JPH02245729A - 液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に関し、安定駆動に
必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子を提供するこ
とを目的とし、 強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電極により挟ん
だ液晶表示素子において、前記第１及び第２の電極間に
、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時間を長くするた
めの容量部材を前記強誘電性液晶と並列に設けるように
構成する。
必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子を提供するこ
とを目的とし、 強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電極により挟ん
だ液晶表示素子において、前記第１及び第２の電極間に
、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時間を長くするた
めの容量部材を前記強誘電性液晶と並列に設けるように
構成する。
また、強誘電性液晶を挟んで対向する第１及び第２の基
板と、前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前
記第２の基板上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜
上に形成された第２の電極と、前記誘電体膜と前記第１
の電極を電気的に接続する導電性部材とを有するように
構成する。
板と、前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前
記第２の基板上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜
上に形成された第２の電極と、前記誘電体膜と前記第１
の電極を電気的に接続する導電性部材とを有するように
構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に関する。
［従来の技術］
液晶表示素子は、平板型で低消黄電力であることから、
ワードプロセッサ、ラップトツブコンピュータにおける
表示素子として広く用いられている。特に、スーパーツ
ィステッドネマティック（ＳＴＮ）型液晶は、例えば６
４０Ｘ４００ドツトというような大型の表示素子として
製造することが比較的容易であることから、パーソナル
コンピュータ等にも広く用いられている。
ワードプロセッサ、ラップトツブコンピュータにおける
表示素子として広く用いられている。特に、スーパーツ
ィステッドネマティック（ＳＴＮ）型液晶は、例えば６
４０Ｘ４００ドツトというような大型の表示素子として
製造することが比較的容易であることから、パーソナル
コンピュータ等にも広く用いられている。
しかしながら、より機能の高いワードプロセッサやパー
ソナルコンピュータへの適用が図られるに従い、液晶デ
イスプレィの表示量が増大すると共に表示スピードが問
題となっている。すなわち、ＳＴＮ型液晶では、ワード
プロセッサのように静止情報を表示することは間頭ない
が、動画情報を表示することは表示スピードが遅すぎて
不可能であった。
ソナルコンピュータへの適用が図られるに従い、液晶デ
イスプレィの表示量が増大すると共に表示スピードが問
題となっている。すなわち、ＳＴＮ型液晶では、ワード
プロセッサのように静止情報を表示することは間頭ない
が、動画情報を表示することは表示スピードが遅すぎて
不可能であった。
そこで表示スピードを飛躍的に増大させる液晶表示素子
として、強誘電性液晶表示素子（ＦＬＣＤ＝Ｆｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ）が提案されている（Ｎ、Ａ、ＣＩａｒｋ
ａｎｄ Ｓ、Ｔ、Ｌａａｅｒｗａｌｌ、”５ｕｂｎｉ
ｃｒｏｓｅｃｏｎｄ ｂｉｓｔａｂｌｅ ｅｌｅｃｔｒ
ｏ−ｏｐｔｉｃ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ １ｉｑｕｉ
ｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ”、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅ
ｔｔ、３６（１１）、８９９．Ｉ Ｊｕｎｅ １９８０
） 、 Ｆ ＬＣＤでは液晶分子の持つ分極の方向が一
定方向にそろうため自発分極を有しており、この自発分
極が印加電界の極性反転により反転するという強誘電性
を示す。
として、強誘電性液晶表示素子（ＦＬＣＤ＝Ｆｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ）が提案されている（Ｎ、Ａ、ＣＩａｒｋ
ａｎｄ Ｓ、Ｔ、Ｌａａｅｒｗａｌｌ、”５ｕｂｎｉ
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ｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ”、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅ
ｔｔ、３６（１１）、８９９．Ｉ Ｊｕｎｅ １９８０
） 、 Ｆ ＬＣＤでは液晶分子の持つ分極の方向が一
定方向にそろうため自発分極を有しており、この自発分
極が印加電界の極性反転により反転するという強誘電性
を示す。
従来の強誘電性液晶表示素子を第８図に示す。
強誘電性液晶表示素子３０を駆動するには、第８図（ａ
）に示すように、パルス電源３２により強誘電性液晶表
示素子３０に正又は負の極性のパルス電界を印加し、液
晶分子の自発分極の向きをそろえておく、パルス電界を
印加して分極の向きがそろった後は液晶の強誘電性、す
なわち自発分極の方向を変えないメモリ効果によって表
示内容を保持する。表示内容の変更は、逆極性のパルス
電界を印加することにより自発分極の向きを変えて行う
、このように、強誘電性液晶表示素子では液晶のメモリ
効果をいかに長時間安定に保つことができるかにより性
能の優劣が決まることになる。
）に示すように、パルス電源３２により強誘電性液晶表
示素子３０に正又は負の極性のパルス電界を印加し、液
晶分子の自発分極の向きをそろえておく、パルス電界を
印加して分極の向きがそろった後は液晶の強誘電性、す
なわち自発分極の方向を変えないメモリ効果によって表
示内容を保持する。表示内容の変更は、逆極性のパルス
電界を印加することにより自発分極の向きを変えて行う
、このように、強誘電性液晶表示素子では液晶のメモリ
効果をいかに長時間安定に保つことができるかにより性
能の優劣が決まることになる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の強誘電性液晶表示素子では、配向
の不均一性、基板界面と液晶分子の相互作用の不一致、
液晶層構造の不完全性等の理由により、第８図ｆｂ）に
示すように、パルス電界印加により一方向にそろった液
晶の自発分極がその後徐々に向きを変えてしまう性質が
ある。すなわち、パルス電界印加後は第８図（ｂ）に示
す閉回路となり、液晶自身の自発分極による内部電場に
より準安定状態となる。したがって、時間が経過すると
、配向の不均一性等に起因して部分的に自発分極の向き
が変わる。すると内部電場は減衰し、他の部分の自発分
極の反転を誘起する。このようにして内部電場は徐々に
減衰し、最終的には内部電場は零になってメモリ性が失
われる。
の不均一性、基板界面と液晶分子の相互作用の不一致、
液晶層構造の不完全性等の理由により、第８図ｆｂ）に
示すように、パルス電界印加により一方向にそろった液
晶の自発分極がその後徐々に向きを変えてしまう性質が
ある。すなわち、パルス電界印加後は第８図（ｂ）に示
す閉回路となり、液晶自身の自発分極による内部電場に
より準安定状態となる。したがって、時間が経過すると
、配向の不均一性等に起因して部分的に自発分極の向き
が変わる。すると内部電場は減衰し、他の部分の自発分
極の反転を誘起する。このようにして内部電場は徐々に
減衰し、最終的には内部電場は零になってメモリ性が失
われる。
このような自発分極の緩和を防止して強誘電性液晶表示
素子のメモリ性を安定に保つためには、根本的には上述
しな配向の不均一性等を解消すればよい、しかしながら
、６４０Ｘ４００ドツトもの大型液晶パネルを製造する
場合、配向の不均一性等を完全になくすことは現在の技
術レベルでは不可能である。このため、従来は、安定駆
動に必要十分なメモリ性を有する強誘電性液晶表示素子
を実現することが難しかった。
素子のメモリ性を安定に保つためには、根本的には上述
しな配向の不均一性等を解消すればよい、しかしながら
、６４０Ｘ４００ドツトもの大型液晶パネルを製造する
場合、配向の不均一性等を完全になくすことは現在の技
術レベルでは不可能である。このため、従来は、安定駆
動に必要十分なメモリ性を有する強誘電性液晶表示素子
を実現することが難しかった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、安定駆動
に必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子を提供する
ことを目的とする。
に必要十分なメモリ性を有する液晶表示素子を提供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電
極により挟んだ液晶表示素子において、前記第１及び第
２の電極間に、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時間
を長くするための容量部材を前記強誘電性液晶と並列に
設けたことを特徴とする液晶表示素子によって達成され
る。
極により挟んだ液晶表示素子において、前記第１及び第
２の電極間に、前記強誘電性液晶の自発分極の緩和時間
を長くするための容量部材を前記強誘電性液晶と並列に
設けたことを特徴とする液晶表示素子によって達成され
る。
また、上記実施例は、強誘電性液晶を挟んで対向する第
１及び第２の基板と、前記第１の基板上に形成された第
１の電極と、前記第２の基板上に形成された誘電体膜と
、前記誘電体膜上に形成された第２の電極と、前記誘電
体膜と前記第１の電極を電気的に接続する導電性部材と
を有することを特徴とする液晶表示素子によって達成さ
れる。
１及び第２の基板と、前記第１の基板上に形成された第
１の電極と、前記第２の基板上に形成された誘電体膜と
、前記誘電体膜上に形成された第２の電極と、前記誘電
体膜と前記第１の電極を電気的に接続する導電性部材と
を有することを特徴とする液晶表示素子によって達成さ
れる。
［作用〕
本発明によれば、容量部材を強誘電性液晶と並列に設け
たので、強誘電性液晶の自発分極の緩和時間が長くなり
、メモリ性が向上する。
たので、強誘電性液晶の自発分極の緩和時間が長くなり
、メモリ性が向上する。
［実施例］
本発明の第１の実施例による液晶表示素子を第１図を用
いて説明する。
いて説明する。
本実施例においては強誘電性液晶部１０と並列に容量部
材であるコンデンサ１２を並列接続している。このコン
デンサ１２により自発分極の緩和時間を長くして内部電
場がゆっくり減衰するようにしてメモリ性を高めている
。
材であるコンデンサ１２を並列接続している。このコン
デンサ１２により自発分極の緩和時間を長くして内部電
場がゆっくり減衰するようにしてメモリ性を高めている
。
第１図［ａ）に示す閉回路の等価回路は同図（ｂ）に示
すようになり、強誘電性液晶部１０が有する容量ＣＬ、
Ｃと、強誘電性液晶部１０及び電源（図示せず）の内部
抵抗の和Ｒと、コンデンサ１２の容量Ｃｅとを並列接続
したものとなる。
すようになり、強誘電性液晶部１０が有する容量ＣＬ、
Ｃと、強誘電性液晶部１０及び電源（図示せず）の内部
抵抗の和Ｒと、コンデンサ１２の容量Ｃｅとを並列接続
したものとなる。
強誘電性液晶部１ｏにおける自発分極の緩和は、この内
部容量ＣＬ、Ｃに蓄えられた電荷が放電することに相当
する。したがって、従来のようにコンデンサ１２がなく
て強誘電性液晶部１０だけの場合の緩和時間τは、 ｆ＝に−ＲＸｃＬｃ となる、ただし、ｋは比例定数である。
部容量ＣＬ、Ｃに蓄えられた電荷が放電することに相当
する。したがって、従来のようにコンデンサ１２がなく
て強誘電性液晶部１０だけの場合の緩和時間τは、 ｆ＝に−ＲＸｃＬｃ となる、ただし、ｋは比例定数である。
これに対し、本実施例では、強誘電性液晶部１０に並列
に容量Ｃｅのコンデンサ１２が接続されているので、緩
和時間τは、 τ ＝ｋ −ＲＸ （ＣＬＣ＋Ｃｅ ）となり、
従来よりｋＸＲＸＣｅ分だけ長くなる。
に容量Ｃｅのコンデンサ１２が接続されているので、緩
和時間τは、 τ ＝ｋ −ＲＸ （ＣＬＣ＋Ｃｅ ）となり、
従来よりｋＸＲＸＣｅ分だけ長くなる。
したがって、並列接続するコンデンサ１２の容量値Ｃｅ
を変えることにより自由に緩和時間τを調節でき、メモ
リ効果の安定性を向上させることができる。
を変えることにより自由に緩和時間τを調節でき、メモ
リ効果の安定性を向上させることができる。
なお、強誘電性液晶部１０のメモリ効果の安定性は、自
発分極が上向きか（第２図（ａ））、下向きか（同図（
ｂ））によって興なることが知られている。
発分極が上向きか（第２図（ａ））、下向きか（同図（
ｂ））によって興なることが知られている。
これは、強誘電性液晶部１０の基板界面付近で、第２図
に示すように液晶分子がやや傾いて配向していることや
、基板表面部分の極性と液晶の自発分極の相互作用によ
って分極の向きの安定性が異なるためであると考えられ
ている。
に示すように液晶分子がやや傾いて配向していることや
、基板表面部分の極性と液晶の自発分極の相互作用によ
って分極の向きの安定性が異なるためであると考えられ
ている。
このような強誘電性液晶部１０のメモリ効果の安定性の
異方性を補償するためには、第３図に示すように、コン
デンサ１２の代わりに、極性を有する例えば電解コンデ
ンサ１４を設ければよい。
異方性を補償するためには、第３図に示すように、コン
デンサ１２の代わりに、極性を有する例えば電解コンデ
ンサ１４を設ければよい。
電解コンデンサ１４の極性により強誘電性液晶部１０の
自発分極が上向きの場合でも下向きの場合でもほぼ同じ
メモリ効果を得ることができる。
自発分極が上向きの場合でも下向きの場合でもほぼ同じ
メモリ効果を得ることができる。
上述した第１の実施例による液晶表示素子の効果を確認
するために次のような実験を行った。
するために次のような実験を行った。
丸型ｔｒｉ（透明電極）面積１７６．７ｍｍ２基板面積
２５Ｘ２５ｍｍ２のガラス基板上に、ポリビニルアルコ
ールを約１２００人の厚さでＶ膜し、その表面をラビン
グした。これら基板をギャップが２．０μｍになるよう
にして張合わせ、エステル系液晶組成物からなる強誘電
性液晶を封入した。
２５Ｘ２５ｍｍ２のガラス基板上に、ポリビニルアルコ
ールを約１２００人の厚さでＶ膜し、その表面をラビン
グした。これら基板をギャップが２．０μｍになるよう
にして張合わせ、エステル系液晶組成物からなる強誘電
性液晶を封入した。
このようにして製造した強誘電性液晶部１０をサンプル
として種々の容量値Ｃｅのコンデンサ１２を並列接続し
てメモリ効果を測定した０強誘電性液晶部１０に幅３．
５ｍ５ｅｃで波高値１５Ｖの双極性パルスをＱ、５ｓｅ
ｃ間隔で印加し、強誘電性液晶部１０に電界が印加され
ていない０゜５ｓｅｃの間に、どれだけ透過率が減衰す
るか測定した。
として種々の容量値Ｃｅのコンデンサ１２を並列接続し
てメモリ効果を測定した０強誘電性液晶部１０に幅３．
５ｍ５ｅｃで波高値１５Ｖの双極性パルスをＱ、５ｓｅ
ｃ間隔で印加し、強誘電性液晶部１０に電界が印加され
ていない０゜５ｓｅｃの間に、どれだけ透過率が減衰す
るか測定した。
測定結果を第４図、第５図に示す。
第４図ｆａ）はコンデンサ１２を接続しない場合の結果
である。０．５ｓｅｃのパルス間隔の間に大きく透過率
が減衰していることがわかる。並列接続するコンデンサ
１２の容量値Ｃｅを２ｐＦから徐々に増やしていった。
である。０．５ｓｅｃのパルス間隔の間に大きく透過率
が減衰していることがわかる。並列接続するコンデンサ
１２の容量値Ｃｅを２ｐＦから徐々に増やしていった。
容量値Ｃｅが２ｐＦから０．０１μＦの間は、第４図（
ｂ）〜（ｆ）に示すように減衰抑制効果は大きくないが
、０．１μＦになると第４図（ｇ）に示すように減衰が
大幅に抑えられ、１μＦでは第４図（ｈ）に示すように
減衰がほぼなくなっていることがわかる。さらに、６８
μＦでは第４図（ｉ）に示すように減衰が完全になくな
った。
ｂ）〜（ｆ）に示すように減衰抑制効果は大きくないが
、０．１μＦになると第４図（ｇ）に示すように減衰が
大幅に抑えられ、１μＦでは第４図（ｈ）に示すように
減衰がほぼなくなっていることがわかる。さらに、６８
μＦでは第４図（ｉ）に示すように減衰が完全になくな
った。
コンデンサ１２の容量Ｃｅとメモリ時のルミナンス（Ｌ
ｕｎ １ｎａｎｃｅ）比との関係を第５図に示す、Ｃｅ
が１０’ＰＦと１０’ＰＦの中間あたりからルミナンス
比が上昇していることがわかる。
ｕｎ １ｎａｎｃｅ）比との関係を第５図に示す、Ｃｅ
が１０’ＰＦと１０’ＰＦの中間あたりからルミナンス
比が上昇していることがわかる。
サンプルの強誘電性液晶部１０の容量ＣＬｃは約１０ｎ
Ｆであったので、容量Ｃｅが容量ＣＬｃと同等以上にな
ると減衰抑制効果が大きくなることがわかった。すなわ
ち、液晶の容量Ｃｅと同じかそれ以上の容量を外から付
けたときに、メモリの安定化が生じる。
Ｆであったので、容量Ｃｅが容量ＣＬｃと同等以上にな
ると減衰抑制効果が大きくなることがわかった。すなわ
ち、液晶の容量Ｃｅと同じかそれ以上の容量を外から付
けたときに、メモリの安定化が生じる。
なお、容量Ｃｅが１μＦの場合（第４図（ｈ））と６．
８μＦの場合（第４図（ｉ））はタンタルの電解コンデ
ンサ１４を用いた。この電解コンデンサ１４の極性を逆
に接続して減衰光量の測定を行った。
８μＦの場合（第４図（ｉ））はタンタルの電解コンデ
ンサ１４を用いた。この電解コンデンサ１４の極性を逆
に接続して減衰光量の測定を行った。
測定結果を第４図（ｊ） 、（ｋ）に示す、その結果、
電解コンデンサ１４の極性を変えた場合メモリ効果に相
違があることがわかった。すなわち、強誘電性液晶部１
０の自発分極の方向と同一方向の極性で電解コンデンサ
１４を接続した場合にメモリ性が安定する。即ち、第４
図（ｊ） 、（ｋ）では強誘電性液晶部１０の自発分極
の方向と極性コンデンサ１４の極性が同一方向に接続さ
れていると思われる。
電解コンデンサ１４の極性を変えた場合メモリ効果に相
違があることがわかった。すなわち、強誘電性液晶部１
０の自発分極の方向と同一方向の極性で電解コンデンサ
１４を接続した場合にメモリ性が安定する。即ち、第４
図（ｊ） 、（ｋ）では強誘電性液晶部１０の自発分極
の方向と極性コンデンサ１４の極性が同一方向に接続さ
れていると思われる。
本発明の第２の実施例による液晶表示素子を第６図に示
す０本実施例の液晶表示素子は、並列接続する容量を外
付けにせず、液晶表示素子内に組み込んだことを特徴と
している。
す０本実施例の液晶表示素子は、並列接続する容量を外
付けにせず、液晶表示素子内に組み込んだことを特徴と
している。
下部のガラス基板２０上に一方の透明な極２１が形成さ
れ、上部のガラス基板２２上に対向する透明型ｆ！２３
が形成され、透明電極２１．２３間に強誘電性液晶２４
が封入されている。本実施例では、ガラス基板２２と透
明電極２３の間に例えばＭｇＯの誘電体膜２５が挿入さ
れている。誘電体膜２５と透明＠ ［！ ２１との間に
は導電性部材である異方性導電樹脂２６が挿入されて、
誘電体膜２５と透明な極２１を電気的に接続している。
れ、上部のガラス基板２２上に対向する透明型ｆ！２３
が形成され、透明電極２１．２３間に強誘電性液晶２４
が封入されている。本実施例では、ガラス基板２２と透
明電極２３の間に例えばＭｇＯの誘電体膜２５が挿入さ
れている。誘電体膜２５と透明＠ ［！ ２１との間に
は導電性部材である異方性導電樹脂２６が挿入されて、
誘電体膜２５と透明な極２１を電気的に接続している。
異方性導ｔｖＩＪ脂２６はある方向には導電性を示し、
それに直角方向には絶縁性を示すものである。
それに直角方向には絶縁性を示すものである。
本実施例では縦方向に導電性を有し、横方向に絶縁性を
示すように異方性導電樹脂２６を配置する。
示すように異方性導電樹脂２６を配置する。
これにより誘電体膜２５と透明電極２１が電気的に接続
され、下部の透明電極２１間は電気的に絶縁性を医っこ
とができる。
され、下部の透明電極２１間は電気的に絶縁性を医っこ
とができる。
本実施例による液晶表示素子の等価回路を第６図（ｂ）
に示す。
に示す。
透明型［ｉ２１．２３間にパルス電源２８を挿入した場
合の等価回路である。この等価回路から、強誘電性液晶
２４の容量ＣＬＣ１抵抗ＲＬよ対して、誘電体膜２５の
容量Ｃｅは並列接続されていることがわかる。
合の等価回路である。この等価回路から、強誘電性液晶
２４の容量ＣＬＣ１抵抗ＲＬよ対して、誘電体膜２５の
容量Ｃｅは並列接続されていることがわかる。
このように本実施例によれば簡単な構成で付加すべき容
量を液晶表示素子に内蔵することができ、従来のものと
同様に実装でき、また、製造コストを大きく上昇させる
ことなく、液晶表示素子のメモリ性の安定を図ることが
できる。
量を液晶表示素子に内蔵することができ、従来のものと
同様に実装でき、また、製造コストを大きく上昇させる
ことなく、液晶表示素子のメモリ性の安定を図ることが
できる。
上述した第２の実施例による液晶表示素子の効果を確認
するために次のような実験を行った。
するために次のような実験を行った。
誘電体膜に種々の厚さのＭｇＯ膜を用い、このＭｇＯ膜
をガラス板上に形成する。透明電極は、０．３５ｍｍピ
ッチ、幅３３５μｍ、間隔１５μｍで、１００本のスト
ライプラインとする。抵抗値は１０Ω／ ｃ ｍ ’で
、基板寸法は６０ｘ６０ｘ１．１ｍｍとする。これに液
晶配向膜としてポリビニルアルコールを約１０００人塗
布し、ラビングを行った。このような基板の間に、スペ
ーサとしての２μｍのＳｉＯ□球と共にエステル系液晶
組成物からなる強誘電性液晶を封入した。
をガラス板上に形成する。透明電極は、０．３５ｍｍピ
ッチ、幅３３５μｍ、間隔１５μｍで、１００本のスト
ライプラインとする。抵抗値は１０Ω／ ｃ ｍ ’で
、基板寸法は６０ｘ６０ｘ１．１ｍｍとする。これに液
晶配向膜としてポリビニルアルコールを約１０００人塗
布し、ラビングを行った。このような基板の間に、スペ
ーサとしての２μｍのＳｉＯ□球と共にエステル系液晶
組成物からなる強誘電性液晶を封入した。
このようにして製造した強誘電性液晶表示素子をサンプ
ルとしてＭｇＯ膜の厚さを変えてメモリ効果を測定した
１幅５００μｓｅｃで波高値１５■の双極性パルスを０
．５ｓｅｃ間隔で印加し、電界が印加されていない０．
５ｓｅｃの間に、どれだけ透過率が減衰するか測定した
。
ルとしてＭｇＯ膜の厚さを変えてメモリ効果を測定した
１幅５００μｓｅｃで波高値１５■の双極性パルスを０
．５ｓｅｃ間隔で印加し、電界が印加されていない０．
５ｓｅｃの間に、どれだけ透過率が減衰するか測定した
。
メモリ安定性の定義としては印加電界を除去してから０
．５ｓｅｃ経過後における透過率の保持状態を、完全明
状態を１００％、完全暗状態を０％として、パーセント
（％）で表示した（第７図ｆｂ））。
．５ｓｅｃ経過後における透過率の保持状態を、完全明
状態を１００％、完全暗状態を０％として、パーセント
（％）で表示した（第７図ｆｂ））。
測定結果を第７図（ａ）に示す。
第７図（ａ）から明らかなように、ＭｇＯ膜の厚さが０
．１〜０．３μｍの場合にメモリ安定性は８０％以上あ
り、ＭｇＯ膜の厚さが０．４μｍの場合でもメモリ安定
性が６４％あり、ＭｇＯＭＡがない場合（０μｍ）の５
％に比べて著しく向上したことがわかった。なお、メモ
リ安定性が１００％であるＭｇＯ膜の厚さ０．１μｍの
場合の容量は２．０μＦ、厚さ０．２μｍの場合の容量
は１゜１μＦである。
．１〜０．３μｍの場合にメモリ安定性は８０％以上あ
り、ＭｇＯ膜の厚さが０．４μｍの場合でもメモリ安定
性が６４％あり、ＭｇＯＭＡがない場合（０μｍ）の５
％に比べて著しく向上したことがわかった。なお、メモ
リ安定性が１００％であるＭｇＯ膜の厚さ０．１μｍの
場合の容量は２．０μＦ、厚さ０．２μｍの場合の容量
は１゜１μＦである。
本発明は上記実施例に限ら゛ず種々の変形が可能である
。
。
例えば、上記第１及び第２の実施例ではエステル系液晶
を用いたが、他の材料の強誘電性液晶でもよい。
を用いたが、他の材料の強誘電性液晶でもよい。
また、上記第２の実施例では誘電体膜にＭｇＯ膜を用い
たが他の材料の膜を用いていもよい、さらに、誘電体膜
と第１の電極を電気的に接続する導電性部材として異方
性導電樹脂を用いたが、透明電極間を絶縁すれば通常の
導電性物質を用いてもよい。
たが他の材料の膜を用いていもよい、さらに、誘電体膜
と第１の電極を電気的に接続する導電性部材として異方
性導電樹脂を用いたが、透明電極間を絶縁すれば通常の
導電性物質を用いてもよい。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、容量部材を強誘電性液晶
と並列に設けたので、強誘電性液晶の自発分極の緩和時
間が長くなり、メモリ性が向上し、安定駆動に必要十分
なメモリ性を持たせることができ、表示スピードが早く
、高速大容量の液晶表示素子を実現することができる。
と並列に設けたので、強誘電性液晶の自発分極の緩和時
間が長くなり、メモリ性が向上し、安定駆動に必要十分
なメモリ性を持たせることができ、表示スピードが早く
、高速大容量の液晶表示素子を実現することができる。
第１図は本発明の第１の実施例による液晶表示素子を示
す図、 第２図は強誘電性液晶の自発分極の方向性を示す図、 第３図は本発明の第１の実施例の液晶表示素子の変形例
を示す図、 第４図、第５図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定
結果を示す図、 第６図は本発明の第２の実施例による液晶表示素子を示
す図、 第７図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定結果を示
す図、 第８図は従来の液晶表示素子を示す図 である。 ２３・・・透明電極 ２４・・・強誘電性液晶 ２５・・・誘を体膜 ２６異方性導電樹脂 ２８・・・パルス電源 ３０・・・強誘電性液晶表示素子 ３２・・・パルス電源 図において、 １０・・・強誘電性液晶部 １２・・・コンデンサ １４・・・電解コンデンサ ２０・・・ガラス基板 ２１・・・透明電極 ２２・・・ガラス基板 ＣＱ’） （ｂ）機訪電杵液
晶の１発分秒の方向柱ぞ示す同第２図 杢究明の第１の実施例の液晶教示系子の蛮形例召示す同
容量ＣｅＣｐＦ］ 液晶教示系子のメモリ安定性の測定紹凧死示すグラフ第 図 とトー ガラス基板 ２１−ｍ＝透明電極 卆発明の第２の寅兎例１；よる没晶投ホ系子ぞ示１同第 図 時間 ５夜晶表ボ泉子のメｔｌＪ安定社のう門定箱余囚示１同
第７ 図
す図、 第２図は強誘電性液晶の自発分極の方向性を示す図、 第３図は本発明の第１の実施例の液晶表示素子の変形例
を示す図、 第４図、第５図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定
結果を示す図、 第６図は本発明の第２の実施例による液晶表示素子を示
す図、 第７図は同液晶表示素子のメモリ安定性の測定結果を示
す図、 第８図は従来の液晶表示素子を示す図 である。 ２３・・・透明電極 ２４・・・強誘電性液晶 ２５・・・誘を体膜 ２６異方性導電樹脂 ２８・・・パルス電源 ３０・・・強誘電性液晶表示素子 ３２・・・パルス電源 図において、 １０・・・強誘電性液晶部 １２・・・コンデンサ １４・・・電解コンデンサ ２０・・・ガラス基板 ２１・・・透明電極 ２２・・・ガラス基板 ＣＱ’） （ｂ）機訪電杵液
晶の１発分秒の方向柱ぞ示す同第２図 杢究明の第１の実施例の液晶教示系子の蛮形例召示す同
容量ＣｅＣｐＦ］ 液晶教示系子のメモリ安定性の測定紹凧死示すグラフ第 図 とトー ガラス基板 ２１−ｍ＝透明電極 卆発明の第２の寅兎例１；よる没晶投ホ系子ぞ示１同第 図 時間 ５夜晶表ボ泉子のメｔｌＪ安定社のう門定箱余囚示１同
第７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強誘電性液晶を対向する第１及び第２の電極により
挟んだ液晶表示素子において、 前記第１及び第２の電極間に、前記強誘電性液晶の自発
分極の緩和時間を長くするための容量部材を前記強誘電
性液晶と並列に設けたことを特徴とする液晶表示素子。 ２、請求項１記載の液晶表示素子において、前記容量部
材は極性を有していることを特徴とする液晶表示素子。 ３、強誘電性液晶を挟んで対向する第１及び第２の基板
と、 前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前記第２
の基板上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形
成された第２の電極と、前記誘電体膜と前記第１の電極
を電気的に接続する導電性部材と を有することを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067863A JP2655719B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 液晶表示素子 |
| CA002012391A CA2012391C (en) | 1989-03-20 | 1990-03-16 | Liquid crystal display device |
| EP90302908A EP0389211B1 (en) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Liquid crystal display device |
| DE69006757T DE69006757T2 (de) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
| KR1019900003726A KR950000405B1 (ko) | 1989-03-20 | 1990-03-20 | 액정표시장치 |
| US07/496,030 US5113273A (en) | 1989-03-20 | 1990-03-20 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067863A JP2655719B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02245729A true JPH02245729A (ja) | 1990-10-01 |
| JP2655719B2 JP2655719B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=13357195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1067863A Expired - Fee Related JP2655719B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 液晶表示素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5113273A (ja) |
| EP (1) | EP0389211B1 (ja) |
| JP (1) | JP2655719B2 (ja) |
| KR (1) | KR950000405B1 (ja) |
| CA (1) | CA2012391C (ja) |
| DE (1) | DE69006757T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0525675A2 (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3143497B2 (ja) * | 1990-08-22 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
| US5465168A (en) * | 1992-01-29 | 1995-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gradation driving method for bistable ferroelectric liquid crystal using effective cone angle in both states |
| US6999139B2 (en) * | 2000-02-29 | 2006-02-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating transflective color LCD device and the transflective color LCD device |
| KR100710999B1 (ko) * | 2000-09-01 | 2007-04-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| CN100386676C (zh) * | 2002-04-30 | 2008-05-07 | 中佛罗里达大学 | 具有部分转变的半透反射式液晶显示器 |
| US7145616B2 (en) * | 2004-08-27 | 2006-12-05 | Nano Loa, Inc. | Transflective liquid crystal device |
| TWI324269B (en) * | 2006-03-15 | 2010-05-01 | Au Optronics Corp | Display panel having repair lines and signal lines disposed at different substrate |
| KR100816761B1 (ko) | 2006-12-04 | 2008-03-25 | 삼성전자주식회사 | 낸드 플래시 메모리 및 에스램/노어 플래시 메모리를포함하는 메모리 카드 및 그것의 데이터 저장 방법 |
| TWI420197B (zh) * | 2010-01-21 | 2013-12-21 | Tpk Touch Solutions Inc | 內嵌式觸控顯示器及其製程方法 |
| CN105810692A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4040720A (en) * | 1975-04-21 | 1977-08-09 | Rockwell International Corporation | Ferroelectric liquid crystal display |
| DE3208611A1 (de) * | 1982-03-10 | 1983-09-22 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Fluessigkristallzelle |
| JPS58176623A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Hitachi Ltd | 電気光学装置 |
| JPS6186732A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-02 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS62159124A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| EP0234429B1 (en) * | 1986-02-17 | 1995-05-24 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a charge strage structure |
| US4773738A (en) * | 1986-08-27 | 1988-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device using ferroelectric liquid crystal and AC and DC driving voltages |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1067863A patent/JP2655719B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-16 CA CA002012391A patent/CA2012391C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 DE DE69006757T patent/DE69006757T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 EP EP90302908A patent/EP0389211B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-20 KR KR1019900003726A patent/KR950000405B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-03-20 US US07/496,030 patent/US5113273A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0525675A2 (en) * | 1991-07-25 | 1993-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
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| Publication number | Publication date |
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| CA2012391C (en) | 1994-02-22 |
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| US5113273A (en) | 1992-05-12 |
| EP0389211A2 (en) | 1990-09-26 |
| KR910017216A (ko) | 1991-11-05 |
| EP0389211B1 (en) | 1994-02-23 |
| EP0389211A3 (en) | 1991-10-02 |
| CA2012391A1 (en) | 1990-09-20 |
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