KR20120035033A - 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법 - Google Patents

이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법을 개시한 것으로서, 반도체 패키징 공정의 대상물에 기체를 분사하여 잔류 이물질을 비산시키고, 비산된 이물질을 흡입하여 제거하되, 이물질을 흡입하는 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 대상물 상의 흡입 영역에 기체를 분사하는 것을 특징으로 가진다.

Description

이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법{UNIT FOR REMOVING FOREIGN MATTER AND APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGING USING THE SAME}
본 발명은 반도체 패키징 공정에 사용되는 웨이퍼, 반도체 칩 또는 배선 기판에 잔류하는 이물질을 제거하는 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 반도체 소자의 특성에 따른 패턴을 형성하는 팹(FAB) 공정과, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(EDS) 공정과, 웨이퍼를 각각의 칩으로 가공하는 패키징(PACKAGING) 공정을 통해 제조된다.
패키징 공정에서, 웨이퍼, 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 반도체 칩, 그리고 반도체 칩이 실장되는 배선 기판은 공정 진행 과정에서 발생하는 이물질이나 공기 중의 이물질에 의한 오염을 최소화해야 한다.
본 발명은 이물질의 제거 효율을 향상시킬 수 있는 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 이물질 제거 유닛은, 반도체 패키징 공정의 대상물에 기체를 분사하는 분사 부재; 및 상기 분사 부재가 분사하는 상기 기체에 의해 상기 대상물로부터 비산되는 이물질을 흡입하는 흡입 부재를 포함하되, 상기 분사 부재는 상기 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 상기 대상물 상의 흡입 영역에 상기 기체를 분사한다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치는, 반도체 패키징 공정을 진행하는 공정 유닛; 및 상기 반도체 패키징 공정의 대상물에 잔류하는 이물질을 제거하도록 상기 공정 유닛에 제공되는 이물질 제거 유닛을 포함하되, 상기 이물질 제거 유닛은, 상기 대상물에 기체를 분사하는 분사 부재; 및 상기 분사 부재가 분사하는 상기 기체에 의해 상기 대상물로부터 비산되는 이물질을 흡입하는 흡입 부재를 포함하고, 상기 분사 부재는 상기 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 상기 대상물 상의 흡입 영역에 상기 기체를 분사한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 대상물은 이면이 연마된 웨이퍼를 포함하고, 상기 공정 유닛은, 연마된 이면이 위 방향을 향하도록 상기 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 척; 및 상기 웨이퍼 척에 놓인 상기 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프(Dicing Tape)를 부착하는 다이싱 테이프 부착기를 포함하고, 상기 이물질 제거 유닛은 상기 웨이퍼 척의 상부에 직선 이동 가능하게 설치되고, 상기 웨이퍼 척에 놓인 상기 웨이퍼의 이면에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 웨이퍼 척의 상부에 배치된 몸체에 일체로 제공되며, 상기 흡입 부재는, 상기 몸체의 하면에 상기 몸체의 길이 방향을 따라 길게 형성된 슬릿 형상의 흡입구를 포함하고, 상기 분사 부재는, 상기 몸체의 상기 하면에 상기 흡입구와 평행하게 일렬로 배열되고 상기 흡입구의 흡입력이 작용하는 상기 웨이퍼 이면의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된 분사 홀들을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 대상물은 개별 단위로 분리된 반도체 칩들과, 상기 반도체 칩들이 부착되는 배선 기판을 포함하고, 상기 공정 유닛은, 상기 배선 기판을 지지하는 가이드 레일; 상기 가이드 레일을 따라 상기 배선 기판을 이송하는 이송 부재; 상기 가이드 레일의 일 측에 배치되며, 상기 반도체 칩들을 유지하는 웨이퍼 링이 놓이는 테이프 확장기; 및 상기 웨이퍼 링에 의해 유지되는 상기 반도체 칩을 픽업하여 상기 배선 기판에 부착하는 칩 본딩기를 포함하고, 상기 이물질 제거 유닛은 상기 반도체 칩들과 상기 배선 기판에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 가이드 레일의 전단부 위에 배치된 하나의 몸체에 일체로 제공되며, 상기 흡입 부재는, 상기 몸체의 하면에 상기 가이드 레일과 교차하는 방향으로 길게 형성된 슬릿 형상의 흡입구를 포함하고, 상기 분사 부재는, 상기 흡입구의 양측에 상기 흡입구와 평행하게 위치되고 상기 흡입구의 흡입력이 작용하는 상기 배선 기판상의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된 슬릿 형상의 분사구들을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 가이드 레일의 전단부와 후단부 사이의 상기 배선 기판의 대기 위치 상부에 수평 이동가능하도록 배치되며, 상기 분사 부재는 상기 배선 기판에 수직하게 배치되고 상기 기체를 분사하는 내부관을 포함하고, 상기 흡입 부재는, 상기 내부관이 삽입되고 상기 내부관과의 사이에 제공된 공간을 통해 상기 배선 기판으로부터 비산되는 상기 이물질을 흡입하는 외부관을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 웨이퍼 링에 의해 유지되는 상기 반도체 칩들의 상부에 서로 마주보도록 배치되고, 상기 분사 부재는, 상기 칩 본딩기에 의해 픽업될 상기 반도체 칩을 향해 경사지게 상기 기체를 분사하는 분사 노즐을 포함하고, 상기 흡입 부재는, 몸체와, 상기 몸체의 하면에 상기 반도체 칩을 향해 경사지게 형성된 흡입 홀들을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 대상물은 반도체 칩들이 부착된 배선 기판을 포함하고, 상기 공정 유닛은, 상기 반도체 칩들이 부착된 상기 배선 기판을 지지하는 가이드 레일; 상기 가이드 레일을 따라 상기 배선 기판을 이송하는 이송 부재; 및 상기 배선 기판에 부착된 상기 반도체 칩과 상기 배선 기판의 단자들을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩기를 포함하고, 상기 흡입 부재는, 상기 가이드 레일과 교차하는 방향으로 길게 연장되고 상기 가이드 레일의 전단부 위에 배치된 몸체와, 상기 몸체의 하면에 상기 몸체의 길이 방향으로 형성된 슬릿 형상의 흡입구를 포함하고, 상기 분사 부재는, 상기 몸체와 평행하게 상기 몸체의 일측에 배치되는 분사관과, 상기 분사관의 하단부에 상기 분사관의 길이 방향으로 배열되고 상기 흡입구의 흡입력이 작용하는 상기 배선 기판상의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된 분사 홀들을 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키징 방법은, 반도체 패키징 공정의 대상물에 기체를 분사하는 것; 상기 기체에 의해 상기 대상물로부터 비산되는 이물질을 흡입하는 것; 및 상기 대상물에 대해 상기 반도체 패키징 공정을 진행하는 것을 포함하고, 상기 기체는 상기 이물질을 흡입하는 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 상기 대상물 상의 흡입 영역에 분사된다.
본 발명에 의하면, 반도체 패키징 공정에 사용되는 웨이퍼, 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 반도체 칩, 그리고 반도체 칩이 실장되는 배선 기판의 이물질에 의한 오염을 최소화할 수 있다.
그리고, 본 발명에 의하면, 이물질에 의한 반도체 패키징 공정의 불량을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 패키징 공정이 진행되는 작업 영역 내의 청정도를 향상시킬 수 있다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 이물질 제거 유닛의 측면도이다.
도 3은 도 1의 이물질 제거 유닛의 저면도이다.
도 4는 도 2의 A - A'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 제 1 이물질 제거 유닛의 확대도이다.
도 7은 제 1 이물질 제거 유닛의 저면도이다.
도 8은 도 6의 B - B'선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 5의 제 2 이물질 제거 유닛의 측면도이다.
도 10은 제 2 이물질 제거 유닛의 저면도이다.
도 11은 제 2 이물질 제거 유닛의 단면도이다.
도 12는 도 5의 제 3 이물질 제거 유닛의 측면도이다.
도 13은 도 12의 흡입 부재의 저면도이다.
도 14는 도 12의 흡입 부재의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치의 평면도이다.
도 16은 도 15의 이물질 제거 유닛의 사시도이다.
도 17은 도 16의 분사 부재의 사시도이다.
도 18은 도 15의 이물질 제거 유닛(340)의 단면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이물질 제거 유닛과, 이를 이용한 반도체 패키징 장치 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치는 반도체 패키징 공정을 진행하는 공정 유닛과, 공정 대상물 상의 잔류 이물질을 제거하도록 공정 유닛에 제공되는 이물질 제거 유닛을 포함한다.
일 예에 의하면, 반도체 패키징 장치는 다이싱 테이프 부착 장치일 수 있다. 다이싱 테이프 부착 장치는 웨이퍼의 연마된 이면에 다이싱 테이프를 부착하는 공정 유닛(즉, 다이싱 테이프 부착 유닛)과, 웨이퍼의 연마된 이면 상의 잔류 이물질을 제거하는 이물질 제거 유닛을 포함할 수 있다.
다른 예에 의하면, 반도체 패키징 장치는 반도체 칩 어태칭 장치일 수 있다. 반도체 칩 어태칭 장치는 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 반도체 칩을 배선 기판에 부착하는 공정 유닛(즉, 반도체 칩 어태칭 유닛)과, 배선 기판 및/또는 반도체 칩 상의 잔류 이물질을 제거하는 이물질 제거 유닛을 포함할 수 있다.
다른 예에 의하면, 반도체 패키징 장치는 와이어 본딩 장치일 수 있다. 와이어 본딩 장치는 배선 기판에 부착된 반도체 칩과 배선 기판의 단자들을 전기적으로 연결하는 공정 유닛(즉, 와이어 본딩 유닛)과, 배선 기판 및/또는 배선 기판에 부착된 반도체 칩 상의 잔류 이물질을 제거하는 이물질 제거 유닛을 포함할 수 있다.
이하에서는, 각각의 실시 예들에 따른 반도체 패키징 장치( 다이싱 테이프 부착 장치, 반도체 칩 어태칭 장치, 와이어 본딩 장치)에 대해 설명한다.
( 다이싱 테이프 부착 장치 )
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치(100)의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 패키징 장치(100)는 다이싱 테이프 부착 장치일 수 있다. 반도체 패키징 장치(100), 즉 다이싱 테이프 부착 장치는 다이싱 테이프 부착 유닛(120)과, 이물질 제거 유닛(140)을 포함한다. 다이싱 테이브 부착 유닛(120)은 웨이퍼(W)의 연마된 이면에 다이싱 테이프(Dicing Tape)를 부착한다. 이물질 제거 유닛(140)은 다이싱 테이프의 부착 전에 웨이퍼(W)의 연마된 이면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 또한, 이물질 제거 유닛(140)은 웨이퍼(W)가 놓이는 웨이퍼 척(122) 상의 잔류 이물질을 제거할 수 있다.
다이싱 테이프 부착 유닛(120)은 웨이퍼 척(122)과, 다이싱 테이프 부착기(124)를 포함한다. 웨이퍼 척(122)은 챔버(110)의 중앙에 배치되고, 웨이퍼 척(122)에는 연마된 이면이 위 방향을 향하도록 웨이퍼(W)가 놓인다. 다이싱 테이프 부착기(124)는 로울러 타입의 부착기일 수 있다. 다이싱 테이프 부착기(124)는, 다이싱 테이프가 감긴 로울러(125)의 길이 방향이 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록. 웨이퍼 척(122)의 일 측 상부에 제공된다. 다이싱 테이프 부착기(124)는 도시되지 않은 구동 부재에 의해 상승 및 하강될 수 있고, 제 1 방향(Ⅰ)에 수직한 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 직선 이동될 수 있다. 다이싱 테이프 부착기(124)는 웨이퍼 척(122)에 놓인 웨이퍼(W)의 상면(즉, 연마된 이면)을 가압한 상태에서 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동하면서 웨이퍼(W)의 상면에 다이싱 테이프를 부착한다.
다이싱 테이프의 부착시, 웨이퍼(W)의 상면에 이물질이 있으면, 이물질이 다이싱 테이프 부착기(124)의 가압력을 웨이퍼(W)에 집중시켜 웨이퍼(W) 상에 크랙(Crack)을 유발할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 이물질 제거 유닛(140)은 다이싱 테이프의 부착 전에 웨이퍼(W)의 상면에 있는 이물질을 제거한다. 이물질은 레이온(Rayon), 나일론(Nylon) 등과 같은 유기물 성분의 이물질이거나, 철, 니켈, 크롬, 알루미늄, 티타늄 등과 같은 금속 성분의 이물질일 수 있다.
이물질 제거 유닛(140)은 다이싱 테이프 부착기(124)와의 간섭이 일어나지 않도록 웨이퍼 척(122)의 일 측 상부에 제공되고, 이송 부재(160)에 의해 제 2 방향(Ⅱ)을 따라 직선 이동한다. 이송 부재(160)는 가이드 레일(162), 슬라이더(164) 및 연결 부재(166)를 포함한다. 가이드 레일(162)은 길이 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 웨이퍼 척(122)의 일 측에 배치된다. 슬라이더(164)는 가이드 레일(162)을 따라 직선 이동되도록 가이드 레일(162)에 결합되고, 슬라이더(164)에는 직선 구동력을 제공하는 구동기(미도시)가 제공될 수 있다. 연결 부재(166)는 슬라이더(164)에 이물질 제거 유닛(140)을 연결한다.
이송 부재(160)는 웨이퍼 척(122)의 상부 공간에서 이물질 제거 유닛(140)을 제 2 방향(Ⅱ)으로 직선 이동시키고, 이물질 제거 유닛(140)은 웨이퍼 척(122)에 놓인 웨이퍼(W)의 상면에 기체를 분사하고, 분사된 기체에 의해 비산된 이물질을 흡입한다.
도 2는 도 1의 이물질 제거 유닛(140)의 측면도이고, 도 3은 도 1의 이물질 제거 유닛(140)의 저면도이다. 그리고 도 4는 도 2의 A - A'선에 따른 단면도이다.
도 1과, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 이물질 제거 유닛(140)은 몸체(142), 분사 부재(144), 흡입 부재(146), 그리고 자석 부재(148)를 포함한다. 몸체(142)는 직육면체 형상을 가질 수 있으며, 그 길이 방향이 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록 웨이퍼 척(122) 일측의 상부 공간에 배치된다. 분사 부재(144)와 흡입 부재(146)는 몸체(142)에 일체로 제공될 수 있다. 분사 부재(144)는 웨이퍼(W)의 상면에 기체, 예를 들어 공기를 분사하고, 흡입 부재(146)는 분사 부재(144)가 분사하는 기체에 의해 웨이퍼(W)의 상면으로부터 비산되는 이물질을 흡입한다.
흡입 부재(146)는 몸체(142)의 하면에 몸체(142)의 길이 방향을 따라 길게 형성된 슬릿 형상의 흡입구(146-1)를 가진다. 몸체(142)의 내부에는 흡입구(146-1)와 유체 연결되는 흡입 공간(146-2)이 형성되고, 몸체(142)의 상면에는 흡입 공간(146-2)에 연결되도록 유출 포트들(146-3a,146-3b,146-3c)이 각각 결합된다. 유출 포트들(146-3a,146-3b,146-3c)에는 흡입기(미도시)가 진공 라인(미도시)에 의해 연결된다.
분사 부재는(144)는 몸체(142)의 하면에 형성된 복수 개의 분사 홀들(144-1)을 가진다. 분사 홀들(144-1)은 흡입구(146-1)와 평행하게 몸체(142)의 하면에 일렬로 배열된다. 분사 홀들(144-1)은 흡입구(146-1)의 흡입력이 작용하는 웨이퍼(W)의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된다. 몸체(142)의 내부에는 분사 홀들(144-1)과 유체 연결되는 버퍼 공간(144-2)이 형성되고, 몸체(142)의 좌우 측면에는 버퍼 공간(144-2)에 연결되도록 유입 포트들(144-3a,144-3b)이 각각 결합된다. 유입 포트들(144-3a,144-3b)에는 기체 공급기(미도시)가 공급 라인(미도시)에 의해 연결된다.
자석 부재(148)는 흡입구(146-1)를 중심으로 분사 홀들(144-1)의 반대쪽에 위치하도록 몸체(142)의 하면에 배치된다. 자석 부재(148)는 막대 형상으로 제공될 수 있다. 자석 부재(148)는 분사 홀들(144-1)이 분사하는 기체에 의해 웨이퍼의 상면으로부터 비산되는 금속 성분의 이물질에 자력을 작용한다. 비산된 금속 성분의 이물질은 자석 부재(148)의 자력에 의해 자석 부재(148)에 부착된다.
기체 공급기(미도시)로부터 공급되는 기체는 유입 포트들(144-3a,144-3b)을 통해 버퍼 공간(144-2)으로 유입된다. 버퍼 공간(144-2) 내의 기체는 분사 홀들(144-1)을 통해 웨이퍼(W) 상면의 일정 영역, 즉 흡입구(146-1)의 흡입력이 작용하는 웨이퍼(W)의 흡입 영역에 분사된다. 분사 기체는 웨이퍼(W) 상면에 잔류하는 이물질을 비산시킨다. 비산된 이물질은 흡입구(146-1)를 통해 작용하는 흡입력에 의해 흡입구(146-1)로 흡입된다. 흡입구(146-1)로 흡입되는 이물질은 흡입 공간(146-2)을 경유하여 유출 포트들(146-3a,146-3b,146-3c)을 통해 배출된다. 비산된 이물질 중 금속 성분의 이물질은 일부는 흡입구(146-1)로 유입되고, 나머지 일부는 자석 부재(148)에 부착된다.
본 발명의 실시 예에 따른 이물질 제거 유닛(140)에 있어서, 기체는 흡입구(146-1)의 흡입력이 작용하는 웨이퍼(W)의 흡입 영역에 분사되므로, 비산된 이물질은 흡입구(146-1)의 흡입력에 의해 형성되는 기류로 유입되어 흡입구(146-1)로 흡입될 수 있다. 따라서, 오염원으로 작용할 수 있는 비산된 이물질이 웨이퍼 상면에 다시 부착되거나 챔버(110) 내의 다른 영역으로 확산되는 것을 최소화할 수 있다.
( 반도체 칩 어태칭 장치 )
도 5는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치(200)의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 반도체 패키징 장치(200)는 반도체 칩 어태칭 장치일 수 있다. 반도체 패키징 장치(200), 즉 반도체 칩 어태칭 장치는 반도체 칩 어태칭 유닛(220)과, 이물질 제거 유닛들(240,240',240")을 포함한다. 반도체 칩 어태칭 유닛(220)은 다이싱 테이프가 부착된 웨이퍼로부터 개별 단위로 분리된 반도체 칩(C)을 배선 기판(P)에 부착한다. 이물질 제거 유닛들(240,240',240")은 반도체 칩 어태칭 공정 전에 배선 기판(P) 및/또는 반도체 칩(C) 상에 잔류하는 이물질을 제거한다.
반도체 칩 어태칭 유닛(220)은 가이드 레일(221), 이송 부재(222), 공급 용기(223), 수납 용기(224), 테이프 확장기(225) 및 칩 본딩기(226)를 포함한다.
가이드 레일(221)은 배선 기판(P)을 지지하고, 이송 부재(222)에 의해 이송되는 배선 기판(P)을 안내한다. 가이드 레일(221)은 길이 방향이 배선 기판(P)의 이송 방향, 즉 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록 정렬되고, 배선 기판(P)의 네 변 중 길이 방향을 따르는 변의 가장자리부를 지지한다. 이송 부재(222)는 가이드 레일(221) 상에 제공되고, 가이드 레일(221)에 의해 지지된 배선 기판(P)을 제 1 방향(Ⅰ)으로 이송시킨다.
공급 용기(223)는, 제 1 방향(Ⅰ)을 기준으로, 가이드 레일(221)의 전방에 제공되고, 수납 용기(224)는 가이드 레일(221)의 후방에 제공된다. 공급 용기(223)는 반도체 칩이 부착될 배선 기판을 수용하고, 공급 용기(223) 내의 배선 기판은 별도의 공급 부재(미도시)에 의해 가이드 레일(221)로 공급된다. 수납 용기(224)는 가이드 레일(221)을 통해 전달되는 반도체 칩이 부착된 배선 기판을 수납한다.
테이프 확장기(225)는 가이드 레일(221)의 일 측에 배치되고, 테이프 확장기(225)에는 반도체 칩들(C)을 유지하는 웨이퍼 링(R)이 놓인다. 테이프 확장기(225)는 도시되지 않은 구동 부재에 의해 제 1 방향(Ⅰ)과, 제 1 방향(Ⅰ)에 수직한 제 2 방향(Ⅱ)으로 이동될 수 있다. 칩 본딩기(226)는 웨이퍼 링(R)에 의해 유지되는 반도체 칩(C)을 픽업(Pick-up)하여, 배선 기판(P)상에 반도체 칩(C)을 부착한다.
반도체 칩(C)을 배선 기판(P)에 부착하거나 기존의 반도체 칩 위에 적층할 때, 배선 기판(P)의 상면이나 반도체 칩(C)의 상면에 이물질이 있으면, 이물질이 칩 본딩기(226)의 가압력을 반도체 칩(C)에 집중시켜 반도체 칩(C)에 크랙(Crack)을 유발할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 이물질 제거 유닛들(240,240',240")은 반도체 칩의 어태칭 전에 배선 기판과 반도체 칩의 상면에 있는 이물질을 제거한다. 이물질은 레이온(Rayon), 나일론(Nylon) 등과 같은 유기물 성분의 이물질이거나, 철, 니켈, 크롬, 알루미늄, 티타늄 등과 같은 금속 성분의 이물질일 수 있다.
이물질 제거 유닛들(240,240',240")은 가이드 레일(221) 상의 복수의 위치들과, 웨이퍼 링(R)의 상부에 배치될 수 있다. 제 1 이물질 제거 유닛(240)은 가이드 레일(221)의 전단부 위에 배치되고, 공급 용기(223)로부터 가이드 레일(221)로 전달되는 배선 기판(P) 상의 이물질을 제거한다. 제 2 이물질 제거 유닛(240')은 가이드 레일(221)의 전단부와 후단부 사이의 배선 기판의 대기 위치 위에 배치되고, 공정 대기 중인 배선 기판(P) 상의 이물질을 제거한다. 제 3 이물질 제거 유닛(240")은 웨이퍼 링(R)의 상부에 배치되고, 배선 기판(P)에 부착될 반도체 칩(C) 상의 이물질을 제거한다. 이물질 제거 유닛들(240,240',240")은 배선 기판(P) 및/또는 반도체 칩(C)에 기체를 분사하고, 분사된 기체에 의해 비산된 이물질을 흡입한다.
도 6은 도 5의 제 1 이물질 제거 유닛(240)의 확대도이고, 도 7은 제 1 이물질 제거 유닛의 저면도이다. 그리고, 도 8은 도 6의 B - B'선에 따른 단면도이다.
도 5와, 도 6 내지 도 8을 참조하면, 제 1 이물질 제거 유닛(240)은 몸체(242), 분사 부재(244), 흡입 부재(246), 그리고 자석 부재(248)를 포함한다. 몸체(242)는 직육면체 형상을 가질 수 있으며, 그 길이 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 가이드 레일(221)의 전단부 위에 배치된다. 분사 부재(244)와 흡입 부재(246)는 몸체(242)에 일체로 제공될 수 있다. 분사 부재(244)는 배선 기판(P)의 상면에 기체, 예를 들어 공기를 분사하고, 흡입 부재(246)는 분사 부재(244)가 분사하는 기체에 의해 배선 기판(P)의 상면으로부터 비산되는 이물질을 흡입한다.
흡입 부재(246)는 몸체(242)의 하면 중심부에 몸체(242)의 길이 방향을 따라 길게 형성된 슬릿 형상의 흡입구(246-1)를 가진다. 몸체(242)의 내부에는 흡입구(246-1)와 유체 연결되는 흡입 공간(246-2)이 형성되고, 몸체(242)의 상면에는 흡입 공간(246-2)에 연결되도록 유출 포트(246-3)이 결합된다. 유출 포트(246-3)에는 흡입기(미도시)가 진공 라인(미도시)에 의해 연결된다.
분사 부재(244)는 몸체(242) 하면의 흡입구(246-1) 양측에 몸체(242)의 길이 방향을 따라 길게 형성된 슬릿 형상의 분사구들(244-1a, 244-1b)을 가진다. 분사구들(244-1a, 244-1b)은 흡입구(246-1)와 평행하게 제공된다. 분사구들(244-1a, 244-1b)은 흡입구(246-1)의 흡입력이 작용하는 배선 기판(P)의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된다. 몸체(242)의 내부에는 제 1 분사구(244-1a)와 유체 연결되는 제 1 버퍼 공간(244-2a)이 형성되고, 몸체(242)의 상면에는 제 1 버퍼 공간(244-2a)에 연결되도록 제 1 유입 포트(244-3a)가 결합된다. 제 1 유입 포트(244-3a)에는 기체 공급기(미도시)가 공급 라인(미도시)에 의해 연결된다. 몸체(242)의 내부에는 제 2 분사구(244-1b)와 유체 연결되는 제 2 버퍼 공간(244-2b)이 형성되고, 몸체(242)의 상면에는 제 2 버퍼 공간(244-2b)에 연결되도록 제 2 유입 포트(244-3b)가 결합된다. 제 2 유입 포트(244-3b)에는 기체 공급기(미도시)가 공급 라인(미도시)에 의해 연결된다.
자석 부재(248)는 흡입구(246-1)를 기준으로 분사구들(244-1a,244-1b)의 바깥쪽에 위치하도록 몸체(242)의 하면에 배치된다. 자석 부재(248)는 분사구들(244-1a,244-1b)이 분사하는 기체에 의해 배선 기판(P)의 상면으로부터 비산되는 금속 성분의 이물질에 자력을 작용한다. 비산된 금속 성분의 이물질은 자석 부재(248)의 자력에 의해 자석 부재(248)에 부착된다.
기체 공급기(미도시)로부터 공급되는 기체는 유입 포트들(244-3a,244-3b)을 통해 버퍼 공간들(244-2a,244-2b)로 유입된다. 버퍼 공간들(244-2a,244-2b) 내의 기체는 분사구들(244-1a,244-1b)을 통해 배선 기판(P) 상면의 일정 영역, 즉 흡입구(246-1)의 흡입력이 작용하는 배선 기판(P)의 흡입 영역에 분사된다. 분사 기체는 배선 기판(P) 상면에 잔류하는 이물질을 비산시킨다. 비산된 이물질은 흡입구(246-1)를 통해 작용하는 흡입력에 의해 흡입구(246-1)로 흡입된다. 흡입구(246-1)로 흡입되는 이물질은 흡입 공간(246-2)을 경유하여 유출 포트(246-3)를 통해 배출된다. 비산된 이물질 중 금속 성분의 이물질은 일부는 흡입구(246-1)로 유입되고, 나머지 일부는 자석 부재(248)에 부착된다.
본 발명의 실시 예에 따른 제 1 이물질 제거 유닛(240)에 있어서, 기체는 흡입구(246-1)의 흡입력이 작용하는 배선 기판(P)의 흡입 영역에 분사되므로, 비산된 이물질은 흡입구(246-1)의 흡입력에 의해 형성되는 기류로 유입되어 흡입구(246-1)로 흡입될 수 있다. 따라서, 오염원으로 작용할 수 있는 비산된 이물질이 배선 기판 상면에 다시 부착되거나 설비 내의 다른 영역으로 확산되는 것을 최소화할 수 있다.
도 9는 도 5의 제 2 이물질 제거 유닛(240')의 측면도이고, 도 10은 제 2 이물질 제거 유닛(240')의 저면도이다. 그리고, 도 11은 제 2 이물질 제거 유닛(240')의 단면도이다.
도 5와, 도 9 내지 도 11을 참조하면, 제 2 이물질 제거 유닛(240')은 가이드 레일(221)의 전단부와 후단부 사이의 배선 기판의 대기 위치 상부에 배치되고, 도시되지 않은 구동 부재에 의해 배선 기판(P)의 상부에서 제 1 방향(Ⅰ)과 제 2 방향(Ⅱ)으로 수평 이동된다. 제 2 이물질 제거 유닛(240')은 분사 부재(244')와 흡입 부재(246')를 포함한다. 분사 부재(244')는 배선 기판(P)의 상면에 기체, 예를 들어 공기를 분사하고, 흡입 부재(246')는 분사 부재(244')가 분사하는 기체에 의해 배선 기판(P)의 상면으로부터 비산되는 이물질을 흡입한다.
분사 부재(244')는 내부관(244'-1)과 유입 포트(244'-2)를 포함한다. 내부관(244'-1)은 가이드 레일(221) 상의 배선 기판(P)에 수직하게 배치되고 배선 기판(P)을 향해 기체를 분사한다. 내부관(244'-1)의 상단에는 유입 포트(244'-2)가 결합된다. 유입 포트(244'-2)에는 기체 공급기(미도시)가 공급 라인(미도시)에 의해 연결된다.
흡입 부재(246')는 외부관(246'-1)과 유출 포트(246'-2)를 포함한다. 외부관(246'-1)은 내측에 내부관(244'-1)이 삽입되도록 내부관(244'-1)을 둘러싼다. 외부관(246'-1)의 외 측면에는 유출 포트(246'-2)가 결합된다. 유출 포트(246'-2)에는 흡입기(미도시)가 진공 라인(미도시)에 의해 연결된다. 배선 기판으로부터 비산된 이물질은 외부관(246'-1)과 내부관(244'-1) 사이에 제공된 공간을 통해 외부관으로 흡입된다. 한편, 내부관(244'-1)의 끝단은 외부관(246'-1)의 길이 방향으로 외부관(246'-1)의 끝단 내측에 위치할 수 있다.
기체 공급기(미도시)로부터 공급되는 기체는 유입 포트(244'-2)를 통해 내부관(244'-1)으로 유입된다. 내부관(244'-1) 내의 기체는 배선 기판(P) 상면에 분사된다. 분사 기체는 배선 기판(P) 상면에 잔류하는 이물질을 비산시킨다. 비산된 이물질은 외부관(246'-1)과 내부관(244'-1) 사이의 공간을 통해 작용하는 흡입력에 의해 외부관(246'-1)과 내부관(244'-1) 사이의 공간으로 흡입된다. 외부관(246'-1)과 내부관(244'-1) 사이의 공간으로 흡입되는 이물질은 유출 포트(246'-2)를 통해 배출된다.
도 12는 도 5의 제 3 이물질 제거 유닛(240")의 측면도이고, 도 13은 도 12의 흡입 부재의 저면도이다. 그리고, 도 14는 도 12의 흡입 부재의 단면도이다.
도 5와, 도 12 내지 도 14를 참조하면, 제 3 이물질 제거 유닛(240")은 분사 부재(244")와 흡입 부재(246")를 포함한다. 분사 부재(244")와 흡입 부재(246")는 웨이퍼 링(R)에 의해 유지되는 반도체 칩들(C)의 상부에 칩 본딩기(226)를 중심으로 서로 마주보도록 배치된다. 분사 부재(244")는 칩 본딩기(226)에 의해 픽업될 반도체 칩(C)을 향해 경사지게 기체를 분사하는 분사 노즐로 제공될 수 있다. 흡입 부재(246")는 속이 빈 내부 공간을 가지는 몸체(246"-1)와, 몸체(246"-1)의 하면에 반도체 칩(C)을 향해 경사지게 형성된 흡입 홀들(246"-2)과, 몸체(246"-1)의 상면에 결합된 유출 포트(246"-3)을 포함한다.
분사 부재(244")는 칩 본딩기(226)에 의해 픽업될 반도체 칩(C)의 상면에 기체, 예를 들어 공기를 분사한다. 분사 기체는 반도체 칩(C) 상면에 잔류하는 이물질을 비산시킨다. 비산된 이물질은 흡입 부재(246")의 흡입 홀들(246"-2)을 통해 작용하는 흡입력에 의해 흡입 부재(246")의 몸체(246"-1) 내부 공간으로 흡입된다. 몸체(246"-1) 내부 공간으로 흡입된 이물질은 유출 포트(246"-3)를 통해 배출된다.
( 와이어 본딩 장치 )
도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 반도체 패키징 장치(300)의 평면도이다.
도 15를 참조하면, 반도체 패키징 장치(300)는 와이어 본딩 장치일 수 있다. 반도체 패키징 장치(300), 즉 와이어 본딩 장치는 와이어 본딩 유닛(320)과, 이물질 제거 유닛(340)을 포함한다. 와이어 본딩 유닛(320)은 배선 기판(P)에 부착된 반도체 칩(C)의 패드와 배선 기판의 단자들을 전기적으로 연결한다. 이물질 제거 유닛(340)은 와이어 본딩 공정 전에 배선 기판(P)과 반도체 칩(C) 상에 잔류하는 이물질을 제거한다.
와이어 본딩 유닛(320)은 가이드 레일(321), 이송 부재(322), 공급 용기(323), 수납 용기(324), 와이어 본딩기(325)를 포함한다. 가이드 레일(321)은 반도체 칩(C)이 부착된 배선 기판(P)을 지지하고, 이송 부재(322)에 의해 이송되는 배선 기판(P)을 안내한다. 가이드 레일(321)은 길이 방향이 배선 기판(P)의 이송 방향, 즉 제 1 방향(Ⅰ)을 향하도록 정렬되고, 배선 기판(P)의 네 변 중 길이 방향을 따르는 변의 가장자리부를 지지한다. 이송 부재(322)는 가이드 레일(321) 상에 제공되고, 가이드 레일(321)에 의해 지지된 배선 기판(P)을 이송한다.
공급 용기(323)는, 제 1 방향(Ⅰ)을 기준으로, 가이드 레일(321)의 전방에 제공되고, 수납 용기(324)는 가이드 레일(321)의 후방에 제공된다. 공급 용기(223)는 반도체 칩(C)이 부착된 배선 기판(P)을 수용하고, 공급 용기(323) 내의 배선 기판은 별도의 공급 부재(미도시)에 의해 가이드 레일(321)로 공급된다. 수납 용기(324)는 가이드 레일(321)을 통해 전달되는 와이어 본딩 공정이 진행된 배선 기판(P)을 수납한다. 와이어 본딩기(325)는 배선 기판에 부착된 반도체 칩의 패드와 배선 기판의 단자들을 전기적으로 연결한다.
와이어 본딩 공정의 진행시, 반도체 칩의 패드와 배선 기판의 단자들에 이물질이 있으면, 이물질은 패드 및 단자들과 와이어 사이의 접착력을 저하시켜 와이어 본딩 공정의 불량을 유발할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 이물질 제거 유닛들(340)은 와이어 본딩 전에 반도체 칩의 패드와 배선 기판의 단자들에 있는 이물질을 제거한다. 이물질은 레이온(Rayon), 나일론(Nylon) 등과 같은 유기물 성분의 이물질이거나, 철, 니켈, 크롬, 알루미늄, 티타늄 등과 같은 금속 성분의 이물질일 수 있다.
이물질 제거 유닛(340)은 가이드 레일(321)의 전단부 위에 배치되고, 공급 용기(323)로부터 가이드 레일(321)로 전달되는 반도체 칩(C)이 부착된 배선 기판(P) 상의 이물질을 제거한다. 이물질 제거 유닛(340)은 반도체 칩(C)이 부착된 배선 기판(P)에 기체를 분사하고, 분사된 기체에 의해 비산된 이물질을 흡입한다.
도 16은 도 15의 이물질 제거 유닛(340)의 사시도이고, 도 17은 도 16의 분사 부재의 사시도이다. 그리고, 도 18은 도 15의 이물질 제거 유닛(340)의 단면도이다.
도 15 및 도 16 내지 도 18을 참조하면, 이물질 제거 유닛(340)은 분사 부재(344)와, 흡입 부재(346) 포함한다. 분사 부재(344)와 흡입 부재(346)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Ⅱ)을 향하도록 가이드 레일(321)의 전단부 위에 배치된다. 분사 부재(344)는 반도체 칩(C)이 부착된 배선 기판(P)에 기체, 예를 들어 공기를 분사하고, 흡입 부재(346)는 분사 부재(344)가 분사하는 기체에 의해 배선 기판(P)으로부터 비산되는 이물질을 흡입한다.
흡입 부재(346)는 몸체(346-1), 흡입구(346-2), 그리고 유출 포트(346-3)를 포함한다. 몸체(346-1)는 제 2 방향(Ⅱ)으로 길게 연장되고, 몸체(346-1)의 내부에는 흡입 공간이 제공된다. 몸체(346-1)는 가이드 레일(321)의 전단부 위에 배치된다. 흡입구(346-2)는 몸체(346-1)의 하면에 몸체(346-1)의 길이 방향을 따라 슬릿 형상으로 형성된다. 유출 포트(346-3)는 흡입 공간과 연결되도록 몸체(346-1)의 상면에 제공된다.
분사 부재(344)는 분사관(344-1)과, 분사 홀들(344-2)을 포함한다. 분사관(344-1)은 몸체(346-1)와 평행하게 몸체(346-1)의 일측에 배치된다. 분사관(344-1)은 연결 부재(347)에 의해 흡입 부재(346)의 몸체(346-1)에 연결될 수 있다. 분사 홀들(344-2)은 분사관(344-1)의 길이 방향을 따라 일렬로 형성될 수 있다. 분사관(344-1)은 분사 홀들(344-2)이 흡입구(346-2)의 흡입력이 작용하는 배선 기판(P)상의 흡입 영역을 향하도록 배치될 수 있다.
분사 부재(344)는 공급 용기(323)로부터 가이드 레일(321)로 전달되는 반도체 칩(C)이 부착된 배선 기판(P)에 기체, 예를 들어 공기를 분사한다. 분사 기체는 반도체 칩(C)과 배선 기판(P) 상에 잔류하는 이물질을 비산시킨다. 비산된 이물질은 흡입 부재(346)의 흡입구(346-2)를 통해 작용하는 흡입력에 의해 흡입 부재(346)의 몸체(346-1) 내부의 흡입 공간으로 흡입된다. 몸체(346-1)의 흡입 공간으로 흡입된 이물질은 유출 포트(346-3)를 통해 배출된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 다이싱 테이프 부착 장치
200: 반도체 칩 어태칭 장치
300: 와이어 본딩 장치
140, 240, 240', 240", 340: 이물질 제거 유닛
144, 244, 244', 244", 344: 분사 부재
146, 246, 246', 246", 346: 흡입 부재

Claims (10)

  1. 대상물에 기체를 분사하는 분사 부재; 및
    상기 분사 부재가 분사하는 상기 기체에 의해 상기 대상물로부터 비산되는 이물질을 흡입하는 흡입 부재를 포함하되,
    상기 분사 부재는 상기 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 상기 대상물 상의 흡입 영역에 상기 기체를 분사하는 것을 특징으로 하는 이물질 제거 유닛.
  2. 반도체 패키징 공정을 진행하는 공정 유닛; 및
    상기 반도체 패키징 공정의 대상물에 잔류하는 이물질을 제거하도록 상기 공정 유닛에 제공되는 이물질 제거 유닛을 포함하되,
    상기 이물질 제거 유닛은,
    상기 대상물에 기체를 분사하는 분사 부재; 및
    상기 분사 부재가 분사하는 상기 기체에 의해 상기 대상물로부터 비산되는 이물질을 흡입하는 흡입 부재를 포함하고,
    상기 분사 부재는 상기 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 상기 대상물 상의 흡입 영역에 상기 기체를 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 대상물은 이면이 연마된 웨이퍼를 포함하고,
    상기 공정 유닛은,
    연마된 이면이 위 방향을 향하도록 상기 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 척; 및
    상기 웨이퍼 척에 놓인 상기 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프(Dicing Tape)를 부착하는 다이싱 테이프 부착기를 포함하고,
    상기 이물질 제거 유닛은 상기 웨이퍼 척의 상부에 직선 이동 가능하게 설치되고, 상기 웨이퍼 척에 놓인 상기 웨이퍼의 이면에 잔류하는 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 웨이퍼 척의 상부에 배치된 몸체에 일체로 제공되며,
    상기 흡입 부재는, 상기 몸체의 하면에 상기 몸체의 길이 방향을 따라 길게 형성된 슬릿 형상의 흡입구를 포함하고,
    상기 분사 부재는, 상기 몸체의 상기 하면에 상기 흡입구와 평행하게 일렬로 배열되고 상기 흡입구의 흡입력이 작용하는 상기 웨이퍼 이면의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된 분사 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 대상물은 개별 단위로 분리된 반도체 칩들과, 상기 반도체 칩들이 부착되는 배선 기판을 포함하고,
    상기 공정 유닛은,
    상기 배선 기판을 지지하는 가이드 레일;
    상기 가이드 레일을 따라 상기 배선 기판을 이송하는 이송 부재;
    상기 가이드 레일의 일 측에 배치되며, 상기 반도체 칩들을 유지하는 웨이퍼 링이 놓이는 테이프 확장기; 및
    상기 웨이퍼 링에 의해 유지되는 상기 반도체 칩을 픽업하여 상기 배선 기판에 부착하는 칩 본딩기를 포함하고,
    상기 이물질 제거 유닛은 상기 반도체 칩들과 상기 배선 기판에 잔류하는 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 가이드 레일의 전단부 위에 배치된 하나의 몸체에 일체로 제공되며,
    상기 흡입 부재는, 상기 몸체의 하면에 상기 가이드 레일과 교차하는 방향으로 길게 형성된 슬릿 형상의 흡입구를 포함하고,
    상기 분사 부재는, 상기 흡입구의 양측에 상기 흡입구와 평행하게 위치되고 상기 흡입구의 흡입력이 작용하는 상기 배선 기판상의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된 슬릿 형상의 분사구들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 가이드 레일의 전단부와 후단부 사이의 상기 배선 기판의 대기 위치 상부에 수평 이동가능하도록 배치되며,
    상기 분사 부재는 상기 배선 기판에 수직하게 배치되고 상기 기체를 분사하는 내부관을 포함하고,
    상기 흡입 부재는, 상기 내부관이 삽입되고 상기 내부관과의 사이에 제공된 공간을 통해 상기 배선 기판으로부터 비산되는 상기 이물질을 흡입하는 외부관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 분사 부재와 상기 흡입 부재는 상기 웨이퍼 링에 의해 유지되는 상기 반도체 칩들의 상부에 서로 마주보도록 배치되고,
    상기 분사 부재는, 상기 칩 본딩기에 의해 픽업될 상기 반도체 칩을 향해 경사지게 상기 기체를 분사하는 분사 노즐을 포함하고,
    상기 흡입 부재는, 몸체와, 상기 몸체의 하면에 상기 반도체 칩을 향해 경사지게 형성된 흡입 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 대상물은 반도체 칩들이 부착된 배선 기판을 포함하고,
    상기 공정 유닛은,
    상기 반도체 칩들이 부착된 상기 배선 기판을 지지하는 가이드 레일;
    상기 가이드 레일을 따라 상기 배선 기판을 이송하는 이송 부재; 및
    상기 배선 기판에 부착된 상기 반도체 칩과 상기 배선 기판의 단자들을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩기를 포함하고,
    상기 흡입 부재는, 상기 가이드 레일과 교차하는 방향으로 길게 연장되고 상기 가이드 레일의 전단부 위에 배치된 몸체와, 상기 몸체의 하면에 상기 몸체의 길이 방향으로 형성된 슬릿 형상의 흡입구를 포함하고,
    상기 분사 부재는, 상기 몸체와 평행하게 상기 몸체의 일측에 배치되는 분사관과, 상기 분사관의 하단부에 상기 분사관의 길이 방향으로 배열되고 상기 흡입구의 흡입력이 작용하는 상기 배선 기판상의 흡입 영역을 향해 경사지게 형성된 분사 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 장치.
  10. 반도체 패키징 공정의 대상물에 기체를 분사하는 것;
    상기 기체에 의해 상기 대상물로부터 비산되는 이물질을 흡입하는 것; 및
    상기 대상물에 대해 상기 반도체 패키징 공정을 진행하는 것을 포함하되,
    상기 기체는 상기 이물질을 흡입하는 흡입 부재의 흡입력이 작용하는 상기 대상물 상의 흡입 영역에 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징 방법.
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