JP2000124122A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124122A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Canon Inc 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法
US6277765B1 (en) * 1999-08-17 2001-08-21 Intel Corporation Low-K Dielectric layer and method of making same
JP3870058B2 (ja) * 2001-10-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 スキャン露光装置及び方法並びにデバイスの製造方法
KR100577559B1 (ko) * 2003-12-03 2006-05-08 삼성전자주식회사 반도체소자 제조설비의 웨이퍼 척 조명장치
DE102004050642B4 (de) * 2004-10-18 2007-04-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Überwachung von Parametern eines Belichtungsgerätes für die Immersionslithographie und Belichtungsgerät für die Immersionslithographie
KR20080015778A (ko) * 2005-06-29 2008-02-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 기판 처리 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP2007311734A (ja) * 2005-06-29 2007-11-29 Nikon Corp 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US20080126014A1 (en) * 2006-08-22 2008-05-29 Yuanting Cui Statistical method and automated system for detection of particulate matter on wafer processing chucks
TWI462164B (zh) * 2009-11-13 2014-11-21 Inotera Memories Inc 清潔晶圓載盤的方法
US8654325B2 (en) * 2011-07-05 2014-02-18 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium having program for executing the substrate processing method stored therein
KR102532040B1 (ko) 2015-04-09 2023-05-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이물 제거 장치, 이물 제거 방법, 박리 장치, 이물 검출 방법 및 이물 검출 장치
JP6450633B2 (ja) * 2015-04-09 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 異物検出方法、異物検出装置および剥離装置
JP7114370B2 (ja) * 2018-06-29 2022-08-08 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
JP7353190B2 (ja) * 2020-01-10 2023-09-29 東京エレクトロン株式会社 載置台における異物の検出方法、及び、検出装置
DE112021004238T5 (de) * 2020-08-11 2023-06-01 Asml Netherlands B.V. Verfahren und vorrichtung zum identifizieren von verunreinigungen in einer halbleiterfabrik

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61287229A (ja) 1985-06-14 1986-12-17 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法
US4893932A (en) * 1986-05-02 1990-01-16 Particle Measuring Systems, Inc. Surface analysis system and method
JPS636511A (ja) * 1986-06-27 1988-01-12 Hitachi Ltd 自動焦点調整装置
JPH01264220A (ja) 1988-04-14 1989-10-20 Mitsubishi Electric Corp 縮小投影露光装置
US5218415A (en) * 1988-05-31 1993-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Device for optically detecting inclination of a surface
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH02122613A (ja) 1988-11-01 1990-05-10 Nec Kyushu Ltd 縮小投影型露光装置
US5124562A (en) * 1989-01-27 1992-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method at a predetermined and plurality of adjacent points
JP2829642B2 (ja) * 1989-09-29 1998-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
US5162867A (en) * 1990-01-26 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Surface condition inspection method and apparatus using image transfer
JP3158446B2 (ja) * 1990-12-13 2001-04-23 株式会社ニコン 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法
JP3336436B2 (ja) * 1991-04-02 2002-10-21 株式会社ニコン リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法
JPH05299321A (ja) * 1992-02-19 1993-11-12 Nikon Corp 投影型露光装置
JP3099535B2 (ja) * 1992-07-08 2000-10-16 キヤノン株式会社 表面状態検査装置
DE69329611T2 (de) * 1992-08-19 2001-05-03 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur Registrierung mittels eines projizierenden optischen System, Belichtungsapparat zu dessen Durchführung und sowie Halbleiter-Herstellungsverfahren das diesen Belichtungsapparat verwendet
US5559582A (en) * 1992-08-28 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3211491B2 (ja) * 1993-06-07 2001-09-25 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いた半導体製造方法並びに装置
KR0139039B1 (ko) * 1993-06-30 1998-06-01 미타라이 하지메 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법
JPH0737772A (ja) 1993-07-16 1995-02-07 Fujitsu Ltd ステッパとその露光方法
JP3453818B2 (ja) * 1993-11-08 2003-10-06 株式会社ニコン 基板の高さ位置検出装置及び方法
US6118515A (en) 1993-12-08 2000-09-12 Nikon Corporation Scanning exposure method
JP3521543B2 (ja) 1994-05-18 2004-04-19 株式会社ニコン 走査露光方法及び装置
JP3401769B2 (ja) * 1993-12-28 2003-04-28 株式会社ニコン 露光方法、ステージ装置、及び露光装置
JP3500618B2 (ja) * 1994-03-28 2004-02-23 株式会社ニコン 走査型露光装置
JPH0864518A (ja) * 1994-06-14 1996-03-08 Canon Inc 露光方法
JPH0815169A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Canon Inc 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法
US6018384A (en) * 1994-09-07 2000-01-25 Nikon Corporation Projection exposure system
JPH08145645A (ja) * 1994-11-28 1996-06-07 Nikon Corp 傾き検出装置
US5777744A (en) * 1995-05-16 1998-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure state detecting system and exposure apparatus using the same
US5737063A (en) * 1995-07-11 1998-04-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3634068B2 (ja) 1995-07-13 2005-03-30 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JPH0936033A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Sony Corp 半導体露光装置
NZ272994A (en) * 1995-09-12 2001-06-29 C G Surgical Ltd Spinal prosthesis device which stabilises lamina after laminoplasty
JPH09237752A (ja) * 1996-03-01 1997-09-09 Nikon Corp 投影光学系の調整方法及び該方法を使用する投影露光装置
JPH09320921A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nikon Corp ベースライン量の測定方法及び投影露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US6411387B1 (en) * 1996-12-16 2002-06-25 Nikon Corporation Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method
US5978078A (en) * 1996-12-17 1999-11-02 Texas Instruments Incorporated System and method for detecting particles on substrate-supporting chucks of photolithography equipment
TW448487B (en) * 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
JPH11162832A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
JP3587343B2 (ja) * 1997-12-09 2004-11-10 キヤノン株式会社 面位置検出方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2000124122A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Canon Inc 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法

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