JP4618003B2 - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
従来、携帯電話等に用いられる表示装置として、上基板と下基板との間に液晶層が挟持された構成の液晶装置が知られている。中でも、液晶層として垂直配向タイプの液晶を用いた液晶装置（ＶＡモード）は、広い視角特性を有するものとして知られている。
このような垂直配向型の液晶装置では、表示領域の液晶層側に突起やスリット等の配向規制手段を設け、初期状態で垂直配向した液晶を電圧印加に伴って所定方向に傾倒させる構成が提案されている。また、画素の構造として、複数の構成単位からなる配向分割構造が採用され、輝度向上や液晶応答速度の改善が実現した液晶装置が提案されている。
このような垂直配向型の液晶装置では、表示領域の液晶層側に突起やスリット等の配向規制手段を設け、初期状態で垂直配向した液晶を電圧印加に伴って所定方向に傾倒させる構成が提案されている。また、画素の構造として、複数の構成単位からなる配向分割構造が採用され、輝度向上や液晶応答速度の改善が実現した液晶装置が提案されている。
また、垂直配向型の液晶装置においては、上記構成により配向制御を行うものの、白表示を行う際に、液晶の波長分散に起因して色づきが発生してしまうという欠点がある。
このような色づきを改善する技術として、複数の表示色（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））の画素のうち一つの画素だけ別の電圧で駆動させて、色補正を行う技術が提案されているが、この構成では駆動回路が複雑になってしまう。
そこで、近年では、各画素における突起やスリットの幅や高さを変えることによって、画素毎に透過率を色毎に補正し、色づきを改善する技術が提案されている（特許文献１参照。）。当該技術においては、ＭＶＡ方式（突起、スリットを上下基板に交互に「く」の字型に配置し、４つのドメインを形成）を採用しており、波長分散による白表示の色づきをスリット幅、補助突起、突起の高さによって補正し、ＲＧＢ毎に分割数を変えることで色づき補正を行っている。
特開２０００−２６７０７９号公報
このような色づきを改善する技術として、複数の表示色（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））の画素のうち一つの画素だけ別の電圧で駆動させて、色補正を行う技術が提案されているが、この構成では駆動回路が複雑になってしまう。
そこで、近年では、各画素における突起やスリットの幅や高さを変えることによって、画素毎に透過率を色毎に補正し、色づきを改善する技術が提案されている（特許文献１参照。）。当該技術においては、ＭＶＡ方式（突起、スリットを上下基板に交互に「く」の字型に配置し、４つのドメインを形成）を採用しており、波長分散による白表示の色づきをスリット幅、補助突起、突起の高さによって補正し、ＲＧＢ毎に分割数を変えることで色づき補正を行っている。
しかしながら、上記の特許文献においては、スリット幅を異ならせたり、補助突起を設けたりするため、画素毎に開口率が変わってしまうという問題がある。これによって、透過率に寄与しないスリットや突起の面積が増えてしまい、透過率を最大限利用することができないという問題がある。また、画素毎に突起の高さを変える構成では、開口率の低下を防げるものの、工程数が増加し、プロセスへの負荷が増えてしまうという問題がある。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、垂直配向タイプの液晶層を駆動させる際に、開口率低下や工程数増加を抑制しつつ、色づきの補正を実現できる液晶装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明の液晶装置は、一対の基板間に、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる液晶層を備え、互いに表示色が異なる複数の画素によって表示単位を構成する液晶装置であって、前記複数の画素の各々は、複数に分割されたサブドットと、当該サブドットの各々に設けられた配向規制手段とを備え、前記複数の画素のうち、少なくとも一つの画素におけるサブドットの数は、他の画素におけるサブドットの数と異なっていること、を特徴としている。
即ち、本発明の液晶装置は、一対の基板間に、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる液晶層を備え、互いに表示色が異なる複数の画素によって表示単位を構成する液晶装置であって、前記複数の画素の各々は、複数に分割されたサブドットと、当該サブドットの各々に設けられた配向規制手段とを備え、前記複数の画素のうち、少なくとも一つの画素におけるサブドットの数は、他の画素におけるサブドットの数と異なっていること、を特徴としている。
ここで、複数の画素の各々は、同じ面積（大きさ）となっており、マトリクス状に配列している。また、サブドットの各々には、配向規制手段が設けられているので、液晶分子の配向は、電圧印加時に配向規制手段からサブドットの周縁に向けて規制される。また、当該液晶分子は、サブドットの周縁部と配向規制手段との間の制御距離、厳密には配向規制手段からサブドットの周縁部への放射方向における制御距離の平均値に起因するＶ−Ｔ特性（電圧−透過率特性）によって配向規制される。そして、Ｖ−Ｔ特性において、制御距離が長くなると緩やかな特性曲線を有するものとなり、制御距離が短くなると急峻な特性曲線を有するものとなる。
そして、本発明においては、複数の画素のうち、少なくとも一つの画素におけるサブドットの数が、他の画素におけるサブドットの数と異なっているので、一つの画素におけるサブドットの液晶分子の制御距離を、他の画素におけるサブドットの液晶分子の制御距離と異ならせることができる。換言すれば、サブドット数が少ない第１の画素における制御距離を、サブドット数が多い第２の画素における制御距離よりも長くすることができる。
従って、本発明によれば、制御距離が長い画素における液晶分子を緩やかなＶ−Ｔ特性で駆動させることができ、制御距離が短い画素における液晶分子を急峻なＶ−Ｔ特性で駆動させることができる。即ち、複数の画素の各々において、Ｖ−Ｔ特性の急峻性を補正できる。従って、複数の画素からなる画素群においては、複数の画素の各々が発光して合成される光が所望の波長分布となるように調整できる。例えば、合成された光が白色光である場合には、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
従って、本発明によれば、制御距離が長い画素における液晶分子を緩やかなＶ−Ｔ特性で駆動させることができ、制御距離が短い画素における液晶分子を急峻なＶ−Ｔ特性で駆動させることができる。即ち、複数の画素の各々において、Ｖ−Ｔ特性の急峻性を補正できる。従って、複数の画素からなる画素群においては、複数の画素の各々が発光して合成される光が所望の波長分布となるように調整できる。例えば、合成された光が白色光である場合には、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
そして、本発明は、一つの画素におけるサブドットの数を、他の画素におけるサブドットの数と異ならせるという簡素な構成によって、上記の効果が得られるものであり、構造的に従来技術よりも優れた液晶装置となる。具体的には、従来技術のようにスリット幅を異ならせたり、補助突起を設けたりすることがないので、画素毎に開口率が変わるということがない。また、透過率に寄与しないスリットや突起の面積が増えるということもない。更に、画素毎に突起の高さを変えていないので、工程数が増加してプロセスへの負荷が増えてしまうという問題を回避できる。
本発明は、上記の効果が得られると共に、複数の画素の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、少ない工程数で本発明の液晶装置を製造できる。
本発明は、上記の効果が得られると共に、複数の画素の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、少ない工程数で本発明の液晶装置を製造できる。
また、本発明の液晶装置においては、前記複数の画素のうち、一つの画素は青色の表示色で表示する青色画素であって、当該青色画素におけるサブドットの数は、他の画素におけるサブドットの数よりも少ないこと、を特徴としている。
本発明者は、複数の画素の各々がＲＧＢの表示色を有する場合において、青色（Ｂ）の画素におけるＶ−Ｔ特性が、他の画素と比較して急峻になることを見出した。更に、本発明者は、このような青色画素のＶ−Ｔ特性に起因して、ＲＧＢの画素の表示色が合成された光としては、白色光となるものの、黄色に色づくことを確認した。
そこで、本発明のように青色画素におけるサブドットの数を他の画素よりも少なくすることで、元々は急峻な特性を有していたＶ−Ｔ特性を緩やかな曲線となるように補正できる。更に、青色画素と他の画素との表示光が合成された白色光においては、上記のように問題となっていた黄色の色づきが解消され、無彩色にすることができる。
また、本発明においては、このような効果が得られると共に、複数の画素の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、簡素な工程で本発明の液晶装置を実現できる。
そこで、本発明のように青色画素におけるサブドットの数を他の画素よりも少なくすることで、元々は急峻な特性を有していたＶ−Ｔ特性を緩やかな曲線となるように補正できる。更に、青色画素と他の画素との表示光が合成された白色光においては、上記のように問題となっていた黄色の色づきが解消され、無彩色にすることができる。
また、本発明においては、このような効果が得られると共に、複数の画素の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、簡素な工程で本発明の液晶装置を実現できる。
また、本発明の液晶装置においては、前記複数の画素のうち、一つの画素は赤色の表示色で表示する赤色画素であって、当該赤色画素におけるサブドットの数は、他の画素におけるサブドットの数よりも多いこと、を特徴としている。
本発明者は、複数の画素の各々がＲＧＢの表示色を有する場合において、青色（Ｂ）の画素におけるＶ−Ｔ特性の急峻性を補正しただけでは、ＲＧＢの画素のＶ−Ｔ特性を全て略一致させることができないことを見出した。具体的には、赤色（Ｒ）の画素におけるＶ−Ｔ特性が、他の画素と比較して緩やかになっていることを見出した。
そこで、本発明のように赤色画素におけるサブドットの数を他の画素よりも多くすることで、元々は緩やかな特性を有していたＶ−Ｔ特性を急峻な曲線となるように補正できる。従って、ＲＧＢの画素のＶ−Ｔ特性を略一致させることができる。更に、ＲＧＢの画素の表示光が合成された白色光においては、上記と同様に黄色の色づきが解消されると共に、赤色画素の表示光のＶ−Ｔ特性を補正することで、より一層に無彩色化が達成された白色光を実現できる。
また、本発明においては、このような効果が得られると共に、複数の画素の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、簡素な工程で本発明の液晶装置を実現できる。
そこで、本発明のように赤色画素におけるサブドットの数を他の画素よりも多くすることで、元々は緩やかな特性を有していたＶ−Ｔ特性を急峻な曲線となるように補正できる。従って、ＲＧＢの画素のＶ−Ｔ特性を略一致させることができる。更に、ＲＧＢの画素の表示光が合成された白色光においては、上記と同様に黄色の色づきが解消されると共に、赤色画素の表示光のＶ−Ｔ特性を補正することで、より一層に無彩色化が達成された白色光を実現できる。
また、本発明においては、このような効果が得られると共に、複数の画素の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、簡素な工程で本発明の液晶装置を実現できる。
また、本発明の液晶装置においては、前記配向規制手段は、一方の前記基板の側から前記液晶層に向けて突出する突起部であること、を特徴としている。
このように本発明の液晶装置は、配向規制手段として突起部を有しているので、垂直配向モードの液晶における電界印加時の配向方向を規制するための好ましい構成となる。垂直配向モードを採用した場合には一般にネガ型液晶を用いるが、初期配向状態で液晶分子が基板面に対して垂直に立っているものを、電界印加により倒すわけであるから、何も工夫をしなければ（プレチルトが付与されていなければ）液晶分子の倒れる方向を規制できず、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じて光抜け等の表示不良が生じ、表示特性を落としてしまう。そのため、垂直配向モードの採用にあたっては、電界印加時の液晶分子の配向規制が重要な要素となる。
そこで、本発明の液晶装置においては、液晶層に向けて突出する突起部を備えているので、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部の斜面に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
このように本発明の液晶装置は、配向規制手段として突起部を有しているので、垂直配向モードの液晶における電界印加時の配向方向を規制するための好ましい構成となる。垂直配向モードを採用した場合には一般にネガ型液晶を用いるが、初期配向状態で液晶分子が基板面に対して垂直に立っているものを、電界印加により倒すわけであるから、何も工夫をしなければ（プレチルトが付与されていなければ）液晶分子の倒れる方向を規制できず、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じて光抜け等の表示不良が生じ、表示特性を落としてしまう。そのため、垂直配向モードの採用にあたっては、電界印加時の液晶分子の配向規制が重要な要素となる。
そこで、本発明の液晶装置においては、液晶層に向けて突出する突起部を備えているので、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部の斜面に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
また、本発明の液晶装置においては、前記配向規制手段は、一方の前記基板における電極の一部が切り欠かれたスリット部であること、を特徴としている。
このように本発明の液晶装置は、配向規制手段としてスリット部を有しているので、垂直配向モードの液晶における電界印加時の配向方向を規制するための好ましい構成となる。具体的に説明すると、一方の電極にスリット部が形成されていることによって、液晶層を挟持して対向する一対の電極間に電圧が印加されると、両電極の間に当該スリット部の形成位置に沿って斜め電界を生じさせることができる。そして、当該斜め電界に倣わせて、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることができる。即ち、スリット部は、電界制御による液晶分子の配向規制手段として機能することとなる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
このように本発明の液晶装置は、配向規制手段としてスリット部を有しているので、垂直配向モードの液晶における電界印加時の配向方向を規制するための好ましい構成となる。具体的に説明すると、一方の電極にスリット部が形成されていることによって、液晶層を挟持して対向する一対の電極間に電圧が印加されると、両電極の間に当該スリット部の形成位置に沿って斜め電界を生じさせることができる。そして、当該斜め電界に倣わせて、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることができる。即ち、スリット部は、電界制御による液晶分子の配向規制手段として機能することとなる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
また、本発明の液晶装置においては、前記配向規制手段の平面形状は、十字状であること、を特徴としている。
本発明者は、配向規制手段の平面形状が点状又は縦長状となっている場合よりも、十字状となっている場合において、配向の乱れを抑制して確実に配向規制することが可能であることを見出し、発明を想到した。
具体的には、配向規制手段が点状又は縦長状となっている場合には、液晶分子は点状又は縦長状の配向規制手段から放射状にサブドットの周縁部に向けて配向規制されるものの、当該配向規制方向に交差する方向においては、液晶分子の配向が安定し難くなり、配向が乱れやすくなるという問題があった。
これに対して、本発明のように、配向規制手段が十字状である場合においては、十字状の先端部における液晶分子の配向規制力が大きくなり、当該配向規制力が大きくなっている液晶分子によって、その間の液晶分子が安定して配向規制する。従って、配向の乱れを抑制して確実に配向規制することができる。
本発明者は、配向規制手段の平面形状が点状又は縦長状となっている場合よりも、十字状となっている場合において、配向の乱れを抑制して確実に配向規制することが可能であることを見出し、発明を想到した。
具体的には、配向規制手段が点状又は縦長状となっている場合には、液晶分子は点状又は縦長状の配向規制手段から放射状にサブドットの周縁部に向けて配向規制されるものの、当該配向規制方向に交差する方向においては、液晶分子の配向が安定し難くなり、配向が乱れやすくなるという問題があった。
これに対して、本発明のように、配向規制手段が十字状である場合においては、十字状の先端部における液晶分子の配向規制力が大きくなり、当該配向規制力が大きくなっている液晶分子によって、その間の液晶分子が安定して配向規制する。従って、配向の乱れを抑制して確実に配向規制することができる。
また、本発明の液晶装置においては、前記一対の基板のうち、一方の基板の側に前記突起部が設けられ、他方の基板の側に前記スリット部が設けられていること、を特徴としている。
このようにすれば、一対の基板の両方に配向規制手段が設けられることになるので、一方の基板のみに配向規制手段が設けられている場合よりも、液晶分子を配向させる規制力を大きく生じさせることができる。
具体的には、突起部が設けられている基板側においては、液晶分子が突起部の斜面に応じたプレチルトを持つこととなり、当該液晶分子を電圧印加時に突起部の斜面の沿う方向に傾倒させて配向規制することができる。更に、スリット部が設けられている基板側においては、スリット部の形成位置に沿って斜め電界を生じさせることができ、当該斜め電界に倣わせて電圧印加時の液晶分子を傾倒させて配向規制することができる。
このようにすれば、一対の基板の両方に配向規制手段が設けられることになるので、一方の基板のみに配向規制手段が設けられている場合よりも、液晶分子を配向させる規制力を大きく生じさせることができる。
具体的には、突起部が設けられている基板側においては、液晶分子が突起部の斜面に応じたプレチルトを持つこととなり、当該液晶分子を電圧印加時に突起部の斜面の沿う方向に傾倒させて配向規制することができる。更に、スリット部が設けられている基板側においては、スリット部の形成位置に沿って斜め電界を生じさせることができ、当該斜め電界に倣わせて電圧印加時の液晶分子を傾倒させて配向規制することができる。
また、本発明の電子機器は、上記の液晶装置を具備することを特徴としている。
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。
従って、本発明によれば、先に記載の液晶装置を用いた表示部を備えているので、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できるので、良好な表示特性の表示部を備えた電子機器を提供できる。
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。
従って、本発明によれば、先に記載の液晶装置を用いた表示部を備えているので、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できるので、良好な表示特性の表示部を備えた電子機器を提供できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
（第１実施形態）
まず、本発明の液晶装置に係る第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。
以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode、以下、ＴＦＤと略記する）を用いたアクティブマトリクス型であると共に、バックライトからの光を利用して表示を可能にした透過型の液晶装置である。
まず、本発明の液晶装置に係る第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。
以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode、以下、ＴＦＤと略記する）を用いたアクティブマトリクス型であると共に、バックライトからの光を利用して表示を可能にした透過型の液晶装置である。
図１は、本実施形態の液晶装置１００についての等価回路を示している。この液晶装置１００は、走査信号駆動回路１１０及びデータ信号駆動回路１２０を含んでいる。液晶装置１００には、信号線として、複数の走査線１３と、当該走査線１３と交差する複数のデータ線９とが設けられ、走査線１３は走査信号駆動回路１１０により、データ線９はデータ信号駆動回路１２０により、各々駆動される。そして、各画素１５０において、走査線１３とデータ線９との間にＴＦＤ素子４０と液晶表示要素１６０（後述する液晶層５０）とが直列に接続されている。
なお、図１では、ＴＦＤ素子４０が走査線１３側に接続され、液晶表示要素１６０がデータ線９側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４０をデータ線９側に、液晶表示要素１６０を走査線１３側に設ける構成としてもよい。
なお、図１では、ＴＦＤ素子４０が走査線１３側に接続され、液晶表示要素１６０がデータ線９側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４０をデータ線９側に、液晶表示要素１６０を走査線１３側に設ける構成としてもよい。
次に、図２に基づいて、本実施形態の液晶装置１００に具備された電極構造（画素構造）の模式構造について説明する。
図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００では、走査線１３に対しＴＦＤ素子４０を介して接続された画素電極（第１電極）３１がマトリクス状に設けられており、当該画素電極３１と紙面垂直方向に平面的に対向して共通電極（第２電極）９が短冊状に設けられている。共通電極９は、図１におけるデータ線９と同一であり、走査線１３と交差する形のストライプ形状を有している。本実施形態において、各画素電極３１が形成された個々の領域が１つの画素であり、マトリクス状に配置された各画素にＴＦＤ素子４０が具備されており、当該画素毎に表示が可能な構成になっている。
また、画素電極３１は、後述するように複数のサブドットによって構成されたものとなっている。
図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００では、走査線１３に対しＴＦＤ素子４０を介して接続された画素電極（第１電極）３１がマトリクス状に設けられており、当該画素電極３１と紙面垂直方向に平面的に対向して共通電極（第２電極）９が短冊状に設けられている。共通電極９は、図１におけるデータ線９と同一であり、走査線１３と交差する形のストライプ形状を有している。本実施形態において、各画素電極３１が形成された個々の領域が１つの画素であり、マトリクス状に配置された各画素にＴＦＤ素子４０が具備されており、当該画素毎に表示が可能な構成になっている。
また、画素電極３１は、後述するように複数のサブドットによって構成されたものとなっている。
ここで、ＴＦＤ素子４０は、走査線１３と画素電極３１とを接続するスイッチング素子であって、ＴＦＤ素子４０は、Ｔａを主成分とする第１導電膜と、第１導電膜の表面に形成され、Ｔａ２Ｏ３を主成分とする絶縁膜と、絶縁膜の表面に形成され、Ｃｒを主成分とする第２導電膜とを含むＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を具備して構成されている。そして、ＴＦＤ素子４０の第１導電膜が走査線１３に接続され、第２導電膜が画素電極３１に接続されている。
次に、図３に基づいて、本実施形態の液晶装置１００の画素群について説明する。
図３（ａ）は、液晶装置１００の画素構成のうち主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
図３（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が一つのまとまりとなって構成された画素群Ｐｘを備えている。
また、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々は、画素電極３１を備えると共に、３つの画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には一つの画素に対応して３原色（ＲＧＢ）のうちの一つの着色層が配設されている。具体的に説明すると、３つの画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々には、着色層２２Ｂ（青色），２２Ｇ（緑色），２２Ｒ（赤色）が配設されている。従って、３つの画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々は、青色画素Ｄ１，緑色画素Ｄ２，赤色画素Ｄ３を構成するものとなっている。そして、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３からＲＧＢの各色の表示光が出射して混色することにより、画素群Ｐｘはフルカラー表示をするようになっている。つまり、一つの画素群Ｐｘは、フルカラー表示が可能な表示単位とされている。
また、本実施形態の液晶装置１００は、透過型の液晶装置であるため、図３（ｂ）に示すように下基板１０の外面側にバックライト１５を備えた構成となっている。そして、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々における液晶層５０への印加電圧が制御されることで、各画素におけるバックライト１５の照明光の透過量が調整され、ＲＧＢの表示光が混色する割合が制御されて、画素群Ｐｘのフルカラー表示が諧調されるようになっている。
図３（ａ）は、液晶装置１００の画素構成のうち主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
図３（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が一つのまとまりとなって構成された画素群Ｐｘを備えている。
また、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々は、画素電極３１を備えると共に、３つの画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３には一つの画素に対応して３原色（ＲＧＢ）のうちの一つの着色層が配設されている。具体的に説明すると、３つの画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々には、着色層２２Ｂ（青色），２２Ｇ（緑色），２２Ｒ（赤色）が配設されている。従って、３つの画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々は、青色画素Ｄ１，緑色画素Ｄ２，赤色画素Ｄ３を構成するものとなっている。そして、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３からＲＧＢの各色の表示光が出射して混色することにより、画素群Ｐｘはフルカラー表示をするようになっている。つまり、一つの画素群Ｐｘは、フルカラー表示が可能な表示単位とされている。
また、本実施形態の液晶装置１００は、透過型の液晶装置であるため、図３（ｂ）に示すように下基板１０の外面側にバックライト１５を備えた構成となっている。そして、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々における液晶層５０への印加電圧が制御されることで、各画素におけるバックライト１５の照明光の透過量が調整され、ＲＧＢの表示光が混色する割合が制御されて、画素群Ｐｘのフルカラー表示が諧調されるようになっている。
また、図３（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、その断面構造を大別すると、上基板２５と、当該上基板２５に対向配置された下基板１０と、当該両基板２５，１０の間に挟持された液晶層５０と、を備える構成となっている。
ここで、液晶層５０は、初期配向状態が垂直配向をとる液晶、即ち、誘電異方性が負の液晶材料からなるものである。即ち、液晶装置１００は垂直配向モードを採用した透過型の液晶装置である。また、本実施形態の液晶層５０は、電圧非印加時に両基板２５，１０間を非透過状態にする、所謂ノーマリーブラックモードの液晶材料を採用している。
ここで、液晶層５０は、初期配向状態が垂直配向をとる液晶、即ち、誘電異方性が負の液晶材料からなるものである。即ち、液晶装置１００は垂直配向モードを採用した透過型の液晶装置である。また、本実施形態の液晶層５０は、電圧非印加時に両基板２５，１０間を非透過状態にする、所謂ノーマリーブラックモードの液晶材料を採用している。
（下基板の構成）
下基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａの表面（基板本体１０Ａの液晶層側）に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇが設けられている。また、各着色層の周縁は金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭによって囲まれ、ブラックマトリクスＢＭにより各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の境界が形成されている（図３（ａ）参照）。
下基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａの表面（基板本体１０Ａの液晶層側）に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇが設けられている。また、各着色層の周縁は金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭによって囲まれ、ブラックマトリクスＢＭにより各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の境界が形成されている（図３（ａ）参照）。
更に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇ上には、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）からなる共通電極９が形成されている。当該共通電極９は、図３中の紙面左右方向に延在しており、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に共通して設けられた電極である。
また、共通電極９上には、突起部（配向規制手段）２４が設けられている。当該突起部２４は、アクリル樹脂等の有機膜からなる樹脂材料によって形成され、下基板１０から液晶層５０に突出するように設けられている。また、突起部２４は、平面視において円形点状の形状となっており、側面視においては三角形状となっている。即ち、突起部２４は、共通電極９上に円錐状に設けられている。
また、突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９から同じ高さで形成されている。このような突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９上に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
また、突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９から同じ高さで形成されている。このような突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９上に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
また、共通電極９及び突起部２４の表面には、これらを被覆するようにポリイミド等の樹脂材料や無機材料からなる配向膜２７が形成されている。配向膜２７は液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものであって、ラビングなどの配向処理は施されていない。
（上基板の構成）
上基板２５においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの表面（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０に接続される走査線１３と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなりＴＦＤ素子４０に接続される画素電極３１と、走査線１３及び画素電極３１を被覆する配向膜３３と、が形成されている。
上基板２５においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの表面（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０に接続される走査線１３と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなりＴＦＤ素子４０に接続される画素電極３１と、走査線１３及び画素電極３１を被覆する配向膜３３と、が形成されている。
図３（ａ）に示すように、画素電極３１には、自身の一部を部分的に切り欠いてなる切欠部３２が形成されている。当該切欠部３２は、画素電極３１をパターニング形成する際に、同時に形成されたものである。このような切欠部３２が形成されたことにより、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となる。
このようなサブドット構造を備えることにより、画素電極３１と共通電極９との間に当該切欠部３２の形成位置に沿って斜め電界を生じさせることが可能となる。そして、当該斜め電界に伴って、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることが可能となる。即ち、切欠部３２は、電界制御による液晶分子の配向規制手段として機能することとなる。
このようなサブドット構造を備えることにより、画素電極３１と共通電極９との間に当該切欠部３２の形成位置に沿って斜め電界を生じさせることが可能となる。そして、当該斜め電界に伴って、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることが可能となる。即ち、切欠部３２は、電界制御による液晶分子の配向規制手段として機能することとなる。
また、図３（ａ）に示すように、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のうち、少なくとも一つの画素におけるサブドットの数は、他の画素におけるサブドットの数よりも少なくなっている。即ち、着色層２２Ｂを備えて青色の表示光を示す青色画素Ｄ１のサブドット３１ａ，３１ｂの数（２個）は、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃの数（３個）よりも少なくなっている。
また、青色画素Ｄ１においては、各サブドット３１ａ，３１ｂが連結部５９によって連結されて同電位となっている。また、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３の各々においては、サブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが連結部５９によって連結されて同電位となっている。そして、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々において、サブドットの略中心に対向する共通電極９には上記の突起部２４が位置している。これにより、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部２４の斜面に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、液晶分子は電圧印加時に突起部２４を中心に八方に倒れることとなる。即ち、本実施形態の液晶装置１００は、青色画素Ｄ１においてサブドット３１ａ，３１ｂ毎に配向分割化された構成となっている。また、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３においてサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ毎に配向分割化された構成となっている。
また、各サブドットにおいて、液晶分子の配向は、電圧印加時に突起部２４から各サブドットの周縁に向けて規制される。また、当該液晶分子は、サブドットの周縁部と突起部２４との間の制御距離、厳密には突起部２４からサブドットの周縁部への放射方向における制御距離の平均値に起因するＶ−Ｔ特性（電圧−透過率特性）によって配向規制される。そして、Ｖ−Ｔ特性において、制御距離が長くなると緩やかな特性曲線を有するものとなり、制御距離が短くなると急峻な特性曲線を有するものとなる。
また、図３（ｂ）に示すように、走査線１３及び画素電極３１の表面には、これらを被覆する配向膜３３が形成されている。当該配向膜３３は、ポリイミド等の樹脂材料や無機材料からなるものであり、液晶分子を膜面に対して垂直に配向させる垂直配向膜として機能するものである。また、配向膜３３には、ラビング等の配向処理は施されていない。
また、下基板１０の外面側（液晶層５０を挟持する面とは異なる側）には位相差板１８及び偏光板１９が、上基板２５の外面側にも位相差板１６及び偏光板１７が形成されており、基板内面側（液晶層５０側）に円偏光を入射可能に構成されており、これら位相差板１８及び偏光板１９、位相差板１６及び偏光板１７が、それぞれ円偏光板を構成している。偏光板１７（１９）は、所定方向の偏光軸を備えた直線偏光のみを透過させる構成とされ、位相差板１６（１８）としてはλ／４位相差板が採用されている。このような円偏光板としては、その他にも偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板を組み合わせた構成のもの（広帯域円偏光板）を用いることが可能で、この場合、黒表示をより無彩色にすることができるようになる。また、偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板、及びｃプレート（膜厚方向に光軸を有する位相差板）を組み合わせた構成のものを用いることも可能で、一層広視角化を図ることができるようになる。なお、下基板１０に形成された偏光板１９の外側には透過表示用の光源となるバックライト１５が設けられている。
次に、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおけるＶ−Ｔ特性を比較説明する。
図４は、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおける、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状と、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性とを示す図である。
ここで、図４（ａ）の上図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
また、図４（ｂ）の上図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
図４は、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおける、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状と、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性とを示す図である。
ここで、図４（ａ）の上図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
また、図４（ｂ）の上図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
図４（ａ），（ｂ）の画素を比較すると、本実施形態の液晶装置における青色画素Ｄ１のサブドット数（２個）が、従来の液晶装置における青色画素Ｄ１のサブドット数（３個）よりも少なくなっている。また、換言すれば、本実施形態の青色画素Ｄ１は、従来よりもサブドット数が少ないことから、液晶分子が配向する制御距離が従来よりも長くなっている。
次に、Ｖ−Ｔ特性について比較すると、図４（ａ）の従来の液晶装置では、青色画素Ｄ１の表示色Ｂの特性曲線が、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３の表示色Ｇ，Ｒの特性曲線よりも急峻になっている。そして、表示色ＲＧＢが混色された白色表示は、無彩色にならず、黄色に色づいてしまう。
一方、図４（ｂ）の本実施形態の液晶装置では、青色画素Ｄ１の表示色Ｂの特性曲線が、緑色画素Ｄ２の表示色Ｇの特性曲線と同程度となっている。これにより、表示色ＲＧＢが混色された白色表示は、黄色に色づくことがなく、無彩色となる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、青色画素Ｄ１のサブドット数が少なくなることで制御距離が長くなるため、従来では急峻な曲線を有していたＶ−Ｔ特性が緩やかな曲線に調整されたものとなる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、青色画素Ｄ１のサブドット数が少なくなることで制御距離が長くなるため、従来では急峻な曲線を有していたＶ−Ｔ特性が緩やかな曲線に調整されたものとなる。
上述したように、本実施形態の液晶装置においては、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のうち、少なくとも一つの画素Ｄ１におけるサブドットの数が、他の画素Ｄ２，Ｄ３におけるサブドットの数と異なっているので、一つの画素Ｄ１におけるサブドットの液晶分子の制御距離を、他の画素Ｄ２，Ｄ３におけるサブドットの液晶分子の制御距離と異ならせることができる。換言すれば、サブドット数が少ない第１の画素における制御距離を、サブドット数が多い第２の画素における制御距離よりも長くすることができる。
従って、本発明によれば、制御距離が長い画素における液晶分子を緩やかなＶ−Ｔ特性で駆動させることができ、制御距離が短い画素における液晶分子を急峻なＶ−Ｔ特性で駆動させることができる。即ち、複数の画素の各々において、Ｖ−Ｔ特性の急峻性を補正できる。従って、複数の画素からなる画素群においては、複数の画素の各々が発光して合成される光が所望の波長分布となるように調整できる。例えば、合成された光が白色光である場合には、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
従って、本発明によれば、制御距離が長い画素における液晶分子を緩やかなＶ−Ｔ特性で駆動させることができ、制御距離が短い画素における液晶分子を急峻なＶ−Ｔ特性で駆動させることができる。即ち、複数の画素の各々において、Ｖ−Ｔ特性の急峻性を補正できる。従って、複数の画素からなる画素群においては、複数の画素の各々が発光して合成される光が所望の波長分布となるように調整できる。例えば、合成された光が白色光である場合には、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
そして、特に本実施形態においては、青色の表示色で表示する青色画素Ｄ１におけるサブドットの数を、他の画素Ｄ２，Ｄ３におけるサブドットの数よりも少なくしているので、青色画素Ｄ１における液晶分子の制御距離を、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３のそれよりも長くすることができる。これによって、Ｖ−Ｔ特性において青色の特性曲線を緩やかにすることができ、緑色の特性曲線と同程度にすることができる。これによって、従来に問題となっていた白色光の黄色の色づきが解消され、無彩色の白色光を実現できる。
また、本実施形態の液晶装置においては、一つの画素Ｄ１におけるサブドットの数を、他の画素Ｄ２，Ｄ３におけるサブドットの数と異ならせるという簡素な構成によって、上記の効果が得られるものであり、構造的に従来技術よりも優れた液晶装置を実現できる。具体的には、従来技術のようにスリット幅を異ならせたり、補助突起を設けたりすることがないので、画素毎に開口率が変わるということがない。また、透過率に寄与しないスリットや突起の面積が増えるということもない。更に、画素毎に突起の高さを変えていないので、工程数が増加してプロセスへの負荷が増えてしまうという問題を回避できる。
本実施形態の液晶装置は、上記の効果が得られると共に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、少ない工程数で液晶装置を製造できる。
本実施形態の液晶装置は、上記の効果が得られると共に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、少ない工程数で液晶装置を製造できる。
また、本実施形態の液晶装置においては、液晶層５０に向けて突出する突起部２４を備えているので、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部の斜面に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
（第２実施形態）
次に、本発明の液晶装置に係る第２実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、第１実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、本発明の液晶装置に係る第２実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、第１実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
まず、図５に基づいて、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘについて説明する。
図５に示すように、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘにおいては、画素電極３１に切欠部３２が形成されたことにより、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となり、緑色画素Ｄ２の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが複数に分割形成された構成となる。即ち、本実施形態の液晶装置は、赤色画素Ｄ３の構造のみが第１実施形態と異なっている。
このような構成により、赤色画素Ｄ３のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの数（４個）は、着色層２２Ｂを備えて青色の表示光を示す青色画素Ｄ１のサブドット３１ａ，３１ｂの数（２個）や、緑色画素Ｄ２のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃの数（３個）よりも多くなっている。
図５に示すように、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘにおいては、画素電極３１に切欠部３２が形成されたことにより、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となり、緑色画素Ｄ２の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが複数に分割形成された構成となる。即ち、本実施形態の液晶装置は、赤色画素Ｄ３の構造のみが第１実施形態と異なっている。
このような構成により、赤色画素Ｄ３のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの数（４個）は、着色層２２Ｂを備えて青色の表示光を示す青色画素Ｄ１のサブドット３１ａ，３１ｂの数（２個）や、緑色画素Ｄ２のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃの数（３個）よりも多くなっている。
また、赤色画素Ｄ３においては、サブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが連結部５９によって連結されて同電位となっている。そして、赤色画素Ｄ３において、サブドットの略中心に対向する共通電極９には上記の突起部２４が位置している。これにより、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部２４の斜面に応じたプレチルトを持つようになり、液晶分子の倒れる方向が制御ないし規制され、液晶分子は電圧印加時に突起部２４を中心に八方に倒れることとなる。即ち、本実施形態の液晶装置１００は、赤色画素Ｄ３においてサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ毎に配向分割化された構成となっている。
また、各サブドットにおいて、液晶分子の配向は、電圧印加時に突起部２４から各サブドットの周縁に向けて規制される。また、当該液晶分子は、サブドットの周縁部と突起部２４との間の制御距離、厳密には突起部２４からサブドットの周縁部への放射方向における制御距離の平均値に起因するＶ−Ｔ特性（電圧−透過率特性）によって配向規制される。そして、Ｖ−Ｔ特性において、制御距離が長くなると緩やかな特性曲線を有するものとなり、制御距離が短くなると急峻な特性曲線を有するものとなる。
次に、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおけるＶ−Ｔ特性を比較説明する。
図６は、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおける、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状と、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性とを示す図である。
ここで、図６（ａ）の上図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
また、図６（ｂ）の上図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
図６は、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおける、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状と、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性とを示す図である。
ここで、図６（ａ）の上図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、従来の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
また、図６（ｂ）の上図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドット形状を示し、その下図は、本実施形態の液晶装置における画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の表示色のＶ−Ｔ特性を示している。
図６（ａ），（ｂ）の画素を比較すると、本実施形態の液晶装置における青色画素Ｄ１のサブドット数（２個）が、従来の液晶装置における青色画素Ｄ１のサブドット数（３個）よりも少なくなっている。また、本発明の液晶装置における赤色画素Ｄ３のサブドット数（４個）が、従来の液晶装置における赤色画素Ｄ３のサブドット数（３個）よりも多くなっている。
このようにサブドット数について、赤色画素Ｄ３が従来よりも多く、青色画素Ｄ１が従来よりも少なくすることで、赤色画素Ｄ３のサブドットにおける液晶分子が配向する制御距離が従来よりも短くなり、青色画素Ｄ１のサブドットにおける液晶分子が配向する制御距離が従来よりも長くなる。
このようにサブドット数について、赤色画素Ｄ３が従来よりも多く、青色画素Ｄ１が従来よりも少なくすることで、赤色画素Ｄ３のサブドットにおける液晶分子が配向する制御距離が従来よりも短くなり、青色画素Ｄ１のサブドットにおける液晶分子が配向する制御距離が従来よりも長くなる。
次に、Ｖ−Ｔ特性について比較すると、図６（ａ）の従来の液晶装置では、青色画素Ｄ１の表示色Ｂの特性曲線が、緑色画素Ｄ２の表示色Ｇの特性曲線よりも急峻になっている。また、赤色画素Ｄ３の表示色Ｒの特性曲線が、緑色画素Ｄ２の表示色Ｇの特性曲線よりも緩やかになっている。そして、表示色ＲＧＢが混色された白色表示は、無彩色にならず、黄色に色づいてしまう。
一方、図６（ｂ）の本実施形態の液晶装置では、青色画素Ｄ１の表示色Ｂと赤色画素Ｄ３の表示色Ｒとの特性曲線が、緑色画素Ｄ２の表示色Ｇの特性曲線と同程度となっている。これにより、表示色ＲＧＢが混色された白色表示は、黄色に色づくことがなく無彩色となるだけでなく、ＲＧＢの透過特性が一致したＶ−Ｔ特性が得られる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、青色画素Ｄ１のサブドット数が少なくなることで制御距離が長くなるため、従来では急峻な曲線を有していたＶ−Ｔ特性が緩やかな曲線に調整されたものとなる。また、赤色画素Ｄ３のサブドット数が多くなることで制御距離が短くなるため、従来では緩やかな曲線を有していたＶ−Ｔ特性が急峻な曲線に調整されたものとなる。従って、ＲＧＢの各色のＶ−Ｔ特性は、同一となるように補正されたものとなる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、青色画素Ｄ１のサブドット数が少なくなることで制御距離が長くなるため、従来では急峻な曲線を有していたＶ−Ｔ特性が緩やかな曲線に調整されたものとなる。また、赤色画素Ｄ３のサブドット数が多くなることで制御距離が短くなるため、従来では緩やかな曲線を有していたＶ−Ｔ特性が急峻な曲線に調整されたものとなる。従って、ＲＧＢの各色のＶ−Ｔ特性は、同一となるように補正されたものとなる。
上述したように、本実施形態の液晶装置においては、赤色画素Ｄ３におけるサブドットの数を他の画素Ｄ１，Ｄ２よりも多くすることで、元々は緩やかな特性を有していたＶ−Ｔ特性を急峻な曲線となるように補正できる。従って、ＲＧＢの画素のＶ−Ｔ特性を略一致させることができる。更に、ＲＧＢの画素の表示光が合成された白色光においては、上記と同様に黄色の色づきを解消できると共に、赤色画素Ｄ３の表示光のＶ−Ｔ特性を補正することで、より一層に無彩色化が達成された白色光を実現できる。
また、本実施形態においては、このような効果が得られると共に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、簡素な工程で液晶装置を実現できる。
また、本実施形態においては、このような効果が得られると共に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々において透過率を最大限利用できる。また、従来技術と比較して、簡素な工程で液晶装置を実現できる。
（第３実施形態）
次に、本発明の液晶装置に係る第３実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、既述の実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、本発明の液晶装置に係る第３実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、既述の実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
まず、図７に基づいて、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘについて説明する。
図７に示すように、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘにおいては、画素電極３１に切欠部３２が形成されたことにより、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となり、緑色画素Ｄ２の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが複数に分割形成された構成となる。
図７に示すように、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘにおいては、画素電極３１に切欠部３２が形成されたことにより、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となり、緑色画素Ｄ２の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが複数に分割形成された構成となる。
また、青色画素Ｄ１におけるサブドットの略中心に対向する共通電極９には、平面視において十字状の突起部２４が、下基板１０から液晶層５０に突出するように設けられている。これにより、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部２４の斜面に応じたプレチルトを持つようになり、液晶分子の倒れる方向が制御ないし規制され、液晶分子は電圧印加時に十字状の突起部２４からサブドットの周縁に向けて倒れることとなる。即ち、本実施形態の液晶装置は、青色画素Ｄ１において、サブドット３１ａ，３１ｂ毎に配向分割化された構成となっているだけでなく、十字状の突起部２４によって液晶分子が配向規制されている。
また、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３のサブドットの各々には、平面視において円形点状の突起部２４が設けられており、既述の実施形態と同様に液晶分子が配向規制されるようになっている。また、十字状及び円形点状の突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９から同じ高さで形成されており、共通電極９上に一括して形成されたものである。即ち、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
このように、本実施形態の液晶装置は、青色画素Ｄ１における突起部２４の構造のみが既述の実施形態と異なっている。
このように、本実施形態の液晶装置は、青色画素Ｄ１における突起部２４の構造のみが既述の実施形態と異なっている。
次に、突起部２４が円形点状である場合と十字状である場合とにおいて、液晶分子が配向規制される状態について説明する。
図８は、液晶分子が配向規制される状態について説明する図であって、図８（ａ）は、サブドットに円形点状の突起部２４が設けられている場合において液晶分子の配向規制される状態を示す図である。図８（ｂ）は、サブドットに十字状の突起部２４が設けられている場合において液晶分子の配向規制される状態を示す図である。
なお、図８においては、青色画素Ｄ１のうちサブドット３１ａを代表して説明するが、サブドット３１ｂにおいても十字状の突起部２４が設けられ、液晶分子が同様に配向規制されるものとする。
図８は、液晶分子が配向規制される状態について説明する図であって、図８（ａ）は、サブドットに円形点状の突起部２４が設けられている場合において液晶分子の配向規制される状態を示す図である。図８（ｂ）は、サブドットに十字状の突起部２４が設けられている場合において液晶分子の配向規制される状態を示す図である。
なお、図８においては、青色画素Ｄ１のうちサブドット３１ａを代表して説明するが、サブドット３１ｂにおいても十字状の突起部２４が設けられ、液晶分子が同様に配向規制されるものとする。
図８（ａ）の円形点状の突起部２４が設けられている場合では、液晶分子ＬＣは円形点状の突起部２４から放射状にサブドット３１ａの周縁部に向けて配向規制されるものの、当該配向規制方向に交差する方向Ｂにおいては、液晶分子ＬＣの配向が安定し難くなり、配向が乱れやすくなる。
なお、図８（ａ）では、円形点状の突起部２４における液晶分子ＬＣの配向規制状態について説明したが、円形点状に限らず、他の形状であっても液晶分子ＬＣの配向の乱れが生じ易くなる。例えば、サブドット３１ａ，３１ｂの配列方向（図８中縦方向）に延びる縦長状の突起部２４がサブドット毎に設けられている構成において、配向規制方向に交差する方向では、液晶分子ＬＣの配向が安定し難くなり、配向が乱れやすくなる。
なお、図８（ａ）では、円形点状の突起部２４における液晶分子ＬＣの配向規制状態について説明したが、円形点状に限らず、他の形状であっても液晶分子ＬＣの配向の乱れが生じ易くなる。例えば、サブドット３１ａ，３１ｂの配列方向（図８中縦方向）に延びる縦長状の突起部２４がサブドット毎に設けられている構成において、配向規制方向に交差する方向では、液晶分子ＬＣの配向が安定し難くなり、配向が乱れやすくなる。
これに対して、図８（ｂ）に示すように、十字状の突起部２４が設けられている場合では、十字状の先端部２４ａにおける液晶分子ＬＣの配向規制力が大きくなり、当該配向規制力が大きくなっている液晶分子ＬＣａによって、その間の液晶分子ＬＣｂが挟持されて安定して配向規制する。
上述したように、本実施形態においては、突起部２４を十字状に形成することで、液晶分子の配向の乱れを抑制し、安定かつ確実に配向規制することができる。
また、このような十字状の突起部２４は、緑色画素Ｄ２や赤色画素Ｄ３に比べて制御距離が長い青色画素Ｄ１に設けられているため、当該青色画素Ｄ１のＶ−Ｔ特性を緩やかな曲線となるように補正できる効果と、配向規制の効果とを相乗的に得ることができる。
また、このような十字状の突起部２４は、緑色画素Ｄ２や赤色画素Ｄ３に比べて制御距離が長い青色画素Ｄ１に設けられているため、当該青色画素Ｄ１のＶ−Ｔ特性を緩やかな曲線となるように補正できる効果と、配向規制の効果とを相乗的に得ることができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の液晶装置に係る第４実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、既述の実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、本発明の液晶装置に係る第４実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、既述の実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、図９に基づいて、本実施形態の液晶装置の画素群について説明する。
図９（ａ）は、液晶装置の画素構成のうち主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
図９（ａ）は、液晶装置の画素構成のうち主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
（下基板の構成）
図９（ｂ）に示すように、下基板１０においては、基板本体１０Ａの表面に着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇが設けられ、各着色層の周縁を囲むように金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭが設けられている。当該ブラックマトリクスＢＭにより各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の境界が形成されている（図９（ａ）参照）。
更に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇ上には、ＩＴＯからなる共通電極９が形成されている。当該共通電極９は、図９中の紙面左右方向に延在しており、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に共通して設けられた電極である。
図９（ｂ）に示すように、下基板１０においては、基板本体１０Ａの表面に着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇが設けられ、各着色層の周縁を囲むように金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭが設けられている。当該ブラックマトリクスＢＭにより各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の境界が形成されている（図９（ａ）参照）。
更に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇ上には、ＩＴＯからなる共通電極９が形成されている。当該共通電極９は、図９中の紙面左右方向に延在しており、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に共通して設けられた電極である。
また、共通電極９には、スリット部（配向規制手段）９ａが設けられている。当該スリット部９ａが形成されることで共通電極９の着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇの一部が液晶層５０に向けて露出するようになっている。また、スリット部９ａは、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３において平面視が円形点状の形状となっており、青色画素Ｄ１において十字状の形状となっている。
このようなスリット部９ａは、共通電極９をパターニング形成する際に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
このようなスリット部９ａは、共通電極９をパターニング形成する際に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
（上基板の構成）
上基板２５においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの表面（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０に接続される走査線１３と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなりＴＦＤ素子４０に接続される画素電極３１と、走査線１３及び画素電極３１を被覆する配向膜３３と、が形成されている。
上基板２５においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの表面（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０に接続される走査線１３と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなりＴＦＤ素子４０に接続される画素電極３１と、走査線１３及び画素電極３１を被覆する配向膜３３と、が形成されている。
図９（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘにおいては、画素電極３１に切欠部３２が形成されたことにより、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となり、緑色画素Ｄ２の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが複数に分割形成された構成となる。
更に、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々において、サブドットの略中心に対向する共通電極９には上記のスリット部９ａが位置している。また、スリット部９ａの形状は、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３において円形点状となっており、青色画素Ｄ１において十字状となっている。当該スリット部９ａが設けられたことにより、画素電極３１と共通電極９との間に電圧が印加されると、両電極３１，９の間に当該スリット部９ａの形成位置に沿って斜め電界を生じさせ、当該斜め電界に伴って電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることが可能となる。
従って、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３においては、電圧印加時にスリット部９ａを中心に八方に液晶分子が倒れることとなる。また、青色画素Ｄ１においては、電圧印加時にスリット部９ａの先端部における液晶分子の配向規制力が大きくなり、当該配向規制力が大きくなっている液晶分子によって、その間の液晶分子が挟持されて安定して配向規制される。
従って、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３においては、電圧印加時にスリット部９ａを中心に八方に液晶分子が倒れることとなる。また、青色画素Ｄ１においては、電圧印加時にスリット部９ａの先端部における液晶分子の配向規制力が大きくなり、当該配向規制力が大きくなっている液晶分子によって、その間の液晶分子が挟持されて安定して配向規制される。
上述したように、本実施形態の液晶装置においては、スリット部９ａの形成位置に沿って両電極３１，９の間に斜め電界を生じさせることができる。そして、当該斜め電界に倣わせて、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることができる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
また、十字状のスリット部９ａにおいては、円形点状のスリット部９ａよりも安定かつ確実に液晶分子を配向させることができる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、既述の実施形態の突起部２４に代えてスリット部９ａを備えた構成となっているが、既述の実施形態と同様に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々における液晶分子の制御距離を異ならせることができる。従って、画素群Ｐｘにおいて合成される光が所望の波長分布となるようにＶ−Ｔ特性を調整できる。これにより、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
また、十字状のスリット部９ａにおいては、円形点状のスリット部９ａよりも安定かつ確実に液晶分子を配向させることができる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、既述の実施形態の突起部２４に代えてスリット部９ａを備えた構成となっているが、既述の実施形態と同様に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々における液晶分子の制御距離を異ならせることができる。従って、画素群Ｐｘにおいて合成される光が所望の波長分布となるようにＶ−Ｔ特性を調整できる。これにより、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
（第５実施形態）
次に、本発明の液晶装置に係る第５実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、既述の実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、本発明の液晶装置に係る第５実施形態について図面を参照しつつ説明する。
また、以下の説明では、既述の実施形態と異なる構成を主として説明し、同一構成には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
次に、図１０に基づいて、本実施形態の液晶装置の画素群について説明する。
図１０（ａ）は、液晶装置の画素構成のうち主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
図１０（ａ）は、液晶装置の画素構成のうち主として画素電極３１の平面構成を示す模式図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ’断面を示す模式図である。
（下基板の構成）
図１０（ｂ）に示すように、下基板１０においては、基板本体１０Ａの表面に着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇが設けられ、各着色層の周縁を囲むように金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭが設けられている。当該ブラックマトリクスＢＭにより各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の境界が形成されている（図１０（ａ）参照）。
更に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇ上には、ＩＴＯからなる共通電極９が形成されている。当該共通電極９は、図１０中の紙面左右方向に延在しており、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に共通して設けられた電極である。
図１０（ｂ）に示すように、下基板１０においては、基板本体１０Ａの表面に着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇが設けられ、各着色層の周縁を囲むように金属クロム等からなるブラックマトリクスＢＭが設けられている。当該ブラックマトリクスＢＭにより各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の境界が形成されている（図１０（ａ）参照）。
更に、着色層２２Ｒ，２２Ｂ，２２Ｇ上には、ＩＴＯからなる共通電極９が形成されている。当該共通電極９は、図１０中の紙面左右方向に延在しており、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に共通して設けられた電極である。
また、共通電極９上には、下基板１０から液晶層５０に突出するように突起部２４が設けられている。また、突起部２４は、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３において平面視が円形点状の形状となっており、青色画素Ｄ１において十字状の形状となっている。
また、突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９から同じ高さで形成されている。このような突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９上に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
また、突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９から同じ高さで形成されている。このような突起部２４は、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３において、共通電極９上に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
（上基板の構成）
上基板２５においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの表面（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０に接続される走査線１３と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなりＴＦＤ素子４０に接続される画素電極３１と、走査線１３及び画素電極３１を被覆する配向膜３３と、が形成されている。
上基板２５においては、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａの表面（基板本体２５Ａの液晶層側）に、ＴＦＤ素子４０に接続される走査線１３と、ＩＴＯ等の透明導電膜からなりＴＦＤ素子４０に接続される画素電極３１と、走査線１３及び画素電極３１を被覆する配向膜３３と、が形成されている。
図１０（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置の画素群Ｐｘにおいては、画素電極３１に切欠部３２が形成されたことにより、青色画素Ｄ１の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂが複数に分割形成された構成となり、緑色画素Ｄ２の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃが複数に分割形成された構成となり、赤色画素Ｄ３の画素電極３１は、略八角形のサブドット３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが複数に分割形成された構成となる。
また、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のサブドットの各々には、スリット部（配向規制手段）３４が設けられている。当該スリット部３４が形成されることで基板本体２５Ａの一部が液晶層５０に向けて露出するようになっている。また、スリット部３４は、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３において平面視が円形点状の形状となっており、青色画素Ｄ１において十字状の形状となっている。
このようなスリット部３４は、画素電極３１をパターニング形成する際に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
このようなスリット部３４は、画素電極３１をパターニング形成する際に一括して形成されたものであり、複数の工程によって画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々に形状を異ならせて形成したものではない。
更に、画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々におけるサブドットの略中心には、突起部２４とスリット部３４とが対向配置されている。このような構成により、液晶分子が初期状態で垂直配向を呈した上で、当該突起部２４の斜面に応じたプレチルトを持つようになる。その結果、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となる。更に、電圧印加時には、両電極３１，９の間において、スリット部３４の形成位置に沿って斜め電界が生じる。従って、突起部２４及びスリット部３４による配向規制手段によって、電圧印加時の液晶分子の傾倒方向を規制させることが可能となる。これにより、緑色画素Ｄ２及び赤色画素Ｄ３においては、電圧印加時にスリット部３４を中心に八方に液晶分子が倒れることとなる。また、青色画素Ｄ１においては、電圧印加時にスリット部３４の先端部における液晶分子の配向規制力が大きくなり、当該配向規制力が大きくなっている液晶分子によって、その間の液晶分子が挟持されて安定して配向規制される。
上述したように、本実施形態の液晶装置においては、一対の基板１０，２５の各々に突起部２４及びスリット部３４が設けられているので、一方の基板のみに配向規制手段が設けられている場合よりも、液晶分子を配向させる規制力を大きく生じさせることができる。具体的には、液晶分子にプレチルトを付与することによる配向規制と、斜め電界による配向規制とを同時に行うことができる。
従って、より強い配向規制力によって、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
また、十字状の突起部２４及びスリット部３４においては、円形点状の突起部２４及びスリット部３４よりも安定かつ確実に液晶分子を配向させることができる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、強い配向規制力により液晶分子を配向させると共に、既述の実施形態と同様に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々における液晶分子の制御距離を異ならせることができる。従って、画素群Ｐｘにおいて合成される光が所望の波長分布となるようにＶ−Ｔ特性を調整できる。これにより、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
従って、より強い配向規制力によって、液晶分子の倒れる方向を制御ないし規制することが可能となり、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、更には広視野角化を実現できる。
また、十字状の突起部２４及びスリット部３４においては、円形点状の突起部２４及びスリット部３４よりも安定かつ確実に液晶分子を配向させることができる。
このように、本実施形態の液晶装置においては、強い配向規制力により液晶分子を配向させると共に、既述の実施形態と同様に、複数の画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の各々における液晶分子の制御距離を異ならせることができる。従って、画素群Ｐｘにおいて合成される光が所望の波長分布となるようにＶ−Ｔ特性を調整できる。これにより、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
なお、既述の実施形態においては、透過型の液晶装置について説明したが、半透過反射型や反射型の液晶装置についても適用可能である。このような反射表示機能を有する液晶装置においては、基板本体１０Ａに樹脂散乱膜と反射膜とを順次積層された構成が採用される。
また、半透過反射型の液晶装置においては、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３におけるサブドットのうち少なくとも一つを反射表示領域とし、当該反射表示領域に液晶層厚調整層を設けた構成が採用される。これにより、透過表示と反射表示とにおける液晶層５０のリタデーションを合わせることが可能となる。また、半透過反射型においては、ＲＧＢの表示色のＶ−Ｔ特性を合わせるために、青色画素Ｄ１の透過表示領域のサブドット数を他の画素における透過表示領域のサブドット数よりも減らした構成や、赤画素Ｄ３の透過表示領域のサブドット数を他の画素における透過表示領域のサブドット数よりも増やした構成が採用される。このようにすれば、画素群Ｐｘのフルカラー透過表示において、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
また、半透過反射型の液晶装置においては、各画素Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３におけるサブドットのうち少なくとも一つを反射表示領域とし、当該反射表示領域に液晶層厚調整層を設けた構成が採用される。これにより、透過表示と反射表示とにおける液晶層５０のリタデーションを合わせることが可能となる。また、半透過反射型においては、ＲＧＢの表示色のＶ−Ｔ特性を合わせるために、青色画素Ｄ１の透過表示領域のサブドット数を他の画素における透過表示領域のサブドット数よりも減らした構成や、赤画素Ｄ３の透過表示領域のサブドット数を他の画素における透過表示領域のサブドット数よりも増やした構成が採用される。このようにすれば、画素群Ｐｘのフルカラー透過表示において、色づきが補正された無彩色の白色光を実現できる。
（電子機器）
次に、本発明の上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１１は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施形態の液晶装置を用いた場合、光抜け、残像、しみ状のムラ等の表示不良が回避され、コントラストが高く、広視野角、の液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
次に、本発明の上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１１は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施形態の液晶装置を用いた場合、光抜け、残像、しみ状のムラ等の表示不良が回避され、コントラストが高く、広視野角、の液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
９ 共通電極（電極）、 ９ａ，３４スリット部（配向規制手段）、 １０ 下基板（基板）、 ２４ 突起部（配向規制手段）、 ２５ 上基板（基板）、 ３１ 画素電極（電極）、 ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ サブドット、 ５０ 液晶層、 Ｄ１ 青色画素（画素）、 Ｄ２ 緑色画素（画素）、 Ｄ３ 赤色画素（画素）、 Ｐｘ 画素群（表示単位）、 １００ 液晶装置、 １０００ 電子機器。
Claims (6)
- 一対の基板間に、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電異方性が負の液晶からなる液晶
層を備え、互いに表示色が異なる複数の画素によって表示単位を構成する液晶装置であっ
て、
前記複数の画素は、赤色の表示色で表示する赤色画素と、緑色の表示色で表示する緑色
画素と、青色の表示色で表示する青色画素と、を含み、前記赤色画素と前記緑色画素と前
記青色画素とは同一の面積であり、
前記画素は、画素電極が複数に分割されるとともに各々が互いに連結された複数のサブ
ドットと、前記サブドットの中央に対応する位置に設けられた配向規制手段と、を備え、
前記画素におけるサブドットの数は、前記青色画素、前記緑色画素、前記赤色画素の順
に多く、
前記サブドット中央の前記配向規制手段からサブドット周縁部への放射方向における制
御距離の平均値が、前記青色画素、前記緑色画素、前記赤色画素の順に短くなっており、
前記赤色画素および前記緑色画素における前記配向規制手段の平面形状は円状であり、
前記青色画素における前記配向規制手段の平面形状は十字状であること、を特徴とする液
晶装置。 - 前記配向規制手段は、一方の前記基板の側から前記液晶層に向けて突出する突起部であ
ること、を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。 - 各画素における前記突起部の高さが同一であること、を特徴とする請求項２に記載の液
晶装置。 - 前記配向規制手段は、一方の前記基板における電極の一部が切り欠かれたスリット部で
あること、を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。 - 前記一対の基板のうち、一方の基板の側に前記配向制御手段としての突起部が設けられ
、他方の基板の側に前記配向制御手段としてのスリット部が設けられていること、を特徴
とする請求項１に記載の液晶装置。 - 請求項１から請求項５のいずれかに記載の液晶装置を具備することを特徴とする電子機
器。
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