TWI743992B - 吸盤異物檢測系統 - Google Patents
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Abstract
一種吸盤異物檢測系統係應用於一晶圓加工裝置，並且包含一第一照明模組、一第二照明模組、影像擷取模組、一控制單元以及一影像識別單元。第一照明模組與第二照明模組係在一作業區內設置晶圓吸盤之兩側。影像擷取模組係設置於作業區，並位於晶圓吸盤之上方，用以擷取晶圓吸盤之影像。控制單元係電性連結於第一照明模組、第二照明模組以及影像擷取模組，用以控制第一照明模組與第二照明模組依照一檢測時序依序發光，並控制影像擷取模組依照檢測時序擷取複數個低反光影像。影像識別單元係電性連結於影像擷取模組，用以分析低反光影像而判斷晶圓吸盤是否有異物。
Description
本發明係關於一種吸盤異物檢測系統，尤其是指一種利用低角度之光源照射至晶圓吸盤以取得散射光影像，進而透過影像辨識分析晶圓吸盤是否有異物之吸盤異物檢測系統。
在半導體的製造領域中，半導體製程的技術能力日新月異，對於外在汙染物尺寸的容忍度也越來越嚴格，然而由於部分製程的機台內部在原始設計上，並沒有安裝光學檢測模組，因此當汙染物出現時很容易會導致製程良率的下降，或對晶片造成不可逆之破壞性損傷，進而使製造成本大幅增加。
承上所述，在半導體製程中，主要的技術發展大都著重於縮小電晶體的尺寸，以期能在晶片中整合更多的電晶體，也因此有關電晶體尺寸的曝光與蝕刻等製程所需使用到的機台設備也不斷的在更新改良，至於將晶圓切割成晶片的切割設備，則因晶片的尺寸變化有限而沒有改良的需求，因此比較常見的方式是另外裝設光學檢測模組來對會接觸到晶圓的吸盤等組件進行光學檢測；然而，現有的光學檢測模組往往只是單純的加裝照明光源與鏡頭，但一般的照明方式又很容易使吸盤產生亮帶，進而使汙染物所造成的瑕疵很容易會被亮帶所掩蓋住，因此為了因應電晶體尺寸縮小所提高的汙染物控制需求，實有必要針對現有的切割製程提出一些改良方案，以避免晶圓在切割製程中受到汙染而影響到半導體製程的製造品質與良率。
有鑒於在先前技術中，為了提升半導體的效能，現有的技術主要是改良曝光與蝕刻等製程的機台設備，藉以在相同的晶片大小下可以配置更多的電晶體，但由於切割晶圓的切割設備並未有大幅更動，也因此機台本身較沒有改良的需求，大部分的使用者只能自行加裝光學檢測模組來檢測會接觸到晶圓的吸盤，然而現有的光學檢測模組通常只是簡單的加裝光源與鏡頭，因此實際使用上很容易因為光源的照明不良而導致吸盤產生亮帶，進而影響到汙染物的檢出；緣此，本發明的主要目的在於提供一種吸盤異物檢測系統，可以有效的檢出吸盤是否遭受到汙染。
本發明為解決先前技術之問題，所採用的必要技術手段是提供一種吸盤異物檢測系統，係設置於一晶圓加工裝置，晶圓加工裝置包含一晶圓加工裝置本體與一晶圓吸盤，晶圓吸盤係設置於晶圓加工裝置本體之一作業區，且至少一晶圓係自晶圓吸盤之一第一側進入作業區，並自晶圓吸盤之一第二側移出作業區。吸盤異物檢測系統包含一第一照明模組、一第二照明模組、影像擷取模組、一控制單元以及一影像識別單元。
第一照明模組係設置於作業區，並位於晶圓吸盤相異於第一側與第二側之一第三側。第二照明模組係設置於作業區，並位於晶圓吸盤相異於第一側、第二側與第三側之一第四側。
影像擷取模組係設置於作業區，並位於晶圓吸盤之上方，用以擷取晶圓吸盤之影像。控制單元係電性連結於第一照明模組、第二照明模組以及影像擷取模組，用以控制第一照明模組與第二照明模組依照一檢測時序依序發光，並控制影像擷取模組依照檢測時序擷取複數個低反光影像。
影像識別單元係電性連結於影像擷取模組，用以分析低反光影像而判斷晶圓吸盤是否有異物。
如上所述，本發明之吸盤異物檢測系統主要是將第一照明模組與第二照明模組設置於晶圓吸盤相較於進料側（第一側）與出料側（第二側）之第三側與第四側，然後利用不同的檢測時序控制第一照明模組或第二照明模組對晶圓吸盤投射低角度之光束，即可利用影像擷取模組擷取到晶圓吸盤的低反光影像，以便透過晶圓吸盤之低反光影像來辨識出晶圓吸盤之表面是否有汙染物。
本發明所採用的具體實施例，將藉由以下之實施例及圖式作進一步之說明。
請參閱第一圖至第三圖，第一圖係顯示本發明較佳實施例所提供之吸盤異物檢測系統所應用之晶圓加工裝置之立體示意圖；第二圖係顯示本發明較佳實施例所提供之吸盤異物檢測系統所應用之晶圓加工裝置部分分解之立體分解示意圖；第三圖係顯示本發明較佳實施例所提供之吸盤異物檢測系統之系統示意圖。
如第一圖至第三圖所示，一種吸盤異物檢測系統（圖未標示）包含一外掛式設置架1、一第一照明模組2、一第二照明模組3、一影像擷取模組4、一控制模組5、一第一照明模組6、一第二照明模組7以及一影像擷取模組8。
在本實施例中，吸盤異物檢測系統係設置於一晶圓加工裝置200，晶圓加工裝置200包含一晶圓加工裝置本體201、一晶圓吸盤202與一晶圓吸盤203，晶圓加工裝置本體201具有一儲料區2011、一作業區2012、一作業區2013以及一保護框架2014。
儲料區2011是用於放置欲進行加工的晶圓（圖未示）。作業區2012是連通於儲料區2011，用以進行晶圓切割前的前置固定作業，以進一步將晶圓移送至一切割加工區（圖未示）進行切割加工作業；其中，作業區2012還開設有一容置空間20121，且容置空間20121實際上是用來設置固定晶圓之組件。
作業區2013是連通於作業區2012，用以進行晶圓切割後的清洗作業；其中，作業區2013還開設有一容置空間20131，且容置空間20131實際上為一清洗槽，可用來充填晶圓清洗液。
保護框架2014是橫跨作業區2012與2013，且在實務上，保護框架2014更設有透明玻璃來保護作業區2012與2013的作業環境。
晶圓吸盤202是設置於容置空間20121內，並露出於容置空間20121，用以吸附固定晶圓，並進一步將晶圓移動至切割加工區；其中，晶圓吸盤202具有一第一側202a、一第二側202b、一第三側202c以及一第四側202d。第一側202a是鄰近於儲料區2011，相當於作業區2012的進料側，第二側202b是鄰近於切割加工區，相當於作業區2012的出料側，且第二側202b是鄰接於第一側202a，第三側202c是位於第二側202b之相對側，而第四側202d是位於第一側202a之相對側，意即第一側202a與第四側202d是分別位於第二側202b與第三側202c之間，而第二側202b與第三側202c則是分別位於第一側202a與第四側202d之間。在實際操作上，儲料區2011之晶圓是由第一側202a進入作業區2012中，並自第二側202b移出作業區2012而進入切割加工區中。
晶圓吸盤203是設置於容置空間20131，用以吸附固定經過切割作業之晶圓，並將晶圓浸入晶圓清洗液中進行清洗作業。其中，由於在本實施例中，晶圓吸盤203在作業區2013內之進料側與出料側皆為晶圓吸盤203的上方，因此晶圓吸盤203在上方之外還具有相對設置之一第三側203c與一第四側203d，而第三側203c是鄰近於作業區2012，而第四側203d則是遠離作業區2012。
實務上，晶圓加工裝置200還設有二取物機構（圖未示），而晶圓加工裝置200更是透過二取物機構來將移動晶圓，更詳細的說，二取物機構其中一者是用來移動未切割的晶圓，而另一者則是用來移動切割後的晶圓。
外掛式設置架1包含一第一設置段11與一第二設置段12，第一設置段11是沿一第一方向D1延伸，而第二設置段12是沿一相異於第一方向D1之第二方向D2延伸，並一體成型地連結於第一設置段11；其中，外掛式設置架1是可拆卸地設置於容置空間20121之開口處，藉以使第一設置段11與第二設置段12分別位於第三側202c與第四側202d。此外，在本實施例中，第一方向D1與第二方向D2為相互垂直。
第一照明模組2包含一第一照明組件21與一第二照明組件22，第一照明組件21與第二照明組件22係分別固定地設置於第一設置段11，並分別用以對晶圓吸盤202投射光束。第二照明模組3包含一第三照明組件31與一第四照明組件32，第三照明組件31與第四照明組件32係分別固定地設置於第二設置段12，並分別用以對晶圓吸盤202投射光束。本實施例中，第一設置段11與第二設置段12係位於晶圓吸盤202之上方，因此第一照明組件21、第二照明組件22、第三照明組件31與第四照明組件32亦位於晶圓吸盤202之上方。藉此，為使晶圓吸盤202之表面異物能被檢測到，第一照明組件21、第二照明組件22、第三照明組件31與第四照明組件32係以低角度來對晶圓吸盤202投射光束。
其中，以第一照明組件21為例，為便於說明，先定義一平行投射軸線T1與一傾斜投射軸線T2，平行投射軸線T1是平行於晶圓吸盤202之表面而垂直於晶圓吸盤202之表面的法線N1，而傾斜投射軸線T2與平行投射軸線T1之間具有一傾斜角度θ，且傾斜角度介於5度至30度之間，藉以使第一照明組件21沿著傾斜投射軸線T2以低角度地投射光束至晶圓吸盤202之表面，且由於自第一照明組件21投射的光束皆具有發光角度，亦即其光束係具有一投射範圍（圖未示），藉以投射至晶圓吸盤202之表面。應注意的是，前述第一照明組件21的光束投射方向僅為例示，並不以此為限。同理，第二照明組件22、第三照明組件31以及第四照明組件32皆與第一照明組件21一樣是以低角度的方式投射光束至晶圓吸盤202之表面。
此外，由於第一設置段11是位於第三側202c，而第二設置段12是位於第四側202d，因此相當於第一照明模組2是在作業區2012內設置於第三側202c，而第二照明模組3則是在作業區2012內設置於第四側202d。
影像擷取模組4包含一延伸支架41以及二影像擷取裝置42與43。延伸支架41是固接於保護框架2014，而二影像擷取裝置42與43是分別固定於保護框架2014，藉以分別在作業區2012內位於晶圓吸盤202之上方，且二影像擷取裝置42與43是分別對應於晶圓吸盤202之兩半部，用以擷取晶圓吸盤202之影像。
控制模組5係電性連結於第一照明模組2、第二照明模組3以及影像擷取模組4，且控制模組5包含一控制單元51、一影像識別單元52以及一警示單元53。控制單元51內建有複數個檢測時序511（圖中僅標示一個），用以控制第一照明模組2與第二照明模組3依照檢測時序依序發光，並控制影像擷取模組4依照檢測時序擷取複數個低反光影像。
影像識別單元52係電性連結於影像擷取模組4，用以分析低反光影像而判斷晶圓吸盤202是否有異物。警示單元53係電性連結於影像識別單元52，並在影像識別單元52識別出晶圓吸盤202有異物時發出警報。
請繼續參閱第四圖與第五圖，第四圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第一照明模組發光，以及控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；第五圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第二照明模組發光，以及控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖。
如第一圖至第五圖所示，在以上所述之吸盤異物檢測系統的基礎下，檢測時序511例如包含一第一檢測時序與一第二檢測時序，在第一檢測時序時，控制單元51是控制第一照明組件21與第二照明組件22同時對晶圓吸盤202投射低角度光束而使晶圓吸盤202在二檢測區域IA1與IA2內產生低反光影像，並控制影像擷取裝置42在影像擷取裝置42之一影像擷取範圍42a內擷取檢測區域IA1之低反光影像，以及控制影像擷取裝置43在影像擷取裝置43之一影像擷取範圍43a內擷取檢測區域IA2之低反光影像；在第二檢測時序時，控制單元51是控制第三照明組件31與第四照明組件32同時對晶圓吸盤202投射低角度光束而使晶圓吸盤202在二檢測區域IA1與IA2內產生低反光影像，並控制影像擷取裝置42與43分別擷取二檢測區域IA1與IA2內之低反光影像。藉此，影像識別單元52便可依據影像擷取裝置42與43所擷取之不同光源照明下的低反光影像，進而透過影像的比對來辨識出晶圓吸盤202之表面是否有汙染物。
承上所述，雖然在本實施例中，檢測時序511是在第一檢測時序與第二檢測時序下分別第一照明模組2、第二照明模組3與影像擷取模組4來分別擷取不同角度的低反光影像，但不限於此，在其他實施例中亦可是第一照明模組2與第二照明模組3同時發光，進而透過影像擷取模組4來擷取晶圓吸盤202在第一照明模組2與第二照明模組3同時發光時的低反光影像，或者也可以僅單純依據第一照明模組2與第二照明模組3個別發光所形成的低反光影像進行擷取與辨識。
此外，在本實施例中，晶圓吸盤202例如為陶瓷吸盤，而因為陶瓷吸盤相較於金屬吸盤較沒有打磨的紋路，因此可以利用第一照明模組2或第二照明模組3對晶圓吸盤202整片照光來擷取低反光影像；然而，當晶圓吸盤202為金屬吸盤時，控制單元51便需要控制第一照明模組2之第一照明組件21與第二照明組件22分段發光，或控制第二照明模組3之第三照明組件31與第四照明組件32分段發光，藉以使晶圓吸盤202之表面分區式的產生低反光影像。
請繼續參閱第六圖至第八圖，第六圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第一照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；第七圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第二照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；第八圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第三照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖。
如第一圖至第三圖以及第六圖至第八圖所示，在本發明之另一實施例中，晶圓吸盤202例如是金屬吸盤，而第二照明模組3亦可只包含有第三照明組件31而未含有第四照明組件32，在此情況下，檢測時序511包含一第一檢測時序、一第二檢測時序以及一第三檢測時序。
控制單元51在第一檢測時序時是控制第一照明組件21對晶圓吸盤202投射低角度之光束，進而使晶圓吸盤202在一第一檢測區域IA1a內形成一低反光影像，並在二第一非檢測區域GA1與GA2內產生高反光影像，然後再利用影像擷取裝置42擷取影像擷取範圍42a內之第一檢測區域IA1a的低反光影像。
控制單元51在第二檢測時序時是控制第二照明組件22對晶圓吸盤202投射低角度之光束，進而使晶圓吸盤202在一第二檢測區域IA2a內形成一低反光影像，以及在二第二非檢測區域GA3與GA4內產生高反光影像，然後再利用影像擷取裝置43擷取影像擷取範圍43a內之第二檢測區域IA2a的低反光影像。
控制單元51在第三檢測時序時是控制第三照明組件31對晶圓吸盤202投射低角度之光束，進而使晶圓吸盤202在一第三檢測區域IA3a內形成一低反光影像，以及在二第三非檢測區域GA5與GA6內產生高反光影像，然後再利用影像擷取裝置42與43分別擷取橫跨影像擷取範圍42a與43a內之第三檢測區域IA3a的低反光影像。其中，由於第一檢測區域IA1a、第二檢測區域IA2a與第三檢測區域IA3a之低反光影像涵蓋整個晶圓吸盤202之表面，因此藉由控制單元51依照檢測時序控制第一照明組件21、第二照明組件22與第三照明組件31分別投射光束至晶圓吸盤202之表面，再搭配影像擷取裝置42與43擷取影像即可使影像識別單元52完整的辨識晶圓吸盤202之表面是否有汙染物。
如上所述，由於本實施例之晶圓吸盤202為金屬吸盤，因此會有打磨的紋路，故控制單元51需依照檢測時序511控制第一照明組件21、第二照明組件22以及第三照明組件31分段照明而使影像擷取模組4分別擷取多張具有不同低反光區域的影像，進而供影像識別單元52分析而辨識出晶圓吸盤202之表面是否有瑕疵，且影像識別單元52更可進一步提供瑕疵分布圖供使用者參考。然而，若本實施例之晶圓吸盤202為不具有紋路的陶瓷吸盤時，則可不需分段照明來擷取多張具有不同低反光區域的影像。
請繼續參閱第九圖與第十圖，第九圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第一照明組件與第四照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；第十圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第二照明組件與第三照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖。
如第一圖至第三圖以及第九圖至第十圖所示，第一照明模組6包含一第一照明組件61與一第二照明組件62，第一照明組件61與第二照明組件62是在作業區2013內設置於第三側203c，並分別用以對晶圓吸盤203投射光束。
第二照明模組7包含一第三照明組件71與一第四照明組件72，第三照明組件71與第四照明組件72是在作業區2013內設置於第四側203d，並分別用以對晶圓吸盤203投射光束。其中，第一照明組件61、第二照明組件62、第三照明組件71與第四照明組件72皆是固定於容置空間20131之內壁，但由於晶圓吸盤203之表面仍低於容置空間20131之內緣，因此第一照明組件61、第二照明組件62、第三照明組件71與第四照明組件72同樣與上述之第一照明組件21一樣會略高於晶圓吸盤203之表面而對晶圓吸盤203之表面投射傾斜光束。
影像擷取模組8包含一延伸支架81以及二影像擷取裝置82與83。延伸支架81是固接於保護框架2014，而二影像擷取裝置82與83是分別固定於保護框架2014，藉以分別在作業區2013內位於晶圓吸盤203之上方，且二影像擷取裝置82與83是分別對應於晶圓吸盤203之兩半部，用以擷取晶圓吸盤203之影像。
承上所述，第一照明模組6、第二照明模組7以及影像擷取模組8皆分別與上述之第一照明模組2、第二照明模組3以及影像擷取模組4相似，且在本實施例中，控制模組5更是以與第一照明模組2、第二照明模組3以及影像擷取模組4相同的連接方式分別電性連接於第一照明模組6、第二照明模組7以及影像擷取模組8。
此外，針對第一照明模組6、第二照明模組7以及影像擷取模組8，控制單元51之檢測時序511例如包含一第一檢測時序與一第二檢測時序，控制單元51在第一檢測時序時是控制第一照明組件61與第四照明組件72對晶圓吸盤203投射低角度之光束，進而使晶圓吸盤203在第一檢測區域IA3與IA4內形成二低反光影像，以及在二第一非檢測區域GA7與GA8內產生高反光影像，然後再利用影像擷取裝置82擷取影像擷取範圍82a內之第一檢測區域IA3與IA4的低反光影像。
控制單元51在第二檢測時序時是控制第二照明組件62與第三照明組件71對晶圓吸盤203投射低角度之光束，進而使晶圓吸盤203在二第二檢測區域IA5與IA6內形成二低反光影像，以及在二第二非檢測區域GA9與GA10內產生二高反光影像，然後再利用影像擷取裝置83擷取影像擷取範圍83a內之二第二檢測區域IA5與IA6的低反光影像。其中，由於第一檢測區域IA3與IA4以及第二檢測區域IA5與IA6的低反光影像涵蓋整個晶圓吸盤203之表面，因此藉由控制單元51依照檢測時序控制第一照明組件61、第二照明組件62、第三照明組件71與第四照明組件72分別投射光束至晶圓吸盤203之表面，再搭配影像擷取裝置82與83擷取影像即可使影像識別單元52完整的辨識晶圓吸盤203之表面是否有汙染物。
綜上所述，本發明之吸盤異物檢測系統主要是將第一照明模組與第二照明模組設置於晶圓吸盤相較於進料側（第一側）與出料側（第二側）之第三側與第四側，然後利用不同的檢測時序控制第一照明模組或第二照明模組對晶圓吸盤投射低角度之光束，即可利用影像擷取模組擷取到晶圓吸盤的低反光影像，以便透過晶圓吸盤之低反光影像來辨識出晶圓吸盤之表面是否有汙染物；相較於先前技術在晶圓切割的製程上未針對防止晶圓受到汙染而做改良，本發明之吸盤異物檢測系統不僅可以有效降低晶圓在切割製程時受到汙染的風險，還能直接套用在現有的晶圓切割設備而降低成本。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
1:外掛式設置架
11:第一設置段
12:第二設置段
2:第一照明模組
21:第一照明組件
22:第二照明組件
3:第二照明模組
31:第三照明組件
32:第四照明組件
4,8:影像擷取模組
41,81:延伸支架
42,43,82,83:影像擷取裝置
5:控制模組
51:控制單元
511:檢測時序
52:影像識別單元
53:警示單元
6:第一照明模組
61:第一照明組件
62:第二照明組件
7:第二照明模組
71:第三照明組件
72:第四照明組件
200:晶圓加工裝置
201:晶圓加工裝置本體
2011:儲料區
2012,2013:作業區
20121,20131:容置空間
2014:保護框架
202,203:晶圓吸盤
202a:第一側
202b:第二側
202c,203c:第三側
202d,203d:第四側
D1:第一方向
D2:第二方向
T1:平行投射軸線
T2:傾斜投射軸線
N1:法線
θ:傾斜角度
42a,43a,82a,83a:影像擷取範圍
IA1,IA2:檢測區域
IA1a,IA3,IA4:第一檢測區域
IA2a,IA5,IA6:第二檢測區域
IA3a:第三檢測區域
GA1,GA2,GA7,GA8:第一非檢測區域
GA3,GA4,GA9,GA10:第二非檢測區域
GA5,GA6:第三非檢測區域
第一圖係顯示本發明較佳實施例所提供之吸盤異物檢測系統所應用之晶圓加工裝置之立體示意圖；
第二圖係顯示本發明較佳實施例所提供之吸盤異物檢測系統所應用之晶圓加工裝置部分分解之立體分解示意圖；
第三圖係顯示本發明較佳實施例所提供之吸盤異物檢測系統之系統示意圖；
第四圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第一照明模組發光，以及控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；
第五圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第二照明模組發光，以及控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；
第六圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第一照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；第七圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第二照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；第八圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第三照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；
第九圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第一照明組件與第四照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖；以及
第十圖係顯示在本發明較佳實施例中，吸盤異物檢測系統之控制單元依照檢測時序控制第二照明組件與第三照明組件發光，並控制影像擷取模組擷取晶圓吸盤之影像的平面示意圖。
1:外掛式設置架
11:第一設置段
12:第二設置段
2:第一照明模組
21:第一照明組件
22:第二照明組件
3:第二照明模組
31:第三照明組件
32:第四照明組件
42,43:影像擷取裝置
82,83:影像擷取裝置
2012,2013:作業區
20121,20131:容置空間
2014:保護框架
202:晶圓吸盤
202a:第一側
202b:第二側
202c,203c:第三側
202d,203d:第四側
203:晶圓吸盤
D1:第一方向
D2:第二方向
Claims (9)
- 一種吸盤異物檢測系統，係設置於一晶圓加工裝置，該晶圓加工裝置包含一晶圓加工裝置本體與一晶圓吸盤，該晶圓吸盤係設置於該晶圓加工裝置本體之一作業區，且至少一晶圓係自該晶圓吸盤之一第一側進入該作業區，並自該晶圓吸盤之一第二側移出該作業區，該吸盤異物檢測系統包含： 一第一照明模組，係設置於該作業區，並位於該晶圓吸盤相異於該第一側與該第二側之一第三側； 一第二照明模組，係設置於該作業區，並位於該晶圓吸盤相異於該第一側、該第二側與該第三側之一第四側； 一影像擷取模組，係設置於該作業區，並位於該晶圓吸盤之上方，用以擷取該晶圓吸盤之影像； 一控制單元，係電性連結於該第一照明模組、該第二照明模組以及該影像擷取模組，用以控制該第一照明模組與該第二照明模組依照一檢測時序依序發光，並控制該影像擷取模組依照該檢測時序擷取複數個低反光影像；以及 一影像識別單元，係電性連結於該影像擷取模組，用以分析該些低反光影像而判斷該晶圓吸盤是否有異物。
- 如請求項1所述之吸盤異物檢測系統，更包含一外掛式設置架，該第一照明模組與該第二照明模組係設置於該外掛式設置架上，且該外掛式設置架係用以可拆卸地設置於於該作業區內，藉以使該第一照明模組與該第二照明模組分別位於該第三側與該第四側。
- 如請求項2所述之吸盤異物檢測系統，其中，該外掛式設置架具有一第一設置段與一第二設置段，該第一設置段係沿一第一方向延伸，並用以設置於該第三側，該第二設置段係沿一相異於該第一方向之第二方向延伸，並用以設置於該第四側，且該第一照明模組係設置於該第一設置段，該第二照明模組係設置於該第二設置段。
- 如請求項1所述之吸盤異物檢測系統，其中，該第一照明模組更包含一第一照明組件與一第二照明組件，該第一照明組件與該第二照明組件係位於該第三側。
- 如請求項4所述之吸盤異物檢測系統，其中，該檢測時序依序包含一第一檢測時序、一第二檢測時序與一第三檢測時序，該控制單元在該第一檢測時序時，係控制該第一照明組件對該晶圓吸盤投射光束而使該晶圓吸盤形成一第一檢測區域與至少一第一非檢測區域，並控制該影像擷取模組擷取該第一檢測區域之影像，該控制單元在該第二檢測時序時，係控制該第二照明組件對該晶圓吸盤投射光束而使該晶圓吸盤形成一第二檢測區域與至少一第二非檢測區域，並控制該影像擷取模組擷取該第二檢測區域之影像，該控制單元在該第三檢測時序時，係控制該第二照明模組對該晶圓吸盤投射光束而使該晶圓吸盤形成一第三檢測區域與至少一第三非檢測區域，並控制該影像擷取模組擷取該第三檢測區域之影像，該第一檢測區域、該第二檢測區域與該第三檢測區域其中任意二者係相互鄰接。
- 如請求項4所述之吸盤異物檢測系統，其中，該第二照明模組包含一第三照明組件與一第四照明組件，該第三照明組件與該第四照明組件係設置於該第四側。
- 如請求項6所述之吸盤異物檢測系統，其中，該第一照明組件與該第四照明組件係以該晶圓吸盤之圓心為中心而相對稱地設置，該第二照明組件與該第三照明組件係以該晶圓吸盤之圓心為中心而相對稱地設置。
- 如請求項7所述之吸盤異物檢測系統，其中，該檢測時序依序包含一第一檢測時序與一第二檢測時序，該控制單元在該第一檢測時序時，係控制該第一照明組件與該第四照明組件對該晶圓吸盤投射光束而在該晶圓吸盤上以該晶圓吸盤之圓心為中心形成相對稱之二第一檢測區域與二第一非檢測區域，並控制該影像擷取模組擷取該二第一檢測區域之影像，該控制單元在該第二檢測時序時，係控制該第二照明組件與該第三照明組件對該晶圓吸盤投射光束而在該晶圓吸盤上以該晶圓吸盤之圓心為中心形成相對稱之二第二檢測區域與二第二非檢測區域，並控制該影像擷取模組擷取該二第二檢測區域之影像，其中，該二第一檢測區域與該二第一非檢測區域係交錯地排列，該二第二檢測區域與該二第二非檢測區域係交錯地排列。
- 如請求項1所述之吸盤異物檢測系統，其中，該影像擷取模組更包含一延伸支架與至少一影像擷取裝置，該延伸支架係固定於該晶圓加工裝置本體，該至少一影像擷取裝置係固定於該延伸支架。
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