JP2000276945A

JP2000276945A - 導体ペースト及びそれを用いた回路基板

Info

Publication number: JP2000276945A
Application number: JP8154299A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kubota; 正博久保田; Michiaki Inami; 通明伊波; Shizuharu Watanabe; 静晴渡辺
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-03-25
Filing date: 1999-03-25
Publication date: 2000-10-06
Also published as: US6156237A

Abstract

(57)【要約】【課題】基板との密着力が高く、微細かつ厚膜の導体
パターンを形成でき、さらにゲル化を抑制して保存安定
性に優れた導体ペーストを提供すること。【解決手段】酸性官能基を有する有機バインダ、ガラ
ス及び／又はセラミックからなる無機粉末、並びに、導
電性金属粉末を混合してなり、少なくとも前記無機粉
末、前記導電性金属粉末のいずれか一方が多価金属を含
む導体ペーストであって、前記導体ペースト中に沸点１
７８℃以上のモノオール化合物を含有していることを特
徴とする、導体ペースト。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に所望の導
体パターンを形成する際に用いる導体ペースト、及び、
それを用いた回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信機器、衛星放送受信機
器、コンピュータ等に用いられる高周波電子部品は、小
型かつ高性能であることが強く求められている。また、
高周波電子部品の配線パターンに関しても、その高密度
化及び信号の高速化への対応が要求されており、その高
密度化や信号の高速化を達成するためには、配線パター
ンの微細化及び厚膜化が必要である。

【０００３】従来より、高周波電子部品の配線パターン
形成は、鉄や銅等の多価金属からなる導電性金属粉末と
有機バインダや有機溶媒からなる有機ビヒクルとを混合
した導体ペーストを用いて絶縁性基板上に配線パターン
を形成し、次いでこれを乾燥した後、焼成するといった
手法が用いられてきた。ここで、配線パターン形成はス
クリーン印刷法によるのが一般的であり、この方法で形
成した配線パターンの配線幅及び配線間ピッチは５０μ
ｍ程度が限界であった。

【０００４】これに対して、特開平５−２８７２２１号
公報、特開平８−２２７１５３号公報等には、感光性導
体ペーストを用いたフォトリソグラフィ法による微細厚
膜配線の形成方法が提案されている。この手法は、導電
性金属粉末、側鎖にカルボキシル基及びエチレン性不飽
和基を有するアクリル系共重合体、光反応性化合物、光
重合開始剤等からなる感光性導体ペーストを絶縁性基板
上に塗布し、これを乾燥後、フォトリソグラフィ法に基
づいてパターニングするというものである。

【０００５】他方、特開平６−２２４５３８号公報、特
開平８−３３５７５７号公報等には、ガラス粉末を含有
する感光性導体ペーストを用いたフォトリソグラフィ法
による微細厚膜配線の形成方法が提案されている。この
手法は、感光性導体ペースト中にガラス粉末を含有さ
せ、導体パターンとセラミック基板との接着性を向上す
るというものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、感光性導体ペー
ストを用いたフォトリソグラフィ法においては、環境へ
の配慮から、水若しくはアルカリ水溶液による現像が可
能であることが望まれており、そのために、カルボキシ
ル基等のプロトンを遊離する性質のある酸性官能基が有
機バインダ中に導入されている。

【０００７】しかしながら、そのような有機バインダを
用いた場合、溶液中に溶出した多価金属のイオンと、プ
ロトン遊離後に生成される有機バインダのアニオンとが
反応して、イオン架橋による３次元ネットワークが形成
されてゲル化が生じる。感光性導体ペーストがゲル化し
てしまうと、塗布が困難になるばかりか、たとえ塗布で
きたとしても現像が不安定になる等、その使用が困難と
なる。

【０００８】ゲル化を防止する方法として、例えば特開
平９−２１８５０９号公報ではリン酸等のリン含有化合
物を、特開平９−２１８５０８号公報ではベンゾトリア
ゾール等のアゾール構造を持つ化合物を、特開平９−２
２２７２３号公報では酢酸等のカルボキシル基を有する
有機化合物を、それぞれゲル化抑制剤として含有した感
光性導体ペーストが開示されている。しかしながら、こ
れらの方法は、感光性導体ペーストがゲル化するまでの
時間を若干伸ばすに過ぎず、これらのゲル化抑制剤を含
有したとしても、感光性導体ペーストの使用は実質的に
困難であった。

【０００９】また、特開平１０−１７１１０７号公報で
は、有機溶剤として、３−メチル−３−メトキシブタノ
ールを使用することによってゲル化を防止できるとして
いる。しかしながら、３−メチル−３−メトキシブタノ
ールは沸点が１７４℃と低いため、塗布後の感光性導体
ペーストを乾燥させたときに有機溶剤成分が完全に蒸発
してしまい、ゲル化防止の効用がなくなる。その結果、
乾燥状態のペースト中でもゲル化と似たような現象、す
なわちイオン架橋による３次元ネットワークが形成され
て実質的な分子量が高くなるという現象が起こって、未
露光部が現像液に溶出しなくなる、等の問題が生じるこ
とがある。

【００１０】本発明は、上述した問題点を解決するもの
であり、その目的は、基板との密着力が高く、微細かつ
厚膜の導体パターンを形成でき、さらにゲル化を抑制し
て保存安定性に優れた導体ペースト、並びに、それを用
いた回路基板を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、溶液中に酸性官
能基を有する有機バインダのアニオンと多価金属のイオ
ンとが溶出してしまうような系に、沸点１７８℃以上の
モノオール化合物を含有させることにより、ゲル化を有
効に防止できることを見出した。

【００１２】すなわち、本発明は、酸性官能基を有する
有機バインダ、ガラス及び／又はセラミックからなる無
機粉末、並びに、導電性金属粉末を混合してなり、少な
くとも前記無機粉末、前記導電性金属粉末のいずれか一
方が多価金属を含む導体ペーストであって、前記導体ペ
ースト中に沸点１７８℃以上のモノオール化合物を含有
していることを特徴とする導体ペーストに係るものであ
る。

【００１３】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導電性金属粉末は、金、銀、銅、白金、アルミニウ
ム、パラジウム、ニッケル、モリブデン、タングステン
からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特
徴とする。

【００１４】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導体ペーストの前記無機粉末及び前記導電性金属粉末
の体積分率は、３０％以上、９０％未満であることを特
徴とする。

【００１５】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導体ペーストには、さらに感光性有機成分が含まれて
いることを特徴とする。

【００１６】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導電性金属粉末の平均粒径は、０．１μｍ以上、１０
μｍ未満であることを特徴とする。

【００１７】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記無機粉末の平均粒径は、０．１μｍ以上、１０μｍ未
満であることを特徴とする。

【００１８】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導体ペーストには、さらに紫外線吸収剤が含まれてい
ることを特徴とする。

【００１９】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記有機バインダは、側鎖にカルボキシル基を有するアク
リル系共重合体であることを特徴とする。

【００２０】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導体ペーストの溶液部分に溶出している前記多価金属
のイオンに対して、前記モノオール化合物が２倍モル以
上含有されていることを特徴とする。

【００２１】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導体ペーストには、さらに有機溶剤が含まれており、
前記モノオール化合物と前記有機溶剤との合計量のう
ち、前記モノオール化合物が１０〜９２重量％占めてい
ることを特徴とする。

【００２２】さらに、本発明は、基板上に、上述した本
発明の導体ペーストを用いて所望のパターンを形成し、
これを焼成してなることを特徴とする回路基板を提供す
るものである。

【００２３】本発明の導体ペーストによれば、上述した
導体ペースト中に沸点１７８℃以上のモノオール化合物
を含有しているので、塗布前のペースト状態、塗布・乾
燥後の塗膜状態のいずれにおいてもゲル化の発生を十分
に抑制することができ、また、基板との密着力が高く、
微細かつ厚膜の導体パターンを形成できる。

【００２４】また、本発明の回路基板によれば、絶縁性
基板上に本発明の導体ペーストによる所望のパターンを
形成し、これを焼成してなる導体パターンを有している
ので、基板との密着力が高く、微細かつ厚膜の導体パタ
ーンを形成でき、ひいては、高密度配線化、高速信号化
を達成した回路基板を得ることができる。

【００２５】これは、モノオール化合物中のヒドロキシ
ル基（−ＯＨ）は、有機バインダの酸性官能基（特にカ
ルボキシル基）に比べて、多価金属イオンとの結合力が
際立って強く、したがって、導体ペーストの溶液部分に
溶出した多価金属イオンとモノオール化合物とが先に反
応して、有機バインダのアニオンと多価金属イオンとの
イオン架橋及びその３次元ネットワーク形成を妨げるこ
とによるものである。また、モノオール化合物はただ１
つのヒドロキシル基を有するので、モノオール化合物と
多価金属イオンとが反応しても、イオン架橋による３次
元ネットワークを形成しない。さらに、前記モノオール
化合物は沸点が１７８℃以上であるから、その塗布後、
乾燥処理を施した後でも、モノオール化合物は塗膜中に
有意に残存し、そのゲル化防止能を十分に発揮する。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の導体ペーストを更
に詳細に説明する。

【００２７】本発明の導体ペーストにおいて、沸点１７
８℃以上のモノオール化合物としては、１−オクチルア
ルコール、２−オクチルアルコール、ノニルアルコー
ル、デシルアルコール、１−メチルシクロヘキサノー
ル、トリメチルシクロヘキサノール、エチレングリコー
ルモノアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノビニル
エーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプ
ロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリ
コールイソアミルエーテル、エチレングリコールフェニ
ルエーテル、エチレングリコールベンジルエーテル、ト
リメチルヘキサノール、テトラヒドロフルフリルアルコ
ール、クレゾール、乳酸ブチル、ベンジルアルコール、
ヒドロキシエチルアクリレート、フェネチルアルコー
ル、メルカプトブタノール、ヒドロキシエチルメタクリ
レート、ヒドロキシエチルピペラジン、シクロヘキサノ
ンオキシム、ヒドロキシメトキシアリルベンゼン、ヒド
ロキシメトキシベンズアルデヒド、ヒドロキシメチルピ
ペラジン、ヒドロキシプロピオニトリル、ヒドロキシア
セトナフトン、ヒドロキシベンズアルデヒド、ヒドロキ
シアセトフェノン、ヒドロキシベンゾイミダゾール、フ
ェニルフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシベ
ンゾフェノン、ベンゾイン、チモール、ヒドロキシメト
キシ安息香酸、ヒドロキシメチル安息香酸、ヒドロキシ
メチルピロン、ヒドロキシナフトエ酸、ヒドロキシナフ
トキノン、ヒドロキシノルボルネンジカルボキシイミ
ド、ヒドロキシフェニル酢酸、ヒドロキシフェニルグリ
シン、ヒドロキシフタルイミド、ヒドロキシピバリン酸
ネオペンチルグリコールエステル、ヒドロキシプロピオ
フェノン、ヒドロキシステアリン酸、ヒドロキシこはく
酸イミド、ヒドロキシトルイル酸等が挙げられる。

【００２８】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記無機粉末はガラス粉末及び／又はセラミック粉末であ
る。なお、ガラス粉末としては、ホウ珪酸系ガラス粉末
等の公知のガラス粉末を使用でき、セラミック粉末とし
ては、結晶化ガラス系、ガラス複合系、非ガラス系の公
知のセラミック粉末を用いることができる。

【００２９】特に、前記ガラス粉末は、ＳｉＯ₂−Ｐｂ
Ｏ系、ＳｉＯ₂−ＺｎＯ系、ＳｉＯ₂−Ｂｉ₂Ｏ₃系、Ｓｉ
Ｏ₂−Ｋ₂Ｏ系、ＳｉＯ₂−Ｎａ₂Ｏ系、ＳｉＯ₂−ＰｂＯ
−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−Ｂ
ｉ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−Ｋ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ
₂−Ｎａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃系等の、２価以上の価数を持つ多価
金属酸化物を含むものであってよい。また、前記セラミ
ック粉末は、２価以上の価数を持つ多価金属化合物を含
むセラミック粉末であってよい。例えば、Ａｌ、Ｂａ、
Ｔｉ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、
Ｙ、Ｎｂ、Ｌａ及びＲｕからなる群より選ばれる少なく
とも１種の多価金属の酸化物、硼化物、窒化物、ケイ化
物等が挙げられる。

【００３０】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記導電性金属粉末は、金、銀、銅、白金、アルミニウ
ム、パラジウム、ニッケル、モリブデン、タングステン
からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。
特に、多価金属である、銅、アルミニウム、パラジウ
ム、ニッケル、モリブデン、タングステン若しくはそれ
らの混合物を用いる場合、この多価金属によるイオンと
酸性官能基を有する有機バインダのアニオンとのイオン
架橋及び３次元ネットワークの形成を有効に抑制でき
る。

【００３１】すなわち、本発明の導体ペーストは、導電
性金属粉末を構成する金属粉末が２価以上の価数を有す
る多価金属である場合、ガラス及び／又はセラミックか
らなる前記無機粉末を構成する金属化合物（金属酸化
物）が２価以上の価数を有する多価金属を含む化合物で
ある場合、或いは、これらの両方である場合に、溶液中
に溶出してくる多価金属のイオンと、カルボキシル基等
の酸性官能基を有する有機バインダのアニオンとのイオ
ン架橋、３次元ネットワークの形成を抑制して、そのゲ
ル化を有効に抑制するものである。

【００３２】また、本発明の導体ペースト中の前記無機
粉末及び前記導電性金属粉末の体積分率は、導体ペース
トの焼結性等を向上できることから、３０〜９０％であ
ることが望ましい。体積分率が３０％未満であると、焼
成時に体積収縮が激しくなり、例えば、パターンを形成
した時には断線が発生することがある。他方、体積分率
が９０％以上であると、形成した構造物自体の強度が極
めて弱くなり、焼成時に構造物が壊れてしまうことがあ
る。なお、本発明において、前記無機粉末の体積分率
は、導体ペーストに対する焼成後に残存する無機粉末の
体積分率を意味する。

【００３３】また、本発明の導体ペーストには、感光性
有機成分が含まれていることが望ましい。すなわち、導
体ペースト中に感光性有機成分を含有させることによっ
て、感光性導体ペーストを構成できる。

【００３４】すなわち、本発明による感光性導体ペース
トは、沸点１７８℃以上のモノオール化合物を含んでい
るから、塗布前のペースト状態、塗布・乾燥後の塗膜状
態のいずれにおいても、ゲル化が十分に抑制され、その
安定性が向上すると共に、フォトリソグラフィ法におけ
る現像処理を安定に実施し、微細かつ厚膜の導体パター
ンを基板との密着性良く形成することができる。

【００３５】なお、前記感光性有機成分とは、従来から
公知の光重合性、若しくは光変性化合物のことであっ
て、例えば、（１）不飽和基等の反応性官能基を有する
モノマーやオリゴマーと、芳香族カルボニル化合物等の
光ラジカル発生剤の混合物、（２）芳香族ビスアジドと
ホルムアルデヒドの縮合体等のいわゆるジアゾ樹脂、
（３）エポキシ化合物等の付加重合性化合物とジアリル
ヨウドニウム塩等の光酸発生剤の混合物、（４）ナフト
キノンジアジド系化合物、等が挙げられる。このうち、
特に好ましいのは、不飽和基等の反応性官能基を有する
モノマーやオリゴマーと、芳香族カルボニル化合物等の
光ラジカル発生剤の混合物である。

【００３６】前記反応性官能基含有モノマー・オリゴマ
ーとしては、ヘキサンジオールトリアクリレート、トリ
プロピレングリコールトリアクリレート、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルア
クリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリ
デシルアクリレート、カプロラクトンアクリレート、エ
トキシ化ノニルフェノールアクリレート、１、３−ブタ
ンジオールジアクリレート、１、４−ブタンジオールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
テトラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノー
ルＡジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）
イソシアヌレートトリアクリレート、エトキシ化トリメ
チロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、プロポキシ化グリセリルトリ
アクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレー
ト、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジ
ペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、
エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シクロヘキシ
ルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリ
ルメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、テトラ
エチレングリコールジメタクリレート、１、４−ブタン
ジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメ
タクリレート、１、６−ヘキサンジオールジメタクリレ
ート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１、
３−ブチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化
ビスフェノールＡジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリメタクリレート等が挙げられる。

【００３７】また、前記光ラジカル発生剤としては、ベ
ンジル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブ
チルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベン
ゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸
メチル、４−ベンゾイル−４'−メチルジフェニルサル
ファイド、ベンジルジメチルケタール、２−ｎ−ブトキ
シ−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−クロロチオ
キサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４
−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキ
サントン、２−ジメチルアミノエチルベンゾエート、ｐ
−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ
安息香酸イソアミル、３、３'−ジメチル−４−メトキ
シベンゾフェノン、２、４−ジメチルチオキサントン、
１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−
メチルプロパン−１−オン、２、２−ジメトキシ−１、
２−ジフェニルエタン−１−オン、ヒドロキシシクロヘ
キシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−
１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２
−メチル−１−プロパン−１−オン、２−メチル−１−
［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプ
ロパン−１−オン、メチルベンゾイルフォルメート、１
−フェニル−１、２−プロパンジオン−２−（ｏ−エト
キシカルボニル）オキシム、２−ベンジル−２−ジメチ
ルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブ
タノン、ビス（２、６−ジメトキシベンゾイル）−２、
４、４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、
ビス（２、４、６−トリメチルベンゾイル）フェニルフ
ォスフィンオキサイド等が挙げられる。

【００３８】また、本発明による感光性導体ペーストに
おいて、前記導電性金属粉末の平均粒径（Ｄ５０）は、
露光に必要な光量を最小限に抑え、現像処理を良好に行
うことができることから、０．１μｍ以上、１０μｍ未
満であることが望ましい。前記導電性金属粉末の平均粒
径が０．１μｍ未満では、露光感度が低下して必要な露
光光量が増大する傾向にあり、他方、平均粒径が１０μ
ｍ以上であると、現像時に疎粒による解像度の低下が生
じることがある。同様の理由で、前記無機粉末の平均粒
径（Ｄ５０）も、０．１μｍ以上、１０μｍ未満である
ことが望ましい。

【００３９】また、本発明による感光性導体ペースト組
成物において、感光性導体ペースト中には、さらに紫外
線吸収剤が含まれていることが望ましい。紫外線吸収剤
を含むことによって、露光光線の吸収性を向上できると
同時に光散乱による露光不良を最小限に抑えることがで
きる。紫外線吸収剤としては、アゾ系赤色顔料、アミン
系赤色染料等が挙げられる。

【００４０】また、本発明の導体ペーストにおいて、前
記有機バインダは、側鎖にカルボキシル基を有するアク
リル系共重合体であることが望ましい。このような有機
バインダは感光性有機バインダとしても有用であり、ア
ルカリ系又は水系の現像液で現像処理を容易に行うこと
ができる。

【００４１】特に、前記有機バインダが側鎖にカルボキ
シル基を有するアクリル系共重合体である場合、この共
重合体によるアニオンと、溶液中に溶出してくる多価金
属イオンとがイオン架橋し、３次元ネットワークが形成
され易い。したがって、このような系に前記モノオール
化合物を添加することによって、そのイオン架橋、３次
元ネットワークの形成を極めて有効に抑制できる。

【００４２】なお、側鎖にカルボキシル基を有するアク
リル系共重合体を含む前記有機バインダは、例えば、不
飽和カルボン酸とエチレン性不飽和化合物を共重合させ
ることにより製造することができる。不飽和カルボン酸
としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フ
マル酸、ビニル酢酸及びこれらの無水物等が挙げられ
る。一方、エチレン性不飽和化合物としては、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリ
ル酸エステル、フマル酸モノエチル等のフマル酸エステ
ル等が挙げられる。また、前記アクリル系共重合体は、
以下のような形態の不飽和結合を導入したものを使用し
てもよい。

【００４３】（１）前記アクリル系共重合体の側鎖のカ
ルボキシル基に、これと反応可能な、例えばエポキシ基
等の官能基を有するアクリル系モノマーを付加したも
の。

【００４４】（２）側鎖のカルボキシル基の代わりにエ
ポキシ基が導入されてなる前記アクリル系共重合体に、
不飽和モノカルボン酸を反応させた後、さらに飽和又は
不飽和多価カルボン酸無水物を導入したもの。

【００４５】また、本発明の導体ペーストにおいては、
その溶液部分に溶出する前記多価金属のイオンのモル数
に対して、前記モノオール化合物が２倍モル以上含有さ
れていることが望ましい。その含有量が２倍モル未満で
あると、ゲル化を十分に防ぐことは困難である。なお、
溶出した多価金属イオンのモル数は、遠心分離法や濾過
法等によって前記感光性導体ペースト中の固体部分と溶
液部分を分離した後、従来よりよく知られている原子吸
光法、ＩＣＰ、ＩＣＰ−ＭＳ等の方法により測定でき
る。

【００４６】また、前記導体ペーストには有機溶剤が含
まれており、前記モノオール化合物と前記有機溶剤との
合計量のうち、前記モノオール化合物は１０〜９２重量
％を占めていることが望ましい。その割合が１０重量％
以下であると、ゲル化を十分に防止することが困難であ
る。また、その割合が９２重量％以上であると、導体ペ
ーストの粘度が極端に低下し、ペーストの塗布性が劣化
することがある。

【００４７】なお、本発明の導体ペーストには、さらに
必要に応じて、重合禁止剤等の保存安定剤、酸化防止
剤、染料、顔料、消泡剤、界面活性剤等も、適宜、添加
できる。

【００４８】次に、本発明の回路基板をさらに詳細に説
明する。

【００４９】本発明の回路基板においては、本発明の導
体ペースト（特に感光性導体ペースト）をスクリーン印
刷法、スピンコート法等の方法によって基板上に塗布
し、これを乾燥後、露光・現像することにより、従来の
スクリーン印刷法では得られない、例えば、幅やピッチ
が５０μｍ以下の微細パターンを形成できる。なお、こ
こで乾燥とは、具体的には、４０〜１００℃、１０分〜
２時間の条件で行われるものである。

【００５０】また、セラミックグリーンシートに本発明
の導体ペーストによる導体パターンを微細かつ厚膜に形
成し、しかる後、焼成等の熱処理を施すことによって、
回路基板若しくは回路素子を製造することもできる。そ
の方法としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム等の支持体上に本発明の導体ペーストによ
って微細パターンを形成した後、セラミックグリーンシ
ート上に熱転写する方法でもよいし、直接セラミックグ
リーンシート上に本発明の導体ペーストを塗布後、フォ
トリソグラフィ法に基づいて微細パターンを形成する方
法でもよい。

【００５１】ここで、前記セラミックグリーンシート
は、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混合したスラリ
ーをシート状に成形したもの等が挙げられる。また、さ
らにガラス粉末が混合してあってもよい。さらに、有機
ビヒクルに感光性有機成分を混合した感光性グリーンシ
ートを使用し、フォトリソグラフィ法によって微細なバ
イアホール等の構造を形成したものを用いてもよい。よ
り具体的に言えば、Ａｌ₂Ｏ₃等の絶縁性セラミック粉
末、ＢａＴｉＯ₃等の誘電体セラミック粉末、ニッケル
亜鉛フェライト、ニッケル亜鉛銅フェライト等のフェラ
イト系粉末、ＲｕＯ₂、Ｐｂ₂Ｒｕ₂Ｏ₇、Ｂｉ₂Ｒｕ
₂Ｏ₇、Ｍｎ・Ｃｏ・Ｎｉの複合酸化物等の導電性セラミ
ック粉末、ＰＺＴ等の圧電体セラミック粉末等を有する
セラミックグリーンシートであってもよい。

【００５２】また、微細パターンが形成されたセラミッ
クグリーンシートを複数枚積層し、同時焼成等の熱処理
を施すことにより、多層回路基板若しくは多層回路素子
を製造することもできる。或いは、本発明の導体ペース
トを使って基板や支持体等に微細パターンを形成した
後、機能性有機バインダを含む混合物を塗布して積層構
造を形成し、焼成等の熱処理を施すことによって、多層
回路基板若しくは多層回路素子を製造することもでき
る。機能性有機バインダを含む混合物としては、前記セ
ラミック粉末と有機バインダを混合したものや銅、銀等
の導電性金属粉末に有機バインダを混合したもの、ま
た、さらにガラス粉末を混合したもの等が挙げられる。

【００５３】なお、本発明の回路基板は、チップコンデ
ンサ、チップＬＣフィルタ等の回路素子用基板や、ＶＣ
Ｏ（Voltage Controlled Oscillator）やＰＬＬ（Phase
Locked Loop）等のモジュール用基板であってよい。

【００５４】特に、本発明による感光性導体ペーストを
用いれば、フォトリソグラフィ法における現像処理を安
定に実施できるので、バイアホールやパターン等の電子
回路に必須な導体パターンを微細かつ厚膜に形成でき、
高周波特性に優れた小型の回路基板若しくは回路素子を
製造できる。したがって、チップインダクタ、チップ積
層コンデンサ等の高周波チップ電子部品等の高密度化や
信号の高速化に十分に対応できる。

【００５５】

【実施例】以下、本発明を具体例に従い説明する。

【００５６】例１下記組成、配合量の各種成分を混合後、３本ロールミル
による混練を行い、感光性ペースト組成物とした。

【００５７】＜有機バインダ＞メタクリル酸／メタクリル酸メチルの共重合割合が重量
基準で２５／７５の共重合体（重量平均分子量＝５０，
０００）：２．０ｇ＜無機粉末＞ＳｉＯ₂−ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末（ホウ酸含有量
１７重量％、平均粒径３μｍ）：０．９ｇ＜導電性金属粉末＞銅粉末（平均粒径３μｍ）：１５．０ｇ＜反応性官能基含有モノマー＞トリメチロールプロパントリアクリレート：１．０ｇ＜光重合開始剤＞２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノプロパン−１−オン：０．４ｇ２，４−ジエチルチオキサントン：０．１ｇ＜有機溶剤＞エチルカルビトールアセテート：４．０ｇ＜モノオール化合物＞ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８
９〜１９０℃）：１．０ｇ＜紫外線吸収材＞アゾ系赤色顔料：０．１ｇ次いで、上記組成の感光性導体ペーストをアルミナ絶縁
性基板上にスピンコーターによって塗布し、これを１０
０℃にて１時間乾燥して、２０μｍ厚の塗膜を形成し
た。次いで、得られた塗膜を２４時間放置した後、露光
処理を行った。ここでは、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）
＝２０／２０（μｍ）のパターンが描画されたマスクを
通して、高圧水銀灯の光線を２５０ｍＪ／ｃｍ²の露光
量で照射した。その後、炭酸ナトリウム水溶液による現
処理像を行うことにより、Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）
のパターンを得ることができた。そして、脱脂処理を施
した後、９００℃、Ｎ₂雰囲気中で焼成して、Ｌ／Ｓ＝
１０／３０（μｍ）の導体パターンを形成した。

【００５８】ここで、上記組成の感光性導体ペーストに
ついて、温度２０℃下、空気中にて、作製直後、１日
後、３日後、１週間後、１ヶ月後の各時点でその保存状
態を測定した。その結果、本例による感光性導体ペース
トはいずれの時点においてもゲル化していなかった。す
なわち、作製直後、１日後、３日後、１週間後、１ヶ月
後の各時点でも、絶縁性基板上にスピンコーターによる
塗布を行い、かつ、フォトリソグラフィ法によるパター
ン形成を行うことが可能であった。

【００５９】例２ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
２−オクチルアルコール（沸点１７８〜１７９℃）を用
いた以外は例１と同様にして感光性導体ペーストを作製
した。

【００６０】例３ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
乳酸ブチル（沸点１８５〜１８７℃）を用いた以外は例
１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【００６１】例４ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
３−メトキシ−３−メチルブタノール（沸点１７３〜１
７５℃）を用いた以外は例１と同様にして感光性導体ペ
ーストを作製した。

【００６２】例５ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
４−メチルシクロヘキサノール（沸点１７２〜１７５
℃）を用いた以外は例１と同様にして感光性導体ペース
トを作製した。

【００６３】例６ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
１−ヘプチルアルコール（沸点１７６℃）を用いた以外
は、実施例１と同様にして感光性導体ペーストを作製し
た。

【００６４】以上、例２〜６の感光性導体ペーストにつ
いて、例１と同様にして、Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）
のパターン形成を試みた。そして、例１〜６の感光性導
体ペーストによる塗膜について、現像処理時の安定性の
評価を行った。その評価結果を下記表１に示す。なお、
下記表１中の「○」は、未露光部が現像液に溶出してパ
ターン形成を良好に行うことができたことを意味する。
また、表１中の「△」は、未露光部が現像液に一部溶出
しているものの、パターン形成が十分に行えなかったこ
とを意味し、「×」は、未露光部が現像液に溶出せず、
パターン形成ができなかったことを意味する。

【００６５】

【表１】

【００６６】すなわち、沸点が１７８℃以上のモノオー
ル化合物を含んだ例１〜３による感光性導体ペーストに
よれば、未露光部が現像液に容易に溶出して、形状性に
優れた導体パターンを形成できたことが分かる。これに
対して、例４〜６のように、モノオール化合物の沸点が
１７８℃未満の場合、未露光部が現像液に十分に溶出せ
ず、形状性の良いパターン形成ができなかった。これ
は、感光性導体ペーストの塗布後、その乾燥処理時に塗
膜からモノオール化合物が蒸発してしまい、ゲル化防止
能が経時的に劣化してしまったことによるものと思われ
る。

【００６７】例７モノオール化合物を添加しない以外は例１と同様にして
感光性導体ペーストを作製した。

【００６８】例８ジプロピレングリコールモノメチルエーテル１．０ｇの
代わりにリン酸０．１ｇを添加した以外は例１と同様に
して感光性導体ペーストを作製した。

【００６９】例９ジプロピレングリコールモノメチルエーテル１．０ｇの
代わりにベンゾトリアゾール０．０２ｇを添加した以外
は例１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【００７０】例１０ジプロピレングリコールモノメチルエーテル１．０ｇの
代わりに酢酸１．０ｇを添加した以外は例１と同様にし
て感光性導体ペーストを作製した。

【００７１】以上、例７〜１０の感光性導体ペーストの
保存安定性を評価した。なお、感光性導体ペーストの保
存は２０℃下、空気中にて行った。その評価結果を、例
１による感光性導体ペーストの評価結果と共に下記表２
に示す。なお、表２中の「○」は、感光性導体ペースト
がゲル化しておらず、塗布可能な状態であったことを意
味する。また、「×」は、感光性導体ペーストがゲル化
しており、塗布不可能な状態であったことを意味する。

【００７２】

【表２】

【００７３】表２から、例７〜１０のように、モノオー
ル化合物を全く含まない感光性導体ペーストやモノオー
ル化合物以外のゲル化防止剤を含む感光性導体ペースト
は、その作製直後はゲル化を防止して良好な安定性を示
していたが、経時的にゲル化が生じ始めてしまったこと
が分かる。

【００７４】例１１下記組成、配合量の各種成分を混合後、３本ロールミル
による混練を行い、感光性導体ペーストとした。

【００７５】＜有機バインダ＞メタクリル酸／メタクリル酸メチルの共重合割合が重量
基準で２５／７５の共重合体（重量平均分子量＝５０，
０００）：２．０ｇ＜無機粉末＞ＳｉＯ₂−ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末（ほう酸含有量
１７重量％、平均粒径３μｍ）：０．９ｇ＜導電性金属粉末＞銀粉末（平均粒径３μｍ）：１０．０ｇ＜反応性官能基含有モノマー＞トリメチロールプロパントリアクリレート：１．０ｇ＜光重合開始剤＞２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノプロパン−１−オン：０．４ｇ２，４−ジエチルチオキサントン：０．１ｇ＜有機溶剤＞エチルカルビトールアセテート：４．０ｇ＜モノオール化合物＞ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８
９〜１９０℃）：１．０ｇ＜紫外線吸収材＞アゾ系赤色顔料：０．１ｇ次いで、上記組成の感光性導体ペーストをアルミナ絶縁
性基板上にスピンコーターによって塗布し、これを１０
０℃にて１時間乾燥して、２０μｍ厚の感光性導体ペー
ストからなる塗膜を形成した。次いで、得られた塗膜を
２４時間放置した後、露光処理を行った。ここでは、ラ
イン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝２０／２０（μｍ）のパタ
ーンが描画されたマスクを通して、高圧水銀灯の光線を
２５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量で照射した。引き続いて、
炭酸ナトリウム水溶液による現像処理を行うことによ
り、Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターンを得ること
ができた。その後、８５０℃、Ａｉｒ雰囲気中で焼成し
て、Ｌ／Ｓ＝１０／３０（μｍ）の導体パターンを得
た。

【００７６】ここで、絶縁性基板に対する導体パターン
の接着強度を測定したところ、室温で２．０ｋｇ／２μ
ｍ□であった。また、上記組成の感光性導体ペーストを
温度２０℃下、空気中にて、作製直後、１日後、３日
後、１週間後、１ヶ月後の各時点で保存状態を測定し
た。その結果、本例による感光性導体ペーストはいずれ
の時点においてもゲル化していなかった。すなわち、作
製直後、１日後、３日後、１週間後、１ヶ月後の各時点
でも、絶縁性基板上にスピンコーターによる塗布を行
い、かつ、フォトリソグラフィ法によるパターン形成を
行うことが可能であった。

【００７７】例１２ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
２−オクチルアルコール（沸点１７８〜１７９℃）を用
いた以外は例１１と同様にして感光性導体ペーストを作
製した。

【００７８】例１３ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
乳酸ブチル（沸点１８５〜１８７℃）を用いた以外は例
１１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【００７９】例１４ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
３−メトキシ−３−メチルブタノール（沸点１７３〜１
７５℃）を用いた以外は例１１と同様にして感光性導体
ペーストを作製した。

【００８０】例１５ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
４−メチルシクロヘキサノール（沸点１７２〜１７５
℃）を用いた以外は例１１と同様にして感光性導体ペー
ストを作製した。

【００８１】例１６ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
１−ヘプチルアルコール（沸点１７６℃）を用いた以外
は例１１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【００８２】以上、例１２〜１６の感光性導体ペースト
について、例１と同様にして、Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μ
ｍ）のパターン形成を試みた。そして、例１１〜１６の
感光性導体ペーストによる塗膜について、現像処理時の
安定性の評価を行った。その評価結果を下記表３に示
す。なお、表３中の「○」は、未露光部が現像液に溶出
し、パターン形成を良好に行うことができたことを意味
する。また、表３中の「△」は、未露光部が現像液に一
部溶出しているものの、パターン形成が十分に行えなか
ったことを意味し、「×」は、未露光部が現像液に溶出
せず、パターン形成ができなかったことを意味する。

【００８３】

【表３】

【００８４】表３から、沸点１７８℃以上のモノオール
化合物を含んだ例１１〜１３による感光性導体ペースト
によれば、未露光部が現像液に容易に溶出して、形状性
の良好な導体パターンを形成できたことが分かる。これ
に対して、例１４〜１６のように、モノオール化合物の
沸点が１７８℃未満の場合、感光性導体ペーストの塗布
後、その乾燥処理時にモノオール化合物が蒸発してしま
い、ゲル化防止能が経時的に劣化してしまったことが分
かる。

【００８５】例１７ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを含有しな
い以外は例１１と同様にして感光性導体ペーストを作製
した。

【００８６】例１８ジプロピレングリコールモノメチルエーテル１．０ｇの
代わりにリン酸０．１ｇを添加した以外は例１１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【００８７】例１９ジプロピレングリコールモノメチルエーテル１．０ｇの
代わりにベンゾトリアゾール０．０２ｇを添加した以外
は例１１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【００８８】例２０ジプロピレングリコールモノメチルエーテル１．０ｇの
代わりに酢酸１．０ｇを添加した以外は例１１と同様に
して感光性導体ペーストを作製した。

【００８９】以上、比較例１７〜２０の感光性導体ペー
ストの保存安定性を評価した。なお、感光性導体ペース
トの保管は２０℃下、空気中にて行った。その評価結果
を、例１１による感光性導体ペーストの評価結果と共に
下記表４に示す。なお、表４中の「○」は、感光性導体
ペーストはゲル化しておらず、塗布可能な状態であった
ことを意味する。また、「×」は、感光性導体ペースト
はゲル化しており、塗布不可能な状態であったことを意
味する。

【００９０】

【表４】

【００９１】表４から、例１７〜２０のようにモノオー
ル化合物を全く含まない感光性導体ペーストやモノオー
ル化合物以外のゲル化防止剤を含む感光性導体ペースト
は、その作製直後はゲル化を防止して良好な安定性を示
していたが、経時的にゲル化が生じ始めてしまうことが
分かる。

【００９２】以上、沸点１７８℃以上のモノオール化合
物を含有した感光性導体ペーストによれば、塗布前のペ
ースト状態、乾燥・塗布後の塗膜状態のいずれにおいて
も、そのゲル化を十分に抑制して、保存安定性を向上で
きると共に、フォトリソグラフィ法における現像処理を
安定して実施できるため、極めて微細でかつ厚膜な導体
パターンを有する回路基板若しくは回路素子等を製造で
きる。

【００９３】例２１ガラス粉末を混合しなかった以外は例１１と同様にして
感光性導体ペーストを作製した。これを用いて、例１１
と同様の方法で、アルミナ絶縁性基板上にＬ／Ｓ＝１０
／３０（μｍ）の導体パターンを形成した。絶縁性基板
に対する導体パターンの接着強度を測定したところ、室
温で０．１ｋｇ／２μｍ□であった。

【００９４】例２２紫外線吸収剤を混合しなかった以外は例１と同様にして
感光性導体ペーストを作製した。これを用いて、例１と
同様の方法にして、アルミナ絶縁性基板上にＬ／Ｓ＝２
０／２０（μｍ）のパターン形成を試みた。その結果、
スペースにも感光されて現像液に不溶な部分ができ、例
１と同じようにＬ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターン
を形成することができなかった。

【００９５】例２３銅粉末の量を９．９ｇにした以外は例１と同様にして感
光性導体ペーストを作製した。なお、本例による感光性
導体ペースト中の焼成後に残存する無機粉末及び導電性
粉末の体積分率（Ｖｏｌ％）は３０％であった。

【００９６】例２４銅粉末の量を調節して、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率を２９％にした以外は例１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【００９７】例２５銅粉末の量を調節して、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率を２８％にした以外は、実施例１
と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【００９８】以上、例２３〜２５の感光性導体ペースト
について、例1と同様にして、アルミナ絶縁性基板上に
Ｌ／Ｓ＝１０／３０（μｍ）の導体パターン形成を試み
た。なお、例１の感光性導体ペースト中、焼成後に残存
する無機粉末及び導電性粉末の体積分率は３４％であっ
た。そして、例１、２３〜２５の感光性導体ペーストに
よる導体パターンについて、焼成時の断線発生の評価を
行った。その評価結果を下記表５に示す。なお、下記表
５中の「○」は、焼成時に断線がまったくなく良好に導
体パターン形成を行うことができたことを意味する。ま
た、表５中の「△」は、焼成時にライン１ｃｍあたり１
〜５つの断線が発生したことを意味し、「×」は、焼成
時にライン１ｃｍあたり５つ以上の断線が発生して導体
パターン形成が困難であったことを意味する。

【００９９】

【表５】

【０１００】表５から、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率が３０％以上の例１、２３による
感光性導体ペーストによれば、焼成時に断線がまったく
なく良好に導体パターンを形成できたことが分かる。こ
れに対して、例２４、２５のように、焼成後に残存する
無機粉末及び導電性粉末の体積分率が３０％未満の場
合、焼成時に断線が発生して導体パターンの加工形状が
劣化する傾向にあったことが分かる。

【０１０１】例２６銅粉末の量を調節して、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率を８９％にした以外は例１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１０２】例２７銅粉末の量を調節して、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率を９０％にした以外は例１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１０３】例２８銅粉末の量を調節して、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率を９１％にした以外は例１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１０４】以上、例２６〜２８の感光性導体ペースト
について、例１と同様にして、アルミナ絶縁性基板上に
Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターン形成を試みた。
そして、例２６〜２８の感光性導体ペーストによる塗膜
について現像性の評価を行った。その評価結果を下記表
６に示す。なお、表６中の「○」は、現像時に塗膜の破
壊がなく、良好にパターン形成を行うことができたこと
を意味する。また、表６中の「△」は、現像時に一部で
塗膜の破壊が発生して良好なパターンが形成できなかっ
たことを意味し、「×」は、現像時に全体的に塗膜が破
壊されてしまったことを意味する。

【０１０５】

【表６】

【０１０６】表6から、焼成後に残存する無機粉末及び
導電性粉末の体積分率（Ｖｏｌ％）が９０％未満の例２
６による感光性導体ペーストによれば、現像時に塗膜の
破壊が全く無く極めて良好にパターンを形成できたこと
が分かる。これに対して、例２７、２８のように、感光
性導体ペーストの焼成後に残存する無機粉末及び導電性
粉末の体積分率が９０％以上の場合、現像時に塗膜の破
壊が発生して良好なパターン形成が困難であったことが
分かる。

【０１０７】例２９銅粉末の平均粒径を０．２μｍにした以外は例１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１０８】例３０銅粉末の平均粒径を０．１μｍにした以外は例１と同様
にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１０９】例３１銅粉末の平均粒径を０．０７μｍにした以外は例１と同
様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１１０】例３２銅粉末の平均粒径を０．０４μｍにした以外は例１と同
様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１１１】以上、例２９〜３２の感光性導体ペースト
について、例１と同様にして、アルミナ絶縁性基板上に
Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターン形成を試みた。
そして、例２９〜３２の感光性導体ペーストによる塗膜
について、その露光に必要な光量（必要露光量）を測定
した。その測定結果を下記表７に示す。

【０１１２】

【表７】

【０１１３】表７から、銅粉末の平均粒径が０．１μｍ
以上の例２９、３０による感光性導体ペーストによれ
ば、必要露光量が５００ｍＪ／ｃｍ²以下であって、効
率よくパターン形成を行うことができたことが分かる。
これに対して、例３１、３２のように、銅粉末の平均粒
径が０．１μｍ未満の場合、必要露光量が増大する傾向
にあることが分かる。

【０１１４】例３３銅粉末の平均粒径を９μｍにした以外は例１と同様にし
て感光性導体ペーストを作製した。

【０１１５】例３４銅粉末の平均粒径を１０μｍにした以外は例１と同様に
して感光性導体ペーストを作製した。

【０１１６】例３５銅粉末の平均粒径を１１μｍにした以外は例１と同様に
して感光性導体ペーストを作製した。

【０１１７】以上、例３３〜３５の感光性導体ペースト
について、例１と同様にして、アルミナ絶縁性基板上に
Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターン形成を試みた。
そして、例３３〜３５の感光性導体ペーストによる塗膜
について現像性の評価を行った。その評価結果を下記表
８に示す。なお、下記表８中の「○」は、現像時に疎粒
によるライン間のつながりが無く、良好にパターン形成
を行うことができたことを意味する。また、表８中の
「△」は、現像時に一部で疎粒によるライン間のつなが
りが発生してしまったことを意味し、「×」は、現像時
に全体的に疎粒によるライン間のつながりができてしま
ったことを意味する。

【０１１８】

【表８】

【０１１９】表８から、銅粉末の平均粒径が９μｍ未満
の例３３による感光性導体ペーストによれば、現像時に
疎粒によるライン間のつながりが全く無く良好にパター
ン形成を行うことができたことが分かる。これに対し
て、例３４、３５のように、銅粉末の平均粒径が１０μ
ｍ以上の場合、現像時に疎粒によるライン間のつながり
が発生する傾向があったことが分かる。

【０１２０】例３６ガラス粉末の平均粒径を０．２μｍにした以外は例１１
と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１２１】例３７ガラス粉末の平均粒径を０．１μｍにした以外は例１１
と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１２２】例３８ガラス粉末の平均粒径を０．０７μｍにした以外は例１
１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１２３】例３９ガラス粉末の平均粒径を０．０４μｍにした以外は例１
１と同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１２４】以上、例３６〜３９の感光性導体ペースト
について、例１１と同様にして、アルミナ絶縁性基板上
にＬ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターン形成を試み
た。そして、例３６〜３９の感光性導体ペーストによる
塗膜について必要露光量の測定を行った。その測定結果
を下記表９に示す。

【０１２５】

【表９】

【０１２６】表９から、ガラス粉末の平均粒径が０．１
μｍ以上の例３６、３７による感光性導体ペーストによ
れば、必要露光量が５００ｍＪ／ｃｍ²以下であり、極
めて効率よく良好にパターン形成を行うことができたこ
とが分かる。これに対して、例３８、３９のように、ガ
ラス粉末の平均粒径が０．１μｍ未満の場合、必要露光
量が増大する傾向にあったことが分かる。

【０１２７】例４０ガラス粉末の平均粒径を９μｍにした以外は例１１と同
様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１２８】例４１ガラス粉末の平均粒径を１０μｍにした以外は例１１と
同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１２９】例４２ガラス粉末の平均粒径を１１μｍにした以外は例１１と
同様にして感光性導体ペーストを作製した。

【０１３０】以上、例４０〜４２の感光性導体ペースト
について、例１１と同様にして、アルミナ絶縁性基板上
にＬ／Ｓ＝２０／２０（μｍ）のパターン形成を試み
た。そして、例４０〜４２の感光性導体ペーストによる
塗膜について現像性の評価を行った。その評価結果を下
記表１０に示す。なお、下記表１０中の「○」は、現像
時に疎粒によるライン間のつながりがなく、良好にパタ
ーン形成を行うことができたことを意味する。また、表
１０中の「△」は、現像時に一部で疎粒によるライン間
のつながりが発生したことを意味し、「×」は、現像時
に全体的に疎粒によるライン間のつながりができたこと
を意味する。

【０１３１】

【表１０】

【０１３２】表１０から、ガラス粉末の平均粒径が９μ
ｍ未満の例４０の感光性導体ペーストによれば、現像時
に疎粒によるライン間のつながりが全く無く良好にパタ
ーン形成を行うことができたことが分かる。これに対し
て、例４１、４２のように、ガラス粉末の平均粒径が１
０μｍ以上の場合、現像時に疎粒によるライン間のつな
がりが発生してしまったことが分かる。

【０１３３】なお、例２３、２６、２９、３０、３３、
３６、３７及び４０の感光性導体ペーストについて、温
度２０℃下、空気中にて、作製直後、１日後、３日後、
１週間後、１ヶ月後の各時点で保存状態を測定した。そ
の結果、各感光性導体ペーストはいずれの時点において
もゲル化していなかった。すなわち、作製直後、１日
後、３日後、１週間後、１ヶ月後の各時点でも、絶縁性
基板上にスピンコーターによる塗布を行い、かつ、フォ
トリソグラフィ法によるパターン形成を行うことが可能
であった。

【０１３４】例４３ホウ珪酸系ガラス粉末３７．３ｇ、アルミナ粉末２４．
９ｇ、メタクリル酸／メタクリル酸メチルの共重合割合
が重量基準で２５／７５の共重合体（重量平均分子量＝
５０，０００）６．２ｇ、エタノール３．１ｇ、及び、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル０．５ｇを
混合して得られたスラリーを、ドクターブレード法によ
ってシート状に成形し、１００℃下、１時間乾燥させて
シート厚み３０μｍのセラミックグリーンシートを得
た。

【０１３５】次いで、例１１の感光性導体ペーストを用
い、例１１と同様の方法で、Ｌ／Ｓ＝２０／２０（μ
ｍ）のパターンを、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム上に形成した。次いで、このＰＥＴフィル
ムを上記セラミックグリーンシートと重ね合わせ、１０
ＭＰａ、６０℃の条件下で１分間熱プレスを行った後、
ＰＥＴフィルムを剥離することによって、パターンをグ
リーンシート上へ熱転写した。そして、これを９００℃
下、空気中で焼成し、Ｌ／Ｓ＝１０／３０（μｍ）の導
体パターンが形成されたアルミナ基板を得ることができ
た。

【０１３６】例４４例４３と同様の方法でパターン形成されたセラミックグ
リーンシートを５枚作成した。次いで、これらのセラミ
ックグリーンシートを重ね合わせ、２００ＭＰａ、６０
℃の条件下で１分間熱プレスを行った。そして、これを
９００℃下、空気中で焼成し、Ｌ／Ｓ＝１０／３０（μ
ｍ）の導体パターンを内蔵した多層アルミナ基板を得る
ことができた。

【０１３７】例４５例４３と同様にして作製したパターン形成されたＰＥＴ
フィルムに、おなじく例４３と同様のスラリーをドクタ
ーブレード法によって塗布した。これを５０℃下、１時
間乾燥した後、１０ＭＰａ、６０℃の条件下で１分間熱
プレスを行って、ＰＥＴフィルムを剥離した。そして、
これを９００℃下、空気中で焼成して、Ｌ／Ｓ＝１０／
３０（μｍ）の導体パターンが形成された多層アルミナ
基板を得ることができた。

【０１３８】例４６メタクリル酸／メタクリル酸メチルの共重合割合が重量
基準で２５／７５の共重合体（重量平均分子量＝５０，
０００）１０．０ｇ、ホウ珪酸系ガラス粉末１０．０
ｇ、銅粉末（平均粒径３μｍ）：１５．０ｇ、及び、ジ
プロピレングリコールモノメチルエーテル０．５ｇを混
合後、３本ロールミルによる混練を行い、導体ペースト
を作製した。

【０１３９】次いで、上記組成の導体ペーストを用いて
アルミナ絶縁性基板上にスクリーン印刷法によってパタ
ーンを形成し、これを１００℃にて１時間乾燥して、Ｌ
／Ｓ＝１００／１００（μｍ）のパターンを形成した。
次いで、このアルミナ絶縁性基板を２４時間放置した
後、９００℃、Ｎ₂雰囲気中で焼成して、Ｌ／Ｓ＝８０
／１２０（μｍ）の導体パターンを形成した。

【０１４０】なお、本例による導体ペーストを、温度２
０℃、空気中にて、作製直後、１日後、３日後、１週間
後、１ヶ月後の各時点での保存状態を測定した。その結
果、本例による導体ペーストはいずれの時点においても
ゲル化していなかった。すなわち、作製直後、１日後、
３日後、１週間後、１ヶ月後の各時点で、基板上にスク
リーン印刷による塗膜形成を行うことが可能であった。

【０１４１】

【発明の効果】本発明の導体ペーストによれば、酸性官
能基を有する有機バインダ、ガラス及び／又はセラミッ
クからなる無機粉末、並びに、導電性金属粉末を混合し
てなる導体ペースト中に沸点１７８℃以上のモノオール
化合物を含有しているので、塗布前のペースト状態、塗
布・乾燥後の塗膜状態のいずれにおいてもゲル化の発生
を十分に抑制することができ、また、基板との密着力が
高く、微細かつ厚膜の導体パターンを形成できる。

【０１４２】特に、本発明の導体ペーストにさらに感光
性有機成分を含有してなる感光性導体ペーストによれ
ば、塗布前のペースト状態、塗布・乾燥後の塗膜状態の
いずれにおいてもゲル化の発生を十分に抑制できると共
に、フォトリソグラフィ法における現像処理を安定して
実施し、極めて微細かつ厚膜の導体パターンを高精度に
形成できる。

【０１４３】また、本発明の回路基板によれば、絶縁性
基板上に本発明の導体ペーストによる所望のパターンを
形成し、これを焼成してなる導体パターンを有している
ので、基板との密着力が高く、微細かつ厚膜の導体パタ
ーンを形成でき、ひいては、高密度配線化、高速信号化
を達成した回路基板を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/12 ６１０Ｈ０５Ｋ 3/12 ６１０Ｇ５Ｇ３０１ 3/46 3/46 ＳＦターム(参考） 2H025 AA00 AA14 AB15 AC01 AD01 BA03 BC31 BC51 BE07 CA01 CB13 CB14 CB43 CC03 CC08 CC09 CC20 FA03 FA17 FA29 4E351 BB01 BB31 CC12 CC17 CC22 DD04 DD05 DD06 DD10 DD17 DD19 DD20 DD31 DD37 DD38 DD41 DD45 DD47 DD52 EE02 EE11 EE13 EE24 GG02 GG16 4J038 CG031 CG141 EA011 GA06 HA066 HA486 KA06 KA20 NA18 NA20 5E343 AA23 BB23 BB24 BB25 BB28 BB39 BB40 BB44 BB48 BB49 BB72 BB74 BB80 DD01 EE42 EE52 GG02 GG08 5E346 CC17 CC18 CC31 CC32 CC34 CC35 CC36 CC37 CC38 CC39 DD31 DD34 EE24 GG06 5G301 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA09 DA10 DA11 DA12 DA14 DA32 DA34 DA35 DA36 DA38 DA42 DD01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸性官能基を有する有機バインダ、ガラ
ス及び／又はセラミックからなる無機粉末、並びに、導
電性金属粉末を混合してなり、少なくとも前記無機粉
末、前記導電性金属粉末のいずれか一方が多価金属を含
む導体ペーストであって、前記導体ペースト中に沸点１
７８℃以上のモノオール化合物を含有していることを特
徴とする、導体ペースト。
【請求項２】前記導電性金属粉末は、金、銀、銅、白
金、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、モリブデ
ン、タングステンからなる群より選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする、請求項１に記載の導体ペー
スト。
【請求項３】前記導体ペーストの前記無機粉末及び前
記導電性金属粉末の体積分率は、３０％以上、９０％未
満であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の導
体ペースト。
【請求項４】前記導体ペーストには、さらに感光性有
機成分が含まれていることを特徴とする、請求項１に記
載の導体ペースト。
【請求項５】前記導電性金属粉末の平均粒径は、０．
１μｍ以上、１０μｍ未満であることを特徴とする、請
求項４に記載の導体ペースト。
【請求項６】前記無機粉末の平均粒径は、０．１μｍ
以上、１０μｍ未満であることを特徴とする、請求項４
に記載の導体ペースト。
【請求項７】前記導体ペーストには、さらに紫外線吸
収剤が含まれていることを特徴とする、請求項４に記載
の導体ペースト。
【請求項８】前記有機バインダは、側鎖にカルボキシ
ル基を有するアクリル系共重合体であることを特徴とす
る、請求項１又は４に記載の導体ペースト。
【請求項９】前記導体ペーストの溶液部分に溶出して
いる前記多価金属のイオンに対して、前記モノオール化
合物が２倍モル以上含有されていることを特徴とする、
請求項１又は４に記載の導体ペースト。
【請求項１０】前記導体ペーストには、さらに有機溶
剤が含まれており、前記モノオール化合物と前記有機溶
剤との合計量のうち、前記モノオール化合物が１０〜９
２重量％占めていることを特徴とする、請求項１又は４
に記載の導体ペースト。
【請求項１１】基板上に、請求項１乃至１０のいずれ
かに記載の導体ペーストを用いて所望のパターンを形成
し、これを焼成してなることを特徴とする、回路基板。