JPH1019790A - 真空中基板検査装置 - Google Patents
真空中基板検査装置Info
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- JPH1019790A JPH1019790A JP17203496A JP17203496A JPH1019790A JP H1019790 A JPH1019790 A JP H1019790A JP 17203496 A JP17203496 A JP 17203496A JP 17203496 A JP17203496 A JP 17203496A JP H1019790 A JPH1019790 A JP H1019790A
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- Japan
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- wafer
- inspection unit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空中の連続プロセス各処理工程の基板を検査
して、各処理工程を管理し装置のモニタリングを行い、
異物の発生をいち早く検知し対策を施し、製品の歩留ま
りを向上する。 【解決手段】真空中プロセス処理後の半導体基板を真空
中で検査する際、基板受渡し導入ポートを設けた真空チ
ャンバ３の上面に、照明系と、検出系と、基板のΘ合わ
せの回転検出系と、着脱可能な検査ユニットとを装備
し、検査ユニットには照明系からのレーザの導入用の窓
を設け、検査ユニットの真空側に照明系の反射ミラーに
より照明し、基板表面上で反射した異物からの散乱光を
検出系の検出レンズで受光し、自動焦点機構部と、これ
に同期させて基板及び検査ユニットを上下移動させる高
さ位置決め部とを設けた。
して、各処理工程を管理し装置のモニタリングを行い、
異物の発生をいち早く検知し対策を施し、製品の歩留ま
りを向上する。 【解決手段】真空中プロセス処理後の半導体基板を真空
中で検査する際、基板受渡し導入ポートを設けた真空チ
ャンバ３の上面に、照明系と、検出系と、基板のΘ合わ
せの回転検出系と、着脱可能な検査ユニットとを装備
し、検査ユニットには照明系からのレーザの導入用の窓
を設け、検査ユニットの真空側に照明系の反射ミラーに
より照明し、基板表面上で反射した異物からの散乱光を
検出系の検出レンズで受光し、自動焦点機構部と、これ
に同期させて基板及び検査ユニットを上下移動させる高
さ位置決め部とを設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空中基板検査装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は特開昭６２−８９３３６号公報に
記載のようにほとんどの基板検査装置が、プロセス装置
から基板を大気中に取り出し、基板上の欠陥（微小異物
やパターン欠陥）を検査する方法がとられていた。
記載のようにほとんどの基板検査装置が、プロセス装置
から基板を大気中に取り出し、基板上の欠陥（微小異物
やパターン欠陥）を検査する方法がとられていた。
【０００３】このため、基板が大気中にさらされた瞬間
に汚染や酸化が起き、欠陥を正確に検査することが困難
であった。
に汚染や酸化が起き、欠陥を正確に検査することが困難
であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、デバイスの集積
度の高密度化に伴い、対象異物粒径がより微細化の傾向
にある。ウエハ表面上に異物が存在すると配線の絶縁不
良や短絡などの不良原因になる。この異物は搬送装置の
稼動部から発生するもの、プロセスガスによる処理装置
室内で反応生成されたものなど多い。このため、各工程
のウエハを検査して各工程を管理し、装置の異常をモニ
タリングする必要がある。現在、異物検査は製造工程の
要所を検査しているが、１工程づつ検査していく必要が
ある。半導体製造工程では、ウエハを真空→大気→真空
に繰返し晒すと異物が付着するという問題がある。
度の高密度化に伴い、対象異物粒径がより微細化の傾向
にある。ウエハ表面上に異物が存在すると配線の絶縁不
良や短絡などの不良原因になる。この異物は搬送装置の
稼動部から発生するもの、プロセスガスによる処理装置
室内で反応生成されたものなど多い。このため、各工程
のウエハを検査して各工程を管理し、装置の異常をモニ
タリングする必要がある。現在、異物検査は製造工程の
要所を検査しているが、１工程づつ検査していく必要が
ある。半導体製造工程では、ウエハを真空→大気→真空
に繰返し晒すと異物が付着するという問題がある。
【０００５】量産ラインでは異物の発生をいち早く検知
し対策を施す必要がある。異物を検知できないと工程の
異常が数工程後になってわかる。異物発生から異物発生
の感知までの時間が経過した場合、不良の発生数は大き
くなり歩留まりは低下する。
し対策を施す必要がある。異物を検知できないと工程の
異常が数工程後になってわかる。異物発生から異物発生
の感知までの時間が経過した場合、不良の発生数は大き
くなり歩留まりは低下する。
【０００６】本発明の目的は、各処理工程を管理し装置
のモニタリングを行い、異物の発生をいち早く検知し対
策を施し、製品の歩留まりを向上することにある。
のモニタリングを行い、異物の発生をいち早く検知し対
策を施し、製品の歩留まりを向上することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の真空中処理基板検査装置は、真空中プロセ
ス処理後の半導体基板等を真空中で検査する際、基板受
渡し導入ポートを設けた真空チャンバの上面に、照明系
と、検出系と、基板のΘ合わせの回転検出系と、基板の
位置確認用の対物レンズを真空側に複数個配置し倍率切
り換えできる観察−アライメント光学系とから成る着脱
可能な検査ユニットを装備し、上記検査ユニットには照
明系からのレーザを真空チャンバ内部へ導入用の窓を設
け、検査ユニットの真空側に反射角度可変な照明系の反
射ミラーにより低角度照明し、基板表面上で反射した異
物からの散乱光を検出系の検出レンズのレンズを窓とし
て用い、検出系の検出器で受光し、常に基板の高さ位置
を検知する自動焦点機構部と、上記自動焦点機構部に同
期させて基板及び上記検査ユニットを上下移動させる高
さ位置決め部を設けた。
め、本発明の真空中処理基板検査装置は、真空中プロセ
ス処理後の半導体基板等を真空中で検査する際、基板受
渡し導入ポートを設けた真空チャンバの上面に、照明系
と、検出系と、基板のΘ合わせの回転検出系と、基板の
位置確認用の対物レンズを真空側に複数個配置し倍率切
り換えできる観察−アライメント光学系とから成る着脱
可能な検査ユニットを装備し、上記検査ユニットには照
明系からのレーザを真空チャンバ内部へ導入用の窓を設
け、検査ユニットの真空側に反射角度可変な照明系の反
射ミラーにより低角度照明し、基板表面上で反射した異
物からの散乱光を検出系の検出レンズのレンズを窓とし
て用い、検出系の検出器で受光し、常に基板の高さ位置
を検知する自動焦点機構部と、上記自動焦点機構部に同
期させて基板及び上記検査ユニットを上下移動させる高
さ位置決め部を設けた。
【０００８】即ち本発明では、真空中プロセス処理室で
処理した基板を真空チャンバ上の検査ユニットの照明系
から真空内の基板表面上にレーザを照射し、異物からの
散乱光を検出系で検出することができ異物の発生工程や
発生設備を特定し対策することができる。
処理した基板を真空チャンバ上の検査ユニットの照明系
から真空内の基板表面上にレーザを照射し、異物からの
散乱光を検出系で検出することができ異物の発生工程や
発生設備を特定し対策することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は本発明の一実施例のウエハ異物
検査装置の断面図、図２は平面図である。図３は図１の
部分詳細図である。
づいて説明する。図１は本発明の一実施例のウエハ異物
検査装置の断面図、図２は平面図である。図３は図１の
部分詳細図である。
【００１０】１は基板、２は基板を載置するチャック、
３は真空チャンバで、真空チャンバの一端はゲートバル
ブ４に接続されている。５は基板を搬送する機構であ
る。６は真空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステージ、７は真空ポン
プ、８は防振台である。
３は真空チャンバで、真空チャンバの一端はゲートバル
ブ４に接続されている。５は基板を搬送する機構であ
る。６は真空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステージ、７は真空ポン
プ、８は防振台である。
【００１１】１１は真空チャンバの上蓋、１２はＯリン
グ、１３は検査ユニットを載置するベース（以下、真空
フランジ）であり、真空フランジ１３には、反射ミラー
１４、窓１５、Ｏリング１６、窓押え１７があり、真空
フランジ１３上の検査ユニット２１は照明系２２、検出
系２５、検出器２７、観察−アライメント系３０、ウエ
ハ回転方向検出器４０から構成されている。
グ、１３は検査ユニットを載置するベース（以下、真空
フランジ）であり、真空フランジ１３には、反射ミラー
１４、窓１５、Ｏリング１６、窓押え１７があり、真空
フランジ１３上の検査ユニット２１は照明系２２、検出
系２５、検出器２７、観察−アライメント系３０、ウエ
ハ回転方向検出器４０から構成されている。
【００１２】この構成により、プロセス装置（例えば、
基板（半導体ウエハ）の表面に薄膜を成長させる薄膜成
長技術は半導体デバイスの高性能化のためのキーテクノ
ロジーの一つであり、特にＣＶＤ（化学的気相成長）法
による薄膜成長は、半導体製造工程で広く用いられてい
る。）で処理されたウエハ１は、ゲートバルブ４と間接
接続可能な搬送機構５（可搬式ウエハキャリア：図示せ
ず）を介して、真空チャンバ３へ導入され、ウエハ表面
の異物検査が行われる。ウエハを全面に渡り検査するに
は、真空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステージ６のＸステージ及び
ＹステージをそれぞれＸ，Ｙ方向に走査する。図４に示
すようにウエハを走査するには、Ｘステージを連続送り
の往復走査、Ｙステージはステップ送りする。本発明で
は検出器のＣＣＤセンサ２７を任意の間隔で３ｃｈ配置
しているので、ウエハを少ない往復回数させることによ
りウエハ全面を検査することが可能である。この時、粗
アライメントされたチヤック２上のウエハ１は、ウエハ
回転方向検出器４０の計測値に基づいて、ウエハ回転方
向の位置ずれ量を測定し、Ｘ方向走査とウエハパターン
方向とが平行に成るように真空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステー
ジ６のＺステージを駆動して、ウエハ１の回転方向を調
整する。
基板（半導体ウエハ）の表面に薄膜を成長させる薄膜成
長技術は半導体デバイスの高性能化のためのキーテクノ
ロジーの一つであり、特にＣＶＤ（化学的気相成長）法
による薄膜成長は、半導体製造工程で広く用いられてい
る。）で処理されたウエハ１は、ゲートバルブ４と間接
接続可能な搬送機構５（可搬式ウエハキャリア：図示せ
ず）を介して、真空チャンバ３へ導入され、ウエハ表面
の異物検査が行われる。ウエハを全面に渡り検査するに
は、真空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステージ６のＸステージ及び
ＹステージをそれぞれＸ，Ｙ方向に走査する。図４に示
すようにウエハを走査するには、Ｘステージを連続送り
の往復走査、Ｙステージはステップ送りする。本発明で
は検出器のＣＣＤセンサ２７を任意の間隔で３ｃｈ配置
しているので、ウエハを少ない往復回数させることによ
りウエハ全面を検査することが可能である。この時、粗
アライメントされたチヤック２上のウエハ１は、ウエハ
回転方向検出器４０の計測値に基づいて、ウエハ回転方
向の位置ずれ量を測定し、Ｘ方向走査とウエハパターン
方向とが平行に成るように真空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステー
ジ６のＺステージを駆動して、ウエハ１の回転方向を調
整する。
【００１３】図２の平面図のように、検査ユニット２１
は３ｃｈの検出系２５を有し、各ｃｈに対向して両側に
位置する計６本の照明系２２から構成される。照明系２
２の半導体レーザ２３からのレーザ光は、反射ミラー１
４を介して任意の角度に曲げられウエハ表面上へある大
きさの線状照明２４として結像する。この時、レーザ光
が真空内のウエハ上へ導入できるように、真空フランジ
１３にはＯリング１６を真空シールとし窓（光学ガラ
ス）１５置き、窓押え１７を設ける。ウエハの表面に異
物があると、異物はレーザを受けて散乱光を発生する。
この散乱光を検出系２５の検出レンズ２６で受光する。
は３ｃｈの検出系２５を有し、各ｃｈに対向して両側に
位置する計６本の照明系２２から構成される。照明系２
２の半導体レーザ２３からのレーザ光は、反射ミラー１
４を介して任意の角度に曲げられウエハ表面上へある大
きさの線状照明２４として結像する。この時、レーザ光
が真空内のウエハ上へ導入できるように、真空フランジ
１３にはＯリング１６を真空シールとし窓（光学ガラ
ス）１５置き、窓押え１７を設ける。ウエハの表面に異
物があると、異物はレーザを受けて散乱光を発生する。
この散乱光を検出系２５の検出レンズ２６で受光する。
【００１４】異物がより微細になると、異物の検出が困
難となる。そこで、異物の検出出力を最大にしパターン
の検出出力を最小とする照明条件を実験から求めた。そ
して、異物からの回折光強度を最大にするため、本発明
ではΘ＝５゜〜１０゜の低角度照明を実現する反射ミラ
ーを真空室内に配置した。図５にレーザの入射角度を可
変にする方法を示す。レーザ入射角度Θは反射ミラー１
４を固定保持するミラーホルダ１８のαを変えることで
決まる。ミラーホルダ１８は真空と大気分離用の窓（光
学ガラス）１５を固定保持する窓押え１７の下部に位置
決めされている。この連結部品は真空フランジ１３に位
置決めされている。従って、ミラーホルダ１８は適宜交
換可能な構造となっている。ミラーホルダ１８交換後の
線状照明２４の位置の再現は、大気中の照明系２２を微
調整することで簡単にできる。これとは別に、１対の照
明系２２の対向するミラーホルダ１８のαがそれぞれ異
なったミラーホルダ１８ａ，１８ｂ，１８ｃを複数個配
置する事もできる。ウエハを往路走査すればウエハに最
適な照明角度が選択できる。この結果に基づいて検査す
ることにより、異物の検出率が向上できる。
難となる。そこで、異物の検出出力を最大にしパターン
の検出出力を最小とする照明条件を実験から求めた。そ
して、異物からの回折光強度を最大にするため、本発明
ではΘ＝５゜〜１０゜の低角度照明を実現する反射ミラ
ーを真空室内に配置した。図５にレーザの入射角度を可
変にする方法を示す。レーザ入射角度Θは反射ミラー１
４を固定保持するミラーホルダ１８のαを変えることで
決まる。ミラーホルダ１８は真空と大気分離用の窓（光
学ガラス）１５を固定保持する窓押え１７の下部に位置
決めされている。この連結部品は真空フランジ１３に位
置決めされている。従って、ミラーホルダ１８は適宜交
換可能な構造となっている。ミラーホルダ１８交換後の
線状照明２４の位置の再現は、大気中の照明系２２を微
調整することで簡単にできる。これとは別に、１対の照
明系２２の対向するミラーホルダ１８のαがそれぞれ異
なったミラーホルダ１８ａ，１８ｂ，１８ｃを複数個配
置する事もできる。ウエハを往路走査すればウエハに最
適な照明角度が選択できる。この結果に基づいて検査す
ることにより、異物の検出率が向上できる。
【００１５】異物の検出では、検査ユニット２１を真空
フランジ１３には散乱光の導出用として孔をあけ、Ｏリ
ング１６で真空シールして検出レンズ２６を固定してい
る。
フランジ１３には散乱光の導出用として孔をあけ、Ｏリ
ング１６で真空シールして検出レンズ２６を固定してい
る。
【００１６】検出レンズ２６は真空対応型である。この
理由は照明系のように光学ガラスを介して検出すると、
ガラス部分での反射光がバックグラウンドを上げ検出感
度を低下させる。そして、何よりも光学調整された真空
対応型の検出レンズ２６の性能を失うことなく最大限に
生かしたいことによる。
理由は照明系のように光学ガラスを介して検出すると、
ガラス部分での反射光がバックグラウンドを上げ検出感
度を低下させる。そして、何よりも光学調整された真空
対応型の検出レンズ２６の性能を失うことなく最大限に
生かしたいことによる。
【００１７】散乱光は検出レンズ２６へと入り、検出レ
ンズ２６の焦点面に配置されたＣＣＤ（１次元のリニア
イメージセンサ）２７によって検知される。この時、検
出レンズのウエハとの結像位置と共役な面の空間フィル
タ２８には、例えばメモリマットの繰返しにより生ずる
フーリエ変換像を結ぶ。このフーリエ変換像はウエハを
移動しても変化しないので、この像を遮光する空間フィ
ルタ２８を設けることにより、メモリマットからの光は
遮光され、繰返しのない異物やメモリマット端の周辺回
路の光は遮光されずに検出することができる。この空間
フィルタ２８で消えない周辺回路を除去するため比較検
査を行うと異物だけが検出できる。また、検出系２５に
は、ハーフミラー４５、ミラー４６、結像レンズ４７、
ＴＶカメラ４８を配置し、空間フィルター面の像をＴＶ
カメラ４８で結像して空間フィルタ２８の作成に用いて
いる。
ンズ２６の焦点面に配置されたＣＣＤ（１次元のリニア
イメージセンサ）２７によって検知される。この時、検
出レンズのウエハとの結像位置と共役な面の空間フィル
タ２８には、例えばメモリマットの繰返しにより生ずる
フーリエ変換像を結ぶ。このフーリエ変換像はウエハを
移動しても変化しないので、この像を遮光する空間フィ
ルタ２８を設けることにより、メモリマットからの光は
遮光され、繰返しのない異物やメモリマット端の周辺回
路の光は遮光されずに検出することができる。この空間
フィルタ２８で消えない周辺回路を除去するため比較検
査を行うと異物だけが検出できる。また、検出系２５に
は、ハーフミラー４５、ミラー４６、結像レンズ４７、
ＴＶカメラ４８を配置し、空間フィルター面の像をＴＶ
カメラ４８で結像して空間フィルタ２８の作成に用いて
いる。
【００１８】検出した異物の目視観察を行なうのには、
観察−アライメント光学系３０を用いる。観察−アライ
メント光学系３０は、真空中に配置した対物レンズ３１
と、大気中の照明ランプ３２、レンズ３３、ハーフミラ
ー３４、リレーレンズ３５、ミラー３６、ＴＶカメラ３
７から構成されている。照明ランプ３２からの照明光は
対物レンズ３１を通してウエハ表面上を照明し、この像
をリレーレンズ３５を介してＴＶカメラ３７で受像す
る。ＣＣＤ（１次元のリニアイメージセンサ）２７によ
って検知された異物は、目視観察の座標位置の対物レン
ズ３１へＸ−Ｙステージにより移動される。そして、真
空中に配置した複数個の対物レンズ３１及び大気中のリ
レーレンズ３５を適宜選択することにより、総合倍率の
切り換えをして異物の観察を行うことができる。
観察−アライメント光学系３０を用いる。観察−アライ
メント光学系３０は、真空中に配置した対物レンズ３１
と、大気中の照明ランプ３２、レンズ３３、ハーフミラ
ー３４、リレーレンズ３５、ミラー３６、ＴＶカメラ３
７から構成されている。照明ランプ３２からの照明光は
対物レンズ３１を通してウエハ表面上を照明し、この像
をリレーレンズ３５を介してＴＶカメラ３７で受像す
る。ＣＣＤ（１次元のリニアイメージセンサ）２７によ
って検知された異物は、目視観察の座標位置の対物レン
ズ３１へＸ−Ｙステージにより移動される。そして、真
空中に配置した複数個の対物レンズ３１及び大気中のリ
レーレンズ３５を適宜選択することにより、総合倍率の
切り換えをして異物の観察を行うことができる。
【００１９】検出時、ウエハ表面位置が検出レンズの焦
点深度内に収まらないと検出は不可能と成る。図６はウ
エハ異物検査装置の自動焦点方法を示す説明図である。
そこで、自動焦点機構５０を用いて常にウエハ表面を検
出し、検出系へフィードバックする方式を採っている。
Ａ／Ｆ用半導体レーザ５１からのレーザ光はミラー５２
を介して真空フランジの窓５３を通り斜め入射しウエハ
表面ヘ当たる。ウエハ表面で反射したレーザ光は、対向
するＡ／Ｆ用４分割センサ５３に入光する。例えば、成
膜後のウエハ厚さの変化や厚さむら等によりウエハ表面
の位置が検出レンズの焦点深度から外れた場合は、Ａ／
Ｆ用投光器５１・受光器５３の自動焦点機構５０を同期
させて上下移動しウエハに焦点を合せる。この上下移動
量に従い、高さ位置決め部５５の駆動系（図示せず）に
て検査装置の検出系の検出器及びウエハを検出レンズの
焦点深度に位置合せする。このようにフィードバックす
ることで自動焦点の範囲内に収束することができ、安定
した検出が可能となった。
点深度内に収まらないと検出は不可能と成る。図６はウ
エハ異物検査装置の自動焦点方法を示す説明図である。
そこで、自動焦点機構５０を用いて常にウエハ表面を検
出し、検出系へフィードバックする方式を採っている。
Ａ／Ｆ用半導体レーザ５１からのレーザ光はミラー５２
を介して真空フランジの窓５３を通り斜め入射しウエハ
表面ヘ当たる。ウエハ表面で反射したレーザ光は、対向
するＡ／Ｆ用４分割センサ５３に入光する。例えば、成
膜後のウエハ厚さの変化や厚さむら等によりウエハ表面
の位置が検出レンズの焦点深度から外れた場合は、Ａ／
Ｆ用投光器５１・受光器５３の自動焦点機構５０を同期
させて上下移動しウエハに焦点を合せる。この上下移動
量に従い、高さ位置決め部５５の駆動系（図示せず）に
て検査装置の検出系の検出器及びウエハを検出レンズの
焦点深度に位置合せする。このようにフィードバックす
ることで自動焦点の範囲内に収束することができ、安定
した検出が可能となった。
【００２０】基板としてウエハ以外にも液晶等、半導体
プロセス全般に適用できる。
プロセス全般に適用できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、可搬式ウエハキャリア
を介して間接接続することにより、任意の真空プロセス
装置との接続が可能となり各真空中プロセス処理装置の
基板を検査できるので、プロセス自体の異物評価及び各
工程の管理は勿論のこと処理装置のモニタリングが可能
となり、異物の発生原因をいち早く検知することができ
る。これによって、早急な対策ができるので製品の歩留
まり向上に寄与する。
を介して間接接続することにより、任意の真空プロセス
装置との接続が可能となり各真空中プロセス処理装置の
基板を検査できるので、プロセス自体の異物評価及び各
工程の管理は勿論のこと処理装置のモニタリングが可能
となり、異物の発生原因をいち早く検知することができ
る。これによって、早急な対策ができるので製品の歩留
まり向上に寄与する。
【図１】本発明による一実施例のウエハ異物検査装置の
断面図。
断面図。
【図２】本発明によるウエハ異物検査装置の平面図。
【図３】本発明による図１の部分説明図。
【図４】本発明によるウエハ走査方法の説明図。
【図５】本発明によるレーザの入射角度を可変にする方
法の説明図。
法の説明図。
【図６】本発明による自動焦点方法を示す説明図。
３…真空チャンバ、５…可搬式ウエハキャリア、６…真
空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステージ、１３…真空フランジ。
空内Ｘ−Ｙ−Θ−Ｚステージ、１３…真空フランジ。
Claims (6)
- 【請求項１】真空中プロセス処理後の半導体基板等を真
空中で検査する検査装置において、基板受渡し導入ポー
トを設けた真空チャンバの上面に、照明系と、検出系
と、基板のΘ合わせの回転検出系と、基板の位置確認用
の観察−アライメント光学系とから成る着脱可能な検査
ユニットを装備し、上記検査ユニットには上記照明系か
らのレーザをチャンバ内部へ導入用の窓を設け、上記基
板の表面上で反射した異物からの散乱光を検出系の検出
器で受光し、常に上記基板の高さ位置を検知する自動焦
点機構部と、上記自動焦点機構部に同期させて上記基板
及び上記検査ユニットを上下移動させる高さ位置決め部
とから構成したことを特徴とする真空中基板検査装置。 - 【請求項２】上記検査ユニットの真空側に照明系の反射
ミラーを設け低角度照明した請求項１の真空中基板検査
装置。 - 【請求項３】上記照明系の反射ミラーの角度を可変にし
た請求項１の真空中基板検査装置。 - 【請求項４】上記検査ユニットの真空側に検出系の検出
レンズのレンズを窓として用いた請求項１の真空中基板
検査装置。 - 【請求項５】上記検査ユニットの真空側に観察−アライ
メント光学系の対物レンズを複数個配置した請求項１の
真空中基板検査装置。 - 【請求項６】上記観察−アライメント光学系が倍率切り
換えできる請求項１の真空中基板検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17203496A JPH1019790A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 真空中基板検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17203496A JPH1019790A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 真空中基板検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019790A true JPH1019790A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15934309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17203496A Pending JPH1019790A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 真空中基板検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1019790A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114166A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-04-21 | Nova Measuring Instruments Ltd | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置及びその方法 |
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-
1996
- 1996-07-02 JP JP17203496A patent/JPH1019790A/ja active Pending
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