JPS62159124A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPS62159124A JPS62159124A JP61001152A JP115286A JPS62159124A JP S62159124 A JPS62159124 A JP S62159124A JP 61001152 A JP61001152 A JP 61001152A JP 115286 A JP115286 A JP 115286A JP S62159124 A JPS62159124 A JP S62159124A
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- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1358—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied the supplementary layer being a ferro-electric layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ発明の利用分野」
この発明は液晶に関するもので、特にその代表例の１つ
である強誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用いた液晶
装置に関し、よりコントラスト比の向上を図り、マイク
ロ・コンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等の
表示部の薄膜化を図る液晶装置、更にディスクメモリ等
のメモリ装置、スピーカ等の音響機器へ応用する液晶装
置に関する。
である強誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用いた液晶
装置に関し、よりコントラスト比の向上を図り、マイク
ロ・コンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等の
表示部の薄膜化を図る液晶装置、更にディスクメモリ等
のメモリ装置、スピーカ等の音響機器へ応用する液晶装
置に関する。
「従来技術」
従来、液晶を用いて液晶装置を作製せんとする場合、こ
の液晶の一対の基板の内側に一対の電極を設け、その電
極上に対称配向膜を設ける方式が知られている。
の液晶の一対の基板の内側に一対の電極を設け、その電
極上に対称配向膜を設ける方式が知られている。
しかし、かかる単純マトリックス構造または各画素に非
線型素子が直列に連結されたアクティブ素子構造におい
て、最も重要な要素として、前記した液晶が十分大きい
Ｅｃ（Ｉｆｆ、界電界またはスレッシュホールド電界）
を有することが重要である。
線型素子が直列に連結されたアクティブ素子構造におい
て、最も重要な要素として、前記した液晶が十分大きい
Ｅｃ（Ｉｆｆ、界電界またはスレッシュホールド電界）
を有することが重要である。
このＥｃは、液晶が所定の電界以下では初期の状態（例
えば非透過）を維持し、所定の電界以上においてきわめ
て急峻に反転し、他の状態（例えば透過）を呈する現象
、およびこの逆に透過より非透過となる現象をいう。即
ち、このＥｃはＥｃ＋ （正に電界を加える場合に観察
される臨界電界）と、逆にＥｃ−（負に電界を加える場
合に存在する電界）とを有し得る。また、このＥｃ＋と
Ｅｃ−は必ずしも絶対値において同じではない。
えば非透過）を維持し、所定の電界以上においてきわめ
て急峻に反転し、他の状態（例えば透過）を呈する現象
、およびこの逆に透過より非透過となる現象をいう。即
ち、このＥｃはＥｃ＋ （正に電界を加える場合に観察
される臨界電界）と、逆にＥｃ−（負に電界を加える場
合に存在する電界）とを有し得る。また、このＥｃ＋と
Ｅｃ−は必ずしも絶対値において同じではない。
しかしかかるＥｃ＋とＥｃ−はスメクチック液晶におい
てはきわめてその存在が乏しく、特にカイラルスメクチ
ックＣ相を用いる液晶においては、この液晶を印加する
パルス電界の電界強度とそのパルス巾との値に大きく依
存している。そのためマトリックス表示においてはｒＡ
Ｃバイヤス法」として知られている励起方式を用いなけ
ればならないし、正方向に書換えんとする時、一度負の
パルスを加え、次に正のパルスを所定の電界強度と時間
とを精密に制御して加える。また逆に負方向に書き換え
んとする場合も一度正のパルスを加え、次に負のパルス
を所定の電界強度と時間との精密な制御のもとに加えな
ければならない。
てはきわめてその存在が乏しく、特にカイラルスメクチ
ックＣ相を用いる液晶においては、この液晶を印加する
パルス電界の電界強度とそのパルス巾との値に大きく依
存している。そのためマトリックス表示においてはｒＡ
Ｃバイヤス法」として知られている励起方式を用いなけ
ればならないし、正方向に書換えんとする時、一度負の
パルスを加え、次に正のパルスを所定の電界強度と時間
とを精密に制御して加える。また逆に負方向に書き換え
んとする場合も一度正のパルスを加え、次に負のパルス
を所定の電界強度と時間との精密な制御のもとに加えな
ければならない。
「発明が解決しようとする問題点ｊ
かくの如きスメクチック液晶であって、特に強誘電性液
晶として用いんとした時、これまでの技術では前記した
如き「粍バイヤス法」を用いなければならない。しかし
このバイヤス法は周辺回路がきわめて複雑になってしま
うため、ディスプレイ装置とした時、これよりも簡単な
周辺回路が求められている。そのためには、液晶それ自
体が十分明確なＨｅを有していることが重要になる。こ
の十分明確なＥｃを作らんとした時、これまでのＦＬＣ
は、その周波数特性をおとす等の制約のもとに、不十分
なＥｃで満足せざるを得ないのが実情であった。
晶として用いんとした時、これまでの技術では前記した
如き「粍バイヤス法」を用いなければならない。しかし
このバイヤス法は周辺回路がきわめて複雑になってしま
うため、ディスプレイ装置とした時、これよりも簡単な
周辺回路が求められている。そのためには、液晶それ自
体が十分明確なＨｅを有していることが重要になる。こ
の十分明確なＥｃを作らんとした時、これまでのＦＬＣ
は、その周波数特性をおとす等の制約のもとに、不十分
なＥｃで満足せざるを得ないのが実情であった。
本発明はかかる強誘電性液晶を用いた場合、液晶それ自
体にＥｃを有することを求めるのではなく、この液晶に
接してフローティング電極（電気的にいずれとも連結し
ていない電極）を配し、これに所定の電荷を蓄積するこ
とにより実質的に有効なＥｃ”、Ｅｃ−を得んとしたも
のである。
体にＥｃを有することを求めるのではなく、この液晶に
接してフローティング電極（電気的にいずれとも連結し
ていない電極）を配し、これに所定の電荷を蓄積するこ
とにより実質的に有効なＥｃ”、Ｅｃ−を得んとしたも
のである。
「問題を解決するための手段」
かかる問題を解くため、本発明は、Ｅｃおよび不揮発性
を決定する要素として、ＦＬＣに密接または実質的に密
接する一方または双方にフローティング電極を設け、こ
のフローティング電極の反対側（液晶と反対側）に強誘
電体薄膜（以下ＩＴＦともいう）を設けたものである。
を決定する要素として、ＦＬＣに密接または実質的に密
接する一方または双方にフローティング電極を設け、こ
のフローティング電極の反対側（液晶と反対側）に強誘
電体薄膜（以下ＩＴＦともいう）を設けたものである。
そしてこのスメクチック液晶のＥｃをフローティング電
極に蓄積された電荷により決定するべく試みたものであ
る。そしてこの蓄積された電荷はＩＴＦにより設けられ
る分極電荷により決定せんとしたものである。
極に蓄積された電荷により決定するべく試みたものであ
る。そしてこの蓄積された電荷はＩＴＦにより設けられ
る分極電荷により決定せんとしたものである。
即ち、本発明においてはこのＩＴＦが高い誘電率好まし
くは強誘電性薄膜であり、自発分極を有するものより選
ばれる。かつ誘電率を大きくするため、１０００Å以下
例えば２００〜１０００人とする。そしてこの配向膜は
透光性であるが、光学的異方性を好ましくは有さないも
のより選ばれる。
くは強誘電性薄膜であり、自発分極を有するものより選
ばれる。かつ誘電率を大きくするため、１０００Å以下
例えば２００〜１０００人とする。そしてこの配向膜は
透光性であるが、光学的異方性を好ましくは有さないも
のより選ばれる。
その縦断面図を第１図に示す。
第１図において液晶材料としてはＴＮ（ライスティック
・ネマティック）液晶、スーパー・ライスティック・ネ
マティック液晶をも強誘電性液晶に加えて用いることが
できる。しかしここでは視野角の大きい強誘電性液晶（
１）を用いる。更に配向膜（５） 、 （５’）、フロ
ーティング電極（６）１強誘電性薄膜（２）、 一対
を構成する透光性電極（３）、（３’）、 この透光性
基板（４） 、 （４”）を有する。さらに透光性電極
の一方（例えば（３））上には誘電体薄膜（２）とフロ
ーティング電極（６）とを有し、ここでキャパシタを構
成している。このため、液晶の配向処理層（膜）の一方
（５）はフローティング電極（６）における液晶（１）
の存在する側になされる。
・ネマティック）液晶、スーパー・ライスティック・ネ
マティック液晶をも強誘電性液晶に加えて用いることが
できる。しかしここでは視野角の大きい強誘電性液晶（
１）を用いる。更に配向膜（５） 、 （５’）、フロ
ーティング電極（６）１強誘電性薄膜（２）、 一対
を構成する透光性電極（３）、（３’）、 この透光性
基板（４） 、 （４”）を有する。さらに透光性電極
の一方（例えば（３））上には誘電体薄膜（２）とフロ
ーティング電極（６）とを有し、ここでキャパシタを構
成している。このため、液晶の配向処理層（膜）の一方
（５）はフローティング電極（６）における液晶（１）
の存在する側になされる。
この第１図の電気的等価回路を第２図に示すが、この等
価回路を用い本発明を以下に記す。
価回路を用い本発明を以下に記す。
この際のＰＬＣ（１）が電気的等価回路としてＧｚ（コ
ンダクタンス）、Ｃ２（キャパシタンス）を有する。
ンダクタンス）、Ｃ２（キャパシタンス）を有する。
又ＦＥ （２）の等価回路としてＧＩ（コンダクタンス
）。
）。
Ｃ５（キャパシタンス）を有する。すると電気的等価回
路は第２図を有する。この両端子間にｖｏの電圧を印加
した時、Ｃ，、Ｇ、に加わる電圧ＶＩ＋電荷ＱＩ＋Ｃｚ
、Ｇｚに加わる電圧をＶ２＋電荷口２とすると、Ｖｏ＝
Ｖ＋＋Ｖｚ でｔ＝Ｑにおいて分圧される。
路は第２図を有する。この両端子間にｖｏの電圧を印加
した時、Ｃ，、Ｇ、に加わる電圧ＶＩ＋電荷ＱＩ＋Ｃｚ
、Ｇｚに加わる電圧をＶ２＋電荷口２とすると、Ｖｏ＝
Ｖ＋＋Ｖｚ でｔ＝Ｑにおいて分圧される。
この時、ＦＢの厚さは２０００Å以下であり、ＦＬＣの
厚さは２〜３μと１０倍もの厚さを有するため、ＣＩは
Ｃ２より十分大である。その結果、初期にＶ、＝Ｖ０ となり、初期状態においては印加電圧のほとんどすべて
がＦＬＣに印加される。
厚さは２〜３μと１０倍もの厚さを有するため、ＣＩは
Ｃ２より十分大である。その結果、初期にＶ、＝Ｖ０ となり、初期状態においては印加電圧のほとんどすべて
がＦＬＣに印加される。
さらにＩＴＦと誘電体との間のフローティング電極にｔ
秒後に蓄積されるＱは次式で与えられる。
秒後に蓄積されるＱは次式で与えられる。
この一般式において前記したＣＩ ＞（：、である条件
を考慮する。また抵抗（コンダクタンスの逆数）は液晶
が２μｍの厚さとし、１つのピクセルを１００μｍＸ３
００μｍである場合、１０９Ωのオーダを有する。他方
ＩＴＦ（誘電体）は厚さ１０００人の同一条件で１０′
３Ωのオーダを有し、液晶に比べ十分大きい抵抗を有す
る。このため、ここではＧ１＃０としてで与えられる。
を考慮する。また抵抗（コンダクタンスの逆数）は液晶
が２μｍの厚さとし、１つのピクセルを１００μｍＸ３
００μｍである場合、１０９Ωのオーダを有する。他方
ＩＴＦ（誘電体）は厚さ１０００人の同一条件で１０′
３Ωのオーダを有し、液晶に比べ十分大きい抵抗を有す
る。このため、ここではＧ１＃０としてで与えられる。
するとその結果、Ｖ、、Ｖ２はで与えられる。
さらにこのＶ、に対しｔ、が十分大きくなると、Ｖ、＝
Ｖ０ となる。
Ｖ０ となる。
即ち、印加の初期においては電極間に印加した電圧はほ
とんどが液晶に印加され、その後は殆どの電圧がＩＴＦ
に印加されることになる。そしてフローティング電極に
所定の種類および量の電荷が蓄積される。
とんどが液晶に印加され、その後は殆どの電圧がＩＴＦ
に印加されることになる。そしてフローティング電極に
所定の種類および量の電荷が蓄積される。
その結果、液晶に十分なＥｃがなくても、ＩＴＦとの間
に設けられたフローティング電極に蓄積される電荷によ
り実質的に決定されるＥｃを可変制御することにより、
この電荷Ｑに従って液晶が従属的に従い、結果として見
掛は上液晶が大きなＥｃを有するようにさせることがで
きる。
に設けられたフローティング電極に蓄積される電荷によ
り実質的に決定されるＥｃを可変制御することにより、
この電荷Ｑに従って液晶が従属的に従い、結果として見
掛は上液晶が大きなＥｃを有するようにさせることがで
きる。
以上の結果より、本発明はスメクチック液晶と直列にフ
ローティング電極と強誘電体とを存在せしめ、この強誘
電体の分極に従って液晶の反転、非反転を決定すること
をその思想としている。
ローティング電極と強誘電体とを存在せしめ、この強誘
電体の分極に従って液晶の反転、非反転を決定すること
をその思想としている。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
第１図は本発明の構成の縦断面図である。
図面において、ガラス基Ｆｉ（４） 、 （４”）上に
透明導電膜（３） 、 （３’）を例えばＩＴＯ（酸化
インジューム・スズ）により形成した。さらにこの一方
の上面に誘電体薄膜（ＩＴＦ）例えば強誘電体薄膜（Ｆ
Ｅ） （２）を形成する。
透明導電膜（３） 、 （３’）を例えばＩＴＯ（酸化
インジューム・スズ）により形成した。さらにこの一方
の上面に誘電体薄膜（ＩＴＦ）例えば強誘電体薄膜（Ｆ
Ｅ） （２）を形成する。
即ちＦＥとしてＶＤＦ （ビニリデンフロライド）にト
リフロロエチレン（ＴｒＦＥ）を混合し、コポリマとし
て用いた。これをスピン法にて電極上に滴下し薄膜とす
るため、これを１０重量％をメチル・エチル・ケトン溶
液にとかした。さらにこれらの溶液をスピンコードする
と、この薄め方とスピナの回転スピードに従ってＦＥの
厚さを制御できる。この後この溶媒を加熱気化除去をし
た。次にこの上にスパッタ法によりフローティング電極
を膜状またはクラスタ状（粒径１０〜１０００人の面積
を有する互いに電気的に分離した導体が島状に群をなし
て散在する状り、）に設けた。ここではＩＴＯをスパッ
タ法で平均厚さ１０〜２０００人とした。この平均厚さ
が１０〜２００人においては実質的に直径３０〜３００
人の粒の群（クラスタ）が形成された。更に２００〜２
０００人の平均厚さでは薄膜状に形成された。この薄膜
の場合は所定の形状にパターニングする必要がある。こ
こではこれらを総称してフローティング電極と称する。
リフロロエチレン（ＴｒＦＥ）を混合し、コポリマとし
て用いた。これをスピン法にて電極上に滴下し薄膜とす
るため、これを１０重量％をメチル・エチル・ケトン溶
液にとかした。さらにこれらの溶液をスピンコードする
と、この薄め方とスピナの回転スピードに従ってＦＥの
厚さを制御できる。この後この溶媒を加熱気化除去をし
た。次にこの上にスパッタ法によりフローティング電極
を膜状またはクラスタ状（粒径１０〜１０００人の面積
を有する互いに電気的に分離した導体が島状に群をなし
て散在する状り、）に設けた。ここではＩＴＯをスパッ
タ法で平均厚さ１０〜２０００人とした。この平均厚さ
が１０〜２００人においては実質的に直径３０〜３００
人の粒の群（クラスタ）が形成された。更に２００〜２
０００人の平均厚さでは薄膜状に形成された。この薄膜
の場合は所定の形状にパターニングする必要がある。こ
こではこれらを総称してフローティング電極と称する。
さらにこの上面に配向処理膜を形成させた。例えば、本
発明においては、１．１．１． トリメチルシラザン等
の他の配向膜を形成させた。この側の表面に対しては、
ラビング処理を施すことを省略した。
発明においては、１．１．１． トリメチルシラザン等
の他の配向膜を形成させた。この側の表面に対しては、
ラビング処理を施すことを省略した。
さらに他方の透゛明導電膜の電極（３゛）上にはアルミ
ナ膜を形成し、さらにナイロンを形成し、ラビング処理
を行って配向処理層とした。
ナ膜を形成し、さらにナイロンを形成し、ラビング処理
を行って配向処理層とした。
次にこの配向膜が形成された一対の基板の周辺部を互い
に封止（図示せず）し、公知の方法にてＦＬＣを充填し
た。このＦＬＣは、例えばＳ８と８７との１：１のブレ
ンド品を用いた。この液晶は０Ｍ０ＯＰＰとＭＢＲＡと
のブレンド品を用いてもよい。又例えば特開昭５６−１
０７２１６．特開昭５９−９８０５１．特開昭５９−１
１８７４４に示される液晶を用いてもよい。
に封止（図示せず）し、公知の方法にてＦＬＣを充填し
た。このＦＬＣは、例えばＳ８と８７との１：１のブレ
ンド品を用いた。この液晶は０Ｍ０ＯＰＰとＭＢＲＡと
のブレンド品を用いてもよい。又例えば特開昭５６−１
０７２１６．特開昭５９−９８０５１．特開昭５９−１
１８７４４に示される液晶を用いてもよい。
かかるセルの電極は１ｍｍ Ｘ １ｍｍとなり、マトリ
ックス構成させ、それぞれに±ＩＯＶの電圧を加えた。
ックス構成させ、それぞれに±ＩＯＶの電圧を加えた。
するとこの電界が加わっても画素はシランカップリング
材のみを用いた従来の方法では見られないきわめてきれ
いなＥｃを実質的に有せしめることが可能となった。
材のみを用いた従来の方法では見られないきわめてきれ
いなＥｃを実質的に有せしめることが可能となった。
第３図は縦軸に透過率、横軸に印加電圧を示している。
この図面において従来例として示された曲ｖＡ（９）、
（９’）はフローティング電極を設けず、また図面にお
ける上側電極（３）上にシランカップリング材のみを用
いた非対称配向処理法で得たものである。（そのＥＣは
きわめて小さくばらつきやすい欠点を有する。）また第
１図におけるＩＴＦ （２）として光ＣＶＯ法で形成さ
れた窒化珪素膜（ＳｉＪ４）を６００人の厚さに形成し
、その上に平均厚さ４００人のＩＴＯ（酸化インジュー
ム・スズ）を形成した。さらにフローティング電極とす
るため、不要部をエツチングして除去し、この特性を曲
線（１０）、 （１０°）に示す。この特性より明らか
なごとく、フローティング電極と制御電極との間に誘電
体を挿入してもＥｃが十分得ることができることがわか
った。さらにこのＩＴＦとして前記した如＜ＰＲを用い
、前記した方法で作成する時、曲線（１１） 、（１１
’）（１１’）を得ることができた。この特性において
明らかなごとく、きわめてきれいなりｃ＋ 、 Ｅｃ−
を得ることができた。
（９’）はフローティング電極を設けず、また図面にお
ける上側電極（３）上にシランカップリング材のみを用
いた非対称配向処理法で得たものである。（そのＥＣは
きわめて小さくばらつきやすい欠点を有する。）また第
１図におけるＩＴＦ （２）として光ＣＶＯ法で形成さ
れた窒化珪素膜（ＳｉＪ４）を６００人の厚さに形成し
、その上に平均厚さ４００人のＩＴＯ（酸化インジュー
ム・スズ）を形成した。さらにフローティング電極とす
るため、不要部をエツチングして除去し、この特性を曲
線（１０）、 （１０°）に示す。この特性より明らか
なごとく、フローティング電極と制御電極との間に誘電
体を挿入してもＥｃが十分得ることができることがわか
った。さらにこのＩＴＦとして前記した如＜ＰＲを用い
、前記した方法で作成する時、曲線（１１） 、（１１
’）（１１’）を得ることができた。この特性において
明らかなごとく、きわめてきれいなりｃ＋ 、 Ｅｃ−
を得ることができた。
そしてかかるＥｃを有するため、例えば７２０ Ｘ４８
０画素を有する大面積のディスプレイに対してもまった
くクロストークのない表示をさせることが可能となり得
る。
０画素を有する大面積のディスプレイに対してもまった
くクロストークのない表示をさせることが可能となり得
る。
本発明において、さらにシェアリング（液晶を充填した
後−友釣に微小距離ずらすことにより配向を行う）法、
温度勾配法をラビング法に変えてまたはこれに加えて行
うことは有効である。
後−友釣に微小距離ずらすことにより配向を行う）法、
温度勾配法をラビング法に変えてまたはこれに加えて行
うことは有効である。
ｒ効果」
本発明は以上に示す如く、フローティング電極を設け、
さらにこの電極と制御電極好ましくは強誘電体を設けた
ものである。そしてこのフローティング電極を強誘電体
を配向膜とし、それを一方または双方に配設したもので
ある。そのためより一層Ｅｃの明確な液晶装置を得るこ
とができた。
さらにこの電極と制御電極好ましくは強誘電体を設けた
ものである。そしてこのフローティング電極を強誘電体
を配向膜とし、それを一方または双方に配設したもので
ある。そのためより一層Ｅｃの明確な液晶装置を得るこ
とができた。
このフローティング電極の液晶側の配向処理層として、
強誘電体を用いこの強誘電体と強誘電性液晶とを実質的
に密接する方式としてもよい。また、このフローティン
グ電極強誘電体は第１図の電極等の上に同じ大きさに形
成しても、またこの電極内に小さい電極をクラスタ状に
形成してもよい。さらに選択的に形成しても、また電極
を含む全面に形成してもよい。
強誘電体を用いこの強誘電体と強誘電性液晶とを実質的
に密接する方式としてもよい。また、このフローティン
グ電極強誘電体は第１図の電極等の上に同じ大きさに形
成しても、またこの電極内に小さい電極をクラスタ状に
形成してもよい。さらに選択的に形成しても、また電極
を含む全面に形成してもよい。
この液晶装置は単にディスプレイのみならずスピーカ、
プリンタまたはディスクメモリに対しても適用でき、ス
メクチック液晶の光学的異方性の適用可能な製品に適用
できる。
プリンタまたはディスクメモリに対しても適用でき、ス
メクチック液晶の光学的異方性の適用可能な製品に適用
できる。
又液晶材料としてその抵抗値が十分大きさ材料であるな
らば、ツィスチイック・ネマチック液晶（ＴＮ ？（Ｉ
晶）＋スーパー・ツィスチイック・ネマチック液晶また
はその他も適用し得る。しかしこの抵抗値が小さいとす
ぐにフローティング電極に蓄積した電荷が消滅してしま
うため好ましくない。
らば、ツィスチイック・ネマチック液晶（ＴＮ ？（Ｉ
晶）＋スーパー・ツィスチイック・ネマチック液晶また
はその他も適用し得る。しかしこの抵抗値が小さいとす
ぐにフローティング電極に蓄積した電荷が消滅してしま
うため好ましくない。
第１図は本発明の液晶装置の縦断面図である。
第２図は本発明の等価回路図を示す。
第３図は本発明と従来例の特性の一例を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対の基板の内側に設けられた第１の電極と、該電
極上の誘電体薄膜と、該膜上のフローティング電極と、
該電極に対応して第２の基板の内側に設けられた第２の
電極とを有し、前記フローティング電極と前記第２の電
極との間には液晶が設けられたことを特徴とする液晶装
置。 ２、特許請求の範囲第１項において、液晶に接する側の
フローティング電極および第２の電極上には配向処理が
なされたことを特徴とする液晶装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、誘電体は強誘電体
の有機樹脂よりなることを特徴とする液晶装置。 ４、特許請求の範囲第３項において、有機樹脂はビニリ
デンフロライドまたはビニリデンクロライドとトリフロ
ロエチレンまたはテトラフロロエチレンとの共重合体よ
りなることを特徴とする液晶装置。 ５、特許請求の範囲第１項において、フローティング電
極は薄膜状またはクラスタ状に設けられたことを特徴と
する液晶装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001152A JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
| US07/295,008 US4978203A (en) | 1986-01-07 | 1989-01-09 | Liquid crystal device with an apparent hysteresis |
| JP91304016A JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001152A JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
| JP91304016A JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP91304016A Division JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159124A true JPS62159124A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=26334322
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001152A Pending JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
| JP91304016A Pending JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP91304016A Pending JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4978203A (ja) |
| JP (2) | JPS62159124A (ja) |
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| JPS62175710A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
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| US5225821A (en) * | 1988-12-22 | 1993-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method for driving an active matrix display and active matrix display |
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| KR100519366B1 (ko) | 1999-04-03 | 2005-10-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
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1991
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Also Published As
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| JPH05265016A (ja) | 1993-10-15 |
| US4978203A (en) | 1990-12-18 |
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