TWI745144B - 用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統 - Google Patents

Abstract

一種用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，係在一暗場環境中，以低角度照明的方式投射出檢測光束，利用一移動模組使晶圓吸盤沿一移動方向移動。當晶圓吸盤移動至被檢測光束所照射之位置時，利用一線掃描影像擷取模組沿一掃描線對晶圓吸盤進行線掃描以擷取一晶圓吸盤檢測影像。若晶圓吸盤上殘留有異物時，檢測光束投射至異物與晶圓吸盤之至少一交界邊緣後，係因異物與晶圓吸盤之反射條件不同而在晶圓吸盤檢測影像中呈現出至少一異物邊界輪廓，藉由晶圓吸盤檢測影像是否存在異物邊界輪廓，可判斷晶圓吸盤上是否仍殘留有異物。

Description

用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統

本發明係有關於一種光學檢測系統，尤其是指一種用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統。

在半導體技術中，晶圓處理是相當重要而不可或缺的一環。在一些晶圓處理製程中，會將晶圓進行多個階段的切割，如為了劃分為多個處理區而預切溝槽，又譬如切斷成多個小晶片，藉以進行紫光照射或其他處理製程。

在先前技術中，在對晶圓進行多個階段的切割後，為了補強支撐晶圓片或將多個被切斷的小晶片排列整齊，同時，也為了要能夠配合光學相關製程的作業需要，往往需要進行一晶圓再黏片製程。由於在切割與再黏片過程難免會有殘膠、晶片碎片或其他異物殘留在晶圓吸盤，為了避免在晶圓吸盤上殘留有異物而對後續製程造成不良的影響，較為保守的作法是在進行涉及晶圓再黏片製程後，不論晶圓吸盤上是否確實存在異物，一律對晶圓吸盤進行全面性的異物清除作業，譬如；將晶圓吸盤浸泡至脫膠溶劑溶膠，或以吹氣設備吹走殘留在晶圓吸盤的晶片碎片）。如此一來，將會導致整體製程時間變長。

此外，在晶圓處理製程設備中，通常會在有限的空間中設置許多工作模組，特別是在進行晶圓再黏片製程，因為涉及相關的光學加工處理（如紫外光照射處理），往往需要在暗場環境中進行，所以許多工作模組都會以殼體或分隔板遮蔽以降低光學性的干擾，導致相鄰工作模組（的殼體或分隔板）之間的空隙如狹縫一般狹長，根本無法設置體積較大且解析度足夠之二維掃描影像擷取模組，只能設置體積較小但解析度不足的低階二維掃描影像擷取模組擷取晶圓吸盤檢測影像，因而無法獲得清晰的晶圓吸盤檢測影像。

有鑒於先前技術中，普遍存在因為反光的影響而無法有效辨識出晶圓吸盤的各個檢測區域中究竟是否仍有異物殘留，導致需要進行全面性的異物清除作業而造成整體製程時間變長，以及缺乏足夠的空間來設置解析度足夠之二維掃描影像擷取模組，導致無法獲得清晰的晶圓吸盤檢測影像等問題。本發明主要之目的在於提供一種專用於檢測晶圓吸盤是否殘留有異物之光學檢測系統，藉以確實檢測出晶圓吸盤上的異物殘留狀況，以判斷是否需要清除異物，或作為選擇異物清除方式的參考依據。

本發明為解決先前技術之問題，所採用之必要技術手段為提供一種用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，其係設置於一包含有一晶圓吸盤之晶圓處理製程設備。晶圓吸盤具有一用以吸附一晶圓之吸附平面，線掃描光學檢測包含一照明模組、一移動模組、一線掃描影像擷取模組與一影像分析模組。

照明模組係設置於該晶圓處理製程設備內，用以沿至少一投射方向投射出至少一檢測光束。移動模組係設置於晶圓處理製程設備，用以承載該晶圓吸盤，並使晶圓吸盤沿一移動方向移動，直到當檢測光束投射至晶圓吸盤時，投射方向與吸附平面之夾角係小於30度。線掃描影像擷取模組，係設置於晶圓處理製程設備之一狹縫型安裝空間，並在檢測光束投射至晶圓吸盤時，沿一掃描線掃描晶圓吸盤以擷取至少一晶圓吸盤檢測影像。影像分析模組係電性連結於線掃描影像擷取模組，用以分析晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於異物之異物邊界輪廓。當晶圓吸盤上殘留有異物時，檢測光束投射至異物與晶圓吸盤之至少一交界邊緣後，係因異物與晶圓吸盤之反射條件不同而在晶圓吸盤檢測影像中呈現出異物邊界輪廓。

在上述必要技術手段的基礎下，較佳者，照明模組可包含至少一線照明組件，且每一線照明組件包含複數個線性排列之照明元件。較佳者，線掃描影像擷取模組包含一透鏡組與一線掃描影像感測裝置，透鏡組與線掃描影像感測裝置係沿一取像中心軸而設置，且取像中心軸係垂直於掃描線，並且經過掃描線之中心。較佳者，取像中心軸係垂直於移動方向。線掃描影像感測裝置可為一線掃描互補式金屬氧化物半導體（CMOS）影像感測器或一線掃描電荷耦合器件（CCD）。

此外，為了能夠使移動模組可以更穩定地承載晶圓吸盤，並使晶圓吸盤沿移動方向移動，較佳者，移動模組可包含一線性軌道、一移動式載台與一承載盤。線性軌道係沿移動方向延伸。移動式載台係設置在線性軌道，用以沿線性軌道移動。承載盤係設置在移動式載台，用以承載晶圓吸盤，使晶圓吸盤隨著移動式載台沿移動方向移動。

承上所述，由於在本發明所提供之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統中，係利用在暗場環境中以低角度提供擷取晶圓吸盤檢測影像所需的照明，所以可因為低角度照明的方式可使檢測光束以低角度反射出而使晶圓吸盤檢測影像不會出現較光亮的反射區塊，因而可以更清楚而明確地辨識出晶圓吸盤檢測影像中是否存在異物邊界輪廓。此外，在本發明中，利用移動模組使晶圓吸盤沿移動方向移動，配合以體積較小且解析度足夠的線掃描影像擷取模組取代體積較大的二維掃描影像擷取模組之手段，所以可獲得清晰的晶圓吸盤檢測影像，藉以精確判斷是否需要清除異物，並作為選擇異物清除方式的參考依據，使異物清除工作能更有效率地進行。

由於本發明所提供之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，可廣泛運用於將各種晶圓處理製程設備的晶圓吸盤殘留異物檢測，在相關元件的等效元件置換和設置位置的選擇上皆可據此做出種種局部性的調整與改良，其組合實施方式更是不勝枚舉，故在此不再一一贅述，僅列舉其一個中較佳實施例來加以具體說明。此外，在各實施例中的圖式均採用非常簡化的形式，各元件之間並非使用絕對精準的比例加以呈現，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的與功效。

請參閱第一圖至第四圖，第一圖係顯示在本發明較佳實施例所提供之線掃描光學檢測系統中，當晶圓吸盤尚未移動至掃描線之示意圖；第二圖係顯示在本發明較佳實施例所提供之線掃描光學檢測系統中，當晶圓吸盤移動至掃描線之示意圖；第三圖係顯示第二圖中沿掃描線之截面示意圖；第四圖係顯示在本發明較佳實施例所提供之線掃描光學檢測系統中，當晶圓吸盤移動離開掃描線之示意圖。

如第一圖至第四圖所示，一用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統（以下簡稱「線掃描光學檢測系統」）100，設置於一晶圓處理製程設備200，且晶圓處理製程設備200中具有兩個工作模組殼體201與202。由於晶圓處理製程設備200之內部空間有限，為了充分利用空間，工作模組殼體201與202之間只存在一狹縫型安裝空間S，狹縫型安裝空間S具有一空間長度L與一空間寬度W。空間長度L與空間寬度W之比例大於6:1；因此，狹縫型安裝空間S如狹縫一般狹窄，根本無法安裝解析度足夠之二維掃描影像擷取模組。晶圓處理製程設備200內部包含有一晶圓吸盤300，且晶圓吸盤300具有一用以吸附一晶圓（未繪製）之吸附平面301。

線掃描光學檢測系統100，係用以在晶圓處理製程設備200進行一晶圓再黏片製程後，在晶圓處理製程設備200內之一暗場環境中檢測晶圓吸盤300上是否仍殘留有異物（在本實施例中晶圓吸盤300存在三個異物400a、400b與400c）。晶圓再黏片製程通常包含以下步驟：將晶圓貼在支撐膠帶並加以安裝；切斷支撐膠帶，將晶圓翻面並照射紫外光；將晶圓黏貼到有切割膠帶的框架後，由晶圓吸盤固定並移動，並將支撐膠帶從晶圓移除；最後，晶圓吸盤承載晶圓並將晶圓送至下一個工作模組，以對晶圓進行後續的處理。由於晶圓再黏片製程已是一種現有的晶圓處理製程，以下不再予以贅述。由以上敘述可知，晶圓再黏片製程後，晶圓吸盤上有可能會殘留有殘膠、晶片碎片（晶圓預切產生的邊緣碎片）或其他殘留之異物。

線掃描光學檢測系統100包含一照明模組1、一移動模組2、一線掃描影像擷取模組3與一影像分析模組4。所述之暗場環境，是指在晶圓處理製程設備200內部的一個內部環境空間，且在該內部環境空間中的背景亮度是遠小於照明模組1對該內部環境空間中被照射區域提供照明所產生的亮度，導致背景亮度對檢測結果的影響可以忽略不計。

照明模組1包含二線照明組件11與12，且線照明組件11與12分別包含複數個線性相間排列之照明元件111與121。照明元件111與121可為LED發光單體，且線照明組件11與12可為二個獨立的LED燈條。

移動模組2包含一線性軌道21、一移動式載台22與一承載盤23。線性軌道21係沿一移動方向MD延伸。移動式載台22係設置在線性軌道21，用以沿線性軌道21移動。承載盤23係設置在移動式載台22，用以承載晶圓吸盤300。藉由移動模組2，可承載晶圓吸盤300，並使晶圓吸盤300沿移動方向MD移動。

線掃描影像擷取模組3係在晶圓處理製程設備200內的暗場環境中設置於上述之狹縫型安裝空間S，並可包含一基座31、一線掃描影像感測裝置32與一透鏡組33，基座31係在狹縫型安裝空間S中連結固定於工作模組殼體201與202。線掃描影像感測裝置32係連結固定於基座31，並可為一線掃描互補式金屬氧化物半導體（CMOS）影像感測器或一線掃描電荷耦合器件（CCD）。線掃描影像感測裝置32係用以沿一掃描線SL進行掃描，並在進行掃描時形成一掃描場型SF。掃描線SL為一線段，線段的長度為掃描行程，且線段的長度與線掃描影像擷取模組3和待取像物件之距離成正比。

透鏡組33係連結固定於線掃描影像感測裝置32，且透鏡組33與線掃描影像感測裝置32係沿一取像中心軸IA而設置。此外，透鏡組33可配合線掃描影像感測裝置32擷取影像的線掃描需要而選擇性地配置一個或多個透鏡所組成。取像中心軸IA與掃描線SL之間的夾角θ為90度，換言之，取像中心軸IA係垂直於掃描線SL。較佳者，取像中心軸IA係經過掃描線SL之中心，且取像中心軸IA與移動方向MD之間的夾角Φ也為90度，換言之，取像中心軸IA係垂直於移動方向MD。

影像分析模組4係電性連結於線掃描影像擷取模組3，並可為一內建於晶圓處理製程設備200之影像分析模組，亦可為一自晶圓處理製程設備200外接之電腦內所設置之影像分析模組。

在利用線掃描光學檢測系統100檢測晶圓吸盤300上是否有異物殘留時，可利用照明模組1沿至少一投射方向對晶圓吸盤300投射出至少一檢測光束，在本實施例中，照明模組1中的線照明組件11與12分別沿各自的投射方向同時投射出檢測光束ILB1與ILB2。

移動模組2使晶圓吸盤300沿移動方向MD移動，在沿移動方向MD移動時，晶圓吸盤300之中心係沿一平行於移動方向MD之移動中心線MCL移動，較佳者，取像中心軸IA係與移動中心線MCL垂直相交。

當晶圓吸盤300持續沿移動方向MD移動，直到檢測光束ILB1與ILB2投射至晶圓吸盤300時（如第二圖與第三圖所示），檢測光束ILB1與ILB2之投射方向（第三圖中檢測光束ILB1與ILB2之箭頭所指的方向）與吸附平面301之間的夾角α係小於30度。在晶圓吸盤300沿移動方向MD移動，晶圓吸盤300的各部分會先後通過掃描線SL，使線掃描影像感測裝置32可以沿掃描線SL對晶圓吸盤300的各部分進行線掃描。線掃描影像感測裝置32可依據線掃描時所獲得光電感應資料生成至少一晶圓吸盤檢測影像CI（標示於第五圖）。

請繼續參閱第五圖，其係顯示本發明較佳實施例所擷取之晶圓吸盤檢測影像。同時，請一併參閱第一圖至第四圖。當晶圓吸盤300上殘留有異物（本實施例中殘留有異物400a、400b與400c）時，檢測光束ILB1與ILB2投射至異物400a、400b與400c和晶圓吸盤300之至少一交界邊緣後，係因異物400a、400b與400c與晶圓吸盤300之反射條件不同（如異物400a、400b與400c的反射率與反射角和晶圓吸盤300不同）而在晶圓吸盤檢測影像CI中呈現出對應於異物400a、400b與400c之異物邊界輪廓Da、Db與Dc（如第五圖所示）。

在影像分析模組4分析出在晶圓吸盤檢測影像CI中存在異物邊界輪廓Da、Db與Dc後，可進一步分析出異物之數量、面積或分布位置。並進一步可利用晶圓吸盤檢測影像CI中異物邊界輪廓Da、Db與Dc內部區域的灰階分布狀況，分析出異物之種類（如殘膠、晶片碎片或其他在完成加工作業後仍殘留在晶圓吸盤上的物質）。在本實施例中，影像分析模組4可分析出晶圓吸盤檢測影像CI存在三個異物邊界輪廓Da、Db與Dc，據此可分析出異物之種類、數量、面積或分布位置，以精確判斷是否需要清除異物，並作為選擇異物清除方式的參考依據，使異物清除工作能更有效率地進行。

承上所述，由於在本發明所提供線掃描光學檢測系統100中，係利用在暗場環境中以低角度（即上述夾角α小於30度）提供擷取晶圓吸盤檢測影像CI時所需的照明，所以可因為低角度照明的方式可使檢測光束ILB1與ILB2以低角度反射出而使晶圓吸盤檢測影像CI不會出現較光亮的反射區塊，因而可以更清楚而明確地辨識出晶圓吸盤檢測影像CI中是否存在異物邊界輪廓。此外，在本發明中，利用移動模組2使晶圓吸盤300沿移動方向MD移動，配合以體積較小且解析度足夠的線掃描影像擷取模組3取代體積較大的二維掃描影像擷取模組之手段，所以可獲得清晰的晶圓吸盤檢測影像，藉以精確判斷是否需要清除異物，並作為選擇異物清除方式的參考依據，使異物清除工作能更有效率地進行。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。

100:線掃描光學檢測系統 1:照明模組 11,12:線照明組件 111,121:照明元件 2:移動模組 21:線性軌道 22:移動式載台 23:承載盤 3:線掃描影像擷取模組 31:基座 32:線掃描影像感測裝置 33:透鏡組 4:影像分析模組 200:晶圓處理製程設備 201,202:工作模組殼體 300:晶圓吸盤 301:吸附平面 400a,400b,400c:異物 ILB1,ILB2:檢測光束 S:狹縫型安裝空間 L:空間長度 W:空間寬度 MD:移動方向 SL:掃描線 SF:掃描場型 MCL:移動中心線 IA:取像中心軸 θ,Φ,α:夾角 CI:晶圓吸盤檢測影像 Da,Db,Dc:異物邊界輪廓

第一圖係顯示在本發明較佳實施例所提供之線掃描光學檢測系統中，當晶圓吸盤尚未移動至掃描線之示意圖； 第二圖係顯示在本發明較佳實施例所提供之線掃描光學檢測系統中，當晶圓吸盤移動至掃描線之示意圖； 第三圖係顯示第二圖中沿掃描線之截面示意圖； 第四圖係顯示在本發明較佳實施例所提供之線掃描光學檢測系統中，當晶圓吸盤移動離開掃描線之示意圖；以及 第五圖係顯示本發明較佳實施例所擷取之晶圓吸盤檢測影像。

100:線掃描光學檢測系統

1:照明模組

11,12:線照明組件

111:照明元件

2:移動模組

21:線性軌道

22:移動式載台

23:承載盤

3:線掃描影像擷取模組

31:基座

32:線掃描影像感測裝置

33:透鏡組

4:影像分析模組

200:晶圓處理製程設備

201,202:工作模組殼體

300:晶圓吸盤

301:吸附平面

400a,400b,400c:異物

ILB1,ILB2:檢測光束

S:狹縫型安裝空間

L:空間長度

W:空間寬度

MD:移動方向

SL:掃描線

SF:掃描場型

MCL:移動中心線

IA:取像中心軸

θ,Φ:夾角

Claims (6)

1. 一種用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，係設置於一包含有一晶圓吸盤之晶圓處理製程設備，該晶圓吸盤具有一用以吸附一晶圓之吸附平面，該線掃描光學檢測系統包含： 一照明模組，係設置在該晶圓處理製程設備內，用以沿至少一投射方向投射出至少一檢測光束； 一移動模組，係設置於該晶圓處理製程設備，用以承載該晶圓吸盤，並使該晶圓吸盤沿一移動方向移動，直到當該至少一檢測光束投射至該晶圓吸盤時，該至少一投射方向與該吸附平面之夾角係小於30度； 一線掃描影像擷取模組，係設置於該晶圓處理製程設備之一狹縫型安裝空間，並在該至少一檢測光束投射至該晶圓吸盤時，沿一掃描線掃描該晶圓吸盤以擷取至少一晶圓吸盤檢測影像； 一影像分析模組，係電性連結於該線掃描影像擷取模組，用以分析該至少一晶圓吸盤檢測影像是否存在至少一對應於至少一異物之異物邊界輪廓； 其中，當該至少一晶圓吸盤上殘留有該至少一異物時，該至少一檢測光束投射至該至少一異物與該晶圓吸盤之至少一交界邊緣後，係因該至少一異物與該晶圓吸盤之反射條件不同而在該至少一晶圓吸盤檢測影像中呈現出該至少一異物邊界輪廓。
2. 如請求項1所述之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，其中，該照明模組包含至少一線照明組件，且該至少一線照明組件包含複數個線性排列之照明元件。
3. 如請求項1所述之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，其中，該線掃描影像擷取模組包含一透鏡組與一線掃描影像感測裝置，該透鏡組與該線掃描影像感測裝置係沿一取像中心軸而設置，且該取像中心軸係垂直於該掃描線，並且經過該掃描線之中心。
4. 如請求項3所述之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，其中，該取像中心軸係垂直於該移動方向。
5. 如請求項3所述之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，其中，該線掃描影像感測裝置係為一線掃描互補式金屬氧化物半導體（CMOS）影像感測器或一線掃描電荷耦合器件（CCD）。
6. 如請求項1所述之用於檢測晶圓吸盤殘留異物之線掃描光學檢測系統，其中，該移動模組包含 一線性軌道，係沿該移動方向延伸； 一移動式載台，係設置在該線性軌道，用以沿該線性軌道移動；以及 一承載盤，係設置在該移動式載台，用以承載該晶圓吸盤。

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