JPH06258056A - 半導体ウエハの形状認識装置 - Google Patents

半導体ウエハの形状認識装置

Info

Publication number
JPH06258056A
JPH06258056A JP4546393A JP4546393A JPH06258056A JP H06258056 A JPH06258056 A JP H06258056A JP 4546393 A JP4546393 A JP 4546393A JP 4546393 A JP4546393 A JP 4546393A JP H06258056 A JPH06258056 A JP H06258056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
reflected
wafer
filter
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4546393A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuro Nishida
鉄郎 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP4546393A priority Critical patent/JPH06258056A/ja
Priority to EP94301426A priority patent/EP0614080A3/en
Publication of JPH06258056A publication Critical patent/JPH06258056A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は半導体ウエハの形状認識装置に関
し、半導体ウエハ上に形成された回路パターンによら
ず、正確な形状認識が安定的におこなえるようにするこ
とを目的とする。 【構成】 半導体ウエハ(100)を照明する照明手段
1と、半導体ウエハ100で正反射された照明光を直接
受けない位置に配置され半導体ウエハ100の像を撮影
してビデオ信号を出力する撮影手段3と、ビデオ信号を
処理して半導体ウエハ100の形状を認識するウエハ形
状認識手段6とを備える半導体ウエハの形状認識装置に
おいて、照明手段(1)より出射される照明光の光路に
設けられた第一偏光手段7と、半導体ウエハ100から
撮影手段3に入射する撮影光の経路内に設けられた第二
偏光手段8とを備えるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイシング装置等で半
導体ウエハに加工や処理を行う場合に、半導体ウエハに
割れや欠けがあっても形状に応じた加工や処理が正確に
且つ効率良く行えるようにするために半導体ウエハの形
状を自動的に認識する半導体ウエハの形状認識装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハの表面には多数の半導体チ
ップが形成される。そしてその状態の半導体ウエハに対
して、プローバを介してのICテスタによる各チップの
検査やダイシング装置による溝加工が施される。半導体
ウエハは円形であり、円形であるという前提のもとに自
動的にアライメントを実行して各種の処理を行う自動化
が進められている。以下ダイシング装置を例として説明
を行う。ダイシング装置は高速に回転する切削刃で細い
溝を加工する装置であり、半導体ウエハ上に形成された
半導体チップをウエハから切り出すための加工に広く利
用されている。
【0003】図3はダイシング装置の基本構成を示す図
である。図3において、参照番号100は溝加工が施さ
れる半導体ウエハである。11はダイアモンド等の砥粒
をニッケル等で固着した切削刃(ブレード)であり、ス
ピンドルモータ12によって高速に回転する。13は半
導体ウエハ100を真空吸着によって固定するステージ
であり、精密な移動機構14によって図の矢印方向に移
動される。16乃至18はステージ13に載置された半
導体ウエハ100の位置を測定するための撮影装置であ
る。回転するブレード11に対して半導体ウエハ100
が載置されたステージ13を移動することにより溝加工
を行う。なおすべての図において、共通の機能部分には
同一の参照番号を付し、説明を省略するものとする。
【0004】半導体ウエハ100はステージ13に固定
されるが、加工中にばらばらになるのを防止するため、
半導体ウエハ100の裏面に粘着テープを貼り付けた上
でステージ13に固定するのが一般的である。半導体ウ
エハ100の裏面に粘着テープを貼り付ける場合、図示
するように、中央部を打ちぬいたフレーム101に粘着
テープ102を貼り付け、その中央の部分に半導体ウエ
ハ100を貼り付けたものをステージ13に載置して固
定している。工程間の搬送もこの状態で行われる。
【0005】撮影装置は、半導体ウエハ100の表面を
拡大して投影する対物レンズ16と、鏡筒17と、TV
カメラ18とを有しており、半導体ウエハ100の表面
を拡大した画面のビデオ信号が出力される。半導体ウエ
ハ100をステージ13に載置しただけでは、半導体ウ
エハ100の表面に形成された半導体チップの配列パタ
ーンとブレード11の加工位置との間の位置関係が定ま
っていないため、そのままでは半導体ウエハ100上の
所望の位置に正確に溝を加工することはできない。そこ
で、半導体ウエハ100が載置されたステージ13を撮
影装置の視野の下に移動させ、半導体ウエハ100上の
所定位置を投影装置の視野内の所定位置に合わせる。投
影装置はあらかじめブレード11の加工位置に対して所
定の位置関係になるように調整されており、上記のよう
な位置調整を行うことにより半導体ウエハ100の表面
上の位置とブレード11の加工位置との位置関係が決定
され、精密な移動機構14によってステージ13を移動
することで、半導体ウエハ100上の所望の位置に正確
に溝を加工することが可能になる。このような位置合わ
せ動作をアラインメント動作と呼んでいる。
【0006】アラインメント動作を行うには、例えば、
TVカメラ18からのビデオ信号をモニタに表示させ、
モニタ画面を見ながら位置合わせを行う。しかし近年ダ
イシング装置は生産性の改善のため自動化が求められて
おり、アラインメント動作についても自動化が行われて
いる。アラインメント動作の自動化は、TVカメラ18
のビデオ信号出力を画像処理することにより行われてい
る。
【0007】図4はフレーム101に貼り付けられた粘
着テープ102に貼り付けられた半導体ウエハ100を
示す図であり、半導体ウエハ100上には多数の半導体
チップ110が配列されている。各半導体チップ110
の列の間の部分に溝が加工される。画像処理による自動
アラインメント動作は、図のa乃至eで示した各部分を
それぞれTVカメラ18の視野内に移動した上でチップ
列の間を識別する。そしてその検出結果からチップ列の
傾きと位置を求め、チップ列が移動機構の軸に一致する
ようにステージ13を回転し、TVカメラ18の画像の
所定位置に半導体ウエハ100の所定位置が一致する時
の移動機構の座標を記憶する。図のa乃至eで示した部
分での各チップ列の識別は、公知のパターンマッチング
手法等で行われる。従って、識別動作のためにa乃至e
の部分をTVカメラ18の視野内に移動した時に、その
部分が視野の中心に近い位置にあれば、チップ列の識別
に要する時間が短くなる。もしa乃至eの部分がTVカ
メラ18の視野の中心から離れていると、パターンマッ
チング等の動作を多数回繰り返す必要があるため、自動
アラインメント動作に要する時間が長くなる。
【0008】半導体ウエハは円形又は円形に近い形状を
しており、自動アラインメント動作において図4のa乃
至eで示した各部分をそれぞれTVカメラ18の視野内
に移動する場合も半導体ウエハ100が円形であり、フ
レーム101のほぼ中心に一致するように配置されてお
り、更にフレーム101に設けられた切り欠きに対して
チップ列の方向がある程度の範囲内にあるものとして移
動される。そしてその位置でパターンマッチング動作等
が行われる。
【0009】しかし実際の製造工程においては、半導体
ウエハが割れたり、欠けを生じる場合がある。またフレ
ームの中心と半導体ウエハの中心とが一致しない場合も
ある。図5は半導体ウエハの形状の異常と配置ずれの例
を示す図である。半導体ウエハが割れたり、欠けが生じ
た場合に、そのまま廃棄したのでは歩留りの低下を招く
ため、たとえ割れたり欠けが生じた状態であっても問題
のない半導体チップについては、溝加工を行って切り出
す必要がある。そのため図5(a)に示したような割れ
た半導体ウエハ100についても加工が行われる。しか
し図5(a)のような半導体ウエハ100に対して上記
の自動アラインメント動作を行った場合、どの部分でチ
ップ列の識別を行うかがわからず、従来と同様に移動さ
せたのでは、チップ列の存在しない部分が視野内に入っ
てしまい、自動的にチップ列を識別することはできな
い。また、図5(b)のように、半導体ウエハ100の
中心C1がフレーム101の中心C2から大きく外れた
場合にも、同様の理由で自動的にチップ列を識別するこ
とができなくなる。
【0010】そこで本出願人は、特願平2─22891
2号(特開平4−109652)で、あらかじめ半導体
ウエハの形状を認識した上で処理を行うようにしたダイ
シング装置を開示している。また特開平4─23325
0号公報では、半導体ウエハの形状認識を画像処理によ
り行うダイシング装置が開示されている。図6は半導体
ウエハの形状をTVカメラで撮影する場合の基本的な配
置を示す図である。図6において、参照番号1は半導体
ウエハ100を照明する照明装置であり、ランプ2を有
している。3は撮影装置であり、レンズ4とTVカメラ
5とを有している。ここでは、照明装置1からの照明光
は半導体ウエハ100に対して斜め方向から入射し、撮
影装置3は垂直方向から半導体ウエハ100を撮影す
る。撮影装置3は、反射した照明光を直接受けない位置
に配置されており、通常の場合TVカメラ5の出力する
映像は、図7の(a)に示すようになる。すなわち、半
導体ウエハ100の表面が高精度の平面であるため、半
導体ウエハ100に入射した照明光はほとんど正反射
し、撮影装置3には入射しない。従って、半導体ウエハ
100の部分は真っ暗になる。フレーム101の部分は
半導体ウエハ100の表面に比べて平面度は低いが、あ
る程度平面であるためやはり暗くなる。そして粘着テー
プ102の部分は照明光が乱反射するため明るくなる。
そこで半導体ウエハ100の形状を認識する画像処理
は、適当な閾値を設定して二値化画像を生成し、半導体
ウエハ100の外形を認識することにより行う。
【0011】半導体ウエハの表面状態によってはテープ
部分の乱反射よりウエハ表面が明るくなることがある。
この場合には明るさを画像データの段階で反転させ(明
るいところを暗く、暗いところを明るく)上記と同様の
処理を実施することにより半導体ウエハの外形を認識す
ることができる。半導体ウエハ100の外形を認識すれ
ば、アラインメント動作を行なう場合も半導体チップ列
の認識を行う部分を指定することができるため自動的に
行うことが可能であり、また溝加工の動作も必要な部分
についてのみおこなえばよいため無駄な加工時間が省け
る。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかし半導体ウエハ1
00上に形成された回路パターンによっては、半導体ウ
エハ100に入射した照明光のすべてが正反射せず、一
部が撮影装置3に入射するという現象が発生する。これ
は光の回折の影響と考えられる。このような現象が生じ
るとTVカメラ5の出力する映像は、図7の(b)に示
すように、半導体ウエハ100の一部が明るくなり、図
7の(a)の場合と同様の閾値で二値化したのでは、半
導体ウエハ100が欠けていると認識され、正確な形状
の認識が行えなくなるという問題が発生する。
【0013】上記理由以外にウエハの反りや表面の出来
上り具合が不均一のために図7(b)に示すのと同様な
状況が発生し正確な形状認識が行えなくなるという問題
が発生する。本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、半導体ウエハの形状認識装置において、半導体
ウエハ上に形成された回路パターンによらず又ウエハの
反りやウエハ表面の仕上り状態に依存せず、正確な形状
認識が安定的におこなえるようにすることを目的とす
る。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体ウエハの形状認識装置は、半導体ウ
エハを照明し半導体ウエハを撮影する光路に偏光手段を
設ける。すなわち、本発明の半導体ウエハの形状認識装
置は、半導体ウエハを照明する照明手段と、半導体ウエ
ハで正反射された照明光を直接受けない位置に配置され
半導体ウエハの像を撮影してビデオ信号を出力する撮影
手段と、ビデオ信号を処理して半導体ウエハの形状を認
識するウエハ形状認識手段とを備える装置であるが、上
記目的を達成するため、照明手段より出射される照明光
の光路に設けられた第一偏光手段と、半導体ウエハから
撮影手段に入射する撮影光の経路内に設けられた第二偏
光手段とを備えることを特徴とする。
【0015】
【作用】半導体ウエハ100上に形成された回路パター
ンによって照明光の一部が撮影装置3の方に反射される
場合、その反射光の偏光方向は半導体ウエハの回路パタ
ン等の表面状態に依存して特定の角度となる。従って、
照明光を第一偏光手段で偏光させ、第二偏光手段の偏光
方向を第一偏光手段の偏光方向に対して所定の角度にす
れば、半導体ウエハ100上に形成された回路パターン
によって撮影装置3の方に反射される光は、第二偏光手
段によってほとんど遮断される。粘着テープ102によ
って反射される光は、乱反射のためたとえ入射する照明
光が偏光していても偏光方向はランダムになるから、第
二偏光手段によってすべて遮断されることはない。従っ
て、本発明の半導体ウエハの形状認識装置においては、
半導体ウエハ100上に形成された回路パターンによっ
て照明光の一部が撮影装置3の方に反射されても、図7
に示したような映像が得られ、正確な形状認識が行え
る。
【0016】また、照明光がレーザ光のように偏光して
いれば、第一偏光手段は必要ない。
【0017】
【実施例】図1は本発明の形状認識装置が使用されるダ
イシング装置の実施例の構成を示す斜視図である。図1
において、参照番号11は切削刃(ブレード)であり、
12はブレード11を高速で回転させるスピンドルモー
タで図の矢印方向に移動可能である。13は溝加工が施
される半導体ウエハ100を保持するステージであり、
移動機構14により図の矢印方向に移動される。これら
の移動機構は制御部15によって制御される。半導体ウ
エハ100は、図4に示したフレーム101に付けられ
た粘着テープ102に貼り付けられた状態でステージ1
3上に載置されて加工される。16乃至18は、自動ア
ラインメント動作用の撮影装置であり、顕微鏡レンズ1
6と、鏡筒17と、TVカメラ18とを有している。実
際には更に照明装置が設けられているが、ここでは省略
してある。顕微鏡レンズ16は直下に移動された半導体
ウエハ100、フレーム101及び粘着テープ102の
表面の像を拡大してTVカメラ18に投影し、TVカメ
ラ18はビデオ信号を出力する。19はこのビデオ信号
を処理して半導体ウエハ100上の回路パターンを識別
し、画面に対する回路パターンの傾きや位置を算出する
自動アラインメント部である。制御部15は、自動アラ
インメント部からの算出値に基づいてステージ13を回
転し、移動機構14の軸方向と半導体チップ列の方向を
合わせ、画面の中心に回路パターンの所定位置が一致す
るようにステージ13を移動する。そして、その時の移
動機構14の座標を原点として記憶し、以後の移動制御
を行う。
【0018】形状認識装置は参照番号1から8の要素を
有する。1は形状認識のために半導体ウエハ100を撮
影する時の照明装置である。3は形状認識のための撮影
装置であり、ウエハ形状認識部6はそのビデオ信号に基
づいて画像処理を行い、半導体ウエハ100の形状を認
識する。7は第一偏光フィルタであり、8は第二偏光フ
ィルタである。
【0019】図2は形状認識装置における半導体ウエハ
100を撮影する時の光路を示す図である。図2におい
て、2は照明装置の光源のランプであり、4は撮影装置
3の投影用レンズであり、5はTVカメラである。次に
図2の光路の作用について説明する。いま第一偏光フィ
ルタ7の偏光方向が紙面に平行であるとする。図中のP
は半導体ウエハ100上に形成された回路パターンによ
って撮影装置3の方に反射される照明光であり、反射さ
れた後、偏光方向は半導体ウエハ表面状態により、ある
特定の角度となる。従って、光Pはこの特定角度に対し
て直角の偏光方向を有する第二偏光フィルタを透過する
と、ほとんど遮られる。一方図中のRは粘着テープ10
2で反射される照明光であり、乱反射であるため偏光方
向はランダムであり。従って、光Rは第二偏光フィルタ
8によって半分の成分が遮られるが残りの半分は透過す
るため、粘着テープ102の映像は半導体ウエハ100
の部分に比べてはるかに明るくなる。半導体ウエハ10
0で撮影装置3の方に反射された光はほとんど遮られる
ため、半導体ウエハ100での反射率が変化しても、半
導体ウエハ100の部分の映像が明るくなることはな
い。従って、半導体ウエハ100と粘着テープ102の
部分の映像のコントラストは常に明瞭であり、形状認識
を正確に行うことができる。
【0020】また上記の例では、第一偏光フィルタ7の
偏光方向と第二偏光フィルタ8の偏光方向はほぼ垂直で
あるとしたが、第一偏光フィルタ7に対して第二偏光フ
ィルタ8の偏光方向を変化させ、実際の映像に基づいて
形状認識が正確に行える状態に調整してもよい。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
エハの形状認識装置においては、半導体ウエハを照明す
る照明光が偏光しており、撮影装置側には直接反射した
照明光を遮る偏光フィルタが設けられているため、半導
体ウエハから直接反射する回路パターンによって反射率
が変化する成分は遮断されるため、安定した正確な形状
認識を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の形状認識装置が使用されるダイシング
装置の実施例の構成を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施例において、形状認識装置におけ
る半導体ウエハ100を撮影する時の光路を示す図であ
る。
【図3】ダイシング装置の基本構成を示す斜視図であ
る。
【図4】ダイシング装置において加工される時のフレー
ムと粘着テープに保持された状態の半導体ウエハと自動
アラインメントのためのパターン認識位置を示す図であ
る。
【図5】割れや欠けによる半導体ウエハの形状異常とフ
レームに対する半導体ウエハの配置ずれによる位置異常
の例を示す図である。
【図6】形状認識のために半導体ウエハを撮影する時の
配置を示す図である。
【図7】図6の配置で撮影された時の半導体ウエハの映
像を示す図である。
【符号の説明】
1…照明手段 3…撮影手段 6…ウエハ形状認識手段 7…第一偏光手段 8…第二偏光手段 11…切削刃(ブレード) 12…スピンドルモータ 13…ステージ 14…移動機構 15…制御部 100…被加工物(ウエハ) 101…フレーム 102…粘着テープ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハ(100)を照明する照明
    手段(1)と、 前記半導体ウエハ(100)で正反射された照明光を直
    接受けない位置に配置され、前記半導体ウエハ(10
    0)の像を撮影してビデオ信号を出力する撮影手段
    (3)と、 前記ビデオ信号を処理して前記半導体ウエハ(100)
    の形状を認識するウエハ形状認識手段(6)とを備える
    半導体ウエハの形状認識装置において、 前記照明手段(1)より出射される照明光の光路に設け
    られた第一偏光手段(7)と、 前記半導体ウエハ(100)から前記撮影手段(3)に
    入射する撮影光の経路内に設けられた第二偏光手段
    (8)とを備えることを特徴とする半導体ウエハの形状
    認識装置。
  2. 【請求項2】 半導体ウエハ(100)を照明する照明
    手段(1)と、 前記半導体ウエハ(100)で正反射された照明光を直
    接受けない位置に配置され、前記半導体ウエハ(10
    0)の像を撮影してビデオ信号を出力する撮影手段
    (3)と、 前記ビデオ信号を処理して前記半導体ウエハ(100)
    の形状を認識するウエハ形状認識手段(6)とを備える
    半導体ウエハの形状認識装置において、 前記照明手段(1)より出射される照明光は偏光してお
    り、 当該装置は、前記半導体ウエハ(100)から前記撮影
    手段(3)に入射する撮影光の経路内に設けられた偏光
    手段(8)を備えることを特徴とする半導体ウエハの形
    状認識装置。
JP4546393A 1993-03-05 1993-03-05 半導体ウエハの形状認識装置 Pending JPH06258056A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4546393A JPH06258056A (ja) 1993-03-05 1993-03-05 半導体ウエハの形状認識装置
EP94301426A EP0614080A3 (en) 1993-03-05 1994-02-28 Device for recognizing the shape of a semiconductor wafer.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4546393A JPH06258056A (ja) 1993-03-05 1993-03-05 半導体ウエハの形状認識装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06258056A true JPH06258056A (ja) 1994-09-16

Family

ID=12720069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4546393A Pending JPH06258056A (ja) 1993-03-05 1993-03-05 半導体ウエハの形状認識装置

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0614080A3 (ja)
JP (1) JPH06258056A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006138836A (ja) * 2004-10-14 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物形状認識装置
JP2014035733A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Gunze Ltd 撮像処理装置、撮像処理方法、ワーク加工システムおよびワーク加工方法
JP2019160904A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 リンテック株式会社 方位認識装置および方位認識方法、並びに、位置決め装置および位置決め方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008007603B4 (de) * 2007-02-02 2014-02-13 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur besseren Ausnutzung von Halbleitermaterial
JP7007052B2 (ja) * 2017-09-19 2022-01-24 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20210352835A1 (en) * 2020-05-05 2021-11-11 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Method for processing substrates, in particular wafers, masks or flat panel displays, with a semi-conductor industry machine

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833108A (ja) * 1981-08-21 1983-02-26 Nec Home Electronics Ltd ワ−ク外観検査方法
JPS61108149A (ja) * 1984-10-31 1986-05-26 Kazumichi Kimura 半導体ペレツトの位置検出装置
JPH01114034A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Hitachi Ltd 半導体露光装置
US5028138A (en) * 1989-05-23 1991-07-02 Wolff Lawrence B Method of and apparatus for obtaining object data by machine vision form polarization information
JP3023566B2 (ja) * 1990-08-30 2000-03-21 株式会社東京精密 ダイシング装置
JPH04233250A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Matsushita Electron Corp 半導体ダイシング装置
DE4127707A1 (de) * 1991-08-20 1993-02-25 Siemens Ag Verfahren zum ermitteln der orientierung des kristallgitters eines silizium-teils

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006138836A (ja) * 2004-10-14 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物形状認識装置
JP4728061B2 (ja) * 2004-10-14 2011-07-20 株式会社ディスコ 被加工物形状認識装置
JP2014035733A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Gunze Ltd 撮像処理装置、撮像処理方法、ワーク加工システムおよびワーク加工方法
JP2019160904A (ja) * 2018-03-09 2019-09-19 リンテック株式会社 方位認識装置および方位認識方法、並びに、位置決め装置および位置決め方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0614080A3 (en) 1995-01-25
EP0614080A2 (en) 1994-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2991593B2 (ja) ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置
US6222624B1 (en) Defect inspecting apparatus and method
KR101656045B1 (ko) 웨이퍼 검사 시스템 및 방법
KR101638883B1 (ko) 웨이퍼 검사 시스템 및 방법
KR100361962B1 (ko) 웨이퍼 테두리 결함 검사장치 및 검사방법
US20070237385A1 (en) Defect inspection apparatus
US8233696B2 (en) Simultaneous wafer ID reading
JP2007147433A (ja) セラミック板の欠陥検出方法と装置
CN111654242B (zh) 检测太阳能晶片上的豁口的方法和系统
JPH06258056A (ja) 半導体ウエハの形状認識装置
TW202016532A (zh) 切晶晶片檢查裝置
US6963394B2 (en) Inspecting device for semiconductor wafer
US20030105610A1 (en) Method and apparatus for determining dot-mark-forming position of semiconductor wafer
KR100758198B1 (ko) 오토포커싱 장치
CN114144662B (zh) 半导体装置中的内部裂痕的组合透射及反射光的成像
US6128034A (en) High speed lead inspection system
JP2009115611A (ja) 電子素子の検査装置
KR20210143118A (ko) 표면 변형들의 이미지 기반 계측
KR200188365Y1 (ko) 웨이퍼 테두리 결함 검사장치
KR101857399B1 (ko) 광학배율 5X로 0.5㎛ Pin-hole 결함 검출 장치
US5264919A (en) Apparatus for positioning a semiconductor wafer
JPH02137339A (ja) ペレットボンディング方法およびその装置
JPS58151544A (ja) 暗視野像による欠陥検査装置
JP2000099625A (ja) 文字認識装置
JP2022114447A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法