JPH05265016A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPH05265016A JPH05265016A JP91304016A JP30401691A JPH05265016A JP H05265016 A JPH05265016 A JP H05265016A JP 91304016 A JP91304016 A JP 91304016A JP 30401691 A JP30401691 A JP 30401691A JP H05265016 A JPH05265016 A JP H05265016A
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- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1358—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied the supplementary layer being a ferro-electric layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 明確な閾値を持つ液晶装置を提供することに
より、簡単な周辺駆動回路を持つ、液晶装置を実現す
る。 【構成】 電極と液晶材料との間に直列に誘電体薄膜を
設けることにより、液晶材料自身の閾値ではなく、任意
にコントロール可能な閾値を持つ液晶装置を提供する。
より、簡単な周辺駆動回路を持つ、液晶装置を実現す
る。 【構成】 電極と液晶材料との間に直列に誘電体薄膜を
設けることにより、液晶材料自身の閾値ではなく、任意
にコントロール可能な閾値を持つ液晶装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は液晶装置に関するもの
で、よりコントラスト比の向上を図り、マイクロ・コン
ピュ−タ、ワ−ドプロセッサまたはテレビ等の表示部の
薄膜化を図る液晶装置、更にディスクメモリ等のメモリ
装置、スピ−カ等の音響機器へ応用する液晶装置に関す
る。
で、よりコントラスト比の向上を図り、マイクロ・コン
ピュ−タ、ワ−ドプロセッサまたはテレビ等の表示部の
薄膜化を図る液晶装置、更にディスクメモリ等のメモリ
装置、スピ−カ等の音響機器へ応用する液晶装置に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、液晶を用いて液晶装置を作製せんと
する場合、一対の基板の内側に一対の電極を設け、その
電極上に対称配向膜を設ける方式が知られている。しか
し、かかる単純マトリックス構造または各画素に非線型
素子が直列に連結されたアクティブ素子構造において、
最も重要な要素として、前記した液晶が十分大きいEc
（臨界電界またはスレッシュホ−ルド電界）を有するこ
とが重要である。このEcは、液晶が所定の電界以下では
初期の状態（例えば非透過) を維持し、所定の電界以上
においてきわめて急峻に反転し、他の状態（例えば透
過) を呈する現象、およびこの逆に透過より非透過とな
る現象をいう。即ち、このEcはEc+(正に電界を加える場
合に観察される臨界電界) と、逆にEc-(負に電界を加え
る場合に存在する電界) とを有し得る。また、このEc+
とEc- は必ずしも絶対値において同じではない。実際に
液晶を動作させる際には明確なＥｃの存在が望まれる。
する場合、一対の基板の内側に一対の電極を設け、その
電極上に対称配向膜を設ける方式が知られている。しか
し、かかる単純マトリックス構造または各画素に非線型
素子が直列に連結されたアクティブ素子構造において、
最も重要な要素として、前記した液晶が十分大きいEc
（臨界電界またはスレッシュホ−ルド電界）を有するこ
とが重要である。このEcは、液晶が所定の電界以下では
初期の状態（例えば非透過) を維持し、所定の電界以上
においてきわめて急峻に反転し、他の状態（例えば透
過) を呈する現象、およびこの逆に透過より非透過とな
る現象をいう。即ち、このEcはEc+(正に電界を加える場
合に観察される臨界電界) と、逆にEc-(負に電界を加え
る場合に存在する電界) とを有し得る。また、このEc+
とEc- は必ずしも絶対値において同じではない。実際に
液晶を動作させる際には明確なＥｃの存在が望まれる。
【０００３】しかしかかるEc+ とEc- は特にカイラルス
メクチックＣ相を用いる液晶においては、その存在が特
開昭に不明確であり、この液晶を印加するパルス電界の
電界強度とそのパルス巾との値に大きく依存している。
そのためマトリックス表示においては「ACバイアス法」
として知られている駆動方式を用いなければならない
し、正方向に書換えんとする時、一度負のパルスを加
え、次に正のパルスを所定の電界強度と時間とを精密に
制御して加える。また逆に負方向に書き換えんとする場
合も一度正のパルスを加え、次に負のパルスを所定の電
界強度と時間との精密な制御のもとに加えなければなら
ない。
メクチックＣ相を用いる液晶においては、その存在が特
開昭に不明確であり、この液晶を印加するパルス電界の
電界強度とそのパルス巾との値に大きく依存している。
そのためマトリックス表示においては「ACバイアス法」
として知られている駆動方式を用いなければならない
し、正方向に書換えんとする時、一度負のパルスを加
え、次に正のパルスを所定の電界強度と時間とを精密に
制御して加える。また逆に負方向に書き換えんとする場
合も一度正のパルスを加え、次に負のパルスを所定の電
界強度と時間との精密な制御のもとに加えなければなら
ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のようにＥｃの存
在が不明確な場合、周辺の駆動回路にそれを補う機能を
持たせる為に、周辺回路がきわめて複雑になってしまう
ため、ディスプレイ装置とした時、これよりも簡単な周
辺回路が求められている。そのためには、液晶それ自体
が十分明確なEcを有していることが重要になる。この十
分明確なEcを作らんとした時、これまでのFLC は、その
周波数特性をおとす等の制約のもとに、不十分なEcで満
足せざるを得ないのが実情であった。
在が不明確な場合、周辺の駆動回路にそれを補う機能を
持たせる為に、周辺回路がきわめて複雑になってしまう
ため、ディスプレイ装置とした時、これよりも簡単な周
辺回路が求められている。そのためには、液晶それ自体
が十分明確なEcを有していることが重要になる。この十
分明確なEcを作らんとした時、これまでのFLC は、その
周波数特性をおとす等の制約のもとに、不十分なEcで満
足せざるを得ないのが実情であった。
【０００５】本発明は、液晶それ自体にEcを有すること
を求めるのではなく、この液晶近傍にフロ−ティング電
極（電気的にいずれとも連結していない電極）を配し、
これに所定の電荷を蓄積することにより実質的に有効な
Ec+, Ec-を得んとしたものである。
を求めるのではなく、この液晶近傍にフロ−ティング電
極（電気的にいずれとも連結していない電極）を配し、
これに所定の電荷を蓄積することにより実質的に有効な
Ec+, Ec-を得んとしたものである。
【０００６】
【問題を解決するための手段】かかる問題を解くため、
本発明は、Ecおよび不揮発性を決定する要素として、液
晶材料に密接または実質的に密接する一方または双方に
フロ−ティング電極を設け、このフロ−ティング電極に
接して強誘電体薄膜（以下ITF ともいう）を設けたもの
である。そしてこのスメクチック液晶のEcをフロ−ティ
ング電極に蓄積された電荷により決定するべく試みたも
のである。そしてこの蓄積された電荷はITF により設け
られる分極電荷により決定せんとしたものである。
本発明は、Ecおよび不揮発性を決定する要素として、液
晶材料に密接または実質的に密接する一方または双方に
フロ−ティング電極を設け、このフロ−ティング電極に
接して強誘電体薄膜（以下ITF ともいう）を設けたもの
である。そしてこのスメクチック液晶のEcをフロ−ティ
ング電極に蓄積された電荷により決定するべく試みたも
のである。そしてこの蓄積された電荷はITF により設け
られる分極電荷により決定せんとしたものである。
【０００７】即ち、本発明においてはこのITF が高い誘
電率好ましくは強誘電性薄膜であり、自発分極を有する
ものより選ばれる。かつ誘電率を大きくするため、1000
Å以下例えば200 〜1000Åとする。そしてこの配向膜は
透光性であるが、光学的異方性を好ましくは有さないも
のより選ばれる。
電率好ましくは強誘電性薄膜であり、自発分極を有する
ものより選ばれる。かつ誘電率を大きくするため、1000
Å以下例えば200 〜1000Åとする。そしてこの配向膜は
透光性であるが、光学的異方性を好ましくは有さないも
のより選ばれる。
【０００８】その縦断面図を図１に示す。図１において
液晶材料としてはTN（ツィスト・ネマティック) 液晶、
ス−パ−・ツィスト・ネマティック液晶あるいは強誘電
性液晶を用いることができる。しかしここでは視野角の
大きい強誘電性液晶(1) を用いる。更に配向膜(5),
(5'),フロ−ティング電極(6),強誘電性薄膜(2), 一対
を構成する透光性電極(3),(3'), この透光性基板(4),
(4')を有する。さらに透光性電極の一方（例えば(3))上
には誘電体薄膜(2) とフロ−ティング電極(6) とを有
し、ここでキャパシタを構成している。このため、液晶
の配向処理層（膜) の一方(5) はフロ−ティング電極
(6) における液晶(1) の存在する側になされる。
液晶材料としてはTN（ツィスト・ネマティック) 液晶、
ス−パ−・ツィスト・ネマティック液晶あるいは強誘電
性液晶を用いることができる。しかしここでは視野角の
大きい強誘電性液晶(1) を用いる。更に配向膜(5),
(5'),フロ−ティング電極(6),強誘電性薄膜(2), 一対
を構成する透光性電極(3),(3'), この透光性基板(4),
(4')を有する。さらに透光性電極の一方（例えば(3))上
には誘電体薄膜(2) とフロ−ティング電極(6) とを有
し、ここでキャパシタを構成している。このため、液晶
の配向処理層（膜) の一方(5) はフロ−ティング電極
(6) における液晶(1) の存在する側になされる。
【０００９】この図１の電気的等価回路を図２に示す
が、この等価回路を用い本発明を以下に記す。この際の
FLC(1)が電気的等価回路としてG2（コンダクタンス),C2
（キャパシタンス) を有する。又FE(2) の等価回路とし
てG1（コンダクタンス),C1（キャパシタンス) を有す
る。すると電気的等価回路は図２を有する。この両端子
間にV0の電圧を印加した時、C1,G1 に加わる電圧V1, 電
荷Q1, C2,G2 に加わる電圧をV2,電荷Q2とすると、
が、この等価回路を用い本発明を以下に記す。この際の
FLC(1)が電気的等価回路としてG2（コンダクタンス),C2
（キャパシタンス) を有する。又FE(2) の等価回路とし
てG1（コンダクタンス),C1（キャパシタンス) を有す
る。すると電気的等価回路は図２を有する。この両端子
間にV0の電圧を印加した時、C1,G1 に加わる電圧V1, 電
荷Q1, C2,G2 に加わる電圧をV2,電荷Q2とすると、
【００１０】
【数１】
【００１１】でｔ＝０において分圧される。この時、FE
の厚さは2000Å以下であり、FLC の厚さは２〜３μｍと
10倍もの厚さを有するため、C1はC2より十分大である。
その結果、初期に
の厚さは2000Å以下であり、FLC の厚さは２〜３μｍと
10倍もの厚さを有するため、C1はC2より十分大である。
その結果、初期に
【００１２】
【数２】
【００１３】となり、初期状態においては印加電圧のほ
とんどすべてがFLC に印加される。さらにITF と誘電体
との間のフロ−ティング電極にｔ秒後に蓄積されるＱは
次式で与えられる。
とんどすべてがFLC に印加される。さらにITF と誘電体
との間のフロ−ティング電極にｔ秒後に蓄積されるＱは
次式で与えられる。
【００１４】
【数３】
【００１５】この一般式において前記したC1＞C2である
条件を考慮する。また抵抗（コンダクタンスの逆数) は
液晶が２μｍの厚さとし、１つのピクセルを100 μm ×
300μm １ある場合、109 Ωのオ−ダを有する。他方ITF
(誘電体) は厚さ1000Åの同一条件で1013Ωのオ−ダを
有し、液晶に比べ十分大きい抵抗を有する。このため、
ここではG1≒０として上式を考慮すると以下の式を得
る。
条件を考慮する。また抵抗（コンダクタンスの逆数) は
液晶が２μｍの厚さとし、１つのピクセルを100 μm ×
300μm １ある場合、109 Ωのオ−ダを有する。他方ITF
(誘電体) は厚さ1000Åの同一条件で1013Ωのオ−ダを
有し、液晶に比べ十分大きい抵抗を有する。このため、
ここではG1≒０として上式を考慮すると以下の式を得
る。
【００１６】
【数４】
【００１７】で与えられる。するとその結果、V1,V2 は
【００１８】
【数５】
【００１９】上式を変形して
【００２０】
【数６】
【００２１】で与えられる。さらにこのV1に対しｔが十
分大きくなると、
分大きくなると、
【００２２】
【数７】
【００２３】となる。即ち、印加の初期においては電極
間に印加した電圧はほとんどが液晶に印加され、その後
は殆どの電圧がITF に印加されることになる。そしてフ
ロ−ティング電極に所定の種類および量の電荷が蓄積さ
れる。
間に印加した電圧はほとんどが液晶に印加され、その後
は殆どの電圧がITF に印加されることになる。そしてフ
ロ−ティング電極に所定の種類および量の電荷が蓄積さ
れる。
【００２４】その結果、液晶に十分なEcがなくても、IT
F との間に設けられたフロ−ティング電極に蓄積される
電荷により実質的に決定されるEcを可変制御することに
より、この電荷Ｑに従って液晶が従属的に従い、結果と
して見掛け上液晶が大きなEcを有するようにさせること
ができる。
F との間に設けられたフロ−ティング電極に蓄積される
電荷により実質的に決定されるEcを可変制御することに
より、この電荷Ｑに従って液晶が従属的に従い、結果と
して見掛け上液晶が大きなEcを有するようにさせること
ができる。
【００２５】以上の結果より、本発明は液晶材料と直列
にフロ−ティング電極と強誘電体とを存在せしめ、この
強誘電体部分の電荷に従って液晶の反転、非反転を決定
することをその思想としている。以下に本発明の実施例
を示す。
にフロ−ティング電極と強誘電体とを存在せしめ、この
強誘電体部分の電荷に従って液晶の反転、非反転を決定
することをその思想としている。以下に本発明の実施例
を示す。
【００２６】
【実施例】図１は本発明の構成の縦断面図である。図面
において、ガラス基板(4),(4')上に透明導電膜(3),(3')
を例えばITO(酸化インジュ−ム・スズ）により形成し
た。さらにこの一方の上面に誘電体薄膜(ITF) 例えば強
誘電体薄膜(FE)(2) を形成する。
において、ガラス基板(4),(4')上に透明導電膜(3),(3')
を例えばITO(酸化インジュ−ム・スズ）により形成し
た。さらにこの一方の上面に誘電体薄膜(ITF) 例えば強
誘電体薄膜(FE)(2) を形成する。
【００２７】即ちFEとしてVDF(ビニリデンフロライド)
にトリフロロエチレン(TrFE)を混合し、コポリマとして
用いた。これをスピン法にて電極上に滴下し薄膜とする
ため、これを10重量％をメチル・エチル・ケトン溶液に
とかした。さらにこれらの溶液をスピンコ−トすると、
この薄め方とスピナの回転スピ−ドに従ってFEの厚さを
制御できる。この後この溶媒を加熱気化除去をした。次
にこの上にスパッタ法によりフロ−ティング電極を膜状
またはクラスタ状（粒径10〜1000Åの面積を有する互い
に電気的に分離した導体が島状に群をなして散在する状
態) に設けた。ここではITO をスパッタ法で平均厚さ10
〜2000Åとした。この平均厚さが10〜200 Åにおいては
実質的に直径30〜300 Åの粒の群（クラスタ) が形成さ
れた。更に200 〜2000Åの平均厚さでは薄膜状に形成さ
れた。この薄膜の場合は所定の形状にパタ−ニングする
必要がある。ここではこれらを総称してフロ−ティング
電極と称する。
にトリフロロエチレン(TrFE)を混合し、コポリマとして
用いた。これをスピン法にて電極上に滴下し薄膜とする
ため、これを10重量％をメチル・エチル・ケトン溶液に
とかした。さらにこれらの溶液をスピンコ−トすると、
この薄め方とスピナの回転スピ−ドに従ってFEの厚さを
制御できる。この後この溶媒を加熱気化除去をした。次
にこの上にスパッタ法によりフロ−ティング電極を膜状
またはクラスタ状（粒径10〜1000Åの面積を有する互い
に電気的に分離した導体が島状に群をなして散在する状
態) に設けた。ここではITO をスパッタ法で平均厚さ10
〜2000Åとした。この平均厚さが10〜200 Åにおいては
実質的に直径30〜300 Åの粒の群（クラスタ) が形成さ
れた。更に200 〜2000Åの平均厚さでは薄膜状に形成さ
れた。この薄膜の場合は所定の形状にパタ−ニングする
必要がある。ここではこれらを総称してフロ−ティング
電極と称する。
【００２８】さらにこの上面に配向処理膜を形成させ
た。例えば、本発明においては、1.1.1.トリメチルシラ
ザン等の他の配向膜を形成させた。この側の表面に対し
ては、ラビング処理を施すことを省略した。 さらに他
方の透明導電膜の電極(3')上にはアルミナ膜を形成し、
さらにナイロンを形成し、ラビング処理を行って配向処
理層とした。
た。例えば、本発明においては、1.1.1.トリメチルシラ
ザン等の他の配向膜を形成させた。この側の表面に対し
ては、ラビング処理を施すことを省略した。 さらに他
方の透明導電膜の電極(3')上にはアルミナ膜を形成し、
さらにナイロンを形成し、ラビング処理を行って配向処
理層とした。
【００２９】本実施例において、使用する液晶材料はＦ
ＬＣを使用し、この配向膜が形成された一対の基板の周
辺部を互いに封止（図示せず) し、公知の方法にてFLC
を充填した。このFLC は、例えばS8とB7との1:1 のブレ
ンド品を用いた。この液晶はOMOOPPとMBRAとのブレンド
品を用いてもよい。又例えば特開昭56-107216,特開昭59
-98051, 特開昭59-118744 に示される液晶を用いてもよ
い。
ＬＣを使用し、この配向膜が形成された一対の基板の周
辺部を互いに封止（図示せず) し、公知の方法にてFLC
を充填した。このFLC は、例えばS8とB7との1:1 のブレ
ンド品を用いた。この液晶はOMOOPPとMBRAとのブレンド
品を用いてもよい。又例えば特開昭56-107216,特開昭59
-98051, 特開昭59-118744 に示される液晶を用いてもよ
い。
【００３０】かかるセルの電極は1mm ×1mm となり、マ
トリックス構成させ、それぞれに±10V の電圧を加え
た。するとこの電界が加わっても画素はシランカップリ
ング材のみを用いた従来の方法では見られないきわめて
きれいなEcを実質的に有せしめることが可能となった。
トリックス構成させ、それぞれに±10V の電圧を加え
た。するとこの電界が加わっても画素はシランカップリ
ング材のみを用いた従来の方法では見られないきわめて
きれいなEcを実質的に有せしめることが可能となった。
【００３１】図３は縦軸に透過率、横軸に印加電圧を示
している。この図面において従来例として示された曲線
(9),(9')はフロ−ティング電極を設けず、また図面にお
ける上側電極(3) 上にシランカップリング材のみを用い
た非対称配向処理法で得たものである。（そのEcはきわ
めて小さくばらつきやすい欠点を有する。）また図１に
おけるITF(2)として光CVD 法で形成された窒化珪素膜(S
i3N4) を600 Åの厚さに形成し、その上に平均厚さ400
ÅのITO(酸化インジュ−ム・スズ）を形成した。さらに
フロ−ティング電極とするため、不要部をエッチングし
て除去し、この特性を曲線(10), (10') に示す。この特
性より明らかなごとく、フロ−ティング電極と制御電極
との間に誘電体を挿入してもEcが十分得ることができる
ことがわかった。さらにこのITF として前記した如くFE
を用い、前記した方法で作成する時、曲線(11),(11')を
得ることができた。この特性において明らかなごとく、
きわめてきれいなEc+,Ec- を得ることができた。 そし
てかかるEcを有するため、例えば720 ×480 画素を有す
る大面積のディスプレイに対してもまったくクロスト−
クのない表示をさせることが可能となり得る。
している。この図面において従来例として示された曲線
(9),(9')はフロ−ティング電極を設けず、また図面にお
ける上側電極(3) 上にシランカップリング材のみを用い
た非対称配向処理法で得たものである。（そのEcはきわ
めて小さくばらつきやすい欠点を有する。）また図１に
おけるITF(2)として光CVD 法で形成された窒化珪素膜(S
i3N4) を600 Åの厚さに形成し、その上に平均厚さ400
ÅのITO(酸化インジュ−ム・スズ）を形成した。さらに
フロ−ティング電極とするため、不要部をエッチングし
て除去し、この特性を曲線(10), (10') に示す。この特
性より明らかなごとく、フロ−ティング電極と制御電極
との間に誘電体を挿入してもEcが十分得ることができる
ことがわかった。さらにこのITF として前記した如くFE
を用い、前記した方法で作成する時、曲線(11),(11')を
得ることができた。この特性において明らかなごとく、
きわめてきれいなEc+,Ec- を得ることができた。 そし
てかかるEcを有するため、例えば720 ×480 画素を有す
る大面積のディスプレイに対してもまったくクロスト−
クのない表示をさせることが可能となり得る。
【００３２】本発明において、さらにシェアリング（液
晶を充填した後一方的に微小距離ずらすことにより配向
を行う) 法、温度勾配法をラビング法に変えてまたはこ
れに加えて行うことは有効である。
晶を充填した後一方的に微小距離ずらすことにより配向
を行う) 法、温度勾配法をラビング法に変えてまたはこ
れに加えて行うことは有効である。
【００３３】
【発明の効果】本発明は以上に示す如く、フロ−ティン
グ電極を設け、さらにこの電極と制御電極好ましくは強
誘電体を設けたものである。そしてこのフロ−ティング
電極を強誘電体を配向膜とし、それを一方または双方に
配設したものである。そのためより一層Ecの明確な液晶
装置を得ることができた。
グ電極を設け、さらにこの電極と制御電極好ましくは強
誘電体を設けたものである。そしてこのフロ−ティング
電極を強誘電体を配向膜とし、それを一方または双方に
配設したものである。そのためより一層Ecの明確な液晶
装置を得ることができた。
【００３４】このフロ−ティング電極の液晶側の配向処
理層として、強誘電体を用いこの強誘電体と液晶材料と
を実質的に密接する方式としてもよい。また、このフロ
−ティング電極強誘電体は図１の電極等の上に同じ大き
さに形成しても、またこの電極内に小さい電極をクラス
タ状に形成してもよい。さらに選択的に形成しても、ま
た電極を含む全面に形成してもよい。
理層として、強誘電体を用いこの強誘電体と液晶材料と
を実質的に密接する方式としてもよい。また、このフロ
−ティング電極強誘電体は図１の電極等の上に同じ大き
さに形成しても、またこの電極内に小さい電極をクラス
タ状に形成してもよい。さらに選択的に形成しても、ま
た電極を含む全面に形成してもよい。
【００３５】この液晶装置は単にディスプレイのみなら
ずスピ−カ、プリンタまたはディスクメモリに対しても
適用でき、液晶材料の光学的異方性の適用可能な製品に
適用できる。
ずスピ−カ、プリンタまたはディスクメモリに対しても
適用でき、液晶材料の光学的異方性の適用可能な製品に
適用できる。
【００３６】又液晶材料としてその抵抗値が十分大きさ
材料であるならば、ツィスト・ネマチック液晶(TN 液
晶),ス−パ−・ツィスト・ネマチック液晶またはその他
も適用し得る。しかしこの抵抗値が小さいとすぐにフロ
−ティング電極に蓄積した電荷が消滅してしまうため好
ましくない。
材料であるならば、ツィスト・ネマチック液晶(TN 液
晶),ス−パ−・ツィスト・ネマチック液晶またはその他
も適用し得る。しかしこの抵抗値が小さいとすぐにフロ
−ティング電極に蓄積した電荷が消滅してしまうため好
ましくない。
【図１】本発明の液晶装置の縦断面図である。
【図２】本発明の等価回路図を示す。
【図３】本発明と従来例の特性のー例を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜谷 敏次 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 坂間 光範 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 山口 利治 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 小林 一平 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の基板の内側に設けられた誘電体薄
膜に接して、第１の電極とフローティング電極とを有
し、前記フローティング電極に対向する位置に第２の電
極が設けられ、第２の電極上あるいはフローティング電
極上方には配向処理された部分を有することを特徴とす
る液晶装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体薄膜の少なくとも
一部は有機材料により構成されていることを特徴とする
液晶装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001152A JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
| US07/295,008 US4978203A (en) | 1986-01-07 | 1989-01-09 | Liquid crystal device with an apparent hysteresis |
| JP91304016A JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001152A JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
| JP91304016A JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001152A Division JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05265016A true JPH05265016A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=26334322
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001152A Pending JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
| JP91304016A Pending JPH05265016A (ja) | 1986-01-07 | 1991-10-23 | 液晶装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001152A Pending JPS62159124A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 液晶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4978203A (ja) |
| JP (2) | JPS62159124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009128905A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Au Optronics Corp | 液晶ディスプレイ装置 |
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| JP2620066B2 (ja) * | 1986-01-29 | 1997-06-11 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 液晶装置 |
| FR2599171B1 (fr) * | 1986-05-20 | 1989-12-08 | Thomson Csf | Ecran de visualisation electrooptique et procede de realisation |
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| KR100357213B1 (ko) | 1998-07-23 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
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| KR100519366B1 (ko) | 1999-04-03 | 2005-10-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
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- 1991-10-23 JP JP91304016A patent/JPH05265016A/ja active Pending
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Also Published As
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|---|---|
| US4978203A (en) | 1990-12-18 |
| JPS62159124A (ja) | 1987-07-15 |
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