JP3102835B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２端子ＭＩＭ(Metal-I
nsulator-Metal)素子などの非線形抵抗素子を用いた表
示装置に関する。
nsulator-Metal)素子などの非線形抵抗素子を用いた表
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータなどのＯ
Ａ機器のダウンサイジング化に伴い、高機能フラットパ
ネルディスプレイの要求が高まっている。このフラット
パネルとして、液晶パネル、ＥＬパネル、プラズマパネ
ルなどの研究開発が進められている。特に、液晶パネル
は、時計、電卓からパーソナルコンピュータ、テレビジ
ョンなどの幅広い表示装置として商品化されている。今
後、マルチメディア化が進むにつれて、高解像度、高コ
ントラスト、フルカラー、省電力駆動などの高機能化が
要求される。これらの要求を満たす表示装置として、個
々の画素にアクティブ素子を付加したアクティブマトリ
ックス型の液晶表示装置などが挙げられる。このアクテ
ィブ素子として、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴとい
う）と薄膜ダイオード（以下ＴＦＤという）の２種類に
ついて開発が精力的に進められている。特にＴＦＤは、
ＴＦＴに比べて製造工程に必要なマスク枚数が少ないた
め、低価格化が期待できる。現在、ＴＦＤとして、酸化
タンタルＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置が商品化され
ている。この液晶表示装置は例えば文献（特公昭６１−
３２６７４号公報）に開示されている。
Ａ機器のダウンサイジング化に伴い、高機能フラットパ
ネルディスプレイの要求が高まっている。このフラット
パネルとして、液晶パネル、ＥＬパネル、プラズマパネ
ルなどの研究開発が進められている。特に、液晶パネル
は、時計、電卓からパーソナルコンピュータ、テレビジ
ョンなどの幅広い表示装置として商品化されている。今
後、マルチメディア化が進むにつれて、高解像度、高コ
ントラスト、フルカラー、省電力駆動などの高機能化が
要求される。これらの要求を満たす表示装置として、個
々の画素にアクティブ素子を付加したアクティブマトリ
ックス型の液晶表示装置などが挙げられる。このアクテ
ィブ素子として、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴとい
う）と薄膜ダイオード（以下ＴＦＤという）の２種類に
ついて開発が精力的に進められている。特にＴＦＤは、
ＴＦＴに比べて製造工程に必要なマスク枚数が少ないた
め、低価格化が期待できる。現在、ＴＦＤとして、酸化
タンタルＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置が商品化され
ている。この液晶表示装置は例えば文献（特公昭６１−
３２６７４号公報）に開示されている。
【０００３】ここで、従来の酸化タンタルＭＩＭ素子を
挙げて説明する。
挙げて説明する。
【０００４】図１１は従来のＭＩＭ素子を備えた液晶表
示装置の素子側基板の１画素分の一般的な構造を示し、
（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ’部の断
面図である。このＭＩＭ素子は、ガラス基板１０１の上
に、タンタルからなる下部電極１０２、さらに酸化タン
タルからなる非線形抵抗層１０３が形成されている。こ
れらガラス基板１０１および非線形抵抗層１０３上にク
ロムなどからなる上部電極１０４が形成されている。こ
のように、ＭＩＭ素子は、下部電極１０２、非線形抵抗
層１０３さらに上部電極１０４がこの順に堆積した構造
を有し、このＭＩＭ素子の上部電極１０４の端部と、透
明導電性のＩＴＯなどからなる画素電極１０５とが一部
重畳するように接続されている。この非線形抵抗層１０
３は、下部電極１０２の陽電極化によって形成される。
示装置の素子側基板の１画素分の一般的な構造を示し、
（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ’部の断
面図である。このＭＩＭ素子は、ガラス基板１０１の上
に、タンタルからなる下部電極１０２、さらに酸化タン
タルからなる非線形抵抗層１０３が形成されている。こ
れらガラス基板１０１および非線形抵抗層１０３上にク
ロムなどからなる上部電極１０４が形成されている。こ
のように、ＭＩＭ素子は、下部電極１０２、非線形抵抗
層１０３さらに上部電極１０４がこの順に堆積した構造
を有し、このＭＩＭ素子の上部電極１０４の端部と、透
明導電性のＩＴＯなどからなる画素電極１０５とが一部
重畳するように接続されている。この非線形抵抗層１０
３は、下部電極１０２の陽電極化によって形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】酸化タンタルを非線形
抵抗層として用いた上記従来のＭＩＭ素子では、陽極酸
化法を成膜手段として用いているため、非常に均一な膜
が形成できる反面、電気のオンオフ比がそれほど高くな
いという問題点がある。この酸化タンタルＭＩＭ素子に
おける電気伝導は、次の（数１）のプールフレンケル式
に従うと考えられている。
抵抗層として用いた上記従来のＭＩＭ素子では、陽極酸
化法を成膜手段として用いているため、非常に均一な膜
が形成できる反面、電気のオンオフ比がそれほど高くな
いという問題点がある。この酸化タンタルＭＩＭ素子に
おける電気伝導は、次の（数１）のプールフレンケル式
に従うと考えられている。
【０００６】
【数１】
【０００７】酸化タンタルの場合、比誘電率εは２３〜
２５と高い値を示すため、オンオフ比を決定する重要な
パラメータであるβの値が、低比誘電率な膜に比べて小
さくなってしまう。一般的な酸化タンタルＭＩＭ素子の
場合、βの値は３程度であり、オンオフ比として２０Ｖ
印加時と５Ｖ印加時の素子に流れる電流値の比を取る
と、その値Ｉ20V／Ｉ5V（ただし、Ｉ20Vは２０Ｖ印加時
の電流値、Ｉ5Vは５Ｖ印加時の電流値）は１０3程度に
留まる。また、この高い比誘電率は、液晶に対する非線
形抵抗素子の容量比を大きくしてしまい、素子への効率
的な電圧印加を妨げる要因となっている。
２５と高い値を示すため、オンオフ比を決定する重要な
パラメータであるβの値が、低比誘電率な膜に比べて小
さくなってしまう。一般的な酸化タンタルＭＩＭ素子の
場合、βの値は３程度であり、オンオフ比として２０Ｖ
印加時と５Ｖ印加時の素子に流れる電流値の比を取る
と、その値Ｉ20V／Ｉ5V（ただし、Ｉ20Vは２０Ｖ印加時
の電流値、Ｉ5Vは５Ｖ印加時の電流値）は１０3程度に
留まる。また、この高い比誘電率は、液晶に対する非線
形抵抗素子の容量比を大きくしてしまい、素子への効率
的な電圧印加を妨げる要因となっている。
【０００８】上述した問題点を解決するためには、比誘
電率εの小さい材料を非線形抵抗層に用いればよい。比
誘電率の小さい材料として、硫化亜鉛（以下ＺｎＳとい
う）がある。このＺｎＳの比誘電率εの値は、７〜９と
酸化タンタルに比べて小さいために、βの値が大きく、
オンオフ比は約１０5程度であり、酸化タンタルのそれ
よりも２桁程度高く、より高品位な表示をすることが可
能となる。
電率εの小さい材料を非線形抵抗層に用いればよい。比
誘電率の小さい材料として、硫化亜鉛（以下ＺｎＳとい
う）がある。このＺｎＳの比誘電率εの値は、７〜９と
酸化タンタルに比べて小さいために、βの値が大きく、
オンオフ比は約１０5程度であり、酸化タンタルのそれ
よりも２桁程度高く、より高品位な表示をすることが可
能となる。
【０００９】ＺｎＳ成膜方法としては、スパッタ、ＣＶ
Ｄ、蒸着などによって形成することができる。本発明者
等の検討によれば、ＺｎＳ膜中に不純物を入れると、不
純物の種類、その量によってＩ−Ｖ特性が変化する。し
かし、不純物の種類、その量が不適当であれば、Ｉ−Ｖ
特性の急峻性やオン電流が小さくなり、非線形抵抗層に
ＺｎＳを用いる効果が失われてしまう。
Ｄ、蒸着などによって形成することができる。本発明者
等の検討によれば、ＺｎＳ膜中に不純物を入れると、不
純物の種類、その量によってＩ−Ｖ特性が変化する。し
かし、不純物の種類、その量が不適当であれば、Ｉ−Ｖ
特性の急峻性やオン電流が小さくなり、非線形抵抗層に
ＺｎＳを用いる効果が失われてしまう。
【００１０】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、非線形抵抗層のＩ−Ｖ特性の急峻性やオン電流を良
好にすることができて、種々の電気光学表示媒体を良好
に駆動できる表示装置を提供することを目的とする。
で、非線形抵抗層のＩ−Ｖ特性の急峻性やオン電流を良
好にすることができて、種々の電気光学表示媒体を良好
に駆動できる表示装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、２
枚の基板間に電気光学表示媒体を挟持し、該２枚の基板
の少なくとも一方に該電気光学表示媒体に電圧を印加す
るための画素電極が設けられ、１画素に少なくとも１つ
以上の、非線形抵抗層を有する素子を介して該画素電極
に接続した表示装置において、該非線形抵抗層は硫化亜
鉛によって形成され、該硫化亜鉛膜中に、不純物として
素子のＩ−Ｖ特性を変えるための遷移元素を含有させた
ものであり、そのことにより上記目的が達成される。
枚の基板間に電気光学表示媒体を挟持し、該２枚の基板
の少なくとも一方に該電気光学表示媒体に電圧を印加す
るための画素電極が設けられ、１画素に少なくとも１つ
以上の、非線形抵抗層を有する素子を介して該画素電極
に接続した表示装置において、該非線形抵抗層は硫化亜
鉛によって形成され、該硫化亜鉛膜中に、不純物として
素子のＩ−Ｖ特性を変えるための遷移元素を含有させた
ものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１２】また、好ましくは、本発明の表示装置にお
ける遷移元素はニッケルおよび鉄のうち少なくともいず
れかである。この遷移元素はニッケルまたは鉄であって
もよく、また、遷移元素はニッケルおよび鉄であっても
よい。
ける遷移元素はニッケルおよび鉄のうち少なくともいず
れかである。この遷移元素はニッケルまたは鉄であって
もよく、また、遷移元素はニッケルおよび鉄であっても
よい。
【００１３】さらに、好ましくは、本発明の表示装置に
おける遷移元素は２種類以上の元素を含んでいる。この
元素はニッケルおよび鉄の他に他の遷移元素を含んでい
てもよい。
おける遷移元素は２種類以上の元素を含んでいる。この
元素はニッケルおよび鉄の他に他の遷移元素を含んでい
てもよい。
【００１４】上記ニッケルおよび鉄はそれぞれ、硫化亜
鉛１ｇに付き１０μｇ〜２０ｍｇ含まれていることが好
ましい。
鉛１ｇに付き１０μｇ〜２０ｍｇ含まれていることが好
ましい。
【００１５】さらに、好ましくは、本発明の表示装置に
おける電気光学表示媒体は液晶である。
おける電気光学表示媒体は液晶である。
【００１６】
【作用】上記構成により、非線形抵抗層としてのＺｎＳ
膜中に不純物としてニッケルや鉄などの遷移元素を入れ
ることにより、素子のＩ−Ｖ特性を変化させることがで
きる。
膜中に不純物としてニッケルや鉄などの遷移元素を入れ
ることにより、素子のＩ−Ｖ特性を変化させることがで
きる。
【００１７】また、この遷移元素としてニッケルをＺｎ
Ｓ膜中に不純物として入れることにより、ニッケルの量
に応じてオン電流を上げることができる。
Ｓ膜中に不純物として入れることにより、ニッケルの量
に応じてオン電流を上げることができる。
【００１８】さらに、遷移元素として鉄をＺｎＳ膜中に
不純物として入れることにより、Ｉ−Ｖ特性の急峻性が
増加する。さらに、ニッケルを入れることにより、オン
電流を上げることができ、また、膜中の鉄とニッケルの
量によって素子のＩ−Ｖ特性を変えることができるの
で、電気光学表示媒体の特性に合わせた素子設計が可能
となる。したがって、電気光学表示媒体の特性に合わせ
てＺｎＳ膜中に入れる鉄とニッケルの量を決めることに
より、高品位な表示装置が提供可能となる。
不純物として入れることにより、Ｉ−Ｖ特性の急峻性が
増加する。さらに、ニッケルを入れることにより、オン
電流を上げることができ、また、膜中の鉄とニッケルの
量によって素子のＩ−Ｖ特性を変えることができるの
で、電気光学表示媒体の特性に合わせた素子設計が可能
となる。したがって、電気光学表示媒体の特性に合わせ
てＺｎＳ膜中に入れる鉄とニッケルの量を決めることに
より、高品位な表示装置が提供可能となる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２０】図１は本発明の一実施例の表示装置に用い
る非線形抵抗素子におけるＺｎＳ膜中のニッケル量とＩ
−Ｖ特性の関係を示すグラフである。図１において、曲
線１０は不純物が入っていないＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性
であり、曲線１１〜曲線１４はＺｎＳ１ｇに対してニッ
ケルが入った素子のＩ−Ｖ特性であり、曲線１１はニッ
ケル１０μｇ、曲線１２はニッケル１ｍｇ、曲線１３は
ニッケル１０ｍｇ、曲線１４はニッケル５０ｍｇ入った
場合である。このように、ＺｎＳ膜中のニッケルの量が
増えるに従ってオン電流が増えていることが解るが、ニ
ッケルの量がＺｎＳ１ｇに対して５０ｍｇを越えると、
Ｉ−Ｖ特性の急峻性が小さくなり、非線形性素子として
の効果が失われてしまう。
る非線形抵抗素子におけるＺｎＳ膜中のニッケル量とＩ
−Ｖ特性の関係を示すグラフである。図１において、曲
線１０は不純物が入っていないＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性
であり、曲線１１〜曲線１４はＺｎＳ１ｇに対してニッ
ケルが入った素子のＩ−Ｖ特性であり、曲線１１はニッ
ケル１０μｇ、曲線１２はニッケル１ｍｇ、曲線１３は
ニッケル１０ｍｇ、曲線１４はニッケル５０ｍｇ入った
場合である。このように、ＺｎＳ膜中のニッケルの量が
増えるに従ってオン電流が増えていることが解るが、ニ
ッケルの量がＺｎＳ１ｇに対して５０ｍｇを越えると、
Ｉ−Ｖ特性の急峻性が小さくなり、非線形性素子として
の効果が失われてしまう。
【００２１】図２は、不純物の入っていないＺｎＳ素
子、ニッケルがＺｎＳ１ｇに対して１ｍｇ、５０ｍｇ入
ったＺｎＳ素子の駆動電圧Ｖと表示媒体にかかる電圧Ｖ
LCとの関係を示すグラフである。図２の曲線２０に示す
ように、不純物の入っていないＺｎＳ素子を用いた場
合、表示媒体に電圧５Ｖを印加させようとすると、駆動
電圧は３０Ｖを越える電圧が必要となり、素子耐圧のマ
ージンがほとんどなく、信頼性を考慮すれば、表示媒体
には３Ｖ程度の電圧しか印加することができない。ま
た、図２の曲線２１に示すように、ニッケルがＺｎＳ１
ｇに対して１ｍｇ入ったＺｎＳ素子を用いた場合、駆動
電圧が２０Ｖで表示媒体に電圧５Ｖ印加できるため、不
純物の入っていないＺｎＳ素子に比べて高品位の表示が
可能である。さらに、図２の曲線２２に示すように、ニ
ッケルがＺｎＳ１ｇに対して５０ｍｇ入ったＺｎＳ素子
を用いた場合には、Ｉ−Ｖ特性に急峻性が失われて、表
示媒体には十分に電圧が印加できない。
子、ニッケルがＺｎＳ１ｇに対して１ｍｇ、５０ｍｇ入
ったＺｎＳ素子の駆動電圧Ｖと表示媒体にかかる電圧Ｖ
LCとの関係を示すグラフである。図２の曲線２０に示す
ように、不純物の入っていないＺｎＳ素子を用いた場
合、表示媒体に電圧５Ｖを印加させようとすると、駆動
電圧は３０Ｖを越える電圧が必要となり、素子耐圧のマ
ージンがほとんどなく、信頼性を考慮すれば、表示媒体
には３Ｖ程度の電圧しか印加することができない。ま
た、図２の曲線２１に示すように、ニッケルがＺｎＳ１
ｇに対して１ｍｇ入ったＺｎＳ素子を用いた場合、駆動
電圧が２０Ｖで表示媒体に電圧５Ｖ印加できるため、不
純物の入っていないＺｎＳ素子に比べて高品位の表示が
可能である。さらに、図２の曲線２２に示すように、ニ
ッケルがＺｎＳ１ｇに対して５０ｍｇ入ったＺｎＳ素子
を用いた場合には、Ｉ−Ｖ特性に急峻性が失われて、表
示媒体には十分に電圧が印加できない。
【００２２】図３は本発明の一実施例の表示装置に用い
る非線形抵抗素子におけるＺｎＳ膜中の鉄の量とＩ−Ｖ
特性の関係を示すグラフである。図３において、曲線３
０は不純物の入っていないＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性であ
り、曲線３１はＺｎＳ１ｇに対して鉄１００μｇ入った
ＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性であり、曲線３２はＺｎＳ１ｇ
に対して鉄２０ｍｇ入ったＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性であ
り、曲線３３はＺｎＳ１ｇに対して鉄５０ｍｇ入ったＺ
ｎＳ素子のＩ−Ｖ特性である。このように、ＺｎＳ膜中
の鉄の量が増えるに従ってＩ−Ｖ特性の急峻性が高くな
り、非線形特性が良好になるが、鉄の量をさらに増やし
て５０ｍｇさらにそれ以上の１００ｍｇにすると、Ｉ−
Ｖ特性に急峻性が失われるため、鉄の量にはその最適値
の範囲があることが解る。また、鉄の入ったＺｎＳ膜中
にさらにニッケルを入れるとオン電流が増加する。
る非線形抵抗素子におけるＺｎＳ膜中の鉄の量とＩ−Ｖ
特性の関係を示すグラフである。図３において、曲線３
０は不純物の入っていないＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性であ
り、曲線３１はＺｎＳ１ｇに対して鉄１００μｇ入った
ＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性であり、曲線３２はＺｎＳ１ｇ
に対して鉄２０ｍｇ入ったＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性であ
り、曲線３３はＺｎＳ１ｇに対して鉄５０ｍｇ入ったＺ
ｎＳ素子のＩ−Ｖ特性である。このように、ＺｎＳ膜中
の鉄の量が増えるに従ってＩ−Ｖ特性の急峻性が高くな
り、非線形特性が良好になるが、鉄の量をさらに増やし
て５０ｍｇさらにそれ以上の１００ｍｇにすると、Ｉ−
Ｖ特性に急峻性が失われるため、鉄の量にはその最適値
の範囲があることが解る。また、鉄の入ったＺｎＳ膜中
にさらにニッケルを入れるとオン電流が増加する。
【００２３】図４は、ＺｎＳ１ｇに対して鉄が１ｍｇ、
ニッケルが１００μｇまたは１ｍｇ入った場合のＩ−Ｖ
特性のグラフである。図４において、曲線４１はＺｎＳ
１ｇに対して鉄が１ｍｇ、ニッケルが１００μｇ入った
場合のＩ−Ｖ特性であり、曲線４２はＺｎＳ１ｇに対し
て鉄が１ｍｇ、ニッケルが１ｍｇ入った場合のＩ−Ｖ特
性である。
ニッケルが１００μｇまたは１ｍｇ入った場合のＩ−Ｖ
特性のグラフである。図４において、曲線４１はＺｎＳ
１ｇに対して鉄が１ｍｇ、ニッケルが１００μｇ入った
場合のＩ−Ｖ特性であり、曲線４２はＺｎＳ１ｇに対し
て鉄が１ｍｇ、ニッケルが１ｍｇ入った場合のＩ−Ｖ特
性である。
【００２４】以上のように、非線形抵抗層としてのＺｎ
Ｓ膜中に遷移元素を不純物として入れることにより、Ｉ
−Ｖ特性を変えることができる。この遷移元素としてニ
ッケルを、ＺｎＳ１ｇに対して１０μｇ〜２０ｍｇ入れ
ることにより、ニッケルの量に応じてオン電流を上げる
ことができる。また、遷移元素として鉄を、ＺｎＳ１ｇ
に対して１０μｇ〜２０ｍｇ入れることにより、Ｉ−Ｖ
特性の急峻性を増加させることができ、さらにニッケル
を入れることによりオン電流を上げることができる。ま
た、ＺｎＳ膜中のニッケルおよび鉄の量によって素子の
Ｉ−Ｖ特性を変えることができるため、電気光学表示媒
体の特性に合わせた素子設計が可能となる。このよう
に、電気光学媒体の特性に合わせてＺｎＳ膜中に入れる
不純物の種類と量を決めることにより、より高品位な表
示装置を提供することができる。
Ｓ膜中に遷移元素を不純物として入れることにより、Ｉ
−Ｖ特性を変えることができる。この遷移元素としてニ
ッケルを、ＺｎＳ１ｇに対して１０μｇ〜２０ｍｇ入れ
ることにより、ニッケルの量に応じてオン電流を上げる
ことができる。また、遷移元素として鉄を、ＺｎＳ１ｇ
に対して１０μｇ〜２０ｍｇ入れることにより、Ｉ−Ｖ
特性の急峻性を増加させることができ、さらにニッケル
を入れることによりオン電流を上げることができる。ま
た、ＺｎＳ膜中のニッケルおよび鉄の量によって素子の
Ｉ−Ｖ特性を変えることができるため、電気光学表示媒
体の特性に合わせた素子設計が可能となる。このよう
に、電気光学媒体の特性に合わせてＺｎＳ膜中に入れる
不純物の種類と量を決めることにより、より高品位な表
示装置を提供することができる。
【００２５】ここで、以下、上記実施例の液晶表示装置
を製造する場合の具体的な実施例１〜５について説明す
る。
を製造する場合の具体的な実施例１〜５について説明す
る。
【００２６】（実施例１）実施例１として、本発明の素
子を用いた反射型ホワイトテーラ型ゲストホスト液晶表
示装置について説明する。
子を用いた反射型ホワイトテーラ型ゲストホスト液晶表
示装置について説明する。
【００２７】図５（ａ）は本発明の実施例１を示す液晶
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’部の断面図である。図５
（ａ）および図５（ｂ）において、まず、ガラス基板５
１上にＴａをスパッタにより２００ｎｍの厚さに成膜
後、所定のパターニングを行って走査電極５２を形成す
る。続いて、絶縁膜５３の形成を行う。本実施例１で
は、絶縁膜５３としてアクリル系ポジ型感光性樹脂を用
いた。この感光性樹脂を用いると、パターニング工程が
簡略化できるという利点がある。この感光性樹脂はスピ
ンコートによって約１．４μｍの厚さに塗布した後、露
光現像工程を通すことにより、硫化亜鉛と走査電極５２
を接続するためのコンタクトホール５３ａを設けた絶縁
膜５３を形成する。その後、ＲＩＥにより絶縁膜５３の
表面を軽く処理を行って、絶縁膜５３の表面に凹凸を付
ける。
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ’部の断面図である。図５
（ａ）および図５（ｂ）において、まず、ガラス基板５
１上にＴａをスパッタにより２００ｎｍの厚さに成膜
後、所定のパターニングを行って走査電極５２を形成す
る。続いて、絶縁膜５３の形成を行う。本実施例１で
は、絶縁膜５３としてアクリル系ポジ型感光性樹脂を用
いた。この感光性樹脂を用いると、パターニング工程が
簡略化できるという利点がある。この感光性樹脂はスピ
ンコートによって約１．４μｍの厚さに塗布した後、露
光現像工程を通すことにより、硫化亜鉛と走査電極５２
を接続するためのコンタクトホール５３ａを設けた絶縁
膜５３を形成する。その後、ＲＩＥにより絶縁膜５３の
表面を軽く処理を行って、絶縁膜５３の表面に凹凸を付
ける。
【００２８】次に、ニッケルを混合したＺｎＳ焼成ター
ゲットを用いて、走査電極５２および絶縁膜５３上に非
線形抵抗層であるＺｎＳ膜５４をスパッタにより１００
ｎｍの厚さに成膜を行う。この場合、フレームレス原子
吸光法の分析によりニッケルの定量を行うと、ＺｎＳ膜
中のニッケルの量は、（Ｎｉ５ｍｇ）／（ＺｎＳ１ｇ）
であった。さらに、その上にアルミニウムを膜厚約２０
０ｎｍでスパッタによって成膜を行い、フォト工程後、
エッチングを行ってレジスト剥離後、電極５５を形成す
る。この電極５５は画素電極５５ａと一体になってい
る。これら走査電極５２、（Ｎｉ５ｍｇ）／（ＺｎＳ１
ｇ）のＺｎＳ膜５４さらに電極５５により本発明の実施
例１における非線形抵抗素子５６が設けられた素子側基
板５７が構成される。
ゲットを用いて、走査電極５２および絶縁膜５３上に非
線形抵抗層であるＺｎＳ膜５４をスパッタにより１００
ｎｍの厚さに成膜を行う。この場合、フレームレス原子
吸光法の分析によりニッケルの定量を行うと、ＺｎＳ膜
中のニッケルの量は、（Ｎｉ５ｍｇ）／（ＺｎＳ１ｇ）
であった。さらに、その上にアルミニウムを膜厚約２０
０ｎｍでスパッタによって成膜を行い、フォト工程後、
エッチングを行ってレジスト剥離後、電極５５を形成す
る。この電極５５は画素電極５５ａと一体になってい
る。これら走査電極５２、（Ｎｉ５ｍｇ）／（ＺｎＳ１
ｇ）のＺｎＳ膜５４さらに電極５５により本発明の実施
例１における非線形抵抗素子５６が設けられた素子側基
板５７が構成される。
【００２９】図６は実施例１における液晶表示装置の数
画素分の概略斜視図である。図６において、上記非線形
抵抗素子が設けられた素子側基板５７に対向して配設さ
れる対向側基板５８の作製手順について簡単に説明す
る。
画素分の概略斜視図である。図６において、上記非線形
抵抗素子が設けられた素子側基板５７に対向して配設さ
れる対向側基板５８の作製手順について簡単に説明す
る。
【００３０】ガラス基板５９上にＩＴＯを約２００ｎｍ
スパッタにより成膜する。その後、フォト工程を施し、
臭化水素酸によってエッチング後にレジスト剥離を行
い、ストライプ状のデータ電極６０のパターニングを行
う。
スパッタにより成膜する。その後、フォト工程を施し、
臭化水素酸によってエッチング後にレジスト剥離を行
い、ストライプ状のデータ電極６０のパターニングを行
う。
【００３１】以上の工程で作製した素子側基板５７の非
線形抵抗素子５６や第２電極５５と、対向側基板５８の
データ電極６０が形成されている側の各表面に配向膜６
１をそれぞれ塗布した後に配向処理を行い、これら２枚
の基板部を配向膜６１がそれぞれ内側になるように所定
距離の隙間をもたせて貼り合わせた。この隙間にホワイ
トテーラ型ゲストホスト液晶６２を注入した後、注入口
の封止を行うことにより、本実施例１の液晶表示装置６
３の作製が完了する。
線形抵抗素子５６や第２電極５５と、対向側基板５８の
データ電極６０が形成されている側の各表面に配向膜６
１をそれぞれ塗布した後に配向処理を行い、これら２枚
の基板部を配向膜６１がそれぞれ内側になるように所定
距離の隙間をもたせて貼り合わせた。この隙間にホワイ
トテーラ型ゲストホスト液晶６２を注入した後、注入口
の封止を行うことにより、本実施例１の液晶表示装置６
３の作製が完了する。
【００３２】本実施例１で用いた駆動電圧の高い液晶６
２においても容易に駆動させることができた。
２においても容易に駆動させることができた。
【００３３】（実施例２）実施例２として、ＺｎＳ膜中
に鉄が入った素子を用いた反射型ホワイトテーラ型ゲス
トホスト液晶表示装置について説明する。
に鉄が入った素子を用いた反射型ホワイトテーラ型ゲス
トホスト液晶表示装置について説明する。
【００３４】図７（ａ）は本発明の実施例２を示す液晶
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’部の断面図である。図７
（ａ）および図７（ｂ）において、まず、ガラス基板７
１上にＴａをスパッタにより２００ｎｍの厚さに成膜
後、所定のパターニングを行い走査電極７２を形成す
る。次に、鉄を混合したＺｎＳ焼成ターゲットを用い
て、走査電極７２の上に非線形抵抗層であるＺｎＳ膜７
３をスパッタにより８０ｎｍの厚さに成膜を行う。この
場合、フレームレス原子吸光法の分析により鉄の定量を
行うと、ＺｎＳ膜７３中の鉄の量は、（Ｆｅ１ｍｇ）／
（ＺｎＳ１ｇ）であった。
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図７
（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ’部の断面図である。図７
（ａ）および図７（ｂ）において、まず、ガラス基板７
１上にＴａをスパッタにより２００ｎｍの厚さに成膜
後、所定のパターニングを行い走査電極７２を形成す
る。次に、鉄を混合したＺｎＳ焼成ターゲットを用い
て、走査電極７２の上に非線形抵抗層であるＺｎＳ膜７
３をスパッタにより８０ｎｍの厚さに成膜を行う。この
場合、フレームレス原子吸光法の分析により鉄の定量を
行うと、ＺｎＳ膜７３中の鉄の量は、（Ｆｅ１ｍｇ）／
（ＺｎＳ１ｇ）であった。
【００３５】続いて、このＺｎＳ膜７３上に絶縁膜７４
の形成を行う。本実施例２では、絶縁膜７４としてアク
リル系ポジ型感光性樹脂を用いた。この感光性樹脂を用
いると、パターニング工程が簡略化できるという利点が
ある。この感光性樹脂はスピンコートによって約１．４
μｍの厚さに塗布した後、露光現像工程を通すことによ
り、ＺｎＳ膜７３と電極７５を接続するためのコンタク
トホール７４ａを設けた絶縁膜７４を形成する。その
後、ＲＩＥにより絶縁膜７４の表面を軽く処理を行って
絶縁膜７４の表面に凹凸を付ける。その上にアルミニウ
ムを約２００ｎｍスパッタによって成膜を行い、フォト
工程後エッチングを行ってレジスト剥離後、電極７５を
形成する。この電極７５は画素電極７５ａと一体に構成
されている。これら走査電極７２、（Ｆｅ１ｍｇ）／
（ＺｎＳ１ｇ）のＺｎＳ膜７３さらに電極７５により本
発明の実施例２における非線形抵抗素子７６が設けられ
た素子側基板７７が構成される。
の形成を行う。本実施例２では、絶縁膜７４としてアク
リル系ポジ型感光性樹脂を用いた。この感光性樹脂を用
いると、パターニング工程が簡略化できるという利点が
ある。この感光性樹脂はスピンコートによって約１．４
μｍの厚さに塗布した後、露光現像工程を通すことによ
り、ＺｎＳ膜７３と電極７５を接続するためのコンタク
トホール７４ａを設けた絶縁膜７４を形成する。その
後、ＲＩＥにより絶縁膜７４の表面を軽く処理を行って
絶縁膜７４の表面に凹凸を付ける。その上にアルミニウ
ムを約２００ｎｍスパッタによって成膜を行い、フォト
工程後エッチングを行ってレジスト剥離後、電極７５を
形成する。この電極７５は画素電極７５ａと一体に構成
されている。これら走査電極７２、（Ｆｅ１ｍｇ）／
（ＺｎＳ１ｇ）のＺｎＳ膜７３さらに電極７５により本
発明の実施例２における非線形抵抗素子７６が設けられ
た素子側基板７７が構成される。
【００３６】なお、素子側基板作成に続く対向側基板作
製以後の工程については実施例１と同様である。
製以後の工程については実施例１と同様である。
【００３７】本実施例２で用いた駆動電圧の高い液晶に
おいても実施例１と同様に容易に駆動させることができ
た。
おいても実施例１と同様に容易に駆動させることができ
た。
【００３８】（実施例３）第３の実施例として、非線形
抵抗素子を逆極性で２つ直列に接続した構造を有する、
液晶表示装置を構成する作製工程について説明する。
抵抗素子を逆極性で２つ直列に接続した構造を有する、
液晶表示装置を構成する作製工程について説明する。
【００３９】図８（ａ）は本発明の実施例３を示す液晶
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ’部の断面図である。図８
（ａ）および図８（ｂ）において、まず、下部電極８２
としてＴａをガラス基板８１上に約３００ｎｍスパッタ
によって成膜した。その後、フォト工程後にエッチング
を行ってフォトレジストを剥離し、ストライプ状の下部
電極８２のパターニングを完了した。
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図８
（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ’部の断面図である。図８
（ａ）および図８（ｂ）において、まず、下部電極８２
としてＴａをガラス基板８１上に約３００ｎｍスパッタ
によって成膜した。その後、フォト工程後にエッチング
を行ってフォトレジストを剥離し、ストライプ状の下部
電極８２のパターニングを完了した。
【００４０】続いて、非線形抵抗層として硫化亜鉛１ｇ
に対してニッケルが５００μｇ入ったＺｎＳ薄膜８３を
８０ｎｍの厚さで成膜する。この成膜方法としては、ニ
ッケルを混合したＺｎＳ焼成ターゲットを用いてスパッ
タによって行う。さらに、表面に非線形抵抗層であるＺ
ｎＳ膜８３が形成された島状の電極８２をパターニング
した。
に対してニッケルが５００μｇ入ったＺｎＳ薄膜８３を
８０ｎｍの厚さで成膜する。この成膜方法としては、ニ
ッケルを混合したＺｎＳ焼成ターゲットを用いてスパッ
タによって行う。さらに、表面に非線形抵抗層であるＺ
ｎＳ膜８３が形成された島状の電極８２をパターニング
した。
【００４１】次に、ガラス基板８１およびＺｎＳ膜８３
上に絶縁膜８４の形成を行う。この絶縁膜８４として用
いる感光性樹脂はスピンコートによって約３００ｎｍの
厚さに塗布し、その後、露光、現像工程を通すことによ
り、ＺｎＳ膜８３と画素電極８５ａのアルミニウムとの
間を接合するためのコンタクトホール８４ａを設け、ま
た、ＺｎＳ膜８３と走査電極８６のアルミニウムとの間
を接合するためのコンタクトホール８４ｂを設けた島状
の絶縁膜８４を形成した。さらに、これらのアルミニウ
ムを約３００ｎｍスパッタにより成膜してフォト工程
後、臭化水素酸を用いた２つの非線形抵抗素子が逆極性
で直列に、即ち、バックトゥーバック構造で接続された
液晶表示装置の素子側基板８７が作製された。
上に絶縁膜８４の形成を行う。この絶縁膜８４として用
いる感光性樹脂はスピンコートによって約３００ｎｍの
厚さに塗布し、その後、露光、現像工程を通すことによ
り、ＺｎＳ膜８３と画素電極８５ａのアルミニウムとの
間を接合するためのコンタクトホール８４ａを設け、ま
た、ＺｎＳ膜８３と走査電極８６のアルミニウムとの間
を接合するためのコンタクトホール８４ｂを設けた島状
の絶縁膜８４を形成した。さらに、これらのアルミニウ
ムを約３００ｎｍスパッタにより成膜してフォト工程
後、臭化水素酸を用いた２つの非線形抵抗素子が逆極性
で直列に、即ち、バックトゥーバック構造で接続された
液晶表示装置の素子側基板８７が作製された。
【００４２】上記素子側基板８７の作成に続く対向側基
板作製以後の工程については実施例１と同様である。
板作製以後の工程については実施例１と同様である。
【００４３】上記実施例３による構造によって、液晶表
示素子のＩ−Ｖ特性の非対称性が改善された。
示素子のＩ−Ｖ特性の非対称性が改善された。
【００４４】なお、本実施例３では、バックトゥーバッ
ク構造のものであったが、２つの非線形抵抗層を逆極性
で並列に、即ち、リング構造で接続されたものであって
もよい。また、本実施例３では、非線形抵抗層として硫
化亜鉛１ｇに対してニッケルが５００μｇ入ったＺｎＳ
膜８３を成膜したが、ニッケルの代わりに鉄などの他の
遷移元素を用いてもよい。
ク構造のものであったが、２つの非線形抵抗層を逆極性
で並列に、即ち、リング構造で接続されたものであって
もよい。また、本実施例３では、非線形抵抗層として硫
化亜鉛１ｇに対してニッケルが５００μｇ入ったＺｎＳ
膜８３を成膜したが、ニッケルの代わりに鉄などの他の
遷移元素を用いてもよい。
【００４５】（実施例４）実施例４として透過型液晶表
示装置について説明する。
示装置について説明する。
【００４６】図９（ａ）は本発明の実施例４を示す液晶
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図９
（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ’部の断面図である。図９
（ａ）および図９（ｂ）において、ガラス基板９１上に
Ｔａを約３００ｎｍの薄膜に成膜する。このＴａ膜９２
のパターニング後、実施例１で用いた感光成樹脂を用い
てスピンコートにより膜厚４００ｎｍの絶縁膜９４を走
査電極９２上に形成後、フォト工程を通してコンタクト
ホール９４ａを設ける。続いて、実施例１に従って、ニ
ッケルを混合したＺｎＳ焼成ターゲットを用いて、Ｔａ
膜９２および絶縁膜９４上に非線形抵抗層であるＺｎＳ
膜９３をスパッタにより１００ｎｍの厚さに成膜を行
う。
表示装置における素子側基板の１画素分の平面図、図９
（ｂ）は図９（ａ）のＤ−Ｄ’部の断面図である。図９
（ａ）および図９（ｂ）において、ガラス基板９１上に
Ｔａを約３００ｎｍの薄膜に成膜する。このＴａ膜９２
のパターニング後、実施例１で用いた感光成樹脂を用い
てスピンコートにより膜厚４００ｎｍの絶縁膜９４を走
査電極９２上に形成後、フォト工程を通してコンタクト
ホール９４ａを設ける。続いて、実施例１に従って、ニ
ッケルを混合したＺｎＳ焼成ターゲットを用いて、Ｔａ
膜９２および絶縁膜９４上に非線形抵抗層であるＺｎＳ
膜９３をスパッタにより１００ｎｍの厚さに成膜を行
う。
【００４７】次に、アルミニウムをスパッタにより約３
００ｎｍ成膜を行い、フォト工程後、燐酸または燐酸、
硝酸、酢酸の混酸などでエッチングを行い、レジストを
剥離することにより、上部電極９６を形成する。さら
に、ＩＴＯを２００ｎｍスパッタにより形成後、上部電
極９６と一部接するように画素電極９５をパターニング
を行う。以上により素子側基板９７が完成する。
００ｎｍ成膜を行い、フォト工程後、燐酸または燐酸、
硝酸、酢酸の混酸などでエッチングを行い、レジストを
剥離することにより、上部電極９６を形成する。さら
に、ＩＴＯを２００ｎｍスパッタにより形成後、上部電
極９６と一部接するように画素電極９５をパターニング
を行う。以上により素子側基板９７が完成する。
【００４８】さらに、実施例１に従って対向側基板を形
成し、素子側基板９７と対向側基板の素子や電極が形成
されている側の表面に配向膜を塗布し、その後、配向処
理を行い、これらの配向膜を対向させて所定の隙間を開
けて貼り合わせる。この隙間にツイストネマティク液晶
を注入後、その注入口を封止して偏光板をガラス基板に
貼り付けて液晶表示装置の作製が完了する。
成し、素子側基板９７と対向側基板の素子や電極が形成
されている側の表面に配向膜を塗布し、その後、配向処
理を行い、これらの配向膜を対向させて所定の隙間を開
けて貼り合わせる。この隙間にツイストネマティク液晶
を注入後、その注入口を封止して偏光板をガラス基板に
貼り付けて液晶表示装置の作製が完了する。
【００４９】したがって、本実施例４により作製された
液晶表示装置は、オンオフ比の高い非線形抵抗素子を備
えており、高解像度および高コントラストとなる。
液晶表示装置は、オンオフ比の高い非線形抵抗素子を備
えており、高解像度および高コントラストとなる。
【００５０】なお、本実施例４では、ニッケルを混合し
たＺｎＳ焼成ターゲットを用いてＺｎＳ膜９３を成膜し
たが、ニッケルの代わりに鉄などの他の遷移元素を混合
したＺｎＳ焼成ターゲットを用いてもよい。
たＺｎＳ焼成ターゲットを用いてＺｎＳ膜９３を成膜し
たが、ニッケルの代わりに鉄などの他の遷移元素を混合
したＺｎＳ焼成ターゲットを用いてもよい。
【００５１】（実施例５）本実施例５としてＺｎＳ膜中
に鉄とニッケルが入った素子について説明する。実施例
２に従ってＴａのパターニングを行い走査電極を形成
後、コンタクトホールを設けた絶縁膜を形成し表面に凹
凸を付ける。次に、ニッケルと鉄を混合したＺｎＳ焼成
ターゲットを用い、非線形抵抗層であるＺｎＳ膜をスパ
ッタにより１００ｎｍの厚さに成膜を行う。本実施例５
で用いたＺｎＳ膜中の鉄とニッケルの量は、ＺｎＳ１ｇ
に対して鉄１ｍｇ、ニッケル１ｍｇであった。
に鉄とニッケルが入った素子について説明する。実施例
２に従ってＴａのパターニングを行い走査電極を形成
後、コンタクトホールを設けた絶縁膜を形成し表面に凹
凸を付ける。次に、ニッケルと鉄を混合したＺｎＳ焼成
ターゲットを用い、非線形抵抗層であるＺｎＳ膜をスパ
ッタにより１００ｎｍの厚さに成膜を行う。本実施例５
で用いたＺｎＳ膜中の鉄とニッケルの量は、ＺｎＳ１ｇ
に対して鉄１ｍｇ、ニッケル１ｍｇであった。
【００５２】続いて、アルミニウム電極以後は実施例２
に従ってパネルを作製する。本素子と実施例２で作製し
た素子のＩ−Ｖ特性を図１０に示している。図１０にお
いて、曲線１１１は実施例２に示した素子のＩ−Ｖ特性
であり、曲線１１２は実施例５に示した素子のＩ−Ｖ特
性である。これら曲線１１１，１１２から明かなよう
に、鉄とニッケルを入れることによってＩ−Ｖ特性の急
峻性を保ったままでオン電流を上げることが可能とな
る。
に従ってパネルを作製する。本素子と実施例２で作製し
た素子のＩ−Ｖ特性を図１０に示している。図１０にお
いて、曲線１１１は実施例２に示した素子のＩ−Ｖ特性
であり、曲線１１２は実施例５に示した素子のＩ−Ｖ特
性である。これら曲線１１１，１１２から明かなよう
に、鉄とニッケルを入れることによってＩ−Ｖ特性の急
峻性を保ったままでオン電流を上げることが可能とな
る。
【００５３】このように、ＺｎＳ膜中の鉄とニッケルの
量の組み合せによって、Ｉ−Ｖ特性を変化させることが
できるため、表示装置に用いる電気光学表示媒体の電気
的特性に応じた素子設計が可能となる。
量の組み合せによって、Ｉ−Ｖ特性を変化させることが
できるため、表示装置に用いる電気光学表示媒体の電気
的特性に応じた素子設計が可能となる。
【００５４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、非線形抵
抗層としてＺｎＳ膜中にニッケルや鉄などの遷移元素を
入れることによりＩ−Ｖ特性やオン電流などの特性が良
好で、しかも、入れる遷移元素の量によって素子のＩ−
Ｖ特性を変化させることが可能であるため、種々の電気
光学表示媒体を用いた表示装置を良好に駆動することで
き、かつフォト工程におけるマスク枚数もＴＦＴに比べ
ると少なくて済むため、低コストの表示装置を提供する
ことができる。
抗層としてＺｎＳ膜中にニッケルや鉄などの遷移元素を
入れることによりＩ−Ｖ特性やオン電流などの特性が良
好で、しかも、入れる遷移元素の量によって素子のＩ−
Ｖ特性を変化させることが可能であるため、種々の電気
光学表示媒体を用いた表示装置を良好に駆動することで
き、かつフォト工程におけるマスク枚数もＴＦＴに比べ
ると少なくて済むため、低コストの表示装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の表示装置に用いる非線形抵
抗素子におけるＺｎＳ膜中のニッケル量とＩ−Ｖ特性の
関係を示すグラフである。
抗素子におけるＺｎＳ膜中のニッケル量とＩ−Ｖ特性の
関係を示すグラフである。
【図２】駆動電圧Ｖと液晶に印加される電圧ＶLCとの関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施例の表示装置に用いる非線形抵
抗素子におけるＺｎＳ膜中の鉄の量とＩ−Ｖ特性の関係
を示すグラフである。
抗素子におけるＺｎＳ膜中の鉄の量とＩ−Ｖ特性の関係
を示すグラフである。
【図４】鉄とニッケルが入ったＺｎＳ素子のＩ−Ｖ特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】（ａ）は実施例１における液晶表示装置の素子
側基板の１画素分の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
部の断面図である。
側基板の１画素分の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
部の断面図である。
【図６】実施例１における液晶表示装置の数画素分の概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図７】（ａ）は実施例２における液晶表示装置の素子
側基板の１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’部
の断面図である。
側基板の１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’部
の断面図である。
【図８】（ａ）は実施例３における液晶表示装置の素子
側基板の１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’部
の断面図である。
側基板の１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’部
の断面図である。
【図９】（ａ）は実施例４における液晶表示装置の素子
側基板の１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’部
の断面図である。
側基板の１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ’部
の断面図である。
【図１０】実施例２の素子と実施例５の素子のＩ−Ｖ特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図１１】（ａ）は従来のタンタルの陽極酸化膜を用い
た液晶表示装置の素子側基板の１画素分の平面図、
（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ’部の断面図である。
た液晶表示装置の素子側基板の１画素分の平面図、
（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ’部の断面図である。
１０ 不純物が入っていない素子のＩ−Ｖ特性曲線 １１ ニッケル１０μｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 １２ ニッケル１ｍｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 １３ ニッケル１０ｍｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 １４ ニッケル５０ｍｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 ２０ 不純物の入っていない素子の電圧特性曲線 ２１ ニッケルが１ｍｇ入った素子の電圧特性曲線 ２２ ニッケルが５０ｍｇ入った素子の電圧特性曲線 ３０ 不純物が入っていない素子のＩ−Ｖ特性曲線 ３１ 鉄１００μｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 ３２ 鉄２０ｍｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 ３３ 鉄５０ｍｇ入った素子のＩ−Ｖ特性曲線 ４１ 鉄１ｍｇとニッケルが１００μｇ入った素子の
Ｉ−Ｖ特性曲線 ４２ 鉄１ｍｇとニッケルが１ｍｇ入った素子のＩ−
Ｖ特性曲線 ５１，５９，７１，８１，９１ ガラス基板 ５２，７２，８６，９２ 走査電極 ５３，７４，８４，９４ 絶縁膜 ５４，７３，８３，９３ ＺｎＳ膜 ５５，７５，８２，９６ 電極 ５５ａ，７５ａ，８５ａ，９５ 画素電極 ５７，７７，８７，９７ 素子側基板 ５６，７６ 非線形抵抗素子 ５８ 対向側基板 ６１ 配向膜 ６２ ホワイトテーラ型ゲストホスト液晶 ６３ 液晶表示装置 １１１ 実施例２に示した素子のＩ−Ｖ特性曲線 １１２ 実施例５に示した素子のＩ−Ｖ特性曲線
Ｉ−Ｖ特性曲線 ４２ 鉄１ｍｇとニッケルが１ｍｇ入った素子のＩ−
Ｖ特性曲線 ５１，５９，７１，８１，９１ ガラス基板 ５２，７２，８６，９２ 走査電極 ５３，７４，８４，９４ 絶縁膜 ５４，７３，８３，９３ ＺｎＳ膜 ５５，７５，８２，９６ 電極 ５５ａ，７５ａ，８５ａ，９５ 画素電極 ５７，７７，８７，９７ 素子側基板 ５６，７６ 非線形抵抗素子 ５８ 対向側基板 ６１ 配向膜 ６２ ホワイトテーラ型ゲストホスト液晶 ６３ 液晶表示装置 １１１ 実施例２に示した素子のＩ−Ｖ特性曲線 １１２ 実施例５に示した素子のＩ−Ｖ特性曲線
フロントページの続き (72)発明者 坪田 耕次郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−67187（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−308138（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−102293（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−356024（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−68690（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−194564（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/136
Claims (3)
- 【請求項１】 ２枚の基板間に電気光学表示媒体を挟持
し、該２枚の基板の少なくとも一方に該電気光学表示媒
体に電圧を印加するための画素電極が設けられ、非線形
抵抗層を有する素子を介して該画素電極に接続した表示
装置において、 該非線形抵抗層は硫化亜鉛によって形成され、該硫化亜
鉛膜中に、不純物として該素子のＩ−Ｖ特性を変えるた
めの遷移元素を含有させた表示装置。 - 【請求項２】 前記遷移元素はニッケルおよび鉄のうち
少なくともいずれかである請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記電気光学表示媒体が液晶である請求
項１記載の表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22994794A JP3102835B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 表示装置 |
| US08/469,912 US5734452A (en) | 1994-09-26 | 1995-06-06 | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
| KR1019950016209A KR100196776B1 (ko) | 1994-09-26 | 1995-06-19 | 2단자 비선형 저항소자 및 그의 제조방법 |
| CN95109129.8A CN1132255C (zh) | 1994-09-26 | 1995-07-07 | 双端非线性电阻器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22994794A JP3102835B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895087A JPH0895087A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3102835B2 true JP3102835B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=16900217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22994794A Expired - Fee Related JP3102835B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 表示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3102835B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1678551B1 (en) * | 2003-10-27 | 2017-03-01 | E Ink Corporation | Electro-optic displays |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP22994794A patent/JP3102835B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0895087A (ja) | 1996-04-12 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000814 |
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