JP2000137227A - マルチドメイン液晶表示素子 - Google Patents

マルチドメイン液晶表示素子

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JP2000137227A JP29739299A JP29739299A JP2000137227A JP 2000137227 A JP2000137227 A JP 2000137227A JP 29739299 A JP29739299 A JP 29739299A JP 29739299 A JP29739299 A JP 29739299A JP 2000137227 A JP2000137227 A JP 2000137227A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マルチドメインによる広い視野角と、液晶分
子の安定配列による高い輝度とを有するマルチドメイン
ＬＣＤを提供することである。 【解決手段】 相互に対向配置される第１および第２の
基板と、これらの基板間に配される液晶層と、画素領域
を画定するために、第１の基板上に第１の方向に配列さ
れる複数のゲートバス配線および第１の基板に第２の方
向に配列される複数のデータバス配線と、画素領域に配
される画素電極と、液晶層における液晶分子の配向方向
を制御する誘電フレームと、第２の基板上に配される遮
光層と、遮光層上に配されるカラーフィルタ層と、カラ
ーフィルタ層上に配される共通電極と、第１および第２
の基板間の少なくとも一方の基板上に配される配向層と
を具備するマルチドメイン液晶表示素子を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願は、参照により、こ
の明細書中に組み込まれた、１９９８年１０月１９日に
出願された韓国特許出願第１９９８−４３６３１号、１
９９８年１０月２０日に出願された韓国特許出願第１９
９８−４３９２０号、および１９９９年２月１８日に出
願された韓国特許出願第１９９９−０５４０１号の利益
を主張するものである。この発明は、液晶表示素子（Ｌ
ＣＤ）に関し、さらに詳細には、一基板上の誘電フレー
ムと、同基板または他の基板上の電界誘導窓(electric
field inducingwindow)とを有する液晶表示素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＣＤは、液晶が配向されず、か
つ、液晶がオープン領域１９を有する共通電極１７によ
り駆動される場合に提案されている。図１は、従来のＬ
ＣＤの画素ユニットを示す断面図である。
【０００３】従来のＬＣＤでは、第１の基板上の第１の
方向に配列された複数のゲートバス配線と、第１の基板
上の第２の方向に配列された複数のデータバス配線と
が、第１の基板を複数の画素領域に分割している。
【０００４】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、データバ
ス配線から、不動態化層４上の画素電極１３に供給され
た画像信号を利用する。ＴＦＴは、各画素領域に形成さ
れ、ゲート電極、ゲート絶縁体、半導体層、オーミック
コンタクト層、ソース電極、および、ドレイン電極を具
備している。
【０００５】これに代えて、側部電極１５が、ゲート絶
縁体上の画素領域を取り囲むように形成され、不動態化
層４が第１の基板全体にわたって形成され、画素電極１
３が、側部電極に重なって形成され、かつ、前記ドレイ
ン電極に接続される。
【０００６】第２の基板上では、遮光層が、ゲートバス
配線、データバス配線およびＴＦＴから漏れるあらゆる
光を遮断するために形成されており、カラーフィルタ層
が遮光層上に形成され、オーバーコート層がカラーフィ
ルタ層上に形成され、共通電極１７が、オーバーコート
層上にオープン領域１９を有するように形成され、液晶
層が、第１および第２の基板の間に形成される。
【０００７】画素電極１３および共通電極１７のオープ
ン領域（スリット）１９が、液晶層にかけられた電界を
歪曲させる。したがって、液晶分子が、ユニット画素内
において、多方向に駆動される。このことは、電圧がＬ
ＣＤにかけられるときに、歪曲した電界による誘電エネ
ルギが液晶ディレクタを、必要とされる位置、または、
望ましい位置に配置する。
【０００８】図２は、関連技術における他の液晶表示素
子の断面図である。液晶表示素子は、共通電極１７より
も小さい画素電極１３を有し、これにより電界の歪曲が
誘導される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＣＤ
においては、共通電極１７または画素電極１３における
オープン領域１９が必要であり、オープン領域が広いほ
ど、液晶分子をより安定的に駆動することができる。電
極が、オープン領域を有しておらず、または、オープン
領域の幅が狭いときには、画素領域を分割するために必
要な電界の歪曲は弱くなる。
【００１０】そして、液晶ディレクタが偏光子の透過軸
と平行な領域から欠陥(disclination)が発生し、これに
より、輝度の低下が生ずる。さらに、ＬＣＤの表面状態
によって、液晶テクスチャーは不規則な構造を有する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】したがって、この発明
は、関連技術の制限および不都合による１以上の問題を
実質的に回避するＬＣＤを提供することを目的としてい
る。この発明の目的は、マルチドメインによる広い視野
角と、液晶分子の安定配列による高い輝度とを有するマ
ルチドメインＬＣＤを提供することである。この発明の
他の特徴および利点は、以下に説明され、ある部分は説
明から明らかであり、または発明の実施により学習され
る。この発明の他の目的および利点は、詳細な説明およ
び特許請求の範囲に記載され、添付図面に特に示された
構造により達成されることになる。
【００１２】これらの目的を達成するために、かつ、こ
の発明の目的に従って、マルチドメイン液晶表示素子
は、この明細書中に広く具現化されかつ説明されるよう
に、相互に対面する第１および第２の基板と、これら第
１および第２の基板の間に配される液晶層と、画素領域
を定義するために、第１の基板上に第１の方向に配列さ
れた複数のゲートバス配線および第１の基板上に第２の
方向に配列された複数のデータバス配線と、画素領域内
の画素電極と、前記液晶層において液晶分子の方向の配
向を制御する誘電フレームと、第２の基板上のカラーフ
ィルタ層と、該カラーフィルタ層上の共通電極と、第１
および第２の基板間の少なくとも１つの基板上の配向層
とを具備している。
【００１３】共通電極および／または画素電極は、それ
らの内側に、電界誘導窓を有している。誘電フレーム
が、画素領域を取り囲んで、または、画素領域内に形成
されている。誘電フレームの誘電率は、液晶層の誘電率
以下である。誘電フレームは、フォトアクリレート(pho
toacrylate)およびＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）のよ
うな感光性材料を含んでいる。上述した一般的な説明お
よび以下の詳細な説明は、いずれも例示的かつ説明のた
めのものであり、請求されたこの発明のさらなる説明を
提供しようとするものであることがわかる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、この発明のマルチドメイ
ン液晶表示素子を、添付図面を参照して詳細に説明す
る。図３〜図６は、この発明の第１〜第４の実施形態に
係るマルチドメイン液晶表示素子の断面図である。これ
らの図面に示されるように、この発明は、第１および第
２の基板３１，３３と、第１の基板上に第１の方向に配
列された複数のゲートバス配線と、第１の基板上に第２
の方向に配列された複数のデータバス配線と、ＴＦＴ
と、第１の基板３１全体の上に配される不動態化層３７
と、画素電極１３と、誘電フレーム４１と、第１の基板
３１全体の上に配される第１の配向層４５とを具備して
いる。
【００１５】第２の基板３３上には、遮光層２５が、ゲ
ートバス配線とデータバス配線およびＴＦＴから漏れる
全ての光を遮断するために形成されており、カラーフィ
ルタ層２３が遮光層の上に形成され、オーバーコート層
２９がカラーフィルタ層２３の上に形成され、共通電極
１７がオーバーコート層上に形成され、第２の配向層４
７が第２の基板３３全体の上に形成され、液晶層が第１
および第２の基板３１，３３の間に形成されている。
【００１６】データバス配線およびゲートバス配線は、
第１の基板３１を複数の画素領域に分割する。ＴＦＴは
各画素領域に形成され、ゲート電極１１、ゲート絶縁体
３５、半導体層５、オーミックコンタクト層およびソー
ス／ドレイン電極７，９を具備している。不動態化層３
７は、第１の基板３１全体の上に形成され、画素電極１
３は、ドレイン電極９に結合されている。
【００１７】誘電フレーム４１は、液晶層の液晶分子の
配向方向を制御している。誘電フレーム４１は、画素電
極１３または共通電極１７上に形成され、両基板上に誘
電フレームを形成することもできる。
【００１８】この発明のマルチドメインＬＣＤを製造す
るために、第１の基板３１上の各画素領域に、ゲート電
極１１、ゲート絶縁体３５、半導体層５、オーミックコ
ンタクト層６およびソース／ドレイン電極７，９を具備
するＴＦＴが形成される。この時点において、複数のゲ
ートバス配線および複数のデータバス配線が、第１の基
板３１を複数の画素領域に分割するために形成される。
【００１９】ゲート電極１１およびゲートバス配線が、
Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ合金等のような金属をス
パッタリングにより堆積してからパタニングすることに
より形成される。これに代えて、ゲート電極およびゲー
トバス配線を、異なる材料から形成される２重の層とし
て構成することもできる。
【００２０】ゲート絶縁体３５は、ＳｉＮｘまたはＳｉ
Ｏｘを、ＰＥＣＶＤ（プラズマ強化化学蒸着）を使用し
て堆積することにより形成される。半導体層５およびオ
ーミックコンタクト層は、ＰＥＣＶＤを用いて堆積し、
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）およびドーピングさ
れたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）をそれぞれ
パタニングすることにより形成される。また、ＳｉＮｘ
またはＳｉＯｘおよびａ−Ｓｉ，ｎ＋ａ−Ｓｉは、ＰＥ
ＣＶＤを用いて堆積することにより形成され、ゲート絶
縁体３５が形成され、半導体層５およびオーミックコン
タクト層６がパタニングにより形成される。
【００２１】データバス配線およびソース／ドレイン電
極７，９は、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ合金等のよ
うな金属をスパッタリングにより堆積してからパタニン
グすることにより形成される。これに代えて、ゲート電
極およびゲートバス配線を、異なる材料から形成される
２重の層として構成することもできる。
【００２２】ストレージ電極（図示略）がゲートバス配
線を被覆し、同時に画素電極１３に接続するように形成
され、該ストレージ電極が、ゲートバス配線１とともに
ストレージキャパシタを形成する。
【００２３】その後、不動態化層３７が、ＢＣＢ（ベン
ゾシクロブテン）、アクリル樹脂、ポリイミド系化合
物、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘを用いて、第１の基板３１
全体の上に形成される。画素電極１３は、ＩＴＯ（酸化
錫インジウム:indium tin oxide）のような材料をスパ
ッタリングにより堆積してからパタニングすることによ
り形成される。コンタクトホール３９が、画素電極１３
をドレインおよびストレージ電極に接続するために、ド
レイン電極９上の不動態化層３７の一部を開きかつパタ
ニングすることにより形成される。
【００２４】第２の基板３３上には、遮光層２５が、ゲ
ートバス配線、データバス配線およびＴＦＴから漏れる
全ての光を遮断するために形成される。カラーフィルタ
層２３が遮光層２５の上にＲ，Ｇ，Ｂ（赤、緑、青）要
素を形成する。カラーフィルタ層２３上には、オーバー
コート層２９が樹脂により形成される。共通電極１７
は、ＩＴＯを用いて、オーバーコート層の上に形成され
る。
【００２５】そして、第１および第２の基板３１，３３
の間に液晶を注入することにより、液晶層が形成され
る。液晶層は、正または負の誘電異方性を有する液晶分
子を含んでいる。
【００２６】誘電フレーム４１が、感光性材料を共通電
極１７または画素電極１３上に堆積し、写真石版術を用
いて種々の形状にパタニングすることにより形成され
る。誘電フレーム４１は、誘電率が液晶の誘電率と同一
またはそれより小さく、その誘電率が好ましくは３以下
である材料、例えば、フォトアクリレートまたはＢＣＢ
（ベンゾシクロブテン）を含んでいる。
【００２７】さらに、誘電フレーム４１は、第１および
第２の基板３１，３３の間に、少なくとも１つの基板上
に形成される（図３〜図６を参照のこと）。電界誘導窓
４３が、第１および第２の基板３１，３３の間に、少な
くとも１つの基板上に形成される（図４および図６参
照）。
【００２８】この時点で、誘電フレーム４１および電界
誘導窓４３が、同じ基板上に一緒に形成される。電界誘
導窓４３は、共通電極１７または画素電極１３に孔をパ
タニングすることにより形成される。
【００２９】図７〜図３９に示されているように、これ
らの図は、この発明の実施形態に係るマルチドメイン液
晶表示素子の種々の誘電フレーム４１および電界誘導窓
４３を示す平面図である。実線の矢印は、第２の基板の
配向方向を表し、破線の矢印は、第１の基板の配向方向
を表している。
【００３０】これらの図に示されているように、誘電フ
レーム４１および電界誘導窓４３は種々の形状にパタニ
ングされ、マルチドメイン効果を達成している。電界誘
導窓４３はスリットまたは孔でよい。さらに、隣接する
２つの画素および２つの配向方向は結合し、マルチドメ
イン効果を達成している。
【００３１】「＋」、「×」、または二重「Ｙ」形状の
ように、電界誘導窓４３を形成して、各画素を４つの領
域に分割し、または、各画素を、水平、垂直および／ま
たは対角に分割し、かつ、各領域および各基板上に異な
る配向処理または配向方向を形成することにより、マル
チドメインが得られる。
【００３２】少なくとも１つの基板上に、補償膜２９が
ポリマーで形成される。この補償膜２９は、負の１軸性
フィルムであり、１つの光軸を有し、見る角度に応じた
方向の位相差を補償する。したがって、階調反転(gray
inversion)、傾斜方向における明度比の増加および１画
素からのマルチドメインの形成を伴わずに領域を拡げる
ことにより、左右の視野角を効果的に補償することがで
きる。
【００３３】このマルチドメイン液晶表示素子において
は、２つの光軸を有し、負の１軸性フィルムと比較して
広い視野角特性を有する補償膜２９として、負の２軸性
フィルムを形成することができる。補償膜２９は、両基
板またはこれらの基板の内の一方に形成することができ
る。
【００３４】補償膜２９を形成した後に、偏光子が少な
くとも一方の基板上に形成される。このとき、補償膜２
９および偏光子は、一体として構成されることが好まし
い。
【００３５】このＬＣＤにおいて、液晶層は、負の誘電
異方性を有する液晶分子を含み、液晶層内の液晶分子が
第１および第２の基板の表面上に垂直方向に配向される
ホメオトロピック配向にかけられる。
【００３６】この発明のマルチドメインＬＣＤにおい
て、配向層（図示せず）は第１および／または第２の基
板全体の上に形成されている。配向層は、ポリアミドま
たはポリイミド系化合物、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）、ポリアミック酸(polyamic acid)またはＳｉＯ２
のような材料を含んでいる。配向方向を決定するために
ラビングが使用される場合には、ラビング処理に適した
任意の材料を適用することができる。
【００３７】さらに、配向層を、ＰＶＣＮ（ポリビニル
シンナメート）、ＰＳＣＮ（ポリシロキサンシンナメー
ト）、ＣｅｌＣＮ（セルロースシンナメート）系化合物
のような感光性材料で形成することができる。光配向処
理に好適な任意の材料を使用することができる。
【００３８】配向層に対して一度光を照射することによ
り、配向またはプレチルト方向(pretilt direction)お
よびプレチルト角(pretilt angle)が決定される。光配
向に使用される光としては、紫外光範囲の光、極性のな
い任意の光、直線偏光された光、および部分的に偏光さ
れた光を使用することができる。ラビングまたは光配向
処理において、第１および第２の基板の一方または両方
に適用することができ、異なる配向処理を各基板に適用
することができる。
【００３９】配向処理により、マルチドメインＬＣＤ
が、少なくとも２つのドメインを有するように形成さ
れ、ＬＣ層のＬＣ分子が、各ドメインにおいて相互に異
なって配向される。すなわち、マルチドメインは、各画
素を、「＋」、「×」の形状に分割することにより、ま
たは、各画素を、水平、垂直および／または対角に分割
し、または各ドメインおよび各基板に対して異なる配向
処理または配向方向の形成を行うことにより得られる。
【００４０】分割されたドメインの内の少なくとも１つ
のドメインを配向しないことは可能である。また、全て
のドメインを配向しないことも可能である。その結果、
この発明のマルチドメインＬＣＤは、液晶とは異なる誘
電率を有する誘電フレームと、電界を歪曲させ、それに
よって、広い視野角を得ることができる電界誘導窓とを
形成する。さらに、配向処理を行う場合には、プレチル
ト角および固定エネルギによって高い応答時間と安定し
たＬＣ構造とを得ることができる。
【００４１】図４０および図４１は、この発明の第５の
実施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子を示す平面
図および断面図であり、図４２〜図４４は、この発明の
第６の実施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子の平
面図および断面図であり、図４５〜図４７は、この発明
の第７の実施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子の
平面図および断面図であり、図４８〜図５４は、この発
明の第８の実施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子
の平面図および断面図である。
【００４２】これらの図に示されているように、この発
明に係るマルチドメイン液晶表示素子は、第１および第
２の基板３１，３３と、第１の基板上の第１の方向に配
列された複数のゲートバス配線と、第１の基板上の第２
の方向に配列された複数のデータバス配線と、ＴＦＴ
と、第１の基板３１全体の上に配される不動態化層３７
と、画素電極１３と、第１の基板全体の上に配される第
１の配向層５３とを具備している。
【００４３】第２の基板上には、ゲートバス配線および
データバス配線およびＴＦＴから漏れる全ての光を遮断
するために、遮光層２５が形成され、該遮光層の上にカ
ラーフィルタ層２３が形成され、該カラーフィルタ層上
に共通電極１７が形成され、電界を歪曲させるために共
通電極１７上に誘電フレーム５７が形成され、第２の基
板全体の上に第２の配向層５５が形成され、第１および
第２の基板間に液晶層が形成される。
【００４４】データバス配線およびゲートバス配線は、
第１の基板３１を複数の画素領域に分割する。ＴＦＴが
各画素に形成され、ゲート電極１１とゲート絶縁体３５
と、半導体層５と、オーミックコンタクト層と、ソース
／ドレイン層７，９とを具備している。不動態化層３７
が第１の基板の全体の上に形成され、画素電極１３がド
レイン電極９に連結されている。
【００４５】この発明のマルチドメインＬＣＤを製造す
るために、第１の基板３１上の各画素領域に、ゲート電
極１１と、ゲート絶縁体３５と、半導体層５とオーミッ
クコンタクト層と、ソース／ドレイン層７，９とを具備
するＴＦＴが形成される。このとき、複数のゲートバス
配線および複数のデータバス配線が、第１の基板３１を
複数の画素領域に分割するために形成される。
【００４６】ゲート電極１１およびゲートバス配線は、
Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ合金等のような金属をス
パッタリングにより堆積してからパタニングすることに
より形成される。ゲート絶縁体３５は、その上に、ＰＥ
ＣＶＤ（プラズマ強化化学蒸着）を用いて、ＳｉＮｘま
たはＳｉＯｘを堆積することにより形成される。半導体
層５およびオーミックコンタクト層は、ＰＥＣＶＤを用
いて堆積し、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）および
ドーピングされたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓ
ｉ）を、それぞれパタニングすることにより形成され
る。また、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘおよびａ−Ｓｉ，ｎ
＋ａ−Ｓｉは、ＰＥＣＶＤを用いて堆積することにより
形成され、ゲート絶縁体３５が形成され、半導体層５お
よびオーミックコンタクト層６がパタニングにより形成
される。データバス配線およびソース／ドレイン電極
７，９は、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ合金等のよう
な金属をスパッタリングにより堆積してからパタニング
することにより形成される。
【００４７】ストレージ電極（図示略）が、ゲートバス
配線を被覆し、同時に、画素電極１３に接続するために
形成され、該ストレージ電極は、ゲートバス配線ととも
にストレージキャパシタを構成する。
【００４８】その後、不動態化層３７がＢＣＢ（ベンゾ
シクロブテン）、アクリル樹脂、ポリイミド系化合物、
ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘにより第１の基板３１全体の上
に形成される。画素電極１３は、ＩＴＯ（酸化錫インジ
ウム）のような金属をスパッタリングにより堆積してか
らパタニングすることにより形成される。コンタクトホ
ール３９が、画素電極１３をドレインおよびストレージ
電極に接続するために、ドレイン電極９上の不動態化層
３７の一部に孔あけおよびパタニングにより形成され
る。
【００４９】第２の基板３３上には、ゲートバス配線、
データバス配線およびＴＦＴから漏れる光を遮断するた
めの遮光層２５が形成される。カラーフィルタ層２３
が、遮光層上に交互に、Ｒ，Ｇ，Ｂ（赤，緑，青）要素
を形成する。共通電極１７が、ＩＴＯを用いて、カラー
フィルタ層上に形成される。誘電フレーム５７が、共通
電極１７または画素電極１３の上に感光性材料を堆積
し、写真石版術を用いて種々の形状にパタニングするこ
とにより形成される。液晶層が、第１および第２の基板
の間に液晶を注入することにより形成される。
【００５０】誘電フレーム５７は、液晶と同一かそれよ
り小さい、好ましくは３以下の誘電率の材料、例えばフ
ォトアクリレートまたはＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）
を含んでいる。
【００５１】さらに、誘電フレーム５７は、スペーサと
しても使用される（図４１，図４４,図４７，図５０，
図５２，図５４参照）。誘電フレーム５７は、第１およ
び第２の基板間の少なくとも一方の基板上に形成され
る。これらの実施形態において、スペーサ分散処理は省
略することができ、液晶セルの隙間の均一性は高めら
れ、その結果、歩留まりが向上する。
【００５２】電界誘導窓４３は、第１および第２の基板
間の少なくとも一方の基板上に形成される（図４６，図
５３，図５４参照）。このとき、誘電フレームおよび電
界誘導窓は、同じ基板上に一緒に形成される。電界誘導
窓４３は、共通電極１７または画素電極１３に孔または
スリットをパタニングすることにより、種々の形状に形
成される。
【００５３】この発明のマルチドメインＬＣＤの実施形
態においては、補助電極２７が画素領域を除く領域に、
追加して形成される（図４２，図４８）。補助電極２７
は、画素電極１３またはゲート電極１１が形成されてい
る層の上に形成され、共通電極１７に電気的に接続され
る（図４３，図４４，図５１，図５２参照）。
【００５４】補助電極２７は、ＩＴＯ（酸化錫インジウ
ム），Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，ＴｉまたはＡｌ合金の
ような金属をスパッタリングにより堆積してからパタニ
ングすることにより形成される。このときに、同じ金属
を１回パタニングし、または、異なる金属を２回パタニ
ングすることにより、補助電極２７および画素電極１３
を形成することができる。
【００５５】図６２〜６８，図８２〜図９１に示される
ように、補助電極２７は、画素電極１３を取り囲んで形
成されてもよく、データバス配線の側方に、かつ／また
は、ゲートバス配線の側方に形成されてもよい。
【００５６】図４８〜図５４は、第１の基板３１上に遮
光層２５が形成されていることを示しており、図５１お
よび図５２は、画素電極１３が形成される層の上に補助
電極２７が形成されることを示している。これらの実施
形態においては、遮光層が画素領域を正確に調整するた
めに形成され、そのために、ラミネーションマージンが
減少し、遮光層が第２の基板上に形成される場合よりも
開口率が向上する。
【００５７】少なくとも一方の基板上には、補償膜２９
がポリマーによって形成される。この補償膜は、負の１
軸性フィルムであり、１つの光軸を有し、見る角度によ
る方向の位相差を補償する。したがって、階調反転、傾
斜方向におけるコントラスト比の増加および一画素のマ
ルチドメインへの形成なしに、領域を拡げることにより
左右視野角を効果的に補償することができる。
【００５８】このマルチドメイン液晶表示素子では、２
つの光軸を有し、負の１軸性フィルムと比較して、より
広い視野角の特徴を有する、負の２軸性フィルムを補償
膜２９として形成することができる。この補償膜は、両
方の基板または一方の基板に形成することができる。
【００５９】補償膜２９の形成後に、偏光子が、少なく
とも一方の基板上に形成される。このとき、補償膜およ
び偏光子は、一体として構成されることが好ましい。図
５５〜図６１では、マルチドメイン効果を達成する誘電
フレーム５７が、種々の形態でパタニングされている。
図６２〜図６８では、補助電極２７が、画素電極１３を
取り囲んで形成され、マルチドメイン効果を達成する誘
電フレーム５７が、種々の形態でパタニングされてい
る。図６９〜図８１では、電界誘導窓４３が形成され、
誘導フレーム５７が種々の形態でパタニングされてお
り、それによってマルチドメイン効果が達成される。電
界誘導窓４３は、スリットまたは孔でよい。
【００６０】図５５〜図８１のＬＣＤにおいて、液晶層
は、該液晶層内の液晶分子が、第１および第２の基板の
表面に垂直に配向される、ホメオトロピック配向にかけ
られる、負の誘電異方性を有する液晶分子を含んでい
る。
【００６１】図８２〜図８５では、補助電極２７が形成
され、マルチドメイン効果を達成する誘電フレーム５７
が種々の形態でパタニングされている。図示しないが、
補助電極２７を形成しない実施形態も考えられる。実線
の矢印６３は、第２の基板３３のラビング方向を示し、
破線の矢印６１は、第１の基板３１のラビング方向を示
している。
【００６２】図８６〜図８８では、補助電極２７が形成
され、誘電フレーム５７が種々の形態でパタニングされ
ている。さらに、隣接する２つの画素および２つの配向
方向が結合し、マルチドメイン効果を達成している。図
示しないが、補助電極２７を形成しない実施形態も考え
られる。実線の矢印６７は、第２の基板３３の配向方向
を示し、破線の矢印６５は、第１の基板３１の配向方向
を示している。
【００６３】図８９〜図９１では、補助電極２７が形成
され、誘電フレーム５７が種々の形態でパタニングされ
ている。さらに、隣接する２つの画素および２つの配向
方向が、図８６〜図８８とは異なる方法で結合し、マル
チドメイン効果を達成している。図示しないが、補助電
極２７を形成しない実施形態も考えられる。
【００６４】図８２〜図９１のＬＣＤにおいて、液晶層
は、該液晶層内の液晶分子が、第１および第２の基板の
表面に垂直に配向される、ホメオトロピック配向にかけ
られる、負の誘電異方性を有する液晶分子を含んでい
る。
【００６５】電界誘導窓または誘電フレームを形成した
ので、各画素を「＋」、「×」、または、二重「Ｙ」形
状のような４つのドメインに分割し、または、各画素を
水平、垂直および／または対角に分割し、かつ、各ドメ
インおよび各基板に対して異なる配向処理または配向方
向の形成を行うことにより、マルチドメインが得られ
る。
【００６６】さらに、この発明のマルチドメインＬＣＤ
では、第１および第２の配向層５３，５５が、第１およ
び／または第２の基板全体の上に形成される。この配向
層は、ポリアミドまたはポリイミド系化合物、ＰＶＡ
（ポリビニルアルコール）、ポリアミック酸またはＳｉ
Ｏ２のような材料を含んでいる。配向方向を決定するた
めにラビングが使用されるときには、ラビング処理に適
した任意の材料を適用することができる。
【００６７】さらに、配向層をＰＶＣＮ（ポリビニルシ
ンナメート）、ＰＳＣＮ（ポリシロキサンシンナメー
ト）およびＣｅｌＣＮ（セルロースシンナメート）系化
合物のような感光性材料により形成することもできる。
光配向処理に適した任意の材料を使用してもよい。配向
層に１回光を照射することにより、配向またはプレチル
ト方向およびプレチルト角を決定する。光配向に使用さ
れる光としては、紫外光範囲の光、偏光されていない任
意の光、直線偏光された光および部分的に偏光された光
が使用されることが好ましい。
【００６８】ラビングまたは光配向処理は、第１および
第２の基板の一方または両方に適用することができ、異
なる配向処理を各基板に適用することもできる。配向処
理により、少なくとも２つのドメインを用いてマルチド
メインＬＣＤが形成され、ＬＣ層のＬＣ分子が、各ドメ
インにおいて相互に異なる方向に配向される。すなわ
ち、マルチドメインは、各画素を、「＋」または「×」
形状のような４つの領域に分割し、または、各画素を水
平、垂直および／または対角に分割し、かつ、各ドメイ
ンおよび各基板に対して異なる配向処理または配向方向
の形成を行うことにより得られる。
【００６９】分割されたドメインの内の少なくとも１つ
のドメインを配向しないことも可能である。また、全て
のドメインを配向しないことも可能である。その結果、
この発明のマルチドメインＬＣＤは、液晶とは異なる誘
電率を有する誘電フレーム、電界を歪曲させるための補
助電極または電界誘導窓を形成し、それによって、広い
視野角が達成される。
【００７０】また、誘電フレームは、スペーサとしてパ
タニングされ、従来のＬＣＤ処理におけるスペーサ処理
を省くことができる。さらに、配向処理を行う場合に
は、プレチルト角および固定エネルギ(anchoring energ
y)により、高い応答時間と安定したＬＣ構造とを達成す
ることができる。
【００７１】図９２〜図９５は、この発明の第９の実施
形態に係るマルチドメイン液晶表示素子を示す断面図で
あり、図９６〜図９８は、この発明の第１０の実施形態
に係るマルチドメイン液晶表示素子の断面図である。
【００７２】これらの図に示されるように、この発明
は、第１および第２の基板３１，３３と、第１の基板の
第１の方向に配列された複数のゲートバス配線１と、第
１の基板の第２の方向に配列された複数のデータバス配
線３と、ＴＦＴと、不動態化層３７と、画素電極１３と
を具備している。
【００７３】第２の基板３３には、ゲートおよびデータ
バス配線１，３およびＴＦＴから漏れる光を遮断するた
めに遮光層２５が形成され、該遮光層の上にカラーフィ
ルタ層２３が形成され、該カラーフィルタ層上に共通電
極１７が形成され、画素領域以外の領域に誘電フレーム
が形成され、第１および第２の基板の間に液晶層が形成
される。
【００７４】データバス配線３およびゲートバス配線１
は、第１の基板３１を複数の画素領域に分割する。ＴＦ
Ｔは、各画素領域に形成され、ゲート電極１１とゲート
絶縁体３５と、半導体層５と、オーミックコンタクト層
６とソース／ドレイン電極７，９とを具備している。不
動態化層３７は、第１の基板３１全体の上に形成され
る。画素電極１３はドレイン電極９と結合される。
【００７５】この発明のマルチドメインＬＣＤを製造す
るために、第１の基板３１上の各画素領域に、ゲート電
極１１とゲート絶縁体３５と半導体層５とオーミックコ
ンタクト層６とソース／ドレイン層７，９とを具備する
ＴＦＴが形成される。このとき、複数のゲートバス配線
１および複数のデータバス配線３が、第１の基板３１を
複数の画素領域に分割するために形成される。
【００７６】ゲート電極１１およびゲートバス配線１
は、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ合金等のような金属
をスパッタリングにより堆積してからパタニングするこ
とにより形成される。これに代えて、別々の材料から構
成される二重層としてゲート電極およびゲートバス配線
を形成することもできる。
【００７７】ゲート絶縁体３５は、その上に、ＳｉＮ
ｘ，ＳｉＯｘまたはＢＣＢ（ベンゾシクロブテン），ア
クリル樹脂をＰＥＣＶＤを用いて堆積することにより形
成される。半導体層５およびオーミックコンタクト層６
は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）およびドーピン
グされたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ）をそれ
ぞれ、ＰＥＣＶＤ（プラズマ強化化学蒸着）を用いて堆
積し、かつ、パタニングすることにより形成される。ま
た、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘおよびａ−Ｓｉ，ｎ ＋ａ−
ＳｉがＰＥＣＶＤを用いて堆積することにより形成さ
れ、ゲート絶縁体３５が形成され、半導体層５およびオ
ーミックコンタクト層６がパタニングにより形成され
る。
【００７８】データバス配線３およびソース／ドレイン
電極７，９が、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ合金等の
ような金属をスパッタリングにより堆積してからパタニ
ングすることにより形成される。これに代えて、データ
バス配線およびソース／ドレイン電極を、異なる材料か
らなる二重の層として形成することもできる。
【００７９】ストレージ電極（図示せず）は、ゲートバ
ス配線１を覆うように形成され、該ストレージ電極はゲ
ートバス配線１とともにストレージキャパシタを構成す
る。その後、不動態化層３７が、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン），アクリル樹脂，ポリイミド系化合物，ＳｉＮ
ｘまたはＳｉＯｘを用いて第１の基板全体に形成され
る。画素電極１３は、ＩＴＯ（酸化錫インジウム）のよ
うな金属をスパッタリングにより堆積してからパタニン
グすることにより形成される。コンタクトホール３９
は、画素電極１３をドレイン電極９およびストレージ電
極に接続するために、ドレイン電極９上の不動態化層３
７の一部に孔あけおよびパタニングすることにより形成
される。
【００８０】第２の基板３３上には、ゲートバス配線１
およびデータバス配線３およびＴＦＴから漏れる光を遮
断するための遮光層２５が形成される。カラーフィルタ
層２３が、遮光層２５の上に交互にＲ，Ｇ，Ｂ（赤，
緑，青）要素を配置するために形成される。
【００８１】共通電極１７がＩＴＯを用いてカラーフィ
ルタ層２３の上に形成され、液晶層が、第１および第２
の基板の間に液晶を注入することにより形成される。液
晶層は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含
んでいる。また、液晶層は、キラルドーパントを含んで
いてもよい。
【００８２】第１および第２の基板の間の少なくとも１
つの基板には、画素電極が形成された領域以外の領域に
感光性材料を堆積し、写真石版術を用いて種々の形態に
パタニングすることにより、誘電フレーム５３が形成さ
れる。この誘電フレーム５３は、３以下であることが好
ましい、液晶と同一またはこれより小さい誘電率の材
料、例えば、フォトアクリレートまたはＢＣＢ（ベンゾ
シクロブテン）を含んでいる。
【００８３】一例として、誘電フレームは、ポリイミド
とカーボンブラックの混合物、またはアクリル樹脂とカ
ーボンブラックの混合物を含んでいてもよい。したがっ
て、誘電フレームは画素領域を除く領域から漏れる光を
遮断し、液晶層にかけられる電界を歪曲させる。この場
合に、液晶層の誘電率は約４であり、誘電フレームの誘
電率は、３．５以下であることが好ましい。
【００８４】その一方、図９６〜図９８に示されるよう
に、誘電フレームは、第１の基板と第２の基板との間の
隙間を均一に維持するためのスペーサとしても使用され
る。さらに、誘電フレーム５３は、第１および第２の基
板間の少なくとも一方の基板上に形成される。そして、
電界誘導窓５１が、第１および第２の基板間の少なくと
も一方の基板上に形成される。このとき、誘電フレーム
５３および電界誘導窓５１は、同じ基板上に一緒に形成
することもできる。電界誘導窓５１は、共通電極１７ま
たは画素電極１３をパタニングすることにより形成され
る。
【００８５】少なくとも一方の基板には、ポリマーを用
いて補償膜２９が形成される。補償膜は、負の１軸性フ
ィルムであり、１つの光軸を有し、視野角による方向の
位相差を補償する。したがって、階調反転、傾斜方向に
おけるコントラスト比の増加および１画素のマルチドメ
インへの形成なしに、領域を拡げることにより左右の視
野角を効果的に補償することができる。
【００８６】この発明のマルチドメイン液晶表示素子に
おいては、２つの光軸を有し、負の１軸性フィルムより
広い視野角の特徴を有する補償膜として、負の２軸性フ
ィルムを形成することができる。補償膜は、両基板また
はそれらの一方に形成されてもよい。補償膜の形成後
に、少なくとも一方の基板上に偏光子が形成される。こ
のとき、補償膜および偏光子は一体として構成されるこ
とが好ましい。
【００８７】この発明のマルチドメインＬＣＤでは、電
力消費を低減し、輝度を増加させ、より低い反射、およ
びコントラスト比を向上するように、「ｎ−ライン」薄
膜トランジスタ（米国特許第５，６９４，１８５号）の
最適構造設計により、開口率が向上される。開口率は、
ゲート配線上方にＴＦＴを形成し、「ｎ−配線」ＴＦＴ
を提供することにより増大させられる。ゲートバス配線
とドレイン電極との間に生じる寄生容量は、対称ＴＦＴ
構造と同じチャネル長さを有するＴＦＴがチャネル長さ
延長の効果によって製造されるときに、低減することが
できる。
【００８８】この発明のマルチドメインＬＣＤは、画素
電極および／または共通電極上の誘電フレーム５３、ま
たは、画素電極内の孔またはスリットのような電界誘導
窓５１、不動態化層、ゲート絶縁体、カラーフィルム層
および／または共通電極をパタニングにより有してお
り、それによって電界を歪曲させる効果およびマルチド
メインを達成することができる。
【００８９】すなわち、電界誘導窓５１または誘電フレ
ーム５３を形成することで、各画素を「＋」、「×」、
または２重の「Ｙ」形状のような４つのドメインに分割
することにより、または、各画素を、水平、垂直および
／または対角に分割することにより、かつ、各ドメイン
および各基板に対して異なる配向処理または配向方向の
形成を行うことによりマルチドメインが得られる。
【００９０】図９９〜図１４８は、この発明の実施形態
に係る種々の電界誘導窓およびマルチドメイン液晶表示
素子の誘電フレームを示す平面図である。これらの図に
おいて、実線の矢印は、第２の基板の配向方向を示し、
破線の矢印は、第１の基板の配向方向を示している。
【００９１】さらに、誘電フレーム５３および少なくと
も１つの電界誘導窓５１は、マルチドメイン効果を得る
種々の形状にパタニングされる。電界誘導窓はスリット
または孔でよい。さらに、隣接する２つの画素および２
つの配向方向が結合し、マルチドメイン効果を達成して
いる。
【００９２】図１０３および図１０４は、この発明の第
１１の実施形態に係るマルチドメイン液晶表示素子の平
面図および断面図である。これらの図に示されるよう
に、この発明の第１１の実施形態は、第１および第２の
基板間の一方の基板上の画素内にジグザグ形状を有する
複数の誘電フレーム５３を有している。複数の電界誘導
窓５１は、第１および第２の基板上に種々の形態で形成
される。さらに、複数の補助電極２７が、画素電極１３
の電界誘導窓５１に対応して、ゲートバス配線が形成さ
れた同じ層上に形成された。
【００９３】この発明のマルチドメインＬＣＤでは、配
向層（図示せず）が、第１および／または第２の基板全
体の上に形成される。配向層は、ポリアミドまたはポリ
イミド系化合物、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ポ
リアミック酸またはＳｉＯ２のような材料を含んでい
る。配向方向を決定するためにラビングが使用される場
合には、ラビング処理に適した任意の材料を適用すべき
である。
【００９４】さらに、ＰＶＣＮ（ポリビニルシンナメー
ト）、ＰＳＣＮ（ポリシロキサンシンナメート）および
ＣｅｌＣＮ（セルロースシンナメート）系化合物のよう
な、感光性材料を用いて配向層を形成することができ
る。光配向処理に適した任意の材料を使用することがで
きる。
【００９５】配向層に一旦光が照射されると、配向また
はプレチルト方向およびプレチルト角が決定される。光
配向に使用される光は、紫外光範囲の光であることが好
ましく、任意の偏光されていない光、直線偏光された光
および部分的に偏光された光を使用することができる。
ラビングまたは光配向処理は、第１および第２の基板の
一方または両方に適用し、または、各基板に対して異な
る配向処理を適用することができる。
【００９６】配向処理により、マルチドメインＬＣＤ
が、少なくとも２つのドメインを用いて形成され、ＬＣ
層のＬＣ分子が、各ドメインにおいて異なる方向に配向
される。すなわち、各画素を、「＋」または「×」形状
のように４つのドメインに分割し、または、各画素を、
水平、垂直および／または対角に分割し、かつ、各ドメ
インおよび各基板に対して異なる配向処理または配向方
向の形成を行うことによりマルチドメインが達成され
る。
【００９７】分割されたドメインの内の少なくとも１つ
のドメインを配向しないことができる。また、全てのド
メインを配向しないこともできる。その結果、この発明
のマルチドメインＬＣＤは、画素領域を除く領域に誘電
フレームを形成し、画素領域に電界誘導窓を形成するの
で、電界が歪曲させられ、マルチドメイン効果が達成さ
れる。
【００９８】さらに、誘電フレームは遮光層またはスペ
ーサとして使用され、製造処理を簡易にしかつ高い開口
率を達成することができる。また、配向処理を行う場合
には、プレチルト角および固定エネルギによって、高い
応答時間と安定したＬＣ構造とを得ることができる。し
たがって、欠陥が除去され、それによって、輝度が向上
される。
【００９９】この発明の精神および範囲を逸脱すること
なく、この発明の液晶表示素子に種々の変更を加えるこ
とができるということは、当業者であれば明白に理解で
きることである。したがって、この発明は、特許請求の
範囲により提供されるこの発明およびその均等の範囲の
変更および変形を包含することを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 関連技術における液晶表示素子を示す断面図
である。
【図２】 図１と同様の断面図である。
【図３】 この発明の第１の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子を示す断面図である。
【図４】 この発明の第２の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子を示す断面図である。
【図５】 この発明の第３の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子を示す断面図である。
【図６】 この発明の第４の実施形態に係るマルチドメ
イン液晶表示素子を示す断面図である。
【図７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン液
晶表示素子を示す平面図である。
【図８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン液
晶表示素子を示す平面図である。
【図９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン液
晶表示素子を示す平面図である。
【図１０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１２】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図１９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２２】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図２９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３２】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図３９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図４０】 この発明の第５の実施形態に係るマルチド
メイン液晶表示素子を示す平面図である。
【図４１】 図４０のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図４２】 この発明の第６の実施形態に係るマルチド
メイン液晶表示素子を示す平面図である。
【図４３】 図４２のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図４４】 図４２のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図４５】 この発明の第７の実施形態に係るマルチド
メイン液晶表示素子を示す平面図である。
【図４６】 図４５のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図４７】 図４５のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図４８】 この発明の第８の実施形態に係るマルチド
メイン液晶表示素子を示す平面図である。
【図４９】 図４８のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図５０】 図４８のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図５１】 図４８のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図５２】 図４８のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図５３】 図４８のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図５４】 図４８のマルチドメイン液晶表示素子を示
す断面図である。
【図５５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図５６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図５７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図５８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図５９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６２】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図６９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７２】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図７９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８２】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８６】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８８】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図８９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図９０】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図９１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子を示す平面図である。
【図９２】 この発明の第９の実施形態に係るマルチド
メイン液晶表示素子を示す断面図である。
【図９３】 図９２と同様のマルチドメイン液晶表示素
子を示す断面図である。
【図９４】 図９２と同様のマルチドメイン液晶表示素
子を示す断面図である。
【図９５】 図９２と同様のマルチドメイン液晶表示素
子を示す断面図である。
【図９６】 この発明の第１０の実施形態に係るマルチ
ドメイン液晶表示素子を示す断面図である。
【図９７】 図９６と同様のマルチドメイン液晶表示素
子を示す断面図である。
【図９８】 図９６と同様のマルチドメイン液晶表示素
子を示す断面図である。
【図９９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイン
液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す平
面図である。
【図１００】 図９９と同様の平面図である。
【図１０１】 図９９と同様の平面図である。
【図１０２】 図９９と同様の平面図である。
【図１０３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１０４】 図１０３と同様の平面図である。
【図１０５】 図１０３と同様の平面図である。
【図１０６】 図１０３と同様の平面図である。
【図１０７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１０８】 図１０７と同様の平面図である。
【図１０９】 図１０７と同様の平面図である。
【図１１０】 図１０７と同様の平面図である。
【図１１１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１１２】 図１１１と同様の平面図である。
【図１１３】 図１１１と同様の平面図である。
【図１１４】 図１１１と同様の平面図である。
【図１１５】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１１６】 図１１５と同様の平面図である。
【図１１７】 図１１５と同様の平面図である。
【図１１８】 図１１５と同様の平面図である。
【図１１９】 図１１５と同様の平面図である。
【図１２０】 図１１５と同様の平面図である。
【図１２１】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１２２】 図１２１と同様の平面図である。
【図１２３】 図１２１と同様の平面図である。
【図１２４】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１２５】 図１２４と同様の平面図である。
【図１２６】 図１２４と同様の平面図である。
【図１２７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１２８】 図１２７と同様の平面図である。
【図１２９】 図１２７と同様の平面図である。
【図１３０】 図１２７と同様の平面図である。
【図１３１】 図１２７と同様の平面図である。
【図１３２】 図１２７と同様の平面図である。
【図１３３】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１３４】 図１３３と同様の平面図である。
【図１３５】 図１３３と同様の平面図である。
【図１３６】 図１３３と同様の平面図である。
【図１３７】 図１３３と同様の平面図である。
【図１３８】 図１３３と同様の平面図である。
【図１３９】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１４０】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４１】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４２】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４３】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４４】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４５】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４６】 図１３９と同様の平面図である。
【図１４７】 この発明の実施形態に係るマルチドメイ
ン液晶表示素子の電界誘導窓および誘電フレームを示す
平面図である。
【図１４８】 図１４７と同様の平面図である。
【図１４９】 この発明の第１１の実施形態に係るマル
チドメイン液晶表示素子を示す平面図である。
【図１５０】 図１４９のマルチドメイン液晶表示素子
の断面図である。
【符号の説明】
１ ゲートバス配線 ３ データバス配線 １３ 画素電極 １７ 共通電極 ２３ カラーフィルタ層 ２５ 遮光層 ２７ 補助電極 ２９ オーバーコート層 ３１ 第１の基板 ３３ 第２の基板 ３５ ゲート絶縁体 ３７ 不動態化層 ４３，５１ 電界誘導窓 ５３，５７ 誘電フレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｃ０８Ｌ 101/00 (31)優先権主張番号 １９９８−５０７０８ (32)優先日 平成10年11月25日(1998．11．25) (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 １９９９−０５４０１ (32)優先日 平成11年２月18日(1999．2．18) (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 クウォン ド ヒー 大韓民国 キュンギドー， コーヤン市, ドゥクヤン区， フワジュンードン， ブーヨン アパート 616−1604 (72)発明者 ヨー ジャン ジン 大韓民国 ソウル市， セオチョー区， バンポ−ドン 20−９， ジュコン アパ ート 359−401 (72)発明者 リー ユン ボク 大韓民国 キュンギドー， クンポ市， クムジュン−ドン 873−２， ジュコン アパート 204−2005 (72)発明者 ベー スン ジュン 大韓民国 キュンギドー， スンナム市, ブンダン区， クムゴク−ドン， チョ ンソル−マル アパート 104−703 (72)発明者 リー ジェ ユン 大韓民国 ソウル市， ヨンサン区， イ チョン ２−ドン， カンビュン アパー ト ディーエイ−822

Claims (68)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 相互に対向配置される第１および第２の
    基板と、 該第１および第２の基板の間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために、前記第１の基板上に第１の
    方向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１
    の基板に第２の方向に配列される複数のデータバス配線
    と、 前記画素領域に配される画素電極と、 前記液晶層における液晶分子の配向方向を制御する誘電
    フレームと、 前記第２の基板上に配される遮光層と、 該遮光層上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配される共通電極と、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  2. 【請求項２】 前記共通電極が、その内部に電界誘導窓
    を有することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  3. 【請求項３】 前記画素電極が、その内部に電界誘導窓
    を有することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  4. 【請求項４】 前記誘電フレームが、前記画素領域を取
    り囲んでいることを特徴とする請求項１記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  5. 【請求項５】 前記誘電フレームが、前記画素領域内に
    形成されていることを特徴とする請求項１記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  6. 【請求項６】 前記誘電フレームが、前記画素電極上に
    形成されていることを特徴とする請求項１記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  7. 【請求項７】 前記誘電フレームが、前記共通電極上に
    形成されていることを特徴とする請求項１記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  8. 【請求項８】 前記誘電フレームが、前記遮光層が形成
    されている領域内に形成されていることを特徴とする請
    求項７記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  9. 【請求項９】 前記誘電フレームの誘電率が、前記液晶
    層の誘電率以下であることを特徴とする請求項１記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  10. 【請求項１０】 前記誘電フレームが、フォトアクリレ
    ート(photoacrylate)およびＢＣＢ（ベンゾシクロブテ
    ン）からなるグループから選択される材料を含んでいる
    ことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表
    示素子。
  11. 【請求項１１】 前記画素領域が、少なくとも２つの部
    分に分割され、各部分における前記液晶層内の液晶分子
    が、相互に異なる方向に駆動されることを特徴とする請
    求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  12. 【請求項１２】 前記配向層が、少なくとも２つの部分
    に分割され、各部分における前記配向層内の液晶分子
    が、相互に異なる方向に配向されていることを特徴とす
    る請求項１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  13. 【請求項１３】 前記配向層の少なくとも１つの部分が
    配向処理されていることを特徴とする請求項１２記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  14. 【請求項１４】 前記配向層の全ての部分が配向処理さ
    れないことを特徴とする請求項１２記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  15. 【請求項１５】 前記配向層の少なくとも１つの部分が
    ラビング処理されることを特徴とする請求項１２記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  16. 【請求項１６】 前記配向層が、ポリイミドおよびポリ
    アミド系化合物、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ポ
    リアミック酸および二酸化珪素からなるグループから選
    択される材料を含むことを特徴とする請求項１５記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  17. 【請求項１７】 前記配向層の少なくとも１つの部分
    が、光配向処理されていることを特徴とする請求項１６
    記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  18. 【請求項１８】 前記配向層が、ＰＶＣＮ（ポリビニル
    シンナメート）、ＰＳＣＮ（ポリシロキサンシンナメー
    ト）、ＣｅｌＣＮ（セルロースシンナメート）系化合物
    からなるグループから選択される材料を含むことを特徴
    とする請求項１７記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  19. 【請求項１９】 前記液晶層が、正の誘電異方性を有す
    る液晶分子を含むことを特徴とする請求項１記載のマル
    チドメイン液晶表示素子。
  20. 【請求項２０】 前記液晶層が、負の誘電異方性を有す
    る液晶分子を含むことを特徴とする請求項１記載のマル
    チドメイン液晶表示素子。
  21. 【請求項２１】 前記液晶層が、キラルドーパントを含
    むことを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶
    表示素子。
  22. 【請求項２２】 前記第１および第２の基板間の少なく
    とも一方の基板上に、負の１軸性フィルムをさらに具備
    することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液
    晶表示素子。
  23. 【請求項２３】 前記第１および第２の基板間の少なく
    とも一方の基板上に、負の２軸性フィルムをさらに具備
    することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液
    晶表示素子。
  24. 【請求項２４】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板間に配される液晶層と、 前記第１の基板上に配される画素電極と、 前記第２の基板上に配される共通電極と、 前記液晶層内の液晶分子の配向方向を制御する誘電フレ
    ームとを具備することを特徴とするマルチドメイン液晶
    表示素子。
  25. 【請求項２５】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために、前記第１の基板上に第１の
    方向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１
    の基板上に第２の方向に配列される複数のデータバス配
    線と、 前記データバス配線を通じて前記画素領域内に充電され
    る画素電極と、 前記第２の基板上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配される共通電極と、 前記画素領域内に配される誘電フレームと、 前記画素領域を除く領域内に配される補助電極と、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  26. 【請求項２６】 前記補助電極は、前記画素電極が形成
    されている層上に配されていることを特徴とする請求項
    ２５記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  27. 【請求項２７】 前記補助電極は、前記ゲートバス配線
    が形成されている層上に配されていることを特徴とする
    請求項２５記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  28. 【請求項２８】 前記補助電極が、前記共通電極に電気
    的に接続されていることを特徴とする請求項２５記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  29. 【請求項２９】 前記補助電極が、ＩＴＯ（酸化錫イン
    ジウム）、アルミニウム、モリブデン、クロミウム、タ
    ンタル、チタンおよびこれらの合金からなるグループか
    ら選択される材料を含むことを特徴とする請求項２５記
    載のマルチドメイン液晶表示素子。
  30. 【請求項３０】 前記共通電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項２５記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  31. 【請求項３１】 前記画素電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項２５記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  32. 【請求項３２】 前記画素領域が、少なくとも２つの部
    分に分割され、前記各部分における前記液晶層内の液晶
    分子が、相互に異なる方向に駆動されることを特徴とす
    る請求項２５記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  33. 【請求項３３】 前記配向層が、少なくとも２つの部分
    に分割され、前記各部分における前記液晶層内の液晶分
    子が、相互に異なる方向に配向されていることを特徴と
    する請求項２５記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  34. 【請求項３４】 前記誘電フレームがスペーサであるこ
    とを特徴とする請求項２５記載のマルチドメイン液晶表
    示素子。
  35. 【請求項３５】 前記第１の基板上に遮光層をさらに具
    備することを特徴とする請求項２５記載のマルチドメイ
    ン液晶表示素子。
  36. 【請求項３６】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために前記第１の基板上に第１の方
    向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１の
    基板上に第２の方向に配列される複数のデータバス配線
    と、 前記データバス配線を通じて前記画素領域内に充電され
    る画素電極と、 前記第１の基板上の前記画素領域を除く領域に配される
    遮光層と、 前記第２の基板上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配される共通電極と、 前記画素領域内に配される誘電フレームと、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  37. 【請求項３７】 前記画素領域を除く領域内に補助電極
    をさらに具備することを特徴とする請求項３６記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  38. 【請求項３８】 前記共通電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項３６記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  39. 【請求項３９】 前記画素電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項３６記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  40. 【請求項４０】 前記誘導フレームが、スペーサである
    ことを特徴とする請求項３６記載のマルチドメイン液晶
    表示素子。
  41. 【請求項４１】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために前記第１の基板上に第１の方
    向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１の
    基板上に第２の方向に配列される複数のデータバス配線
    と、 前記データバス配線を通じて前記画素領域内に充電され
    る画素電極と、 前記第２の基板上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配される共通電極と、 前記画素領域内に配される誘電フレームと、 前記画素領域内に配される電界誘導窓と、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  42. 【請求項４２】 前記画素領域を除く領域内に配される
    補助電極をさらに具備することを特徴とする請求項４１
    記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  43. 【請求項４３】 前記誘電フレームがスペーサであるこ
    とを特徴とする請求項４１記載のマルチドメイン液晶表
    示素子。
  44. 【請求項４４】 前記第１の基板上の前記画素領域を除
    く領域内に、遮光層をさらに具備することを特徴とする
    請求項４１記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  45. 【請求項４５】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために前記第１の基板上に第１の方
    向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１の
    基板上に第２の方向に配列される複数のデータバス配線
    と、 前記データバスを通じて前記画素領域内に充電される画
    素電極と、 前記第２の基板上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配される共通電極と、 前記画素領域内にスペーサとして配される誘電フレーム
    と、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  46. 【請求項４６】 前記共通電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項４５記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  47. 【請求項４７】 前記画素電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項４５記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  48. 【請求項４８】 前記画素領域を除く領域内に補助電極
    をさらに具備することを特徴とする請求項４５記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  49. 【請求項４９】 前記第１の基板上の前記画素領域を除
    く領域内に、遮光層をさらに具備することを特徴とする
    請求項４５記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  50. 【請求項５０】 データ信号が供給される複数のデータ
    バス配線と、 画素領域を画定するために前記データバス配線と交差す
    る複数のゲートバス配線と、 液晶層を駆動する画素電極と、 前記画素領域内に配される誘電フレームと、 前記画素領域を除く領域内に配される遮光層とを具備す
    ることを特徴とするマルチドメイン液晶表示素子。
  51. 【請求項５１】 前記画素領域を除く領域内に補助電極
    をさらに具備することを特徴とする請求項５０記載のマ
    ルチドメイン液晶表示素子。
  52. 【請求項５２】 前記画素領域内に電界誘導窓をさらに
    具備することを特徴とする請求項５０記載のマルチドメ
    イン液晶表示素子。
  53. 【請求項５３】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板の間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために、前記第１の基板に第１の方
    向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１の
    基板に第２の方向に配列される複数のデータバス配線
    と、 前記画素領域内に配される画素電極と、 前記画素電極が形成された領域以外の領域に配され、前
    記液晶層にかけられる電界を歪曲させる誘電フレーム
    と、 前記第２の基板上に配される共通電極と、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  54. 【請求項５４】 前記第１の基板全体の上に配されるゲ
    ート絶縁体と、 前記第１の基板全体の上に配される前記ゲート絶縁体上
    に配される不動態化層と、 前記第２の基板上に配される遮光層と、 該遮光層上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配されるオーバーコート層とを
    さらに具備することを特徴とする請求項５３記載のマル
    チドメイン液晶表示素子。
  55. 【請求項５５】 前記誘電フレームが、前記第１および
    第２の基板間の隙間を均一に維持することを特徴とする
    請求項５３記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  56. 【請求項５６】 前記誘電フレームが、前記画素領域以
    外の領域から漏れる光を遮断することを特徴とする請求
    項５３記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  57. 【請求項５７】 前記誘電フレームが、アクリル樹脂と
    カーボンブラックの混合物を含むことを特徴とする請求
    項５３記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  58. 【請求項５８】 前記画素電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項５３記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  59. 【請求項５９】 前記不動態化層が、その内部に電界誘
    導窓を有することを特徴とする請求項５３記載のマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  60. 【請求項６０】 前記ゲート絶縁体が、その内部に電界
    誘導窓を有することを特徴とする請求項５３記載のマル
    チドメイン液晶表示素子。
  61. 【請求項６１】 前記共通電極が、その内部に電界誘導
    窓を有することを特徴とする請求項５３記載のマルチド
    メイン液晶表示素子。
  62. 【請求項６２】 前記カラーフィルタ層が、その内部に
    電界誘導窓を有することを特徴とする請求項５３記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  63. 【請求項６３】 前記オーバーコート層が、その内部に
    電界誘導窓を有することを特徴とする請求項５３記載の
    マルチドメイン液晶表示素子。
  64. 【請求項６４】 前記画素領域が、少なくとも２つの部
    分に分割され、各部分における前記液晶層内の液晶分子
    が、相互に異なる方向に駆動されることを特徴とする請
    求項５３記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  65. 【請求項６５】 前記配向層が、少なくとも２つの部分
    に分割され、各部分における前記液晶層内の液晶分子
    が、相互に異なる方向に配向されていることを特徴とす
    る請求項５３記載のマルチドメイン液晶表示素子。
  66. 【請求項６６】 相互に対向配置される第１および第２
    の基板と、 該第１および第２の基板間に配される液晶層と、 画素領域を画定するために、前記第１の基板に第１の方
    向に配列される複数のゲートバス配線および前記第１の
    基板に第２の方向に配列される複数のデータバス配線
    と、 前記画素領域内に配される画素電極と、 前記画素領域を取り囲み、前記液晶層にかけられる電界
    を歪曲させる誘電フレームと、 前記第２の基板上に配される共通電極と、 前記第１および第２の基板間の少なくとも一方の基板上
    に配される配向層とを具備することを特徴とするマルチ
    ドメイン液晶表示素子。
  67. 【請求項６７】 前記第１の基板全体の上に配されるゲ
    ート絶縁体と、 前記第１の基板全体の上の前記ゲート絶縁体の上に配さ
    れる不動態化層と、 前記第２の基板上に配される遮光層と、 前記遮光層上に配されるカラーフィルタ層と、 該カラーフィルタ層上に配されるオーバーコート層とを
    さらに具備することを特徴とする請求項６６記載のマル
    チドメイン液晶表示素子。
  68. 【請求項６８】 前記誘電フレームが、前記画素領域以
    外の領域から漏れる光を遮断することを特徴とする請求
    項６６記載のマルチドメイン液晶表示素子。
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