JP2010186201A - 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられ、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素は左右方向に延びるゲートバスライン２５と、上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴが形成され、その上部にＴＦＴを遮光する樹脂重ね部３２が形成されている。ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置を構成する液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、一般に透明電極を備えた２枚の基板と、両基板間に封止された液晶とを有している。両透明電極間に電圧を印加して液晶を駆動させ、光の透過率を制御することにより所望の表示が得られる。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、各画素をスイッチングする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されたＴＦＴ基板と、共通電極が形成された共通電極基板とで構成される。近年、液晶表示装置の需要は増加しており、液晶表示装置に対する要求も多様化している。特に視角特性や表示品質の改善が強く要求されており、これを実現する手段として、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）モード（垂直配向型）の液晶表示装置が有望視されている。

ＶＡモードの液晶表示装置は、対向する面に垂直配向処理が施された２枚の基板と、両基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶とで構成されている。当該液晶の液晶分子はホメオトロピック配向の性質を有しており、両電極間に電圧が印加されていないときには基板面にほぼ垂直に配向する。また、両電極間に所定の電圧が印加されたときには基板面にほぼ水平に配向し、当該電圧より小さい電圧が印加されたときには基板面に対し斜めに傾いて配向する。

また、液晶表示装置の視角特性改善の見地から、近年ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置が注目されている。ＭＶＡ方式では、両基板上に設けた線状突起やスリット等の配向規制用構造物（ドメイン規制手段）を利用して画素内を複数の領域に分割し、液晶分子の傾く方向が領域毎にそれぞれ異なるように配向分割を行うようにしている。

図３５は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置の構成を示しており、両基板上に配向規制用構造物として形成された線状突起の配置を表している。図３５では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素を示している。図３５に示すように、ＴＦＴ基板１０８上には線状突起１０４が形成されており、共通電極基板１１０上には線状突起１０６が形成されている。線状突起１０４、１０６は、画素に対して斜めに形成されている。Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域は、共通電極基板１１０上に形成された遮光膜（ＢＭ；Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）１０２で画定されている。また、ＢＭ１０２は、各画素のほぼ中央を横切る蓄積容量バスライン及びその上層の蓄積容量電極（共に図示せず）を遮光している。

図３６は、図３５のＸ−Ｘ線で切断した液晶表示装置の断面図である。図３６に示すように、ＴＦＴ基板１０８は、ガラス基板１１２上の各画素毎に形成された画素電極１１４を有している。なお、ガラス基板１１２上に形成された絶縁膜、ドレインバスライン、保護膜等の図示は省略している。画素電極１１４上には線状突起１０４が形成されている。画素電極１１４及び線状突起１０４上の全面には垂直配向膜１１６が形成されている。一方、共通電極基板１１０は、ガラス基板１１２上に形成されたＢＭ１０２を有している。また、ガラス基板１１２上のＢＭ１０２により画定された画素領域毎に樹脂カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）層Ｒ、Ｇ、Ｂ（図３６ではＧ、Ｂのみ示す）が形成されている。樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には共通電極１１８が形成され、共通電極１１８上には線状突起１０６が形成されている。さらに、共通電極１１８及び線状突起１０６上
の全面には垂直配向膜１１６が形成されている。ＴＦＴ基板１０８と共通電極基板１１０の間には、両基板１０８、１１０間の間隔（セルギャップ）を保持するプラスチック製又はガラス製等の球状スペーサ１２２と、液晶ＬＣとが封止されている。

図３７は、図３５のＹ−Ｙ線で切断した液晶表示装置の断面図であり、電圧無印加時の液晶ＬＣの状態を示している。図３７に示すように、液晶分子（図中、円柱で示す）は、両基板１０８、１１０上の垂直配向膜１１６に対してほぼ垂直に配向している。したがって、線状突起１０４、１０６の形成されている領域の液晶分子は線状突起１０４、１０６表面に対してほぼ垂直に配向しており、両基板１０８、１１０の法線に対してわずかに傾斜して配向している。両基板１０８、１１０の外側には偏光板（不図示）がクロスニコルの状態に配置されているため、電圧無印加時では黒表示が得られる。

図３８は、図３７と同様に図３５のＹ−Ｙ線で切断した液晶表示装置の断面図であり、電圧印加時の液晶ＬＣの状態を示している。図中の破線は、画素電極１１４及び共通電極１１８間の電気力線を示している。図３８に示すように、画素電極１１４及び共通電極１１８間に電圧が印加されると、誘電体からなる線状突起１０４、１０６近傍で電界が歪められる。これにより負の誘電率異方性を有する液晶分子の倒れる方向が規制されるとともに、電界強度に応じて倒れる角度を制御することにより階調表示を得ることができる。

このとき線状突起１０４、１０６近傍の液晶分子は、線状突起１０４、１０６が図３５に示すように線状に設けられたものである場合、線状突起１０４、１０６を境界として線状突起１０４、１０６の延びる方向に直交する２方向に倒れる。線状突起１０４、１０６近傍の液晶分子は、電圧無印加の状態でも両基板１０８、１１０に垂直な方向よりわずかに傾斜しているので電界強度に素早く応答して倒れ込む。これにより周りの液晶分子も順次その挙動に倣って倒れ込む方向が決定され、電界強度に応じて傾斜するので、線状突起１０４、１０６を境界とした配向分割が実現される。

図３９は、線状突起１０４の代わりにスリット１２０が形成された図３５に示す液晶表示装置をＹ−Ｙ線で切断した断面図であり、電圧無印加時の状態を示している。図３９に示すように、配向規制用構造物のスリット１２０は、画素電極１１４を除去して形成されている。液晶分子は、図３７に示す液晶分子と同様に、両基板１０８、１１０上の垂直配向膜１１６に対してほぼ垂直に配向している。

図４０は、図３９と同様に図３５のＹ−Ｙ線で切断した液晶表示装置の断面図であり、電圧印加時の液晶ＬＣの状態を示している。図４０に示すように、スリット１２０の形成された領域は、図３８に示した線状突起１０４が形成された領域とほぼ同様の電気力線が形成されている。これにより、線状突起１０６、スリット１２０を境界とした配向分割が実現される。なお、図３７乃至図４０では、セルギャップを保持する球状スペーサ１２２の表示は省略している。

図４１は、図３５のＺ−Ｚ線で切断した液晶表示装置のドレインバスライン近傍の断面図である。図４１に示すように、ＴＦＴ基板１０８は、ガラス基板１１２上の全面に絶縁膜１２４を有している。絶縁膜１２４上にはドレインバスライン１２６が形成されている。ドレインバスライン１２６上には保護膜１２８が全面に形成されている。保護膜１２８上には画素毎に画素電極１１４が形成されている。対向して配置される共通電極基板１１０上には、ＴＦＴ基板１０８上で画素電極１１４が形成されていない領域（画素領域端部）を遮光するようにＢＭ１０２が形成されている。

ところで、従来のＭＶＡ方式の液晶表示装置は、パネル透過率が低いために表示が暗くなるという欠点を有している。パネル透過率の低さには様々な要因があるが、ＴＦＴ基板１０８と共通電極基板１１０との貼り合わせずれによる開口率の低下や、配向規制用構造物（線状突起１０４、１０６あるいはスリット１２０）による開口率の低下、球状スペーサ１２２近傍での液晶の配向の乱れ等が挙げられる。

ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、視角特性が大きく改善されており、輝度の高さが比較的重要でないパソコンのモニタ等には優れている。しかし、輝度の高さが重要なＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）再生装置の表示部やテレビとして用いるには、バックライトを明るくしたり、光の射出方向を揃えて特定方向の輝度を向上させる特殊なシートを用いたりする必要がある。このため、製造コストが増加するという問題が生じている。

また、配向規制用構造物としての線状突起や絶縁層等を形成することにより、通常の基板製造工程よりも製造工程が増加するため、製造コストが増加するという問題が生じている。

本発明の目的は、輝度が高く表示特性の良好な表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記目的は、対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極と、前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された配向規制用構造物とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。

また、上記目的は、第１の基板と、互いに交差して前記第１の基板上に形成された複数のバスラインと、前記バスラインで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極とを備えた薄膜トランジスタ基板と、前記第１の基板と異なる厚さ又は材質を有する第２の基板と、前記第２の基板上に形成された共通電極とを備え、前記第１の基板に対向して配置された共通電極基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間に封止された液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。

さらに、上記目的は、対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極と、前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極上及び前記ドレインバスライン上を覆うように形成された樹脂層とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。

本発明によれば、輝度が高く表示特性の良好な液晶表示装置が得られる。

本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第１の基本構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第１の基本構成の変形例を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第２の基本構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の第３の基本構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の第３の基本構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。 本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置の構成を示す工程断面図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の構成を示す図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第３の実施の形態の実施例３−２による液晶表示装置の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置の構成の変形例を示す断面図である。

〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図２２及び図４２を用いて説明する。まず、本実施の形態の第１の基本構成について図１及び図２を用いて説明する。図１は、ＴＦＴ基板８上のＲ、Ｇ、Ｂの３画素を示している。図１に示すように、各画素は図中左右方向に延びるゲートバスライン２５と、図中上下方向に延びるドレインバスライン２６とで画定されている。各バスライン２５、２６の交差位置近傍にはＴＦＴ（不図示）が形成されている。また、その上部にはＴＦＴに入射する光を遮光するために、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂのうち少なくともいずれか２層を重ねた樹脂重ね部３２が形成されている。本実施の形態による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板８に対向して配置される共通電極基板上にはＢＭが形成されず、基板ＴＦＴ基板８に形成された各バスライン２５、２６及び樹脂重ね部３２がＢＭの機能を奏するようになっている。なお、図１に示す樹脂重ね層３２に代えて、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか１層だけをＴＦＴ上に形成しても遮光は可能である。

図２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第１の基本構成を示す図であり、図１のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の断面を示している。図２に示すように、ＴＦＴ基板８は、透明なガラス基板１２上のほぼ全面に絶縁膜２４を有している。絶縁膜２４上には、ドレインバスライン２６が形成されている。ドレインバスライン２６上には樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ（図２ではＧ、Ｂのみ示す）が形成されている（ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造）。樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には画素毎に画素電極１４が形成されている。一方、ＴＦＴ基板８に対向して配置されている共通電極基板１０は、ガラス基板１２上の全面に共通電極１８を有している。共通電極基板１０上にＢＭは形成されていない。画素電極１４及び共通電極１８上の全面には、垂直配向膜（図示せず）が形成されている。ＴＦＴ基板８と共通電極基板１０との間には、液晶層ＬＣが封止されている。

ところで、図４１に示した従来の液晶表示装置では、画素電極１１４をドレインバスライン１２６上にまで張り出して形成すると、画素電極１１４とドレインバスライン１２６との間に保護膜１２８を誘電体として挟む容量が構成される。したがって、画素電極１１４とドレインバスライン１２６との間には、基板面に沿う方向で所定の間隔を設けることが必要である。

それに対し、図２に示す本実施の形態による液晶表示装置では、画素電極１１４とドレインバスライン１２６との間に樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂはスピンコート法等を用いて塗布形成されるため、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて成膜される保護膜１２８と比較して、容易に厚く形成することができる。従って、ドレインバスライン２６と画素電極１４との間に生じる静電容量を低減できる。このため、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン２６上に画素電極１４を重ねて形成することができるため、共通電極基板１０上にＢＭを形成する必要がなく、開口率が向上する。また、ドレインバスライン２６がＢＭとして機能し、共通電極基板１０上にＢＭを配置する必要がないため、製造工程が減少する。また、ＴＦＴ基板８と共通電極基板１０との間の貼合わせずれによる開口率の低下が生じない。

図２に示すＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造は、画素電極１４端部がドレインバスライン２６に重なるように形成しないと黒表示の際に光漏れが生じてしまうＴＮモードでノーマリホワイトモードの液晶表示装置に適している。ところが、画素電極１４とドレインバスライン２６との重なり領域に形成される容量を小さくするには樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ（有機絶縁膜）をかなり厚く形成しなければならない。このためＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造は、対向基
板側に樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成する場合より製造プロセスが煩雑になってしまうという問題が生じる。また、ドレインバスライン２６による遮光（バスライン遮光）を確実にするには樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ端部をドレインバスライン２６上に正確に位置合わせして形成する必要がある。従って、ドレインバスラインの線幅が微細化すると樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成に通常用いられるプロキシミティ（近接）露光装置では充分な位置合わせができないおそれが生じる。一方、位置合わせ精度に優れたステッパやミラープロジェクション方式のアライナ等を用いたのではＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の製造コストが増加してしまう。

図３は、図２に示す第１の基本構成の変形例を示している。図３に示すように、画素電極１４は、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン２６に重ならいように、画素電極１４端部とドレインバスライン２６端部との間で基板面方向に所定の間隙を有して形成されている。また、樹脂ＣＦ層Ｇ端部はドレインバスライン２６上に形成されているが、樹脂ＣＦ層Ｂ端部はパターニングずれによりドレインバスライン２６上から外れて形成されている。ところが、例えばＭＶＡ方式であって電圧無印加時に黒を表示するノーマリブラックモードの液晶表示装置の場合には、画素電極１４が所定の間隙でドレインバスライン２６に重ならないように形成されていても、当該間隙領域は電圧無印加時に黒となるので光漏れの問題は生じない。また、画素電極１４とドレインバスライン２６との重なり領域を形成しないので容量が構成されず、従って、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂの膜厚を任意の薄さにすることができるようになる。また、図３に示すように樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ端部がドレインバスライン２６上から外れて形成されても、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ端部が画素電極１４端部よりドレインバスライン２６側にある限り光漏れは生じない。このため、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂのパターニング時の位置合わせマージンを大きくすることができ、通常のプロキシミティ露光装置を用いて低コストでＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造を得ることができるようになる。

図４は、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の第２の基本構成を示しており、図１のＢ−Ｂ線で切断した液晶表示装置の断面を示している。図４に示すように、液晶表示装置は、画素電極１４上に形成された配向規制用構造物の線状突起２８を有している。また、ゲートバスライン２５とドレインバスライン２６との交差位置近傍では、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｂ、Ｇがこの順に積層され、ＢＭとして機能する樹脂重ね部３２が形成されている。樹脂重ね部３２上には、配向規制用構造物としての機能を有さない突起２９が形成されている。突起２９は、線状突起２８と同一の形成材料で同時に形成されている。ＴＦＴ基板８を構成する各樹脂層の樹脂重ね部３２及び突起２９が積層されて、対向して配置される共通電極基板１０との間のセルギャップを保持する柱状スペーサ３０が形成されている。

本実施の形態の第２の基本構成では、ＴＦＴ基板８を構成する樹脂ＣＦ層等を積層させて柱状スペーサを形成している。こうすることにより、製造工程が減少するため製造コストを低減できる。また球状等の散布式スペーサの近傍で発生する光漏れや配向の乱れを低減できるため、良好な表示特性が得られる。

図５は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の第３の基本構成を示している。共通電極基板１０の額縁領域４０には、表示領域３８端部を遮光する額縁パターン３４が形成されている。また、額縁領域４０の外側には、対向するＴＦＴ基板８（図５及び図６では図示せず）と貼り合わせる際に用いられる例えば十字形状の位置合わせ用マークが形成されている。

図６（ａ）は、図５に示す共通電極基板１０の領域αを拡大して示している。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＣ−Ｃ線で切断した共通電極基板１０の断面を示している。図
６（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板１２上の表示領域３８及び表示領域３８端部の額縁領域４０には、共通電極１８が形成されている。表示領域３８の共通電極１８上には、表示領域３８端部に対して斜めに線状突起２８が例えば黒色レジスト（黒色樹脂）等で形成されている。額縁領域４０の共通電極１８上には、表示領域３８端部を遮光するための額縁パターン３４が、線状突起２８と同一の形成材料で同時に形成されている。また、額縁領域４０の図中左側には、位置合わせ用マーク３６が線状突起２８と同一の形成材料で同時に形成されている。

本実施の形態の第３の基本構成によれば、額縁パターン３４や位置合わせ用マーク３６を配向規制用構造物と同一の形成材料で同時に形成するため、共通電極基板１０の製造工程が減少し、製造コストを低減できる。

以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について実施例１−１乃至１−３を用いてより具体的に説明する。
（実施例１−１）
まず、実施例１−１による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図７乃至図１６を用いて説明する。図７は、図１に示すＴＦＴ基板８と共通電極基板１０とを貼り合わせた状態を示す概念図であり、Ｒ、Ｇ、Ｂの３画素について示している。また、本実施例による液晶表示装置は例えばＭＶＡ方式の液晶表示装置であり、図７には配向規制用構造物の配置も示している。共通電極基板１０上には、画素領域端部に対して斜めに線状突起２８が形成されている。また、ＴＦＴ基板８上には、スリット２０と、スリット２０の延伸方向にほぼ直交してスリット２０から延出する微細スリット２１とが画素領域端部に対して斜めに形成されている。微細スリット２１は、スリット２０と線状突起２８との間隔に比較して狭い間隔で複数形成されている。負の誘電率異方性を有する液晶分子は、配向規制用構造物が比較的狭い間隔で形成されていると、配向規制用構造物の延伸方向に平行になるように配列する。このため、スリット２０と直交する微細スリット２１を形成することにより、液晶分子はより強く配向規制される。

図８は、図７のＤ−Ｄ線で切断した液晶表示装置の断面を示している。図８に示すように、ＴＦＴ基板８は、ガラス基板１２上の全面に絶縁膜２４を有している。絶縁膜２４上には、ドレインバスライン２６が形成されている。ドレインバスライン２６上には樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｂ、Ｇ（図８ではＧ、Ｂのみ示す）が形成されている。樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｂ、Ｇ上には、画素電極１４と、画素電極１４を一部除去したスリット２０とが形成されている。なお、図８では微細スリット２１の図示は省略している。一方、共通電極基板１０は、ガラス基板１２上の全面に共通電極１８を有している。共通電極１８上には線状突起２８が形成されている。画素電極１４、共通電極１８及び線状突起２８上には、垂直配向膜（図示せず）が形成されている。ＴＦＴ基板８と共通電極基板１０との間には、負の誘電率異方性を有する液晶ＬＣが封止されている。

図９は、本実施例によるＴＦＴ基板８のＴＦＴ近傍の構成を示している。図９に示すように、ＴＦＴ基板８は、ガラス基板１２上に、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン２５（図９では１本のみ示している）と、ゲートバスライン２５に交差して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン２６（図９では３本示している）とを有している。両バスライン２５、２６の交差位置近傍には、ＴＦＴ４２が形成されている。ＴＦＴ４２は、ドレインバスライン２６から分岐したドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に所定の間隙で対向して配置されたソース電極４６と、ゲートバスライン２５のうちドレイン電極４４及びソース電極４６とオーバーラップする部分（ゲート電極）とを有している。ゲート電極上には動作半導体層５２とその上層のチャネル保護膜４８とが形成されている。ゲートバスライン２５とドレインバスライン２６とは画素領域を画定しており、各画素領域には樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。また、各画素領域には画素電極１４が
形成されている。画素電極１４の図中左右端は、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン２６端部に重なるように形成されている。なお、図９では、スリットの図示は省略している。

また、図１０（ａ）は図９のＥ−Ｅ線で切断したＴＦＴ基板８の断面を示しており、図１０（ｂ）は図９のＦ−Ｆ線で切断したＴＦＴ基板８の断面を示している。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ４２及びドレインバスライン２６上には、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には画素電極１４が形成されている。画素電極１４端部は、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン２６端部に重なるように形成されている。

次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図１１乃至図１６を用いて説明する。図１１乃至図１６は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。図１１乃至図１６において、（ａ）は図９に示すＥ−Ｅ線で切断したＴＦＴ基板８の断面を示しており、（ｂ）は図９に示すＦ−Ｆ線で切断したＴＦＴ基板８の断面を示している。まず、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板１２上の全面に、例えば膜厚１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層と膜厚５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）層とをこの順に成膜してパターニングし、ゲートバスライン２５を形成する。パターニングは、被パターニング層上に所定のレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて被パターニング層をエッチングして、レジストパターンを剥離するフォトリソグラフィ法を用いて行われる。

次に、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば膜厚３５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、膜厚３０ｎｍのａ−Ｓｉ層５２’及び膜厚１２０ｎｍのＳｉＮ膜を連続成膜する。次に、背面露光によるパターニングにより、エッチングストッパとなるチャネル保護膜４８を自己整合的に形成する。次に、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、例えば膜厚３０ｎｍのｎ⁺ａ−Ｓｉ層、膜厚２０ｎｍのＴｉ層、膜厚７５ｎｍのＡｌ層及び膜厚４
０ｎｍのＴｉ層を成膜し、チャネル保護膜４８をエッチングストッパとして用いてパターニングし、ドレイン電極４４、ソース電極４６及びドレインバスライン２６を形成する。以上の工程でＴＦＴ４２が完成する。

次に、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、感光性顔料分散タイプのＲレジストを例えば膜厚３．０μｍに塗布してパターニングする。その後、ポストベークして、ソース電極４６上で開口されたコンタクトホール５０を有する樹脂ＣＦ層Ｒを所定の画素領域に形成する。

次に、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、感光性顔料分散タイプのＢレジストを例えば膜厚３．０μｍに塗布してパターニングする。その後、ポストベークして、樹脂ＣＦ層Ｂを所定の画素領域に形成する。同様に、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、樹脂ＣＦ層Ｇを所定の画素領域に形成する。次に、例えば膜厚７０ｎｍのＩＴＯを全面に成膜してパターニングし、図中左右端が、基板面に垂直方向に見て、ドレインバスライン２６端部に重なるような画素電極１４を形成する。以上の工程を経て、図９及び図１０（ａ）、（ｂ）に示したＴＦＴ基板８が完成する。

なお、本実施例では、ドレイン電極４４、ソース電極４６及びドレインバスライン２６等のソース／ドレイン形成層上に直接、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成したが、ソース／ドレイン形成層上に保護膜を形成し、当該保護膜上に樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成してもよい。また、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上に保護膜を形成し、当該保護膜上に画素電極１４を形成してもよい。ＴＦＴ４２や樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ等の形成材料や製造工程は上記以外でももちろんよい。

また、本実施例では、配向規制用構造物として、ＴＦＴ基板８上にスリット２０及び微細スリット２１を形成し、共通電極基板１０上に線状突起２８を形成したが、他の組み合わせを用いてもよい。本実施例によれば、上記第１の基本構成と同様の効果を得ることができる。

（実施例１−２）
次に、実施例１−２による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図１７、図１８及び図４２を用いて説明する。図１７は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図８と同一の断面を示している。図１７に示すように、本実施例による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板８のスリット２０上に形成され、中間調での液晶分子の応答特性を改善させる配向規制用構造物となる誘電体層５６を有している。誘電体層５６は、フォトレジスト等で形成されている。

図１８は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図４と同一の断面を示している。図１８に示すように、本実施例による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板８のゲートバスライン２５とドレインバスライン２６との交差位置近傍では、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｂ、Ｇがこの順に積層されている。また、共通電極基板１０の共通電極１８上には、配向規制用構造物としての機能を有さない突起２９が形成されている。ＴＦＴ基板８上のゲートバスライン２５、絶縁膜２４、ドレインバスライン２６及び樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂと、共通電極基板１０上の突起２９とで、セルギャップを保持する柱状スペーサ３０を構成している。

なお、柱状スペーサ３０は、上記の構成に限らず他の層で構成されていてもよい。例えば、樹脂ＣＦ層Ｂ上に誘電体層５６と同一の形成材料で同時に形成された樹脂層を用いてもよい。そのときは、共通電極基板１０側の突起２９は形成されなくてもよい。また、ＴＦＴ４２や樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ等の形成材料や製造工程は上記以外でももちろんよい。ＴＦＴ基板８、共通電極基板１０にそれぞれ形成される配向規制用構造物は、他の組み合わせでもよい。本実施例によれば、上記第２の基本構成と同様の効果を得ることができる。

図４２は、本実施例による液晶表示装置の構成の変形例を示す断面図であり、図４と同一の断面を示している。図４２に示すように、本変形例の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板８のゲートバスライン２５とドレインバスライン２６との交差位置近傍において、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｂ、Ｇの積層だけで柱状スペーサ３０を構成している。このように、共通電極基板１０の突起２９やＴＦＴ基板８側の誘電体層５６を用いずに柱状スペーサ３０を形成するようにしてもよい。

この構成は、突起とは別の配向規制用構造物が形成されたＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造のＭＶＡ−ＬＣＤに好適である。例えば、ＴＮモードのＬＣＤにおいては通常、樹脂ＣＦ層等の積層構造で柱状スペーサを形成するには、樹脂ＣＦ層を重ね合わせる際の重ね合わせ精度やパネル貼り合わせ精度、あるいは十分な層高さを得るために要する設置面積について配慮すると、柱状スペーサのための樹脂ＣＦ層の断面積を大きくせざるを得ず、開口率が低下してしまうという問題が生じる。
一方、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造で樹脂ＣＦ層を重ねて柱状スペーサを形成すると、パネル貼り合わせ精度を考慮しなくて済むようになる。但し、柱状スペーサ近傍の液晶配向不良に対する遮光が必要であり、この遮光のために開口率が低下したり、ＢＭが必要になってしまう。
これに対して、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造のＭＶＡ−ＬＣＤはノーマリブラックモードであり、樹脂ＣＦ層を重ねて柱状スペーサを形成すると、画素電極が存在しない部分は常時
黒表示となるためＢＭを形成する必要がなく、開口率低下を抑えることが可能となる。また、パネル貼り合わせ精度や柱状スペーサ近傍の液晶配向不良を考慮する必要がないため、開口率の低下を抑えながら柱状スペーサを形成することが可能となる。

（実施例１−３）
次に、実施例１−３による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図１９乃至図２２を用いて説明する。図１９は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示しており、図６（ａ）に対応している。また、図２０は、図１９のＧ−Ｇ線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示しており、図６（ｂ）に対応している。図１９及び図２０に示すように、共通電極基板１０の表示領域３８及び額縁領域４０のガラス基板１２上には、共通電極１８が形成されている。表示領域３８の共通電極１８上には、表示領域３８端部に対して斜めに線状突起２８が形成されている。線状突起２８は、下層が遮光用の金属のクロム（Ｃｒ）で形成され、上層がＣｒのパターニングに用いるレジスト層で形成されている。額縁領域４０には、表示領域３８端部を遮光するための額縁パターン３４が形成されている。また、額縁領域４０の図中左側には、対向するＴＦＴ基板８（図１９及び図２０では図示せず）と貼り合わせる際に用いられる十字形状の位置合わせ用マーク３６がガラス基板１０上に形成されている。額縁パターン３４及び位置合わせ用マーク３６は、線状突起２８と同一の形成材料で同時に形成されている。

次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図２１及び図２２を用いて説明する。まず、図２１に示すように、ガラス基板１２上に、例えば膜厚１００ｎｍのＩＴＯを全面に成膜してパターニングし、共通電極１８を形成する。次に、図２２に示すように、例えば膜厚１００ｎｍのＣｒ膜を全面に成膜する。次に、レジストを全面に塗布して露光、現像し、所定のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして用いてＣｒをエッチングし、線状突起２８下層、額縁パターン３４及び位置合わせ用マーク３６を形成する。次に、レジストパターンをポストベークにより硬化させて線状突起２８上層を形成する。以上の工程を経て、本実施例による共通電極基板１０が完成する。

なお、本実施例では額縁領域４０を遮光し、あるいは位置合わせ用マーク３６を視認するためにＣｒ等の遮光可能な金属層を用い、線状突起２８を形成するためにレジストを用いているが、図５及び図６に示したように、遮光膜を形成する黒色レジストをレジスト層に用いるようにすれば遮光用の金属層が不要になる。ＭＶＡ方式の液晶表示装置はノーマリブラックモードであり、黒色レジストのＯＤ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）値は２．０程度で十分である。
以上のように、本実施の形態によれば、輝度が高く表示特性の良好な液晶表示装置を得ることができる。

〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図２３及び図２４を用いて説明する。
カラー液晶表示装置は、モニタ、ノートＰＣやＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等のディスプレイに用いられており、近年更なる軽量化が望まれている。一般に、液晶表示装置は、ガラス基板が他の部材と比較して大きな重量比を有している。例えば厚さ（板厚）０．７ｍｍのガラス基板では、液晶表示装置の約４０％の重量を有している。このため、ガラス基板を軽量化することは、一般に液晶表示装置の軽量化に対する効果が大きい。

ガラスを軽量化する一つの手段として、厚さを薄くする方法がある。しかし、薄いガラス基板上への高精度なパターニングによるＴＦＴやＣＦ等の形成は困難であり、またパタ
ーニングの精度に限界があるという問題が生じている。また、ＴＦＴ基板と、対向して配置される共通電極基板とで異なる特性のガラス基板を用いると、熱等による基板の変形が生じるため、貼り合わせが困難であるという問題が生じている。液晶表示パネルが完成した後に両基板の外側を研磨して厚さを薄くする方法もあるが製造コストが増加するという問題が生じている。

基板を軽量化する他の方法として、ガラス基板に代えてプラスチック基板を用いる方法がある。しかし、薄いガラス基板同様に高精度なパターニングを要するＴＦＴやＣＦ等の形成は困難であるという問題が生じている。また、基板が柔軟であるため、使用する目的により指押し等に対する耐加圧性が不十分な場合があるという問題が生じている。本実施の形態の目的は、高い信頼性を有し軽量な液晶表示装置を提供することにある。

これらの問題に対し、本実施の形態では、一方の基板上にＴＦＴとＣＦとを形成している。こうすることにより他方の基板は高精度なパターニングが必要でなくなるため、薄いガラス基板やプラスチック基板等を自由に選択することができる。また、本実施の形態では、予め基板上にセルギャップを保持する柱状スペーサを形成している。こうすることにより、安定したセルギャップが得られ、耐加圧性が向上する。

以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例２−１及び２−２を用いてより具体的に説明する。
（実施例２−１）
まず、実施例２−１による液晶表示装置について説明する。本実施例による液晶表示装置のＴＦＴ基板８は、図９及び図１０に示した第１の実施の形態によるＴＦＴ基板８の構成と同様である。

図２３は、図１０（ａ）に対応しており、本実施例による液晶表示装置の断面を示している。図２３に示すように、本実施例による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板８とＴＦＴ基板８より薄い共通電極基板１０とが所定のセルギャップを介して貼り合わされて形成されている。共通電極基板１０は、ＴＦＴ基板８のガラス基板１２より薄いガラス基板１２’上に共通電極１８が形成されている。

ここで、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。なお、ＴＦＴ基板８の製造方法は図１１乃至図１６に示した第１の実施の形態と同様であるので図示及びその説明を省略する。共通電極基板１０は、図２３に示すように、ＴＦＴ基板８側のガラス基板１２と同一の材質でガラス基板１２より薄い例えば厚さ０．２ｍｍの無アルカリガラスを用いたガラス基板１２’を用いる。ガラス基板１２’の全面に、例えば膜厚１００ｎｍのＩＴＯを成膜してパターニングし、共通電極１８を形成する。以上の工程を経て共通電極基板１０が完成する。

この後、両基板８、１０の対向面に配向膜を形成してラビングする。次に、シール材を塗布し、スペーサを散布する。次に、両基板８、１０を貼り合わせてパネル毎に分断する。次に、液晶注入口から液晶を注入して封止し、偏光板を貼付ける。以上の工程を経て本実施例による液晶表示装置が完成する。

本実施例では、ガラス基板１２’として、厚さ０．２ｍｍの無アルカリガラスを用いたが、ガラス基板１２と比重の異なるガラスを使用してもよい。より製造コストを低減させるために、アルカリ成分を含むソーダライムガラスを用いてもよい。ガラスが含むアルカリ成分は、例えば１％以上とする。ただし、動作半導体層５２が露出されたチャネルエッチ型等のＴＦＴ４２を有する液晶表示装置にアルカリ成分を含むガラスが用いられる際には、ＴＦＴ４２のアルカリ汚染が懸念されるため、保護膜等でＴＦＴ４２を保護すること
が望ましい。なお、チャネル保護膜型のＴＦＴ４２を有する液晶表示装置にアルカリ成分を含むガラスが用いられる際には問題がない。

本実施例では、ＴＦＴ基板８上に樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成することにより、共通電極基板１０に重量の軽いガラス製やプラスチック製の基板を用いている。このため、軽量で信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、厚い基板を表示画面側に配置するようにすれば、指押し等に対する耐加圧性を向上させることができる。

（実施例２−２）
次に、実施例２−２による液晶表示装置について図２４を用いて説明する。図２４は、本実施例による液晶表示装置の構成を示す断面図である。図２４に示すように、本実施例による液晶表示装置は、実施例２−１による液晶表示装置と同様に、共通電極基板１０は、ＴＦＴ基板８のガラス基板１２より薄いガラス基板１２’を有している。

ＴＦＴ基板８上には、樹脂ＣＦ層Ｂ、Ｇ、Ｒをこの順に積層し、さらにその上に感光性アクリル樹脂による樹脂層６０を積層して、セルギャップを保持する柱状スペーサ３０が形成されている。なお、柱状スペーサ３０の層構成は他の構成でもよいし、積層の順も任意である。また、ＭＶＡ方式の液晶表示装置であれば、樹脂層６０は、配向規制用構造物の線状突起と同一の形成材料で同時に形成されていてもよい。

本実施例によれば、柱状スペーサ３０を用いているため、基板面に散布される球状スペーサ等のように配向規制用構造物上に乗り上げてセルギャップがばらついてしまうことがなく、安定したセルギャップが得られる。また、柱状スペーサ３０は基板面上に均一かつ高密度で配置されるために耐加圧性が向上する。このため、共通電極基板１０を表示画面側に配置しても、信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、ＴＦＴ基板８を表示画面側に配置する際は金属層による反射が大きくなるので、金属層の少なくともガラス基板１２側の面には低反射多層膜の金属を用いることが望ましい。

本実施の形態による効果について、従来の液晶表示装置と比較して具体的に説明する。表１は、従来の液晶表示装置を構成する２枚の基板Ａ１、Ｂ１について示している。一方の基板Ａ１には樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されており、他方の基板Ｂ１にはＴＦＴ４２が形成されている。基板Ａ１、Ｂ１の材質はＮＡ３５ガラスである。また、基板Ａ１、Ｂ１の厚さは０．７ｍｍであり、密度は２．５０ｇ／ｃｍ³である。

表２は、従来の他の液晶表示装置を構成する２枚の基板Ａ２、Ｂ２について示している。両基板Ａ２、Ｂ２は、基板Ａ１、Ｂ１と同様に、密度２．５０ｇ／ｃｍ³のＮＡ３５ガ
ラスが用いられている。両基板Ａ２、Ｂ２は、貼り合わされた後に研磨され、厚さがそれぞれ０．５ｍｍに薄くなっている。一方の基板Ａ２には樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成され
ており、他方の基板Ｂ２にはＴＦＴ４２が形成されている。また、表１に示した基板Ａ１、Ｂ１を貼り合わせた液晶表示パネルの重量を１としたときの重量比（以下、「パネルの重量比」という）は０．７１であり軽量化されているが、製造コストが増加するために高価となる。

表３は、本実施例による液晶表示装置を構成する２枚の基板Ａ３、Ｂ３について示している。基板Ｂ３は、基板Ｂ１と同様に、厚さ０．７ｍｍ、密度２．５０ｇ／ｃｍ³のＮＡ
３５ガラスが用いられている。また基板Ｂ３上にはＴＦＴ４２及び樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成される。一方、基板Ａ３は、厚さ０．２ｍｍ、密度２．４９ｇ／ｃｍ³のアルカリ
ガラスであるＡｓａｈｉＡＳガラスが用いられている。パネルの重量比は０．６４であり、表２に示すパネルよりも軽量化されている。基板Ａ３の材質は、基板Ｂ３よりも重量が軽いガラスであれば種類を問わない。

表４は、本実施の形態による他の液晶表示装置を構成する２枚の基板Ａ４、Ｂ４について示している。基板Ｂ４は、基板Ｂ１と同様に、厚さ０．７ｍｍ、密度２．５０ｇ／ｃｍ³のＮＡ３５ガラスが用いられている。また基板Ｂ４上にはＴＦＴ及びＣＦが形成される
。一方、基板Ａ４は、厚さ０．２ｍｍ、密度１．４０のポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）が用いられている。パネルの重量比は０．５８であり、表３に示すパネルよりもさらに軽量化されている。基板Ａ４の材質は、プラスチックであればＰＥＳに限られず、ポリカーボネート（ＰＣ）やポリアリレート（ＰＡＲ）等でもよい。

以上説明したように、本実施の形態では、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｂ、Ｇを画素電極１４下層に形成している。このため、共通電極基板１０は高精度なパターニングの必要がなく、ＴＦＴ基板８と貼り合わせる際も正確な位置合わせの必要がない。したがって、共通電極基板１０として、厚さの薄いガラス基板やプラスチック基板等を用いることができるため、軽量で信頼性の高い液晶表示装置を実現できる。また、ＴＦＴ基板８と共通電極基板１０とを貼り合わせた後に、両基板を研磨して厚さを薄くする必要がないため製造工程が増加せず、製造コストも増加しない。

〔第３の実施の形態〕
本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図２５乃至図３４を用いて説明する。
第１の実施の形態のように、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、ＢをＴＦＴ基板８上に形成する構造（ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造）を有する液晶表示装置用基板は、画素電極１４の下層に樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成するため、開口率を向上させることができる。このため、パネル透過率が向上し、液晶表示装置の輝度を向上させることができる。

しかしながら、第１の実施の形態のようなＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造を有する液晶表示装置用基板では、ＴＦＴ４２を形成した段階で最上層であるソース／ドレイン金属層上（トップゲート構造ではゲート金属層も含まれる場合がある。以下、これらを含めてソース／ドレイン金属層と略称する）が保護膜（パッシベーション膜）により覆われていないと、上層に形成される樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂをパターニングする際のＣＦ現像液によりソース／ドレイン金属層が侵食され、当該金属層で形成されたバスラインの抵抗値が増加したりバスラインが断線したりするという問題が生じる。また、ソース／ドレイン電極４４、４６が侵食されて後退し、剥き出しになった動作半導体層５２がＣＦ現像液と接触することにより汚染されるという問題が生じている。一方、ソース／ドレイン金属層上に、ＣＶＤ装置により成膜される保護膜を形成すると製造工程が増加するという問題が生じる。本実施の形態の目的は、安価で信頼性の高い表示装置が得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

これらの問題に対し、本実施の形態では、最初に形成する樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ、又は樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂの下層に形成するＢＭ樹脂若しくは柱状スペーサ３０を構成する樹脂でソース／ドレイン金属層を覆っている。

以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について実施例３−１及び３−２を用いてより具体的に説明する。
（実施例３−１）
まず、実施例３−１による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図２５乃至図３３を用いて説明する。図２５は、本実施例による液晶表
示装置用基板の構成（但し、ＣＦ層の表示は省略している）を示している。図２６（ａ）は図２５のＪ−Ｊ線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示しており、図２６（ｂ）は図２５のＫ−Ｋ線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示している。図２６に示すように、本実施例による液晶表示装置用基板は、画素領域端部に色の異なる樹脂ＣＦ層が２層積層されてＢＭが形成されている。樹脂ＣＦ層２層重ねによるＢＭは、全て樹脂ＣＦ層Ｒを下層に有している。樹脂ＣＦ層Ｒは、ドレインバスライン２６等のソース／ドレイン金属層を全て覆うように形成されている。画素電極１４には、画素領域端部に平行に延びるスリット２０と、スリット２０から斜めに延出した複数の微細スリット２１とが形成されている。また、本実施例による液晶表示装置用基板は、紫外線の照射により紫外線モノマーが硬化したポリマー構造の形成された液晶を有している。

次に、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図２７乃至図３３を用いて説明する。図２７乃至図３０は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。図３１乃至図３３は、本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。図３１乃至図３３において、（ａ）は図２６（ａ）と同一の断面を示しており、（ｂ）は図２６（ｂ）と同一の断面を示している。なお、ガラス基板１２上にＴＦＴ４２及びドレインバスライン２６を形成するまでの工程は、図１１乃至図１３に示した実施例１−１による液晶表示装置用基板の製造方法と同様であるので、図示及びその説明を省略する。

図１１乃至図１３に示した工程により、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン２５と、ゲートバスライン２５に交差して図中上下方向に延びるドレインバスライン２６とが形成されている（図２７参照）。ゲートバスライン２５とドレインバスライン２６との交差位置近傍にはＴＦＴ４２が形成されている。また、ゲートバスライン２５とドレインバスライン２６とで画素領域が画定されている。画素領域のほぼ中央を横切ってゲートバスライン２５にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン（補助容量電極）６２がゲートバスライン２５と同一層で形成されている。蓄積容量バスライン６２上には画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）６４がドレインバスライン２６と同一層で形成されている。

次に、感光性顔料分散タイプのＲレジストを例えば膜厚１．５μｍに塗布してパターニングする。その後ポストベークして、図２８及び図３１に示すように、Ｒを表示する画素領域、ＴＦＴ４２上、ゲートバスライン２５上、ドレインバスライン２６上及び蓄積容量バスライン６２上に第１の樹脂ＣＦ層Ｒを形成する。このとき、最上層の金属層のドレイン電極４４、ソース電極４６及びドレインバスライン２６を樹脂ＣＦ層Ｒで覆うようにする。

次に、Ｇレジストを例えば膜厚１．５μｍに塗布してパターニングする。その後ポストベークして、図２９及び図３２に示すように、Ｇを表示する画素領域及び当該画素領域の図中左方に隣接するドレインバスライン２６上に第２の樹脂ＣＦ層Ｇを形成する。このとき、当該画素領域のＴＦＴ４２、当該画素領域に隣接するゲートバスライン２５、当該画素領域内の蓄積容量バスライン６２及び当該画素領域の左方に隣接するドレインバスライン２６上には、樹脂ＣＦ層２層重ねによるＢＭが形成される。

次に、Ｂレジストを例えば膜厚１．５μｍに塗布してパターニングする。その後ポストベークして、図３０及び図３３に示すように、Ｂを表示する画素領域、当該画素領域の両側に隣接するドレインバスライン２６上及び当該画素領域の図中右方に隣接するＴＦＴ４２上に第３の樹脂ＣＦ層Ｂを形成する。このとき、当該画素領域の右方に隣接する画素領域のＴＦＴ４２、当該画素領域に隣接するゲートバスライン２５、当該画素領域内の蓄積容量バスライン６２及び当該画素領域の両側に隣接するドレインバスライン２６上には、樹脂ＣＦ層２層重ねによるＢＭが形成される。

その後、例えば膜厚７０ｎｍのＩＴＯを全面に成膜してパターニングし、各画素領域の画素電極１４とスリット２０と微細スリット２１とを形成し、図２５及び図２６に示す液晶表示装置用基板が完成する。

次に、例えばＩＴＯからなる共通電極が形成された共通電極基板と上記の液晶表示装置用基板とのそれぞれの対向面に垂直配向膜を塗布する。次に、一方の基板に例えば球状スペーサを散布し、他方の基板の周囲にシール材を塗布する。続いて、両基板を貼り合わせ、両基板間に液晶を注入する。液晶は、例えば負の誘電率異方性をもつネガ型液晶に、紫外線硬化型モノマーを０．２ｗ％添加したものを用いる。次に、ドレインバスライン２６に例えば直流（ＤＣ）１０Ｖの階調電圧を印加し、共通電極に例えばＤＣ５Ｖのコモン電圧を印加する。続いて、ゲートバスライン２５に例えばＤＣ３０Ｖのゲート電圧を印加し、液晶表示パネル内の液晶を傾かせた状態で、対向基板側より例えば波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線を２０００ｍＪ照射する。これにより、紫外線硬化型モノマーが硬化してポリマー構造が液晶表示パネル内の液晶に形成され、図２５に示すように、電圧無印加状態における液晶分子（図中円柱で示す）に４方向の傾きが生じる。本実施例では、液晶分子のプレチルト角は８６°である。この後、両基板の偏光板を貼付して本実施例による液晶表示装置が完成する。

（実施例３−２）
次に、実施例３−２による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図３４を用いて説明する。図３４は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。実施例３−１による液晶表示装置用基板はチャネル保護膜型のＴＦＴ４２を有しているが、本実施例による液晶表示装置用基板は、図３４に示すように、チャネルエッチ型のＴＦＴ６６を有している。

次に、本実施例による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について説明する。まず、ガラス基板１２上の全面に、例えば膜厚１００ｎｍのＡｌ層と膜厚５０ｎｍのＴｉ層とをこの順に成膜してパターニングし、ゲートバスライン２５及び蓄積容量バスラインを形成する。次に、例えば膜厚３５０ｎｍのＳｉＮ膜、膜厚１２０ｎｍのａ−Ｓｉ層及び膜厚３０ｎｍのｎ⁺ａ−Ｓｉ層を連続成膜する。次に、ｎ⁺ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層を島状にパターニングして動作半導体層５２’とその上層のｎ型半導体層（図示せず）を形成する。次に、例えば膜厚５０ｎｍのＭｏＮ、膜厚１５０ｎｍのＡｌ、膜厚７０ｎｍのＭｏＮ及び膜厚１０ｎｍのＭｏを連続成膜してパターニングし、素子分離によりソース電極４６、ドレイン電極４４及び蓄積容量電極を形成する。以上の工程でチャネルエッチ型のＴＦＴ６６が完成する。以降の工程は、図２７乃至図３３で示した実施例３−１による液晶表示装置の製造方法と同様であるので、図示及びその説明を省略する。

次に、他の例による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図示は省略するが、図３４に示す構成と同一の機能作用を奏する構成には同一の符号を付して説明する。本例による液晶表示装置用基板は、トップゲート型のＴＦＴ４２を有している。まず、ガラス基板１２上に、例えば膜厚２０ｎｍのＴｉ層、膜厚７５ｎｍのＡｌ層、膜厚４０ｎｍのＴｉ層及び膜厚３０ｎｍのｎ⁺ａ−Ｓｉ層を成膜してパターニングし、ドレイン電極４
４及びソース電極４６を形成する。次に、例えば膜厚３０ｎｍのａ−Ｓｉ層、膜厚３５０ｎｍのＳｉＮ膜及び膜厚１００ｎｍのＡｌ層を成膜してパターニングし、動作半導体層５２’、絶縁膜２４及びゲートバスライン２５を一括して形成する。動作半導体層５２’、絶縁膜２４及びゲートバスライン２５は一括して形成せずに順次形成してもよい。以上の工程でトップゲート型のＴＦＴ４２が完成する。なお、本例では、蓄積容量バスライン６２及び蓄積容量電極６４を形成していないが、形成してももちろんよい。以降の工程は、
図２７乃至図３３で示した実施例３−１による液晶表示装置の製造方法とほぼ同様であるのでその説明を省略する。なお、本例では最上層の金属層はゲート金属層であるので、最初に形成する樹脂ＣＦ層でゲート金属層を覆うようにする。

また、さらに他の例による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図示は省略するが、図３４に示す構成と同一の機能作用を奏する構成には同一の符号を付して説明する。本例による液晶表示装置用基板は、動作半導体層５２にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴを有している。まず、ガラス基板１２上に、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＮ膜、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ₂膜及び膜厚４０ｎｍのａ−Ｓｉ層を成膜し、アニール炉で
熱処理して水素抜きを行う。次に、ａ−Ｓｉ層に所定のレーザを照射して結晶化させ、パターニングしてｐ−Ｓｉ層を形成する。次に、例えば膜厚１１０ｎｍのＳｉＯ₂膜及び膜
厚３００ｎｍのＡｌＮｄを成膜してパターニングし、絶縁膜（ゲート絶縁膜）２４とゲートバスライン２５とを形成する。

次に、リン（Ｐ）をｐ−Ｓｉ層にイオンドーピングしてＮ型の領域を選択的に形成し、続いてボロン（Ｂ）をｐ−Ｓｉ層にイオンドーピングしてＰ型の領域を選択的に形成する。次に、例えば膜厚６０ｎｍのＳｉＯ₂膜及び膜厚３７０ｎｍのＳｉＮ膜を成膜し、層間
絶縁膜を形成する。続いて、高濃度不純物領域上の層間絶縁膜を開口し、コンタクトホールを形成する。次に、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉ層、膜厚２００ｎｍのＡｌ層及び膜厚１００ｎｍのＴｉ層を成膜してパターニングし、ドレイン電極４４及びソース電極４６を形成する。以上の工程で、動作半導体層にｐ−Ｓｉを用いたＴＦＴ７０が完成する。なお、本実施例では蓄積容量バスライン及び蓄積容量電極を形成していないが、蓄積容量バスラインをゲートバスラインと同一の形成材料で同時に形成し、蓄積容量電極をソース／ドレイン電極と同一の形成材料で同時に形成してももちろんよい。

上記実施例では、最初に形成する樹脂ＣＦ層により最上層の金属層を覆っているが、樹脂ＣＦ層形成前にＢＭ用の樹脂又は柱状スペーサの一部となる樹脂により最上層の金属層を覆うようにしてもよい。また、上記実施例では、ＴＦＴ４２及び各バスライン２５、２６、６２上に第１及び第２の樹脂ＣＦ層又は第１及び第３の樹脂ＣＦ層を２層積層してＢＭを形成しているが、樹脂ＣＦ層を３層全て積層してＢＭを形成してもよいし、他の工程でＢＭを形成すれば樹脂ＣＦ層を積層しなくてもよい。

さらに、上記実施例では、ポリマーを用いたプレチルト角付与技術を用いた液晶表示装置を例に挙げているため画素電極１４上にスリット２０及び微細スリット２１が形成されているが、他の配向規制用構造物が形成されていてもよい。また、上記実施例では、最上層の金属層の全体を樹脂ＣＦ層で覆っているが、最上層の金属層のエッジ部のみを覆うようにしてもよい。また、液晶表示装置用基板は、ゲートバスライン２５と同一の形成材料の蓄積容量バスライン６２やソース／ドレイン電極４４、４６と同一の形成材料の蓄積容量電極６４を有さない構造でももちろんよい。

以上説明したように、本実施の形態では、ソース／ドレイン金属層（トップゲート構造ではゲート金属層）を最初に形成する樹脂ＣＦ層で覆うように形成している。このため、樹脂ＣＦ層のパターニングの際にＣＦ現像液によりソース／ドレイン金属層が侵食されることはない。したがって、バスラインの抵抗値が増加したりバスラインが断線したりすることがなく、製造歩留りが向上する。また、動作半導体層５２が汚染されることもない。また、ソース／ドレイン金属層上に保護膜を形成する必要がないので製造工程も増加しない。

本実施の形態による液晶表示装置は、保持率の低下による輝度の低下やむら、パターン焼付きが生じない。また、ＴＦＴ４２上層に形成される樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが、ポリマ
ー構造を形成する際に照射される紫外線を吸収するため、ＴＦＴ４２の特性異常によるクロストークやフリッカ等の表示不良が生じない。

また、本実施の形態による液晶表示装置は、液晶分子が４方向へ配向分割されていることにより広い視野角が得られ、垂直配向により高いコントラストが得られる。さらに、ポリマー構造により液晶分子の傾く方向が規定されていることにより高速の応答特性が実現できる。

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ直上に画素電極１４を形成しているが、本発明はこれに限らず、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上に有機材料又は無機材料からなる保護膜を形成し、保護膜上に画素電極１４を形成してもよい。保護膜を形成することにより、樹脂ＣＦ材料による液晶の汚染を防止したり、画素電極１４の段差を小さくして断線を防止したりすることが可能となる。また、樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成順序は任意であるし、ＴＦＴ４２や樹脂ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成材料や層構成、膜厚等も上記実施の形態に限られない。

また、上記実施の形態では、透過型の液晶表示装置について説明しているが、本発明はこれに限らず、反射型の液晶表示装置にも適用できる。また、上記実施の形態では、ＭＶＡ方式の液晶表示装置について説明しているが、本発明はこれに限らず、ＴＮモード等他の液晶表示装置にも適用できる。

以上説明した第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記画素領域毎に形成された画素電極と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された配向規制用構造物と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素領域端部を遮光する遮光膜をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記３）
付記２記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光膜は、前記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記４）
付記１乃至３記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記樹脂カラーフィルタ層上に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記５）
付記４記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記基板面に垂直方向に見て前記ドレインバスラインに重なるように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記６）
付記４記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記基板面に垂直方向に見て前記ドレインバスラインに重ならないように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記配向規制用構造物は、線状突起であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記８）
付記１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
セルギャップを保持するための柱状スペーサをさらに有し、
前記柱状スペーサは、前記基板上に形成される樹脂層を積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記９）
付記８記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は、前記樹脂カラーフィルタ層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１０）
付記８又は９に記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は、黒色樹脂層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１１）
付記８乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は、前記線状突起の形成層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１２）
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
前記基板上に前記線状突起と同一の形成材料で形成され、前記対向基板と貼り合わせる際に用いる位置合わせ用マークと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１３）
対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と
、
前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
前記基板上の表示領域端部に前記突起と同一の形成材料で形成され、前記表示領域端部を遮光する額縁領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１４）
付記１２又は１３に記載の液晶表示装置用基板において、
前記突起は、黒色樹脂で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１５）
付記１２又は１３に記載の液晶表示装置用基板において、
前記突起は、金属層とレジスト層とを積層して形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記１６）
２枚の基板と、前記基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記基板の少なくとも一方に付記１乃至１５に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記１７）
第１の樹脂層が形成された第１の基板と、
第２の樹脂層が形成された第２の基板と、
前記第１及び第２の基板を貼り合わせて前記第１及び第２の樹脂層で形成された柱状スペーサと、
前記第１及び第２の基板間に封止された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。

（付記１８）
基板上に共通電極を形成し、
前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に位置合わせ用マークを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

（付記１９）
基板上に共通電極を形成し、
前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に額縁領域を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

（付記２０）
互いに交差する複数のバスラインと薄膜トランジスタとを基板上に形成し、
前記基板上に線状突起を形成する際、同時に、柱状スペーサを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

以上説明した第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記２１）
第１の基板と、互いに交差して前記第１の基板上に形成された複数のバスラインと、前
記バスラインで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極とを備えた薄膜トランジスタ基板と、
前記第１の基板と異なる厚さ又は材質を有する第２の基板と、前記第２の基板上に形成された共通電極とを備え、前記第１の基板に対向して配置された共通電極基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間に封止された液晶と
を有することを特徴とする液晶表示装置。

（付記２２）
付記２１記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板は、前記第１の基板より厚さが薄いこと
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２３）
付記２１又は２２記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板は、前記第１の基板より重量が軽いこと
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２４）
付記２１乃至２３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板は、アルカリ成分を含むガラス材で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２５）
付記２４記載の液晶表示装置において、
前記ガラス材は、アルカリ成分を１％以上含むこと
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２６）
付記２１乃至２３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記第２の基板は、樹脂材で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２７）
付記２１乃至２６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間隔を保持する柱状スペーサをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２８）
付記２１乃至２７のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタ基板が表示画面側になること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記２９）
付記２８記載の液晶表示装置において、
前記バスラインは、少なくとも前記第１の基板側表面が低反射の材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記３０）
付記２８又は２９記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極は、少なくとも前記第１の基板側表面が低反射の材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。

以上説明した第３の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記３１）
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
前記画素領域毎に形成された画素電極と、
前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極上及び前記ドレインバスライン上を覆うように形成された樹脂層と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記３２）
付記３１記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は前記樹脂カラーフィルタ層で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記３３）
付記３２記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層上に他の色の前記樹脂カラーフィルタ層が積層されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記３４）
付記３１記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は黒色樹脂を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記３５）
付記３１記載の液晶表示装置用基板において、
前記樹脂層は柱状スペーサ形成層を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。

（付記３６）
２枚の基板と、前記基板間に封止された液晶層とを有する液晶表示装置において、
前記基板の一方に付記３１乃至３５に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記３７）
付記３６記載の液晶表示装置において、
前記液晶層は、ポリマー構造が形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。

（付記３８）
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極及びドレインバスラインを覆うように第１の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
他の画素領域に第２の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
さらに他の画素領域に第３の樹脂カラーフィルタ層を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

８ ＴＦＴ基板
１０ 共通電極基板
１２、１２’ ガラス基板
１４ 画素電極
１８ 共通電極
２０ スリット
２１ 微細スリット
２４ 絶縁膜
２５ ゲートバスライン
２６ ドレインバスライン
２８ 線状突起
２９ 突起
３０ 柱状スペーサ
３２ 樹脂重ね部
３４ 額縁パターン
３６ 位置合わせ用マーク
３８ 表示領域
４０ 額縁領域
４２、６６ ＴＦＴ
４４ ドレイン電極
４６ ソース電極
４８ チャネル保護膜
５０、５１ コンタクトホール
５２ 動作半導体層
５４ ＳｉＮ膜
５６ 誘電体層
５８ Ｃｒ膜
６０ 樹脂層
６２ 蓄積容量バスライン
６４ 蓄積容量電極

Claims (9)

1. 対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
   前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
   前記基板上に前記線状突起と同一の形成材料で形成され、前記対向基板と貼り合わせる際に用いる位置合わせ用マークと
   を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
2. 対向して配置される対向基板とともに負の誘電率異方性を有する液晶を挟持する基板と、
   前記液晶を配向規制するために前記基板上に形成された線状突起と、
   前記基板上の表示領域端部に前記突起と同一の形成材料で形成され、前記表示領域端部を遮光する額縁領域と
   を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
3. 第１の樹脂層が形成された第１の基板と、
   第２の樹脂層が形成された第２の基板と、
   前記第１及び第２の基板を貼り合わせて前記第１及び第２の樹脂層で形成された柱状スペーサと、
   前記第１及び第２の基板間に封止された液晶と
   を有することを特徴とする液晶表示装置。
4. 基板上に共通電極を形成し、
   前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に位置合わせ用マークを形成すること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
5. 基板上に共通電極を形成し、
   前記共通電極上に線状突起を形成する際、同時に、前記基板上に額縁領域を形成すること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
6. 互いに交差する複数のバスラインと薄膜トランジスタとを基板上に形成し、
   前記基板上に線状突起を形成する際、同時に、柱状スペーサを形成すること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
7. 第１の基板と、互いに交差して前記第１の基板上に形成された複数のバスラインと、前記バスラインで画定された画素領域と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、前記画素領域毎に形成された画素電極とを備えた薄膜トランジスタ基板と、
   前記第１の基板と異なる厚さ又は材質を有する第２の基板と、前記第２の基板上に形成された共通電極とを備え、前記第１の基板に対向して配置された共通電極基板と、
   前記薄膜トランジスタ基板と前記共通電極基板との間に封止された液晶と
   を有することを特徴とする液晶表示装置。
8. 対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
   前記基板上に形成された複数のゲートバスラインと、
   前記ゲートバスラインに交差して前記基板上に形成された複数のドレインバスラインと、
   前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとで画定された画素領域と、
   前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
   前記画素領域毎に形成された樹脂カラーフィルタ層と、
   前記画素領域毎に形成された画素電極と、
   前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極上及び前記ドレインバスライン上を覆うように形成された樹脂層と
   を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
9. 基板上に薄膜トランジスタを形成し、
   前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極及びドレインバスラインを覆うように第１の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
   他の画素領域に第２の樹脂カラーフィルタ層を形成し、
   さらに他の画素領域に第３の樹脂カラーフィルタ層を形成すること
   を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

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