JPS62279392A - 電気光学ディスプレイおよび該ディスプレイの製造方法 - Google Patents

電気光学ディスプレイおよび該ディスプレイの製造方法

Info

Publication number
JPS62279392A
JPS62279392A JP62123614A JP12361487A JPS62279392A JP S62279392 A JPS62279392 A JP S62279392A JP 62123614 A JP62123614 A JP 62123614A JP 12361487 A JP12361487 A JP 12361487A JP S62279392 A JPS62279392 A JP S62279392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electro
electrode
optical display
control line
ferroelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62123614A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2607436B2 (ja
Inventor
ピエール エグラン
ブルーノ ムーレ
ジャン クロード デュブワ
ミシェル アラン
フィリップ ロバン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of JPS62279392A publication Critical patent/JPS62279392A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2607436B2 publication Critical patent/JP2607436B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/135Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
    • G02F1/1358Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied the supplementary layer being a ferro-electric layer
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3622Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix
    • G09G3/3629Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix using liquid crystals having memory effects, e.g. ferroelectric liquid crystals

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は電気光学ディスプレイおよび該電気光学ディス
プレイの製造方法に関するもので、さらに詳細にはマ)
 IJソックス御式平面パネルディスフッ、イに関する
。本発明は、制御点を薄膜を積層させて形成する大面積
液晶平面パネルディスプレイに応用可能である。
従来の技術 公知のように、ディスプレイは、通常、正方形または長
方形の表示点すなわち画素を多数備えている。各画素に
は独立にアドレスする必要がある。
ディスプレイの精細度はひとつの情報を受信する画素の
数に応じて決まる。各画素は液晶を通して電場を印加す
ることにより制御する。アルファニスメリックデータや
グラフィックデータを表示する目的で、マ) IJフッ
クスのディスプレイが以前から提案されている。この場
合、各画素は、2本の互いに直交した制御線の交点とし
て定義される。
この2本の制御線をそれぞれ行制御線、列制御線と呼ぶ
ディスプレイの精細度を向上させる研究が進むにつれ、
すなわち画素数が増加するにつれ、マトリックス型ディ
スプレイにアドレスする方法がますます重要になってき
ている。
画素は行ごとに順番にアドレスされるので、アドレス可
能な行の数は、一般に、使用する液晶の電気光学効果の
性質により制約を受ける。多数の行(1(11)行より
も多い行)にアドレスする場合には、スクリーンの他の
特性を犠牲にすることになる(コントラストが悪くなり
角度依存性が大きくなる)。
このようなディスプレイの性能を向上させるためには、
各画素に直列に、電気的インピーダンスが変化するよう
な非線形素子を接続するとよい。
−例えば、そのインピーダンスは、非線形素子の両端子
に印加する電圧の関数として変化する。
そのためには、酸化亜鉛バリスタ、MIM素子、または
ヘッド=トゥーーティル(head−to−tail)
ダイオードを用いる。酸化亜鉛バリスタに関しては、工
+、  シー、  キャスルベリー(A、 C,Ca5
tleberry)池がニスアイディー1980テクニ
カル ダイジェスト(SID 1980 Techni
cal Digest) に発表した論文に記載されて
いる。また、M I M素子については、ケイ、ニヮ(
K、Niwa)他がニスアイディー1984テクニカル
 ダイジェスト(SID 1984 Tech−nic
al Digest)  に発表した論文に記載されて
いる。
さらに、ヘンドートゥーーティル ダイオードに関して
は、エヌ、スジドロ(N、 5zydlo) 他力シャ
パン ディスプレイ83テクニカル ダイジェス) (
Japan Display 33 Technica
l Digest)  に発表した論文に記載がある。
−薄膜トランジスタを用いてその制御電圧の関数として
変化する。薄膜トランジスタに関しては、ティー、ピー
、プロディ(T、  P、  Brody)  他がア
イイーイーイー エレクトロン デバイスイズ(IEE
EElectron Devices) 1973年、
第2020巻、995ページに発表した論文に記載され
ている。
ディスプレイの分野においては、画像の精細度をいかに
して向上させるかというのが技術面での現在の課題であ
る。マトリックス型ディスプレイの場合には従って、ア
ドレスする行または列の数の多い表示装置を開発する必
要がある。行または列の数は1024あるいはそれ以上
にもなる。この結果、制御する素子の数がそれだけ増え
ることになる。大量生産するためには、各画素について
歩留り率が高く、再現性に優れ、安定性がよいことが特
に必要である。さらに、各素子の電気特性が、接続され
ているセルの電気特性と整合し、しかもその電気特性の
再現性がよくなくてはならない。
本発明は、製造が簡単なディスプレイを提供することを
目的とする。従って、本発明により大面積のディスプレ
イの生産が可能となる。
問題点を解決するための手段 すなわち、本発明によれば、 −電気光学材料を間にはさみ込んでいる互いに平行な第
1と第2の電極基板を備え、 −第1の電極基板は、電気光学材料と接触する面に行列
状の電極マ) IJフックス、該電極マトリックスの各
電極行1行につき1本の割合で接続されて各電極行に平
行に延在する複数の行制御線とを備え、 −第2の電極基板は、電気光学材料と接触する面に第1
の電極基板の面上の電極マトリックスの1列に1本が対
応する複数の列制御線を備える電気光学ディスプレイで
あって、 各行制御線は、該行制御線が固定されている強誘電性材
料製結合素子を介して上記電極と電気的に結合している
ことを特徴とする電気光学ディスプレイが提供される。
さらに、本発明によれば、 −第1段階として、基板上に導電材料からなる複数の電
極を形成し、 −第2段階として、全電極上に強誘電性材料からなる層
を形成し、 −第3段階として、該強誘電性材料層をエツチングして
各電極上に強誘電性材料からなる素子を少なくともひと
つ形成し、 −第4段階として、導電材料からなる層を形成し、 −第5段階として、第4段階で形成された導電層をエツ
チングして、強誘電性材料層からなる少なくともひとつ
の素子と該強誘電性材料製素子の下に位置する電極の一
部とを覆う少なくともひとつの列制御線を形成する ことを特徴とする方法が提供される。
実施例 本発明は、各画素に強誘電性材料からなる素子が1つ直
列に接続された構成の電気光学ディスプレイに関するも
のである。
強誘電性材料は、電場を印加しなくとも所定の温度領域
でゼロでない自発分極Pをもつ。この自発分極は、強誘
電性材料内の複数の巣位双極子がマクロに配向すること
に起因する。このような性質はロシエル塩において最初
に観測されたので、強誘電性のことを表わすのにロシエ
ル電気という表現も広く用いられている。
強誘電性材料は、印加電場Eと分極Pとを結びつけるヒ
ステリシスループで特徴づけられる(第3図を参照のこ
と)。このヒステリシスループにおける主要なパラメー
タは以下の通りである。
P、または−P、:印加電場がないときの強誘電性材料
内の残留分極。
ECまたは−Ec :強誘電性保持電場、すなわち強誘
電性材料内に存在し ていた残留分極P、を打消 すために印加すべき電場。
電場が2つの値±E□の間を振動している場合には、強
誘電性材料内の双極子が周期的に反転する。
強誘電性材料としては、ロシエル塩、BaTi0zまた
はKP(1482等の無機結晶や、ポリジフッ化ビニリ
デン(PVDF)またはボリジフッ化ビニリチントドリ
フルオロエチレンのコポリマーP(VDF、TrF)等
のポリマーが挙げられる。
本発明の実施例においては液晶を制御するのに強誘電性
ポリマーを用いるが、強誘電性ポリマーは大面積にわた
って使用できしかも薄くできるので、制御電圧を液晶に
適した低い値にすることが可能である。
第1図と第2図は本発明の液晶ディスプレイの制御素子
の実施例を示す図である。
第1図には2枚の平行な電極基板1.2と、その間には
さみ込まれた電気光学材料、例えば液晶3が描かれてい
る。ディスプレイが透過型である場合には、2枚の電極
基板は透明な材料、例えばガラスで構成する。ディスプ
レイが反射型である場合には、2枚の電極基板の少なく
とも一方、例えば電極2を透明にする。
電極基板2の液晶3と接する面には列電極、例えば電極
Kが配設されている。
電極基板1の液晶3と接する面10には複数の電極Eが
配設されている。この電極Eおのおのが1つの表示点す
なわち1つの画素に対応する。電極Eは、行制御線りと
対応づけられている。
本発明によれば、電極Eと行制御線を結合させるのに強
誘電性材料部分4を用いる。この強誘電性材料部分4は
絶縁層5で覆って、液晶3とは絶縁させておく。しかし
、強誘電性材料部分が液晶により侵されないのであれば
絶縁層は必要ない。
この場合、第18図と第19図に示したような本発明の
別の実施例を考えることができる。すなわち、強誘電性
材料部分4により行制御線りと電極Eが直接接続されて
いる。なお、第18図と第19図においては、第1図お
よび第2図と同じ要素に対しては同じ参照番号を与えで
ある。
画素を制御するには列電%にと行制御線りの間に電圧を
印加する。従って、このための電気制御回路内では、列
電極K、液晶3、電極E1強誘電性材料部分4、絶縁層
5、行制御線りが直列に接続されている。
第4図は本発明のディスプレイの画素の概略回路図であ
る。
行と列の交点には、キャパシタCfとして表わした強誘
電性材料およびキャパシタCえ、と抵抗RXLで表わし
た電気光学材料(例えば液晶)が直列に接続されている
。キャパシタCfとして表わした強誘電性材料のヒステ
リシスループは第5図に示されている。
このようなディスプレイの一般的な動作原理の要点は、
強誘電性材料を電気的に制御可能な電荷源として利用す
ることである。
つまり、アレイ状に配設された強誘電性材料部分の端子
に電圧Vを双極子の最初の配向方向とは逆方向に印加し
、しかもこの電圧Vの値がV>Vffiとなるようにす
ると、双極子は反転して電荷がQ=2P、Sf  (S
fはキャパシタCfの電極基板の面積)だけ変化する。
すると双極子により誘起された電場が打消される。強誘
電性材料内で双極子が最初は第6図に示したように配向
している場合には、双極子は第7図に示すように反転さ
れる。
この電荷は液晶にも現われて、この液晶に電位差 が誘起される。第3図かられかるように、この値は液晶
のスイッチングには不充分である。
液晶に蓄えられた電荷は次いで抵抗RXLを介して時定
数t = RXL CXLで放電される。ただし、この
ように放電が行われるためには放電の時定数が1フレー
ムの長さよりも長い(一般にそのようになっている)必
要がある。
従って、強誘電性材料は確かに電気的に制御可能な電流
源となりうる。すなわち、強誘電性材料にV<VMであ
るような電圧Vを印加する場合には双極子は反転しない
ので、電荷Q。=2P、Sfは現れず液晶に発生する電
位差も小さい。
第9図は本発明のディスプレイの等価回路図である。各
画像セルはマトリクス状に配置されて、行制御線L1、
L2ならびに列制御線に1、K2により制御される。行
制御線と列制御線の交点にはそれぞれ画像セルが1つず
つ配置されている。
各画像セルは、第1図〜第8図を用いて説明した等価回
路として表現されている。
行制御線は、アドレス回路ADD、L!こより7ドレス
される。このアドレス回路ADD、Lを用いることによ
り、電源VLと行制御線L1、L2のいずれか一方とを
接続することができる。
列制御線は、アドレス回路ADD、Kによりアドレスさ
れる。このアドレス回路ADD、Kを用いることにより
、電源VKを全列制御線に1、K2に接続することがで
きる。
アドレス回路ADD、Lを用いると、所定のフレームの
間を通じて、アドレスする行制御線に走査電圧と呼ばれ
る+VBまたは一■、の電位を印加することができる。
他の行制御線の電位はゼロのままに保たれる。電位十V
aおよび−V、の値は、第5図中の+Vcおよび−Vc
とする。
さらに、この2つのアドレス回路ADD、L。
ADD、Kを用いると、各列制御線に+Vo と−Vo
O間の電圧を印加することができる。アドレスされた行
電極と各列電極との交点がアクティブにされるかされな
いかて印加電圧を変える。電圧V、の絶対値は、第5図
に示された1直ΔV/2とする。
第10図に示すように、所定のフレームT1の間を通じ
て電圧+V8がディスプレイの全行電極に対して順番に
印加される。1本の行電極(Ll、L2、・・・・)に
パルス状の電圧が印加されている間に、行電極と列電極
の交点に表示する情報の性質に応じて各列電極に対して
+Vn と−VnO間の値の電圧が印加される。
Cf 、 CXL、 RXLを適当な値に決める(液晶
の表面積に対して強誘電性材料部分の表面積を小さくす
ることによりいつでも可能である)ことにより、電圧V
B+Vo、VB  VD、±VDを完全に強誘電性材料
の電圧とみなすことができる。
特に、1フレーム中のアドレスを行っている間は電圧 は完全に強誘電性材料の電圧であり、この電圧により強
誘電性材料内の双極子が反転して液晶に電圧 2P、Sf CXL が発生する。
を 科内の双極子を反転させるのに十分な値ではないため、
液晶には電圧がまったく発生しない。
このフレーム中の残りの期間には、液晶と強誘電性材料
の両方に対して印加されている電圧である電圧上Voは
、容量の比Cf / CXLの大きさを考えるとほとん
ど全部が強誘電性材料に印加されているとみなすことが
できる。
従って、1フレームの間アクティブにされない交点の電
圧はほぼゼロであり、アクティブにされる交点の電圧は である。
アドレス中には放電が起こってこの電圧が時定数j”R
xtCxt、で減少する。
第10図かられかるように、次のフレームT2において
はアドレス電圧は反転している。従って、フレームT1
において電位+VB によりアドレスされた行電極L1
は、次゛のフレームT2においては電位−VBによりア
ドレスされる。列電極に印加される電圧+Vo と−V
nは、表示される同じ情報に対してやはり反転されてい
る。
さらに、電圧がこのように反転していることで、液晶に
印加される平均電圧がゼロになる。このため、液晶の電
気化学的な性能低下を防ぐことができる。
本発明の実施例の数値の一例を以下に示す。
S f = 1(11)μm’、ef=LμmS XL
 = 105p m’、exL=10μmこれは、ディ
スプレイにおけるピッチが約350μmであることに対
応する。この場合、Cf     l     Sf 
    IC,1(11)−SXL    1( 11)0となる。
双極子が反転することにより誘起される電圧は従って、 となる。これは、液晶の時定数が1Qrnsで1フレー
ムの長さが2Qmsの場合、液晶に平均約5ボルトの電
圧が印加されていることを意味する。
強誘電性材料としてコポリマーP (VDF、TrF)
を使用する場合の強誘電性保持電場(50MV / m
 >を考慮すると、アドレス電圧V、とV。は、それぞ
れ v、 −vc =50ボルト V、=1oボルト になる。
この場合、液晶に印加される電圧は、容量の比を考慮す
ると、 となる。すなわち、双極子の反転により誘起される電圧
の約1150である。
もちろん本発明がこの実施例に限定されることはない。
特に、強誘電性材料と液晶の表面積を調整して、液晶内
で利用している電気光学効果に上記パラメータを適合さ
せることができる。
次に第11図〜第17図を参照して、ここに説明した電
気光学ディスプレイを製造するための本発明による方法
の一実施例を記述する。
第1段階では、基板、例えばガラス板1上に導電材料か
らなる薄い膜を堆積させる。この膜は、ディスプレイが
透過型であるか反射型であるかに応じて透明または反射
性にする。次に、この薄膜を適当な方法でエツチングし
て電極Eすなわち画素を形成する。エツチング法として
は例えばフォトリングラフィが考えられる。第11図と
第12図に示すように、各電極Eは切欠き部e1を備え
る。
第2段階では、全部の電極E上に強誘電性材料層を堆積
させる。この強誘電性材料層を堆積させるにあたっては
、例えば大きな遠心力を利用して一様で薄い層を形成す
る。この強誘電性材料層の厚さは例えば1μmにする。
強誘電性材料としては、先に例示したように、ポリマー
(例えばPVDF)やコポリマー、例えばP (VDF
、TrF)が使用できる。このコポリマーの強誘電性保
持電場は約50MV/mであり、自発分極Pは約0.1
mC/m2である。
第3段階では、第2段階で堆積された強誘電性材料層を
エツチングして、電極Eの切欠き部e1を覆う強誘電性
材料部分4を形成する。エツチングは、例えばプラズマ
エツチングにより行う。この結果、第13図と第14図
に示された構造が得られる。
第4段階では、絶縁層を形成して、強誘電性材料と、電
極Eにより制御することになる導電材料とを絶縁する。
絶縁材料としては例えば窒化ケイ素(Si、N、)を用
いる。絶縁層は、窒素の存在下でシリコンをプラズマC
VD法により堆積させるとよい。
絶縁材料として、ポリマーであるPVA (ポリビニル
アルコール)を用いることもできる。
次に、絶縁層をプラズマエツチングまたは化学エツチン
グによりエツチングして、各強誘電性材料部分4を覆う
のに丁度必要なだけ絶縁層5を残す。しかし、このエツ
チングは行わなくてもよい。
この場合、絶縁層は液晶の固定層としての機能をもつ。
第5段階では、導電層を形成する。この導電層は、例え
ばアルミニウムを真空蒸着することにより形成する。
第6段階では、第5段階で堆積された導電層をエツチン
グして列制御線Kを形成する。この列制御線には、1つ
または複数の絶縁層5、強誘電性材料部分4、それに、
絶縁層5の下に位置する電極Eの切欠き部e1を覆う。
このようにして、第15図と第16図に示す構造が得ら
れる。切断線AA’ による断面図である第16図から
は、絶縁層5が強誘電性材料部分4だけでなく基板1の
表面の大部分も覆っていることがわかる。しかし、必ず
しもこのようになっている必要はない。必要なのは、絶
縁層が強誘電性材料層を完全に覆っていて、強誘電性材
料層が後に電気光学材料と接触しないことである。実際
、電気光学材料が液晶の場合には、強誘電性材料に対し
て化学作用を及ぼす可能性がある。例えば液晶が強誘電
性材料を溶解させて、その電気的特性を失わせてしまう
ことがある。
本発明の方法を液晶ディスプレイに応用する場合には、
第17図に示した構成が考えられる。
この段階では、ディスプレイを製作するのに液晶セルの
技術が再び使われる。
−背面基板(第2のガラス板2)上に、電極マトリック
スの行を構成するITO(酸化スズ混入酸化インジウム
)膜をエツチングにより形成する。
−2枚の基板上に分子配向層(こすったポリマーにSi
○を蒸着したもの)を堆積させる。
発明の効果 このように、本発明ではマトリックス形式のディスプレ
イを製造するのに強誘電性ポリマーと液晶を組合せて使
用しているため、液晶に印加される電圧と列電極アドレ
ス電圧とを互いに独立にすることができる。
このディスプレイはアレイ配列の複数の薄膜トランジス
タを用いるディスプレイよりも製造が容易である。さら
に、このディスプレイにおいては広い面積にわたって堆
積させることのできる制御素子が使用されている。
上記の構成例および数値例は単なる説明用の例であり、
本発明の範囲を逸脱することなく他の構成例や数値例を
いろいろと考えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のディスプレイの実施例の一部を示す
図であり、 第2図は、第1図に示した部分を上方から見た図であり
、 第3図は、強誘電性材料のヒステリシスループのグラフ
であり、 第4図〜第8図は、第1図に示した部分のディスプレイ
の動作を説明するための図であり、第9図は、本発明の
ディスプレイの等価回路図であり、 第10図は本発明のディスプレイの動作のタイムチャー
トであり、 第11図〜第17図は、本発明の製造方法を段階を追っ
て示した図であり、 第18図と第19図は、本発明のディスプレイの別の実
施例の一部を示す図である。 (主な参照番号) 1.2・・電極基板、   3・・液晶、4・・強誘電
性材料部分、 5・・絶縁層、E、 Ell、  E1
2.  E21.  E22・・電極、el・・切欠き
部、  K・・列制御線、L・・行制御線

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)−電気光学材料を間にはさみ込んでいる互いに平
    行な第1と第2の電極基板を備え、 −第1の電極基板は、電気光学材料と接触する面に行列
    状の電極マトリックスと、該電極マトリックスの各電極
    行1行につき1本の割合で接続されて各電極行に平行に
    延在する複数の行制御線とを備え、 −第2の電極基板は、電気光学材料と接触する面に第1
    の電極基板の面上の電極マトリックスの1列に1本が対
    応する複数の列制御線を備える電気光学ディスプレイで
    あって、 各行制御線は、該行制御線が固定されている強誘電性材
    料製結合素子を介して上記電極と電気的に結合している
    ことを特徴とする電気光学ディスプレイ。
  2. (2)上記結合素子は強誘電性ポリマー材料からなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電気光学
    ディスプレイ。
  3. (3)上記ポリマー材料はビニリデンポリマーであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の電気光学
    ディスプレイ。
  4. (4)上記ポリマー材料はコポリマーP(VDF.Tr
    F)であることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記
    載の電気光学ディスプレイ。
  5. (5)上記電気光学材料は液晶であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項に記載の電気光学ディスプレイ。
  6. (6)所定の行制御線と所定の列制御線の間に、強誘電
    性材料からなる結合素子と、該行制御線と該列制御線の
    間に位置する液晶とからなる部分全体の強誘電性保持電
    圧よりも大きな電位差を選択的に印加することのできる
    電気手段を備え、該電位差は、上記強誘電性材料からな
    る結合素子内の残留分極を規定する電圧値よりも大きく
    なるよう、上記強誘電性保持電圧よりも所定の電圧値だ
    け大きいことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    の電気光学ディスプレイ。
  7. (7)上記電気手段を用いて、行制御線には上記強誘電
    性保持電圧と等しい電圧を選択的に印加し、列制御線に
    は上記所定の電圧値と等しい電圧を選択的に印加するこ
    とが可能であることを特徴とする特許請求の範囲第6項
    に記載の電気光学ディスプレイ。
  8. (8)上記電気手段を用いて、列制御線には上記強誘電
    性保持電圧と等しい電圧を選択的に印加し、行制御線に
    は上記所定の電圧値と等しい電圧を選択的に印加するこ
    とが可能であることを特徴とする特許請求の範囲第7項
    に記載の電気光学ディスプレイ。
  9. (9)単位表示期間を連続して備え、上記電気手段を用
    いて上記電位差を各単位表示期間ごとに反転させること
    を特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の電気光学デ
    ィスプレイ。
  10. (10)上記電気手段を用いて、隣接する行間で印加電
    圧を互いに反転させることを特徴とする特許請求の範囲
    第9項に記載の電気光学ディスプレイ。
  11. (11)強誘電性材料からなる結合素子は、絶縁材料か
    らなる薄膜で被覆されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項に記載の電気光学ディスプレイ。
  12. (12)絶縁材料からなる上記薄膜はさらに、電極マト
    リックスと行制御線とを備える第1の電極基板を被覆し
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第11項に記載
    の電気光学ディスプレイ。
  13. (13)−電気光学材料を間にはさみ込んでいる互いに
    平行な第1と第2の電極基板を備え、 −第1の電極基板は、電気光学材料と接触する面に行列
    状の電極マトリックスと、該電極マトリックスの各電極
    行1行につき1本の割合で接続されて各電極行に平行に
    延在する複数の行制御線とを備え、 −第2の電極基板は、電気光学材料と接触する面に第1
    の電極基板の面上の電極マトリックスの1列に1本が対
    応する複数の列制御線を備え、各行制御線は、該行制御
    線が固定されている強誘電性材料製結合素子を介して上
    記電極と電気的に結合していることを特徴とする電気光
    学ディスプレイの製造方法であって、 −第1段階として、基板上に導電材料からなる複数の電
    極を形成し、 −第2段階として、全電極上に強誘電性材料からなる層
    を形成し、 −第3段階として、該強誘電性材料層をエッチングして
    各電極上に強誘電性材料からなる素子を少なくともひと
    つ形成し、 −第4段階として、導電材料からなる層を形成し、 −第5段階として、第4段階で形成された導電層をエッ
    チングして、強誘電性材料層からなる少なくともひとつ
    の結合素子と該強誘電性材料製結合素子の下に位置する
    電極の一部とを覆う少なくともひとつの列制御線を形成
    する ことを特徴とする方法。
  14. (14)第3段階と第4段階の間に絶縁材料からなる層
    を堆積させる追加段階をさらに含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第13項に記載の方法。
  15. (15)上記追加段階には、絶縁材料層をエッチングし
    て、強誘電性材料からなる結合素子を覆う絶縁材料部を
    形成する操作を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
    14項に記載の方法。
JP62123614A 1986-05-20 1987-05-20 電気光学ディスプレイおよび該ディスプレイの製造方法 Expired - Lifetime JP2607436B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
XX8607144 1986-05-20
FR8607144 1986-05-20
FR8607144A FR2599171B1 (fr) 1986-05-20 1986-05-20 Ecran de visualisation electrooptique et procede de realisation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62279392A true JPS62279392A (ja) 1987-12-04
JP2607436B2 JP2607436B2 (ja) 1997-05-07

Family

ID=9335373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62123614A Expired - Lifetime JP2607436B2 (ja) 1986-05-20 1987-05-20 電気光学ディスプレイおよび該ディスプレイの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4944575A (ja)
EP (1) EP0246945B1 (ja)
JP (1) JP2607436B2 (ja)
DE (1) DE3782852T2 (ja)
FR (1) FR2599171B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225821A (en) * 1988-12-22 1993-07-06 Seiko Epson Corporation Method for driving an active matrix display and active matrix display

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2605382B2 (ja) * 1987-12-18 1997-04-30 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
US5282069A (en) * 1987-12-23 1994-01-25 Seiko Epson Corporation Active device and active matrix display having ferroelectric layer as active layer
US5268777A (en) * 1987-12-23 1993-12-07 Seiko Epson Corporation Driving method of active matrix display having ferroelectric layer as active layer
EP0321962B1 (en) * 1987-12-23 1994-08-03 Seiko Epson Corporation Active matrix liquid crystal electro-optical device and method of driving it
EP0864911A3 (en) * 1988-03-24 1999-11-03 Denso Corporation Ferroelectric liquid crystal electro-optic apparatus and manufacturing method thereof
GB2247972B (en) * 1990-09-11 1994-07-27 Stc Plc Co-ordinate addressing of liquid crystal cells
US5486938A (en) * 1991-02-19 1996-01-23 Thomson-Csf Anti-dazzle system for vehicles
DE69214053D1 (de) * 1991-07-24 1996-10-31 Fujitsu Ltd Aktive Flüssigkristallanzeigevorrichtung vom Matrixtyp
JPH0643497A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2954429B2 (ja) * 1992-08-25 1999-09-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス方式駆動装置
US5986724A (en) * 1996-03-01 1999-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display with liquid crystal layer and ferroelectric layer connected to drain of TFT
US5943111A (en) * 1998-06-09 1999-08-24 Symetrix Corporation Layered superlattice ferroelectric liquid crystal display
US6198225B1 (en) 1999-06-07 2001-03-06 Symetrix Corporation Ferroelectric flat panel displays
WO2003088198A2 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display
CN113763830B (zh) * 2021-08-20 2023-12-19 深圳市艾比森光电股份有限公司 显示模组和led显示屏

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50123293A (ja) * 1974-03-18 1975-09-27
JPS50128994A (ja) * 1974-03-29 1975-10-11
JPS5417867A (en) * 1977-06-20 1979-02-09 Hughes Aircraft Co Aac drive type liquid crystal light valve
JPS62159124A (ja) * 1986-01-07 1987-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2037676B2 (de) * 1970-07-29 1973-04-12 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Anzeigeschirm mit einer fluessigkeristallschicht sowie verfahren zu dessen herstellung
JPS5343058B2 (ja) * 1972-03-08 1978-11-16
GB1525405A (en) * 1974-10-14 1978-09-20 Hitachi Ltd Liquid crystal display panels
US4040720A (en) * 1975-04-21 1977-08-09 Rockwell International Corporation Ferroelectric liquid crystal display
JPS54155795A (en) * 1978-05-30 1979-12-08 Seiko Instr & Electronics Ltd Electro-optical display unit
US4297004A (en) * 1978-09-20 1981-10-27 Technical Research of Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display cell
DE3229584A1 (de) * 1982-08-07 1984-02-09 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Multiplexbare fluessigkristallzelle
JPS59131974A (ja) * 1983-01-18 1984-07-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPS60149025A (ja) * 1984-01-13 1985-08-06 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
FR2561423B1 (fr) * 1984-03-16 1987-10-16 Thomson Csf Dispositif de visualisation a commande electrique
US4555953A (en) * 1984-04-16 1985-12-03 Paolo Dario Composite, multifunctional tactile sensor
US4630893A (en) * 1985-04-29 1986-12-23 Rca Corporation LCD pixel incorporating segmented back-to-back diode
DE3751311T2 (de) * 1986-02-17 1995-09-28 Semiconductor Energy Lab Flüssigkristallvorrichtung mit einer Ladungs-Speicherstruktur.
US4790631A (en) * 1987-01-05 1988-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device with ferroelectric liquid crystal adapted for unipolar driving

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50123293A (ja) * 1974-03-18 1975-09-27
JPS50128994A (ja) * 1974-03-29 1975-10-11
JPS5417867A (en) * 1977-06-20 1979-02-09 Hughes Aircraft Co Aac drive type liquid crystal light valve
JPS62159124A (ja) * 1986-01-07 1987-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225821A (en) * 1988-12-22 1993-07-06 Seiko Epson Corporation Method for driving an active matrix display and active matrix display

Also Published As

Publication number Publication date
JP2607436B2 (ja) 1997-05-07
US4944575A (en) 1990-07-31
FR2599171A1 (fr) 1987-11-27
DE3782852D1 (de) 1993-01-14
FR2599171B1 (fr) 1989-12-08
EP0246945A1 (fr) 1987-11-25
EP0246945B1 (fr) 1992-12-02
DE3782852T2 (de) 1993-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62279392A (ja) 電気光学ディスプレイおよび該ディスプレイの製造方法
KR960014824B1 (ko) 박막 트랜지스터와 액정셀을 갖는 대향형 액티브 매트릭스 액정표시장치
JP3194873B2 (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法
JP3442551B2 (ja) 液晶表示装置
US5295008A (en) Color LCD panel
JPH09127494A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JPH0473929B2 (ja)
EP0461648B1 (en) Metal-insulator-metal type matrix liquid cristal display free from image sticking
JPH01277217A (ja) アクティブマトリックス型液晶表示素子アレイ
JP2868758B1 (ja) 液晶表示装置
JP2000019562A (ja) 光学的変調素子
CN113077765B (zh) 像素驱动电路、液晶显示面板及其驱动方法、显示装置
JPS62100739A (ja) 液晶表示装置
JP2843861B2 (ja) 液晶電気光学装置の駆動方法
JPH0414767B2 (ja)
JP3064340B2 (ja) アクティブマトリクスディスプレイの駆動方法
JPH11194323A (ja) 液晶表示素子およびその駆動方法
JPH04219735A (ja) 液晶表示装置
JPS63142328A (ja) 液晶表示装置
JP2739147B2 (ja) 液晶電気光学装置
JP3097948B2 (ja) 非線形素子の製造方法
JP3326161B2 (ja) 電気光学装置の駆動方法
JPH0720482A (ja) 液晶表示装置およびその駆動方法
JPH06130420A (ja) 液晶表示装置
JPH0682839A (ja) 液晶素子