TWI638426B - Stripping device, stripping system, stripping method and information memory medium - Google Patents

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TWI638426B
TWI638426B TW105102340A TW105102340A TWI638426B TW I638426 B TWI638426 B TW I638426B TW 105102340 A TW105102340 A TW 105102340A TW 105102340 A TW105102340 A TW 105102340A TW I638426 B TWI638426 B TW I638426B
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Abstract

提供一種抑制剝離起點的形成所致之基板的破損之剝離裝置。
一種剝離裝置，係使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板，該剝離裝置，其特徵係，具備有：刃部，在前述第1基板與前述第2基板之間形成作為剝離起點的切口；及檢查部，檢查前述刃部之刃尖的狀態，前述檢查部，係具有：攝像部，對前述刃部的刃尖進行拍攝；及圖像處理部，對前述攝像部的圖像進行圖像處理。

Description

剝離裝置、剝離系統、剝離方法及資訊記憶媒體
本發明，係關於剝離裝置、剝離系統、剝離方法及資訊記憶媒體。
近年來，例如在半導體元件的製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之基板的大口徑化及薄型化正在發展中。大口徑且薄的基板，係在搬送時或研磨處理時，有產生彎曲或破裂之虞。因此，在將其他基板貼合於基板而進行補強後，進行搬送或研磨處理，其後，進行剝離基板彼此的處理。又，在剝離基板彼此之際，為了形成剝離起點，而進行如下述者：在基板彼此之間插入刃，形成切口(例如，參閱專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-165281號公報
存在有使用刃尖破損之刃而形成剝離起點的情形，並存在有基板破損的情形。
本發明，係有鑑於上述課題而進行研究者，以提供一種抑制剝離起點的形成所致之基板之破損的剝離裝置為目的。
為了解決上述課題，根據本發明之一態樣，提供一種剝離裝置，係使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板，該剝離裝置，其特徵係，具備有：刃部，在前述第1基板與前述第2基板之間形成作為剝離起點的切口；及檢查部，檢查前述刃部之刃尖的狀態，前述檢查部，係具有：攝像部，對前述刃部的刃尖進行拍攝；及圖像處理部，對前述攝像部的圖像進行圖像處理。
根據本發明之一態樣，提供一種抑制剝離起點的形成所致之基板之破損的剝離裝置。
1‧‧‧剝離系統
15‧‧‧剝離裝置
16‧‧‧第1洗淨裝置
30‧‧‧控制裝置
40‧‧‧輸出裝置
130‧‧‧剝離起點形成部
131‧‧‧刃部
131a‧‧‧刃尖
132‧‧‧Z方向移動部
133‧‧‧Y方向移動部
134‧‧‧X方向移動部
140‧‧‧檢查部
141‧‧‧光源部
142‧‧‧攝像部
142P‧‧‧圖像
142P-1‧‧‧暗部
142P-2‧‧‧明部
142P-3‧‧‧邊界線
145‧‧‧攝像部位變更部
147‧‧‧圖像處理部
[圖1]表示一實施形態之剝離系統之概略的平面圖。
[圖2]表示一實施形態之重合基板的平面圖。
[圖3]表示一實施形態之重合基板的剖面圖。
[圖4]圖3之一部分放大圖。
[圖5]一實施形態之剝離方法的流程圖。
[圖6]一實施形態之剝離裝置的剖面圖。
[圖7]一實施形態之檢查部的側視圖。
[圖8]表示一實施形態之攝像部所拍攝之攝像區域的平面圖，且表示如圖14所示的狀態中之刃部與重合基板之位置關係的平面圖。
[圖9]表示一實施形態之攝像部所拍攝到之圖像的圖。
[圖10]一實施形態之剝離方法的流程圖。
[圖11]表示框架保持部保持了框架之狀態之一例的圖。
[圖12]表示從圖11之狀態，使框架保持部下降，基板保持部經由膠帶來保持被處理基板之狀態之一例的圖。
[圖13]表示從圖12之狀態，使刃部往插入方向移動，並刃部抵接於重合基板後之狀態之一例的圖。
[圖14]表示從圖13之狀態，使刃部進一步往插入方向移動後之狀態之一例的圖。
[圖15]表示從圖14之狀態，使刃部進一步往插入方向移動，並且使基板保持部及框架保持部下降後之狀態之 一例的圖。
[圖16]表示藉由基板外周保持部及基板中央保持部來保持支撐基板之狀態之一例的圖。
[圖17]表示從圖16之狀態，使基板外周保持部上升後之狀態之一例的圖。
[圖18]表示從圖17之狀態，使基板外周保持部及基板中央保持部上升後之狀態之一例的圖。
以下，參照圖面，說明用以實施本發明的形態。在各圖面中，對相同或相對應的構成，係賦予相同或相對應的符號並省略說明。在以下的說明中，X方向、Y方向、Z方向，係相互垂直的方向，X方向及Y方向，係水平方向，Z方向，係垂直方向。
圖1，係表示一實施形態之剝離系統之概略的平面圖。圖2，係一實施形態之重合基板的平面圖。圖3，係一實施形態之重合基板的剖面圖。圖4，係圖3之一部分放大圖。
剝離系統1，係將經由接合層G而接合被處理基板W與支撐基板S的重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S。又，剝離系統1，係洗淨剝離後之被處理基板W之接合面，並去除附著於其接合面之接合層G的殘留屑渣。
被處理基板W，係對應於申請專利範圍所記 載的第1基板，支撐基板S，係對應於申請專利範圍所記載的第2基板。另外，被處理基板W，係亦可對應於第2基板，支撐基板S，係亦可對應於第1基板。
被處理基板W，係形成有元件、電路、端子等者。形成有元件、電路、端子等的面，係設成為接合面。被處理基板W之與接合面相反之一側的面(以下，亦稱為非接合面)，係在接合後被予以研磨，從而使被處理基板W薄板化。研磨後，亦可在被處理基板W的非接合面形成有表面電極、貫通電極等。另外，被處理基板W，係亦可為層積有複數個基板者。
支撐基板S，係與被處理基板W接合，暫時補強被處理基板W。支撐基板S，係在被處理基板W之研磨後，從被處理基板W剝離。所剝離的支撐基板S，係亦可在洗淨後，與其他被處理基板W接合。
接合層G，係接合被處理基板W與支撐基板S。接合層G，係亦可包含有熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂之任一。又，接合層G，係亦可為單層構造、複數層構造之任一。
重合基板T，係如圖2~圖4所示，黏貼於被固定在框架F之內周部的膠帶P，並保持於框架F。膠帶P，係覆蓋框架F的開口部。作為框架F，係例如使用切割框，作為膠帶P，係例如使用切割帶。
重合基板T，係在被保持於框架F的狀態下，剝離成被處理基板W與支撐基板S。剝離後之被處理 基板W，係維持被保持於框架F的狀態，供以洗淨處理。在該洗淨處理中，係去除附著於被處理基板W之接合面之接合層G的殘留屑渣。
剝離系統1，係如圖1所示，具備有第1處理區塊10、第2處理區塊20、控制裝置30及輸出裝置40。
第1處理區塊10，係對重合基板T或剝離後之被處理基板W進行處理。第1處理區塊10，係具備有搬入搬出站11、第1搬送裝置12、待機裝置13、剝離站15及第1洗淨裝置16。
搬入搬出站11，係在與外部之間，使匣盒Ct、Cw搬入搬出。搬入搬出站11，係具有匣盒載置台，該匣盒載置台，係包含有複數個載置部11a、11b。在該些載置部11a、11b載置有匣盒Ct、Cw。匣盒Ct，係收容有複數個重合基板T，匣盒Cw，係收容有複數個剝離後之被處理基板W。重合基板T及剝離後之被處理基板W，係在被保持於框架F的狀態下，予以收容於匣盒Ct、Cw。
第1搬送裝置12，係搬送重合基板T或剝離後之被處理基板W。第1搬送裝置12，係具備有搬送臂部與基板保持部。搬送臂部，係設成為沿水平方向移動自如，並設成為沿垂直方向升降自如，且設成為以垂直軸為中心地旋轉自如。基板保持部，係藉由保持框架F的方式，大致水平地保持重合基板T或剝離後之被處理基板 W。第1搬送裝置12，係藉由搬送臂部來將由基板保持部所保持的基板搬送至所期望的位置。
待機裝置13，係預先使等待處理的重合基板T暫時待機。待機裝置13，係包含有載置台。在該載置台，係載置有重合基板T。在載置台，係設置有ID讀取裝置，ID讀取裝置，係讀取框架F的ID(Identification)，並識別重合基板T。
剝離裝置15，係將重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S。重合基板T，係在被保持於框架F的狀態下，剝離成被處理基板W與支撐基板S。剝離後之被處理基板W，係設成為維持被保持於框架F的狀態。關於詳細之剝離裝置15的構成，係如後述。
第1洗淨裝置16，係洗淨剝離後之被處理基板W。剝離後之被處理基板W，係在將非接合面黏貼於膠帶P後的狀態下，被予以洗淨。藉由該洗淨，予以去除附著於被處理基板W之接合面之接合層G的殘留屑渣。
另一方面，第2處理區塊20，係對剝離後之支撐基板S進行處理。第2處理區塊20，係具備有收授裝置21、第2洗淨裝置22、第2搬送裝置23及搬出站24。
收授裝置21，係從剝離裝置15接收剝離後之支撐基板S，並傳送到第2洗淨裝置22。
第2洗淨裝置22，係洗淨剝離後之支撐基板S。作為第2洗淨裝置22，係例如使用記載於日本特開 2013-033925號公報的洗淨裝置。
第2搬送裝置23，係將洗淨後之支撐基板S搬送至搬出站24。第2搬送裝置23，係與第1搬送裝置12相同地，具備有搬送臂部與基板保持部。第2搬送裝置23所具備的基板保持部，係例如藉由從下方支撐支撐基板S的方式，大致水平地保持支撐基板S。
搬出站24，係在與外部之間，使匣盒Cs搬入搬出。搬出站24，係具有匣盒載置台，該匣盒載置台，係具有複數個載置部24a、24b。在該些載置部24a、24b載置有匣盒Cs。匣盒Cs，係收容有複數個剝離後之支撐基板S。
控制裝置30，係由包含有記憶體等之記錄媒體31與CPU(Central Processing Unit)32等的電腦所構成，並藉由在CPU32執行記憶於記錄媒體31之程式(亦稱為配方)的方式，實現各種處理。另外，控制裝置30，雖係在圖1中，與剝離裝置15分開設置，但亦可為剝離裝置15的一部分。
控制裝置30的程式，係記憶於資訊記憶媒體，並由資訊記憶媒體予以安裝。作為資訊記憶媒體，係例如可列舉出硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。另外，程式，係亦可經由網際網路，從伺服器予以下載並安裝。
作為輸出裝置40，係例如使用表示圖像的顯示器、輸出聲音的揚聲器等。另外，輸出裝置40，雖係 在圖1中，與剝離裝置15分開設置，但亦可為剝離裝置15的一部分。輸出裝置40，係對應於申請專利範圍所記載的輸出部。
其次，參閱圖5，說明使用上述剝離系統1的剝離方法。圖5，係一實施形態之剝離方法的流程圖。在此，係著眼於被處理基板W而說明剝離方法。
剝離方法，係具有搬入工程S11、剝離工程S12、洗淨工程S13及搬出工程S14等。該些工程，係在控制裝置30的控制下予以實施。
在搬入工程S11中，係第1搬送裝置12將重合基板T從載置部11a上的匣盒Ct搬送至待機裝置13，其次，從待機裝置13搬送至剝離裝置15。
在剝離工程S12中，係剝離裝置15將重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S。重合基板T，係在被保持於框架F的狀態下，剝離成被處理基板W與支撐基板S。剝離後之被處理基板W，係設成為維持被保持於框架F的狀態。剝離後，第1搬送裝置12將被處理基板W從剝離裝置15搬送至第1洗淨裝置16。
在洗淨工程S13中，係第1洗淨裝置16將剝離後之被處理基板W加以洗淨。剝離後之被處理基板W，係在將非接合面黏貼於膠帶P後的狀態下，被予以洗淨。藉由該洗淨，予以去除附著於被處理基板W之接合面之接合層G的殘留屑渣。
在搬出工程S14中，係第1搬送裝置12將剝 離後之被處理基板W搬送至載置部11b上的匣盒Cw。
如此一來，剝離後之被處理基板W，係在第1洗淨裝置16中被洗淨，其後，收容至匣盒Cw。在該期間，剝離後之支撐基板S，係在第2洗淨裝置22中被洗淨，其後，收容至匣盒Cs。
另外，剝離系統1，係不限定於上述構成。例如，剝離系統1，係亦可具有安裝裝置。安裝裝置，係對固定於框架F之內周部的膠帶P黏貼重合基板T。並非在剝離系統1的外部，而是在剝離系統1的內部進行重合基板T的安裝。又，剝離系統1，係亦可具有各種檢查裝置。作為檢查裝置，係例如可列舉出檢查洗淨後之被處理基板W或洗淨後之支撐基板S有無殘渣的檢查裝置、檢查洗淨後之被處理基板的元件等之電氣特性的檢查裝置。
其次，參照圖6~圖9，詳細說明上述剝離裝置15。圖6，係一實施形態之剝離裝置的剖面圖。圖7，係一實施形態之檢查部的側視圖。圖8，係表示一實施形態之攝像部所拍攝之攝像區域的平面圖，且表示如圖14所示的狀態中之刃部與重合基板之位置關係的平面圖。圖9，係表示一實施形態之攝像部所拍攝之圖像的圖。在圖9中，為了使圖面容易觀看，而對暗部施予陰影線。
剝離裝置15，係具備有處理容器100。在處理容器100的側面，係形成有搬入搬出口(未圖示)，在搬入搬出口，係例如設置有開關閘門。搬入搬出口，係分別設置於處理容器100之第1搬送裝置12側的側面與處理 容器100之收授裝置21側的側面。重合基板T，係經由搬入搬出口被搬入至處理容器100的內部，在其內部，予以剝離成被處理基板W與支撐基板S。其後，其中被處理基板W、支撐基板S，係經由搬入搬出口被搬出至處理容器100的外部。
剝離裝置15，係在處理容器100的內部具備有第1保持部110、第2保持部120、剝離起點形成部130及檢查部140(參閱圖7)的一部分(例如光源部141、攝像部142、攝像部位變更部145)。又，剝離裝置15，係在處理容器100的外部具備有檢查部140的剩餘部分(例如圖像處理部147)。
第1保持部110，係經由膠帶P，從下方保持被處理基板W，並且從下方保持框架F。第1保持部110，係具有基板保持部111、支柱部112、框架保持部113、升降驅動部115、旋轉升降基底部117及旋轉升降驅動部118。
基板保持部111，係經由膠帶P，從下方保持被處理基板W。基板保持部111，係例如由多孔性吸盤所構成，經由膠帶P真空吸附被處理基板W。基板保持部111，係經由支柱部112予以固定於旋轉升降基底部117。
框架保持部113，係從下方保持框架F。框架保持部113，係例如由真空吸附盤所構成，真空吸附框架F。框架保持部113，係在框架F的周方向，隔著間隔設 置有複數個(例如4個)。
升降驅動部115，係安裝於旋轉升降基底部117，使複數個框架保持部113相對於基板保持部111一體升降。升降驅動部115，係例如由氣缸所構成。
旋轉升降驅動部118，係安裝於處理容器100的地板部。旋轉升降驅動部118，係以使旋轉升降基底部117繞垂直軸旋轉的方式，使基板保持部111及框架保持部113一體旋轉。又，旋轉升降驅動部118，係以使旋轉升降基底部117升降的方式，使基板保持部111及框架保持部113一體升降。
第2保持部120，係從上方保持支撐基板S。第2保持部120，係具備有固定基底部121、基板外周保持部122、基板外周移動部123、基板中央保持部124及基板中央移動部125。
固定基底部121，係予以固定於處理容器100的頂部。在固定基底部121，係安裝有基板外周移動部123及基板中央移動部125。
基板外周保持部122，係從上方吸附支撐基板S的外周部(詳細而言，係後述之剝離起點的附近)。基板外周保持部122，係例如由真空吸附盤所構成，從上方真空吸附支撐基板S的外周部。
基板外周移動部123，係安裝於固定基底部121，使基板外周保持部122相對於固定基底部121升降，藉此，使支撐基板S的外周部升降。基板外周移動部 123，係例如由氣缸所構成。
基板中央保持部124，係從上方吸附支撐基板S的中央部。基板中央保持部124，係例如由真空吸附盤所構成，從上方真空吸附支撐基板S的中央部。
基板中央移動部125，係安裝於固定基底部121，使基板中央保持部124相對於固定基底部121升降，藉此，使支撐基板S的中央部升降。基板中央移動部125，係例如由氣缸所構成。
剝離裝置15，係詳細如後述，藉由第1保持部110及第2保持部120，從上下兩側保持重合基板T，並使基板外周保持部122比基板中央保持部124更先上升，藉此，將支撐基板S與被處理基板W從剝離起點慢慢地剝離。
剝離起點形成部130，係在支撐基板S與被處理基板W之間，形成作為剝離起點的切口。剝離起點形成部130，係例如安裝於固定基底部121。剝離起點形成部130，係具備有刃部131、Z方向移動部132、Y方向移動部133、X方向移動部134。
刃部131，係被插入至支撐基板S與被處理基板W之間，在該之間形成作為剝離起點的切口。刃部131，係例如如圖7及圖8所示，形成為矩形板狀，刃部131的長邊方向，係設成為X方向，刃部131的插入方向，係設成為Y方向。另外，刃部131的形狀，係不限定於矩形板狀，亦可為例如圓板狀等。
Z方向移動部132、Y方向移動部133、X方向移動部134，係分別由馬達及將馬達之旋轉運動變換成直線運動的滾珠螺桿或氣缸等所構成。
Z方向移動部132，係使刃部131相對於第1保持部110或第2保持部120而往Z方向移動，從而調整刃部131的高度。
Y方向移動部133，係使刃部131相對於第1保持部110或第2保持部120而往Y方向移動，從而使刃部131插入至支撐基板S與被處理基板W之間。
X方向移動部134，係使刃部131相對於第1保持部110或第2保持部120而往X方向移動，從而變更刃部131之刃尖131a的切口開始位置。刃尖131a的切口開始位置，係指刃尖131a中最先抵接於重合基板T之部分的位置。X方向移動部134，係對應於申請專利範圍所記載的位置變更部。
另外，刃部131的形狀為圓板狀時，以使刃部131旋轉的方式，可變更刃尖131a的切口開始位置。
檢查部140，係檢查刃尖131a的狀態。作為檢查項目，係可列舉出例如有無缺陷、缺陷的位置等。檢查部140，係例如如圖7所示，具有光源部141、攝像部142、攝像部位變更部145及圖像處理部147等。
光源部141，係對刃尖131a照射光。光源部141，係如圖7所示，為面光源，亦可為點光源。
攝像部142，係對刃尖131a進行拍攝。攝像 部142，係具有攝像元件143、稜鏡144等。攝像元件143，係例如由CCD(Charge Coupled Device)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)所構成。攝像元件143，係經由稜鏡144等，對刃尖131a進行拍攝。稜鏡144，係折彎光路。另外，亦可無稜鏡144。
攝像部142，係以可放大刃尖131a之細部而進行拍攝的方式，部分性地拍攝刃尖131a。攝像部142，係例如如圖8所示，對刃尖131a中最先抵接於重合基板T的部分進行拍攝。由於該部分，係在剝離起點形成時，承受比其他部分高的負載，因此，易破損。
攝像部142，係以刃部131為基準，配設於與光源部141相反之一側。攝像部142所拍攝的圖像142P，係如圖9所示，具有暗部142P-1與明部142P-2。暗部142P-1，係以來自光源部141的光被刃部131遮蔽的方式來予以形成。另一方面，明部142P-2，係以來自光源部141的光通過刃部131之外的方式來予以形成。暗部142P-1與明部142P-2的邊界線142P-3，係表示刃尖131a。
攝像部位變更部145，係變更攝像部142所拍攝之刃尖131a的攝像部位。攝像部位變更部145，係由例如馬達及將馬達之旋轉運動變換成直線運動的滾珠螺桿等所構成。攝像部位變更部145，係例如以使攝像部142往沿著刃尖131a之方向(在圖8中，係X方向)移動的方式，變更刃尖131a的攝像部位。可獲得複數個不同攝像 部位的圖像。
攝像部位變更部145，係亦可在使攝像部142移動時，使光源部141與攝像部142一體移動。作為使光源部141移動的情形，係可列舉出光源部141為點光源的情形。在光源部141為面光源且在X方向為長的情況下，光源部141的移動是不需要的。
另外，本實施形態的攝像部位變更部145，雖係使攝像部142移動，但亦可使攝像部142與刃部131之任一移動，且亦可使兩者移動。在使刃部131往X方向移動時，X方向移動部134亦可兼作為攝像部位變更部145。又，刃部131的形狀為圓板狀時，以使刃部131旋轉的方式，可變更刃部131之攝像部位之變更。
攝像部位變更部145，係亦可包含有：位置感測器，檢測攝像部142與刃部131的相對位置。位置感測器，係將其檢測結果輸出至圖像處理部147及控制裝置30。控制裝置30，係根據位置感測器的檢測結果，控制攝像部142所拍攝之刃尖131a的攝像部位。
另外，在本實施形態中，雖係分別設置有圖像處理部147與控制裝置30，但控制裝置30亦可兼作為圖像處理部147。
圖像處理部147，係以對攝像部142之圖像142P進行圖像處理的方式，檢查刃尖131a的狀態。作為檢查項目，係可列舉出例如有無缺陷、缺陷的位置等。有無缺陷，係例如因應刃尖131a之形狀的特徵量是否為預 定值以上來進行判斷。作為特徵量，係可列舉出形成於刃尖131a之凹部的寬度或深度、面積等。缺陷的位置，係可根據圖像142P中之凹部、攝像部142與刃部131的相對位置等來計算出。
圖像處理部147，係例如檢測暗部142P-1與明部142P-2的邊界線142P-3。在邊界線142P-3中，由於亮度會急遽變化，因此，邊界線142P-3極為明顯。邊界線142P-3，係表示刃尖131a。圖像處理部147，係以將表示刃尖131a之實際形狀的邊界線142P-3與表示刃尖131a之規格形狀的線142P-4加以比較之方式，計算出刃尖131a之形狀的特徵量。
另外，當周邊的亮度足夠明亮時，亦可無光源部141。
圖10，係表示使用了一實施形態之剝離裝置之剝離工程之詳細的流程圖。圖11，係表示框架保持部保持了框架之狀態之一例的圖。圖12，係表示從圖11之狀態，使框架保持部下降，基板保持部經由膠帶來保持被處理基板之狀態之一例的圖。圖13，係表示從圖12之狀態，使刃部往插入方向移動，並刃部抵接於重合基板後之狀態之一例的圖。圖14，係表示從圖13之狀態，使刃部進一步往插入方向移動後之狀態之一例的圖。圖15，係表示從圖14之狀態，使刃部進一步往插入方向移動，並且使基板保持部及框架保持部下降後之狀態之一例的圖。圖16，係表示藉由基板外周保持部及基板中央保持部來 保持支撐基板之狀態之一例的圖。圖17，係表示從圖16之狀態，使基板外周保持部上升後之狀態之一例的圖。圖18，係表示從圖17之狀態，使基板外周保持部及基板中央保持部上升後之狀態之一例的圖。
剝離工程S12，係如圖10所示，具有準備工程S21、處理工程S22、檢查工程S23、檢查有無缺陷的工程S24及位置變更工程S25。該些工程，係在控制裝置30的控制下予以進行。
在準備工程S21中，係使重合基板T保持於第1保持部110。具體而言，係首先，如圖11所示，框架保持部113，係保持從第1搬送裝置12被搬入至處理容器100內的框架F。其次，升降驅動部115，係使框架保持部113相對於基板保持部111下降。藉此，重合基板T，係經由膠帶P，抵接於基板保持部111。其次，如圖12所示，基板保持部111，係經由膠帶來保持重合基板T。此時，第2保持部120，係未保持重合基板T。
在處理工程S22中，係以將刃部131插入至支撐基板S與被處理基板W之間的方式，形成作為剝離起點的切口，並使支撐基板S與被處理基板W從剝離起點剥離。
在剝離起點的形成中，係首先，如圖13所示，Y方向移動部133使刃部131往插入方向移動，並使刃部131之刃尖131a抵接於支撐基板S的側面。由於支撐基板S，係比被處理基板W或接合層G厚，因此，刃 部131之高度調整的容許幅度較大。又，由於支撐基板S，係不會成為製品，因此，即便損傷亦沒有問題。
接著，如圖14所示，Y方向移動部133，係使刃部131進一步往插入方向移動僅距離D1。支撐基板S的側面，係帶有圓弧狀，向上的力會作用於支撐基板S。藉此，形成有作為剝離起點的切口。
接著，如圖15所示，Y方向移動部133，係使刃部131進一步往插入方向移動僅距離D2。在該期間，旋轉升降驅動部118，係使基板保持部111及框架保持部113下降。藉此，向下的力會作用於被處理基板W，切口會擴大。如此一來，形成有剝離起點。
從剝離起點的剝離，係首先，如圖16所示，使基板外周保持部122下降而抵接於重合基板T，並且使基板中央保持部124下降而抵接於重合基板T。其次，基板外周保持部122，係保持重合基板T的外周部(詳細而言，係剝離起點的附近)，並且基板中央保持部124，係保持重合基板T的中央部。其次，如圖17所示，使基板外周保持部122上升，從剝離起點使支撐基板S與被處理基板W慢慢地剝離。接著，如圖18所示，使基板外周保持部122及基板中央保持部124上升，並從外周部往中央部進行剝離。接著，僅使基板中央保持部124上升，或者僅使基板外周保持部122下降，將支撐基板S保持為水平。在該期間，如圖18所示，Y方向移動部133，係從支撐基板S與被處理基板W之間拔除刃部131，並使刃部131返 回至原來的位置。
其後，旋轉升降驅動部118，係亦可使基板保持部111及框架保持部113一體旋轉。跨及被處理基板W與支撐基板S之接合層G存在有殘留屑渣時，可擰斷殘留屑渣。
在檢查工程S23中，係檢查刃部131之刃尖131a的狀態。具體而言，係首先，攝像部142對刃尖131a進行拍攝。如圖8所示，攝像部142的攝像區域142A，係包含有刃尖131a中最先抵接於重合基板T的部分。由於該部分，係在剝離起點形成時，承受比其他部分高的負載，因此，易破損。其次，圖像處理部147，係對攝像部142的圖像142P進行圖像處理，並檢查刃尖131a的狀態。作為檢查項目，係可列舉出例如有無缺陷、缺陷的位置等。圖像處理部147，係將檢查結果輸出至控制裝置30。
控制裝置30，係進行檢查有無缺陷的工程S24。當無缺陷時(S24、NO)，控制裝置30，係結束此次的剝離工程S12。另一方面，當有缺陷時(S24、YES)，控制裝置30，係在實施位置變更工程S25後，結束此次的剝離工程S12。
在位置變更工程S25中，係進行刃尖131a之切口開始位置的變更。具體而言，X方向移動部134，係使刃部131往X方向移動，從而變更刃尖131a的切口開始位置。其移動量，係如圖14所示，亦可大於使刃部 131往插入方向移動僅距離D1時之刃尖131a之與重合基板T的接觸部分之寬度D3(參閱圖8)的一半。在下次的剝離工程S12中，在使刃部131往插入方向移動僅距離D1的期間，刃尖131a之缺陷不會撞擊重合基板T。如圖15所示，在使刃部131往插入方向移動僅距離D2的期間，係由於使基板保持部111等下降，因此，刃尖131a之缺陷亦可撞擊重合基板T。以刃尖131a之缺陷撞擊重合基板T的方式，即便刃尖131a的移動方向往下方晃動，亦如圖15所示，由於基板保持部111為下降中，因此，刃尖131a不會撞擊被處理基板W。
代替位置變更工程S25，或除了位置變更工程S25以外，亦可進行輸出工程。在輸出工程中，輸出裝置40，係輸出具有缺陷的警報。作為輸出有警報的情形，係可列舉出如下述之情形：在重複進行剝離工程S12的過程中，缺陷會增加，且不存在刃尖131a之切口開始位置的候補。在輸出警報後時，進行刃部131之更換。
另外，在圖10的檢查工程S23中，雖係不變更刃尖131a的攝像部位，但亦可一邊進行變更一邊重複進行拍攝。可檢查廣泛之範圍的狀態。在檢查工程中，係藉由對攝像部位不同之複數個圖像進行圖像處理的方式，作成表示刃尖131a之狀態的圖。圖，係表示刃尖131a的各位置中有無缺陷。可增加刃尖131a之切口開始位置的候補，並可推遲刃部131的更換。
另外，圖10的檢查工程S23，雖係在處理工 程S22後予以進行，但亦可在處理工程S22之前予以進行，且亦可在處理工程S22的前後兩者予以進行。關於圖10的位置變更工程S25是相同的。
如以上所說明般，剝離裝置15，係具有攝像部142與圖像處理部147。攝像部142，係對刃尖131a進行拍攝，圖像處理部147，係對攝像部142的圖像142P進行圖像處理。藉此，可檢查刃尖131a的狀態，並可知道有無缺陷或缺陷的位置。在刃尖131a中最先抵接於重合基板T的部分具有缺陷時，以實施對策的方式，可避免被處理基板W之破損。
又，剝離裝置15，係具備有作為位置變更部的X方向移動部134。X方向移動部134，係以使刃部131相對於第1保持部110或第2保持部120而往X方向移動的方式，變更刃尖131a的切口開始位置。該變更，係根據檢查部140的檢查結果來予以進行。可避免被處理基板W之破損，且可推遲刃部131之更換。
又，剝離裝置15，係具備有攝像部位變更部145。攝像部位變更部145，係變更刃尖131a的攝像部位。以一邊變更刃尖131a之攝像部位，一邊重覆進行拍攝的方式，可檢查廣泛之範圍的狀態。
又，剝離裝置15，係藉由對攝像部位不同之複數個圖像142P進行圖像處理的方式，作成表示刃尖131a之狀態的圖。圖，係表示刃尖131a的各位置中有無缺陷。可增加刃尖131a之切口開始位置的候補，並可推 遲刃部131的更換。
又，剝離裝置15，係具備有光源部141。光源部141，係對刃尖131a照射光。攝像部142所拍攝的圖像142P，係如圖9所示，具有暗部142P-1與明部142P-2。暗部142P-1，係以來自光源部141的光被刃部131遮蔽的方式來予以形成。另一方面，明部142P-2，係以來自光源部141的光通過刃部131之外的方式來予以形成。暗部142P-1與明部142P-2的邊界線142P-3，係表示刃尖131a。在邊界線142P-3中，由於亮度會急遽變化，因此，邊界線142P-3極為明顯。
又，剝離裝置15，係具備有輸出裝置40。輸出裝置40，係輸出根據檢查部140之檢查結果的警報。可喚起操作員的注意，並可促使刃部131之更換。藉此，可避免被處理基板W之破損。
以上，雖說明了剝離裝置等的實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態等，在記載於申請專利範圍之本發明之要旨的範圍內，可進行各種變形、改良。
例如，被處理基板W的種類，係亦可為多種多樣，除了半導體用之基板以外，例如亦可為FPD(平板顯示器)用之基板、光罩用之倍縮遮罩的基板等。
上述實施形態的被處理基板W，雖係在剝離時予以支撐於框架F，但亦可在剝離時不予以支撐於框架F。基板保持部111，係亦可不經由膠帶P，從下方保持被處理基板W。在該情況下，由於不使用框架F，因此，亦 可不具有框架保持部113。
上述實施形態的檢查部140，雖係具有攝像部142及圖像處理部147，但其構成並不特別限定。例如，檢查部140，係亦可使用雷射位移計，檢查刃尖131a的狀態。又，檢查部140，係亦可使用透射型之光纖感測器，檢查刃尖131a的狀態。透射型之光纖感測器，係由透光部及受光部所構成。在透光部與受光部之間，係配設有將刃尖131a推壓至薄片後之狀態的刃部131。以計測從刃部131與薄片之間隙漏出之光之量的方式，可檢查刃尖131a的狀態。

Claims (14)

  1. 一種剝離裝置，係使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板，該剝離裝置，其特徵係，具備有：刃部，在前述第1基板與前述第2基板之間形成作為剝離起點的切口；及檢查部，檢查前述刃部之刃尖的狀態，前述檢查部，係具有：光源部，對前述刃部的前述刃尖照射光；攝像部，以前述刃部為基準，配設於與前述光源部相反之一側，且對前述刃尖進行拍攝；圖像處理部，對前述攝像部所拍攝的圖像進行處理；及攝像部位變更部，使前述攝像部朝沿著前述刃尖的方向移動，藉此，變更前述刃尖之攝像部位。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，前述攝像部，係部分性地拍攝前述刃尖。
  3. 如申請專利範圍第2項之剝離裝置，其中，前述圖像處理部，係進一步藉由對不同攝像部位之複數個圖像進行處理的方式，作成表示前述刃尖之狀態的圖。
  4. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，前述圖像，包含有：暗部，以前述光被前述刃部遮蔽的方式來予以形成；及明部，以前述光通過前述刃部 之外的方式來予以形成，前述圖像處理部，係檢測前述暗部與前述明部的邊界線。
  5. 一種剝離裝置，係使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板，該剝離裝置，其特徵係，具備有：刃部，在前述第1基板與前述第2基板之間形成作為剝離起點的切口；檢查部，檢查前述刃部之刃尖的狀態；及位置變更部，根據前述檢查部的檢查結果，進行前述刃尖之切口開始位置的變更，前述檢查部，係具有：光源部，對前述刃部的前述刃尖照射光；攝像部，以前述刃部為基準，配設於與前述光源部相反之一側，且對前述刃尖進行拍攝；圖像處理部，對前述攝像部所拍攝的圖像進行處理；及攝像部位變更部，使前述攝像部朝沿著前述刃尖的方向移動，藉此，變更前述刃尖之攝像部位。
  6. 如申請專利範圍第1或5項之剝離裝置，其中，更具備有：輸出部，根據前述檢查部之檢查結果來輸出警報。
  7. 一種剝離系統，係具備有使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板 的剝離裝置及洗淨剝離後之前述第1基板的洗淨裝置，該剝離系統，其特徵係，具備有如申請專利範圍第1或5項之剝離裝置以作為前述剝離裝置。
  8. 一種剝離方法，係使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板，該剝離方法，其特徵係，具有：以將刃部插入至前述第1基板與前述第2基板之間的方式，形成作為剝離起點的切口；使前述第1基板與前述第2基板從前述剝離起點剝離；及藉由使攝像部對前述刃部的刃尖進行拍攝的方式，檢查前述刃尖的狀態；前述檢查，係具有：藉由光源部對前述刃部的前述刃尖照射光；藉由以前述刃部為基準，配設於與前述光源部相反之一側的攝像部來對前述刃尖進行拍攝；藉由圖像處理部來對前述攝像部所拍攝的圖像進行處理；及藉由攝像部位變更部，使前述攝像部朝沿著前述刃尖的方向移動，藉此，變更前述刃尖之攝像部位。
  9. 如申請專利範圍第8項之剝離方法，其中，前述攝像部，係部分性地拍攝前述刃尖，在前述檢查中，係一邊變更前述刃尖的攝像部位， 一邊重複進行前述攝像部所致之拍攝。
  10. 如申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，在前述檢查中，係藉由對不同攝像部位之複數個圖像進行處理的方式，作成表示前述刃尖之狀態的圖。
  11. 如申請專利範圍第8項之剝離方法，其中，在前述檢查中，前述圖像，包含有：暗部，以前述光被前述刃部遮蔽的方式來予以形成；及明部，以前述光通過前述刃部之外的方式來予以形成，在前述檢查中，係檢測前述暗部與前述明部的邊界線。
  12. 一種剝離方法，係使第1基板與第2基板接合後的重合基板剝離成前述第1基板與前述第2基板，該剝離方法，其特徵係，具備有：以將刃部插入至前述第1基板與前述第2基板之間的方式，形成作為剝離起點的切口；使前述第1基板與前述第2基板從前述剝離起點剝離；檢查前述刃部之刃尖的狀態；及根據前述檢查的檢查結果，變更前述刃尖的切口開始位置，前述檢查，係具有：藉由光源部對前述刃部的前述刃尖照射光；藉由以前述刃部為基準，配設於與前述光源部 相反之一側的攝像部來對前述刃尖進行拍攝；藉由圖像處理部來對前述攝像部所拍攝的圖像進行處理；及藉由攝像部位變更部，使前述攝像部朝沿著前述刃尖的方向移動，藉此，變更前述刃尖之攝像部位。
  13. 如申請專利範圍第9或12項之剝離方法，其中，更具有：根據前述檢查之檢查結果來輸出警報。
  14. 如申請專利範圍第5項之剝離裝置，其中，前述位置變更部，係使前述刃部在垂直於徑方向之方向上從前述刃部朝向前述重合基板的中央移動。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10679908B2 (en) 2017-01-23 2020-06-09 Globalwafers Co., Ltd. Cleave systems, mountable cleave monitoring systems, and methods for separating bonded wafer structures
KR101754965B1 (ko) 2017-03-03 2017-07-07 제너셈(주) 반도체패키지의 접착필름 탈착공법
WO2019049235A1 (ja) * 2017-09-06 2019-03-14 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法及び表示デバイスの製造装置
KR102494032B1 (ko) * 2018-06-25 2023-02-01 에이피시스템 주식회사 기판 박리장치
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
KR20200144163A (ko) * 2019-06-17 2020-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조설비 및 표시장치의 제조방법
KR102220348B1 (ko) * 2019-11-26 2021-02-25 세메스 주식회사 웨이퍼 분리 장치
CN111106055B (zh) * 2019-12-31 2020-12-04 上海精测半导体技术有限公司 一种晶圆位置确定方法
JP7423355B2 (ja) * 2020-03-04 2024-01-29 株式会社Fuji 実装機
JP6836003B1 (ja) * 2020-08-27 2021-02-24 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法
US11889742B2 (en) * 2020-11-04 2024-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of manufacturing display device and method of manufacturing display device
CN113972152A (zh) * 2021-09-29 2022-01-25 苏州华兴源创科技股份有限公司 一种基板剥离系统、剥离刀片检测方法、装置及计算设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219263A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 旭硝子株式会社 剥离装置和电子设备的制造方法
TW201501232A (zh) * 2013-05-10 2015-01-01 Tokyo Electron Ltd 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543024B1 (ko) * 1998-01-21 2006-05-25 삼성전자주식회사 액정표시장치의 편광판 제거장치
US6263941B1 (en) * 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
FR2823373B1 (fr) * 2001-04-10 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
FR2834381B1 (fr) * 2002-01-03 2004-02-27 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
FR2925978B1 (fr) * 2007-12-28 2010-01-29 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de separation d'une structure.
US8834662B2 (en) * 2012-03-22 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of separating wafer from carrier
JP5993731B2 (ja) * 2012-12-04 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP2014165281A (ja) 2013-02-22 2014-09-08 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、洗浄方法および剥離システム
JP6145415B2 (ja) * 2014-02-27 2017-06-14 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103219263A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 旭硝子株式会社 剥离装置和电子设备的制造方法
TW201501232A (zh) * 2013-05-10 2015-01-01 Tokyo Electron Ltd 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體

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