JP2006084518A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】特異点の制御を充分に行うことができ、良好な表示品質を得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン１４と、ゲートバスライン１４と交差するように配されたドレインバスライン１６と、両ライン１４、１６により囲まれた画素領域にそれぞれ形成された画素電極２０とを有するＴＦＴ基板１０と、画素電極２０に対向する対向電極６２を有するＣＦ基板１２と、両基板１０、１２間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置において、画素電極２０は、複数の電極ユニット４０と、複数の電極ユニット４０を互いに電気的に接続する接続電極４４とを有し、ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１０に対向する面の電極ユニット４０上の領域には、接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向に細長い配向制御用構造物６４が形成されている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に、垂直配向型の液晶表示装置及びその製造方法に関する。

垂直配向型の液晶表示装置では、負の誘電異方性を有する液晶を、垂直配向膜を用いて無電圧の時には垂直方向に配向させ、電圧を印加した時に傾斜して配向させている。垂直配向型の液晶表示装置は、無電圧の時に液晶を垂直方向に配向させているため、黒表示品位が良好であり高コントラストの表示が可能であるとともに、視野角が広く応答性も速いという利点を有している。

このような垂直配向型の液晶表示装置において、液晶の配向規制を行う方法としては、１つの画素内に、１画素の大きさよりも小さな電極ユニットを複数設け、これらを画素電極として１画素を構成する方法が知られている。ここで用いられる電極ユニットの形状としては、例えば以下に述べるような形状が提案されている。

例えば、特許文献１では、電極ユニットの外周部から中心部に向かう方向に、複数のスリットが密に設けられている。電圧印加時には、このスリットにより発生する電界により、基板に対して垂直配向の液晶分子が、電極ユニットの外周部から中心部に向かう方向に傾斜して配向することとなる。

また、特許文献２では、電極ユニットの辺又は角の近傍に電極が形成されていない開口部が設けられている。電圧印加時には、この開口部により発生する斜め電界により、基板に対して垂直配向の液晶分子が他の方向に傾斜して配向することとなる。
特開２００４− ４４６０号公報 特開２０００− ４７２５１号公報 特開２００３−１５６７３１号公報 特開２００２−２２９０３８号公報 特開２００１− ８３５２３号公報 特開２００２− ４０４３２号公報

しかしながら、上記特許文献１、２に開示された液晶表示装置における電極ユニットの形状には、以下に述べるような難点が存在していた。

まず、特許文献１に開示された電極ユニットでは、そのほぼ全面にスリットが設けられている。このような電極ユニットにより構成される画素電極をパターニングする際には、プロセス上、すべての領域において電極ユニットに形成されるスリットの幅を一定にすることは困難である。また、全画素領域を複数の領域に分割し、分割された領域毎に画素電極のパターニングを行うと、領域が分割される境界の部分でスリット幅の変動が大きくなってしまう。電極ユニットに生じたスリット幅の変動は、実際に液晶表示装置により表示を行った場合に輝度の差として現れ、表示むらの原因となってしまう。

また、特許文献２に開示された電極ユニットは、全面がベタのパターンとなっており、電極ユニットの辺又は角の近傍に設けられた開口部による斜め電界のみにより液晶分子を電極ユニットの中心部に向けて傾斜させている。すなわち、電極ユニットの外周部における斜め電界のみにより液晶分子を電極ユニットの中心部に向けて傾斜させている。このため、液晶分子を電極ユニットの中心部に向けて傾斜させることのできる電極ユニットの大きさは限られてくる。

特許文献２に開示された液晶表示装置では、画素電極を構成する各電極ユニットの大きさを大きくするほど、表示輝度を高くすることができる。これは、次のような理由による。すなわち、複数の電極ユニット間のスリットは、電極が形成されておらず、この領域に存在する液晶分子には充分に電圧を印加することができない。したがって、複数の電極ユニットのそれぞれの大きさを大きくするほど、複数の電極ユニット間のスリットを減らすことができ、液晶分子に充分に電圧を印加することができない領域を減らすことができる。これにより、表示輝度を高くすることができる。

しかしながら、単に電極ユニットの大きさを大きくした場合、特異点の制御が困難となる。これにはいくつかの原因がある。

まず、電極ユニット自体が全面ベタのパターンとなっているため、そのパターンが大きくなると、液晶分子の配向方向を電極ユニットでは制御することができない領域が大きくなってしまう。特に、電極ユニットの外側においては、特異点を固定する手段がないため、特異点の発生位置にばらつきが生じる。このため、液晶分子を電極ユニットの外側から中心部に向けて配向させることが困難となり、表示にざらつきが生じてしまう。

また、指で押される等して外力が液晶表示装置のパネルに加わった場合には、一旦崩れた特異点を元の状態に戻すことが困難になってしまう。

このように、電極ユニットの大きさを大きくした場合には、特異点の制御が困難となる。このため、実際には、電極ユニットの大きさは所定の大きさに制限されている。

また、特異点の制御は、電極ユニットの外側においても行う必要がある。同一の画素内において複数の電極ユニットを設けた場合、互いに隣接する電極ユニットを電気的に接続する接続電極が必要となる。この接続電極により、互いに隣接する電極ユニット間に形成される特異点を制御することが可能となる。しかし、同一画素内には存在せずにゲートバスラインを挟んで互いに隣接する電極ユニット同士については、当然に電気的に互いに独立している必要があるため、両電極ユニットを電気的に接続する接続電極を形成することはできない。このため、バスラインを挟んで隣接する画素間に形成される特異点を制御することは困難になっている。

本発明の目的は、特異点の制御を充分に行うことができ、良好な表示品質を得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一観点によれば、複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部のそれぞれに設けられた複数の駆動素子と、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域にそれぞれ形成され、前記複数の駆動素子のそれぞれに接続された複数の画素電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向して設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記画素電極は、複数の電極ユニットと、複数の前記電極ユニットを互いに電気的に接続する接続電極とを有し、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面の前記電極ユニット上の領域に形成され、前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向に細長い配向制御用構造物を更に有する液晶表示装置が提供される。

また、本発明の他の観点によれば、複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部のそれぞれに設けられた複数の駆動素子と、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域にそれぞれ形成され、前記複数の駆動素子のそれぞれに接続された複数の画素電極とを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向して設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記画素電極は、互いに電気的に接続された複数の電極ユニットを有し、前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインのうちの少なくとも一方の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域に形成され、前記対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極を更に有する液晶表示装置が提供される。

また、本発明の更に他の観点によれば、第１の基板と第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶層が封入された液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面上に、導電膜を形成する工程と、前記導電膜をパターニングすることにより、複数の電極ユニットと、複数の前記電極ユニットを互いに電気的に接続する接続電極とを有する画素電極を形成する工程と、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面の前記電極ユニット上の領域に、前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向に細長い配向制御用構造物を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法が提供される。

また、本発明の更に他の観点によれば、第１の基板と第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶層が封入された液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面上に、第１の導電膜を形成する工程と、前記第１の導電膜をパターニングすることにより、複数のゲートバスライン、及び前記ゲートバスラインと平行に配された複数の蓄積容量バスラインを形成する工程と、前記ゲートバスライン及び前記蓄積容量バスラインが形成された前記第１の基板の前記第２の基板の対向する面上に、第１の絶縁膜を介して第２の導電膜を形成する工程と、前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインを形成する工程と、前記ドレインバスラインが形成された前記第１の基板の前記第２の基板の対向する面上に、第２の絶縁膜を介して第３の導電膜を形成する工程と、前記第３の導電膜をパターニングすることにより、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域に、互いに電気的に接続された複数の電極ユニットを有する画素電極を形成する工程とを有し、前記蓄積容量バスラインを形成する工程では、前記第１の導電膜をパターニングすることにより、前記蓄積容量バスラインを形成するとともに、前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインのうちの少なくとも一方の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域に形成され、前記第２の基板に形成される対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極を形成する液晶表示装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、ＣＦ基板のＴＦＴ基板に対向する面に、画素電極を構成する複数の電極ユニットのそれぞれのほぼ中央に位置するように、複数の電極ユニットが電気的に接続されている方向に細長い配向制御用構造物が形成されているので、電極ユニットの大きさが大きな場合であっても、液晶分子の配向を充分に制御することができ、外力が加わったときに発生する配向に乱れを補正することができる。

また、本発明によれば、電極ユニットの端部とドレインバスラインとの端部との間の領域に、ＣＦ基板の対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極が形成されているので、電極ユニットにおける液晶分子を、ドレインバスライン上の配向の乱れに影響されることなく、所望の方向に配向させることができ、特異点を充分に制御することができる。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図１１用いて説明する。

まず、本実施形態による液晶表示装置について図１乃至図８を用いて説明する。図１は本実施形態による液晶表示装置の概略構成を示す図、図２は本実施形態による液晶表示装置の等価回路を模式的に示す図、図３は本実施形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図、図４は本実施形態による液晶表示装置における電極ユニット及び配向制御用構造物の構造を示す概略図、図５は本実施形態による液晶表示装置の偏光板等の配置を示す図、図６は本実施形態による液晶表示装置における特異点制御の原理を説明する図、図７及び図８は従来の液晶表示装置において外力が加わることにより液晶分子の配向が乱れる機構を説明する図である。

本実施形態による液晶表示装置は、図１に示すように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等が形成されたＴＦＴ基板１０とＣＦ（Color Filter）等が形成されたＣＦ基板１２とを対向させて貼り合わせ、両基板１０、１２間に液晶を封止した構造を有している。

図２は、ＴＦＴ基板１０上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。ＴＦＴ基板１０上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１４が互いに平行に複数形成されている。絶縁膜を介してゲートバスライン１４に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１６が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１４とドレインバスライン１６とで囲まれた各領域が画素領域となる。マトリクス状に配置された各画素領域には、ＴＦＴ１８と画素電極２０が形成されている。各ＴＦＴ１８のドレイン電極は隣接するドレインバスライン１６に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン１４に接続され、ソース電極は画素電極２０に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン１４と平行に蓄積容量バスライン２２が形成されている。

図１に戻り、ＴＦＴ基板１０には、複数のゲートバスライン１４を駆動するドライバＩＣ（Integrated Circuit）が実装されたゲートバスライン駆動回路２４ａと、複数のドレインバスライン１６を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路２４ｂとが設けられている。これらの駆動回路２４ａ、２４ｂは、制御回路２６から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１４あるいはドレインバスライン１６に出力するようになっている。ＴＦＴ基板１０の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２８が配置され、偏光板２８のＴＦＴ基板１０と反対側の面にはバックライトユニット３０が取り付けられている。一方、ＣＦ基板１２のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板３２が貼り付けられている。

図３は、本実施形態による液晶表示装置の１画素の構成を示している。図示するように、ＴＦＴ基板１０上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１４が、互いにほぼ平行に例えば３００μｍ間隔で複数形成されている（図３では２本示している）。例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜を介してゲートバスライン１４にほぼ垂直に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１６が、互いにほぼ平行に例えば１００μｍ間隔で複数形成されている（図３では２本示している）。ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６の幅は、ともに例えば７μｍである。複数のゲートバスライン１４とドレインバスライン１６とで囲まれた領域が画素領域になっている。画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１４にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン２２が形成されている。蓄積容量バスライン２２上には、絶縁膜を介して、画素毎に蓄積容量電極３４が形成されている。

ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６の交差位置近傍には、ＴＦＴ１８が形成されている。ＴＦＴ１８のドレイン電極３６は、ドレインバスライン１６から引き出され、ゲートバスライン１４上に形成された活性層及びその上に形成されたチャネル保護膜の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ＴＦＴ１８のソース電極３８は、ドレイン電極３６に所定の間隙を介して対向し、活性層及びチャネル保護膜の他端辺側に位置するように形成されている。ドレイン電極３６、活性層、及びソース電極３８は、例えば同一の半導体層により形成されており、不純物が高濃度に導入された領域が、ドレイン電極３６、ソース電極３８となっている。ゲートバスライン１４のチャネル保護膜直下の領域は、ＴＦＴ１８のゲート電極として機能するようになっている。

画素領域には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極２０が形成されている。

画素電極２０は、略正方形状の外周を有し、画素領域より小さい複数の電極ユニット４０と、隣接する電極ユニット４０間に形成された電極の抜き部（スリット）４２と、スリット４２で分離された電極ユニット４０を互いに電気的に接続する接続電極４４とを有している。図３では、画素領域において、ドレインバスライン１６に平行な方向に３個の電極ユニット４０が配置されている。画素電極２０を構成する複数の電極ユニット４０は、同一の透明導電膜により形成されている。

電極ユニット４０は、ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６にほぼ平行又は垂直な辺を有する略正方形状のベタ部４６を有している。略正方形状のベタ部４６の１辺の長さは例えば６０μｍである。

また、電極ユニット４０は、ベタ部４６の各辺の中央から分岐して、ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６にほぼ平行又は垂直に延伸する幹部４８を有している。幹部４８の大きさは、例えば長さ１０μｍ、幅５μｍである。

さらに電極ユニット４０は、ベタ部４６及び幹部４８から分岐して、幹部４８に対して斜めに櫛形状に延伸する複数の枝部５０と、隣接する枝部５０間の電極の抜き部５２とを有している。隣接する幹部４８により区切られた領域では、ベタ部４６及び幹部４８から分岐した各枝部５０がほぼ同方向に延伸している。図３及び図４（ａ）では、ベタ部４６の隣接する辺から延伸した２つの幹部４８の間のベタ部４６及び幹部４８から８本の枝部５０が分岐している。すなわち、隣接する幹部４８により区切られた領域では、同方向に８本の枝部５０が延伸している。なお、本明細書では、延伸部である幹部４８、延伸部である枝部５０がスリット５２を介して形成された電極ユニット４０の櫛状の部分を櫛形電極５３と称する。

幹部４８と枝部５０とのなす角、換言すると電極ユニット４０の外周の辺と枝部５０とのなす角は、例えば４５°である。枝部５０の幅は例えば３μｍであり、抜き部５２の幅は例えば３μｍである。

各幹部４８及び枝部５０の端は、それぞれの延伸方向に対して垂直に成型されている。幹部４８及び枝部５０の端により構成される電極ユニット４０の外周は略正方形状となっている。略正方形状の電極ユニット４０の外周の１辺の長さは例えば８０μｍである。但し、図３に示す３つの電極ユニット４０のうち蓄積容量電極上の電極ユニット（図３で中央）の外周は、蓄積容量電極２２の幅の分だけドレインバスライン１６に平行な方向に長い略長方形状となっている。なお、各幹部４８及び枝部５０の端は、略正方形状の電極ユニット４０の外周にあわせて、それぞれの延伸方向に対して適宜斜めに成型されていてもよい。

このように、１辺の長さが例えば８０μｍの略正方形状の外周を有する電極ユニット４０の中心部に１辺の長さが例えば６０μｍの略正方形状のベタ部４６が形成されており、櫛形電極５３が電極ユニット４０の外周から内側に例えば１０μｍの幅の領域に形成されている。

隣接する電極ユニット４０は、これらの対向する各辺の中央に位置する幹部４８に接続するように形成された接続電極４４により互いに電気的に接続されている。このように隣接する電極ユニット４０の対向する各辺の中央を接続するように接続電極４４を設けることにより、特異点を確実に固定することができる。

また、画素領域の図３中下方には、下方に隣接する画素領域のＴＦＴ１８のドレイン電極３６がはみ出して形成されている。画素電極２０が、基板面に垂直方向に見てドレイン電極３６に重なって形成されると、この領域における液晶分子の配向に乱れが生じ、クロストークが発生してしまう可能性がある。このため、画素電極２０とドレイン電極３６とは重ならないように形成する必要がある。このために、この領域にあたる電極ユニット４０（図３で下）の外周の形状は、ドレイン電極３６の形状に合わせて正方形の一部が欠けた形状に形成されている。具体的には、その他の電極ユニット４０の外周の形状が例えば８０μｍ×８０μｍの略正方形状であるのに対し、この領域の電極ユニット４０の外周の形状は、ドレイン電極３６から例えば７μｍ離間するように、正方形の一部が欠けた形状となっている。

画素電極２０は、ＴＦＴ１８近傍の電極ユニット４０（図３で上）のベタ部４６下の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してソース電極３８に電気的に接続されている。コンタクトホールの形状は、例えば１辺の長さが５μｍの正方形状である。

蓄積容量電極３４上の電極ユニット４０（図３で中央）は、ドレインバスラインに平行な方向の幅が他の電極ユニット４０よりも広い長方形状の外周を有し、蓄積容量電極３４を含む領域上に絶縁膜を介して形成されている。蓄積容量電極３４は、ゲートバスラインに平行な方向に、蓄積容量電極３４上の電極ユニット４０のほぼ中心に位置している。蓄積容量電極３４上の電極ユニット４０は、その下の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して蓄積容量電極３４に電気的に接続されている。

ＴＦＴ基板１０に対向配置されるＣＦ基板１２側には、画素領域端部を遮光する遮光層としてＢＭ（Black Matrix）が形成されている。ＢＭは例えば幅２３μｍで格子状に形成されている。ゲートバスライン１４の延びる方向の格子間隔は１００μｍであり、ドレインバスライン１６の延びる方向の格子間隔は３００μｍである。ＢＭの開口部には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかのＣＦ樹脂層が形成されている。ＣＦ樹脂層上には、例えばＩＴＯからなる対向電極が全面に形成されている。

図４（ａ）は本実施形態による液晶表示装置における画素電極を構成する電極ユニットを示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。

図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０を構成するガラス基板５６上には、画素電極２０を構成する電極ユニット４０が形成されている。

一方、ＴＦＴ基板１０に対向して配置されたＣＦ基板１２は、ガラス基板６０と、ガラス基板６０のＴＦＴ基板１０に対向する面に形成された対向電極６２とを有している。なお、ガラス基板６０と対向電極６２との間には、ＣＦ樹脂層（図示せず）が形成されている。

さらに、ＣＦ基板１２には、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ基板１０に対向する面に、ＴＦＴ基板１０の電極ユニット４０のそれぞれのほぼ中央に位置するように、突起状（土手状）の配向制御用構造物６４が設けられている。配向制御用構造物６４は、ＣＦ基板１２側からＴＦＴ基板１０側に向かう方向に細くなるように側壁が傾斜したテーパー形状を有している。また、配向制御用構造物６４の平面形状は、接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向すなわちドレインバスライン１６に平行な方向（図３及び図４（ａ）の上下方向）が長手方向の細長の形状となっている。配向制御用構造物６４は、例えばアクリル樹脂よりなるものであり、その大きさはドレインバスライン１６に平行な方向の長さ３０μｍ、幅１０μｍ、高さ２μｍである。このような配向制御用構造物６４により、電極ユニット４０の中心部に形成されるｓ＝＋１の特異点を確実に固定することができる。

また、両基板１０、１２の対向面には配向膜（図示せず）が形成されている。配向膜は垂直配向性を有し、定常の状態では液晶分子を基板面（配向膜面）に対して垂直方向に配向させる。液晶表示装置は、両基板１０、１２が貼り合わされた液晶セルに、負の誘電率異方性を有する液晶が注入及び封止されて製造されている。

図５は、本実施形態による液晶表示装置の偏光板等の配置を示している。図示するように、液晶が封入された液晶セルよりなる液晶層６６を挟んで、互いにクロスニコルに配置された偏光板２８、３２が配置されている。液晶層６６と偏光板２８との間には、１／４波長板６８が配置されている。また液晶層６６と偏光板３２との間には、１／４波長板７０が配置されている。１／４波長板６８、７０としては、例えばＪＳＲ株式会社製のアートン板（面内位相差１４０ｎｍ）を用いることができる。液晶層６６と１／４波長板７０との間には、視角特性を向上させるために、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム７２のような負の位相差を有する層が配置されていてもよい。なお、図中上方が観察者側になり、図中下方がバックライトの配置された光源側になっている。偏光板２８と光源側との間には、反射偏光板７４が配置されている。反射偏光板７４としては、例えば日東電工株式会社製のＰＣＦ３５０Ｄを用いることができる。

１／４波長板６８の光学軸（遅相軸）と、偏光板２８の吸収軸とのなす角は、ほぼ４５°である。すなわち、光源から射出された光が偏光板２８と１／４波長板６８とをこの順に透過すると円偏光になる。また、１／４波長板７０の光学軸と、偏光板３２の吸収軸とのなす角は、ほぼ４５°である。両１／４波長板６８、７０の光学軸は互いにほぼ直交している。互いに光学軸が直交する１／４波長板６８、７０を配置することにより、クロスニコルに配置された偏光板２８、３２のみを用いた場合と比較して、白表示の際の光の透過率を向上することができ、輝度の高い明るい表示が得られる液晶表示装置を実現できる。

視野角の対称性を実現し、さらに表示画面に対して上下左右方向での視角特性を最適化するために、偏光板２８、３２、１／４波長板６８、７０は以下のように配置されている。

偏光板２８の吸収軸は、表示画面の右方（３時の方位）を基準として、反時計回りに１５０°の方向に配置されている。１／４波長板６８の光学軸は、表示画面の右方を基準として、反時計回りに１５°の方向に配置されている。液晶層６６の観察者側に配置されたＴＡＣフィルム７２の光学軸及び１／４波長板７０の光学軸は、表示画面の右方を基準として、反時計回りに１０５°の方向に配置されている。偏光板３２の吸収軸９５は、表示画面の右方を基準として、反時計回りに６０°の方向に配置されている。

こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。

上述のように構成された本実施形態による液晶表示装置において、対向電極６２と画素電極２０との間に電圧が印加されると、液晶は、以下に述べる図６に示す配向状態となる。図６（ａ）は本実施形態による液晶表示装置における液晶分子の配向を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。

電極ユニット４０の櫛型電極５３が形成されている領域では、液晶分子７６は、櫛型電極５３によって枝部５０間のスリット５２の延伸方向に配向する。一方、電極ユニット４０の中央部におけるベタ部４６が形成されている領域では、液晶分子７６は、ベタ部５０の外周部の斜め電界及び櫛型電極５３による外側からの液晶配向により、電極ユニット４０の中心部に向かう方向に配向する。すなわち、大まかに４方向の配向分割が実現される。

本実施形態による液晶表示装置は、ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１０に対向する面に、ＴＦＴ基板１０の電極ユニット４０のそれぞれのほぼ中央に位置するように、ドレインバスライン１６に平行な方向、すなわち接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向に細長い平面形状を有する配向制御用構造物６４を有することに主たる特徴がある。

ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１０に対向する面に、ＴＦＴ基板１０の電極ユニット４０のそれぞれのほぼ中央に位置するように、配向制御用構造物６４を設けることにより、電極ユニット４０の中心部にｓ＝＋１の特異点（図６中●印で示している）を形成することができる。これにより、電極ユニット４０内の領域における液晶分子を、電極ユニット４０の外側から内側に向いた配向にすることができる。

ところで、ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１０に対向する面に形成する配向制御用構造物を、単に、ゲートバスラインに平行な方向とドレインバスラインに平行な方向とで長さがほぼ同じものとした場合、電極ユニット４０の大きさが例えば５０μｍ角以上と大きいと、以下に述べるような不都合が生じることとなる。

図７（ａ）はゲートバスラインに平行な方向とドレインバスラインに平行な方向とで長さがほぼ同じ配向制御用構造物を設けた液晶表示装置における液晶分子の配向を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。図８（ａ）は図７に示す液晶表示装置において外力により乱れた液晶分子の配向を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。

図７及び図８に示す液晶表示装置は、ゲートバスラインに平行な方向とドレインバスラインに平行な方向とで長さがほぼ同じ円形の平面形状を有する配向制御用構造物６５が、ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１０に対向する面に形成されている点を除いては、本実施形態による液晶表示装置と同様になっている。

図７（ａ）に示すように、外力が加わる前は、電極ユニット４０内の領域における液晶分子７６は、ＣＦ基板１２に設けられた配向制御用構造物６５により、電極ユニット４０の外側から内側に向かって配向している。これにより、電極ユニット４０の中心部にｓ＝＋１の特異点（図７（ａ）中●印で示している）が形成され、また、隣接する電極ユニット４０を電気的に接続する接続電極４４の中心部にｓ＝−１の特異点（図７（ａ）中○印で示している）が形成されている。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す状態に、液晶パネルが指で押される等して外力が加わった場合、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、接続電極４４の中心部に形成されていたｓ＝−１の特異点が配向制御用構造物６５付近まで移動し、かつ本来形成されているべき接続電極４４の中心部の位置まで戻らなくなってしまう。このため、図８（ａ）及び図８（ｂ）の点線の楕円で囲まれた接続電極４４と配向制御用構造物６５との間の領域Ｒ_１における液晶分子７６が、本来の配向方向とは逆の方向に配向することとなる。この結果、図８（ａ）の点線の円で囲まれた電極ユニット４０のベタ部４６の領域Ｒ_２における液晶分子７６の配向が乱れ、外力が加わる前の状態に戻ることができなくなる。

図８に示すように液晶の配向が乱れてしまうのは、電極ユニット４０のベタ部４６の端部と配向制御用構造物６５の端部との間隔Ｄが離れているために、この間に存在する液晶分子７６の配向を規制することが困難であるためである。このような配向の乱れは、表示のざらつきの原因となる。

このように、配向制御用構造物６５の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間の領域は、特異点の効果が弱くなっている。このため、この領域は、本来は互いに隣接する電極ユニット４０の間に形成されなければならないｓ＝−１の特異点が、外力が加わる等して電極ユニット４０の内側に移動することにより、配向の乱れが生じてしまう領域となっている。

これに対して、本実施形態による液晶表示装置では、配向制御用構造物６４が、ドレインバスライン１６に平行な方向、すなわち接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向に細長くなっている。したがって、接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向において、配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間隔Ｄが小さくなっている。

このように、配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間隔Ｄが小さくなっているため、互いに隣接する電極ユニット４０の中心部間の特異点を充分に制御することができ、外力が加わり特異点が移動して液晶分子の配向に乱れが生じた場合であっても、自動的に元の液晶分子の配向状態を復元することができる。

なお、このような配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間の領域における特異点制御の効果は、配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間隔Ｄが小さくなるほど大きくなる。すなわち、電極ユニット４０が配列され電気的に接続された方向すなわちドレインバスライン１６に平行な方向に配向制御用構造物６４が細長くなるほど、特異点制御を充分に行うことができる。したがって、接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向における配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間隔Ｄを例えば２０μｍ以下に設定することが望ましい。

しかしながら、配向制御用構造物６４が細長くなり過ぎてその面積が大きくなり過ぎると、配向制御用構造物６４による光の吸収により、表示コントラストの低下、輝度の低下を招くこととなる。このような観点からは、接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向における配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間隔Ｄを例えば３０μｍ以上に設定することが望ましい。

次に、本実施形態による液晶表示装置の製造方法について図９乃至図１１を用いて説明する。図９乃至図１１は本実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図であり、図３のドレインバスライン１６に沿った方向の断面に対応している。なお、以下では、ＴＦＴ基板１０のガラス基板５６上に、画素電極２０を形成するまでを説明する。

まず、ガラス基板５６上に、例えばスパッタ法により、アルミニウム膜よりなるゲート層７８を形成する（図９（ａ）を参照）。

次いで、ゲート層７８をパターニングすることにより、ゲートバスライン１４、蓄積容量バスライン２２を形成する（図９（ｂ）を参照）。なお、図９乃至図１１では、蓄積容量バスライン２２を省略している。

次いで、全面に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、シリコン酸化膜よりなる絶縁膜８０を形成する（図９（ｃ）を参照）。

次いで、絶縁膜８０上に、例えばＣＶＤ法により、ポリシリコン膜よりなる半導体層８２を形成する（図９（ｄ）を参照）。

次いで、ゲートバスライン１２上の活性層８３となる領域以外の半導体層８２に、不純物をイオン注入する（図１０（ａ）を参照）。

次いで、不純物がイオン注入された半導体層８２をパターニングすることにより、ドレインバスライン１６、ドレイン電極３６、ソース電極３８、及び蓄積容量電極３４を形成する（図１０（ｂ）を参照）。こうして、ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６の交差位置近傍にＴＦＴ１８が形成される。なお、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）、及び図１１では、蓄積容量電極３４を省略している。

次いで、全面に、例えばＣＶＤ法により、シリコン酸化膜よりなる絶縁膜８４を形成する（図１０（ｃ）を参照）。

次いで、絶縁膜８４を選択的にエッチングして、ＴＦＴ１８のソース電極３８に達するコンタクトホール８６を形成する（図１１（ａ）を参照）。

次いで、全面に、例えばスパッタ法により、ＩＴＯよりなる透明導電膜８８を形成する（図１１（ｂ）を参照）。

次いで、透明導電膜８８をパターニングすることにより、電極ユニット４０、及び接続電極４４を形成する（図１１（ｃ）を参照）。こうして、ＴＦＴ基板１０のガラス基板５６上に、コンタクトホール８６を介してソース電極３８に電気的に接続された画素電極２０が形成される。

一方、ＣＦ基板１２については、通常のＣＦ基板と同様に対向電極６２等を形成した後、ＴＦＴ基板１０に対向する面に、例えばフォトリソグラフィーにより、ＴＦＴ基板１０の電極ユニット４０のそれぞれのほぼ中央に位置するように、アクリル樹脂、ノボラック樹脂等よりなる配向制御用構造物６４を形成する。

これ以降は、通常の液晶表示装置の製造工程と同様の工程を経ることにより、本実施形態による液晶表示装置を完成することができる。

このように、本実施形態によれば、ＣＦ基板１２のＴＦＴ基板１０に対向する面に、ＴＦＴ基板１０の電極ユニット４０のそれぞれのほぼ中央に位置するように、接続電極４４が複数の電極ユニット４０を接続する方向に細長い配向制御用構造物６４が形成されているので、電極ユニット４０の大きさが大きな場合であっても、液晶分子の配向を充分に制御することができ、外力が加わったときに発生する配向に乱れを補正することができる。これにより、高輝度、高コントラストの表示を実現しうる表示品質の良好な液晶表示装置を提供することができる。

（変形例）
本実施形態の変形例による液晶表示装置について図１２を用いて説明する。図１２は本発明の第１実施形態の変形例による液晶表示装置における電極ユニット及び配向制御用構造物の構造を示す平面図である。

本変形例による液晶表示装置では、図１２に示すように、１画素における電極ユニット４０がドレインバスライン１６に平行な方向（図１２の上下方向）及びゲートバスライン１４に平行な方向（図１２の左右方向）に隣接している。電極ユニット４０は、ドレインバスライン１６に平行な方向に隣接する電極ユニット４０と接続電極４４を介して電気的に接続されているのみならず、ゲートバスライン１４に平行な方向に隣接する電極ユニット４０とも接続電極４４を介して電気的に接続されている。

ここで、配向制御用構造物６４は、上記と同様にドレインバスライン１６に平行な方向に細長くなっているのに加えて、ゲートバスライン１４に平行な方向に沿って、電極ユニット４０間を電気的に接続する接続電極４４に向かって突出する凸部６４ａを有している。ドレインバスライン１６に平行な方向において、配向制御用構造物６４の凸部６４ａの位置と、電極ユニット４０に接続された接続電極４４の位置とはほぼ揃っている。

このような配向制御用構造物６４の凸部６４ａにより、上記と同様に、電極ユニット４０が配列され接続電極４４により接続されたゲートバスライン１４に平行な方向においても、配向制御用構造物６４の端部と電極ユニット４０のベタ部４６の端部との間隔が小さくなっている。したがって、ゲートバスライン１４に平行な方向に隣接する電極ユニット４０間を電気的に接続する接続電極４４の中央部に形成される特異点の制御を、上述したドレインバスライン１６に平行な方向に隣接する電極ユニット４０間を電気的に接続する接続電極４４の中央部に形成される特異点の制御と同様に充分に行うことができる。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による液晶表示装置及びその製造方法について図１３乃至図１５を用いて説明する。図１３は本実施形態による液晶表示装置の画素の構成を示す平面図、図１４は従来の液晶表示装置において外力が加わることにより液晶分子の配向が乱れる機構を説明する図、図１５は本実施形態による液晶表示装置における特異点制御の原理を説明する図である。なお、第１実施形態による液晶表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

本実施形態による液晶表示装置の基本的構成は、第１実施形態による液晶表示装置と同様である。本実施形態による液晶表示装置は、電極ユニット４０の端部とドレインバスライン１６の端部との間に形成され、ＣＦ基板１２側に形成された対向電極６２と同じ電位を有する配向制御用電極９０を更に有することに主たる特徴がある。以下、本実施形態による液晶表示装置の構造について図１３を用いて説明する。図１３は本実施形態による液晶表示装置の画素のうちゲートバスラインに平行な方向に配列された３画素の構成を示している。

図１３に示すように、第１実施形態による液晶表示装置と同様の画素領域が設けられている。なお、図１３では、各画素領域における３個の電極ユニット４０のうち上下の電極ユニットの中央に位置する配向制御用構造物６４は、第１実施形態による液晶表示装置とは異なり、細長ではなくほぼ円形状の平面形状を有するものとなっている。一方、中央の電極ユニット４０の中央に位置する配向制御用構造物６４は、第１実施形態による液晶表示装置と同様に細長の平面形状を有するものとなっている。

ドレインバスライン１６に平行な方向に配列された電極ユニット４０の右側端部とこれに隣接するドレインバスライン１６の端部との間の領域、すなわち画素電極２０の右側端部とこれに隣接するドレインバスライン１６の端部との間の領域には、ドレインバスライン１６に沿って、ＣＦ基板１２の対向電極６２と同じ電位を有する帯状の配向制御用電極９０が形成されている。

配向制御用電極９０は、対向電極６２と同じ電位を有する蓄積容量バスライン２２から分岐してドレインバスライン１６に沿って上下方向に延伸している。さらに、配向制御用電極９０は、ドレインバスライン１６を挟んで隣接する画素領域における上下の電極ユニット４０の中心部の位置で、ゲートバスライン１４に平行な方向に、ドレインバスライン１６を横切って電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍の位置まで延伸する枝部９０ａを有している。枝部９０ａの端部は、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に位置している。

配向制御用電極９０が形成された電極ユニット４０の端部とドレインバスライン１６の端部との間の領域の幅は、例えば７μｍとなっている。帯状の配向制御用電極９０の幅は例えば４μｍとなっており、配向制御用電極９０は、電極ユニット４０の端部から例えば１μｍ、ドレインバスライン１６から例えば２μｍそれぞれ離間して形成されている。隣接する画素領域における電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に位置する配向制御用電極９０の端部は、電極ユニット４０外周から、例えば２μｍ離間している。

上記の配向制御用電極９０は、例えば、蓄積容量バスライン２２と同じ導電膜をパターニングすることにより形成されている。このため、配向制御用電極９０を設けたために、新たな導電膜を形成する必要はなく、製造工程が煩雑になることもない。

本実施形態による液晶表示装置は、画素電極２０の端部とドレインバスライン１６の端部との間の領域に、ドレインバスライン１６に沿って、ＣＦ基板１２側に形成された対向電極６２と同じ電位を有する帯状の配向制御用電極９０が形成されている点に主たる特徴の一つがある。

図１４は、配向制御用電極９０が形成されていない場合におけるドレインバスライン１６付近の液晶の配向を示す平面図であり、図１４（ａ）は外力が加わる前の配向状態を示す平面図、図１４（ｂ）は外力が加わった配向状態を示す平面図である。

液晶表示装置の駆動時には、ドレインバスライン１６が形成されている領域においても電圧は印加されるため、図１４（ａ）に示すように、液晶分子７６はドレインバスライン１６の延伸方向に配向する。このため、ドレインバスライン１６上及びドレインバスライン１６近傍には、ｓ＝＋１の特異点（図１４中●印で示している）、及びｓ＝−１の特異点（図１４中○印で示している）が形成される。

図１４（ａ）に示す配向状態に、液晶パネルが指で押される等して外力が加わると、図１４（ｂ）に示すように、ドレインバスライン１６上及びドレインバスライン１６近傍に形成されていた特異点が併合して消滅する。このように特異点が併合された状態は、液晶表示装置の表示がリセットされない限り維持されることとなる。この結果、ドレインバスライン１６上及びドレインバスライン１６近傍の液晶分子７６は、本来配向すべき方向とは逆の方向に配向する。このように液晶分子７６が本来配向すべき方向とは逆方向に配向した領域がドレインバスライン１６上及びドレインバスライン１６近傍に形成されることにより、ドレインバスライン１６近傍の電極ユニット４０の周縁部における液晶分子７６の配向に乱れが生じることとなる。

ドレインバスライン１６を挟んで隣接する電極ユニット４０が形成された領域に発生する配向の乱れは、上述した機構で発生するため、隣接する電極ユニット４０間で例外なく同じ方向に発生する。

したがって、ドレインバスライン１６を挟んで隣接する電極ユニット４０のうち一方の電極ユニット４０の配向の乱れが直ると、他方の電極ユニット４０の配向の乱れも直ることとなる。

このような点を考慮すると、上述した配向の乱れを回避するべく、電極ユニット４０とドレインバスライン１６との間の領域における特異点を制御する方法の一つとして、図１５（ａ）に示すように、ドレインバスライン１６に垂直な方向に沿って、電極ユニット４０の中心部を通過するように、ＣＦ基板１２の対向電極６２と同じ電位を有する帯状の配向制御用電極９２を形成することが考えられる。このような配向制御用電極９２により、ドレインバスライン１６近傍の配向制御用電極９２が形成されている領域において液晶分子７６を強制的に立たせることができ、この領域に、強制的に特異点を形成することができる。

しかし、図１５（ａ）に示すような配向制御用電極９２を形成した場合、配向制御用電極９２が電極ユニット４０と重なっているため、画素領域における開口部面積の低下を招いてしまう。この結果、輝度の高い液晶表示装置を実現することが困難となる場合があると考えられる。

これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、画素電極２０の端部とドレインバスライン１６の端部との間の領域に、ドレインバスライン１６に沿って、ＣＦ基板１２の対向電極６２と同じ電位を有する帯状の配向制御用電極９０が形成されている。

配向制御用電極９０が形成されている領域では、図１５（ｂ）に示すように、液晶分子７６は垂直に配向し、ドレインバスライン１６上の配向から完全に分離された領域となる。すなわち、配向制御用電極９０が形成されている領域側の液晶分子７６の配向は、ドレインバスライン１６上の配向に影響されることなく、電極ユニット４０の形状のみに依存することとなる。

さらに、本実施形態による液晶表示装置は、配向制御用電極９０が、ゲートバスライン１４に平行な方向に、ドレインバスライン１６を横切って、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍の位置まで延伸する枝部９０ａを有していることにも主たる特徴の一つがある。

この配向制御用電極９０の枝部９０ａの端部が位置する電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍の領域においては、図１５（ｂ）に示すように、液晶分子を強制的に垂直に立たせていることになるため、この領域に特異点を強制的に形成することができる。

上述した本実施形態による液晶表示装置を製造するにあっては、第１実施形態による液晶表示装置の製造方法において、ゲート層７８をパターニングすることによりゲートバスライン１４、蓄積容量バスライン２２を形成する際に、あわせてゲート層７８をパターニングすることにより蓄積容量バスライン２２から分岐した配向制御用電極９０を形成すればよい。

このように、本実施形態によれば、電極ユニット４０の端部とドレインバスライン１６との端部との間の領域に、ＣＦ基板１２の対向電極６２と同じ電位を有する配向制御用電極９０により、電極ユニット４０における液晶分子を、ドレインバスライン１６上の配向の乱れに影響されることなく、所望の方向に配向させることができ、特異点を充分に制御することができる。

なお、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍の位置まで延伸する配向制御用電極９０の枝部９０ａは、配向制御用電極９０のうちドレインバスライン１６に平行に延伸する部分の途中から分岐したものであってもよい。

また、本実施形態では、配向制御用電極９０が、蓄積容量バスライン２２と同じ導電膜をパターニングすることにより形成されていたが、配向制御用電極９０は、蓄積容量バスライン２２とは別個の導電膜をパターニングすることにより形成されたものであってもよい。

（変形例）
本発明の第２実施形態の変形例による液晶表示装置について図１６乃至図１９を用いて説明する。図１６乃至図１９は本変形例による液晶表示装置における配向制御用電極を示す平面図である。

ＣＦ基板１２の対向電極６２と同じ電位を有する帯状の配向制御用電極９０は、上記で説明した態様のほか、種々の態様で形成することができる。

例えば、図１６に示すように、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に端部が位置する枝部９０ａを配向制御用電極９０に設けずに、単に、ドレインバスライン１６の片側の電極ユニット４０の端部とドレインバスライン１６との間の領域に、ドレインバスライン１６に沿って延伸する配向制御用電極９０を形成するだけであってもよい。

また、図１７に示すように、配向制御用電極９０に、ドレインバスライン１６に対して同じ側に位置する電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に向けて、ゲートバスライン１４に平行な方向に分岐し、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に端部が位置する枝部９０ｂを設けてもよい。

また、図１８に示すように、ドレインバスライン１６の両側の電極ユニット４０の端部とドレインバスライン１６との間の領域のそれぞれに、ドレインバスライン１６に沿って延伸する配向制御用電極９０を形成してもよい。

また、図１９に示すように、配向制御用電極９０に、ドレインバスライン１６に対して反対側に位置する電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に向けて、ゲートバスライン１４に平行な方向に、ドレインバスライン１６を横切って分岐し、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に端部が位置する枝部９０ａと、ドレインバスライン１６に対して同じ側に位置する電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に向けてゲートバスライン１４に平行な方向に分岐し、電極ユニット４０外周の辺の中心部近傍に端部が位置する枝部９０ｂとを設けてもよい。

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、正方形状又は長方形状の外周を有する電極ユニット４０の場合を例に説明したが、電極ユニット４０の外周の形状は、これらに限定されるものではない。例えば、電極ユニット４０の外周の形状は、凸多角形状であってもよく、この際、ベタ部４６は、電極ユニット４０の外周の辺とほぼ平行の辺を有するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、電極ユニット４０がベタ部４６と櫛形電極５３とを有する場合を例に説明したが、電極ユニット４０は、櫛形電極５３が形成されていないベタ部４６のみからなるものであってもよい。

また、上記実施形態では、１画素内の電極ユニット４０の数が、３個の場合を例に説明したが、１画素内の電極ユニット４０の数はこれらに限定されるものではない。画素領域の大きさ等に応じて適宜所定の数の電極ユニット４０を形成することができる。

また、上記実施形態では、画素電極２０をＩＴＯよりなる透明電極とする場合を例に説明したが、画素電極２０の材料はＩＴＯに限定されるものではない。また、画素電極２０をアルミニウム等の光反射性を有する導電膜により形成し、反射型の液晶表示装置を構成してもよい。

また、上記実施形態では、液晶を駆動するためのアクティブ素子としてＴＦＴが形成されている場合を例に説明したが、アクティブ素子は、ＴＦＴに限定されるものではない。例えば、アクティブ素子としてＭＩＭ（Metal Insulator Metal）トランジスタ等を用いてもよい。

また、上記実施の形態では、ＴＦＴ基板１２に対向配置されたＣＦ基板４上にＣＦが形成された液晶表示装置を例に説明したが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板１０上にＣＦが形成された、いわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置にも適用できる。

以上詳述したとおり、本発明の特徴をまとめると以下の通りとなる。

（付記１） 複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部のそれぞれに設けられた複数の駆動素子と、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域にそれぞれ形成され、前記複数の駆動素子のそれぞれに接続された複数の画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記画素電極は、複数の電極ユニットと、複数の前記電極ユニットを互いに電気的に接続する接続電極とを有し、
前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面の前記電極ユニット上の領域に形成され、前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向に細長い配向制御用構造物を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記２） 付記１記載の液晶表示装置において、
前記電極ユニットは、ベタ部と、前記ベタ部から前記電極ユニットの外周方向に延伸する複数の延伸部とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記３） 付記２記載の液晶表示装置において、
前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向において、前記配向制御用構造物の端部と前記電極ユニットの前記ベタ部の端部との間隔が２０μｍ以下となっている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記４） 付記１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記接続電極は、前記ドレインバスラインに平行な方向に複数の前記電極ユニットを接続している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記５） 付記１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記接続電極は、前記ゲートバスラインに平行な方向に複数の前記電極ユニットを接続している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記６） 付記１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記配向制御用構造物は、樹脂よりなる
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記７） 複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部のそれぞれに設けられた複数の駆動素子と、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域にそれぞれ形成され、前記複数の駆動素子のそれぞれに接続された複数の画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記画素電極は、互いに電気的に接続された複数の電極ユニットを有し、
前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインのうちの少なくとも一方の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域に形成され、前記対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記８） 付記７記載の液晶表示装置において、
前記電極ユニットは、ベタ部と、前記ベタ部から前記電極ユニットの外周方向に延伸する複数の延伸部とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記９） 付記７又は８記載の液晶表示装置において、
前記配向制御用電極は、前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域にそれぞれ形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１０） 付記７乃至９のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、前記ゲートバスラインと平行に配された複数の蓄積容量バスラインを更に有し、
前記配向制御用電極は、前記蓄積容量バスラインから分岐して形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１１） 付記７乃至１０のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記配向制御用電極は、前記電極ユニットの外周の中心部に向けて分岐し、前記電極ユニット外周の辺の中心部近傍に端部が位置する枝部を有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１２） 付記１１記載の液晶表示装置において、
前記配向制御用電極の前記枝部は、前記ゲートバスラインに平行な方向に延伸している
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１３） 付記１１又は１２記載の液晶表示装置において、
前記配向制御用電極の前記枝部は、前記配向制御用電極に隣接する前記ドレインバスラインに対して前記配向制御用電極とは反対側の前記電極ユニットの外周の中心部に向けて、前記ドレインバスラインを横切って分岐している第１の枝部を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１４） 付記１１乃至１３のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記配向制御用電極の前記枝部は、前記配向制御用電極に隣接する前記ドレインバスラインに対して前記配向制御用電極と同じ側の前記電極ユニットの外周の中心部に向けて分岐している第２の枝部を含む
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１５） 付記１乃至１４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は、透明導電膜により形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１６） 付記１乃至１４のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は、光反射性を有する導電膜により形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１７） 付記１乃至１６のいずれかに記載の液晶表示装置において、
対向配置された前記第１の基板及び前記第２の基板の外側に前記第１の基板及び前記第２の基板を挟むように配置され、光学軸が互いに直交する一対の１／４波長板を更に有する
ことを特徴とする液晶表示装置。

（付記１８） 第１の基板と第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶層が封入された液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、複数の電極ユニットと、複数の前記電極ユニットを互いに電気的に接続する接続電極とを有する画素電極を形成する工程と、
前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面の前記電極ユニット上の領域に、前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向に細長い配向制御用構造物を形成する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（付記１９） 第１の基板と第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶層が封入された液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面上に、第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜をパターニングすることにより、複数のゲートバスライン、及び前記ゲートバスラインと平行に配された複数の蓄積容量バスラインを形成する工程と、
前記ゲートバスライン及び前記蓄積容量バスラインが形成された前記第１の基板の前記第２の基板の対向する面上に、第１の絶縁膜を介して第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインを形成する工程と、
前記ドレインバスラインが形成された前記第１の基板の前記第２の基板の対向する面上に、第２の絶縁膜を介して第３の導電膜を形成する工程と、
前記第３の導電膜をパターニングすることにより、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域に、互いに電気的に接続された複数の電極ユニットを有する画素電極を形成する工程とを有し、
前記蓄積容量バスラインを形成する工程では、前記第１の導電膜をパターニングすることにより、前記蓄積容量バスラインを形成するとともに、前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインのうちの少なくとも一方の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域に形成され、前記第２の基板に形成される対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

本発明の第１実施形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置の等価回路を模式的に示す図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置における電極ユニット及び配向制御用構造物の構造を示す概略図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置の偏光板等の配置を示す図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置における特異点制御の原理を説明する図である。 従来の液晶表示装置において外力が加わることにより液晶分子の配向が乱れる機構を説明する図（その１）である。 従来の液晶表示装置において外力が加わることにより液晶分子の配向が乱れる機構を説明する図（その２）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 本発明の第１実施形態の変形例による液晶表示装置における電極ユニット及び配向制御用構造物の構造を示す平面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素の構成を示す平面図である。 従来の液晶表示装置において外力が加わることにより液晶分子の配向が乱れる機構を説明する図（その３）である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置における特異点制御の原理を説明する図である。 本発明の第２実施形態の変形例による液晶表示装置における配向制御用電極を示す平面図（その１）である。 本発明の第２実施形態の変形例による液晶表示装置における配向制御用電極を示す平面図（その２）である。 本発明の第２実施形態の変形例による液晶表示装置における配向制御用電極を示す平面図（その３）である。 本発明の第２実施形態の変形例による液晶表示装置における配向制御用電極を示す平面図（その４）である。

符号の説明

１０…ＴＦＴ基板
１２…ＣＦ基板
１４…ゲートバスライン
１６…ドレインバスライン
１８…ＴＦＴ
２０…画素電極
２２…蓄積容量バスライン
２４ａ…ゲートバスライン駆動回路
２４ｂ…ドレインバスライン駆動回路
２６…制御回路
２８…偏光板
３０…バックライトユニット
３２…偏光板
３４…蓄積容量電極
３６…ドレイン電極
３８…ソース電極
４０、４０ａ、４０ｂ…電極ユニット
４２…スリット
４４…接続電極
４６…ベタ部
４８…幹部
５０…枝部
５２…抜き部
５３…櫛形電極
５６…ガラス基板
６０…ガラス基板
６２…対向電極
６４…配向制御用構造物
６４ａ…凸部
６５…配向制御用構造物
６６…液晶層
６８…１／４波長板
７０…１／４波長板
７２…ＴＡＣフィルム
７４…反射偏光板
７６…液晶分子
７８…ゲート層
８０…絶縁膜
８２…半導体層
８３…活性層
８４…絶縁膜
８６…コンタクトホール
８８…透明導電膜
９０…配向制御用電極
９０ａ、９０ｂ…枝部
９２…配向制御用電極

Claims (10)

1. 複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部のそれぞれに設けられた複数の駆動素子と、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域にそれぞれ形成され、前記複数の駆動素子のそれぞれに接続された複数の画素電極とを有する第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、
   前記画素電極は、複数の電極ユニットと、複数の前記電極ユニットを互いに電気的に接続する接続電極とを有し、
   前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面の前記電極ユニット上の領域に形成され、前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向に細長い配向制御用構造物を更に有する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１記載の液晶表示装置において、
   前記電極ユニットは、ベタ部と、前記ベタ部から前記電極ユニットの外周方向に延伸する複数の延伸部とを有する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項２記載の液晶表示装置において、
   前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向において、前記配向制御用構造物の端部と前記電極ユニットの前記ベタ部の端部との間隔が２０μｍ以下となっている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記接続電極は、前記ドレインバスラインに平行な方向に複数の前記電極ユニットを接続している
   ことを特徴とする液晶表示装置。
5. 複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交差部のそれぞれに設けられた複数の駆動素子と、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域にそれぞれ形成され、前記複数の駆動素子のそれぞれに接続された複数の画素電極とを有する第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して設けられ、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、
   前記画素電極は、互いに電気的に接続された複数の電極ユニットを有し、
   前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインのうちの少なくとも一方の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域に形成され、前記対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極を更に有する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項５記載の液晶表示装置において、
   前記配向制御用電極は、前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域にそれぞれ形成されている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項５又は６記載の液晶表示装置において、
   前記第１の基板は、前記ゲートバスラインと平行に配された複数の蓄積容量バスラインを更に有し、
   前記配向制御用電極は、前記蓄積容量バスラインから分岐して形成されている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項５乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
   前記配向制御用電極は、前記電極ユニットの外周の中心部に向けて分岐し、前記電極ユニット外周の辺の中心部近傍に端部が位置する枝部を有する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
9. 第１の基板と第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶層が封入された液晶表示装置の製造方法であって、
   前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面上に、導電膜を形成する工程と、
   前記導電膜をパターニングすることにより、複数の電極ユニットと、複数の前記電極ユニットを互いに電気的に接続する接続電極とを有する画素電極を形成する工程と、
   前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面の前記電極ユニット上の領域に、前記接続電極が複数の前記電極ユニットを接続する方向に細長い配向制御用構造物を形成する工程と
   を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 第１の基板と第２の基板との間に負の誘電率異方性を有する液晶層が封入された液晶表示装置の製造方法であって、
    前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面上に、第１の導電膜を形成する工程と、
    前記第１の導電膜をパターニングすることにより、複数のゲートバスライン、及び前記ゲートバスラインと平行に配された複数の蓄積容量バスラインを形成する工程と、
    前記ゲートバスライン及び前記蓄積容量バスラインが形成された前記第１の基板の前記第２の基板の対向する面上に、第１の絶縁膜を介して第２の導電膜を形成する工程と、
    前記第２の導電膜をパターニングすることにより、前記ゲートバスラインと交差するように配された複数のドレインバスラインを形成する工程と、
    前記ドレインバスラインが形成された前記第１の基板の前記第２の基板の対向する面上に、第２の絶縁膜を介して第３の導電膜を形成する工程と、
    前記第３の導電膜をパターニングすることにより、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとにより囲まれた画素領域に、互いに電気的に接続された複数の電極ユニットを有する画素電極を形成する工程とを有し、
    前記蓄積容量バスラインを形成する工程では、前記第１の導電膜をパターニングすることにより、前記蓄積容量バスラインを形成するとともに、前記画素電極の両側の前記ドレインバスラインのうちの少なくとも一方の前記ドレインバスラインの端部と前記電極ユニットの端部との間の領域に形成され、前記第２の基板に形成される対向電極と同じ電位を有する配向制御用電極を形成する
    ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
    

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