを特徴とする請
    求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  5. 【請求項５】 前記遮光層が、前記共通補助電極とオー
    バラップするように形成されていることを特徴とする請
    求項４記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  6. 【請求項６】 前記画素電極が、前記共通補助電極とオ
    ーバラップしないように形成されていることを特徴とす
    る請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  7. 【請求項７】 前記遮光層が、前記画素電極とオーバラ
    ップするように形成されていることを特徴とする請求項
    ６記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  8. 【請求項８】 前記ゲート絶縁膜および前記保護膜が、
    前記共通補助電極以外の領域に形成されていることを特
    徴とする請求項６記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  9. 【請求項９】 前記共通補助電極が、前記共通電極と電
    気的に連結されていることを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  10. 【請求項１０】 前記画素電極上に、電界歪曲用の誘電
    体構造物をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  11. 【請求項１１】 前記共通電極上に、電界歪曲用の誘電
    体構造物をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  12. 【請求項１２】 前記ゲート配線とデータ配線との交差
    点に形成されているＬ型薄膜トランジスタをさらに含む
    ことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表
    示素子。
  13. 【請求項１３】 前記保護膜が、その内部に電界誘導窓
    を有することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  14. 【請求項１４】 前記ゲート絶縁膜が、その内部に電界
    誘導窓を有することを特徴とする請求項１記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  15. 【請求項１５】 前記共通電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項１記載のマルチドメ
    イン液晶表示素子。
  16. 【請求項１６】 前記カラーフィルタ層が、その表面に
    電界誘導窓を有することを特徴とする請求項１記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  17. 【請求項１７】 前記カラーフィルタ層上に、オーバー
    コート層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  18. 【請求項１８】 前記オーバーコート層が、その内部に
    電界誘導窓を有することを特徴とする請求項１７記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  19. 【請求項１９】 前記保護膜を構成する物質が、ＢＣ
    Ｂ、アクリル樹脂、および、ポリイミド化合物からなる
    一群から選択されることを特徴とする請求項１記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  20. 【請求項２０】 前記保護膜を構成する物質が、ＳｉＮ
    ｘおよびＳｉＯｘからなる一群から選択されることを特
    徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  21. 【請求項２１】 前記共通補助電極を構成する物質が、
    ＩＴＯ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，ＴｉおよびＡｌ合金
    またはこれらの二重層からなる一群から選択されること
    を特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素
    子。
  22. 【請求項２２】 前記誘電体構造物の誘電率が、前記液
    晶層の誘電率より小さいことを特徴とする請求項１記載
    のマルチドメイン液晶表示素子。
  23. 【請求項２３】 前記誘電体構造物が、感光性物質から
    なっていることを特徴とする請求項１記載のマルチドメ
    イン液晶表示素子。
  24. 【請求項２４】 前記誘電体構造物を構成する物質が、
    アクリル樹脂およびＢＣＢからなる一群から選択される
    ことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表
    示素子。
  25. 【請求項２５】 前記画素領域が、少なくとも２つの領
    域に分割され、前記液晶層の液晶分子が、各領域上で互
    いに異なる駆動特性を示すことを特徴とする請求項１記
    載のマルチドメイン液晶表示素子。
  26. 【請求項２６】 前記配向膜が、少なくとも２つの領域
    に分割され、前記液晶層の液晶分子が、各領域上で互い
    に異なる配向特性を示すことを特徴とする請求項１記載
    のマルチドメイン液晶表示素子。
  27. 【請求項２７】 前記配向膜の領域の内、少なくとも１
    つの領域が、配向処理されていることを特徴とする請求
    項２６記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  28. 【請求項２８】 前記配向膜の領域のいずれもが、配向
    処理されていないことを特徴とする請求項２６記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  29. 【請求項２９】 前記液晶層を構成する液晶が、陽また
    は陰の誘電率異方性を有する液晶であることを特徴とす
    る請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  30. 【請求項３０】 前記第１基板および第２基板の少なく
    とも一方の基板上に、陰性の一軸性フィルムを形成する
    ことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表
    示素子。
  31. 【請求項３１】 前記第１基板および第２基板の内、少
    なくとも一方の基板上に陰性の二軸性フィルムを形成す
    ることを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶
    表示素子。
  32. 【請求項３２】 前記液晶層が、カイラルドパントを含
    むことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶
    表示素子。
JP2000065665A 1999-03-09 2000-03-09 マルチドメイン液晶表示素子 Pending JP2000284329A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1999-7633 1999-03-09
KR1019990007633A KR100357216B1 (ko) 1999-03-09 1999-03-09 멀티도메인 액정표시소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000284329A true JP2000284329A (ja) 2000-10-13

Family

ID=19575887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000065665A Pending JP2000284329A (ja) 1999-03-09 2000-03-09 マルチドメイン液晶表示素子

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6462798B1 (ja)
JP (1) JP2000284329A (ja)
KR (1) KR100357216B1 (ja)
DE (1) DE10011218B4 (ja)
FR (1) FR2790838B1 (ja)
GB (1) GB2347779B (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020066977A (ko) * 2001-02-14 2002-08-21 우 옵트로닉스 코포레이션 박막 트랜지스터 액정 표시장치
JP2002311447A (ja) * 2001-04-06 2002-10-23 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
WO2003048850A1 (en) * 2001-12-07 2003-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. A liquid crystal display
JP2004326140A (ja) * 2000-10-31 2004-11-18 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2006053546A (ja) * 2004-07-16 2006-02-23 Casio Comput Co Ltd 垂直配向型の液晶表示素子
JP2006084518A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2006201355A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2006243207A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Dainippon Printing Co Ltd 液晶表示装置および液晶表示装置用のカラーフィルタとその製造方法
US7408607B2 (en) * 2001-12-20 2008-08-05 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010186201A (ja) * 2001-06-29 2010-08-26 Sharp Corp 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
USRE43574E1 (en) 2002-11-20 2012-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Four color liquid crystal display and panel therefor
US8493534B2 (en) 2001-06-29 2013-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same and method of manufacturing the same
TWI420210B (zh) * 2009-08-03 2013-12-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其製造方法

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246070B1 (en) * 1998-08-21 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same
JP4493741B2 (ja) * 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3957430B2 (ja) * 1998-09-18 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6900869B1 (en) 1998-11-25 2005-05-31 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device with particular dielectric structures
US7119870B1 (en) * 1998-11-27 2006-10-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device having particular drain lines and orientation control window
US6809787B1 (en) * 1998-12-11 2004-10-26 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
US6791647B1 (en) * 1999-02-24 2004-09-14 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
KR100357216B1 (ko) * 1999-03-09 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100519366B1 (ko) * 1999-04-03 2005-10-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
US6906768B1 (en) 1999-11-24 2005-06-14 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device with particular dielectric structures
KR100606958B1 (ko) * 2000-01-14 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
US6639641B1 (en) * 1999-11-25 2003-10-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
KR100587364B1 (ko) * 2000-01-12 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100591547B1 (ko) * 2000-05-08 2006-06-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 오.씨.비.모드 액정표시소자
KR100595295B1 (ko) * 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
US7072017B1 (en) * 2000-06-29 2006-07-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having a common-auxiliary electrode and dielectric structures
KR100587365B1 (ko) * 2000-08-08 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP3534097B2 (ja) * 2000-09-14 2004-06-07 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び該液晶装置を備えた電子機器
TW483173B (en) * 2001-02-19 2002-04-11 Au Optronics Corp Thin film transistor array structure
KR100759978B1 (ko) * 2001-07-12 2007-09-18 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 색 필터 기판
KR100806900B1 (ko) * 2001-09-07 2008-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4197404B2 (ja) * 2001-10-02 2008-12-17 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
KR100840313B1 (ko) * 2001-10-12 2008-06-20 삼성전자주식회사 광시야각 액정 표시 장치 및 그 기판
KR20030042221A (ko) 2001-11-22 2003-05-28 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100628262B1 (ko) 2001-12-13 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
US6862052B2 (en) * 2001-12-14 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display, thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR100884991B1 (ko) * 2001-12-22 2009-02-20 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100859511B1 (ko) * 2002-05-09 2008-09-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
AU2002367601A1 (en) 2002-01-15 2003-09-02 Samsung Electronics Co. Ltd. Liquid crystal display and method for fabricating the display
KR100870005B1 (ko) * 2002-03-07 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100864923B1 (ko) * 2002-07-02 2008-10-22 엘지디스플레이 주식회사 멀티도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100869739B1 (ko) * 2002-07-24 2008-11-21 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR100896950B1 (ko) * 2002-12-31 2009-05-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20040135939A1 (en) * 2003-01-14 2004-07-15 Fang-Chen Luo Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same
KR20040080778A (ko) * 2003-03-13 2004-09-20 삼성전자주식회사 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판
KR100961946B1 (ko) * 2003-05-13 2010-06-10 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치
KR100569718B1 (ko) * 2003-05-20 2006-04-10 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치
US7069522B1 (en) * 2003-06-02 2006-06-27 Virage Logic Corporation Various methods and apparatuses to preserve a logic state for a volatile latch circuit
KR100643039B1 (ko) 2003-12-11 2006-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치
KR20050071957A (ko) * 2004-01-05 2005-07-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 구동 방법
TWI241445B (en) * 2004-04-16 2005-10-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Multi-domain homeotropic alignment liquid crystal display panel
US7564522B2 (en) * 2004-05-21 2009-07-21 Kopin Corporation Full symmetrical wide-viewing angle display
KR100688498B1 (ko) * 2004-07-01 2007-03-02 삼성전자주식회사 게이트 드라이버가 내장된 액정 패널 및 이의 구동 방법
US20060033853A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Jae-Young Lee Array substrate, method of manufacturing the same, color filter substrate and display device
KR101160825B1 (ko) * 2004-08-18 2012-06-29 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN100476554C (zh) * 2004-08-31 2009-04-08 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
US20060066791A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment active matrix liquid crystal display device
CN100492141C (zh) 2004-09-30 2009-05-27 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
US7430032B2 (en) * 2004-10-29 2008-09-30 Lg Display Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device and fabrication method with central and peripheral control electrodes formed on same layer and plurality of field distortion slits formed in pixel electrode
US7556334B2 (en) 2004-11-04 2009-07-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for aligning print heads
US7413272B2 (en) 2004-11-04 2008-08-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for precision control of print head assemblies
KR100752875B1 (ko) * 2004-11-29 2007-08-29 가시오게산키 가부시키가이샤 수직배향형의 액티브 매트릭스 액정표시소자
KR100752876B1 (ko) * 2004-11-30 2007-08-29 가시오게산키 가부시키가이샤 수직배향형의 액정표시소자
US8068200B2 (en) 2004-12-24 2011-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Vertical alignment liquid crystal display device in which a pixel electrode has slits which divide the pixel electrode into electrode portions
JP4639797B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US20070065571A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Applied Materials. Inc. Method and apparatus for manufacturing a pixel matrix of a color filter for a flat panel display
KR20070063172A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7923057B2 (en) 2006-02-07 2011-04-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing irregularities in color filters
TWI331691B (en) * 2006-02-09 2010-10-11 Wintek Corp Multi-domain liquid crystal display
US7450208B2 (en) * 2006-03-01 2008-11-11 Tpo Displays Corp. Vertical alignment liquid crystal displays
US7857413B2 (en) 2007-03-01 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for controlling and testing jetting stability in inkjet print heads
TWI395030B (zh) * 2007-03-27 2013-05-01 Au Optronics Corp 畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法
KR101405339B1 (ko) 2007-05-08 2014-06-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US7637587B2 (en) 2007-08-29 2009-12-29 Applied Materials, Inc. System and method for reliability testing and troubleshooting inkjet printers
US20090141218A1 (en) * 2007-10-26 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for curing pixel matrix filter materials
CN101482675B (zh) * 2008-01-08 2010-11-03 胜华科技股份有限公司 液晶显示面板及其驱动方法与应用其的液晶显示装置
KR101443856B1 (ko) * 2008-01-21 2014-09-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그에 포함되는 액정 조성물
US9341896B2 (en) 2008-01-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
TWI363240B (en) * 2008-03-31 2012-05-01 Au Optronics Corp Active array substrate, electrode substrate, and liquid crystal display panel
KR100853228B1 (ko) * 2008-04-23 2008-08-20 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판
TW201005402A (en) * 2008-07-31 2010-02-01 Wintek Corp Liquid crystal display panel
JP5313216B2 (ja) * 2010-09-27 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 液晶表示装置
TW201312213A (zh) * 2011-08-31 2013-03-16 Hannstar Display Corp 顯示器之畫素結構
CN103399435B (zh) * 2013-08-01 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
KR102140815B1 (ko) 2013-12-09 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102127761B1 (ko) * 2014-01-13 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR20160106798A (ko) * 2015-03-02 2016-09-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4581608A (en) 1983-06-13 1986-04-08 General Electric Company Multi-color liquid crystal display and system
JPS60258649A (ja) * 1984-06-04 1985-12-20 Mitsubishi Electric Corp プログラマブルコントロ−ラ
JPS62159124A (ja) 1986-01-07 1987-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置
US4728175A (en) 1986-10-09 1988-03-01 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display having pixels with auxiliary capacitance
FR2614718B1 (fr) 1987-04-28 1989-06-16 Commissariat Energie Atomique Ecran matriciel d'affichage a cristaux liquides muni de capacites de stockage
JP2502802B2 (ja) 1990-10-15 1996-05-29 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 液晶表示装置
JP2907629B2 (ja) 1992-04-10 1999-06-21 松下電器産業株式会社 液晶表示パネル
JPH05297412A (ja) 1992-04-22 1993-11-12 Nippon Steel Corp 液晶表示装置
DE69332575T2 (de) 1992-09-18 2003-11-20 Hitachi Ltd Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP2921813B2 (ja) 1993-03-04 1999-07-19 シャープ株式会社 液晶表示装置の電極構造
JP3529153B2 (ja) * 1993-03-04 2004-05-24 三星電子株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JPH06301036A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2975844B2 (ja) * 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
US5689322A (en) * 1993-07-30 1997-11-18 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having regions with different twist angles
US5668650A (en) 1993-09-06 1997-09-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor panel having an extended source electrode
US5623354A (en) 1994-02-10 1997-04-22 International Business Machines Corporation Liquid crystal display with multi-domains
JP3675483B2 (ja) 1994-09-30 2005-07-27 ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション 垂直に配向されたコレステリック液晶ディスプレイのための観察角向上
US5673092A (en) * 1994-10-14 1997-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and method for fabricating the same
KR960024595A (ko) 1994-12-29 1996-07-20 윤종용 강유전성 액정 표시 소자의 다계조 표시 장치 및 방법
JP3448384B2 (ja) 1995-02-20 2003-09-22 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2991407B2 (ja) * 1995-02-24 1999-12-20 日本電気株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
JPH0926603A (ja) 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US5748179A (en) * 1995-05-15 1998-05-05 Hitachi, Ltd. LCD device having driving circuits with multilayer external terminals
US5641974A (en) 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
US5796456A (en) * 1995-07-14 1998-08-18 Nec Corporation Liquid crystal display with optical negative uni-axial compensation layer
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
JP2924757B2 (ja) 1996-01-12 1999-07-26 日本電気株式会社 液晶素子
JPH1068923A (ja) 1996-06-17 1998-03-10 Canon Inc 液晶素子及びそれを用いた液晶装置
US6344883B2 (en) 1996-12-20 2002-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JPH09230387A (ja) 1997-01-23 1997-09-05 Casio Comput Co Ltd マトリックス型液晶表示装置
GB2321718A (en) 1997-01-31 1998-08-05 Nat Science Council LIquid crystal display
JP3966614B2 (ja) 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
DE69840759D1 (de) 1997-06-12 2009-05-28 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
KR100286762B1 (ko) * 1997-06-27 2001-04-16 박종섭 액정 표시 소자
JPH1152381A (ja) 1997-07-29 1999-02-26 Tokuo Koma 液晶表示装置
KR100271037B1 (ko) * 1997-09-05 2000-11-01 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법(liquid crystal display device and the method for manufacturing the same)
US6335776B1 (en) 1998-05-30 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode
JP3179410B2 (ja) * 1998-06-01 2001-06-25 日本電気株式会社 液晶表示装置
KR20000004736A (ko) 1998-06-30 2000-01-25 김영환 반도체장치의 필드산화막 형성방법
FR2784758B1 (fr) * 1998-10-19 2006-01-27 Lg Philips Lcd Co Ltd Un dispositif d'afficheur a cristal liquide multi-domaine
KR100301855B1 (ko) * 1998-12-11 2001-09-26 구본준, 론 위라하디락사 멀티도메인 액정표시소자
KR100357216B1 (ko) * 1999-03-09 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100587364B1 (ko) * 2000-01-12 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP6258649B2 (ja) 2013-09-26 2018-01-10 テイ・エス テック株式会社 乗物用シート

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004326140A (ja) * 2000-10-31 2004-11-18 Sharp Corp 液晶表示装置
JP4703145B2 (ja) * 2000-10-31 2011-06-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR20020066977A (ko) * 2001-02-14 2002-08-21 우 옵트로닉스 코포레이션 박막 트랜지스터 액정 표시장치
JP2002311447A (ja) * 2001-04-06 2002-10-23 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
US9069221B2 (en) 2001-06-29 2015-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8493534B2 (en) 2001-06-29 2013-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same and method of manufacturing the same
JP2010186201A (ja) * 2001-06-29 2010-08-26 Sharp Corp 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
CN1333288C (zh) * 2001-12-07 2007-08-22 三星电子株式会社 液晶显示器
WO2003048850A1 (en) * 2001-12-07 2003-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. A liquid crystal display
US7408607B2 (en) * 2001-12-20 2008-08-05 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
USRE43574E1 (en) 2002-11-20 2012-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Four color liquid crystal display and panel therefor
JP2006053546A (ja) * 2004-07-16 2006-02-23 Casio Comput Co Ltd 垂直配向型の液晶表示素子
JP2006084518A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4516432B2 (ja) * 2005-01-19 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2006201355A (ja) * 2005-01-19 2006-08-03 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2006243207A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Dainippon Printing Co Ltd 液晶表示装置および液晶表示装置用のカラーフィルタとその製造方法
TWI420210B (zh) * 2009-08-03 2013-12-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2790838B1 (fr) 2003-02-14
GB2347779B (en) 2001-06-06
US6992742B2 (en) 2006-01-31
GB2347779A (en) 2000-09-13
US6462798B1 (en) 2002-10-08
DE10011218A1 (de) 2000-09-28
DE10011218B4 (de) 2008-04-10
FR2790838A1 (fr) 2000-09-15
KR20000059783A (ko) 2000-10-05
US20020145693A1 (en) 2002-10-10
KR100357216B1 (ko) 2002-10-18
GB0005610D0 (en) 2000-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000284329A (ja) マルチドメイン液晶表示素子
KR100587364B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100504532B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100480814B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100313949B1 (ko) 멀티도메인액정표시소자
KR100339332B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
JP2000137227A (ja) マルチドメイン液晶表示素子
JP4240433B2 (ja) マルチドメイン液晶表示素子
KR20030048865A (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR101321242B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100308161B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100323735B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100357217B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100606958B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100504533B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
US7072017B1 (en) Multi-domain liquid crystal display device having a common-auxiliary electrode and dielectric structures
KR100313951B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100487425B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100357215B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100323734B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100595297B1 (ko) 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100480813B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR100778844B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
KR20000026400A (ko) 멀티도메인 액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071127

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080227

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080624

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080826

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20081003

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20081024