JP3097948B2

JP3097948B2 - 非線形素子の製造方法

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Publication number: JP3097948B2
Application number: JP9389995A
Authority: JP
Inventors: 智司山上; 清岡野
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-04-19
Filing date: 1995-04-19
Publication date: 2000-10-10
Anticipated expiration: 2015-10-10
Also published as: JPH08292452A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶などの表示媒体を
備える表示装置等に用いられる非線形素子の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ等のＯＡ
機器のダウンサイジング化に伴って、高機能フラットパ
ネルディスプレイに対する要求が高まっている。このフ
ラットパネルディスプレイとして、液晶パネル、ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）パネル、プラズマパネル
等の研究開発が進められている。特に、液晶パネルは、
時計や電卓、更には、パーソナルコンピュータやテレビ
などの幅広い範囲に対応できる表示装置として既に商品
化されている。今後においては、マルチメディア化が進
むにつれて、ディスプレイの高解像度化、高コントラス
ト化、フルカラー化および省電力駆動化等の高機能化が
要求される。

【０００３】これらの要求を満たす表示装置として、個
々の画素にアクティブ素子を設けたアクティブマトリッ
クス型表示装置が挙げられる。このアクティブマトリッ
クス方式の液晶表示装置においては、マトリクス状に設
けられた画素電極と、該画素電極の近傍を通る走査線と
が、アクティブ素子を介して電気的に接続された構成に
なっている。このアクティブ素子としては、２端子の非
線形素子および３端子の能動素子について、開発が精力
的に進められている。特に、２端子の非線形素子は、Ｔ
ＦＴに代表される３端子の能動素子に比べて、製造の際
に必要とするマスク枚数が少ないため製造工程を簡略化
でき、低価格化が期待できる。

【０００４】現在、２端子の非線形素子として、電極で
挟まれた非線形抵抗層に酸化タンタル膜を用いた素子
（特公昭６１−３２６７４号）や、同じく非線形抵抗層
にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜を用いた素子（特公
平６−１７９５７号）または硫化亜鉛膜を用いた素子
（特開平６−３１３８９９号）等が開発されている。な
かでも、非線形抵抗層に硫化亜鉛膜を用いた素子は、Ｉ
−Ｖ特性の非線形性が大きいばかりでなく、硫化亜鉛膜
中に不純物をドーピングすることによりＩ−Ｖ特性を制
御することが可能である。このため、表示媒体の電気光
学特性に応じたＩ−Ｖ特性を有する素子を設計でき、高
コントラストの表示装置を提供することができるという
大きな利点を有する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記硫化亜
鉛膜は、ＥＢ（Electron Beam）蒸着法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法、また
はＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法により作製する
ことができる。特に、スパッタリング法は、ＥＢ蒸着法
に比べて得られる膜の緻密性が良好であり、また、ＣＶ
Ｄ法やＭＢＥ法に比べて簡便に成膜できることから、有
効な手法である。

【０００６】かかるスパッタリング法においては、一般
に、成膜したい物質をターゲットとし、ヘリウム、アル
ゴン、キセノン等に代表される不活性ガスをスパッタガ
スとして用いる。放電によりスパッタガスをイオン化さ
せ、そのイオンをターゲットに衝突させると、ターゲッ
ト表面の原子または分子がスパッタ蒸発する。このスパ
ッタ蒸発したターゲット物質を、基板上に付着させるこ
とにより薄膜が形成される。

【０００７】このようなスパッタリング法により硫化亜
鉛膜を成膜する場合には、硫化亜鉛のターゲットを用い
る。また、硫化亜鉛膜中に不純物を混合させる場合に
は、不純物を混合させた硫化亜鉛ターゲットを用いる。
スパッタガスとしては、アルゴン等の不活性ガスを用
い、この不活性ガスを真空排気したチャンバー内に放電
可能なガス圧まで導入し、高周波電源により放電を行
う。スパッタ時の制御パラメータとしては、高周波電源
の入力パワー、スパッタガス圧、スパッタガス流量およ
び基板温度等があり、各パラメータを最適化させて硫化
亜鉛膜の成膜を行う。ここで、硫化亜鉛を主成分とする
非線形抵抗層を用いた従来の非線形素子の製造方法と、
その非線形素子の特性について述べる。まず、製造方法
の例としては、以下のように行われる。まず、絶縁性基
板上に、Ｔａからなる第１電極を形成する。次に、ニッ
ケルを混合した硫化亜鉛からなる焼成ターゲットを用
い、アルゴンガスをスパッタガスとして、第１電極上
に、ニッケルを混合した硫化亜鉛からなる非線形抵抗層
を膜厚８０ｎｍ成膜する。更に、非線形抵抗層上に、Ａ
ｌからなる第２電極を形成して非線形素子が完成する。

【０００８】この非線形素子は、図１の１２に示すよう
なＩ−Ｖ特性を示す。この非線形素子のＩ−Ｖ特性の急
峻性は、電圧２０Ｖと５Ｖとを印加した時に流れる電流
値の比をとれば１０⁵程度であり、非線形抵抗層に酸化
タンタルを用いた非線形素子に比べると高い値である。

【０００９】しかしながら、このような硫化亜鉛を主成
分とする非線形抵抗層を有する従来の非線形素子は、液
晶表示装置のアクティブ素子に適用する場合、以下のよ
うな課題があった。

【００１０】すなわち、液晶表示装置に非線形素子を用
いる場合、その非線形素子には以下のことが要求され
る。一般には、ＯＮ電流が十分高く、液晶駆動に必要な
電圧を印加できること、更にはＯＦＦ電流が十分低く、
非選択機間に液晶印加電圧を保持できることである。特
に、垂直配向のホワイトテーラー型ゲストホスト液晶や
ポリマー分散型の液晶のように駆動電圧が高い液晶を用
いた表示装置に対しては、その駆動を十分に行わせるべ
く、Ｉ−Ｖ特性の急峻性がより高いことが要求される。
このような要求に対し、硫化亜鉛を主成分とする非線形
抵抗層を有する従来の非線形素子では、駆動電圧が高い
液晶を用いた表示装置を駆動させるには、Ｉ−Ｖ特性の
急峻性が不十分であった。

【００１１】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、Ｉ−Ｖ特性の急峻性を向
上させ得る非線形素子の製造方法を提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の非線形素子の製
造方法は、対向する一対の電極の間に設けられる非線形
抵抗層を、スパッタガスとして不活性ガスと酸素ガスと
を１０００：１〜２０：１の比率で用いたスパッタリン
グ法により形成するので、そのことにより上記目的が達
成される。

【００１３】本発明の非線形素子の製造方法は、対向す
る一対の電極の間に設けられる非線形抵抗層を、硫化亜
鉛からなる焼成ターゲットを用いて、スパッタガスとし
て不活性ガスと酸素ガスとを用いたスパッタリング法に
より形成するので、そのことにより上記目的が達成され
る。また、本発明の非線形素子の製造方法は、対向する
一対の電極の間に設けられる非線形抵抗層を、硫化亜鉛
および不純物からなる焼成ターゲットを用いて、スパッ
タガスとして不活性ガスと酸素ガスとを用いたスパッタ
リング法により形成するので、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１４】また、本発明の非線形素子の製造方法にお
いて、前記一対の電極の一方である第１電極を基板上に
形成し、該第１電極の上に積層し、または一部接して非
線形抵抗層を形成し、該一対の電極の他方である第２電
極を該非線形抵抗層上に積層し、または一部接して形成
してもよい。

【００１５】

【作用】本発明においては、一対の電極で挟まれた非線
形抵抗層を、スパッタガスとして不活性ガスと酸素ガス
とを用いたスパッタリング法により形成している。その
結果、後述するように、スパッタガスとして不活性ガス
のみを用いた場合に比べて非線形素子のＩ−Ｖ特性の急
峻性が向上する。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００１７】本発明の作製対象の非線形素子は、基板上
に、第１電極、非線形抵抗層および第２電極を、基板側
からこの順に有する構成である。なお、非線形抵抗層は
第１電極上に積層され、つまり第１電極の全体を覆って
形成されていても、または一部接した状態、つまり非線
形抵抗層が第１電極の一部を覆って形成されていてもよ
い。また、第２電極は非線形抵抗層上に積層され、つま
り非線形抵抗層の全体を覆って形成されていても、また
は一部接した状態、つまり第２電極が非線形抵抗層の一
部を覆って形成されていてもよい。

【００１８】本発明の非線形素子の製造方法は、例え
ば、絶縁性基板上にＴａからなる第１電極を形成する。
その上に、ニッケルを混合した硫化亜鉛の焼成ターゲッ
トを用いて、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスをス
パッタガスとして、ニッケルを混合した硫化亜鉛からな
る非線形抵抗層を成膜する。更に、その上に、Ａｌから
なる第２電極を形成して非線形素子とする。

【００１９】図１の１１が、非線形抵抗層の膜厚を８０
ｎｍとして得られた非線形素子のＩ−Ｖ特性である。し
たがって、本発明の非線形素子は、図１の１２にて示す
従来の非線形素子に比べて低電圧側の電流値が減少し、
急峻性の向上した非線形特性となっている。

【００２０】よって、本発明の非線形素子の製造方法に
より作製される非線形素子をアクティブ素子に用いるこ
とにより、液晶駆動電圧の高い液晶モードを用いた表示
装置を十分駆動させることができる。更には、液晶駆動
電圧の比較的低い液晶モードを用いた表示装置にも適用
できる。その理由は、以下の通りである。

【００２１】液晶表示装置は、液晶印加電圧によって光
学特性が変化することを利用して表示を行うものであ
り、液晶駆動波形としては一般的には選択期間と非選択
期間とがある。選択期間の電位においては、低抵抗の状
態で液晶が駆動されるため、液晶に十分な電荷を流して
液晶に電圧を印加させ、非選択期間の電位では、液晶に
充電された電荷が放電しないような高抵抗の状態が要求
される。つまり、選択期間と非選択期間との非線形素子
の抵抗比が高いほど、換言すれば非線形素子のＩ−Ｖ特
性が急峻なほど、液晶に印加される電圧は高くなる。ま
た、非選択期間の電位は、データ信号の電圧に依存する
ため、非選択期間における抵抗が高いほど、データ信号
の電圧は高くでき、表示特性の優れたものとなる。

【００２２】したがって、本発明により製造される非線
形素子を用いることにより、ツイストネマチック液晶の
ような比較的低電圧で駆動される液晶からホワイトテー
ラ型ゲストホスト液晶やポリマー分散型液晶等の駆動電
圧が高い液晶までの広い範囲にわたる液晶に対して駆動
可能となる。

【００２３】なお、本発明の非線形素子の製造方法にお
いて使用する不活性ガスとしては、アルゴン、ヘリウ
ム、キセノンまたはネオンなどを用いることができ、そ
のうちの１種を単独で、または２種以上を混合して使用
できる。酸素ガスと不活性ガスとは、別々にチャンバー
に導入してもよく、予め両者を混合したガスを用意して
チャンバーに導入してもよい。不活性ガスと酸素ガスと
の比率は、１０００：１〜２０：１程度であるのが好ま
しい。

【００２４】また、本発明の非線形素子の製造方法にお
いて、硫化亜鉛中にドーピングさせる不純物の種類およ
び量によりＩ−Ｖ特性を変化させることができる。硫化
亜鉛のみからなる膜を成膜する場合には、硫化亜鉛の焼
成ターゲットを用いる。また、硫化亜鉛膜中に不純物を
混合させる場合には、不純物を混合させた硫化亜鉛の焼
成ターゲットを用いる。焼成したターゲットを用いるの
は、焼成しないターゲットを用いる場合に比べて再現性
を向上できる点で好ましい。スパッタ時の制御パラメー
タとしては、高周波電源の入力パワー、スパッタガス
圧、スパッタガス流量、基板温度等があり、各パラメー
タを最適化させて硫化亜鉛膜の成膜を行う。上記非線形
抵抗層の膜厚は、非線形素子の用途により異ならせても
よい。

【００２５】以下、本発明により作製される非線形素子
を、液晶表示装置のアクティブ素子に適用した具体的な
実施例について説明する。

【００２６】（実施例１）この実施例では、ホワイトテ
ーラー型ゲストホスト液晶を用いた反射型液晶表示装置
について説明する。

【００２７】図２（ａ）は、本実施例に係る非線形素子
が形成された素子側基板の１画素分を示す平面図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線による断面
図である。また、図３は、この実施例で作製される反射
型液晶表示装置の２画素分を示す斜視図である。この液
晶表示装置は、各々電極形成側表面に配向膜３３が形成
された非線形素子側基板２７と対向側基板２９との間
に、ホワイトテーラー型ゲストホスト液晶３４が挟まれ
た構成となっている。

【００２８】上記素子側基板２７は、絶縁性基板２１上
に走査電極配線２２およびその一部である第１電極２２
ａが形成され、その上に絶縁膜２３が形成されている。
この絶縁膜２３は、第１電極２２ａの上部分にコンタク
トホール２３ａが形成され、その上に、コンタクトホー
ル２３ａに一部充填されて、硫化亜鉛を主成分とする非
線形抵抗層２４が形成されている。さらにその上に、画
素電極２５が形成され、コンタクトホール２３ａ近傍部
分が非線形素子の第２電極２５ａとなっている。非線形
素子は、非線形抵抗層２４と、非線形抵抗層２４を挟ん
で対向する第１電極２２ａと第２電極２５ａとから構成
されている。

【００２９】一方、上記対向側基板２９は、ガラス基板
２８上に対向電極３０が形成されている。この対向電極
３０は、上記画素電極２５と対向配設されている。

【００３０】以下に、この液晶表示装置の作製工程につ
いて説明する。まず、素子側基板２７の作製手順につい
て説明する。

【００３１】まず、絶縁性基板２１上に導電性薄膜を形
成し、これを所定の形状にパターン形成して走査電極配
線２２および走査電極配線２２の一部である第１電極２
２ａを形成する。この実施例では、ガラス基板２１上に
厚み、例えば約２００ｎｍのＴａをスパッタリング法に
より成膜し、所定のパターニングを行って走査電極配線
２２および第１電極２２ａを形成した。

【００３２】次に、絶縁膜２３を形成し、第１電極２２
ａと非線形抵抗層２４との接続を行うためのコンタクト
ホール２３ａを設ける。この実施例では、有機系感光性
樹脂を用い、スピンコート法により約１．４μｍの厚み
に塗布した後、露光・現像工程を通してコンタクトホー
ル２３ａを設けた絶縁膜２３を形成した。このように有
機系感光性樹脂を用いることにより、パターニング工程
を簡略化できるという利点がある。その後、フォトプロ
セスにより、絶縁膜２３表面に凹凸を形成した。この処
理により、絶縁膜２３上に形成される画素電極２５に凹
凸が形成されるので、反射型液晶表示装置の散乱効果を
生じさせることができる。

【００３３】その後、スパッタガスとして不活性ガスと
酸素ガスとを用いたスパッタリング法により非線形抵抗
層２４を形成する。この実施例では、ニッケルを混合し
た硫化亜鉛の焼成ターゲットを用い、スパッタガスとし
てアルゴンガスと酸素ガスとを別々にチャンバーに導入
して、ニッケルを混合した硫化亜鉛からなる非線形抵抗
層２４を膜厚８０ｎｍ成膜した。このとき、アルゴンガ
スの流量は１００ｓｃｃｍとし、酸素ガスの流量は１ｓ
ｃｃｍとした。得られた非線形抵抗層２４につき、フレ
ームレス原子吸光法によりニッケルの定量を行ったとこ
ろ、硫化亜鉛膜中のニッケル量は０．４ｗｔ％であっ
た。このように非線形抵抗層にニッケル等の不純物を混
合した硫化亜鉛を用いることにより、Ｉ−Ｖ特性の急峻
性を保った状態で、ニッケルの混合量に応じて非線形素
子を流れる電流を制御することができる。また、スパッ
タガスとしてアルゴンガスと酸素ガスとを用いているの
で、Ｉ−Ｖ特性の急峻性を高くすることができる。よっ
て、表示媒体の特性に応じた素子設計が可能となり、比
較的低い駆動電圧で駆動する液晶から高い駆動電圧の液
晶まで駆動させることができる。

【００３４】さらに、反射性を有する材料からなる導電
性薄膜を形成し、これをパターニングして第２電極２５
ａとしても用いられる画素電極２５を形成する。この実
施例では、スパッタリング法によりアルミニウムを厚み
約２００ｎｍに成膜し、パターニングを行って画素電極
２５および第２電極２５ａを形成した。

【００３５】以上により、第１電極２２ａ、非線形抵抗
層２４および第２電極２５ａの重畳部が非線形素子とな
って、反射型液晶表示装置の素子側基板２７が作製され
た。次に、対向側基板２９の作製手順について説明す
る。対向側基板２９は、絶縁性基板２８上にデータ電極
３０を形成する。この実施例では、ガラス基板２８上に
厚み約２００ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法により成
膜し、その後、フォト工程を施して臭化水素酸によりエ
ッチングを行い、フォトレジストを剥離することにより
ストライプ状のデータ電極３０を得た。

【００３６】以上のようにして作製した素子側基板２７
と対向側基板２９における素子や電極形成側面に、各々
垂直配向膜３３を塗布し、配向膜３３が形成されている
面が内側となるように両基板２７、２９の貼り合わせを
行った。そして、両基板の間隙にホワイトテーラー型ゲ
ストホスト液晶３４を注入し、注入口を封止して反射型
液晶表示装置を完成した。

【００３７】本実施例で用いた液晶モードは、垂直配向
のホワイトテーラー型ゲストホストモードであり、偏光
板を用いないため、明るい表示が得られる。しかし、液
晶駆動電圧が高く、この液晶モードの液晶表示装置を駆
動させるためには、液晶駆動能力の高い非線形素子が必
要である。

【００３８】本実施例で作製した液晶表示装置は、液晶
駆動電圧に対する反射特性（Ｖ−Ｒ特性）が良好であ
り、非線形素子の液晶駆動電圧が高いことが確認でき
た。

【００３９】（実施例２）この実施例では、ツイストネ
マチック液晶を用いた透過型液晶表示装置について説明
する。

【００４０】図４（ａ）は、本実施例に係る非線形素子
が形成された素子側基板の１画素分を示す平面図であ
り、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’線による断面
図である。

【００４１】上記素子側基板は、絶縁性基板４１上に走
査電極配線４２およびその一部である第１電極４２ａが
形成され、その上に硫化亜鉛を主成分とする非線形抵抗
層４４が形成されている。その上に絶縁膜４３が形成さ
れ、第１電極４２ａの上部分にコンタクトホール４３ａ
が形成されている。その上に、コンタクトホール４３ａ
に一部充填されて第２電極４６が形成され、第２電極４
６と一部接するように画素電極４５が形成されている。
非線形素子は、非線形抵抗層４４と、非線形抵抗層４４
を挟んで対向する第１電極４２ａと第２電極４６とから
構成されている。

【００４２】以下に、この液晶表示装置の素子側基板の
作製手順について説明する。

【００４３】まず、絶縁性基板４１上に導電性薄膜を形
成し、これを所定の形状にパターン形成して走査電極配
線４２および走査電極配線４２の一部である第１電極４
２ａを形成する。この実施例では、ガラス基板４１上に
厚み約３００ｎｍのＴａをスパッタリング法により成膜
し、所定のパターニングを行って走査電極配線４２およ
び第１電極４２ａを形成した。

【００４４】次に、スパッタガスとして不活性ガスと酸
素ガスとを用いたスパッタリング法により非線形抵抗層
４４を形成する。この非線形抵抗層４４は、実施例１の
非線形抵抗層２４と同様のスパッタリング条件で成膜し
た。

【００４５】その後、絶縁膜４３を形成し、非線形抵抗
層４４と第２電極４６との接続を行うためのコンタクト
ホール４３ａを設ける。この絶縁膜４３およびコンタク
トホール４３ａは、実施例１の絶縁膜２３およびコンタ
クトホール２３ａと同様にして形成した。

【００４６】さらにその上に、導電性薄膜を形成し、こ
れを所定の形状にパターン形成して第２電極４６を形成
する。この実施例では、厚み約２００ｎｍのＣｒをスパ
ッタリング法により成膜し、所定のパターニングを行っ
て第２電極４６を形成した。最後に、導電性薄膜を形成
し、これをパターニングして画素電極４５を形成する。
この実施例では、スパッタリング法によりＩＴＯを成膜
し、パターニングを行って第２電極４６と一部接するよ
うに画素電極４５を形成した。

【００４７】以上により、第１電極４２ａ、非線形抵抗
層４４および第２電極４６の重畳部が非線形素子となっ
て、透過型液晶表示装置の素子側基板が作製された。

【００４８】次に、実施例１と同様にして対向側基板を
作製し、素子側基板と対向側基板における素子や電極形
成側面に各々垂直配向膜を塗布して配向処理を行って、
配向膜が形成されている面が内側となるように両基板の
貼り合わせを行った。その後、両基板の間隙に液晶を注
入し、注入口を封止した後、両基板の外側に偏光板を貼
り合わせて透過型液晶表示装置を完成した。

【００４９】本実施例で作製した液晶表示装置は、液晶
駆動電圧に対する透過特性（Ｖ−Ｔ特性）が良好であっ
た。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、スパッタガスとして不活性ガスと酸素ガスと
を用いたスパッタリング法により、硫化亜鉛を主成分と
する非線形抵抗層を形成しているので、緻密な膜を簡便
な方法で得ることができ、非線形素子を流れる電流を制
御できると共に、非線形素子のＩ−Ｖ特性の急峻性を高
くすることができる。このような非線形素子を用いて表
示装置を作製することにより、ツイストネマチック液晶
のような比較的低電圧で駆動する液晶から、ホワイトテ
ーラー型ゲストホスト液晶やポリマー分散型液晶等のよ
うな駆動電圧が高い液晶まで、広い範囲の液晶を駆動す
ることができ、高品位・高画質な表示装置を低コストで
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る非線形素子のＩ−Ｖ特性を、従来
の非線形素子のＩ−Ｖ特性と併せて示すグラフである。

【図２】（ａ）は、実施例１の液晶表示装置における素
子側基板の１画素分の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ’線による断面図である。

【図３】実施例１の液晶表示装置の２画素分の斜視図で
ある。

【図４】（ａ）は、実施例２の液晶表示装置における素
子側基板の１画素分の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ’線による断面図である。

【符号の説明】

１１本発明の非線形素子のＩ−Ｖ特性１２従来の非線形素子のＩ−Ｖ特性２１、４１基板２２、４２走査電極配線２２ａ、４２ａ第１電極２３、４３層間絶縁膜２３ａ、４３ａコンタクトホール２４、４４非線形抵抗層２５、４５画素電極２５ａ、４６第２電極２７素子側基板２９対向側基板２８ガラス基板３０対向電極３３配向膜３４液晶

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1365

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する一対の電極の間に設けられる非
線形抵抗層を、スパッタガスとして不活性ガスと酸素ガ
スとを１０００：１〜２０：１の比率で用いたスパッタ
リング法により形成する非線形素子の製造方法。
【請求項２】対向する一対の電極の間に設けられる非
線形抵抗層を、硫化亜鉛からなる焼成ターゲットを用い
て、スパッタガスとして不活性ガスと酸素ガスとを用い
たスパッタリング法により形成する、非線形素子の製造
方法。
【請求項３】対向する一対の電極の間に設けられる非
線形抵抗層を、硫化亜鉛および不純物からなる焼成ター
ゲットを用いて、スパッタガスとして不活性ガスと酸素
ガスとを用いたスパッタリング法により形成する、非線
形素子の製造方法。
【請求項４】前記一対の電極の一方である第１電極を
基板上に形成し、該第１電極の上に積層し、または一部
接して非線形抵抗層を形成し、該一対の電極の他方であ
る第２電極を該非線形抵抗層上に積層し、または一部接
して形成する請求項１乃至３のいずれか一つに記載の非
線形素子の製造方法。