JP6120791B2 - 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム - Google Patents

Description

本発明は、重合基板を第１基板と第２基板に剥離する剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、当該剥離方法を実行するための剥離装置、及び当該剥離装置を備えた剥離システムに関する。

近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。

例えば特許文献１には、ダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持された重合基板を被処理基板（半導体基板）と支持基板に剥離する方法が開示されている。具体的には、第１の保持部でダイシングテープを介して半導体基板を保持し、第２の保持部でダイシングフレームを保持し、第３の保持部で支持基板を保持した状態で、第３の保持部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板がその外周部から中心部に向けて被処理基板から連続的に剥離する。

特開２０１３−０１６５７９号公報

ところで、特許文献１に記載の方法を用いた場合、重合基板を剥離する際に支持基板を被処理基板から離す方向に移動させると、被処理基板の全体又は一部がダイシングテープから剥離するおそれがある。特にダイシングテープと被処理基板との接着力が小さい場合には、被処理基板がダイシングテープから剥離されやすい。また、例えば被処理基板と支持基板が接着剤を介して接合されており、当該接着剤の接着力が大きい場合には、被処理基板が支持基板に強く引っ張られ、被処理基板がダイシングテープから剥離されやすい。

また、特許文献１に記載の方法を用いた場合、剥離後に被処理基板の外周部に欠陥（例えばクラックや欠け）が発生するおそれがある。この欠陥発生については、種々の要因が考えられる。例えば剥離の起点となる重合基板の外周部には大きな力がかかるが、この外周部に作用する力が欠陥発生の一因になり得る。

しかしながら、特許文献１では、被処理基板がダイシングテープから剥離するという問題や、被処理基板の外周部に欠陥が発生するという問題はいずれも想定されておらず、またその検査を行う方法も開示されていない。そうすると、このように適切に剥離されていない被処理基板に対しても、後続の処理が行われる場合があり、剥離処理全体の効率が悪くなる。また、正常な被処理基板と異常な被処理基板が混在して回収されるおそれもある。したがって、かかる観点からも被処理基板と支持基板の剥離処理に改善の余地がある。

なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの製造工程においても生じ得る課題である。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、第１基板と第２基板が接合された重合基板を剥離する剥離方法であって、第２保持部に保持された前記第２基板が、第１保持部に保持された前記第１基板から離す方向に移動され、前記第２基板を前記第１基板から剥離する第１工程と、その後、検査部を用いて前記第１保持部における前記第１基板の有無を検査する第２工程と、その後、回転機構によって前記第１保持部を回転させながら、前記検査部を用いて前記第１基板の外周部の状態を検査する第３工程と、を有することを特徴としている。

本発明によれば、第２工程において、第１保持部における第１基板の有無を検査している。そして、例えば第１保持部に第１基板が残っていないと判定された場合、すなわち重合基板が被処理基板と支持基板に剥離されていない場合、当該重合基板は、後続の処理が行われることなく回収される。また、第３工程において、第１基板の外周部の状態を検査している。そして、例えば第１基板の外周部に欠陥が確認された場合、当該欠陥のある第１基板は、後続の処理が行われることなく回収される。このように適切に剥離された被処理基板と、適切に剥離されていない被処理基板を分別することができるので、剥離処理全体の効率を向上させることができる。

しかも、第２工程における簡易検査と第３工程における詳細検査が２段階で行われるので、例えば第２工程の簡易検査で重合基板が剥離されていないと判定された場合、後続の第３工程の詳細検査を省略することもできる。したがって、検査を効率よく行うことができ、剥離処理全体の効率をさらに向上させることができる。

前記第２工程において、前記検査部は前記第１基板の全体を撮像し、前記第３工程において、前記検査部は前記第１基板の外周部を撮像してもよい。

前記第２保持部は、前記第２基板を吸着し、当該第２基板を前記第１基板から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部を有し、前記第１工程において、前記複数の吸着移動部によって、前記重合基板の一端側から他端側に向けて前記第２基板を前記第１基板から剥離してもよい。

前記第１基板は被処理基板であり、前記第２基板は被処理基板を支持する支持基板であり、前記重合基板と前記第１基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されていてもよい。

別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるように、当該剥離装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

また別な観点による本発明は、第１基板と第２基板が接合された重合基板を剥離する剥離装置であって、前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持部と、前記重合基板のうち前記第２基板を保持し、前記第２基板を前記第１基板から離す方向へ移動させる第２保持部と、前記第１保持部を回転させる回転機構と、剥離後の前記第１基板を検査するための検査部と、前記第２保持部によって前記第２基板を前記第１基板から剥離する第１工程と、その後、前記検査部を用いて前記第１保持部における前記第１基板の有無を検査する第２工程と、その後、前記回転機構によって前記第１保持部を回転させながら、前記検査部を用いて前記第１基板の外周部の状態を検査する第３工程と、を行うように、前記第１保持部、前記第２保持部、前記回転機構及び前記検査部を制御する制御装置と、を有することを特徴としている。

前記検査部は、前記第２工程において前記第１基板の全体を撮像すると共に、前記第３工程において前記第１基板の外周部を撮像してもよい。

前記第２保持部は、前記第２基板を吸着し、当該第２基板を前記第１基板から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部を有し、前記複数の吸着移動部は、前記第１工程において、前記重合基板の一端側から他端側に向けて前記第２基板を前記第１基板から剥離してもよい。

前記第１基板は被処理基板であり、前記第２基板は被処理基板を支持する支持基板であり、前記重合基板と前記第１基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されていてもよい。

さらに別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記重合基板と前記第１基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、前記第２基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、前記第１処理ブロックは、前記重合基板と前記第１基板が載置される搬入出ステーションと、前記剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記搬入出ステーションと前記剥離ステーションとの間で、前記重合基板と前記第１基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、前記第２処理ブロックは、前記第２基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記第２基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴としている。

本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことができる。

本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。 ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。 ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。 剥離システムによって実行される剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 剥離装置の構成の一部を拡大した説明図である。 剥離誘引処理の動作説明図である。 剥離誘引処理の動作説明図である。 剥離誘引処理の動作説明図である。 剥離装置における剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 剥離装置による剥離動作の説明図である。 支持基板、第１〜第３吸着移動部の吸着パッド、及び剥離完了検知部の位置関係を示す模式平面図である。 ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。 ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

＜１．剥離システム＞
先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図３は、同重合基板の模式平面図である。

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す本実施形態に係る剥離システム１は、第１基板としての被処理基板Ｗと第２基板としての支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。

以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、例えば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。

一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗ及び支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。

また、図３に示すように、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定される。ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆａを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームＦの厚みは、例えば１ｍｍ程度である。

重合基板Ｔは、かかるダイシングフレームＦにダイシングテープＰを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合基板Ｔを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐように被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎ及びダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングフレームＦに固定（保持）された状態となる。

図１に示すように、剥離システム１は、第１処理ブロック１０及び第２処理ブロック２０の２つの処理ブロックを備える。第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とは、第２処理ブロック２０及び第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に隣接して配置される。

第１処理ブロック１０では、重合基板Ｔの搬入、重合基板Ｔの剥離処理、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板（重合基板Ｔと被処理基板Ｗ）に対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、待機ステーション１２と、第１搬送領域１３と、剥離ステーション１４と、第１洗浄ステーション１５と、エッジカットステーション１６とを備える。

搬入出ステーション１１、待機ステーション１２、剥離ステーション１４、第１洗浄ステーション１５及びエッジカットステーション１６は、第１搬送領域１３に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション１１と待機ステーション１２とは、第１搬送領域１３のＹ軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション１４の一の剥離装置１４１と第１洗浄ステーション１５の２つの第１洗浄装置１５１、１５２とは、第１搬送領域１３のＹ軸正方向側に並べて配置される。また、剥離ステーション１４の他の剥離装置１４２は、第１搬送領域１３のＸ軸負方向側に配置され、エッジカットステーション１６は、第１搬送領域１３のＸ軸正方向側に配置される。

搬入出ステーション１１には、複数のカセット載置台１１１が設けられており、各カセット載置台１１１には、重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔ又は剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、これらカセットＣｔとカセットＣｗが外部との間で搬入出される。

待機ステーション１２には、例えばダイシングフレームＦのＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。なお、待機ステーション１２では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１２には、後述する第１搬送装置１３１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。

第１搬送領域１３には、重合基板Ｔ又は剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置１３１が配置される。第１搬送装置１３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第１搬送領域１３では、かかる第１搬送装置１３１により、重合基板Ｔを待機ステーション１２、剥離ステーション１４及びエッジカットステーション１６へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Ｗを第１洗浄ステーション１５及び搬入出ステーション１１へ搬送する処理が行われる。

剥離ステーション１４には、２つの剥離装置１４１、１４２が配置される。剥離ステーション１４では、かかる剥離装置１４１、１４２によって、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。具体的には剥離装置１４１、１４２では、被処理基板Ｗを下側に配置し且つ支持基板Ｓを上側に配置した状態で、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。なお、剥離ステーション１４に配置される剥離装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の剥離装置１４１、１４２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。

第１洗浄ステーション１５には、２つの第１洗浄装置１５１、１５２が配置される。第１洗浄ステーション１５では、かかる第１洗浄装置１５１、１５２によって、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する洗浄処理が行われる。第１洗浄装置１５１、１５２としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。なお、第１洗浄ステーション１５に配置される洗浄装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の第１洗浄装置１５１、１５２は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。

エッジカットステーション１６には、エッジカット装置が配置される。エッジカット装置は、重合基板Ｔにおける接着剤Ｇの周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部を除去することで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。なお、エッジカット装置は、例えば重合基板Ｔを接着剤Ｇの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させる。

また、第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されていない基板（支持基板Ｓ）に対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、第１受渡ステーション２１と、第２受渡ステーション２２と、第２洗浄ステーション２３と、第２搬送領域２４と、搬出ステーション２５とを備える。

第１受渡ステーション２１は、剥離ステーション１４の剥離装置１４１のＸ方向負方向側であって、剥離装置１４２のＹ方向正方向側に配置される。また、第２受渡ステーション２２、第２洗浄ステーション２３及び搬出ステーション２５は、第２搬送領域２４に隣接して配置される。具体的には、第２受渡ステーション２２及び第２洗浄ステーション２３とは第２搬送領域２４のＹ軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション２５は第２搬送領域２４のＹ軸負方向側に並べて配置される。

第１受渡ステーション２１では、剥離ステーション１４の剥離装置１４１、１４２から剥離後の支持基板Ｓを受け取って第２受渡ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。第１受渡ステーション２１には、受渡装置２１１が配置される。受渡装置２１１は、例えばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成されている。具体的に受渡装置２１１としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の搬送装置を用いることができる。そして受渡装置２１１は、剥離後の支持基板Ｓの表裏面を反転させつつ、剥離装置１４１、１４２から第２処理ブロック２０へ支持基板Ｓを非接触で搬送する。

第２受渡ステーション２２には、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１をＹ方向に移動させる移動部２２２とが配置される。載置部２２１は、例えば３つの支持ピンを備え、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを支持して載置する。移動部２２２は、Ｙ方向に延伸するレールと、載置部２２１をＹ方向に移動させる駆動部とを備える。第２受渡ステーション２２では、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１から載置部２２１に支持基板Ｓが載置された後、移動部２２２によって載置部２２１を第２搬送領域２４側に移動させる。そして、載置部２２１から後述する第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１に支持基板Ｓが受け渡される。なお、本実施形態では、載置部２２１はＹ方向のみに移動するが、これに加えてＸ方向にも移動可能に構成されていてもよい。

なお、上述した第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１はベルヌーイチャック等の非接触保持部で支持基板Ｓを保持するため、搬送信頼性は高くない。このため、受渡装置２１１から後述する第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１に支持基板Ｓを直接受け渡そうとすると、当該支持基板Ｓを取り落す可能性がある。そこで、本実施形態では、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４との間に第２受渡ステーション２２を設け、当該第２受渡ステーション２２で一旦支持基板Ｓを載置している。

第２洗浄ステーション２３には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が配置される。第２洗浄装置としては、例えば特開２０１３−０１６５７９号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。

第２搬送領域２４には、剥離後の支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置２４１が配置される。第２搬送装置２４１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第２搬送領域２４では、かかる第２搬送装置２４１により、剥離後の支持基板Ｓを搬出ステーション２５へ搬送する処理が行われる。

搬出ステーション２５には、複数のカセット載置台２５１が設けられており、各カセット載置台２５１には、剥離後の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが載置される。そして、搬入出ステーション１１では、このカセットＣｓが外部との間で搬出される。

また、剥離システム１は、制御装置３０を備える。制御装置３０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置３０は、例えばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置３０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理方法について説明する。図４は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。なお、剥離システム１は、制御装置３０の制御に基づき、図４に示す各処理手順を実行する。

先ず、複数枚の重合基板Ｔを収容したカセットＣｔと、空のカセットＣｗとが、搬入出ステーション１１の所定のカセット載置台１１１に載置されると共に、空のカセットＣｓが、搬出ステーション２５の所定のカセット載置台２５１に載置される。そして、剥離システム１では、第１処理ブロック１０の第１搬送装置１３１が、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｔから重合基板Ｔを取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置１３１の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置１３１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１２へ搬入する基板搬入処理を行う（図４のステップＡ１０１）。

続いて、待機ステーション１２では、ＩＤ読取装置が、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う（図４のステップＡ１０２）。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置３０へ送信される。その後、重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によって待機ステーション１２から取り出されて、エッジカットステーション１６へ搬入される。

エッジカットステーション１６では、エッジカット装置が、重合基板Ｔに対してエッジカット処理を行う（図４のステップＡ１０３）。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることにより、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。

このように本実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１６が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置１３１を用いてエッジカットステーション１６へ直接搬入することができる。したがって、一連の剥離処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。

なお、例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１２に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。

続いて、エッジカット処理後の重合基板Ｔは、第１搬送装置１３１によってエッジカットステーション１６から取り出されて、剥離ステーション１４の剥離装置１４１へ搬入される。剥離ステーション１４では、剥離装置１４１が、重合基板Ｔに対して剥離処理を行う（図４のステップＡ１０４）。かかる剥離処理により、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに分離される。

その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。

第１処理ブロック１０では、剥離後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出されて、第１洗浄ステーション１５の第１洗浄装置１５１へ搬入される。第１洗浄ステーション１５では、第１洗浄装置１５１が、剥離後の被処理基板Ｗに対して洗浄処理を行う（図４のステップＡ１０５）。かかる洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

洗浄処理後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置１３１によって第１洗浄ステーション１５の第１洗浄装置１５１から取り出されて、搬入出ステーション１１に載置されたカセットＣｗに収容される。その後、複数の被処理基板Ｗを収容したカセットＣｗは、搬入出ステーション１１から搬出されて、回収される（図４のステップＡ１０６）。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。

一方、第２処理ブロック２０では、ステップＡ１０５及びステップＡ１０６の処理と並行して、剥離後の支持基板Ｓに対する処理（後述するステップＡ１０７〜ステップＡ１０９）が行われる。

第２処理ブロック２０では、先ず、第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う。具体的には、受渡装置２１１が、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４の剥離装置１４１から取り出して、第２受渡ステーション２２へ搬入する（図４のステップＡ１０７）。

ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置１４１によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、受渡装置２１１は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。その後、受渡装置２１１は、保持した支持基板Ｓを反転させたうえで、第２受渡ステーション２２の載置部２２１へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で載置部２２１に載置される。

第２受渡ステーション２２では、支持基板Ｓが載置された載置部２２１が移動部２２２によって第２搬送領域２４側の所定の位置まで移動する。この所定の位置とは、第２搬送装置２４１の搬送アーム部が載置部２２１上の支持基板Ｓを受け取ることができる位置である。

続いて、支持基板Ｓは、第２搬送装置２４１によって第２受渡ステーション２２から取り出されて、第２洗浄ステーション２３へ搬入される。第２洗浄ステーション２３では、第２洗浄装置が、剥離後の支持基板Ｓに対して洗浄処理を行う（図４のステップＡ１０８）。かかる洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。

洗浄処理後の支持基板Ｓは、第２搬送装置２４１によって第２洗浄ステーション２３から取り出されて、搬出ステーション２５に載置されたカセットＣｓに収容される。その後、複数の支持基板Ｓを収容したカセットＣｓは、搬出ステーション２５から搬出されて、回収される（図４のステップＡ１０９）。こうして、支持基板Ｓについての処理も終了する。

以上のように本実施形態に係る剥離システム１は、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理を行う第１処理ブロック１０と、支持基板Ｓに対する処理を行う第２処理ブロック２０とを備える。このため、重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗに対する処理と、支持基板Ｓに対す処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。より具体的には、本実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板（重合基板Ｔ及び剥離後の被処理基板Ｗ）用のフロントエンド（搬入出ステーション１１及び第１搬送領域１３）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板（剥離後の支持基板Ｓ）用のフロントエンド（搬出ステーション２５及び第２搬送領域２４）とを備える。これにより、被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、支持基板Ｓを搬出ステーション２５へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。

また、本実施形態によれば、重合基板Ｔと被処理基板ＷがダイシングフレームＦに保持されていても、ダイシングフレームＦで保持された重合基板Ｔ及び被処理基板Ｗの搬送と、ダイシングフレームＦに保持されない支持基板Ｓの搬送とは、それぞれ別個の第１搬送装置１３１と第２搬送装置２４１とで行われる。したがって、従来のように１つの搬送装置でダイシングフレームに保持された基板とダイシングフレームに保持されない基板を搬送する場合に比べて、本実施形態では、重合基板Ｔ、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓを搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。

さらに、本実施形態に係る剥離システム１では、剥離ステーション１４、第２洗浄ステーション２３及び第２搬送領域２４が第１受渡ステーション２１と第２受渡ステーション２２を介して接続される。これにより、第１搬送領域１３を経由することなく、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１４から第２搬送領域２４へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓの搬送を円滑に行うことができる。

しかも、第２受渡ステーション２２は、支持基板Ｓを載置する載置部２２１と、載置部２２１を水平方向に移動させる移動部２２２とを備える。これにより、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４との間で支持基板Ｓを受け渡す際、支持基板Ｓを載置した載置部２２１を移動できるので、当該第１受渡ステーション２１の受渡装置２１１の非接触保持部や第２搬送領域２４の第２搬送装置２４１の搬送アーム部を伸長させる必要がない。したがって、第１受渡ステーション２１と第２搬送領域２４の専有面積を小さくでき、剥離システム１全体の専有面積を小さくすることができる。

なお、以上の剥離システム１において、第１処理ブロック１０は、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板ＴをカセットＣｔから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けた後、ダイシングフレームＦに固定された重合基板Ｔを剥離ステーション１４へ搬送することとなる。なお、マウント装置は、第１処理ブロック１０の任意の位置に配置すればよい。

また、以上の剥離システム１の第１処理ブロック１０に設けられた第１洗浄ステーション１５とエッジカットステーション１６は、剥離システム１の外部に設けられていてもよい。さらに、第２処理ブロック２０に設けられた第２洗浄ステーション２３は、剥離システム１の外部に設けられていてもよい。

また、以上の剥離システム１において、各処理ステーションの処理装置や搬送領域の配置は任意に設計することができ、水平方向に並べて配置してもよいし、鉛直方向に積層して配置してもよい。

＜２．剥離装置の構成＞
次に、剥離ステーション１４に設置される剥離装置１４１、１４２の構成について図５を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る剥離装置１４１の構成を示す模式側面図である。なお、剥離装置１４２の構成は、剥離装置１４１の構成と同様であるので説明を省略する。

図５に示すように、剥離装置１４１は処理容器３００を有する。処理容器３００の側面には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器３００の内部には、第１保持部３１０と、下側ベース部３２０と、回転機構３３０と、昇降機構３４０と、第２保持部３５０と、上側ベース部３９０と、位置調節部４００と、押し下げ部４１０と、受渡部４２０と、剥離誘引部４３０と、移動調節部４４０と、計測部４５０と、検査部４６０と、イオナイザ４７０とが設けられる。

第１保持部３１０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部３５０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持する。第１保持部３１０は第２保持部３５０の下方に設けられて、被処理基板Ｗが下側に配置され、支持基板Ｓが上側に配置される。そして、第２保持部３５０は、保持した支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置１４１では、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。

第１保持部３１０には、例えばポーラスチャックが用いられる。第１保持部３１０は、円盤状の本体部３１１と、本体部３１１を支持する支柱部材３１２とを備える。支柱部材３１２は、後述する下側ベース部３２０に支持される。

本体部３１１は、例えばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部３１１の表面には、吸着面３１１ａが設けられる。吸着面３１１ａは、重合基板Ｔと略同径であり、重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗ_Ｎと当接する。この吸着面３１１ａは、例えば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。

本体部３１１の内部には、吸着面３１１ａを介して外部と連通する吸引空間３１１ｂが形成される。吸引空間３１１ｂには、配管３１３が接続される。配管３１３は、バルブ３１４を介して２本の配管に枝分かれしている。一の配管３１３には、例えば真空ポンプなどの吸気装置３１５が接続される。吸気装置３１５には、その吸気圧力、すなわち第１保持部３１０で被処理基板Ｗを吸引する際の吸引圧力を測定するセンサ（図示せず）が設けられる。他の配管３１３には、内部に気体、例えば窒素ガスや大気を貯留する気体供給源３１６が接続される。

かかる第１保持部３１０は、吸気装置３１５の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面Ｗ_ＮをダイシングテープＰを介して吸着面３１１ａに吸着させる。これにより、第１保持部３１０は被処理基板Ｗを保持する。また、第１保持部３１０は、表面から気体を噴出して被処理基板Ｗを浮上させながら保持することもできる。なお、ここでは、第１保持部３１０がポーラスチャックである場合の例を示したが、第１保持部は、例えば静電チャック等であってもよい。

下側ベース部３２０は、第１保持部３１０の下方に配置され、当該第１保持部３１０を支持する。下側ベース部３２０は、処理容器３００の床面に固定された回転機構３３０及び昇降機構３４０によって支持される。

回転機構３３０は、下側ベース部３２０を鉛直軸回りに回転させる。これにより、下側ベース部３２０に支持された第１保持部３１０が回転する。また、昇降機構３４０は、下側ベース部３２０を鉛直方向に移動させる。これにより、下側ベース部３２０に支持された第１保持部３１０が昇降する。

第１保持部３１０の上方には、第２保持部３５０が対向配置される。第２保持部３５０は、複数の吸着移動部を備える。具体的には、第２保持部３５０は、第１吸着移動部３６０と、第２吸着移動部３７０と、第３吸着移動部３８０とを備える。第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０は、上側ベース部３９０に支持される。上側ベース部３９０は、処理容器３００の天井部に取り付けられた固定部材３９１に支柱３９２を介して支持される。

第１吸着移動部３６０は、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を吸着保持する。また、第２吸着移動部３７０は、支持基板Ｓの周縁部よりも支持基板Ｓの中央部寄りの領域を吸着保持する。なお、第２吸着移動部３７０は、Ｘ方向に複数、例えば２つ並べて配置される。第３吸着移動部３８０は、支持基板Ｓの他端Ｓ２側の周縁部を吸着保持する。そして、第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０は、吸着保持した領域をそれぞれ独立に被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。

第１吸着移動部３６０は、吸着パッド３６１と、支柱部材３６２と、移動機構３６３とを備える。また、第２吸着移動部３７０は、吸着パッド３７１と、支柱部材３７２と、移動機構３７３とを備える。同様に、第３吸着移動部３８０も、吸着パッド３８１と、支柱部材３８２と、移動機構３８３とを備える。

吸着パッド３６１、３７１、３８１は、ゴムなどの弾性部材によって形成される。各吸着パッド３６１、３７１、３８１には、吸気口（図示せず）が形成されており、それぞれの吸気口には、吸気管３６４、３７４、３８４を介して真空ポンプなどの吸気装置３６５、３７５、３８５が接続される。各吸気装置３６５、３７５、３８５には、その吸気圧力、すなわち第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０が支持基板Ｓを吸引する際の吸引圧力を測定するセンサ（図示せず）が設けられる。

支柱部材３６２、３７２、３８２は、先端部において吸着パッド３６１、３７１、３８１を支持する。支柱部材３６２、３７２、３８２の基端部は、移動機構３６３、３７３、３８３によって支持される。移動機構３６３、３７３、３８３は、上側ベース部３９０の上部に固定されており、支柱部材３６２、３７２、３８２を鉛直方向に移動させる。

第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０は、吸気装置３６５、３７５、３８５の吸気によって発生する負圧を利用して支持基板Ｓを吸着する。これにより、第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０は、支持基板Ｓを保持する。

また、第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０は、支持基板Ｓを保持した状態で、それぞれ移動機構３６３、３７３、３８３によって支柱部材３６２、３７２、３８２及び吸着パッド３６１、３７１、３８１を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、支持基板Ｓを鉛直方向に沿って移動させる。

第２保持部３５０においては、先ず、移動機構３６３を動作させ、次いで、移動機構３７３を動作させて、最後に、移動機構３８３を動作させる。すなわち、第２保持部３５０は、支持基板Ｓを一端Ｓ１側の周縁部から先に引っ張り、次いで中央部を引っ張り、最後に他端Ｓ２側の周縁部を引っ張る。これにより、第２保持部３５０は、支持基板Ｓを、その一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に、かつ連続的に剥離させる。

第１保持部３１０の上方には、位置調節部４００が配置される。位置調節部４００は、第１搬送装置１３１によって剥離装置１４１に搬送され、第１保持部３１０に保持された重合基板Ｔを所定の位置（例えば吸着面３１１ａと一致する位置）に位置調節する、換言すればセンタリングする。

位置調節部４００は、例えば図３に示した重合基板Ｔの外周の３箇所に対応する位置であって、重合基板Ｔの中央部を中心として相互に等間隔にそれぞれ設けられる。なお、位置調節部４００が設置される場所は、上記の３箇所に限定されるものではなく、例えば重合基板Ｔの外周の前後又は左右の２箇所、或いは重合基板Ｔの中央部を中心として相互に等間隔に４箇所以上に設置してもよい。

位置調節部４００は、アーム部４０１と、当該アーム部４０１を回転させる回転移動機構４０２とを備える。アーム部４０１は、長尺状の部材であり、基端部が回転移動機構４０２に回転可能に接続される。また、アーム部４０１の長手方向の長さは、例えば回転移動機構４０２によって先端部が鉛直下向きになるまで回転移動させられたときにその先端部が重合基板Ｔの側面、より詳細には支持基板Ｓの側面に当接するような値であって、当該回転移動中にダイシングフレームＦに干渉しない値に設定される。このようにアーム部４０１は、重合基板Ｔの側面に対して進退自在に構成されている。なお、アーム部４０１には種々の樹脂が用いられ、例えばポリオキシメチレン（ＰＯＭ：Ｐｏｌｙｏｘｙｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）やセラゾール（ＰＢＩ）などが用いられる。

回転移動機構４０２は、例えば上側ベース部３９０の下部に固定され、アーム部４０１を基端側を中心に回転移動させる。このとき、上述したように回転移動中のアーム部４０１がダイシングフレームＦに干渉することはない。各位置調節部４００のアーム部４０１がそれぞれ回転移動機構４０２によって回転移動させられると、アーム部４０１の先端部が重合基板Ｔの側面（支持基板Ｓの側面）に当接する。これにより、重合基板Ｔは、所定の位置に位置調節される。このように、位置調節部４００を備えることにより、仮に重合基板Ｔが所定の位置からずれた状態で第１保持部３１０に保持された場合であっても、かかる重合基板Ｔを第１保持部３１０の正しい位置、詳しくは例えば吸着面３１１ａと一致する位置に移動させて修正することができる。

第２保持部３５０の外方には、ダイシングフレームＦを鉛直下方に押し下げるための押し下げ部４１０が配置される。押し下げ部４１０は、ダイシングフレームＦの外周部の３箇所に設けられる。これら押し下げ部４１０は、ダイシングフレームＦの中央部を中心として相互に等間隔に配置される。なお、上記では、押し下げ部４１０を３箇所に設けるようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、例えば４箇所以上であってもよい。

押し下げ部４１０は、図６に示すようにボールベア４１１と、支持部材４１２とを備える。支持部材４１２の先端部にボールベア４１１が支持され、支持部材４１２の基端部は上側ベース部３９０の下部に固定される。

ボールベア４１１は、ダイシングフレームＦの表面に当接し、当該ダイシングフレームＦを重合基板Ｔに対して鉛直下方に押し下げる。また、ボールベア４１１により、ダイシングフレームＦは回転自在な状態で押し下げられる。これにより、重合基板Ｔの側面側には、後述する剥離誘引部４３０が侵入可能な空間が形成されることとなる。それによって剥離誘引部４３０の鋭利部材（後述）を重合基板Ｔの側面、より詳細には支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に容易に近づけて当接させることができる。

図５に示すように第２保持部３５０の外方、より詳細には押し下げ部４１０の外方には、第１保持部３１０に重合基板Ｔを受け渡す受渡部４２０が配置される。受渡部４２０は、ダイシングフレームＦの左右の２箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。なお、上記では受渡部４２０を２箇所に設けるようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、例えば３箇所以上であってもよい。

受渡部４２０は、図６に示すように水平保持部材４２１と、鉛直支持部材４２２と、移動機構４２３とを備える。また受渡部４２０の水平保持部材４２１には、ガイド部４２４が設けられる。

水平保持部材４２１は水平方向に延伸し、当該水平保持部材４２１上にはガイド部４２４が設けられる。ガイド部４２４は、水平保持部材４２１上に保持された重合基板Ｔが、第１保持部３１０に対して所定の位置に位置するように位置調節をする。すなわち、ガイド部４２４は、位置調節部４００による重合基板Ｔの位置調節に先だって、当該重合基板Ｔの位置調節を行う。

鉛直支持部材４２２は鉛直方向に延伸し、水平保持部材４２１を支持する。また鉛直支持部材４２２の基端部は、移動機構４２３によって支持される。移動機構４２３は、上側ベース部３９０の上部に固定されており、鉛直支持部材４２２を鉛直方向に移動させる。

受渡部４２０は、移動機構４２３によって鉛直支持部材４２２、水平保持部材４２１及びガイド部４２４を鉛直方向に沿って移動させる。したがって、第１搬送装置１３１から重合基板Ｔを受け取った水平保持部材４２１は鉛直方向に移動され、重合基板Ｔを第１保持部３１０に受け渡す。

図５に示すとおり第２保持部３５０の外方には、より詳細には受渡部４２０の外方には、剥離誘引部４３０が配置される。剥離誘引部４３０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位を重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面に形成する。

剥離誘引部４３０は、図６に示すように鋭利部材４３１と、ロードセル４３２と、移動機構４３３とを備える。鋭利部材４３１は、例えば刃物であり、先端が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動機構４３３に支持される。なお、鋭利部材４３１は、例えばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。ロードセル４３２は鋭利部材４３１の端部に設けられ、鋭利部材４３１にかかる力（負荷）を検出する。

移動機構４３３は、Ｙ方向に延伸するレールに沿って鋭利部材４３１を移動させる。剥離誘引部４３０は、移動機構４３３を用いて鋭利部材４３１を移動させることにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材４３１を当接させる。これにより、剥離誘引部４３０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位（以下、「剥離開始部位」と記載する）を重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面に形成する。

また、移動機構４３３は、移動調節部４４０によって上方から支持される。移動調節部４４０は、例えば上側ベース部３９０の下部に固定され、移動機構４３３を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、鋭利部材４３１の高さ位置、すなわち、重合基板Ｔの側面への当接位置を調節することができる。

ここで、剥離誘引部４３０を用いて行われる剥離誘引処理の内容について図７〜図９を参照して具体的に説明する。図７〜図９は、剥離誘引処理の動作説明図である。

なお、この剥離誘引処理は、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが第１保持部３１０によって保持され、ダイシングフレームＦが押し下げ部４１０によって押し下げられた後、且つ、支持基板Ｓが第２保持部３５０によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Ｓがフリーな状態で行われる。また、剥離誘引部４３０は、制御装置３０の制御に基づき、図７〜図９に示す剥離誘引処理を行う。

剥離誘引部４３０では、移動調節部４４０を用いて鋭利部材４３１の高さ位置を調節した後、移動機構４３３を用いて鋭利部材４３１を重合基板Ｔの側面へ向けて移動させる。具体的には、図７に示すように、重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面のうち、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材４３１を略水平に移動させる。

「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」とは、支持基板Ｓの側面のうち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置ｈ１よりも接合面Ｓ_Ｊ寄りの側面である。すなわち、支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されており、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、鋭利部材４３１と接合面Ｓ_Ｊとのなす角度を０度とした場合における鋭利部材４３１とのなす角度θが０度以上９０度未満の側面である。

先ず、鋭利部材４３１を予め決められた位置まで前進させる（予備前進）。その後、鋭利部材４３１をさらに前進させて鋭利部材４３１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させる。

このとき、ロードセル４３２と移動機構４３３のいずれか一方又は両方を用いて、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接したことを検知する。すなわち、ロードセル４３２を用いて鋭利部材４３１にかかる力を測定し、当該力の変化を検出することによって、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接したことを検知してもよい。或いは、移動機構４３３に内蔵されたモータのトルクを測定し、当該トルクの変化を検出することによって、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接したことを検知してもよい。さらに、これらロードセル４３２によって測定される力の変化が検出され、且つ移動機構４３３のモータのトルクの変化が検出された際に、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接したことを検知してもよい。

ここで、第１保持部３１０は、例えば設置誤差等の種々の原因により、水平方向に僅かにずれて配置されている場合がある。かかる場合、剥離誘引部４３０によって重合基板Ｔに剥離開始部位を形成する際、鋭利部材４３１が、予め設定された範囲を超えて重合基板Ｔの側面に進入する場合がある。そうすると、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに形成された電子回路が鋭利部材４３１によって損傷を被るおそれがある。

この点、本実施形態では、上述したようにロードセル４３２と移動機構４３３のいずれを用いた場合でも、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接したことを検知できる。このため、鋭利部材４３１を重合基板Ｔの側面に適切な距離だけ進入させることができ、電子回路が損傷を被るのを回避することができる。

そして、鋭利部材４３１が支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接すると、支持基板Ｓの側面が略円弧状に形成されているため、支持基板Ｓには上方向きの力が加わることとなる。

続いて、図８に示すように、鋭利部材４３１をさらに前進させる。これにより、支持基板Ｓは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Ｓの一部が接着剤Ｇから剥離して剥離開始部位Ｍが形成される。

なお、支持基板Ｓは第２保持部３５０によって保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Ｓの上方への移動が阻害されることがない。本処理において、鋭利部材４３１を前進させる距離ａ１は、例えば１ｍｍ程度である。この距離ａ１は、例えば接着剤Ｇの種類や厚み等に応じて設定され、予め制御装置３０に記憶されている。

また、剥離装置１４１においては、上記した処理による支持基板Ｓの剥離状態を確認する確認装置、具体的には剥離開始部位Ｍが形成されたことを確認する確認装置（図示せず）を設けるように構成してもよい。具体的に確認装置は、例えば支持基板Ｓの上方に設置されたＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ、赤外線）カメラ（図示せず）である。

詳しくは、赤外線は、支持基板Ｓにおいて被処理基板Ｗから剥離した部位と剥離していない部位とでその反射率が変化する。そこで、先ずＩＲカメラで支持基板Ｓを撮像することで、支持基板Ｓにおける赤外線の反射率の違い等が示された画像データを取得する。そして、画像データは制御装置３０へ送信され、制御装置３０では、その画像データに基づき、支持基板Ｓにおいて被処理基板Ｗから剥離した部位、すなわち剥離開始部位Ｍを検知することができる。

制御装置３０において剥離開始部位Ｍが検知された場合、後述する次の処理へ移行する。一方、制御装置３０において剥離開始部位Ｍが検知されない場合、例えば鋭利部材４３１をさらに前進させる、又は鋭利部材４３１を一旦後退させて支持基板Ｓから離し、その後図７及び図８で示した動作を再度実行するなどして、剥離開始部位Ｍを形成するようにする。このように、支持基板Ｓの剥離状態を確認する確認装置を設け、剥離状態に応じて剥離装置１４１を動作させることで、剥離開始部位Ｍを確実に形成することができる。

剥離開始部位Ｍが形成されると、続いて、図９に示すように、剥離装置１４１は、昇降機構３４０を用いて第１保持部３１０を降下させつつ、鋭利部材４３１をさらに前進させる。これにより、被処理基板Ｗ及び接着剤Ｇには下方向きの力が加わり、鋭利部材４３１によって支持された支持基板Ｓには上方向きの力が加わる。これにより、剥離開始部位Ｍが拡大する。

なお、本処理において、鋭利部材４３１を前進させる距離ａ２は、例えば１ｍｍ程度である。この距離ａ２は、例えば接着剤Ｇの種類や厚み等に応じて設定され、予め制御装置３０に記憶されている。また、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接してから前進する距離（ａ１＋ａ２）は、少なくとも鋭利部材４３１の先端が、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに形成された電子回路まで到達せず、当該電子回路が損傷を被らない範囲で設定される。

このように、剥離装置１４１は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材４３１を突き当てることにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Ｍを重合基板Ｔの側面に形成することができる。

支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材４３１を当接させることによって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力（すなわち、上向きの力）を支持基板Ｓに加えることができる。しかも、支持基板Ｓの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力を支持基板Ｓに対して効率的に加えることができる。

なお、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、より好ましくは、図７に示すように、支持基板Ｓの接合面Ｓ_Ｊから支持基板Ｓの厚みの１／４の位置ｈ２までの側面、すなわち、鋭利部材４３１とのなす角度θが０度以上４５度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材４３１とのなす角度θが小さいほど、支持基板Ｓを持ち上げる力を大きくすることができるためである。

また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的弱い場合には、図７に示すように、鋭利部材４３１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Ｍを形成することができる。このような場合、図８及び図９に示す動作を省略することができる。

また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的強い場合には、鋭利部材４３１を支持基板Ｓに当接させることで支持基板Ｓにかかる上向きの力よりも、当該支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が強くなる場合がある。かかる場合、鋭利部材４３１を支持基板Ｓの側面に当接させると、重合基板Ｔ自体がダイシングテープＰから剥がれてしまう場合がある。そこで、鋭利部材４３１を接着剤Ｇに当接させて剥離開始部位Ｍを形成してもよい。そして、鋭利部材４３１を前進させて、接着剤Ｇの側面に剥離開始部位Ｍが形成される。

ここで、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの間において、当該支持基板Ｓと接着剤Ｇの剥離を容易にするために離型膜が設けられている場合があり、この離型膜が支持基板Ｓと被処理基板Ｗの間にはみ出して、接着剤Ｇの側方を覆っている場合がある。かかる場合、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥がそうとしても、支持基板Ｓの移動に伴い離型膜が引っ張られ、さらに被処理基板Ｗも引っ張られるため、支持基板Ｓと被処理基板Ｗを適切に剥離できない。そこで、鋭利部材４３１を接着剤Ｇに当接させるようにすると、この離型膜にも剥離開始部位Ｍが形成されることになる。したがって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから適切に剥離させることができる。

また、剥離装置１４１は、例えば図９に示す状態からさらに回転機構３３０を回転させ、第１保持部３１０を鉛直軸回りに例えば３６０度回転させるようにしてもよい。このとき、押し下げ部４１０がボールベア４１１を有しているため、ダイシングフレームＦが押し下げ部４１０により押し下げられた状態で、第１保持部３１０を回転させることができる。これにより、剥離開始部位Ｍが支持基板Ｓの接合面Ｓ_Ｊの全周又は接着剤Ｇの全周に亘って形成されることとなり、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥がし易くすることができる。

また、発明者らが調べたところ、剥離後に被処理基板Ｗの外周部に欠陥（例えばクラックや欠け）が発生する場合があることが分かった。この欠陥の一因としては、重合基板Ｔを剥離する際、その外周部において適切に剥離できていないことが考えられる。特に上述したように支持基板Ｓと接着剤Ｇとの間に離型膜が設けられている場合、支持基板Ｓの移動に伴い離型膜と被処理基板Ｗが引っ張られ、被処理基板Ｗの外周部に欠陥が発生しやすくなる。この点、本実施形態では、第１保持部３１０を回転させて剥離開始部位Ｍを支持基板Ｓ又は接着剤Ｇの全周に亘って形成できるので、支持基板Ｓの移動に伴い被処理基板Ｗが引っ張られることがなく、剥離後に被処理基板Ｗの外周部に生じる欠陥を抑制することができる。さらに、上記離型膜が設けられている場合でも、支持基板Ｓの移動に伴い離型膜と被処理基板Ｗが引っ張られることがないので、被処理基板Ｗの外周部の欠陥を特に効果的に抑制できる。

次に、鋭利部材４３１の高さ位置を計測する計測部４５０について説明する。計測部４５０は、例えばレーザ変位計であり、図６に示すように上側ベース部３９０に設けられる。かかる計測部４５０は、所定の測定基準位置から第１保持部３１０の保持面までの距離または測定基準位置と第１保持部３１０の保持面との間に介在する物体までの距離を計測する。

計測部４５０による計測結果は、制御装置３０へ送信される。制御装置３０は、図示しない記憶部に、外部装置によって予め取得された重合基板Ｔの厚みに関する情報（以下、「事前厚み情報」と記載する）を記憶する。かかる事前厚み情報には、重合基板Ｔの厚み、被処理基板Ｗの厚み、支持基板Ｓの厚み、接着剤Ｇの厚みおよびダイシングテープＰの厚みが含まれる。

制御装置３０は、計測部４５０から取得した計測結果と、記憶部に記憶された事前厚み情報とに基づき、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材４３１が当接するように鋭利部材４３１の高さ位置を決定する。そして、制御装置３０は、決定した高さ位置に鋭利部材４３１の先端が位置するように移動調節部４４０を制御して剥離誘引部４３０を移動させる。

ここで、剥離誘引部４３０の位置調節処理の内容について具体的に説明する。まず、剥離装置１４１は、計測部４５０を用いて第１保持部３１０の保持面までの距離Ｄ１を計測する。このとき、剥離装置１４１には、重合基板Ｔが未だ搬入されていない状態である。

なお、図６に示す重合基板Ｔの厚みＤ３、被処理基板Ｗの厚みＤ３ｗ、接着剤Ｇの厚みＤ３g、支持基板Ｓの厚みＤ３ｓおよびダイシングテープＰの厚みＤ３pは、事前厚み情報として制御装置３０の記憶部に記憶された情報である。

続いて、剥離装置１４１は、重合基板Ｔを第１保持部３１０を用いて吸着保持した後、第１保持部３１０によって吸着保持された重合基板Ｔの上面すなわち支持基板Ｓの非接合面Ｓｎまでの距離Ｄ２を計測する。かかる計測結果は、制御装置３０へ送信される。制御装置３０は、計測部４５０の計測結果より算出される重合基板Ｔの厚み（Ｄ１−Ｄ２）と、事前厚み情報に含まれる重合基板Ｔの厚み（Ｄ３）との差が所定範囲内であるか否かを判定する。

ここで、計測部４５０の計測結果より算出される重合基板Ｔの厚み（Ｄ１−Ｄ２）と、事前厚み情報が示す厚み（Ｄ３）との誤差が所定範囲を超える場合には、例えば本来搬入されるべき重合基板Ｔとは異なる重合基板Ｔが誤って搬入された可能性がある。このような場合には、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材４３１を適切に当接させることができず、場合によっては、鋭利部材４３１が被処理基板Ｗに接触して被処理基板Ｗが損傷するおそれがある。

このため、計測部４５０の計測結果を用いて算出される重合基板Ｔの厚みと、事前厚み情報に含まれる重合基板Ｔの厚みとの誤差が所定範囲を超える場合には、剥離装置１４１は、その後の処理を中止する。

一方、事前厚み情報との誤差が所定範囲内である場合、制御装置３０は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面の範囲、すなわち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置から接合面Ｓｊまでの高さ範囲を事前厚み情報に基づいて算出する。具体的には、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面の範囲は、Ｄ２＋Ｄ３ｓ／２〜Ｄ２＋Ｄ３ｓとなる。そして、制御装置３０は、かかる高さ範囲内に鋭利部材４３１の高さ位置を決定する。

制御装置３０によって剥離誘引部４３０の切り込み位置が決定されると、剥離装置１４１は、制御装置３０の制御に基づき、移動調節部４４０を用いて剥離誘引部４３０を移動させることによって鋭利部材４３１の高さ位置を調節する。

このように、剥離装置１４１は、計測部４５０と移動調節部４４０とを備える。計測部４５０は、所定の測定基準位置から第１保持部３１０の保持面までの距離または測定基準位置と第１保持部３１０の保持面との間に介在する物体までの距離を計測する。移動調節部４４０は、計測部４５０の計測結果と、予め取得された重合基板Ｔの厚みに関する情報とに基づいて、鋭利部材４３１の支持基板Ｓへの当接位置を調節する。これにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に対して鋭利部材４３１を精度よく当接させることができる。

次に、剥離後の被処理基板Ｗを検査する検査部４６０について説明する。検査部４６０は、支持部材４６１を介して上側ベース部３９０に設けられる。なお、検査部４６０が設けられる位置は、上側ベース部３９０に限定されず、任意に設定できる。

検査部４６０には、例えばカメラが用いられる。検査部４６０は、被処理基板Ｗの全体を撮像できると共に、被処理基板Ｗの外周部を撮像できる。このように検査部４６０が異なる領域の画像データを撮像するには、種々の方法が考えられる。例えば検査部４６０自体の機能を利用して焦点距離を変更してもよいし、検査部４６０のレンズを変更してもよい。或いは、支持部材４６１を移動機構として機能させ、検査部４６０を鉛直方向と水平方向に移動させてもよい。そして、撮像された画像データは、制御装置３０に送信される。

イオナイザ４７０は、図５に示すように処理容器３００の天井部に取り付けられる。イオナイザ４７０は、重合基板Ｔを剥離する際に発生する静電気を除電する。これにより、重合基板Ｔの剥離処理を適切に行うことができる。また、被処理基板Ｗ上の電子回路が損傷を被るのを抑制することもできる。

＜３．剥離装置の動作＞
次に、剥離装置１４１を用いて行われる被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理方法について説明する。図１０は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図１１〜図２１は、剥離処理の説明図である。なお、剥離装置１４１は、制御装置３０の制御に基づき、図１０に示す各処理手順を実行する。

先ず、第１搬送装置１３１によって剥離装置１４１に搬入された重合基板Ｔは、図１１に示すように予め待機していた受渡部４２０に受け渡される（図１０のステップＡ２０１）。受渡部４２０に受け渡された重合基板Ｔは、ガイド部４２４によって、第１保持部３１０に対して所定の位置に位置するように位置調節される。なお、このとき、第１保持部３１０は受渡部４２０の下方に位置している。そして第１保持部３１０では、吸着面３１１ａの複数の孔が目詰まりするのを抑制するため、気体供給源３１６から吸着面３１１ａに供給された気体が噴出している。

その後、図１２に示すように第１保持部３１０を上昇させ、受渡部４２０から第１保持部３１０に重合基板Ｔが受け渡される（図１０のステップＡ２０２）。このとき、第１保持部３１０の吸着面３１１ａからは気体が噴出しており、重合基板Ｔは第１保持部３１０から浮上した状態で当該第１保持部３１０に保持される。なお、重合基板Ｔと吸着面３１１ａとの隙間は微小であり、重合基板Ｔは第１保持部３１０に適切に保持される。

その後、図１３に示すように第１保持部３１０をさらに上昇させ、位置調節部４００によって第１保持部３１０に保持された重合基板Ｔを所定の位置に位置調節する（図１０のステップＡ２０３）。具体的には、回転移動機構４０２によってアーム部４０１を回転移動させる。このとき、アーム部４０１の長手方向の長さが適切に設定されており、回転移動中のアーム部４０１がダイシングフレームＦに干渉することはない。位置調節部４００のアーム部４０１がそれぞれ回転移動機構４０２によって回転移動させられると、アーム部４０１の先端部が支持基板Ｓの側面に当接する。これにより、重合基板Ｔは、所定の位置に位置調節される。しかも、アーム部４０１が支持基板Ｓの側面に当接するので、製品となる被処理基板Ｗが損傷を被ることはない。

なおステップＡ２０３では、ステップＡ２０２に引き続き、第１保持部３１０の吸着面３１１ａから気体が噴出しており、重合基板Ｔは第１保持部３１０から浮上している。かかる場合、重合基板Ｔが移動し易くなり、位置調節部４００による重合基板Ｔの位置調節を円滑に行うことができる。

その後、第１保持部３１０においてバルブ３１４を切り替え、気体供給源３１６からの気体の供給を停止し、吸気装置３１５による１１１ａの吸引を開始する。そして図１４に示すように第１保持部３１０によって、被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する（図１０のステップＡ２０４）。

その後、図１４に示すように第１保持部３１０をさらに上昇させ、当該第１保持部３１０に保持された重合基板Ｔを剥離処理が行われる所定の位置に配置する（図１０のステップＡ２０５）。このとき、押し下げ部４１０によってダイシングフレームＦが重合基板Ｔに対して鉛直方向下方に押し下げられる。これにより、重合基板Ｔの側面側には、剥離誘引部４３０が侵入可能な空間が形成される。

ステップＡ２０１〜Ａ２０５が行われている間、鋭利部材４３１の高さを調節する（図１０のステップＡ２０６）。具体的には、計測部４５０で鋭利部材４３１の高さ位置を計測した後、移動調節部４４０によって剥離誘引部４３０が所定の高さ位置に移動される。

その後、剥離誘引部４３０の鋭利部材４３１を重合基板Ｔ側に移動させ、支持基板Ｓに当接させる。このとき、図７を参照して説明したようにロードセル４３２と移動機構４３３のいずれか一方又は両方を用いて、鋭利部材４３１が支持基板Ｓに当接したことを検知する（図１０のステップＡ２０７）。

その後、図１５に示すように鋭利部材４３１をさらに前進させつつ、図７〜図９を参照して説明した剥離誘引処理を行う（図１０のステップＡ２０８）。これにより、重合基板Ｔの一端Ｓ１側の側面に剥離開始部位Ｍが形成される。

その後、図１６に示すように第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０の吸着パッド３６１、３７１、３８１を降下させて支持基板Ｓに当接させる。そして、これら第１〜第３吸着移動部３６０、３７０、３８０で支持基板Ｓの非接合面Ｓ_Ｎを吸着保持する（図１０のステップＡ２０９）。

続いて、図１７に示すように第１吸着移動部３６０の吸着パッド３６１を上昇させる（図１０のステップＡ２１０）。すなわち、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を引っ張る。これにより、支持基板Ｓが、その周縁部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める。

なお、ステップＡ２１０において、第１吸着移動部３６０の移動機構３６３を制御して吸着パッド３６１にかかる力を一定に維持してもよい。そうすると、第１吸着移動部３６０で支持基板Ｓを引っ張る際の力を一定にすることができ、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから適切に剥離させることができる。このため、剥離後に被処理基板Ｗの外周部に生じる欠陥を抑制することができる。また通常、剥離が進むにつれ、吸着パッド３６１にかかる負荷は小さくなり、すなわち支持基板Ｓは剥離しやすくなる。そこで、上述したように吸着パッド３６１にかかる力を一定に維持すると、吸着パッド３６１が移動するにつれて、当該吸着パッド３６１の移動速度が大きくなる。このため、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する剥離速度を向上させることができる。

その後、図１８に示すように第２吸着移動部３７０の吸着パッド３７１を上昇させる（図１０のステップＡ２１１）。すなわち、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を引っ張りつつ、支持基板Ｓの中央部付近をさらに引っ張る。なお、ステップＡ２１１においても、第２吸着移動部３７０の移動機構３７３を制御して吸着パッド３７１にかかる力を一定に維持してもよい。かかる場合、剥離処理をより安定させることができると共に、剥離速度をより向上させることができる。

その後、図１９に示すように第３吸着移動部３８０の吸着パッド３８１を上昇させる（図１０のステップＡ２１２）。すなわち、剥離装置１４１は、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部及び支持基板Ｓの中央部付近を引っ張りつつ、支持基板Ｓの他端Ｓ２側の周縁部をさらに引っ張る。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する（図１０のステップＡ２１３）。なお、ステップＡ２１２においても、第３吸着移動部３８０の移動機構３８３を制御して吸着パッド３８１にかかる力を一定に維持してもよい。かかる場合、剥離処理をより安定させることができると共に、剥離速度をより向上させることができる。

その後、第２、第３吸着移動部３７０、３８０のみを上昇させ、あるいは、第１、第２吸着移動部３６０、３７０のみを降下させるなどして支持基板Ｓを水平にし、鋭利部材４３１を後退させる。

被処理基板Ｗと支持基板Ｓが剥離されると、図２０に示すように第１保持部３１０を下降させ、当該第１保持部３１０を検査位置に配置する（図１０のステップＡ２１４）。

続いて、図２０に示すように検査部４６０によって、第１保持部３１０に保持された被処理基板Ｗの全体を撮像する。撮像された画像データは制御装置３０に送信され、制御装置３０では、この撮像された画像データに基づいて、第１保持部３１０における被処理基板Ｗの有無、すなわちダイシングテープＰ上の被処理基板Ｗの有無について検査する（図１０のステップＡ２１５）。なお、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊには接着剤Ｇが残存するが、かかる接着剤Ｇは薄いため、検査部４６０によって被処理基板Ｗを撮像できる。図２０の例では、接着剤Ｇを点線で示している。

そして、第１保持部３１０において被処理基板Ｗが確認されなかった場合、被処理基板Ｗが支持基板Ｓに引っ張られて、被処理基板Ｗと支持基板Ｓが一体のまま、重合基板ＴがダイシングテープＰから剥離されたことになる。かかる場合、被処理基板Ｗと支持基板Ｓが適切に剥離されておらず、重合基板Ｔは、後続の処理が行われることなく、搬入出ステーション１１に搬送され、さらに搬入出ステーション１１から搬出されて回収される。また、何も保持していない状態のダイシングテープＰとダイシングフレームＦも、同様に搬入出ステーション１１から搬出されて回収される。

一方、第１保持部３１０において被処理基板Ｗが確認された場合、重合基板Ｔは被処理基板Ｗと支持基板Ｓに剥離されたことになる。かかる場合、続けて被処理基板Ｗの外周部の状態の検査が行われる。

すなわち、図２１に示すように回転機構３３０によって第１保持部３１０を回転させながら、検査部４６０によって、当該第１保持部３１０に保持された被処理基板Ｗの外周部を撮像する。そうすると、被処理基板Ｗの外周部全周の画像データが撮像される。撮像された画像データは制御装置３０に送信され、制御装置３０では、この撮像された画像データに基づいて、被処理基板Ｗの外周部の状態を検査する（図１０のステップＡ２１６）。

そして、被処理基板Ｗの外周部に欠陥（例えばクラックや欠け）が確認された場合、当該欠陥のある被処理基板Ｗは、後続の処理が行われることなく、搬入出ステーション１１に搬送され、さらに搬入出ステーション１１から搬出されて回収される。

一方、被処理基板Ｗの外周部に欠陥が確認されなかった場合、当該正常な被処理基板Ｗは、剥離装置１４１から搬出されて、後続の処理が行われる。同様に、支持基板Ｓも、剥離装置１４１から搬出されて、後続の処理が行われる。こうして、剥離装置１４１における一連の被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離処理が終了する。

本実施形態によれば、ステップＡ２１５において、第１保持部３１０における被処理基板Ｗの有無を検査し、さらにステップＡ２１６において、被処理基板Ｗの外周部の状態を検査している。このように被処理基板Ｗを検査するので、適切に剥離された正常な被処理基板と、適切に剥離されていない異常な被処理基板とを分別することができ、剥離処理全体の効率を向上させることができる。

しかも、ステップＡ２１５における簡易検査とステップＡ２１６における詳細検査が２段階で行われるので、例えばステップＡ２１５の簡易検査で重合基板Ｔが剥離されていないと判定された場合、後続のステップＡ２１６の詳細検査を省略することができる。したがって、検査を効率よく行うことができ、剥離処理全体の効率をさらに向上させることができる。

ところで、ステップＡ２１５において、第１保持部３１０における被処理基板Ｗの有無を検査する際には、上述した吸気装置３１５に設けられたセンサ（図示せず）を用いて、第１保持部３１０で被処理基板Ｗを吸引する際の吸引圧力を測定することも考えられる。例えば被処理基板ＷがダイシングテープＰとダイシングフレームＦに保持されておらず、第１保持部３１０に直接保持される場合には、第１保持部３１０における吸引圧力がゼロになれば、当該第１保持部３１０において被処理基板Ｗが無いと判定できる。しかしながら、本実施形態のように被処理基板ＷがダイシングテープＰに貼り付けられていると、第１保持部３１０はダイシングテープＰを直接保持する。そうすると、被処理基板ＷがダイシングテープＰから剥離されても、第１保持部３１０は依然としてダイシングテープＰを吸着保持し、当該第１保持部３１０における吸引圧力がゼロにならない。そうすると、被処理基板Ｗの有無を検査することができない。したがって、本実施形態のステップＡ２１５のように、検査部４６０によって被処理基板Ｗの全体を撮像することで、当該被処理基板Ｗの有無を検査することは、被処理基板ＷがダイシングテープＰとダイシングフレームＦに保持されている場合に特に有用である。

＜４．その他の実施形態＞
以上の実施形態の剥離装置１４１において、支持基板Ｓの被処理基板Ｗとの接合面Ｓｊの全てが被処理基板Ｗから剥がれて剥離が完了したことを検知する剥離完了検知部が設けられていてもよい。

図２２は、支持基板Ｓ、第１吸着移動部３６０の吸着パッド３６１、第２吸着移動部３７０の吸着パッド３７１、第３吸着移動部３８０の吸着パッド３８１、および剥離完了検知部５００の位置関係を示す模式平面図である。

剥離完了検知部５００は、例えば光電センサである。剥離完了検知部５００は、具体的には、支持基板Ｓの一端Ｓ１付近に配置され、一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向かう方向と平行な方向に、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分（例えば接着剤Ｇ）に向けて光を投光する投光部（剥離完了検知用投光部）５００ａを備える。また、剥離完了検知部５００は、重合基板Ｔを挟んで投光部５００ａと反対側、すなわち他端Ｓ２付近に配置され、投光部５００ａからの光を受光する受光部（剥離完了検知用受光部）５００ｂを備える。なお、図２２においては、上記した光を点線で示した。

詳しくは、支持基板Ｓの被処理基板Ｗとの接合面Ｓｊの全てが被処理基板Ｗから剥がれて剥離が完了すると、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの間には間隙が形成される。受光部５００ｂは、その間隙が形成された場合に、投光部５００ａからの光を受光するような位置に配置される。そして、受光部５００ｂは、光を受光した場合、受光したことを示す信号を制御装置３０に送信する。

これにより、制御装置３０は、剥離完了検知部５００の検知結果に基づき、支持基板Ｓの剥離が完了したか否かを判定することができる。すなわち、制御装置３０は、受光部５００ｂで光が受光されない場合には支持基板Ｓの剥離が完了していないと判定する一方、光が受光された場合には支持基板Ｓの剥離が完了したと判定する。なお、投光部５００ａおよび受光部５００ｂの配置は、図示の例に限定されるものではなく、例えば投光部５００ａが他端Ｓ２付近に、受光部５００ｂが一端Ｓ１付近に配置してもよい。

上記のように構成したことから、剥離装置１４１にあっては、剥離処理によって支持基板Ｓの剥離が完了したことを容易に、かつ簡易な構成で判定することができる。なお、剥離完了検知部５００の構成は、上記に限定されるものではない。

すなわち、図２２に一点鎖線で示すように、例えば支持基板Ｓにおいて最後に被処理基板Ｗから剥離される他端Ｓ２の被処理基板Ｗとの接合部分に、Ｘ軸方向と平行な光が通過するように、投光部５００ａおよび受光部５００ｂを配置してもよい。このように構成した場合であっても、制御装置３０は、受光部５００ｂで光が受光された場合、支持基板Ｓの他端Ｓ２が被処理基板Ｗから剥離したことを意味するため、支持基板Ｓの剥離が完了したと判定することができる。

また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。例えば剥離装置１４１では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。

ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図２３および図２４を参照して説明する。図２３および図２４は、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図２３に示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。

ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６００が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層６０１が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、例えばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。

剥離装置１４１では、例えば第１保持部３１０でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部３５０でハンドル基板Ｈを保持した状態で、重合基板Ｔａの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層６０１に対して機械的衝撃を与える。これにより、図２４に示すように、水素イオン注入層６０１内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層６０２が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６００とシリコン層６０２とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、第１保持部３１０でハンドル基板Ｈを保持し、第２保持部３５０でドナー基板Ｋを保持してもよい。

また、上述してきた実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ、Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。

また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１ 剥離システム
１０ 第１処理ブロック
１１ 搬入出ステーション
１３ 第１搬送領域
１４ 剥離ステーション
２０ 第２処理ブロック
２４ 第２搬送領域
２５ 搬出ステーション
３０ 制御装置
１３１ 第１搬送装置
１４１、１４２ 剥離装置
２４１ 第２搬送装置
３１０ 第１保持部
３３０ 回転機構
３５０ 第２保持部
３６０ 第１吸着移動部
３７０ 第２吸着移動部
３８０ 第３吸着移動部
４６０ 検査部
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板

Claims (11)

1. 第１基板と第２基板が接合された重合基板を剥離する剥離方法であって、
   第２保持部に保持された前記第２基板が、第１保持部に保持された前記第１基板から離す方向に移動され、前記第２基板を前記第１基板から剥離する第１工程と、
   その後、検査部を用いて前記第１保持部における前記第１基板の有無を検査する第２工程と、
   その後、回転機構によって前記第１保持部を回転させながら、前記検査部を用いて前記第１基板の外周部の状態を検査する第３工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
2. 前記第２工程において、前記検査部は前記第１基板の全体を撮像し、
   前記第３工程において、前記検査部は前記第１基板の外周部を撮像することを特徴とする、請求項１に記載の剥離方法。
3. 前記第２保持部は、前記第２基板を吸着し、当該第２基板を前記第１基板から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部を有し、
   前記第１工程において、前記複数の吸着移動部によって、前記重合基板の一端側から他端側に向けて前記第２基板を前記第１基板から剥離することを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離方法。
4. 前記第１基板は被処理基板であり、
   前記第２基板は被処理基板を支持する支持基板であり、
   前記重合基板と前記第１基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の剥離方法。
5. 請求項１〜４のいずか一項に記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるように、当該剥離装置を制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
6. 請求項５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
7. 第１基板と第２基板が接合された重合基板を剥離する剥離装置であって、
   前記重合基板のうち前記第１基板を保持する第１保持部と、
   前記重合基板のうち前記第２基板を保持し、前記第２基板を前記第１基板から離す方向へ移動させる第２保持部と、
   前記第１保持部を回転させる回転機構と、
   剥離後の前記第１基板を検査するための検査部と、
   前記第２保持部によって前記第２基板を前記第１基板から剥離する第１工程と、その後、前記検査部を用いて前記第１保持部における前記第１基板の有無を検査する第２工程と、その後、前記回転機構によって前記第１保持部を回転させながら、前記検査部を用いて前記第１基板の外周部の状態を検査する第３工程と、を行うように、前記第１保持部、前記第２保持部、前記回転機構及び前記検査部を制御する制御装置と、を有することを特徴とする、剥離装置。
8. 前記検査部は、前記第２工程において前記第１基板の全体を撮像すると共に、前記第３工程において前記第１基板の外周部を撮像することを特徴とする、請求項７に記載の剥離装置。
9. 前記第２保持部は、前記第２基板を吸着し、当該第２基板を前記第１基板から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部を有し、
   前記複数の吸着移動部は、前記第１工程において、前記重合基板の一端側から他端側に向けて前記第２基板を前記第１基板から剥離することを特徴とする、請求項７又は８に記載の剥離装置。
10. 前記第１基板は被処理基板であり、
    前記第２基板は被処理基板を支持する支持基板であり、
    前記重合基板と前記第１基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一項に記載の剥離装置。
11. 請求項７〜１０のいずれか一項に記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
    前記重合基板と前記第１基板に対する処理を行う第１処理ブロックと、
    前記第２基板に対する処理を行う第２処理ブロックと、を有し、
    前記第１処理ブロックは、
    前記重合基板と前記第１基板が載置される搬入出ステーションと、
    前記剥離装置を備えた剥離ステーションと、
    前記搬入出ステーションと前記剥離ステーションとの間で、前記重合基板と前記第１基板を搬送する第１搬送装置を備えた第１搬送領域と、を有し、
    前記第２処理ブロックは、
    前記第２基板が載置される搬出ステーションと、
    前記搬出ステーションに対して前記第２基板を搬送する第２搬送装置を備えた第２搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。

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