JP2000137996A - メモリicテストシステム - Google Patents

メモリicテストシステム

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JP2000137996A
JP2000137996A JP10309197A JP30919798A JP2000137996A JP 2000137996 A JP2000137996 A JP 2000137996A JP 10309197 A JP10309197 A JP 10309197A JP 30919798 A JP30919798 A JP 30919798A JP 2000137996 A JP2000137996 A JP 2000137996A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
measured
memory
test
memory device
scan
Prior art date
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Pending
Application number
JP10309197A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Ishikawa
貴之 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ando Electric Co Ltd filed Critical Ando Electric Co Ltd
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Priority to DE1999151750 priority patent/DE19951750A1/de
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/30Accessing single arrays
    • G11C29/32Serial access; Scan testing

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリデバイスのテスト時間を短縮する。 【解決手段】 被測定メモリデバイス5へ印加するパタ
ーンを発生するパターン発生器1と、任意の被測定メモ
リデバイス5をイネーブル選択するためのスキャン信号
を発生するスキャン選択回路3と、被測定メモリデバイ
ス5の出力から、このデバイスの良否を判定し、判定結
果を格納する判定レジスタ回路4とを有するメモリIC
テストシステムにおいて、前記スキャン選択回路3は、
前記被測定メモリデバイス5への書き込み時には、全メ
モリデバイス5をイネーブル選択し、前記被測定メモリ
デバイス5からの読み出し時には、分割されたメモリデ
バイス群を順次イネーブル選択するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、多数の被測定メ
モリデバイスのテストを同時に行うテストバーンインテ
ストシステム(以下TBT装置と記す)に関する。
【0002】
【従来の技術】テストバーンインテストにおいては、多
数の被測定デバイスを同一の条件下に置き、同一の入力
を与えてテストを行う。従来のTBT装置でメモリIC
を測定する場合の構成を図3に示す。
【0003】パターン発生器1は、被測定デバイス5
へ、アドレスおよび書き込みデータを送信する。タイミ
ング発生器2は、被測定デバイス5へ、汎用クロック信
号を送信する。また、サイクルレート信号を前記パター
ン発生器1へ出力する。また、判定ストローブ信号を判
定レジスタ回路4へ出力する。また、スキャンクロック
信号をスキャン選択回路3へ出力する。
【0004】スキャン選択回路3は、ブロックに分けら
れた被測定デバイス5を順次イネーブルとする、すなわ
ちScan1からScanxまでを順次イネーブルとする回路を有
する。判定レジスタ回路4は、パターン発生器1からの
期待値データと被測定デバイス出力とを比較し、比較結
果をタイミング発生器2からの判定ストローブ信号によ
り記憶する。コントローラ6は、テストの開始時に、各
部へイニシャルデータを転送し、テスト終了後、データ
を格納する。また、システム全体のシーケンスを制御す
る。
【0005】この従来例におけるテストパターン実行フ
ローを図4に示す。文中のS1〜S8は図中のステップ
を示す。測定は、多数の被測定メモリデバイスをブロッ
クに分け、このブロック毎に行う。まず、テストシステ
ムおよび被測定メモリデバイスをイニシャライズする
(S1)。次に、多数の被測定メモリデバイスの中か
ら、測定を行うブロックのデバイスをイネーブル選択し
(S2)、このブロックにテストパターンを送信し(S
3)、デバイスへの書き込みを行う。次に、デバイスか
ら、書き込まれたデータの読み出しを行い、読み出され
たデータが正しいものであるか否かを判定する(S
4)。以上でこのブロックのテストを終了し(S5)、
判定レジスタ回路4のデータをコントローラ6に格納す
る(S6)。
【0006】次に、別のブロックを測定するために、ス
キャン設定のステップへ戻り(S7,S2)、別のブロ
ックをイネーブル選択し、同様のテストを行う。上記の
動作を繰り返し、全てのブロックのデバイスの測定が終
了したら、次のテストシーケンスへ進む(S8)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、メモリデバ
イスは年々記憶容量が増大しており、これに比例して、
デバイスの良否を判定するテスト時間も増大している。
特に、テストバーンインテストのように多数のメモリデ
バイスを測定するテストでは、そのテスト時間は膨大な
ものになる。
【0008】そこで、この発明は、メモリデバイスのテ
スト時間を短縮することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、被測定メモリデバイスへ印加するパターンを発生す
るパターン発生器と、任意の被測定メモリデバイスをイ
ネーブル選択するためのスキャン信号を発生するスキャ
ン選択回路と、被測定メモリデバイスの出力から、この
デバイスの良否を判定し、判定結果を格納する判定レジ
スタ回路とを有するメモリICテストシステムにおい
て、前記スキャン選択回路は、前記被測定メモリデバイ
スへの書き込み時には、全メモリデバイスをイネーブル
選択し、前記被測定メモリデバイスからの読み出し時に
は、分割されたメモリデバイス群を順次イネーブル選択
することを特徴とするメモリICテストシステムであ
る。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態の構成を図1
に示す。パターン発生器1は、被測定デバイス5へ、ア
ドレスおよび書き込みデータを送信する。また、Write
/Read信号とスキャン切り換えトリガ信号をスキャン選
択回路3へ出力する。
【0011】タイミング発生器2は、被測定デバイス5
へ、汎用クロック信号を送信する。また、サイクルレー
ト信号を前記パターン発生器1へ出力する。また、判定
ストローブ信号を判定レジスタ回路4へ出力する。ま
た、スキャンクロック信号をスキャン選択回路3へ出力
する。
【0012】スキャン選択回路3は、パターン発生器1
からのWrite/Read信号により、全ての被測定デバイス
5を選択する、すなわちScan1〜ScanXの全スキャンをイ
ネーブルとする回路と、パターン発生器1からのスキャ
ン切り換えトリガ信号により、ブロックに分けられた被
測定デバイス5を順次イネーブルとする回路とを有す
る。
【0013】判定レジスタ回路4は、パターン発生器1
からの期待値データと被測定デバイス出力とを比較し、
比較結果をタイミング発生器2からの判定ストローブ信
号により記憶し、パターン発生器1からのスキャン切り
換えトリガ信号により判定レジスタを切り換える回路を
有する。コントローラ6は、テストの開始時に、各部へ
イニシャルデータを転送し、テスト終了後、データを格
納する。また、システム全体のシーケンスを制御する。
【0014】図2は、本実施形態のフローである。文中
のS9〜S15は図中のステップを表す。最初に、コン
トローラ6によって、このテストシステム全体および被
測定メモリデバイス5がイニシャライズされる(S
9)。次に、コントローラ6によって、パターン発生器
1から被測定デバイス5へデータが書き込まれる時に
は、全ての被測定デバイス5をイネーブルとし、被測定
デバイス5から判定レジスタ4へデータが読み出される
時には、ブロック分けされた被測定デバイス5を順次イ
ネーブルとするようスキャン選択回路3がセットされる
(S10)。
【0015】そして、パターン発生器1はテストパター
ンをスタートさせ(S11)、書き込みサイクル時に
は、スキャン選択回路3は全スキャンScan1〜ScanXをイ
ネーブルとし、パターン発生回路1は全ての被測定デバ
イス5に同時に書き込みを行う。そして、読み出しサイ
クル時には、スキャン選択回路3はイネーブルとするブ
ロックを順次切り替え、ブロック数と同じ回数スキャン
を実行し、判定レジスタ回路4は読み出しおよび判定を
繰り返し実行する(S12)。テスト終了(S13)
後、コントローラ6は、判定レジスタ回路4のデータを
取り込んでこのコントローラ6内へ格納し(S14)、
シーケンスを次のテストシーケンスへ移行させる(S1
5)。
【0016】
【発明の効果】この発明によれば、被測定メモリデバイ
スの書き込みサイクルにおいては全デバイスに対して同
時に書き込みを行い、読み出しサイクルにおいてはブロ
ック毎に切り替えを行うので、テスト時間を短縮するこ
とができる。また、この発明は、今後メモリデバイスの
記憶容量が大きくなるのに従って、より大きな効果を発
揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるメモリICテストシステムの構
成図。
【図2】 本発明によるメモリICテストシステムの動
作を示すフローチャート。
【図3】 従来技術によるメモリICテストシステムの
構成図。
【図4】 従来技術によるメモリICテストシステムの
動作を示すフローチャート。
【符号の説明】
1 パターン発生器 2 タイミング発生器 3 スキャン選択回路 4 判定レジスタ回路 5 被測定デバイス(被測定メモリデバイス) 6 コントローラ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定メモリデバイスへ印加するパター
    ンを発生するパターン発生器と、 任意の被測定メモリデバイスをイネーブル選択するため
    のスキャン信号を発生するスキャン選択回路と、 被測定メモリデバイスの出力から、このデバイスの良否
    を判定し、判定結果を格納する判定レジスタ回路とを有
    するメモリICテストシステムにおいて、 前記スキャン選択回路は、前記被測定メモリデバイスへ
    の書き込み時には、全メモリデバイスをイネーブル選択
    し、前記被測定メモリデバイスからの読み出し時には、
    分割されたメモリデバイス群を順次イネーブル選択する
    ことを特徴とするメモリICテストシステム。
JP10309197A 1998-10-29 1998-10-29 メモリicテストシステム Pending JP2000137996A (ja)

Priority Applications (2)

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JP10309197A JP2000137996A (ja) 1998-10-29 1998-10-29 メモリicテストシステム
DE1999151750 DE19951750A1 (de) 1998-10-29 1999-10-27 Testsystem für Speicher-IC

Applications Claiming Priority (1)

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DE (1) DE19951750A1 (ja)

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