JP2005093854A - イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機 - Google Patents

Abstract

【課題】イオン化ガス気流により半導体基板または液晶基板から塵を除去して洗浄する。
【解決手段】半導体基板または液晶基板Ｐの巾と略同一長さの円筒状フィルタ１が、軟Ｘ線放射管２と共に断面多角形渦巻状の長筒体１４により形成されたケーシング３内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体４が形成され、且つ前記イオン化ガス気流発生器本体４からのイオン化ガス気流２６を、前記半導体基板または液晶基板Ｐ表面の幅方向に均一に噴き付け、塵３２と基板Ｐの電荷を電気的に中和して、浮遊塵３３の基板Ｐ表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流２６による基板Ｐ表面との化学反応により、前記基板Ｐ表面に付着した塵３２を除去することにより基板Ｐの表面を洗浄する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体および液晶製造工程において、半導体基板および液晶基板表面にイオン化したガスを吹き付け、前記基板表面に付着した塵と前記基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去して、基板表面を洗浄するようにしたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機に関する。

従来の半導体基板、または液晶基板を対象とした洗浄機には、湿式洗浄機と乾式洗浄機があるが、湿式洗浄機が主流となっている。

湿式洗浄機には、反応液を入れた槽と純水槽が備えられ、初めに反応槽に半導体基板、または液晶基板を入れ、化学反応で基板表面の塵を除去した後、純水槽で薬品を洗い流す方法が採用されている。

乾式洗浄機では、密閉容器に半導体基板、または液晶基板を入れると共に、その中に反応ガスを封入し、化学反応で基板表面を洗浄する方式が採用されている。また、内部に平面電極を設けた密閉容器内を減圧し、該平面電極に高周波電圧を印加し、内部にプラズマ発生させ、更に直流電圧を印加し、電極面に置かれた基板にイオンを衝突させ、表面をエッチングして洗浄する方式も採用されている。

前記従来の湿式洗浄機は、反応液槽、純水槽および乾燥機を備えているため、設備が大掛かりとなり、装置コストが高くなるという課題があった。更に、従来の湿式洗浄機では、廃液が出るため、その処理費用が高くなるという課題があった。

前記従来の乾式洗浄機は、密閉容器に収納するため、設備が大きくなり、またバッチ処理方式のため、小ロットの場合、生産性が悪いという課題があった。

また、乾式洗浄機の場合、容器内部を減圧して、更にプラズマを発生させるため、装置コストが高くなり、製造ラインに組み込むのはかなり困難であるという課題があった。

本発明は前記課題を解決すべくなされたもので、円筒状フィルタから噴き出す清浄空気を軟Ｘ線放射管から放射される軟Ｘ線によりイオン化して、イオン化ガス気流として基板表面に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去して、基板表面を洗浄するようにしたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機を提供しようとするものである。

本発明は、半導体基板または液晶基板の巾と略同一長さの円筒状フィルタが軟Ｘ線放射管と共に、断面多角形渦巻状の長筒体により形成されたケーシング内に装置されて、イオン化ガス気流発生器本体が形成され、且つ前記半導体基板または液晶基板表面に、イオン化ガス気流発生器本体からのイオン化したガス気流を幅方向に均一に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、前記基板表面に付着した塵を除去して、基板表面を洗浄することを最も主要な特徴とする。

本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機によれば、設備が大掛かりではなく、小型に形成できるため、装置コストが安く、また廃液も出ないので、処理費用が安く、且つ生産性が高いという利点を有する。
また、装置が小型であり、且つ装置コストが安いので、半導体、または液晶製造ラインに組み込むのも容易である。
そして、簡単円筒状フィルタから噴き出した清浄空気は、多角形状に折曲されたケーシングの上面部に突出した突出部において、軟Ｘ線放射管から放射された軟Ｘ線によってイオン化され、イオン化ガス気流として出口部から基板表面上において、長手方向に均一に噴き出し、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、基板表面に付着した塵を除去することができる。また、ケーシングが多角形状に形成され、多数の角部を有するので、軟Ｘ線の直進性が阻止され、該軟Ｘ線がケーシング外部に漏洩することがなく、安全である。
更に、円筒状フィルタは直接軟Ｘ線に照射されないよう設置されているので、該円筒状フィルタが劣化する虞れはない。

半導体基板または液晶基板表面に、イオン化気流発生器本体からのイオン化したガス気流を幅方向に均一に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、前記基板表面に付着した塵を除去することにより基板の表面を洗浄する。

本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例１を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機を側面側から見た縦断面図、図２は同正面側から見た縦断面図、図３は同使用状態を示す要部の斜視図である。図１・図２に示すように、半導体、または液晶の基板Ｐの巾と略同一長さの円筒状フィルタ１が、軟Ｘ線放射管２と共にケーシング３内に装置されて、イオン化ガス気流発生器本体４が形成されている。

前記円筒状フィルタ１は、濾材１ａを円筒状に成型して通気空間５を設けると共に、一方側端部には、空気供給口６を穿設した空気供給管取付リング７を固定し、且つ他方側端部に密閉栓８を密着固定して形成されている。そして、前記円筒状フィルタ１の空気供給管取付リング７には、図示していない送風機により圧縮空気を送気する圧縮空気供給管９の開口先端部が連結されている。なお、前記円筒状フィルタ１は、特に限定する必要はないが、好ましくは本特許出願人の特許出願に係る特願２００３−２３７６８により製造することが推奨される。

前記ケーシング３は、前記円筒状フィルタ１の外周に空気室１０が、多角形状に折曲された区画板１１を備えて設けられ、且つ該区画板１１の外周に通気通路１２を周設して、多角形状に折曲された外周板１３が設けられて、前記円筒状フィルタ１の下面部から略２周する、上面部１４ａが底面部１４ｂより長い断面多角形渦巻状の長筒体１４により形成されると共に、前記長筒体１４の両端部はそれぞれ側壁板１５・１６により閉塞され、更に前記底面部１４ｂの一方側に位置する通気通路１２の基端部が前記空気室１０に連通されて連通部１７を設け、且つ前記底面部１４ｂの他方側に位置する通気通路１２の噴き出し部１８に２本の噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂを、前記ケーシング３の底面部１４ｂから僅かに下方へ突出するようにして突設する一方、前記通気通路１２の上面に位置する外周板１３に突出部２０を長手方向全長に亘って突設して、該突出部２０の下面に空間部２０ａを設けて形成されている。前記長筒体１４は、図１においては、略２周する渦巻状に形成されているが、３周以上の渦巻状に形成してもよい。

前記構成より成るケーシング３の側壁板１５・１６とに、前記円筒状フィルタ１の両端部の空気供給管取付リング７と密閉栓８の外周面がそれぞれ密に貫通固定され、更に、前記突出部２０の一端部の側壁板１５に軟Ｘ線放射管２が貫通固定されて形成されている。前記軟Ｘ線放射管２は、図２においては、一方側の側壁板１５に貫通固定されているが、他方側の側壁板１６にも貫通固定して、該軟Ｘ線放射管２を２本使用することもできる。

なお、図中、２１は電源２２からの電力を前記軟Ｘ線放射管２に供給するケーブルであり、更に図中、２３は、前記軟Ｘ線放射管２に突設された放射ガイドリングで、該軟Ｘ線放射管２からの後述する軟Ｘ線３０の放射角度を制御するものである。

前記構成より成る本発明洗浄機の実施例１の作用について説明する。図３に示すように、本発明洗浄機は、半導体または液晶製造工程において、イオン化ガス気流発生器本体４の噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂの下端縁と基板Ｐ間に隙間Ｇを確保して設置される。前記基板Ｐを水平方向２４に移動するか、あるいはイオン化ガス気流発生器本体４を水平方向２５に移動するかして、基板Ｐの表面全面にイオン化ガス気流２６を噴き付けるよう構成されている。

先ず、円筒状フィルタ１の通気空間５内に圧縮空気供給管９から圧縮空気２７を導入すると、該圧縮空気２７は他方側端部が密閉栓８により閉塞されているため、通気空間５内において乱流して、濾材１ａにより濾過されて、前記円筒状フィルタ１の全周面より清浄空気２８となって空気室１０に噴き出され、その後連続して噴き出されてくる清浄空気２８によって押圧されて、気流２９となって前記連通部１７を通って通気通路１２内に流入する。前記空気室１０を設けることにより、円筒状フィルタ１の全周面から噴き出された清浄空気２８は、該空気室１０内において乱流して、均一な流速の気流２９となって前記連通部１７から通気通路１２内に流入するのである。

一方、電源２２を投入し軟Ｘ線放射管２に通電すると、該軟Ｘ線放射管２より軟Ｘ線３０が、前記突出部２０下面の空間部２０ａ内へ放射される。そして、前記通気通路１２内に噴き出された清浄空気２８は前記突出部２０に至ったときに、前記軟Ｘ線３０によりイオン化３１（＋イオン、−イオン）されてイオン化ガス気流２６となる。そして、前記イオン化ガス気流２６が、通気通路１２の末端部である噴き出し部１８の噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂより均一な流速で基板Ｐ表面に噴き付けられ、該基板Ｐ表面に噴き付けられたイオン化ガス気流２６が、塵３２と基板Ｐ表面の電荷を電気的に中和して、浮遊塵３３の基板Ｐ表面への付着を防止し、更に、イオン化されて反応性が増加したイオン化ガス気流２６と、基板Ｐ表面との化学反応により、基板Ｐ表面に付着した塵３２を除去することにより基板Ｐの表面が洗浄される。

前記イオン化ガス気流２６を、噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂから長手方向に均一に噴き出すために、円筒状フィルタ１内の圧力が、ケーシング３内の圧力より低くなるように噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂの開口巾が設定されている。

前記のように、区画板１１が多角形状に折曲して円筒状フィルタ１を包み込むような構造を採用しているため、前記円筒状フィルタ１の濾材１ａが軟Ｘ線３０に暴露されず、前記濾材１ａが劣化することなく、更に前記通気通路１２が多角形状に折曲して多数の角部１２ａ
を有するので、軟Ｘ線３０の直進性が阻止され、イオン化ガス気流発生器本体３の外部に漏洩することがなく、軟Ｘ線３０による人体への影響を阻止することができる。

なお、前記実施例１の作用の説明においては、基板Ｐを矢印で示す水平方向２４に移動するか、あるいはイオン化ガス気流発生器本体４を矢印で示す水平方向２５に移動するかして、基板Ｐの表面全面にイオン化ガス気流２６を噴き付けるとして説明したが、基板Ｐを矢印で示す水平方向２４に移動すると共に、イオン化ガス気流発生器本体４を前記基板Ｐとは逆方向の矢印で示す水平方向２５へ同時に移動して、基板Ｐの表面全面にイオン化ガス気流２６を噴き付けることもできる。

この場合、幅方向に均一に噴き出し部１８の噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂより噴き出されるイオン化ガス気流２６に対して、基板Ｐはイオン化ガス気流発生器本体４とは逆方向に移動しているので、該基板Ｐ表面に噴き付けられるイオン化ガス気流２６の速度が加速された形となり、その結果、基板Ｐ表面の塵３２の除去効率を高めることができる。

図４は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例２を側面側から見た縦断面図である。前記実施例１を示す図１においては、通気通路１２の噴き出し部１８に噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂがそれぞれ突設されているが、実施例２においては、ケーシング３の底面部１４ｂ側の噴き出し用ガイド片１９ｂに、前記底面部１４ｂ側の下流方向へ基板Ｐ表面と平行して近接するフラッパー４１を延設して形成されている。

前記実施例２のように、フラッパー４１を延設することにより、基板Ｐと該フラッパー４１間にイオン化ガス気流２６を噴き込み、前記イオン化ガス気流２６と基板Ｐ表面との接触時間を長くして、静電気の中和、イオン化ガス気流２６と塵３２の化学反応時間を長く取ることにより、塵３２の除去効率を高めることができる。そして、その他の作用は、実施例１のものと同一であるので説明を省略する。

図５は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例３を側面側から見た縦断面図である。前記実施例１を示す図１においては、通気通路１２の噴き出し部１８に噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂがそれぞれ突設されているが、実施例３においては、前記噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂを突出せず、前記通気通路１２の噴き出し部１８の下端縁とケーシング３の底面部１４ｂとを面一として形成されている。

前記実施例３は、単に実施例１における噴き出し用ガイド片１９ａ・１９ｂを設けず、通気通路１２の噴き出し部１８の下端縁とケーシング３の底面部１４ｂとを面一として形成されているだけであって、噴き出し部１８は底面部１４ｂ側へ傾斜して形成されているため、該基板Ｐと前記底面部１４ｂ間にイオン化ガス気流２６を噴き込み、前記イオン化ガス気流２６と基板Ｐ表面との接触時間を長くして、静電気の中和、イオン化ガス気流２６と塵３２の化学反応時間を長く取ることにより、塵３２の除去効率を高めることができる。そして、その他の作用は、実施例１のものと同一であるので、説明を省略する。

図６は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例４を側面側から見た断面図であり、また、図７は同斜視図である。実施例４は、前記実施例３のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機におけるイオン化ガス気流の下流側に、吸入口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、前記イオン化気流により基板から除去された塵を吸込んで排出し、更に基板表面での該イオン化ガス気流の乱流、渦の発生を少なくして、前記基板表面の塵の再付着を防止するようにしたものである。

すなわち、イオン化ガス気流発生器本体４を構成するケーシング３のイオン化ガス気流２６の噴き出し部１８の下流側である、前記底面部１４ｂの一方側から上面部１４ａにかけて、吸込口４５と排気通路４６を備えた吸込みダクト４７をケーシング３の外側面に一体に接合固定すると共に、該吸込みダクト４７の上端部に排気口４８を開口して、該排気口４８に排気パイプ４９を連結固定し、更に該排気パイプ４９は図示していない排気ポンプに接続されている。前記排気パイプ４９は、図７に示すようにケーシング３の長手方向両端部に設けることが推奨される。

前記実施例４の作用について説明すると、イオン化ガス気流発生器本体４の噴き出し部１８から、図中矢印方向２４に移動している基板Ｐに噴き付けられたイオン化ガス気流２６は、塵３２と基板Ｐ表面の電荷を電気的に中和して、浮遊塵３３の基板Ｐ表面への付着を防止し、更に、イオン化ガス気流２６による基板Ｐ表面に付着した塵３２を除去する。なお、実施例４においては、イオン化ガス気流発生器本体４に排気パイプ４９を備えているため、該イオン化ガス気流発生器本体４を移動させることはできない。

そして、前記基板Ｐ表面の塵３２は、吸込みダクト４７の排気通路４６内に塵３２を含んだガス５０として吸込まれ、排気口４８を介して外部へ排出される。前記塵３２が外部へ排出されることにより、基板Ｐ表面への塵３２の再付着が防止できるだけでなく、イオン化ガス気流２６の下流での乱流の発生が防止できる。

なお、図６においては、実施例３によるケーシング３に吸込みダクト４７を取り付けたが、実施例１または実施例２よるケーシング３にも、前記吸込みダクト４７を取り付けることができる。そして、その作用は、いずれも実施例３によるケーシング３に吸い込みダクト４７を取付けたものと同一であるので説明を省略する。

図８〜図１２は、本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例５を示すもので、図８は実施例５を側面側から見た断面図、図９は同斜視図、図１０は吸込みパイプの縦断面図である。実施例５は、前記実施例４の変型であって、イオン化ガス気流２６により基板Ｐ表面から除去された塵３２が、吸込みダクト４７の排気通路４６内に塵３２を含んだガス５０として吸込まれるが、該吸込みダクト４７内に吸い込まれた塵３２を含んだガス５０を外部へ効率よく排出されるようにしたものである。なお、実施例４と実施例５における構成が同一のものは、同一の符号を用いて説明する。

すなわち、実施例５においては、図８に示すように、吸込みダクト４７の排気通路４６の長手方向略全長に亘って、塵３２を含んだガス５０を効率よく外部へ排出するため、吸込みパイプ６１が設置されている。そして、前記吸込みパイプ６１は、一方側に貫通孔６２を穿設したキャップ６３が嵌合されると共に、他方側は閉止板６４によって閉止されて形成されると共に、前記吸込みパイプ６１の一方側のキャップ６３がケーシング３の一方側の側壁板１５に貫通して固定され、且つ該キャップ６３の貫通孔６２に排気パイプ６５が連結固定され、更に、前記吸込みパイプ６１の外周面に吸込み口となる排気パイプ６５方向に行くに従って、開口率が小さくなるようにして吸込孔６６を複数個穿設して形成されている。

すなわち、図１０においては、吸込孔６６の径は同一径となっているが、閉止板６４から排気パイプ６５方向へ行くに従って、各吸込孔６６の間隔が徐々に粗になるよう形成されている。なお、図１１に示すように、各吸込孔６６の間隔を同一にするが、該各吸込孔６６の径を閉止板６４から排気パイプ６５方向へ行くに従って徐々に小径となるよう形成してもよい。

前記のように、吸込みパイプ６１の複数個の吸込孔６６が、排気パイプ６５方向へ行くに従って、開口率が小さくなるよう穿設されているため、吸込みダクト４７の排気通路４６内に吸込まれた基板Ｐ表面の塵３２を含んだガス５０は、吸込みダクト４７の吸込口４５の巾に関係なく、長手方向に均一に前記各吸込孔６６から吸込まれて、図示していない排気ポンプを介して排気パイプ６５から排気されるのである。

図１２は、前記実施例５において使用する複数個の吸込孔６６を穿設した吸込みパイプ６１の代わりに、圧力損失の大きい濾材７１により円筒状に形成された吸込みパイプ７２を設けて形成されている。前記圧力損失の大きい濾材７１で形成された吸込みパイプ７２で吸引する場合、吸引時の吸込みパイプ７２内の流速による動圧の長手方向の圧力差に対して、濾材７１を通過する圧力損失が充分に大きくなるように濾材７１を選定することにより、吸込みパイプ７２の長手方向の吸込み量が均一になる。

そして、前記圧力損失の大きい濾材７１により形成された吸込みパイプ７２を、吸込みダクト４７の排気通路４６内に設置することにより、前記吸込みダクト４７の排気通路４６内に吸込まれた基板Ｐ表面の塵３２を含んだガス５０は、吸込みダクト４７の吸入口４５の巾に関係なく、長手方向に均一に吸込みパイプ７２の外周面から吸込まれて、図示していない排気ポンプを介して排気パイプ６５から排気されるのである。

本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例１を側面側から見た縦断面図である。 同正面側から見た縦断面図である。 同使用状態を示す要部の斜視図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例２を側面側から見た縦断面図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例３を側面側から見た縦断面図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例４を側面側から見た縦断面図である。 同斜視図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例５を側面側から見た縦断面図である。 同斜視図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例５において使用する吸込みパイプの縦断面図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例５において使用する他の形態の吸込みパイプの縦断面図である。 本発明イオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機の実施例５において使用する更に他の形態の吸込みパイプの縦断面図である。

符号の説明

Ｐ 基板：
１ 円筒状フィルタ：
１ａ 濾材：
２ 軟Ｘ線放射管：
３ ケーシング：
４ イオン化ガス気流発生器本体：
５ 通気空間：
６ 空気供給口：
７ 空気供給管取付リング：
８ 密閉栓：
１０ 空気室：
１１ 区画板：
１２ 通気通路：
１３ 外周板：
１４ 長筒体：
１５・１６ 側壁板：
１７ 連通部：
１８ 噴き出し部：
１９ａ・１９ｂ 噴き出し用ガイド片：
２０ 突出部：
２０ａ 空間部：
２６ イオン化ガス気流：
３２ 塵：
３３ 浮遊塵：
４１ フラッパー：
４５ 吸込口：
４６ 排気通路：
４７ 吸込みダクト：
４９ 排気パイプ：
６１ 吸込みパイプ：
６５ 排気パイプ：
６６ 吸込孔：
７１ 濾材：
７２ 吸込みパイプ：

Claims (11)

1. 半導体基板または液晶基板の巾と略同一長さの円筒状フィルタが、軟Ｘ線放射管と共に断面多角形渦巻状の長筒体により形成されたケーシング内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体が形成され、且つ前記イオン化ガス気流発生器本体からのイオン化ガス気流を、前記半導体基板または液晶基板表面の幅方向に均一に噴き付け、塵と基板の電荷を電気的に中和して、浮遊塵の基板表面への付着を防止し、更に、前記イオン化ガス気流による基板表面との化学反応により、前記基板表面に付着した塵を除去することにより基板の表面を洗浄することを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
2. 半導体基板または液晶基板の巾と略同一長さの円筒状フィルタが、軟Ｘ線放射管と共にケーシング内に装置されてイオン化ガス気流発生器本体が形成され、
   前記円筒状フィルタは、濾材を円筒状に成型して長手方向中央に通気空間を設けると共に、一方側端部に空気供給管取付リングを固定し、且つ他方側端部に密閉栓を密着固定して形成され、
   前記ケーシングは、前記円筒状フィルタの外周に空気室が区画板を備えて設けられ、且つ該区画板の外周に通気通路を周設して外周板が設けられて、上面部が底面部より長い断面多角形渦巻状の長筒体により形成されると共に、前記長筒体の両端部はそれぞれ側壁板により閉塞され、更に前記底面部の一方側に位置する通気通路の基端部が前記空気室に連通されて連通部を設け、且つ前記底面部の他方側に位置する通気通路の噴き出し部に２本の噴き出し用ガイド片を、該底面部から下方へ突出するように突設する一方、前記通気通路の上面部に位置する外周板に突出部を長手方向全長に亘って突設して、該突出部の下面に空間部を設けて形成され、
   前記ケーシングの両側壁板に、前記円筒状フィルタの空気供給管取付リングと密閉栓の外周面が密に貫通固定されると共に、前記突出部の少なくともいずれか一方側に位置する側壁板に軟Ｘ線放射管を貫通固定したことを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
3. 請求項１または２記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、イオン化ガス気流発生器本体、または基板のいずれかを移動させることにより、基板の表面を洗浄することを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
4. 請求項１または２記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、イオン化ガス気流発生器本体から幅方向に均一に噴き出されるイオン化ガス気流に対して、基板を逆方向に移動させることにより、基板表面に噴き付けられるイオン化ガス気流速度を増加させて、基板の表面を洗浄することを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
5. 請求項２記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、ケーシングの底面部の他方側に位置する通気通路の噴き出し部に突設された２本の噴き出し用ガイド片のうち、前記底面部側の噴き出し用ガイド片に、該底面部側下面方向へ基板表面と平行して近接するフラッパーを延設したことを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
6. 請求項２記載のイオン化ガス気流による半導体基板、または液晶基板洗浄機において、ケーシングの底面部の他方側に位置する通気通路の噴き出し部に突設された２本の噴き出し用ガイド片を突設することなく、通気通路の噴き出し部の下端縁とケーシングの底面部とを面一としたことを特徴とするイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
7. イオン化ガス気流発生器本体から噴き出すイオン化ガス気流の下流側に、吸込口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、該イオン化ガス気流により基板から除去された塵を、前記吸込みダクトから吸込んで排気パイプを介して外部へ排気することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
8. イオン化ガス気流発生器本体から噴き出すイオン化ガス気流の下流側に、吸込口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、該イオン化ガス気流により基板から除去された塵を、前記吸込みダクトの排気通路内に設置された吸込みパイプの複数個の吸込孔から吸込んで、排気パイプを介して外部へ排気することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
9. 請求項８記載の吸込みパイプに穿設された複数個の吸込孔が、同一径に形成されると共に、排気パイプ方向へ行くに従って各吸込孔の間隔が徐々に粗になるよう形成されたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
10. 請求項８記載の吸込みパイプに穿設された複数個の吸込孔が、同一間隔で形成されると共に、排気パイプ方向へ行くに従って各吸込孔が徐々に小径となるように形成されたイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
11. イオン化ガス気流発生器本体から噴き出すイオン化ガス気流の下流側に、吸込口と排気通路を備えた吸込みダクトを設けて、該イオン化ガス気流により基板から除去された塵を、前記吸込みダクトの排気通路内に設置された圧力損失の高い濾材により形成された吸込みパイプから吸込んで、排気パイプを介して外部へ排気することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のイオン化ガス気流による半導体基板または液晶基板洗浄機。
    

Images