JPS58151544A - 暗視野像による欠陥検査装置 - Google Patents
暗視野像による欠陥検査装置Info
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- JPS58151544A JPS58151544A JP57033775A JP3377582A JPS58151544A JP S58151544 A JPS58151544 A JP S58151544A JP 57033775 A JP57033775 A JP 57033775A JP 3377582 A JP3377582 A JP 3377582A JP S58151544 A JPS58151544 A JP S58151544A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は欠陥検査装置、特に半導体集積回路のｍ造に使
用するウェファ上の穂々のパターンの欠陥検査装置に関
するものである。
用するウェファ上の穂々のパターンの欠陥検査装置に関
するものである。
半導体集積回路は半導体単結晶の中での電子現象を利用
する装置であるので、表面層まで完全な結晶であること
が場想であり、また、表面すらｇθμはどのｌｌ！さの
範囲にほとんどすべての回路や素子が形成されるので、
先ずウェア７表面に欠陥がないことが必要である◎この
ために各種領域くらないような加工法を採用しなければ
ならない。
する装置であるので、表面層まで完全な結晶であること
が場想であり、また、表面すらｇθμはどのｌｌ！さの
範囲にほとんどすべての回路や素子が形成されるので、
先ずウェア７表面に欠陥がないことが必要である◎この
ために各種領域くらないような加工法を採用しなければ
ならない。
ウェファの切断や機械研摩に付随する表面変質層を取り
除いた後に、不純物を添加したり、新しい結晶層をつぎ
足したり、また食刻をしたりして所属の集積回路を製造
しているが、この方法としては、気相成長（とくにエビ
タヤシャル成ｆｆ１）、 ７オトエツチング、選択拡散
、イオン注入などの半導体技術特有の結晶加工法が行な
われている。一般に、上述したような方法により領域を
形成する際にはフオトレジス）を使用してウェファ上に
マスクを形成しているが、このフォトレジストマスクに
欠陥があるとこれにより形成される領域にも欠陥が生ず
ることになる。したがって７オトレジストマスクの欠陥
も検査する必要がある。
除いた後に、不純物を添加したり、新しい結晶層をつぎ
足したり、また食刻をしたりして所属の集積回路を製造
しているが、この方法としては、気相成長（とくにエビ
タヤシャル成ｆｆ１）、 ７オトエツチング、選択拡散
、イオン注入などの半導体技術特有の結晶加工法が行な
われている。一般に、上述したような方法により領域を
形成する際にはフオトレジス）を使用してウェファ上に
マスクを形成しているが、このフォトレジストマスクに
欠陥があるとこれにより形成される領域にも欠陥が生ず
ることになる。したがって７オトレジストマスクの欠陥
も検査する必要がある。
従来、ウェファ上の欠陥等を検査するには作業着が−ａ
ｌｉｌｌにより目視で検査を行なっていた。しかしなが
ら作業者の目視の検査は高度な熟練が必要であり、また
集積回路の完成までには数十〜数百回観察しなければな
らないため膨大な時間と労力が必−であり、検査ミスも
生じ易かった。また、曖近のＩＣ、Ｌ８Ｉ等の高密度化
した集積回路用のウェファでは更に高精度な検査が必要
となってきており、製造工程中における欠陥検査の精膚
が妻止りに大きく影響するようになってきている。
ｌｉｌｌにより目視で検査を行なっていた。しかしなが
ら作業者の目視の検査は高度な熟練が必要であり、また
集積回路の完成までには数十〜数百回観察しなければな
らないため膨大な時間と労力が必−であり、検査ミスも
生じ易かった。また、曖近のＩＣ、Ｌ８Ｉ等の高密度化
した集積回路用のウェファでは更に高精度な検査が必要
となってきており、製造工程中における欠陥検査の精膚
が妻止りに大きく影響するようになってきている。
このような要求を満たすべく各纏ウェファの外観自動検
査装置が提案されているが、すべて明視舒像を検出対象
としているものである。しかしながら明視野検査の場合
パターンの濃淡を比較するタメ、ウニフッ作製プロセス
の影響や材料の′＃性で場所によってパターンの濃淡が
変化するような対１物、特にコントラストが出にくいフ
ォトレジストパターンなどは検査が非常に困−であり、
検査不能となるものも多かった。また、明視野検査にお
いては、パターンのエッヂ部またはゴミ以外の場所でも
反射率の変化により出力信号レベルが変動し、したがっ
てその後の信号処理が峻しく、複線な回路を必要とする
欠点があった＠従来、このようにコントラストの出にく
い対象物を検査するものとしては暗！野像を観察するも
のが知られている。しかし、通常の暗視＊＊＊鏡でｋｌ
孔あ１Ｂ鏡やリングスリットを用いて元軸周辺から照明
光を入射させ、光軸方向に散乱される光を受光するよう
な構成であるため、光ビームを被検体に対して移動させ
て走査を行なう装置には適用することができなかった。
査装置が提案されているが、すべて明視舒像を検出対象
としているものである。しかしながら明視野検査の場合
パターンの濃淡を比較するタメ、ウニフッ作製プロセス
の影響や材料の′＃性で場所によってパターンの濃淡が
変化するような対１物、特にコントラストが出にくいフ
ォトレジストパターンなどは検査が非常に困−であり、
検査不能となるものも多かった。また、明視野検査にお
いては、パターンのエッヂ部またはゴミ以外の場所でも
反射率の変化により出力信号レベルが変動し、したがっ
てその後の信号処理が峻しく、複線な回路を必要とする
欠点があった＠従来、このようにコントラストの出にく
い対象物を検査するものとしては暗！野像を観察するも
のが知られている。しかし、通常の暗視＊＊＊鏡でｋｌ
孔あ１Ｂ鏡やリングスリットを用いて元軸周辺から照明
光を入射させ、光軸方向に散乱される光を受光するよう
な構成であるため、光ビームを被検体に対して移動させ
て走査を行なう装置には適用することができなかった。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、暗視野像によ
る欠陥検査を光ビームを走査することにより行なうこと
ができ、したがって出力映像信号の処理を簡単な構成で
正確に行なうことができ、特にウェファ上の７オトレジ
ストパターンの欠陥を高精度で検査できる装置を提供し
ようとするものである。
る欠陥検査を光ビームを走査することにより行なうこと
ができ、したがって出力映像信号の処理を簡単な構成で
正確に行なうことができ、特にウェファ上の７オトレジ
ストパターンの欠陥を高精度で検査できる装置を提供し
ようとするものである。
本発明は被検体の欠陥、特に半導体集積回路のｍａに用
いるウェファ上のパターンの欠陥を自動的に検知する欠
陥検査装置において、光源から波射される光ビームをレ
ンズを介して被検体上に投影すると共にこの光ビームを
被検体に対して移動させて被検体を走査する走査部と、
この走査中値検体で乱反射され＃紀しンズの側方へ放射
される光を暗視野で検知する受光部と、この受光部から
の出力信号を処理して被検体の欠陥を検査する欠陥信号
形成部とを具えることを４Ｉ敵とするものである。
いるウェファ上のパターンの欠陥を自動的に検知する欠
陥検査装置において、光源から波射される光ビームをレ
ンズを介して被検体上に投影すると共にこの光ビームを
被検体に対して移動させて被検体を走査する走査部と、
この走査中値検体で乱反射され＃紀しンズの側方へ放射
される光を暗視野で検知する受光部と、この受光部から
の出力信号を処理して被検体の欠陥を検査する欠陥信号
形成部とを具えることを４Ｉ敵とするものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
ｆＨ１図は本発明の暗視野像によるウニ７アパターン欠
陥検査装置に用いる走査部の光学系の一実施例を示すも
のである。第１図において、６８００ ｎｍの波長を有
するＨｅ−Ｍｆ３レーザー１を出射した光ビームは直角
プリズム２．８によりその方向を変えてエクスパンダ−
４に入射する。エクスパンダ−４において、光ビームは
対物レンズの口径一杯に入射させるようにその光束を広
けられた後、第１の光偏向素子６に入射する。第１光偏
向素子５においては、図中矢印で示す方向に８１．５
ｋＨｚの周液数を持つ超音波をかけて光ビームを高速で
振動させることによって、第２図に示すようにウェファ
上で最小単位の矩形のＸ方向（主走査方向）の走査を行
なっている。次に光ビームはＸ、Ｙ方向の曲１が異なる
シリンダーレンズ６に入射して、光偏向素子５を通過す
ることによって生じた元ビームの歪を補正する。その後
、駆動モータ７と、これによって７５Ｈｚの周波数で振
動する振動ミラー８とを具える第２の光偏光装蓋に入射
した光ビームはＹ方向に偏向され、＃！２図に示す最小
単位の矩形におけるＹ方向（副走査方向）の走査を続的
に移動している間に光偏向素子６によってＸ方向の走査
が行なわれるので、Ｘ方向の走査の開始位置と終了位置
はＹ方向に若干ずれることになるがこれは各走査スピー
ドの差が大暑いので無視しても差支えない。その後、光
ビームはミラー９により光軸を変えてプリズム型ビーム
スプリッタ−１０へ入射する。後述する比較判定のため
にビームスプリッタ−１Ｏで２分割された光ビームの一
方は、中間レンズ１２を介して対物レンズ１４へ入射し
、他方は直角プリズム１１．中間レンズ１８を介して対
物レンズ１５へ入射する。両党ビームとも対物レンズに
よりウェファ１７上に焦点が結ばれるように自動焦点機
構を設ける。本例では目視観察も行な見るように、目視
観察用ハーフミラ−１６を第１図に示すように光路上に
挿脱自在に挿入し、目視ｍｓ用光諒１８がら出射した光
を直角プリズム１９．ビームスプリツタ１０．中間レン
ズ１８および対物レンズ１４を経てウェファ１７上に投
射し、ウェファ１７からの反射光を八−ｙ ｉ ラー１
６ テＭ射させ、！ｆｆｌレンズ２ｏを介してウエアァ
像を観察することができるようにしている。八−７之ラ
ー１６は挿脱自在に設置してあり、欠陥検査時にはｊｌ
ｌｖ：ｉの矢印に示す方向へ移動して光路外に後退させ
る。両レーザー光ビームの相対的な位置の補正は、プリ
ズム１１．中間レンズ１δ、対物レンズ１５を一体とし
て支持する図示しない支持手段を、対物レンズ１４゜１
５の光軸を結ぶ方向に微動させることによって行なうこ
とができる。
陥検査装置に用いる走査部の光学系の一実施例を示すも
のである。第１図において、６８００ ｎｍの波長を有
するＨｅ−Ｍｆ３レーザー１を出射した光ビームは直角
プリズム２．８によりその方向を変えてエクスパンダ−
４に入射する。エクスパンダ−４において、光ビームは
対物レンズの口径一杯に入射させるようにその光束を広
けられた後、第１の光偏向素子６に入射する。第１光偏
向素子５においては、図中矢印で示す方向に８１．５
ｋＨｚの周液数を持つ超音波をかけて光ビームを高速で
振動させることによって、第２図に示すようにウェファ
上で最小単位の矩形のＸ方向（主走査方向）の走査を行
なっている。次に光ビームはＸ、Ｙ方向の曲１が異なる
シリンダーレンズ６に入射して、光偏向素子５を通過す
ることによって生じた元ビームの歪を補正する。その後
、駆動モータ７と、これによって７５Ｈｚの周波数で振
動する振動ミラー８とを具える第２の光偏光装蓋に入射
した光ビームはＹ方向に偏向され、＃！２図に示す最小
単位の矩形におけるＹ方向（副走査方向）の走査を続的
に移動している間に光偏向素子６によってＸ方向の走査
が行なわれるので、Ｘ方向の走査の開始位置と終了位置
はＹ方向に若干ずれることになるがこれは各走査スピー
ドの差が大暑いので無視しても差支えない。その後、光
ビームはミラー９により光軸を変えてプリズム型ビーム
スプリッタ−１０へ入射する。後述する比較判定のため
にビームスプリッタ−１Ｏで２分割された光ビームの一
方は、中間レンズ１２を介して対物レンズ１４へ入射し
、他方は直角プリズム１１．中間レンズ１８を介して対
物レンズ１５へ入射する。両党ビームとも対物レンズに
よりウェファ１７上に焦点が結ばれるように自動焦点機
構を設ける。本例では目視観察も行な見るように、目視
観察用ハーフミラ−１６を第１図に示すように光路上に
挿脱自在に挿入し、目視ｍｓ用光諒１８がら出射した光
を直角プリズム１９．ビームスプリツタ１０．中間レン
ズ１８および対物レンズ１４を経てウェファ１７上に投
射し、ウェファ１７からの反射光を八−ｙ ｉ ラー１
６ テＭ射させ、！ｆｆｌレンズ２ｏを介してウエアァ
像を観察することができるようにしている。八−７之ラ
ー１６は挿脱自在に設置してあり、欠陥検査時にはｊｌ
ｌｖ：ｉの矢印に示す方向へ移動して光路外に後退させ
る。両レーザー光ビームの相対的な位置の補正は、プリ
ズム１１．中間レンズ１δ、対物レンズ１５を一体とし
て支持する図示しない支持手段を、対物レンズ１４゜１
５の光軸を結ぶ方向に微動させることによって行なうこ
とができる。
本発明においては、９２図に示すようにウェファ１７の
最小単位の走査は上述した第１および第２の偏向装置に
よって行ない、この走査中はウェファ１７は移動させな
い０ある最小単位の走査が終了したらウェファ１フを図
示しないウェアア躯動装置によって移動させ、ウェファ
全体の検査を行なうことができるようになっている。
最小単位の走査は上述した第１および第２の偏向装置に
よって行ない、この走査中はウェファ１７は移動させな
い０ある最小単位の走査が終了したらウェファ１フを図
示しないウェアア躯動装置によって移動させ、ウェファ
全体の検査を行なうことができるようになっている。
本発明においては１１８８図に拡大して示すように、対
物レンズ１４を保持するレンズホルダ！１の先遣外周に
取付金具ｇ２を固着し、この取付金具に１１＆の光ファ
イバｇ８の入射端を対物レンズ１４の光軸を囲むように
取付けて受光部ｔｅＦｉＬする。
物レンズ１４を保持するレンズホルダ！１の先遣外周に
取付金具ｇ２を固着し、この取付金具に１１＆の光ファ
イバｇ８の入射端を対物レンズ１４の光軸を囲むように
取付けて受光部ｔｅＦｉＬする。
ウェファ１７やウェファ表面のレジスト１ｓ２４等ノ平
面部に集束するレーザービームは、ｔｓｓｔｍに示すよ
うに平面部で又射してその反射光はそのまま１物レンズ
１４に戻り光ファイバｚ８へは入射しない。それに対し
て、図示のようにウェファ１７とレジスト＄２４のエッ
チ部に集束するレーザービームは、その境界部で！、［
射して光ファイバ２δへ入射する。これらの光ファイバ
２８へ入射した散乱光は、第１図に示すように光電変換
素子２５へ入射させ、エッヂ信号を発生させる。他方の
対物レンズ１５についても全く同様にｌｌＩ成し、取付
金具２６から延在する光ファイバ２７を光電変換素子２
８まで導びく。また、本実施例では複′□゛数の光７ア
イパ２８，２）をまとめてそれぞれ１つの光電変換素子
ｇ５．１８に接続しているが、光ファイバを方向に基づ
いてグループに分けて各別の光電変換素子へ接続して方
向性をも加味した判定も可能である。また、本実施例で
は第１図に示すように暗視費用の受光部は２組設けられ
ていて、それらから出力されるエッヂ信号を比較して欠
陥の判定を行なっている。以下欠陥の判定方法の一例に
ついて詳述する。
面部に集束するレーザービームは、ｔｓｓｔｍに示すよ
うに平面部で又射してその反射光はそのまま１物レンズ
１４に戻り光ファイバｚ８へは入射しない。それに対し
て、図示のようにウェファ１７とレジスト＄２４のエッ
チ部に集束するレーザービームは、その境界部で！、［
射して光ファイバ２δへ入射する。これらの光ファイバ
２８へ入射した散乱光は、第１図に示すように光電変換
素子２５へ入射させ、エッヂ信号を発生させる。他方の
対物レンズ１５についても全く同様にｌｌＩ成し、取付
金具２６から延在する光ファイバ２７を光電変換素子２
８まで導びく。また、本実施例では複′□゛数の光７ア
イパ２８，２）をまとめてそれぞれ１つの光電変換素子
ｇ５．１８に接続しているが、光ファイバを方向に基づ
いてグループに分けて各別の光電変換素子へ接続して方
向性をも加味した判定も可能である。また、本実施例で
は第１図に示すように暗視費用の受光部は２組設けられ
ていて、それらから出力されるエッヂ信号を比較して欠
陥の判定を行なっている。以下欠陥の判定方法の一例に
ついて詳述する。
第４図は上述した２つの光電変換素子ｇ５゜２８の出力
信号を処理してパターンの欠陥を検査する本発明の欠陥
検査装置の欠陥信号形成部の一例の基本的構成を示すブ
ロック図である。また、第す図はその動作を説明する信
号ｔＩｌ形図である。
信号を処理してパターンの欠陥を検査する本発明の欠陥
検査装置の欠陥信号形成部の一例の基本的構成を示すブ
ロック図である。また、第す図はその動作を説明する信
号ｔＩｌ形図である。
今第５図（〜に示すように一方のパターンにはウェファ
１７上に欠陥１７ ａがあり、他方のパターンにはレン
ズ）ｌ［ｉ！４上に欠陥ｇ４ａがある−のとする。この
ようなウェファを本発明の暗視野を利用した欠陥検査装
置で走査すると、第５図（１）） 、 （０）に示す波
形の信号が光電変換素子２５．２８から−得られる。図
中ム、Ｂはそれぞれウェファ上の欠陥１７ａとレジスト
膜上の欠陥１１４１Ｌに対応する信号である。１１１４
図において、一方の光電変換素子１５の出力信号を増幅
９４１で増幅した信号（第６図（ＣＤ ）と、他方の光
電変換素子ｓ８の出力信号を増幅Ｉ４８で増幅し、位相
反転＠４４て位相反転した信号（第５ｖＡ（８））とを
共に欠陥判定回路４５に供給する。欠陥判定回路４ｂで
は基本的に両人力信号を加算し、その出力は１１５図（
５）に示すようなものとなる。すなわち、両パターンの
一致した部分では信号レベルはＯであり、欠陥の部分だ
けにパルスム′およびＤ′が現われることになる。しか
も、これらの欠陥は極性が反対のパルスとして現われる
ので、どちらのパターンに欠陥があるかも判定可能であ
る０その後、この信号をスライサ４６に通した後欠陥検
出処理回路４７に供給して処理を行なっている。
１７上に欠陥１７ ａがあり、他方のパターンにはレン
ズ）ｌ［ｉ！４上に欠陥ｇ４ａがある−のとする。この
ようなウェファを本発明の暗視野を利用した欠陥検査装
置で走査すると、第５図（１）） 、 （０）に示す波
形の信号が光電変換素子２５．２８から−得られる。図
中ム、Ｂはそれぞれウェファ上の欠陥１７ａとレジスト
膜上の欠陥１１４１Ｌに対応する信号である。１１１４
図において、一方の光電変換素子１５の出力信号を増幅
９４１で増幅した信号（第６図（ＣＤ ）と、他方の光
電変換素子ｓ８の出力信号を増幅Ｉ４８で増幅し、位相
反転＠４４て位相反転した信号（第５ｖＡ（８））とを
共に欠陥判定回路４５に供給する。欠陥判定回路４ｂで
は基本的に両人力信号を加算し、その出力は１１５図（
５）に示すようなものとなる。すなわち、両パターンの
一致した部分では信号レベルはＯであり、欠陥の部分だ
けにパルスム′およびＤ′が現われることになる。しか
も、これらの欠陥は極性が反対のパルスとして現われる
ので、どちらのパターンに欠陥があるかも判定可能であ
る０その後、この信号をスライサ４６に通した後欠陥検
出処理回路４７に供給して処理を行なっている。
本実施例のように同一の被検体ウェファ１フ中の２つの
パターンを比較するのは、ウェファ上には同一模様の多
数のパターンがあり、これらノ々ターンの同じ位置に全
く同じ欠陥が存在する確率はきわめて少ないため、この
ような構成としても十分正確に欠陥を検出することがで
きるという事実に基づくものである。
パターンを比較するのは、ウェファ上には同一模様の多
数のパターンがあり、これらノ々ターンの同じ位置に全
く同じ欠陥が存在する確率はきわめて少ないため、この
ような構成としても十分正確に欠陥を検出することがで
きるという事実に基づくものである。
上述した実施例では暗視時用の光受光手段として光ファ
イバを利用したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく例えば第６図に示すような凹面鏡を利用した例でも
可能である。＃！６図において、中心部が円形に穴のあ
いた平面ｊＩ１６２の穴の部分を通って暗視費用光ビー
ムを対物レンズ５０に入射させ、ウェファ１７上に焦点
を結ばせる。
イバを利用したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく例えば第６図に示すような凹面鏡を利用した例でも
可能である。＃！６図において、中心部が円形に穴のあ
いた平面ｊＩ１６２の穴の部分を通って暗視費用光ビー
ムを対物レンズ５０に入射させ、ウェファ１７上に焦点
を結ばせる。
ウェファ上のパターンに欠陥があると乱反射が生じ、そ
の乱反射光を対物レンズのまわりに中空円形状に配置し
た凹面鏡５１によりとらえて、鏡５２、レンズ６８を介
して受光素子Ｉｓ４に入射させている。その後の判定方
法は上述した実施例と同様な構成をとっている。しかし
本実施例で番ま凹面′ａ５１の構成が大型となるので、
寸法的制約のある場合は不適当である。
の乱反射光を対物レンズのまわりに中空円形状に配置し
た凹面鏡５１によりとらえて、鏡５２、レンズ６８を介
して受光素子Ｉｓ４に入射させている。その後の判定方
法は上述した実施例と同様な構成をとっている。しかし
本実施例で番ま凹面′ａ５１の構成が大型となるので、
寸法的制約のある場合は不適当である。
また、上述した実施例では欠陥判定を２つのパターンを
比較することによって行なっていたが、本発明はこれに
限定されるものでなく例えば第７図に波形図で示す方法
でも可能である。第７図において（ａ３はウェファ上の
パターンを示していて、このようなウェファ１７とレン
ズ）＊１４のエッヂ部では第７図Φ）に示すようにほと
んど同じ輻Ｗ、をもった信号が得られる。そのため、回
路内で正常なエッヂ部の幅の許される上限と下限をあら
かじめ定めておき、信号を検知したときにその範囲内に
あるかどうかを判定することによって欠陥やゴミを検査
できる。例えば、第７図（０）に示すような幅Ｗ、 、
Ｗ、の信号は欠陥と判定できる。上述した構成をとる
と、今までの実施例ではＳ組必要であった測光系を１組
にすることがで自る。畜らに、本発明の欠陥検査装置に
よれば檀々の領域を形成する以前のウェファ上の欠陥や
ゴミをも検出することができるし、またフォトレジスト
膜以外のパターン、例えば絶縁膜のパターンや導電膜の
パターンなどエッヂ部を有するものであればどのような
パターンでも高精度で検査することがでる。
比較することによって行なっていたが、本発明はこれに
限定されるものでなく例えば第７図に波形図で示す方法
でも可能である。第７図において（ａ３はウェファ上の
パターンを示していて、このようなウェファ１７とレン
ズ）＊１４のエッヂ部では第７図Φ）に示すようにほと
んど同じ輻Ｗ、をもった信号が得られる。そのため、回
路内で正常なエッヂ部の幅の許される上限と下限をあら
かじめ定めておき、信号を検知したときにその範囲内に
あるかどうかを判定することによって欠陥やゴミを検査
できる。例えば、第７図（０）に示すような幅Ｗ、 、
Ｗ、の信号は欠陥と判定できる。上述した構成をとる
と、今までの実施例ではＳ組必要であった測光系を１組
にすることがで自る。畜らに、本発明の欠陥検査装置に
よれば檀々の領域を形成する以前のウェファ上の欠陥や
ゴミをも検出することができるし、またフォトレジスト
膜以外のパターン、例えば絶縁膜のパターンや導電膜の
パターンなどエッヂ部を有するものであればどのような
パターンでも高精度で検査することがでる。
以上−細に説明したように、本発明の暗視舒像による欠
陥検査装置によれば、従来きわめて困罐であったウェフ
ァ上のレジスト膜パターン等の検査を容易かつ正確に行
なうことができ、その後の映像信号の処理も簡単にする
ことができ、半導体装置１ｌＩａの妻止りの改善に大き
く貢献することができる。
陥検査装置によれば、従来きわめて困罐であったウェフ
ァ上のレジスト膜パターン等の検査を容易かつ正確に行
なうことができ、その後の映像信号の処理も簡単にする
ことができ、半導体装置１ｌＩａの妻止りの改善に大き
く貢献することができる。
の−例の構成を示す線図的斜視図、
第２図は同じくその走査方法を示す図、＠ａ図は同じく
その受光部を拡大して示す断面図、 ｊ１４Ｆｉ！：Ｊは本発明の欠陥検査＠置の信号処理部
の一例の基本構成を示すブロック図、 第６図は第４ｒｉｔｉに示した回路の動作を説明するた
めの断面図および信号波形図、 第６図は本発明の欠陥検査装置の光学系の他の・実施例
の構成を示す縞図、 第７図は本発明の欠陥検査装置における欠陥判定方法の
他の実施例を説明するための断面図および信号波形図で
ある。 ｌ・・・レーザー光源 ２ 、８ 、１１ 、１９・・・直角プリズム番・・・
エクスパンダ ６・・・第１光偏向素子６・・・シ
リンダーレン：Ｘ ７・・・駆動モータ８・・・振動ミ
ラー ９・・・ミラー１０・・・ビームスプリッ
タ− １２１１δ・・・中間レンズ １４ 、 ＩＩＳ・・・
対物レンズ１フ・・・ウェファ １７ａ・・・
ウェファ上の欠陥２！ 、 ２５・・・取付金具 ２
８ 、２７・・・光ファイバハ・・・レジストｇ
ｇ４ａ・・・レンズ−１そ腐の欠陥２５ 、２８・
・・光電変換素子 ４ｇ、４δ・・・増幅器 ｉ・・・位相反転−４５
・・・欠陥判定回路 ４６・・・スライサ４７・・
・欠陥検出始［１ｉＪ路 ６０・・・コンデンサレンズ ５１・・・穴あき四面鏡 ５２・・・穴あ自平面鏡
５４・・・変光素子。 特許出願人 日本自動１ＩｌＩ＃Ｉ１株式会社第１図 ５ 第２図 第３図 第５図 第６図 ２
その受光部を拡大して示す断面図、 ｊ１４Ｆｉ！：Ｊは本発明の欠陥検査＠置の信号処理部
の一例の基本構成を示すブロック図、 第６図は第４ｒｉｔｉに示した回路の動作を説明するた
めの断面図および信号波形図、 第６図は本発明の欠陥検査装置の光学系の他の・実施例
の構成を示す縞図、 第７図は本発明の欠陥検査装置における欠陥判定方法の
他の実施例を説明するための断面図および信号波形図で
ある。 ｌ・・・レーザー光源 ２ 、８ 、１１ 、１９・・・直角プリズム番・・・
エクスパンダ ６・・・第１光偏向素子６・・・シ
リンダーレン：Ｘ ７・・・駆動モータ８・・・振動ミ
ラー ９・・・ミラー１０・・・ビームスプリッ
タ− １２１１δ・・・中間レンズ １４ 、 ＩＩＳ・・・
対物レンズ１フ・・・ウェファ １７ａ・・・
ウェファ上の欠陥２！ 、 ２５・・・取付金具 ２
８ 、２７・・・光ファイバハ・・・レジストｇ
ｇ４ａ・・・レンズ−１そ腐の欠陥２５ 、２８・
・・光電変換素子 ４ｇ、４δ・・・増幅器 ｉ・・・位相反転−４５
・・・欠陥判定回路 ４６・・・スライサ４７・・
・欠陥検出始［１ｉＪ路 ６０・・・コンデンサレンズ ５１・・・穴あき四面鏡 ５２・・・穴あ自平面鏡
５４・・・変光素子。 特許出願人 日本自動１ＩｌＩ＃Ｉ１株式会社第１図 ５ 第２図 第３図 第５図 第６図 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 被検体の欠陥、特に半導体集積回路の＊＊に用いる
ウェファ上のパターンの欠陥を自動的に検知する欠陥検
査装置において、光源から放射される光ビームをレンズ
を介して被検体上に投影すると共にこの光ビームを被検
体に対して移動させて被検体を走査する走査部と、この
走査中被検体で乱反射され前記レンズの側方へ放射され
る光を暗視舒で検知する受光部と、この受光部からの出
力信号を４６１１して被検体の欠陥を検査する欠陥信号
形成部とを具えることを特徴とする暗視野像による欠陥
検査装置。 息 前記走査部には、超音波により光ビームをＸ方向に
高速で振る第１偏向装置と、ミラーの振動によりＸ方向
と直交するＹ方向に低速で振る第２偏向装置とを設け、
二次元的に走査し得るよう構成したことを特徴とする特
許−′□−求のｍ１ｌｌ！第１項紀載の欠陥検査ｖ７＆
置。 ＆ 前記受光部を、入射端を前記レンズの光軸を囲むよ
うに配置したＩＩ教本の光ファイバと、これら光ファイ
バの出射端に、対向して配置した光電変換素子とにより
構成したことを特徴とする特許−求の範囲第１項記載の
欠陥検査装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033775A JPS58151544A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 暗視野像による欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033775A JPS58151544A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 暗視野像による欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151544A true JPS58151544A (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=12395819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57033775A Pending JPS58151544A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 暗視野像による欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151544A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985003353A1 (en) * | 1984-01-25 | 1985-08-01 | American Telephone & Telegraph Company | Inspection system utilizing dark-field illumination |
| JPS61169708A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検知方法とその装置 |
| JPS62121340A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-02 | カ−ル・ツアイス−スチフツング | 走査形光学顕微鏡による暗視野での被観測対象物体の表示方法及び装置 |
| JPS63190261A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-05 | Pentel Kk | 電池 |
| JPS63128730U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-23 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54128682A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-05 | Hitachi Ltd | Automatic detector for foreign matters |
| JPS55105329A (en) * | 1978-12-28 | 1980-08-12 | Fujitsu Ltd | Inspecting method for pattern |
| JPS5682544A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-06 | Fujitsu Ltd | Residual resist inspecting method |
| JPS5694248A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-30 | Fujitsu Ltd | Detector for foreign matter on surface |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP57033775A patent/JPS58151544A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54128682A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-05 | Hitachi Ltd | Automatic detector for foreign matters |
| JPS55105329A (en) * | 1978-12-28 | 1980-08-12 | Fujitsu Ltd | Inspecting method for pattern |
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| JPH0476405B2 (ja) * | 1985-01-22 | 1992-12-03 | Fujitsu Ltd | |
| JPS62121340A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-02 | カ−ル・ツアイス−スチフツング | 走査形光学顕微鏡による暗視野での被観測対象物体の表示方法及び装置 |
| JPS63190261A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-05 | Pentel Kk | 電池 |
| JPS63128730U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-23 | ||
| JPH0541551Y2 (ja) * | 1987-02-16 | 1993-10-20 |
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