JP2002148649A - 液晶表示装置用基板 - Google Patents
液晶表示装置用基板Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の視野角と共に応答速度を向上
させる。 【解決手段】 画素電極に、切欠き部とＸ字形の突出部
が横方向に長く形成されている。Ｘ字形の突出部は、画
素電極下部に形成されているＸ字形の突起パターンと突
起パターンの上に形成されているゲート絶縁膜及び保護
膜によって形成される。ここで、切欠き部は画素電極を
３個の部分に分割するように形成されており、Ｘ字形の
突出部は、切欠き部によって分割された３個の部分を各
々再び４つの領域に分割する形態で形成されている。画
素領域を定義するゲート線とデータ線の上部にもゲート
絶縁膜と保護膜が形成されていて、画素電極の外郭突起
として作用する。Ｘ字形の突出部と切欠き部及び外郭突
起によって分割された各小領域は等辺台形を成してい
る。
させる。 【解決手段】 画素電極に、切欠き部とＸ字形の突出部
が横方向に長く形成されている。Ｘ字形の突出部は、画
素電極下部に形成されているＸ字形の突起パターンと突
起パターンの上に形成されているゲート絶縁膜及び保護
膜によって形成される。ここで、切欠き部は画素電極を
３個の部分に分割するように形成されており、Ｘ字形の
突出部は、切欠き部によって分割された３個の部分を各
々再び４つの領域に分割する形態で形成されている。画
素領域を定義するゲート線とデータ線の上部にもゲート
絶縁膜と保護膜が形成されていて、画素電極の外郭突起
として作用する。Ｘ字形の突出部と切欠き部及び外郭突
起によって分割された各小領域は等辺台形を成してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用薄
膜トランジスタ基板に関するものである。
膜トランジスタ基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は一般に、共通電極及びカ
ラーフィルターなどが形成されている上部基板と薄膜ト
ランジスタ及び画素電極などが形成されている下部基板
との間に液晶物質を注入して、画素電極と共通電極に互
いに異なる電位を印加し、電界を形成して液晶分子の配
列を変更させ、これにより光の透過率を調節することに
よって画像を表現する装置である。
ラーフィルターなどが形成されている上部基板と薄膜ト
ランジスタ及び画素電極などが形成されている下部基板
との間に液晶物質を注入して、画素電極と共通電極に互
いに異なる電位を印加し、電界を形成して液晶分子の配
列を変更させ、これにより光の透過率を調節することに
よって画像を表現する装置である。
【０００３】ところが、液晶表示装置は視野角の狭いこ
とが重要な短所である。このような短所を克服しようと
視野角を広くするための様々な方案が開発されている
が、その中でも液晶分子を上下基板に対して垂直に配向
し、画素電極とその対向電極の共通電極に一定の切欠き
パターンを形成したり突起を形成する方法が有力視され
ている。切欠きパターンを形成する方法は、画素電極と
共通電極に各々切欠きパターンを形成し、これら切欠き
パターンによって形成されるフリンジフィールド（frin
ge field）を用いて液晶分子が横になる方向を調節する
ことによって視野角を広くする方法である。突起を形成
する方法は、突起によって歪曲される電気場を用いて液
晶分子の横になる方向を調節する方法である。ヨーロッ
パ特許公開番号ＥＰ８８４６２６号（日本国特開平１１
−２５８６０６対応の最先公開公報）には、様々な突起
模様が開示されている。
とが重要な短所である。このような短所を克服しようと
視野角を広くするための様々な方案が開発されている
が、その中でも液晶分子を上下基板に対して垂直に配向
し、画素電極とその対向電極の共通電極に一定の切欠き
パターンを形成したり突起を形成する方法が有力視され
ている。切欠きパターンを形成する方法は、画素電極と
共通電極に各々切欠きパターンを形成し、これら切欠き
パターンによって形成されるフリンジフィールド（frin
ge field）を用いて液晶分子が横になる方向を調節する
ことによって視野角を広くする方法である。突起を形成
する方法は、突起によって歪曲される電気場を用いて液
晶分子の横になる方向を調節する方法である。ヨーロッ
パ特許公開番号ＥＰ８８４６２６号（日本国特開平１１
−２５８６０６対応の最先公開公報）には、様々な突起
模様が開示されている。
【０００４】しかし、このような液晶表示装置では視野
角は改善されるが、応答速度は改善されない。応答速度
が遅くなると残像によって動映像の表示が難しくなる。
角は改善されるが、応答速度は改善されない。応答速度
が遅くなると残像によって動映像の表示が難しくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が目的とする技
術的課題は、液晶表示装置の視野角と共に応答速度を向
上させることである。
術的課題は、液晶表示装置の視野角と共に応答速度を向
上させることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、絶縁基板、前記絶縁基板の上に形成
されており切欠き部を有する画素電極、前記絶縁基板の
上に形成されているＸ字形の突起、前記Ｘ字形突起と前
記切欠き部及び前記画素電極の外郭線によって分割され
る小領域が、前記Ｘ字形突起の中心と接する頂点が面取
りされている液晶表示装置用基板を備える。
るために本発明は、絶縁基板、前記絶縁基板の上に形成
されており切欠き部を有する画素電極、前記絶縁基板の
上に形成されているＸ字形の突起、前記Ｘ字形突起と前
記切欠き部及び前記画素電極の外郭線によって分割され
る小領域が、前記Ｘ字形突起の中心と接する頂点が面取
りされている液晶表示装置用基板を備える。
【０００７】この時、前記小領域の面取りされている頂
点の対向辺は凸形曲線であり、Ｘ字形の突起一つに接し
ている４つの前記小領域の凸形曲線である辺を、その曲
率半径を維持しながら延長すれば、一つの円をなすよう
にすることもできる。
点の対向辺は凸形曲線であり、Ｘ字形の突起一つに接し
ている４つの前記小領域の凸形曲線である辺を、その曲
率半径を維持しながら延長すれば、一つの円をなすよう
にすることもできる。
【０００８】または、絶縁基板、前記絶縁基板の上に形
成されており、切欠き部を有する画素電極、前記絶縁基
板の上に形成されているＸ字形の突起、前記Ｘ字形突起
と前記切欠き部及び前記画素電極の外郭線によって分割
される小領域は鋭角三角形である、液晶表示装置用基板
を備える。
成されており、切欠き部を有する画素電極、前記絶縁基
板の上に形成されているＸ字形の突起、前記Ｘ字形突起
と前記切欠き部及び前記画素電極の外郭線によって分割
される小領域は鋭角三角形である、液晶表示装置用基板
を備える。
【０００９】または、第１基板、前記第１基板に形成さ
れている画素電極、前記第１基板と対向している第２基
板、前記第２基板に形成されている共通電極、前記第１
基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか一側に
形成されており、Ｘ字形である第１小領域分割手段、前
記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか
一側に形成されている第２小領域分割手段を含み、 前
記第１及び第２小領域分割手段と前記画素電極の外郭線
とによって分割される小領域は、前記第１小領域分割手
段のＸ字形の中心と接する頂点が面取りされている、液
晶表示装置を備える。
れている画素電極、前記第１基板と対向している第２基
板、前記第２基板に形成されている共通電極、前記第１
基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか一側に
形成されており、Ｘ字形である第１小領域分割手段、前
記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか
一側に形成されている第２小領域分割手段を含み、 前
記第１及び第２小領域分割手段と前記画素電極の外郭線
とによって分割される小領域は、前記第１小領域分割手
段のＸ字形の中心と接する頂点が面取りされている、液
晶表示装置を備える。
【００１０】前記第１小領域分割手段は突起であって前
記第２基板に形成されており、前記第２小領域分割手段
は前記第１基板の前記画素電極が有する切欠き部である
ことができ、または、前記第１及び第２小領域分割手段
は、各々前記第１基板の前記画素電極と前記第２基板の
前記共通電極が有する切欠き部であることができ、前記
第１及び第２小領域分割手段は前記第１基板に形成され
ており、前記第１小領域分割手段は前記画素電極下部に
形成されている突起であり、前記第２小領域分割手段は
前記画素電極が有する切欠き部であることもできる。
記第２基板に形成されており、前記第２小領域分割手段
は前記第１基板の前記画素電極が有する切欠き部である
ことができ、または、前記第１及び第２小領域分割手段
は、各々前記第１基板の前記画素電極と前記第２基板の
前記共通電極が有する切欠き部であることができ、前記
第１及び第２小領域分割手段は前記第１基板に形成され
ており、前記第１小領域分割手段は前記画素電極下部に
形成されている突起であり、前記第２小領域分割手段は
前記画素電極が有する切欠き部であることもできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参考として本発明の
実施例による液晶表示装置用基板について説明する。
実施例による液晶表示装置用基板について説明する。
【００１２】図１は本発明の第１実施例による液晶表示
装置用基板の配置図であり、図２は図１のII−II'線に
よる断面図である。
装置用基板の配置図であり、図２は図１のII−II'線に
よる断面図である。
【００１３】絶縁基板１０上に横方向にゲート線２０が
形成されており、ゲート線２０と同一導電物質からなる
Ｘ字形の突起パターン２１が形成されている。ゲート線
２０とＸ字形の突起パターン２１の上にはゲート絶縁膜
３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には縦方向
にデータ線６０が形成されている。データ線６０の上に
は保護膜７０が形成されており、保護膜７０上には画素
電極８０が形成されている。
形成されており、ゲート線２０と同一導電物質からなる
Ｘ字形の突起パターン２１が形成されている。ゲート線
２０とＸ字形の突起パターン２１の上にはゲート絶縁膜
３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には縦方向
にデータ線６０が形成されている。データ線６０の上に
は保護膜７０が形成されており、保護膜７０上には画素
電極８０が形成されている。
【００１４】この時、一つの画素電極８０は二つのゲー
ト線２０と二つのデータ線６０とが互いに交差して成す
一つの画素領域に形成されている。また、画素電極８０
は横方向に長く形成されている切欠き部８１とＸ字形の
突出部７１を有する。Ｘ字形の突出部７１は、画素電極
８０下部に形成されているＸ字形の突起パターン２１と
突起パターン２１上に形成されているゲート絶縁膜３０
及び保護膜７０によって形成される。ここで、切欠き部
８１は画素電極８０を３個の部分に分割するように形成
されており、Ｘ字形の突出部７１は、切欠き部８１によ
って分割された３個の部分を各々再び４つの領域に分割
する形態で形成されている。画素領域を定義するゲート
線２０とデータ線６０の上部にもゲート絶縁膜３０と保
護膜７０が形成されていて、画素電極８０の外郭突起と
して作用する。Ｘ字形の突出部７１と切欠き部８１及び
外郭突起によって分割された各小領域は等辺台形をなし
ている。小領域は、画素電極８０が基板１０と直接接触
している部分に定義することもできる。各小領域が等辺
台形をなすのは、Ｘ字形の突起の中心部が四角形をなす
ように幅広く形成されているからである。つまり、三角
形模様の小領域の三頂点のうちで突起のＸ字形の中心と
接している頂点が面取りされている。
ト線２０と二つのデータ線６０とが互いに交差して成す
一つの画素領域に形成されている。また、画素電極８０
は横方向に長く形成されている切欠き部８１とＸ字形の
突出部７１を有する。Ｘ字形の突出部７１は、画素電極
８０下部に形成されているＸ字形の突起パターン２１と
突起パターン２１上に形成されているゲート絶縁膜３０
及び保護膜７０によって形成される。ここで、切欠き部
８１は画素電極８０を３個の部分に分割するように形成
されており、Ｘ字形の突出部７１は、切欠き部８１によ
って分割された３個の部分を各々再び４つの領域に分割
する形態で形成されている。画素領域を定義するゲート
線２０とデータ線６０の上部にもゲート絶縁膜３０と保
護膜７０が形成されていて、画素電極８０の外郭突起と
して作用する。Ｘ字形の突出部７１と切欠き部８１及び
外郭突起によって分割された各小領域は等辺台形をなし
ている。小領域は、画素電極８０が基板１０と直接接触
している部分に定義することもできる。各小領域が等辺
台形をなすのは、Ｘ字形の突起の中心部が四角形をなす
ように幅広く形成されているからである。つまり、三角
形模様の小領域の三頂点のうちで突起のＸ字形の中心と
接している頂点が面取りされている。
【００１５】このようにすると、各小領域における液晶
分子の広がった（splay）構造や曲がった（bend）構造
が強化されることによって応答速度が向上する。透過度
１０％である状態から９０％の状態に変わるのにかかる
応答時間τonと、これとは反対に透過度９０％である状
態から１０％の状態に変わるかかる応答時間τoffとに
対する数学式は次のようである。
分子の広がった（splay）構造や曲がった（bend）構造
が強化されることによって応答速度が向上する。透過度
１０％である状態から９０％の状態に変わるのにかかる
応答時間τonと、これとは反対に透過度９０％である状
態から１０％の状態に変わるかかる応答時間τoffとに
対する数学式は次のようである。
【００１６】
【数１】 ここで、Δεは液晶の誘電体異方性、γは回転粘性係
数、ｄはセルギャップ、Ｅは印加された電圧の強さ、Ｋ
は弾性関連係数を各々示す。係数Ｋは次の数学式で定義
される。
数、ｄはセルギャップ、Ｅは印加された電圧の強さ、Ｋ
は弾性関連係数を各々示す。係数Ｋは次の数学式で定義
される。
【００１７】
【数２】 ここで、Ｋ11は液晶の広がりの弾性係数であり、Ｋ22は
液晶のねじれ弾性係数であり、Ｋ33は液晶の曲りの弾性
係数である。
液晶のねじれ弾性係数であり、Ｋ33は液晶の曲りの弾性
係数である。
【００１８】前記数学式１及び２を参照すれば、応答時
間τon又はτoffは係数Ｋが増加するほど、つまりＫ11
又はＫ33が増加するほど短くなり、これによって応答時
間も改善されることが分かる。以上のように、液晶の広
がる構造や曲がる構造は応答時間を示す数式の分母項に
入るＫ値がねじれ（twist）構造の場合より大きい「Ｋ2
（ｔｗｉｓｔ）≦Ｋ1（ｓｐｌａｙ）、Ｋ2（ｔｗｉｓ
ｔ）≦Ｋ3（ｂｅｎｄ）」。従って、応答時間は、広が
る構造や曲がる構造がねじれ構造に比べて短く、応答速
度は速い。
間τon又はτoffは係数Ｋが増加するほど、つまりＫ11
又はＫ33が増加するほど短くなり、これによって応答時
間も改善されることが分かる。以上のように、液晶の広
がる構造や曲がる構造は応答時間を示す数式の分母項に
入るＫ値がねじれ（twist）構造の場合より大きい「Ｋ2
（ｔｗｉｓｔ）≦Ｋ1（ｓｐｌａｙ）、Ｋ2（ｔｗｉｓ
ｔ）≦Ｋ3（ｂｅｎｄ）」。従って、応答時間は、広が
る構造や曲がる構造がねじれ構造に比べて短く、応答速
度は速い。
【００１９】図３は本発明の第２実施例による液晶表示
装置用基板の配置図であり、図４は図３のIV−IV'線に
よる断面図である。
装置用基板の配置図であり、図４は図３のIV−IV'線に
よる断面図である。
【００２０】絶縁基板１０上に横方向にゲート線２０が
形成されており、ゲート線２０と同一導電物質からなる
Ｘ字形の突起パターン２１が形成されている。ゲート線
２０とＸ字形の突起パターン２１の上にはゲート絶縁膜
３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には縦方向
にデータ線６０が形成されている。データ線６０の上に
は保護膜７０が形成されており、保護膜７０上には画素
電極８０が形成されている。
形成されており、ゲート線２０と同一導電物質からなる
Ｘ字形の突起パターン２１が形成されている。ゲート線
２０とＸ字形の突起パターン２１の上にはゲート絶縁膜
３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上には縦方向
にデータ線６０が形成されている。データ線６０の上に
は保護膜７０が形成されており、保護膜７０上には画素
電極８０が形成されている。
【００２１】この時、一つの画素電極８０は二つのゲー
ト線２０と二つのデータ線６０とが互いに交差して成す
一つの画素領域に形成されている。また、画素電極８０
は、横方向に長く形成されている切欠き部８１とＸ字形
の突出部７１を有する。Ｘ字形の突出部７１は、画素電
極８０下部に形成されているＸ字形の突起パターン２１
と突起パターン２１上に形成されているゲート絶縁膜３
０及び保護膜７０によって形成される。ここで、切欠き
部８１は画素電極８０を３個の部分に分割するように形
成されており、Ｘ字形の突出部７１は、切欠き部８１に
よって分割された３個の部分を各々再び４つの領域に分
割する形態で形成されている。また、Ｘ字形の突出部７
１を構成するゲート絶縁膜３０と保護膜７０は、Ｘ字形
の中心から遠くなるほど幅が広くなるように形成されて
いる。画素領域を定義するゲート線２０とデータ線６０
の上部にもゲート絶縁膜３０と保護膜７０が形成されて
いて、画素電極８０の外郭突起として作用する。小領域
を画素電極８０が基板１０と直接接触している部分に定
義すれば、第２実施例においては小領域は鋭角三角形に
なる。
ト線２０と二つのデータ線６０とが互いに交差して成す
一つの画素領域に形成されている。また、画素電極８０
は、横方向に長く形成されている切欠き部８１とＸ字形
の突出部７１を有する。Ｘ字形の突出部７１は、画素電
極８０下部に形成されているＸ字形の突起パターン２１
と突起パターン２１上に形成されているゲート絶縁膜３
０及び保護膜７０によって形成される。ここで、切欠き
部８１は画素電極８０を３個の部分に分割するように形
成されており、Ｘ字形の突出部７１は、切欠き部８１に
よって分割された３個の部分を各々再び４つの領域に分
割する形態で形成されている。また、Ｘ字形の突出部７
１を構成するゲート絶縁膜３０と保護膜７０は、Ｘ字形
の中心から遠くなるほど幅が広くなるように形成されて
いる。画素領域を定義するゲート線２０とデータ線６０
の上部にもゲート絶縁膜３０と保護膜７０が形成されて
いて、画素電極８０の外郭突起として作用する。小領域
を画素電極８０が基板１０と直接接触している部分に定
義すれば、第２実施例においては小領域は鋭角三角形に
なる。
【００２２】このように小領域が鋭角三角形に形成され
れば、突起周辺領域での曲がる構造や広がる構造が強化
される。
れば、突起周辺領域での曲がる構造や広がる構造が強化
される。
【００２３】図５は本発明の第３実施例による液晶表示
装置用基板の配置図である。
装置用基板の配置図である。
【００２４】第３実施例による液晶表示装置用基板１０
の層配列は第１実施例の配列と同一である。
の層配列は第１実施例の配列と同一である。
【００２５】第３実施例ではＸ字形の突起パターン２１
と連結される共通線２２が形成されている点と、画素電
極８０の外郭線が曲線になっていて小領域の外郭の境界
が曲線で形成されるという点とが第１実施例とは異な
る。薄膜トランジスタを構成するゲート電極２６、ソー
ス電極６５、ドレーン電極６６などが示されている点も
第１実施例を示す図１とは異なる点であるが、図１でも
図示が省略されただけであり、第１実施例でも薄膜トラ
ンジスタが形成されている。
と連結される共通線２２が形成されている点と、画素電
極８０の外郭線が曲線になっていて小領域の外郭の境界
が曲線で形成されるという点とが第１実施例とは異な
る。薄膜トランジスタを構成するゲート電極２６、ソー
ス電極６５、ドレーン電極６６などが示されている点も
第１実施例を示す図１とは異なる点であるが、図１でも
図示が省略されただけであり、第１実施例でも薄膜トラ
ンジスタが形成されている。
【００２６】このように小領域の外郭境界が曲線化され
れば、外郭境界の周辺領域における曲がる構造や広がる
構造が強化される。
れば、外郭境界の周辺領域における曲がる構造や広がる
構造が強化される。
【００２７】図６は本発明の第４実施例による液晶表示
装置用基板の配置図である。
装置用基板の配置図である。
【００２８】第４実施例は画素電極８０の外郭線の曲が
る程度が第３実施例よりさらに激しく、一つのＸ字形の
パターンによって分割される４つの小領域の外郭境界が
円をなすように形成されている。
る程度が第３実施例よりさらに激しく、一つのＸ字形の
パターンによって分割される４つの小領域の外郭境界が
円をなすように形成されている。
【００２９】以上の実施例では突起と切欠きパターンを
全て薄膜トランジスタが形成されている下部基板に形成
する場合に対してのみ説明したが、これとは異なって、
突起は薄膜トランジスタ基板と対向する色フィルターが
形成されている上部基板に形成し、切欠き部だけを薄膜
トランジスタ基板に形成することもできる。また、上下
基板の全てに切欠き部のみを形成して小領域を分割する
こともできる。前記の二つの場合は全て小領域を分割す
る手段である突起や切欠き部は、第１乃至第４実施例の
ような平面的模様を有する。
全て薄膜トランジスタが形成されている下部基板に形成
する場合に対してのみ説明したが、これとは異なって、
突起は薄膜トランジスタ基板と対向する色フィルターが
形成されている上部基板に形成し、切欠き部だけを薄膜
トランジスタ基板に形成することもできる。また、上下
基板の全てに切欠き部のみを形成して小領域を分割する
こともできる。前記の二つの場合は全て小領域を分割す
る手段である突起や切欠き部は、第１乃至第４実施例の
ような平面的模様を有する。
【００３０】図７は、従来の技術による液晶表示装置用
基板と本発明の第１及び第２実施例による液晶表示装置
用基板とを用いて製作した液晶表示装置における印加電
圧Ｖと光透過率Ｔの関係を示すＶ−Ｔ曲線グラフであ
り、図８は、従来の技術による液晶表示装置用基板と本
発明の第１及び第２実施例による薄膜トランジスタ基板
とを用いて製作した液晶表示装置の電圧印加に対する応
答曲線（光透過率の時間的変化）である。
基板と本発明の第１及び第２実施例による液晶表示装置
用基板とを用いて製作した液晶表示装置における印加電
圧Ｖと光透過率Ｔの関係を示すＶ−Ｔ曲線グラフであ
り、図８は、従来の技術による液晶表示装置用基板と本
発明の第１及び第２実施例による薄膜トランジスタ基板
とを用いて製作した液晶表示装置の電圧印加に対する応
答曲線（光透過率の時間的変化）である。
【００３１】図７において、曲線（Ａ）が従来の技術、
曲線（Ｂ）が第１実施例、曲線（Ｃ）が第２実施例に対
するものであり、曲線（Ｄ）は第２実施例でＸ字形の中
心と接した三角形小領域の角度をさらに小さくした場合
に対するものである。従来の技術によるものが多少高い
透過率を示しているが、本発明の実施例によるものもＳ
字型Ｖ−Ｔ曲線を示していて、階調表示に無理が無いこ
とが分かる。
曲線（Ｂ）が第１実施例、曲線（Ｃ）が第２実施例に対
するものであり、曲線（Ｄ）は第２実施例でＸ字形の中
心と接した三角形小領域の角度をさらに小さくした場合
に対するものである。従来の技術によるものが多少高い
透過率を示しているが、本発明の実施例によるものもＳ
字型Ｖ−Ｔ曲線を示していて、階調表示に無理が無いこ
とが分かる。
【００３２】図８では曲線（Ｅ）が従来の技術、曲線
（Ｆ）が第１実施例、曲線（Ｇ）が第２実施例、曲線
（Ｈ）が第２実施例でＸ字形の中心と接した三角形小領
域の角度をさらに小さくした場合に対するものである。
従来の技術に比べて本発明の実施例による応答曲線がオ
ン（ｏｎ）状態でさらに平滑であることが分かる。
（Ｆ）が第１実施例、曲線（Ｇ）が第２実施例、曲線
（Ｈ）が第２実施例でＸ字形の中心と接した三角形小領
域の角度をさらに小さくした場合に対するものである。
従来の技術に比べて本発明の実施例による応答曲線がオ
ン（ｏｎ）状態でさらに平滑であることが分かる。
【００３３】次の表１は従来の技術による液晶表示装置
と本発明の実施例による液晶表示装置との応答時間を比
較したものである。
と本発明の実施例による液晶表示装置との応答時間を比
較したものである。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１に示したように、本発明の実施例によ
る液晶表示装置の応答時間が従来技術のものに比べて短
い。これは、前述したように、液晶分子の曲がる構造や
広がる構造が強化された結果である。
る液晶表示装置の応答時間が従来技術のものに比べて短
い。これは、前述したように、液晶分子の曲がる構造や
広がる構造が強化された結果である。
【００３６】図９ａはデータ線と画素電極の間の距離が
５μｍである場合の画素状態であり、図９ｂはデータ線
と画素電極の間の距離が１０μｍである場合の画素状態
である。
５μｍである場合の画素状態であり、図９ｂはデータ線
と画素電極の間の距離が１０μｍである場合の画素状態
である。
【００３７】図面から分かるように、画素電極間の距離
が１０μｍである場合が５μｍである場合に比べて三角
形の小領域内で形成されるブラシ（brush）またはテク
スチャー（texture）がさらに少ないことが分かる。つ
まり、画素電極間の距離が遠くなるほど小領域内で液晶
配列が安定になり、ブラシが少なくなる。
が１０μｍである場合が５μｍである場合に比べて三角
形の小領域内で形成されるブラシ（brush）またはテク
スチャー（texture）がさらに少ないことが分かる。つ
まり、画素電極間の距離が遠くなるほど小領域内で液晶
配列が安定になり、ブラシが少なくなる。
【００３８】
【発明の効果】以上のような構造で液晶表示装置用基板
を製造すれば、各小領域での液晶分子の曲がる構造と広
がる構造が強化されて応答速度が向上する。
を製造すれば、各小領域での液晶分子の曲がる構造と広
がる構造が強化されて応答速度が向上する。
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用基板
の配置図である。
の配置図である。
【図２】図１のII−II'線による断面図である。
【図３】本発明の第２実施例による液晶表示装置用基板
の配置図である。
の配置図である。
【図４】図３のIV−IV'線による断面図である。
【図５】本発明の第３実施例による液晶表示装置用基板
の配置図である。
の配置図である。
【図６】本発明の第４実施例による液晶表示装置用基板
の配置図である。
の配置図である。
【図７】本発明の第１乃至第４実施例による液晶表示装
置用基板を用いて製作した液晶表示装置のＶ−Ｔ曲線グ
ラフである。
置用基板を用いて製作した液晶表示装置のＶ−Ｔ曲線グ
ラフである。
【図８】本発明の第１乃至第４実施例による薄膜トラン
ジスタ基板を用いて製作した液晶表示装置の電圧印加に
対する応答曲線である。
ジスタ基板を用いて製作した液晶表示装置の電圧印加に
対する応答曲線である。
【図９ａ】データ線と画素電極との間の距離が５μｍで
ある場合の画素状態である。
ある場合の画素状態である。
【図９ｂ】データ線と画素電極との間の距離が１０μｍ
である場合の画素状態である。
である場合の画素状態である。
１０ 絶縁基板 ２０ ゲート線 ２１ Ｘ字形突起パターン ２２ 共通線 ２６ ゲート電極 ３０ ゲート絶縁膜 ６０ データ線 ６５ ソース電極 ６６ ドレーン電極 ７０ 保護膜 ７１ Ｘ字形の突出部 ８０ 画素電極 ８１ 切欠き部
フロントページの続き (72)発明者 李 京 恩 大韓民国ソウル市江南区道谷１洞149−２ 番地メボン三星アパート1706号 (72)発明者 金 東 奎 大韓民国京畿道水原市八達区仁溪洞鮮京ア パート302棟801号 Ｆターム(参考） 2H089 HA15 JA08 QA16 TA01 TA02 2H090 HA07 JA05 LA01 LA04 2H092 GA13 GA17 GA21 JA24 JB05 NA05
Claims (10)
- 【請求項１】絶縁基板、 前記絶縁基板の上に形成されており切欠き部を有する画
素電極、 前記絶縁基板の上に形成されているＸ字形の突起、 前記Ｘ字形突起と前記切欠き部及び前記画素電極の外郭
線によって分割される小領域は、前記Ｘ字形突起の中心
と接する頂点が面取りされている、液晶表示装置用基
板。 - 【請求項２】前記小領域の面取りされている頂点の対向
辺は凸形曲線である、請求項１に記載の液晶表示装置用
基板。 - 【請求項３】前記Ｘ字形の突起一つに接している４つの
前記小領域の凸形曲線である辺を、その曲率半径を維持
しながら延長すれば、一つの円をなす、請求項２に記載
の液晶表示装置用基板。 - 【請求項４】絶縁基板、前記絶縁基板の上に形成されて
おり切欠き部を有する画素電極、 前記絶縁基板の上に形成されているＸ字形の突起、 前記Ｘ字形突起と前記切欠き部及び前記画素電極の外郭
線によって分割される小領域は鋭角三角形である、液晶
表示装置用基板。 - 【請求項５】前記Ｘ字形突起は前記画素電極の下部に位
置して、前記画素電極の表面を突出させている、請求項
１又は４に記載の液晶表示装置用基板。 - 【請求項６】第１基板、 前記第１基板に形成されている画素電極、 前記第１基板と対向している第２基板、 前記第２基板に形成されている共通電極、 前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれ
か一側に形成されており、Ｘ字形である第１小領域分割
手段、 前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれ
か一側に形成されている第２小領域分割手段を含み、 前記第１及び第２小領域分割手段と前記画素電極の外郭
線とによって分割される小領域は、前記第１小領域分割
手段のＸ字形の中心と接する頂点が面取りされている、
液晶表示装置。 - 【請求項７】第１基板、 前記第１基板に形成されている画素電極、 前記第１基板と対向している第２基板、 前記第２基板に形成されている共通電極、 前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれ
か一側に形成されており、Ｘ字形である第１小領域分割
手段、 前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれ
か一側に形成されている第２小領域分割手段を含み、 前記第１及び第２小領域分割手段と前記画素電極の外郭
線とによって分割される小領域は鋭角三角形である、液
晶表示装置。 - 【請求項８】前記第１小領域分割手段は突起であって前
記第２基板に形成されており、前記第２小領域分割手段
は前記第１基板の前記画素電極が有する切欠き部であ
る、請求項６又は７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】前記第１及び第２小領域分割手段は、各々
前記第１基板の前記画素電極と前記第２基板の前記共通
電極が有する切欠き部である、請求項６又は７に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記第１及び第２小領域分割手段は前記
第１基板に形成されており、前記第１小領域分割手段は
前記画素電極下部に形成されている突起であり、前記第
２小領域分割手段は前記画素電極が有する切欠き部であ
る、請求項６又は７に記載の液晶表示装置。
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| KR1020000054918A KR100656911B1 (ko) | 2000-09-19 | 2000-09-19 | 액정 표시 장치용 기판 |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009116333A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Toppoly Optoelectronics Corp | 液晶ディスプレイ装置 |
| KR100910558B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2009-08-03 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판 |
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| JP2012027205A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JP2014197218A (ja) * | 2014-06-18 | 2014-10-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示パネル |
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| KR100920348B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2009-10-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
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| WO2005101108A1 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid crystal display device |
| WO2007135853A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
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| CN104377205B (zh) * | 2013-08-14 | 2017-07-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示基板及制备方法、柔性显示装置 |
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| JP2001174824A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Nec Corp | 配向分割型液晶表示装置、その製造方法及びその画像表示方法 |
| KR100389091B1 (ko) * | 2000-08-29 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 |
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2000
- 2000-09-19 KR KR1020000054918A patent/KR100656911B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-09-19 JP JP2001284736A patent/JP4860850B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-19 US US09/955,218 patent/US6700635B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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| JP4860850B2 (ja) | 2012-01-25 |
| US20020054264A1 (en) | 2002-05-09 |
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