JP2655719B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に関し、 安定駆動に必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子
を提供することを目的とし、 強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電極により挟
んだ液晶表示素子において、前記第１及び第２の電極間
に、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時間を長くする
ための容量部材を前記強誘電性液晶と並列に設けるよう
に構成する。
を提供することを目的とし、 強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電極により挟
んだ液晶表示素子において、前記第１及び第２の電極間
に、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時間を長くする
ための容量部材を前記強誘電性液晶と並列に設けるよう
に構成する。
また、強誘電性液晶を挟んで対向する第１及び第２の
基板と、前記第１の基板上に形成された第１の電極と、
前記第２の基板上に形成された誘電体膜と、前記誘電体
膜上に形成された第２の電極と、前記誘電体膜と前記第
１の電極を電気的に接続する導電性部材とを有するよう
に構成する。
基板と、前記第１の基板上に形成された第１の電極と、
前記第２の基板上に形成された誘電体膜と、前記誘電体
膜上に形成された第２の電極と、前記誘電体膜と前記第
１の電極を電気的に接続する導電性部材とを有するよう
に構成する。
［産業上の利用分野］ 本発明は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に関す
る。
る。
［従来の技術］ 液晶表示素子は、平板型で低消費電力であることか
ら、ワードプロセッサ、ラップトップコンピュータにお
ける表示素子として広く用いられている。特に、スーパ
ーツイステッドネマティック（STN）型液晶は、例えば6
40×400ドットというような大型の表示素子として製造
することが比較的容易であることから、パーソナルコン
ピュータ等にも広く用いられている。
ら、ワードプロセッサ、ラップトップコンピュータにお
ける表示素子として広く用いられている。特に、スーパ
ーツイステッドネマティック（STN）型液晶は、例えば6
40×400ドットというような大型の表示素子として製造
することが比較的容易であることから、パーソナルコン
ピュータ等にも広く用いられている。
しかしながら、より機能の高いワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータへの適用が図られるに従い、液晶
ディスプレイの表示量が増大すると共に表示スピードが
問題となっている。すなわち、STN型液晶では、ワード
プロセッサのように静止情報を表示することは問題ない
が、動画情報を表示することは表示スピードが遅すぎて
不可能であった。
ーソナルコンピュータへの適用が図られるに従い、液晶
ディスプレイの表示量が増大すると共に表示スピードが
問題となっている。すなわち、STN型液晶では、ワード
プロセッサのように静止情報を表示することは問題ない
が、動画情報を表示することは表示スピードが遅すぎて
不可能であった。
そこで表示スピードを飛躍的に増大させる液晶表示素
子として、強誘電性液晶表示素子（FLCD＝Ferroelectri
c Liquid Crystal Display）が提案されている（N.A.Cl
ark and S.T.Lagerwall,“Submicrosecond bistable el
ectro−optic switching in liquid crystals",Appl.Ph
ys.Lett.36（11）,899,1 June 1980）。FLCDでは液晶分
子の持つ分極の方向が一定方向にそろうため自発分極を
有しており、この自発分極が印加電界の極性反転により
反転するという強誘電性を示す。
子として、強誘電性液晶表示素子（FLCD＝Ferroelectri
c Liquid Crystal Display）が提案されている（N.A.Cl
ark and S.T.Lagerwall,“Submicrosecond bistable el
ectro−optic switching in liquid crystals",Appl.Ph
ys.Lett.36（11）,899,1 June 1980）。FLCDでは液晶分
子の持つ分極の方向が一定方向にそろうため自発分極を
有しており、この自発分極が印加電界の極性反転により
反転するという強誘電性を示す。
従来の強誘電性液晶表示素子を第８図に示す。強誘電
性液晶表示素子30を駆動するには、第８図（ａ）に示す
ように、パルス電源32により強誘電性液晶表示素子30に
正又は負の極性のパルス電界を印加し、液晶分子の自発
分極の向きをそろえておく。パルス電界を印加して分極
の向きがそろった後は液晶の強誘電性、すなわち自発分
極の方向を変えないメモリ効果によって表示内容を保持
する。表示内容の変更は、逆極性のパルス電界を印加す
ることにより自発分極の向きを変えて行う。このよう
に、強誘電性液晶表示素子では液晶のメモリ効果をいか
に長時間安定に保つことができるかにより性能の優劣が
決まることになる。
性液晶表示素子30を駆動するには、第８図（ａ）に示す
ように、パルス電源32により強誘電性液晶表示素子30に
正又は負の極性のパルス電界を印加し、液晶分子の自発
分極の向きをそろえておく。パルス電界を印加して分極
の向きがそろった後は液晶の強誘電性、すなわち自発分
極の方向を変えないメモリ効果によって表示内容を保持
する。表示内容の変更は、逆極性のパルス電界を印加す
ることにより自発分極の向きを変えて行う。このよう
に、強誘電性液晶表示素子では液晶のメモリ効果をいか
に長時間安定に保つことができるかにより性能の優劣が
決まることになる。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の強誘電性液晶表示素子では、配
向の不均一性、基板界面と液晶分子の相互作用の不一
致、液晶層構造の不完全性等の理由により、第８図
（ｂ）に示すように、パルス電界印加により一方向にそ
ろった液晶の自発分極がその後徐々に向きを変えてしま
う性質がある。すなわち、パルス電界印加後は第８図
（ｂ）に示す閉回路となり、液晶自身の自発分極による
内部電場により準安定状態となる。したがって、時間が
経過すると、配向の不均一性等に起因して部分的に自発
分極の向きが変わる。すると内部電場は減衰し、他の部
分の自発分極の反転を誘起する。このようにして内部電
場は徐々に減衰し、最終的には内部電場は零になってメ
モリ性が失われる。
向の不均一性、基板界面と液晶分子の相互作用の不一
致、液晶層構造の不完全性等の理由により、第８図
（ｂ）に示すように、パルス電界印加により一方向にそ
ろった液晶の自発分極がその後徐々に向きを変えてしま
う性質がある。すなわち、パルス電界印加後は第８図
（ｂ）に示す閉回路となり、液晶自身の自発分極による
内部電場により準安定状態となる。したがって、時間が
経過すると、配向の不均一性等に起因して部分的に自発
分極の向きが変わる。すると内部電場は減衰し、他の部
分の自発分極の反転を誘起する。このようにして内部電
場は徐々に減衰し、最終的には内部電場は零になってメ
モリ性が失われる。
このような自発分極の緩和を防止して強誘電性液晶表
示素子のメモリ性を安定に保つためには、根本的には上
述した配向の不均一性等を解消すればよい。しかしなが
ら、640×400ドットもの大型液晶パネルを製造する場
合、配向の不均一性等を完全になくすことは現在の技術
レベルでは不可能である。このため、従来は、安定駆動
に必要十分なメモリ性を有する強誘電性液晶表示素子を
実現することが難しかった。
示素子のメモリ性を安定に保つためには、根本的には上
述した配向の不均一性等を解消すればよい。しかしなが
ら、640×400ドットもの大型液晶パネルを製造する場
合、配向の不均一性等を完全になくすことは現在の技術
レベルでは不可能である。このため、従来は、安定駆動
に必要十分なメモリ性を有する強誘電性液晶表示素子を
実現することが難しかった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、安定駆
動に必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子を提供す
ることを目的とする。
動に必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記目的は、強誘電性液晶を対向する第１及び第２の
電極により挟んだ液晶表示素子において、前記第１及び
第２の電極間に、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時
間を長くするための容量部材を前記強誘電性液晶と並列
に設けたことを特徴とする液晶表示素子によって達成さ
れる。
電極により挟んだ液晶表示素子において、前記第１及び
第２の電極間に、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時
間を長くするための容量部材を前記強誘電性液晶と並列
に設けたことを特徴とする液晶表示素子によって達成さ
れる。
また、上記実施例は、強誘電性液晶を挟んで対向する
第１及び第２の基板と、前記第１の基板上に形成された
第１の電極と、前記第２の基板上に形成された誘電体膜
と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極と、前記誘
電体膜と前記第１の電極を電気的に接続する導電性部材
とを有することを特徴とする液晶表示素子によって達成
される。
第１及び第２の基板と、前記第１の基板上に形成された
第１の電極と、前記第２の基板上に形成された誘電体膜
と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極と、前記誘
電体膜と前記第１の電極を電気的に接続する導電性部材
とを有することを特徴とする液晶表示素子によって達成
される。
［作用］ 本発明によれば、容量部材を強誘電性液晶と並列に設
けたので、強誘電性液晶の自発分極の緩和時間が長くな
り、メモリ性が向上する。
けたので、強誘電性液晶の自発分極の緩和時間が長くな
り、メモリ性が向上する。
［実施例］ 本発明の第１の実施例による液晶表示素子を第１図を
用いて説明する。
用いて説明する。
本実施例においては強誘電性液晶部10と並列に容量部
材であるコンデンサ12を並列接続している。このコンデ
ンサ12により自発分極の緩和時間を長くして内部電場が
ゆっくり減衰するようにしてメモリ性を高めている。
材であるコンデンサ12を並列接続している。このコンデ
ンサ12により自発分極の緩和時間を長くして内部電場が
ゆっくり減衰するようにしてメモリ性を高めている。
第１図（ａ）に示す閉回路の等価回路は同図（ｂ）に
示すようになり、強誘電性液晶部10が有する容量C
LCと、強誘電性液晶部10及び電源（図示せず）の内部抵
抗の和Ｒと、コンデンサ12の容量Ceとを並列接続したも
のとなる。
示すようになり、強誘電性液晶部10が有する容量C
LCと、強誘電性液晶部10及び電源（図示せず）の内部抵
抗の和Ｒと、コンデンサ12の容量Ceとを並列接続したも
のとなる。
強誘電性液晶部10における自発分極の緩和は、この内
部容量CLCに蓄えられた電荷が放電することに相当す
る。したがって、従来のようにコンデンサ12がなくて強
誘電性液晶部10だけの場合の緩和時間τは、 τ＝ｋ・Ｒ×CLC となる。ただし、ｋは比例定数である。
部容量CLCに蓄えられた電荷が放電することに相当す
る。したがって、従来のようにコンデンサ12がなくて強
誘電性液晶部10だけの場合の緩和時間τは、 τ＝ｋ・Ｒ×CLC となる。ただし、ｋは比例定数である。
これに対し、本実施例では、強誘電性液晶部10に並列
に容量Ceのコンデンサ12が接続されているので、緩和時
間τは、 τ＝ｋ・Ｒ×（CLC＋Ce） となり、従来よりｋ×Ｒ×Ce分だけ長くなる。
に容量Ceのコンデンサ12が接続されているので、緩和時
間τは、 τ＝ｋ・Ｒ×（CLC＋Ce） となり、従来よりｋ×Ｒ×Ce分だけ長くなる。
したがって、並列接続するコンデンサ12の容量値Ceを
変えることにより自由に緩和時間τを調節でき、メモリ
効果の安定性を向上させることができる。
変えることにより自由に緩和時間τを調節でき、メモリ
効果の安定性を向上させることができる。
なお、強誘電性液晶部10のメモリ効果の安定性は、自
発分極が上向きか（第２図（ａ））、下向きか（同図
（ｂ））によって異なることが知られている。これは、
強誘電性液晶部10の基板界面付近で、第２図に示すよう
に液晶分子がやや傾いて配向していることや、基板表面
部分の極性と液晶の自発分極の相互作用によって分極の
向きの安定性が異なるためであると考えられている。
発分極が上向きか（第２図（ａ））、下向きか（同図
（ｂ））によって異なることが知られている。これは、
強誘電性液晶部10の基板界面付近で、第２図に示すよう
に液晶分子がやや傾いて配向していることや、基板表面
部分の極性と液晶の自発分極の相互作用によって分極の
向きの安定性が異なるためであると考えられている。
このような強誘電性液晶部10のメモリ効果の安定性の
異方性を補償するためには、第３図に示すように、コン
デンサ12の代わりに、極性を有する例えば電解コンデン
サ14を設ければよい。電解コンデンサ14の極性により強
誘電性液晶部10の自発分極が上向きの場合でも下向きの
場合でもほぼ同じメモリ効果を得ることができる。
異方性を補償するためには、第３図に示すように、コン
デンサ12の代わりに、極性を有する例えば電解コンデン
サ14を設ければよい。電解コンデンサ14の極性により強
誘電性液晶部10の自発分極が上向きの場合でも下向きの
場合でもほぼ同じメモリ効果を得ることができる。
上述した第１の実施例による液晶表示素子の効果を確
認するために次のような実験を行った。
認するために次のような実験を行った。
丸型電極（透明電極）面積176.7mm2、基板面積25×25
mm2のガラス基板上に、ポリビニルアルコールを約1200
Åの厚さで製膜し、その表面をラビングした。これら基
板をギャップが2.0μｍになるようにして張合わせ、エ
ステル系液晶組成物からなる強誘電性液晶を封入した。
mm2のガラス基板上に、ポリビニルアルコールを約1200
Åの厚さで製膜し、その表面をラビングした。これら基
板をギャップが2.0μｍになるようにして張合わせ、エ
ステル系液晶組成物からなる強誘電性液晶を封入した。
このようにして製造した強誘電性液晶部10をサンプル
として種々の容量値Ceのコンデンサ12を並列接続してメ
モリ効果を測定した。強誘電性液晶部10に幅3.5msecで
波高値15Vの双極性パルスを0.5sec間隔で印加し、強誘
電性液晶部10に電界が印加されていない0.5secの間に、
どれだけ透過率が減衰するか測定した。
として種々の容量値Ceのコンデンサ12を並列接続してメ
モリ効果を測定した。強誘電性液晶部10に幅3.5msecで
波高値15Vの双極性パルスを0.5sec間隔で印加し、強誘
電性液晶部10に電界が印加されていない0.5secの間に、
どれだけ透過率が減衰するか測定した。
測定結果を第４図、第５図に示す。
第４図（ａ）はコンデンサ12を接続しない場合の結果
である。0.5secのパルス間隔の間に大きく透過率が減衰
していることがわかる。並列接続するコンデンサ12の容
量値Ceを2pFから徐々に増やしていった。容量値Ceが2pF
から0.01μＦの間は、第４図（ｂ）〜（ｆ）に示すよう
に減衰抑制効果は大きくないが、0.1μＦになると第４
図（ｇ）に示すように減衰が大幅に抑えられ、１μＦで
は第４図（ｈ）に示すように減衰がほぼなくなっている
ことがわかる。さらに、6.8μＦでは第４図（ｉ）に示
すように減衰が完全になくなった。
である。0.5secのパルス間隔の間に大きく透過率が減衰
していることがわかる。並列接続するコンデンサ12の容
量値Ceを2pFから徐々に増やしていった。容量値Ceが2pF
から0.01μＦの間は、第４図（ｂ）〜（ｆ）に示すよう
に減衰抑制効果は大きくないが、0.1μＦになると第４
図（ｇ）に示すように減衰が大幅に抑えられ、１μＦで
は第４図（ｈ）に示すように減衰がほぼなくなっている
ことがわかる。さらに、6.8μＦでは第４図（ｉ）に示
すように減衰が完全になくなった。
コンデンサ12の容量Ceとメモリ時のルミナンス（Lumi
nance）比との関係を第５図に示す。Ceが104pFと105pF
の中間あたりからルミナンス比が上昇していることがわ
かる。
nance）比との関係を第５図に示す。Ceが104pFと105pF
の中間あたりからルミナンス比が上昇していることがわ
かる。
サンプルの強誘電性液晶部10の容量CLCは約10nFであ
ったので、容量Ceが容量CLCと同等以上になると減衰抑
制効果が大きくなることがわかった。すなち、液晶の容
量Ceと同じかそれ以上の容量を外から付けたときに、メ
モリの安定化が生じる。
ったので、容量Ceが容量CLCと同等以上になると減衰抑
制効果が大きくなることがわかった。すなち、液晶の容
量Ceと同じかそれ以上の容量を外から付けたときに、メ
モリの安定化が生じる。
なお、容量Ceが１μＦの場合（第４図（ｈ））と6.8
μＦの場合（第４図（ｉ））はタンタルの電解コンデン
サ14を用いた。この電解コンデンサ14の極性を逆に接続
して減衰光量の測定を行った。測定結果を第４図
（ｊ）、（ｋ）に示す。その結果、電解コンデンサ14の
極性を変えた場合メモリ効果に相違があることがわかっ
た。すなわち、強誘電性液晶部10の自発分極の方向と同
一方向の極性で電解コンデンサ14を接続した場合にメモ
リ性が安定する。即ち、第４図（ｊ）、（ｋ）では強誘
電性液晶部10の自発分極の方向と極性コンデンサ14の極
性が同一方向に接続されていると思われる。
μＦの場合（第４図（ｉ））はタンタルの電解コンデン
サ14を用いた。この電解コンデンサ14の極性を逆に接続
して減衰光量の測定を行った。測定結果を第４図
（ｊ）、（ｋ）に示す。その結果、電解コンデンサ14の
極性を変えた場合メモリ効果に相違があることがわかっ
た。すなわち、強誘電性液晶部10の自発分極の方向と同
一方向の極性で電解コンデンサ14を接続した場合にメモ
リ性が安定する。即ち、第４図（ｊ）、（ｋ）では強誘
電性液晶部10の自発分極の方向と極性コンデンサ14の極
性が同一方向に接続されていると思われる。
本発明の第２の実施例による液晶表示素子を第６図に
示す。本実施例の液晶表示素子は、並列接続する容量を
外付けにせず、液晶表示素子内に組み込んだことを特徴
としている。
示す。本実施例の液晶表示素子は、並列接続する容量を
外付けにせず、液晶表示素子内に組み込んだことを特徴
としている。
下部のガラス基板20上に一方の透明電極21が形成さ
れ、上部のガラス基板22上に対向する透明電極23が形成
され、透明電極21、23間に強誘電性液晶24が封入されて
いる。本実施例では、ガラス基板22と透明電極23の間に
例えばMgOの誘電性膜25が挿入されている。誘電体膜25
と透明電極21との間には導電性部材である異方性導電樹
脂26が挿入されて、誘電体膜25と透明電極21を電気的に
接続している。
れ、上部のガラス基板22上に対向する透明電極23が形成
され、透明電極21、23間に強誘電性液晶24が封入されて
いる。本実施例では、ガラス基板22と透明電極23の間に
例えばMgOの誘電性膜25が挿入されている。誘電体膜25
と透明電極21との間には導電性部材である異方性導電樹
脂26が挿入されて、誘電体膜25と透明電極21を電気的に
接続している。
異方性導電樹脂26はある方向には導電性を示し、それ
に直角方向には絶縁性を示すものである。本実施例では
縦方向に導電性を有し、横方向に絶縁性を示すように異
方性導電樹脂26を配置する。これにより誘電体膜25と透
明電極21が電気的に接続され、下部の透明電極21間は電
気的に絶縁性を保つことができる。
に直角方向には絶縁性を示すものである。本実施例では
縦方向に導電性を有し、横方向に絶縁性を示すように異
方性導電樹脂26を配置する。これにより誘電体膜25と透
明電極21が電気的に接続され、下部の透明電極21間は電
気的に絶縁性を保つことができる。
本実施例による液晶表示素子の等価回路を第６図
（ｂ）に示す。
（ｂ）に示す。
透明電極21、23間にパルス電源28を挿入した場合の等
価回路である。この等価回路から、強誘電性液晶24の容
量CLC、抵抗RLCに対して、誘電体膜25の容量Ceは並列接
続されていることがわかる。
価回路である。この等価回路から、強誘電性液晶24の容
量CLC、抵抗RLCに対して、誘電体膜25の容量Ceは並列接
続されていることがわかる。
このように本実施例によれば簡単な構成で付加すべき
容量を液晶表示素子に内蔵することができ、従来のもの
と同様に実装でき、また、製造コストを大きく上昇させ
ることなく、液晶表示素子のメモリ性の安定を図ること
ができる。
容量を液晶表示素子に内蔵することができ、従来のもの
と同様に実装でき、また、製造コストを大きく上昇させ
ることなく、液晶表示素子のメモリ性の安定を図ること
ができる。
上述した第２の実施例による液晶表示素子の効果を確
認するために次のような実験を行った。
認するために次のような実験を行った。
誘電体膜に種々の厚さのMgO膜を用い、このMgO膜をガ
ラス板上に形成する。透明電極は、0.35mmピッチ、幅33
5μｍ、間隔15μｍで、100本のストライプラインとす
る。抵抗値は10Ω/cm2で、基板寸法は60×60×1.1mmと
する。これに液晶配向膜としてポリビニルアルコールを
約1000Å塗布し、ラビングを行った。このような基板の
間に、スペーサとしての２μｍのSiO2球と共にエステル
系液晶組成物からなる強誘電性液晶を封入した。
ラス板上に形成する。透明電極は、0.35mmピッチ、幅33
5μｍ、間隔15μｍで、100本のストライプラインとす
る。抵抗値は10Ω/cm2で、基板寸法は60×60×1.1mmと
する。これに液晶配向膜としてポリビニルアルコールを
約1000Å塗布し、ラビングを行った。このような基板の
間に、スペーサとしての２μｍのSiO2球と共にエステル
系液晶組成物からなる強誘電性液晶を封入した。
このようにして製造した強誘電性液晶表示素子をサン
プルとしてMgO膜の厚さを変えてメモリ効果を測定し
た。幅500μsecで波高値15Vの双極性パルスを0.5sec間
隔で印加し、電界が印加されていない0.5secの間に、ど
れだけ透過率が減衰するか測定した。
プルとしてMgO膜の厚さを変えてメモリ効果を測定し
た。幅500μsecで波高値15Vの双極性パルスを0.5sec間
隔で印加し、電界が印加されていない0.5secの間に、ど
れだけ透過率が減衰するか測定した。
メモリ安定性の定義としては印加電界を除去してから
0.5sec経過後における透過率の保持状態を、完全明状態
を100％、完全暗状態を０％として、パーセント（％）
で表示した（第７図（ｂ））。
0.5sec経過後における透過率の保持状態を、完全明状態
を100％、完全暗状態を０％として、パーセント（％）
で表示した（第７図（ｂ））。
測定結果を第７図（ａ）に示す。
第７図（ａ）から明らかなように、MgO膜の厚さが0.1
〜0.3μｍの場合にメモリ安定性は80％以上あり、MgO膜
の厚さが0.4μｍの場合でもメモリ安定性が64％あり、M
gO膜がない場合（０μｍ）の５％に比べて著しく向上し
たことがわかった。なお、メモリ安定性が100％であるM
gO膜の厚さ0.1μｍの場合の容量は2.0μＦ、厚さ0.2μ
ｍの場合の容量は1.1μＦである。
〜0.3μｍの場合にメモリ安定性は80％以上あり、MgO膜
の厚さが0.4μｍの場合でもメモリ安定性が64％あり、M
gO膜がない場合（０μｍ）の５％に比べて著しく向上し
たことがわかった。なお、メモリ安定性が100％であるM
gO膜の厚さ0.1μｍの場合の容量は2.0μＦ、厚さ0.2μ
ｍの場合の容量は1.1μＦである。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能であ
る。
る。
例えば、上記第１及び第２の実施例ではエステル系液
晶を用いたが、他の材料の強誘電性液晶でもよい。
晶を用いたが、他の材料の強誘電性液晶でもよい。
また、上記第２の実施例では誘電体膜にMgO膜を用い
たが他の材料の膜を用いていもよい。さらに、誘電体膜
と第１の電極を電気的に接続する導電性部材として異方
性導電樹脂を用いたが、透明電極間を絶縁すれば通常の
導電性物質を用いてもよい。
たが他の材料の膜を用いていもよい。さらに、誘電体膜
と第１の電極を電気的に接続する導電性部材として異方
性導電樹脂を用いたが、透明電極間を絶縁すれば通常の
導電性物質を用いてもよい。
［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば、容量部材を強誘電性液
晶と並列に設けたので、強誘電性液晶の自発分極の緩和
時間が長くなり、メモリ性が向上し、安定駆動に必要十
分なメモリ性を持たせることができ、表示スピードが早
く、高速大容量の液晶表示素子を実現することができ
る。
晶と並列に設けたので、強誘電性液晶の自発分極の緩和
時間が長くなり、メモリ性が向上し、安定駆動に必要十
分なメモリ性を持たせることができ、表示スピードが早
く、高速大容量の液晶表示素子を実現することができ
る。
第１図は本発明の第１の実施例による液晶表示素子を示
す図、 第２図は強誘電性液晶の自発分極の方向性を示す図、 第３図は本発明の第１の実施例の液晶表示素子の変形例
を示す図、 第４図、第５図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定
結果を示す図、 第６図は本発明の第２の実施例による液晶表示素子を示
す図、 第７図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定結果を示
す図、 第８図は従来の液晶表示素子を示す図 である。 図において、 10……強誘電性液晶部 12……コンデンサ 14……電解コンデンサ 20……ガラス基板 21……透明電極 22……ガラス基板 23……透明電極 24……強誘電性液晶 25……誘電体膜 26異方性導電樹脂 28……パルス電源 30……強誘電性液晶表示素子 32……パルス電源
す図、 第２図は強誘電性液晶の自発分極の方向性を示す図、 第３図は本発明の第１の実施例の液晶表示素子の変形例
を示す図、 第４図、第５図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定
結果を示す図、 第６図は本発明の第２の実施例による液晶表示素子を示
す図、 第７図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定結果を示
す図、 第８図は従来の液晶表示素子を示す図 である。 図において、 10……強誘電性液晶部 12……コンデンサ 14……電解コンデンサ 20……ガラス基板 21……透明電極 22……ガラス基板 23……透明電極 24……強誘電性液晶 25……誘電体膜 26異方性導電樹脂 28……パルス電源 30……強誘電性液晶表示素子 32……パルス電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−59931（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−142328（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電
極により挟んだ液晶表示素子において、 前記第１及び第２の電極間に、前記強誘電性液晶の自発
分極の緩和時間を長くするための容量部材を前記強誘電
性液晶と並列に設けたことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示素子において、前
記容量部材は極性を有していることを特徴とする液晶表
示素子。 - 【請求項３】強誘電性液晶を挟んで対向する第１及び第
２の基板と、 前記第１の基板上に形成された第１の電極と、 前記第２の基板上に形成された誘電体膜と、 前記誘電体膜上に形成された第２の電極と、 前記誘電体膜と前記第１の電極を電気的に接続する導電
性部材と を有することを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067863A JP2655719B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 液晶表示素子 |
| CA002012391A CA2012391C (en) | 1989-03-20 | 1990-03-16 | Liquid crystal display device |
| EP90302908A EP0389211B1 (en) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Liquid crystal display device |
| DE69006757T DE69006757T2 (de) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
| US07/496,030 US5113273A (en) | 1989-03-20 | 1990-03-20 | Liquid crystal display device |
| KR1019900003726A KR950000405B1 (ko) | 1989-03-20 | 1990-03-20 | 액정표시장치 |
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| JP2938232B2 (ja) * | 1991-07-25 | 1999-08-23 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶表示デバイス |
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| US7145616B2 (en) * | 2004-08-27 | 2006-12-05 | Nano Loa, Inc. | Transflective liquid crystal device |
| TWI324269B (en) * | 2006-03-15 | 2010-05-01 | Au Optronics Corp | Display panel having repair lines and signal lines disposed at different substrate |
| KR100816761B1 (ko) | 2006-12-04 | 2008-03-25 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법 |
| TWI420197B (zh) * | 2010-01-21 | 2013-12-21 | Tpk Touch Solutions Inc | 內嵌式觸控顯示器及其製程方法 |
| CN105810692A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 |
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| JPS58176623A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Hitachi Ltd | 電気光学装置 |
| JPS6186732A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-02 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS62159124A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| DE3751311T2 (de) * | 1986-02-17 | 1995-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Flüssigkristallvorrichtung mit einer Ladungs-Speicherstruktur. |
| US4773738A (en) * | 1986-08-27 | 1988-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device using ferroelectric liquid crystal and AC and DC driving voltages |
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1989
- 1989-03-20 JP JP1067863A patent/JP2655719B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-16 CA CA002012391A patent/CA2012391C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 DE DE69006757T patent/DE69006757T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 EP EP90302908A patent/EP0389211B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-20 US US07/496,030 patent/US5113273A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-20 KR KR1019900003726A patent/KR950000405B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69006757T2 (de) | 1994-06-01 |
| CA2012391C (en) | 1994-02-22 |
| US5113273A (en) | 1992-05-12 |
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| EP0389211A3 (en) | 1991-10-02 |
| CA2012391A1 (en) | 1990-09-20 |
| JPH02245729A (ja) | 1990-10-01 |
| KR950000405B1 (ko) | 1995-01-19 |
| EP0389211B1 (en) | 1994-02-23 |
| EP0389211A2 (en) | 1990-09-26 |
| KR910017216A (ko) | 1991-11-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |