TWI637432B - Foreign matter removing device, foreign matter removing method, peeling device, foreign matter detecting method, and foreign matter detecting device - Google Patents

Foreign matter removing device, foreign matter removing method, peeling device, foreign matter detecting method, and foreign matter detecting device Download PDF

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Abstract

去除附著於吸附保持部之保持面的異物。
實施形態的異物去除裝置，係具備有檢 測部、去除部及移動機構。檢測部，係檢測附著於吸附保持基板之吸附保持部之保持面的異物。去除部，係使用流體去除附著於保持面的異物。移動機構，係使檢測部及去除部移動。又，實施形態的異物去除裝置，係具備有噴出部與吸引部。噴出部，係對吸附保持基板之吸附保持部的保持面噴出流體。吸引部，係配置為鄰接於噴出部，吸引流體。而且，實施形態之的異物檢測方法，係包含有投光工程與受光工程。投光工程，係從傾斜方向對吸附保持基板之吸附保持部的保持面照射光。受光工程，係從傾斜方向對保持面接收照射至保持面之光的反射光。

Description

異物去除裝置、異物去除方法、剝離裝置、異物檢測方法及異物檢測裝置
所揭示的實施形態，係關於異物去除裝置、異物去除方法、剝離裝置、異物檢測方法及異物檢測裝置。
近年來，例如在半導體元件的製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板的大直徑化及薄型化正在發展中。大直徑且薄的半導體基板，係在搬送時或研磨處理時，有發生彎曲或破裂之虞。因此，在將支撐基板貼合於半導體基板而進行補強後，進行TSV(Through-silicon via)程序用之搬送或研磨處理，其後，進行將支撐基板從半導體基板剝離的處理。
例如，在專利文獻1中，係揭示有如以下之技術：使用第1保持部來保持半導體基板，並且使用第2保持部來保持支撐基板，使第2保持部朝遠離半導體基板的方向移動，藉此，將支撐基板從半導體基板剝離。
在此，作為保持半導體基板的第1保持部， 係使用例如多孔性吸盤等的吸附保持部。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-165281號公報
然而，在使半導體基板吸附於吸附保持部之際，當異物附著於吸附保持部的保持面時，會有因該異物造成應力施加至半導體基板而產生破裂等的缺陷之虞。
另外，上述的課題，係不限於將支撐基板從半導體基板剝離的情形，並且可產生於在半導體製造裝置中，將半導體基板保持於吸附保持部之情形的課題。
實施形態的一態樣，係以提供一種可去除附著於吸附保持部之保持面之異物的異物去除裝置、異物去除方法及剝離裝置為目的。
實施形態之一態樣的異物去除裝置，係具備有檢測部、去除部及移動機構。
檢測部，係檢測附著於吸附保持基板之吸附保持部之保持面的異物。去除部，係使用流體去除附著於保持面的 異物。移動機構，係使檢測部及去除部移動。
又，實施形態之一態樣的異物去除裝置，係具備有噴出部與吸引部。噴出部，係對吸附保持基板之吸附保持部的保持面噴出流體。吸引部，係配置為鄰接於噴出部，吸引流體。
而且，實施形態之一態樣的異物檢測方法，係包含有投光工程與受光工程。投光工程，係從傾斜方向對吸附保持基板之吸附保持部的保持面照射光。受光工程，係從傾斜方向對保持面接收照射至保持面之光的反射光。
根據實施形態的一態樣，可去除附著於吸附保持部之保持面的異物。
又，根據實施形態的一態樣，可去除附著於吸附保持部之保持面的異物。
而且，根據實施形態的一態樣，可檢測附著於吸附保持部之保持面的異物。
P‧‧‧異物
V‧‧‧空隙
FL‧‧‧膜
70‧‧‧異物去除裝置
71‧‧‧檢測部
72‧‧‧去除部
73‧‧‧預吸引部
74‧‧‧支撐構件
75‧‧‧移動機構
76‧‧‧支柱構件
77‧‧‧旋轉升降機構
80‧‧‧吸附保持部
81‧‧‧本體部
81a‧‧‧吸附盤
82‧‧‧支柱構件
83‧‧‧旋轉機構
711‧‧‧投光部
712‧‧‧受光部
721‧‧‧噴出部
722‧‧‧吸引部
[圖1]圖1，係表示第1實施形態之異物去除裝置之構成的示意側視圖。
[圖2]圖2，係表示第1實施形態之異物去除裝置之構成的示意平面圖。
[圖3]圖3，係表示檢測部之構成的示意側視圖。
[圖4]圖4，係圖3所示之H部的示意放大圖。
[圖5]圖5，係表示去除部之構成的示意剖面圖。
[圖6]圖6，係表示連接於去除部之機器之構成的示意圖。
[圖7]圖7，係表示異物去除裝置所執行之異物去除處理之處理步驟的流程圖。
[圖8]圖8，係第2實施形態之異物檢測方法的說明圖。
[圖9]圖9，係第2實施形態之異物檢測處理之變形例的說明圖。
[圖10]圖10，係第2實施形態之異物檢測處理之變形例的說明圖。
[圖11]圖11，係表示初期圖像取得處理之處理步驟的流程圖。
[圖12]圖12，係表示變形例之異物檢測處理之處理步驟的流程圖。
[圖13]圖13，係表示第4實施形態之去除部之構成的示意剖面圖。
[圖14]圖14，係表示第5實施形態之異物去除裝置之構成的示意側視圖。
[圖15]圖15，係表示預吸引部之構成的示意剖面圖。
[圖16]圖16，係表示第6實施形態之剝離裝置之構 成的示意平面圖。
[圖17]圖17，係保持於切割框之重合基板的示意側視圖。
[圖18]圖18，係表示第7實施形態之剝離裝置之構成的示意側視圖。
[圖19]圖19，係表示第7實施形態之剝離裝置之構成的示意側視圖。
[圖20]圖20，係表示第7實施形態之異物檢測處理之動作例的圖。
[圖21]圖21，係表示第7實施形態之異物檢測處理之動作例的圖。
[圖22]圖22，係表示第7實施形態之異物檢測處理之動作例的圖。
以下，參閱添附圖面，詳細地說明本申請案所揭示之異物去除裝置、異物去除方法及剝離裝置的實施形態。另外，該發明並不受下述所示的實施形態所限定。
(第1實施形態) <異物去除裝置之全體構成>
首先，參閱圖1及圖2，說明第1實施形態之異物去除裝置的全體構成。圖1，係表示第1實施形態之異物去除裝置之構成的示意側視圖。又，圖2，係表示第1實施 形態之異物去除裝置之構成的示意平面圖。另外，在下述中，係為了明確位置關係，而規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示的異物去除裝置70，係檢測附著於吸附保持半導體基板(以下，僅記載為「基板」)之吸附保持部80之保持面的異物，並進行去除。
吸附保持部80，係例如多孔性吸盤，具備有本體部81、支柱構件82及旋轉機構83。
本體部81，係具備有吸附盤81a。吸附盤81a，係具有與基板相同或比其稍大的徑，並接觸於基板之下面的大致整面。吸附盤81a，係以例如碳化矽或多孔陶瓷、多孔質鐵氟龍(註冊商標)等的多孔介質來形成。
在本體部81的內部，係形成有經由吸附盤81a而與外部連通的吸引空間81b。吸引空間81b，係經由吸氣管84與真空泵等的吸氣裝置85連接。該吸附保持部80，係利用藉由吸氣裝置85之吸氣而產生的負壓，使基板吸附於吸附盤81a。
支柱構件82，係延伸於垂直方向的構件，在前端部支撐本體部81。旋轉機構83，係使支柱構件82繞垂直軸旋轉。藉此，支撐於支柱構件82的本體部81，係一體地進行旋轉。
異物去除裝置70，係具備有：檢測部71，檢測吸附盤81a上的異物；及去除部72，去除吸附盤81a上 的異物。
如圖2所示，去除部72，係具備有噴出部721與吸引部722。噴出部721，係從噴出口723對吸附保持部80的吸附盤81a噴出流體。又，吸引部722，係配置為鄰接於噴出部721，從吸引口724吸引自噴出部721所噴出的流體。該些檢測部71及去除部72之具體的構成，係如後述。
又，異物去除裝置70，係具備有支撐構件74、移動機構75、支柱構件76及旋轉升降機構77。支撐構件74，係沿著水平方向延伸，從上方支撐檢測部71及去除部72。
移動機構75，係例如設置於支撐構件74的基端部，沿著設置於支撐構件74之未圖示的導軌，使檢測部71及去除部72直線移動。
支柱構件76，係沿著垂直方向延伸，在前端部支撐移動機構75。旋轉升降機構77，係使支柱構件76繞垂直軸旋轉。又，旋轉升降機構77，係使支柱構件76沿著垂直方向升降。
異物去除裝置70及吸附保持部80，係連接於控制裝置60。控制裝置60，係例如電腦，具備有控制部61與記憶部62。在記憶部62中，係儲存有控制在異物去除裝置70或吸附保持部80所執行之各種處理的程式。控制部61，係例如CPU(Central Processing Unit)，藉由讀出並執行記憶於記憶部62之程式的方式，控制異物去 除裝置70及吸附保持部80的動作。
另外，該程式，係亦可為記錄於可藉由電腦讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體安裝於控制裝置60的記憶部62者。作為可藉由電腦讀取的記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。另外，控制部61，係亦可不使用程式而僅以硬體來構成。
<檢測部之構成>
其次，參閱圖3及圖4，說明異物去除裝置70所具備之檢測部71的構成。圖3，係表示檢測部71之構成的示意側視圖。又，圖4，係圖3所示之H部的示意放大圖。
如圖3所示，檢測部71，係具備有投光部711與受光部712。檢測部71，係在使投光部711及受光部712相對於吸附盤81a之表面而以預定角度傾斜的狀態下，予以支撐於支撐構件74(參閱圖1)。
投光部711，係從傾斜方向對吸附盤81a的表面照射光。作為投光部711，係例如可使用環型照明。作為環型照明的投光部711，係具備有：複數個發光元件，環狀地配置於受光部712所具備之透鏡712a的周圍。可藉由使用像這樣之投光部711的方式，均等地照明檢測對象區域。
又，受光部712，係例如CCD(Charge Coupled Device)攝像機。該受光部712，係在透鏡712a之光軸相對於吸附盤81a而以預定角度傾斜的狀態下予以支撐，藉由從傾斜方向對吸附盤81a接收照射至吸附盤81a之光之反射光的方式，對吸附盤81a上的對象區域進行拍攝。藉由受光部712拍攝到的圖像，係被輸出至控制部61。而且，控制部61，係根據從受光部712所取得的攝像圖像，檢測存在於吸附盤81a上的異物。
在此，如圖4所示，由於吸附盤81a，係多孔介質，因此，具有多數個空隙V。因此，當從垂直方向對吸附盤81a照射光時，光會因空隙V發生漫反射，而容易造成圖像解析時的雜訊。又，在從垂直方向對吸附盤81a進行拍攝時，由於是平面地拍攝異物P，因此，難以判別是異物P或吸附盤81a的多孔質構造。如此一來，在從垂直方向對吸附盤81a的影像及攝像中，係難以精度良好地檢測存在於多孔介質即吸附盤81a上的異物P。
相對於此，由於第1實施形態的檢測部71，係從傾斜方向對吸附盤81a照射光，因此，可減低空隙V所造成的漫反射。又，由於第1實施形態的檢測部71，係從傾斜方向對吸附盤81a進行拍攝，因此，容易判別具有預定高度尺寸而存在於吸附盤81a上之異物P與吸附盤81a的多孔質構造。
因此，可根據第1實施形態的檢測部71，精度良好地檢測存在於多孔介質即吸附盤81a上的異物P。另外，相對於投光部711及受光部712之吸附盤81a的傾 斜角度，係45度以下為較佳。
<去除部之構成>
其次，參閱圖5，說明去除部72的構成。圖5，係表示去除部72之構成的示意剖面圖。如圖5所示，去除部72，係具備有：噴出部721，對吸附盤81a噴出流體；及吸引部722，吸引從噴出部721所噴出的流體。
在此，作為從吸附盤81a去除異物P的方法，雖係考慮使用吸引力來吸取異物P的方法，但在異物P之附著力較強的情況下，會難以去除。又，雖亦考慮噴射氣體來吹走異物P的方法，但由於是將異物P朝周圍吹走，因此，有周圍被污染，或再附著於吸附盤81a之虞，皆無法說是去除效率高。
因此，第1實施形態的去除部72，係藉由從噴出部721所噴出之流體的力與吸引部722所致之吸引力的加乘效果，去除吸附盤81a上的異物P。
具體而言，第1實施形態的去除部72，係配置為鄰接噴出部721與吸引部722。藉此，可形成從噴出部721至吸引部722的流動。藉由該流動，可對異物P同時地施加從側方所推壓的力與吸起至上方的力。因此，可將異物P從吸附盤81a強力地剝離。又，在僅噴出部721時，雖係有將異物P朝周圍吹走之虞，但亦能夠以吸引部722吸引異物P的方式，防止從吸附盤81a去除的異物P朝周圍吹走。
又，由於吸附盤81a為多孔質，因此，有時從噴出部721所噴出的流體會進入空隙V，而形成有從異物P之下側朝向吸引部722的流動。在該情況下，可更強力地從吸附盤81a去除異物P。
噴出部721的噴出口723及吸引部722的吸引口724，係具有沿著去除部72之移動方向延伸的縫隙形狀(參閱圖2)。又，吸引口724的開口面積(縫隙寬度L1)，係形成為大於噴出口723的開口面積(縫隙寬度L2)。藉由設成為該構成的方式，可一面提升從噴出口723所噴出之流體的流速，一面抑制異物P堵塞於吸引口724。另外，噴出部721所噴出之流體的流量與吸引部722所吸引之流體的流量，係設成為相同。
另外，在將異物P的最大高度尺寸假定為300μm時，吸引口724的縫隙寬度L1，係設定為例如2mm左右，噴出口723的縫隙寬度L2，係設定為例如0.5~1mm左右。又，噴出口723與吸引口724之間的間隔L3，係設定為例如1mm左右。
又，噴出口723及吸引口724與吸附盤81a的間隙G1，係大於所假定之異物P的最大高度尺寸為較佳。在將異物P的最大高度尺寸假定為300μm時，間隙G1，係設定為例如300μm~2mm左右。另外，吸附盤81a與檢測部71的間隙，係設定為大於上述間隙G1。
另外，在此，雖係表示噴出口723及吸引口724具有縫隙形狀時的例子，但噴出口723及吸引口 724，係不必非得為縫隙形狀。例如，噴出口723及吸引口724，係亦可以連續的複數個孔來構成。在該情況下，形成為吸引口724之孔的徑，係大於異物P的最大尺寸為較佳。
其次，參閱圖6，說明連接於去除部72之機器的構成。圖6，係表示連接於去除部72之機器之構成的示意圖。
如圖6所示，在噴出部721中，係連接有流體供給管41，在流體供給管41中，係連接有：氣體供給源42，供給乾空氣或N2氣體等的氣體；及電離器等的除電部43，使從氣體供給源42所供給的氣體離子化。又，在流體供給管41中，係設置有開關閥44或未圖示的流量調整部。
又，在流體供給管41的中途部，係連接有分歧管45，在分歧管45中，係連接有供給純水、醇、有機溶劑(例如P-薄荷烷等之基板貼合用的黏著劑類)等之液體的液體供給源46。又，在分歧管45中，係設置有開關閥47或未圖示的流量調整部。
如此一來，在噴出部721中，係連接有氣體供給源42與液體供給源46。而且，噴出部721，係可藉由控制部61控制開關閥44，47或未圖示之流量調整部的方式，對吸附盤81a選擇性地噴出氣體或液體。
若為固態且附著力較弱的異物P時，可使用氣體充分地進行去除。又，藉由除電部43使氣體離子 化，藉此，可提升帶電之異物P的去除效率。
另一方面，若為附著力較強的異物P時，係使用液體為較佳。由於液體，係比重高於氣體，因此，可使朝異物P之橫方向之流動所伴隨的去除力大幅地增加。特別是，若為多孔介質即吸附盤81a時，由於是以滲入至吸附盤81a的液體覆蓋異物P之下面的方式，可經由液體而將吸引部722所致之吸引力直接施加至異物P，因此，可使異物P的去除力提升。又，只要使用醇或IPA等之揮發性高的液體，則可即時乾燥吸附盤81a。
在吸引部722中，係連接有吸引管51，在吸引管51中，係連接有捕集槽52。在捕集槽52中，係連接有排出管53，在排出管53中，係設置有開關閥54。又，在捕集槽52中，係連接有吸引管55，在吸引管55中，係連接有真空泵等的吸引機構56。吸引部722，係如上述所構成，藉由吸引部722所吸引的異物P或液體，係會被捕捉於捕集槽52，從排出管53排出。
<異物去除裝置之具體動作>
其次，參閱圖7，說明異物去除裝置70的具體動作。圖7，係表示異物去除裝置70所執行之異物去除處理之處理步驟的流程圖。另外，如圖7所示的各處理步驟，係藉由控制部61控制異物去除裝置70及吸附保持部80的方式，來予以執行。
如圖7所示，控制部61，係控制吸附保持部 80的旋轉機構83，使吸附保持部80的本體部81旋轉(步驟S101)。接著，控制部61，係控制異物去除裝置70的旋轉升降機構77，使檢測部71及去除部72位於吸附盤81a的外周部。又，控制部61，係以使從吸附盤81a至去除部72之距離成為間隙G1(參閱圖5)的方式，控制旋轉升降機構77，調整支撐構件74的高度。而且，控制部61，係控制移動機構75，開始從吸附盤81a之外周部朝中央部之檢測部71及去除部72的移動(掃描)(步驟S102)。另外，檢測部71，係在步驟S102中之掃描方向，配置於去除部72的前方側。
如此一來，可藉由一面使吸附保持部80的本體部81旋轉，一面使檢測部71及去除部72從吸附盤81a之外周部朝向中央部移動的方式，在吸附盤81a之整面進行異物P的檢測及去除。又，以並行地進行異物P之檢測與去除的方式，可縮短異物P之檢測及去除所需要的處理時間。
如圖2所示，去除部72，係噴出部721及吸引部722並排配置於與移動機構75所致之移動方向正交的方向。而且，去除部72，係相對於吸附盤81a的旋轉方向，吸引部722被配置於比噴出部721更前方側。由於是藉由設成為該配置的方式，對從噴出部721朝向吸引部722之流動(圖2中，係從上方朝向下方的流動)的力施加吸附盤81a之旋轉力，因此，可藉由該些力的加乘效果，更有效地去除吸附盤81a上的異物P。另外，步驟 S101及S102的處理，係亦可同時開始。
接著，控制部61，係判定是否藉由檢測部71檢測到具有間隙G1(參閱圖5)以上之尺寸的異物P(步驟S103)。而且，在判定為檢測到具有間隙G1以上之尺寸的異物P時(步驟S103，Yes)，控制部61，係控制移動機構75，停止檢測部71及去除部72的掃描(步驟S104)。藉此，可防止去除部72與異物P發生衝突。
另外，控制部61，係亦可在判定為檢測到具有間隙G1以上之尺寸的異物P時，使去除部72上升。藉此，可一面防止去除部72與異物P的衝突，一面以去除部72去除該異物P。又，控制部61，係亦可發出警報。
另一方面，在未檢測到具有間隙G1以上之尺寸的異物P時(步驟S103，No)，控制部61，係判定檢測部71及去除部72是否已到達吸附盤81a的中央部(步驟S105)。在該判定中，在檢測部71及去除部72未到達吸附盤81a的中央部時(步驟S105，No)，控制部61，係重複步驟S103~S105的處理，直至檢測部71及去除部72到達吸附盤81a的中央部。
而且，當控制部61判定為檢測部71及去除部72已到達吸附盤81a的中央部(步驟S105，Yes)時，將藉由檢測部71檢測到之吸附盤81a整面中之異物P的檢測結果取得作為「初期異物資訊」(步驟S106)，並將所取得的初期異物資訊記憶於記憶部62。
接著，控制部61，係控制移動機構75，使檢測部71及去除部72從吸附盤81a的中央部朝外周部移動(背面掃描(back scan)(步驟S107)。如此一來，異物去除裝置70，係藉由使檢測部71及去除部72在吸附盤81a之外周部及中央部間往復移動的方式，在去程及回程兩者中，進行異物P的檢測及去除。
在此，控制部61，係亦可在使檢測部71及去除部72移動(掃描及背面掃描)時，因應於吸附盤81a上的位置，改變檢測部71及去除部72的移動速度。具體而言，控制部61，係亦可控制移動機構75，使吸附保持部80的中央部中之檢測部71及去除部72的移動速度比吸附保持部80的外周部中之移動速度更快。藉此，可使檢測部71及去除部72於每單位時間檢測及去除異物P的範圍成為一致，並可縮短異物去除處理所需的時間。
又，控制部61，係亦可根據在步驟S106所取得的初期異物資訊，改變檢測部71及去除部72的移動速度。例如，控制部61，係亦可根據初期異物資訊，在越是於吸附盤81a上存在較多異物P的區域，越放慢檢測部71及去除部72的移動速度。
另外，在此，雖係表示使檢測部71及去除部72往復移動時的例子，但控制部61，係亦可在使檢測部71及去除部72配置於吸附盤81a的中央部後，僅進行從吸附盤81a之中央部朝外周部的移動。又，控制部61，係亦可使檢測部71及去除部72從吸附盤81a之外周部的 一端朝向另一端移動。
如上述，噴出部721的噴出口723及吸引部722的吸引口724，係具有沿著去除部72之移動方向延伸的縫隙形狀(參閱圖2)。因此，可縮短步驟S102~S107之處理所需的時間。
接著，控制部61，係當檢測部71及去除部72到達吸附盤81a的外周部時，將背面掃描時之異物P的檢測結果取得作為「去除後異物資訊」(步驟S108)。而且，控制部61，係根據去除後異物資訊，判定是否存在異物殘渣(步驟S109)。例如，在預定尺寸以上的異物P殘存於吸附盤81a上時，係判定為存在異物殘渣。
而且，控制部61，係在判定為存在異物殘渣時(步驟S109，Yes)，使處理返回步驟S102，重複步驟S102~S109的處理。
在此，控制部61，係一面使「氣體」從噴出部721噴出，一面進行第一次的往復移動，並且在步驟S109中，在判定為存在異物殘渣時，係亦可一面使「液體」從噴出部721噴出，一面進行第2次的往復移動。藉此，可藉由去除力比氣體強的液體，強力地去除在第一次往復移動中未完全去除的異物P。
另外，在使檢測部71及去除部72往復移動之際，控制部61，係亦可從噴出部721對吸附盤81a，在去程中使氣體噴出，在回程中使液體噴出。藉此，可在回 程中藉由去除力比氣體強的液體，強力地去除在去程中未完全去除的異物P。
又，控制部61，係亦可從噴出部721對吸附盤81a，在去程中使液體噴出，在回程中使氣體噴出。如此一來，能夠以在回程中供給氣體的方式，在去程中，使供給至吸附盤81a上的液體提前乾燥。
在步驟S109的判定中，在不存在異物殘渣(步驟S109，No)或結束步驟S104的處理後時，控制部61，係控制旋轉機構83，使吸附保持部80之本體部81的旋轉停止(步驟S110)，結束一連串的異物去除處理。
如上述，第1實施形態的異物去除裝置70，係具備有檢測部71、去除部72及移動機構75。檢測部71，係檢測附著於吸附保持部80所具備之吸附盤81a之表面的異物P。去除部72，係使用流體，去除附著於吸附盤81a之表面的異物P。移動機構75，係使檢測部71及去除部72移動。
又，第1實施形態的去除部72(相當於「異物去除裝置」的一例)，係具備有噴出部721與吸引部722。噴出部721，係對吸附保持部80所具備之吸附盤81a的表面噴出流體。吸引部722，係配置為鄰接於噴出部721，吸引流體。
又，第1實施形態的檢測部71(相當於「異物檢測裝置」的一例)，係具備有投光部711與受光部 712。投光部711，係從傾斜方向對吸附保持部80所具備之吸附盤81a的表面照射光。受光部712，係從傾斜方向對吸附盤81a的表面，接收照射至吸附盤81a之表面之光的反射光。
因此，根據第1實施形態的異物檢測裝置70，可檢測及去除附著於吸附盤81a之表面的異物P，藉此，可防止異物P的存在造成基板破損於未然。
又，根據第1實施形態的異物檢測裝置70，以一面使吸附保持部80的本體部81旋轉，一面使檢測部71及去除部72移動的方式，可在短時間內進行吸附盤81a整面之異物P的檢測及去除。
(第2實施形態)
其次，參閱圖8，說明第2實施形態的異物檢測方法。圖8，係第2實施形態之異物檢測方法的說明圖。
如圖8所示，異物檢測裝置70，係亦可在將膜FL載置於吸附盤81a上，並以吸附盤81a使該膜FL吸附後，進行如圖7所示的異物去除處理。
以膜FL覆蓋多孔介質即吸附盤81a，藉此，可抑制空隙V所致之光的漫反射。
又，對於不定形的異物，膜FL的上面，係呈現平緩的曲面。藉此，由於相對於藉由投光部711而從傾斜方向所照射之光的高反射區域會增大，因此，可使攝像圖像的對比提升，並可提高異物P的檢測精度。
膜FL，係可因應於欲檢測之異物P的大小，選擇厚度或彈性係數。例如，若為小於吸附盤81a的空隙V且埋入至空隙V而不會影響基板之程度的大小之異物P的情況下，將膜FL的厚度設成為預定以上的厚度，或將膜FL的彈性係數設成為預定以上，藉此，可使異物P所致之膜FL的隆起大致為0。藉此，可從檢測部71所致之檢測對象排除不會影響基板之程度之大小的異物P。
作為像這樣的膜FL，係使用例如樹脂膜為較佳。樹脂膜的材料，係可獲得金屬污染、低揚塵、膜厚均一性的材料為較佳。例如，可選擇切割帶或背面研磨膠帶等的材料。
又，膜FL，係披覆有高反射塗層者為較佳。以使用披覆有高反射塗層之膜FL的方式，可使攝像圖像的對比更提升。另外，作為該膜FL，係例如可使用表面披覆有Si，Al，W等的金屬被膜者。金屬被膜，係使用具有對膜FL的變形不會產生破裂之程度的延伸且密合性高者為較佳。
又，作為膜FL，係亦可使用Al箔等的金屬箔膜或Si單結晶膜等。該些，係對欲檢測微細(例如，10μm以下)的異物P時為有效。
膜FL，係黏貼於切割框為較佳。藉此，可使用基板搬送裝置，容易地搬送膜FL。在該情況下，膜FL，係事先保管於例如收容有吸附保持部80的裝置內為較佳。
另外，在使用膜FL的情況下，係即便對吸附盤81a垂直地照射光時，由於沒有異物P的表面與有異物P的表面，係在其邊界呈現出較強的對比，因此，可使異物P的檢測精度提升。
其次，參閱圖9及圖10，說明使用上述膜FL之異物檢測處理的變形例。圖9及圖10，係第2實施形態之異物檢測處理之變形例的說明圖。
如圖9所示，檢測部71A，係具備有投光部714與受光部715。投光部714，係從傾斜方向對吸附盤81a上的膜FL照射光。受光部715，係從傾斜方向對膜FL接收照射至膜FL之光的反射光。
又，受光部715，係配置於假設異物P不存在於膜FL中之光的照射範圍內時，接收從膜FL所反射之反射光(參閱圖9)，並假設預定形狀之異物P存在於膜FL中之光的照射範圍內時，不接收從膜FL所反射之反射光的位置(參閱圖10)。以在該位置配置受光部715的方式，可檢測異物P。
(第3實施形態)
其次，參閱圖11及圖12，說明第3實施形態的異物檢測方法。圖11，係表示初期圖像取得處理之處理步驟的流程圖。圖12，係表示變形例之異物檢測處理之處理步驟的流程圖。
如圖11所示，控制部61，係首先進行如下述 之處理：使檢測部71對不存在異物P之吸附盤81a的整面掃描，將吸附盤81a之多孔質構造或表面粗糙度的資訊取得作為初期圖像。
具體而言，如圖11所示，控制部61，係使檢測部71對吸附盤81a的整面掃描(步驟S201)，取得攝像圖像(步驟S202)。接著，控制部61，係根據所取得的攝像圖像，判定異物P是否存在於吸附盤81a上(步驟S203)。而且，在不存在異物P時(步驟S203，No)，控制部61，係將在步驟S202所取得的攝像圖像作為初期圖像，記憶於記憶部62(步驟S204)。
另外，控制部61，係在步驟S203中，判定為存在異物P時(步驟S203，Yes)，不記憶攝像圖像。在該情況下，控制部61，係例如亦可在使用去除部72來去除吸附盤81a上的異物P後，再次執行步驟S201~S204的處理。
接著，控制部61，係使用藉由初期圖像取得處理所取得的初期圖像，進行異物檢測處理。具體而言，控制部61，係使檢測部71對吸附盤81a的整面掃描(步驟S301)，取得攝像圖像(步驟S302)。接著，控制部61，係根據在步驟S302所取得之攝像圖像與在初期圖像取得處理所取得之初期圖像的差分，判定在步驟S302中所取得的攝像圖像是否自初期圖像發生變化(步驟S303)。
而且，在判定為自初期圖像發生變化時(步 驟S303，Yes)，控制部61，係判定為異物P存在於吸附盤81a上(步驟S304)。另一方面，在沒有自初期圖像發生變化時(步驟S303，No)，控制部61，係判定為異物P不存在於吸附盤81a上(步驟S305)。
如此一來，藉由比較在步驟S302所取得之攝像圖像與初期圖像的方式，由於吸附盤81a的多孔質構造或表面粗糙度所致之雜訊會被去除，因此，可精度良好地檢測異物P。
另外，如圖11所示的初期圖像取得處理，係定期地進行為較佳。這是因為吸附盤81a的表面形狀為經時變化，藉由定期地進行初期圖像取得處理而更新初期圖像的方式，可實現異物檢測處理的穩定化。
又，亦可在進行初期圖像取得處理之際，使用膜FL。例如，在使膜FL吸附於吸附盤81a後，使檢測部71掃描，並根據所取得的攝像圖像，判定異物P是否存在。而且，在判定為不存在異物P時，亦可除去膜FL，再次使檢測部71掃描，將所取得的攝像圖像作為初期圖像，記憶於記憶部62。
(第4實施形態)
其次，參閱圖13，說明第4實施形態之去除部的構成。圖13，係表示第4實施形態之去除部之構成的示意剖面圖。
如圖13所示，第4實施形態的去除部72A， 係具備有噴出部721A與吸引部722。吸引部722的構成，係與上述之第1實施形態的吸引部722相同。
第4實施形態的噴出部721A，係對於吸附盤81a，朝接近吸引部722的傾斜方向噴出流體。
如此一來，由於是可藉由使噴出部721A之噴出口723A朝向吸引部722之吸引口724傾斜的方式，提升噴出部721A及吸引部722間的流速，因此，可使異物P的去除效率提升。又，由於可減少從噴出部721A漏出至吸引部722之相反側的流體，因此，可抑制異物P之揚起。
(第5實施形態)
其次，參閱圖14及15，說明第5實施形態的異物去除裝置70B。圖14，係表示第5實施形態之異物去除裝置之構成的示意側視圖。圖15，係表示預吸引部之構成的示意剖面圖。
如圖14所示，第5實施形態的異物去除裝置70B，係更具備有預吸引部73。預吸引部73，係與去除部72所具備的吸引部722相同地吸引流體。該預吸引部73，係配置於移動機構75所致之檢測部71、去除部72及預吸引部73之往復移動中的去程之比檢測部71及去除部72更靠進行方向前側。
如圖15所示，在預吸引部73中，係連接有吸引管731，在吸引管731中，係連接有真空泵等的吸引 機構732。又，在吸引管731中，係設置有開關閥733或未圖示的流量調整部。
預吸引部73所具有的吸引口734，係設置於比去除部72之噴出部721所具有的噴出口723及吸引部722所具有的吸引口724更遠離吸附盤81a的位置。亦即，吸附盤81a與預吸引部73的間隙G2，係設定為大於吸附盤81a與去除部72的間隙G1。又，預吸引部73之吸引口734的開口徑L4，係形成為大於吸引部722之吸引口724的縫隙寬度L1。
藉此，第5實施形態的異物去除裝置70B，係假如即便存在超過間隙G1之尺寸的異物P時，亦可藉由預吸引部73來事前去除該預料外之尺寸的異物P，藉此，可防止去除部72與異物P發生衝突。
(第6實施形態)
其次，參閱圖16及圖17，說明具備有上述之異物去除裝置之剝離裝置的構成。圖16，係表示第6實施形態之剝離裝置之構成的示意平面圖。又，圖17，係保持於切割框之重合基板的示意側視圖。另外，在此，係作為一例，表示剝離裝置具備有第1實施形態之異物去除裝置70時的例子。
如圖16所示，異物去除裝置70，係設置於剝離裝置5。剝離裝置5，係將經由黏著劑G而接合被處理基板W與支撐基板S的重合基板T(參閱圖17)剝離成 被處理基板W與支撐基板S。
在下述中，係如圖17所示，將被處理基板W之板面中經由黏著劑G，與支撐基板S接合之一側的板面稱作「接合面WJ」，將與接合面Wj相反之一側的板面稱作「非接合面Wn」。又，將支撐基板S之板面中經由黏著劑G，與被處理基板W接合之一側的板面稱作「接合面Sj」，將與接合面Sj相反之一側的板面稱作「非接合面Sn」。
被處理基板W，係例如在矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成有複數個電子回路的基板，且將形成有電子回路之一側的板面設成為接合面Wj。又，被處理基板W，係例如藉由研磨處理非接合面Wn的方式而被薄型化。具體而言，被處理基板W的厚度，係約20~200μm。
另一方面，支撐基板S，係與被處理基板W大致同徑的基板，且支撐被處理基板W。支撐基板S的厚度，係約為650~750μm。作為該支撐基板S，係除了矽晶圓以外，另可使用玻璃基板等。又，接合該些被處理基板W及支撐基板S之黏著劑G的厚度，係約為40~150μm。
如上述，由於被處理基板W，係非常薄且易破損，因此，藉由切割框F進一步予以保護。切割框F，係在中央具有徑長大於重合基板T之開口部的大致矩形狀構件。如圖17所示，重合基板T，係於被處理基板W位 於下面且支撐基板S位於上面的狀態下，被保持於切割框F。
如圖16所示，剝離裝置5，係具備有處理部100。在處理部100的側面，係形成有搬入搬出口(未圖示)，經由該搬入出口，進行重合基板T朝處理部100的搬入或剝離後之被處理基板W及支撐基板S從處理部100的搬出。
剝離裝置5，係具備有第1保持部110、框架保持部120、下側基部130、旋轉升降機構140、第2保持部150及上側基部160。該些，係配置於處理部100的內部。
第1保持部110，係與上述之吸附保持部80相同地為多孔性吸盤等的吸附保持部，經由設置於切割框F之開口部的切割帶，吸附保持構成重合基板T的被處理基板W。
第1保持部110，係具備有圓盤狀的本體部111與支撐本體部111的支柱構件112。支柱構件112，係被支撐於下側基部130。
本體部111，係以例如鋁等的金屬構件所構成。在該本體部111的上面，係設置有吸附盤111a。吸附盤111a，係具有與重合基板T相同或比其稍大的徑，並接觸於重合基板T的下面亦即被處理基板W之非接合面Wn的大致整面。
在本體部111的內部，係經由吸附盤111a形 成有與外部連通的吸引空間111b。吸引空間111b，係經由吸氣管113與真空泵等的吸氣裝置114連接。
該第1保持部110，係利用藉由吸氣裝置114之吸氣所產生的負壓，使被處理基板W之非接合面Wn經由切割帶吸附於吸附盤111a。藉此，第1保持部110，係保持被處理基板W。另外，在此，雖係表示第1保持部110為多孔性吸盤時的例子，但第1保持部，係亦可為例如靜電夾具等。
在第1保持部110的外方，係配置有從下方保持切割框F的框架保持部120。該框架保持部120，係具備有：複數個吸附盤121，吸附保持切割框F；支撐構件122，支撐吸附盤121；及移動機構123，固定於下側基部130，使支撐構件122沿著垂直方向移動。
下側基部130，係配置於第1保持部110及框架保持部120的下方，並支撐第1保持部110及框架保持部120。下側基部130，係藉由固定於處理部100之底面的旋轉升降機構140來予以支撐。
旋轉升降機構140，係使下側基部130繞垂直軸旋轉。藉此，支撐於下側基部130的第1保持部110及框架保持部120，係一體地進行旋轉。又，旋轉升降機構140，係使下側基部130往垂直方向移動。藉此，支撐於下側基部130的第1保持部110及框架保持部120，係一體地進行升降。
在第1保持部110的上方，係對向配置有第2 保持部150。第2保持部150，係具備有第1吸附移動部190及第2吸附移動部200。第1吸附移動部190及第2吸附移動部200，係被支撐於上側基部160。上側基部160，係經由支柱102，被支撐於安裝在處理部100之頂部的固定構件101。
第1吸附移動部190，係吸附保持支撐基板S的周緣部。又，第2吸附移動部200，係吸附保持比支撐基板S之周緣部更靠支撐基板S之中央部的區域。而且，第1吸附移動部190及第2吸附移動部200，係使所吸附保持的區域各別獨立地朝遠離被處理基板W之板面的方向移動。
第1吸附移動部190，係具備有第1吸附盤191、支柱構件192及移動機構193。又，第2吸附移動部200，係具備有第2吸附盤201、支柱構件202及移動機構203。
在第1吸附盤191及第2吸附盤201中，係形成有吸氣口(未圖示)，在各個吸氣口，係經由吸氣管194，204，連接有真空泵等的吸氣裝置195，205。
支柱構件192，202，係在前端部支撐第1吸附盤191及第2吸附盤201。支柱構件192，202的基端部，係藉由移動機構193，203來予以支撐。移動機構193，203，係固定於上側基部160的上部，使支柱構件192，202往垂直方向移動。
第1吸附移動部190及第2吸附移動部200， 係利用藉由吸氣裝置195，205之吸氣所產生的負壓，吸附支撐基板S。藉此，第1吸附移動部190及第2吸附移動部200，係保持支撐基板S。另外，第1吸附移動部190所具備的第1吸附盤191，係吸附支撐基板S的周緣部，第2吸附移動部200所具備的第2吸附盤201，係吸附支撐基板S的中央部。
又，第1吸附移動部190及第2吸附移動部200，係於保持支撐基板S的狀態下，各別藉由移動機構193，203，使支柱構件192，202和第1吸附盤191及第2吸附盤201沿著垂直方向移動。藉此，使支撐基板S沿著垂直方向移動。
又，剝離裝置5，係具備有控制裝置90。控制裝置90，係控制剝離裝置5之動作的裝置。該控制裝置90，係例如PC，具備有控制部91與記憶部92。記憶部92，係例如藉由RAM、快閃記憶體等的半導體記憶體元件等來予以實現。在記憶部92中，係儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部91，係例如CPU，藉由讀出並執行記憶於記憶部92之程式的方式，控制剝離裝置5的動作。
剝離裝置5，係在以第1保持部110吸附保持被處理基板W、以框架保持部120吸附保持切割框F、以第2保持部150保持支撐基板S的狀態下，使第2保持部150的第1吸附移動部190及第2吸附移動部200依序往上方移動，藉此，將支撐基板S拉引至遠離被處理基板W 的方向。藉此，支撐基板S，係從其周緣部朝向中心部，自被處理基板W連續地剝離。
另外，剝離裝置5，係亦可在使第1吸附移動部190及第2吸附移動部200移動之前，以未圖示的銳利構件，於重合基板T的側面，形成構成為支撐基板S從被處理基板W剝下之開端的部位。
該剝離裝置5，係具備有異物去除裝置70。異物去除裝置70，係在處理部100內，配置於第1保持部110的側方。而且，異物去除裝置70，係檢測及去除存在於第1保持部110之吸附盤111a上的異物P。由於被保持於剝離裝置5之第1保持部110的被處理基板W被薄型化，因此，在異物P存在於第1保持部110時，有破裂等的缺陷產生於被處理基板W之虞。相對於此，剝離裝置5，係使用異物去除裝置70來檢測及去除存在於第1保持部110之吸附盤111a上的異物P，藉此，可防止缺陷產生於被處理基板W於未然。
另外，在上述的第1~第6實施形態中，雖係表示關於吸附保持部80或第1保持部110的保持面朝向上方，在該保持面的上方配置檢測部71或去除部72時的例子，但亦可使吸附保持部80或第1保持部110的保持面朝向下方，在該保持面的下方配置檢測部71或去除部72。
(第7實施形態)
其次，參閱圖18及圖19，說明具備有異物去除裝置之剝離裝置的其他構成例。圖18及圖19，係表示第7實施形態之剝離裝置之構成的示意側視圖。
如圖18所示，第7實施形態的剝離裝置3，係具有將複數個機器收容於其內部的殼體300。殼體300，係具有搬入搬出口(未圖示)，在各搬入搬出口，係設置有開關閘門(未圖示)。
在殼體300的底面，係形成有對內部之氛圍進行排氣的排氣口301。在排氣口301，係連接有連通於例如真空泵等之排氣裝置302的排氣管303。而且，藉由從排氣口301對殼體300內部之氛圍進行排氣的方式，在殼體300內部會產生被稱為降流之朝向垂直下方向的氣流。
在殼體300的內部，係設置有：第1保持部310，在下面吸附保持被處理基板W；及第2保持部311，在上面載置支撐基板S而進行保持。第1保持部310，係設置於第2保持部311的上方，並配置為與第2保持部311對向。亦即，在殼體300的內部，係於將被處理基板W配置於上側，且將支撐基板S配置於下側的狀態下，對重合基板T進行剝離處理。
第1保持部310，係與上述之吸附保持部80同樣地為多孔性吸盤等的吸附保持部。第1保持部310，係具有平板狀的本體部320。在該本體部320的下面側，係設置有吸附盤321。吸附盤321，係例如具有與被處理 基板W大致相同的徑，並與該被處理基板W的非接合面Wn抵接。
又，在本體部320的內部且吸附盤321的上方，係形成有吸引空間322。吸引空間322，係例如形成為覆蓋吸附盤321。在吸引空間322，係連接有吸引管323。吸引管323，係連接於例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)。而且，從吸引管323經由吸引空間322與吸附盤321，被處理基板W的非接合面Wn會被吸引，該被處理基板W便被吸附保持於第1保持部310。
又，在本體部320的內部且吸引空間322的上方，係設置有對被處理基板W進行加熱的加熱機構324。在加熱機構324，係例如使用加熱器。
在第1保持部310的上面，係設置有支撐該第1保持部310的支撐板330。支撐板330，係被支撐於殼體300的頂棚面。另外，第1保持部310，係亦可抵接於殼體300的頂棚面而予以支撐。
在第2保持部311的內部，係設置有用以吸附保持支撐基板S的吸引管340。吸引管340，係連接於例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)。
又，在第2保持部311的內部，係設置有對支撐基板S進行加熱的加熱機構341。在加熱機構341，係例如使用加熱器。
在第2保持部311的下方，係設置有使第2保持部311及支撐基板S往垂直方向及水平方向移動的移 動機構350。移動機構350，係具有：垂直移動部351，使第2保持部311往垂直方向移動；及水平移動部352，使第2保持部311住水平方向移動。
垂直移動部351，係具有：支撐板360，支撐第2保持部311的下面；驅動部361，使支撐板360升降；及支撐構件362，支撐支撐板360。驅動部361，係例如具有滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。又，支撐構件362，係構成為在垂直方向上伸縮自如，在支撐板360與後述的支撐體371之間例如設置於3處。
水平移動部352，係具有：導軌370，延伸於水平方向；支撐體371，安裝於導軌370；及驅動部372，使支撐體371沿著導軌370移動。驅動部372，係例如具有滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。
另外，在第2保持部311的下方，係設置有用以從下方支撐重合基板T或支撐基板S並使其升降的升降銷(未圖示)。升降銷，係插通形成於第2保持部311的貫穿孔(未圖示)，可從第2保持部311的上面突出。
剝離裝置3，係如上述所構成，藉由一面加熱重合基板T，一面沿著被處理基板W與支撐基板S之接合面偏離的方式，將重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S。
具體而言，搬入至剝離裝置3的重合基板T， 係被吸附保持於第2保持部311。其後，藉由移動機構350，使第2保持部311上升，以第1保持部310與第2保持部311夾著重合基板T而予以保持。此時，被處理基板W的非接合面Wn被吸附保持於第1保持部310，支撐基板S的非接合面Sn被吸附保持於第2保持部311。
其後，藉由加熱機構324、341，重合基板T被加熱至預定溫度例如200℃。如此一來，重合基板T中的黏著劑G便軟化。
接著，一面藉由加熱機構324、341，加熱重合基板T而維持黏著劑G的軟化狀態，一面藉由移動機構350，使第2保持部312與支撐基板S往垂直方向及水平方向亦即斜下方移動。然後，保持於第1保持部310的被處理基板W與保持於第2保持部311的支撐基板S被予以剝離。
又，剝離裝置3，係具備有控制裝置95。控制裝置95，係控制剝離裝置3之動作的裝置。該控制裝置95，係例如PC，具備有控制部96與記憶部97。記憶部97，係例如藉由RAM、快閃記憶體等的半導體記憶體元件等來予以實現。在記憶部97中，係儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部96，係例如CPU，藉由讀出並執行記憶於記憶部97之程式的方式，控制剝離裝置3的動作。
第7實施形態的異物去除裝置70C，係例如設置於支撐板360的上部。異物去除裝置70C，係如圖19 所示，具備有檢測部71、去除部72、支撐構件74及移動機構75。移動機構75，係設置於支撐板360上。又，支撐構件74，係延伸於與水平移動部352所致之移動方向(Y軸方向)正交的方向(X軸方向)。而且，檢測部71及去除部72，係藉由支撐構件74，從下方來予以支撐。
其次，參閱圖20~圖22，說明關於使用第7實施形態之異物去除裝置70C的異物檢測處理。圖20~圖22，係表示第7實施形態之異物檢測處理之動作例的圖。另外，在圖20~圖22中，係表示從下方觀看第1保持部310時的示意圖。
如圖20~圖22所示，控制部96，係利用水平移動部352及移動機構75，使檢測部71及去除部72對吸附盤321的整面掃描。
首先，控制部96，係以使從吸附盤321至去除部72之距離成為預定間隙的方式，控制垂直移動部351，調整支撐板360的高度。接著，控制部96，係如圖20所示，在使檢測部71及去除部72位於吸附盤321的外周部後，控制移動機構75，使檢測部71及去除部72往與水平移動部352所致之移動方向正交的方向移動。藉此，針對吸附盤321的一部分，進行異物P的檢測及去除。
接著，控制部96，係如圖21所示，控制水平移動部352，使吸附盤321往Y軸正方向移動僅預定距離。而且，如圖22所示，控制部96，係控制移動機構 75，使檢測部71及去除部72往與水平移動部352所致之移動方向正交的方向再度移動。控制部96，係可藉由重複該些處理的方式，對吸附盤321的整面進行異物P的檢測及去除。
如此一來，亦可對剝離裝置3，5設置異物檢測裝置，該剝離裝置3，5，係將接合了被處理基板W與支撐基板S的重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S。
(其他的實施形態)
在上述的各實施形態中，係說明關於使用移動機構75，使檢測部71及去除部72移動時的例子。但是，並不限於此，只要將檢測部71及去除部72設成為吸附盤81a，111a之徑以上的長度，即便不使檢測部71及去除部72移動，亦能夠以使用旋轉機構83或旋轉升降機構140來使吸附盤81a，111a旋轉的方式，對吸附盤81a，111a的整面進行異物P的檢測及去除。
又，在上述的第6及第7實施形態中，雖係表示異物去除裝置設置於剝離裝置時的例子，但異物去除裝置並不限於剝離裝置，亦可設置於具備有多孔性吸盤或靜電夾具等之吸附保持部的各種半導體裝置。例如，異物去除裝置，係亦可設置於洗淨半導體基板的洗淨裝置、將切割框安裝於半導體基板的貼片機、檢查半導體基板之表面的檢查裝置、將半導體基板切割成晶片單元的切割裝置 等。
更進一步的效果或變形例，係可由具有該發明技術領域之通常知識者輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣，係不限定於上述所表示且記述之特定的詳細內容及代表性的實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有發明的概念精神或範圍下，可進行各種變更。

Claims (18)

  1. 一種異物去除裝置，其特徵係，具備有：檢測部，檢測附著於吸附保持基板之吸附保持部之保持面的異物；去除部，使用流體去除附著於前述保持面的異物；及移動機構，使前述檢測部及前述去除部移動，在將前述檢測部與前述去除部配置於前述吸附保持部之中央部後，一面使前述基板旋轉，一面使前述檢測部與前述去除部從中央部朝向外周部移動，將「使前述檢測部與前述去除部從中央朝向外周移動時之前述吸附保持部整面之異物的檢測結果」取得作為去除後異物資訊，根據前述去除後異物資訊，判定異物殘渣之存在。
  2. 如申請專利範圍第1項之異物去除裝置，其中，一面使前述基板旋轉，一面使前述檢測部與前述去除部從外周朝向中心移動，在移動方向中，前述檢測部，係位於前述去除部之前方，在移動時進行檢測與去除，判定前述檢測部與前述去除部已到達前述吸附保持部之中央部，在該時點，將前述吸附保持部整面之異物的檢測結果記憶為初期異物資訊，根據前述初期異物資訊，改變前述檢測部與前述去除 部之移動速度(從中央部至外周部)。
  3. 如申請專利範圍第2項之異物去除裝置，其中，前述保持面，係可旋轉，前述移動機構，係使前述檢測部及前述去除部在前述吸附保持部的外周部及中央部間往復移動者，在前述往復移動的去程中之進行方向的前方配置有前述檢測部，在前述進行方向的後方配置有前述去除部。
  4. 如申請專利範圍第3項之異物去除裝置，其中，具備有：控制部，根據前述往復移動的回程中之前述檢測部的檢測結果，判定有無前述異物的去除殘渣。
  5. 如申請專利範圍第4項之異物去除裝置，其中，前述去除部，係具備有：噴出部，對前述保持面選擇性地噴出氣體及液體的任一者，前述控制部，係一面使氣體從前述噴出部噴出，一面進行第一次的前述往復移動，並且於在該往復移動中，判定為具有前述異物的去除殘渣時，係一面使液體從前述噴出部噴出，一面進行第2次的前述往復移動。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之異物去除裝置，其中，前述控制部，係在前述往復移動的去程中，在藉由前述檢測部檢測到超過從前述保持面至前述去除部的距離之高度的異物時，停止前述移動機構所致之前述檢測部及前 述去除部的移動。
  7. 如申請專利範圍第2~5項中任一項之異物去除裝置，其中，前述移動機構，係使前述吸附保持部的中央部之前述檢測部及前述去除部的移動速度比前述吸附保持部之外周部的移動速度更快。
  8. 一種異物去除方法，其特徵係，包含有：移動工程，使檢測部與去除部移動，該檢測部，係檢測附著於吸附保持基板之吸附保持部之保持面的異物，該去除部，係使用流體去除附著於前述保持面的異物；檢測工程，使用前述檢測部，檢測附著於前述保持面的異物；及去除工程，使用前述去除部，使用流體去除附著於前述保持面的異物。
  9. 一種剝離裝置，係使接合了被處理基板與支撐基板的重合基板剝離成前述被處理基板與前述支撐基板，該剝離裝置，其特徵係，具備有：第1保持部，吸附保持前述重合基板中的前述被處理基板；第2保持部，吸附保持前述重合基板中的前述支撐基板；及異物去除裝置，去除附著於前述第1保持部之保持面的異物，前述異物去除裝置，係具備有： 檢測部，檢測附著於前述第1保持部之保持面的異物，去除部，使用流體去除附著於前述保持面的異物；及移動機構，使前述檢測部及前述去除部移動，在將前述檢測部與前述去除部配置於前述吸附保持部之中央部後，一面使前述基板旋轉，一面使前述檢測部與前述去除部從中央部朝向外周部移動，將「使前述檢測部與前述去除部從中央朝向外周移動時之前述吸附保持部整面之異物的檢測結果」取得作為去除後異物資訊，根據前述去除後異物資訊，判定異物殘渣之存在。
  10. 一種異物去除裝置，其特徵係，具備有：噴出部，對吸附保持基板之吸附保持部的保持面噴出流體；吸引部，配置為鄰接於前述噴出部，吸引前述流體，移動機構，使前述噴出部及前述吸引部移動；及預吸引部，配置於比前述噴出部及前述吸引部更靠前述移動機構所致之進行方向前側，吸引流體。
  11. 如申請專利範圍第10項之異物去除裝置，其中，前述吸引部所具有之吸引口的開口面積，係大於前述噴出部所具有之噴出口的開口面積。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之異物去除裝置，其中， 前述吸附保持部的前述保持面，係可旋轉，相對於前述保持面的旋轉方向，前述吸引部被配置於比前述噴出部更前方側。
  13. 如申請專利範圍第10或11項之異物去除裝置，其中，前述噴出部，係對前述保持面，朝接近於前述吸引部的傾斜方向噴出前述流體。
  14. 如申請專利範圍第13項之異物去除裝置，其中，前述預吸引部具有的吸引口，係設置於比前述噴出部所具有的噴出口及前述吸引部所具有的吸引口更遠離前述保持面的位置。
  15. 如申請專利範圍第13項之異物去除裝置，其中，前述噴出部所具有的噴出口及前述吸引部所具有的吸引口，係具有沿著前述移動機構所致之移動方向延伸的縫隙形狀。
  16. 如申請專利範圍第10或11項之異物去除裝置，其中，具備有：除電部，使前述流體離子化。
  17. 一種異物去除方法，其特徵係，包含有：噴出工程，使用對吸附保持基板之吸附保持部的保持面噴出流體的噴出部，對前述保持面噴出流體；吸引工程，使用配置為鄰接於前述噴出部而吸引前述 流體的吸引部，吸引前述流體，移動工程，使用「使前述噴出部及前述吸引部移動」的移動機構，使前述噴出部及前述吸引部移動；及預吸引部工程，使用「配置於比前述噴出部及前述吸引部更靠前述移動機構所致之進行方向前側，吸引流體」的預吸引部，吸引前述流體。
  18. 一種剝離裝置，係使接合了被處理基板與支撐基板的重合基板剝離成前述被處理基板與前述支撐基板，該剝離裝置，其特徵係，具備有：第1保持部，吸附保持前述重合基板中的前述被處理基板；第2保持部，吸附保持前述重合基板中的前述支撐基板；及異物去除裝置，去除附著於前述第1保持部之保持面的異物，前述異物去除裝置，係具備有：噴出部，對前述第1保持部的保持面噴出流體；吸引部，配置為鄰接於前述噴出部，吸引前述流體，移動機構，使前述噴出部及前述吸引部移動；及預吸引部，配置於比前述噴出部及前述吸引部更靠前述移動機構所致之進行方向前側，吸引流體。
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