JPS636511A - 自動焦点調整装置 - Google Patents
自動焦点調整装置Info
- Publication number
- JPS636511A JPS636511A JP61149532A JP14953286A JPS636511A JP S636511 A JPS636511 A JP S636511A JP 61149532 A JP61149532 A JP 61149532A JP 14953286 A JP14953286 A JP 14953286A JP S636511 A JPS636511 A JP S636511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- lens
- projection
- micrometer
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Variable Magnification In Projection-Type Copying Machines (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、空気力学的方法を応用した自動焦点調整装置
に係り、縮小投影露光装置など、特にサブミクロン以下
のレベルで用いられる自動焦点調整装置に好適な流体マ
イクロメータに関する。
に係り、縮小投影露光装置など、特にサブミクロン以下
のレベルで用いられる自動焦点調整装置に好適な流体マ
イクロメータに関する。
（従来の技術〕
空気力学的自動焦点合せ機構を有する従来の装置は、特
開昭５１−３６００２号公報に記載のように投影レンズ
光路路間口部を利用した流体マイクロメータ検出器を備
えた自動焦点調整装置である。
開昭５１−３６００２号公報に記載のように投影レンズ
光路路間口部を利用した流体マイクロメータ検出器を備
えた自動焦点調整装置である。
しかし、この公知例では第３図に示す如く、投影レンズ
１に流体マイクロメータ検出器２を取付け、投影レンズ
１．流体マイクロメータ検出器２を一体構造としている
。このため個々の投影レンズ固有の特性に合せ投影レン
ズ１を上下させる際に流体 羽Ｉ ′ 刷側伯： マイクロメータ検出器２の検出感度が最適となるようウ
ェーハ３上面と流体マイクロメータ検出器２との間隙ａ
を調整する点については配慮されていなかった。
１に流体マイクロメータ検出器２を取付け、投影レンズ
１．流体マイクロメータ検出器２を一体構造としている
。このため個々の投影レンズ固有の特性に合せ投影レン
ズ１を上下させる際に流体 羽Ｉ ′ 刷側伯： マイクロメータ検出器２の検出感度が最適となるようウ
ェーハ３上面と流体マイクロメータ検出器２との間隙ａ
を調整する点については配慮されていなかった。
また、投影レンズ１を通過する露光光束１ｏを妨げない
ように流体マイクロメータ検出器２の検出口を露光光束
の点近傍に配置しているが、露光光束１０の露光域１５
そのものの検出ではないためサブミクロン以下の焦点検
出においての誤差要因については配慮されていない。
ように流体マイクロメータ検出器２の検出口を露光光束
の点近傍に配置しているが、露光光束１０の露光域１５
そのものの検出ではないためサブミクロン以下の焦点検
出においての誤差要因については配慮されていない。
本発明は１個々の投影レンズ固有の特性に合せレンズを
上下させる際にウェーハと流体マイクロメータ検出器と
の間隙が最適検出器位置で一定となるようにすることを
目的に流体マイクロメータ検出器を上下、傾斜を必要と
する投影レンズに直接取り付けることをやめ、架体に取
付けるものである。
上下させる際にウェーハと流体マイクロメータ検出器と
の間隙が最適検出器位置で一定となるようにすることを
目的に流体マイクロメータ検出器を上下、傾斜を必要と
する投影レンズに直接取り付けることをやめ、架体に取
付けるものである。
また、より正確な自動焦点調整を行うことは。
露光域の近傍を検出することにより露光域そのものの検
出を行うことにあり、また露光光束を妨げないで露光域
そのものを検出することは、露光直前に焦点検出を行い
、露光時には露光光束を妨げない位置に待避させるもの
である。
出を行うことにあり、また露光光束を妨げないで露光域
そのものを検出することは、露光直前に焦点検出を行い
、露光時には露光光束を妨げない位置に待避させるもの
である。
流体マイクロメータ検出器を架体に取付けることにより
個々投影レンズの特性である焦点位置。
個々投影レンズの特性である焦点位置。
レンズの歪などを修正するため上下、傾斜を与える際、
流体マイクロメータ検出器の姿勢変動が生じない、その
ため検出器は検出感度が最適とされている間隙ａを保っ
ているため従来の間隙修正作業を必要としない。
流体マイクロメータ検出器の姿勢変動が生じない、その
ため検出器は検出感度が最適とされている間隙ａを保っ
ているため従来の間隙修正作業を必要としない。
自動焦点調整の検出精度を向上させるため、流体マイク
ロメータを移動可能なものとし、露光時には露光光束を
妨げないように配置し、焦点検出時には露光域そのもの
を検出するよう露光と焦点検出を別々に行うこととした
。
ロメータを移動可能なものとし、露光時には露光光束を
妨げないように配置し、焦点検出時には露光域そのもの
を検出するよう露光と焦点検出を別々に行うこととした
。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図には１本発明の一実施例が示されている。
この第１図は、縮小投影露光装置の流体マイクロメータ
方式により自動焦点５１整装置の概略図である。
方式により自動焦点５１整装置の概略図である。
図において、投影レンズ１の下方には、該投影レンズ１
の投影露光光束１０の中心に対して同心に前記投影露光
光束１０の領域内に流体吹出口を有する流体マイクロメ
ータ検出器２が設けられている。この流体マイクロメー
タ検出器２はエアーシリンダ１２などのアクチエータを
支持する柱１３を介し架体８に設けられている。この流
体マイクロメータ検出器２の移動機構部１１には該移動
機構部１１を駆動するための前記エアーシリンダ１３が
連結されている。また、この流体マイクロメータ検出器
２は、通常の露光時には露光光束１ｏを妨げない位置に
待避させ、焦点検出時に検出器２は露光光束１０上に同
心位置に移動できるように構成されている。この流体マ
イクロメータ検出器２の吹出口からは流体９が試料台７
上に、・例えば真空保持されたウェーハ３の上面比１１
ｔｌｌａの変化によって該検出器２の、例えば流路背圧
を検出して、検出背圧がある適正な一定値となるよう、
モータ５で送りネジ６を駆動する。この送りネジ６によ
って試料台７の載っている２ステージ４を移動し、最終
的に８寸法をある一定値に保つ機構を有する。また、ウ
ェーハ３上のすべての露光域１６の検出域１５で検出し
た焦点位ＩＷａ寸法を保ったＺステージ４の位置をＣＰ
Ｕ１４に記憶し、露光を行うため検出器２を露光光束１
０を妨げない位置に待避させる。そのため露光域１６で
検出した８寸法の間隙時のＺステージ４の位置をＣＰＵ
に記憶するシステムを有する。
の投影露光光束１０の中心に対して同心に前記投影露光
光束１０の領域内に流体吹出口を有する流体マイクロメ
ータ検出器２が設けられている。この流体マイクロメー
タ検出器２はエアーシリンダ１２などのアクチエータを
支持する柱１３を介し架体８に設けられている。この流
体マイクロメータ検出器２の移動機構部１１には該移動
機構部１１を駆動するための前記エアーシリンダ１３が
連結されている。また、この流体マイクロメータ検出器
２は、通常の露光時には露光光束１ｏを妨げない位置に
待避させ、焦点検出時に検出器２は露光光束１０上に同
心位置に移動できるように構成されている。この流体マ
イクロメータ検出器２の吹出口からは流体９が試料台７
上に、・例えば真空保持されたウェーハ３の上面比１１
ｔｌｌａの変化によって該検出器２の、例えば流路背圧
を検出して、検出背圧がある適正な一定値となるよう、
モータ５で送りネジ６を駆動する。この送りネジ６によ
って試料台７の載っている２ステージ４を移動し、最終
的に８寸法をある一定値に保つ機構を有する。また、ウ
ェーハ３上のすべての露光域１６の検出域１５で検出し
た焦点位ＩＷａ寸法を保ったＺステージ４の位置をＣＰ
Ｕ１４に記憶し、露光を行うため検出器２を露光光束１
０を妨げない位置に待避させる。そのため露光域１６で
検出した８寸法の間隙時のＺステージ４の位置をＣＰＵ
に記憶するシステムを有する。
流体マイクロメータ検出器２を露光域１６に移動させ検
出器２の吹出口端面とウェーハ３の上面の距離ａを流体
マイクロメータ感度特性が、例えば上記モータ駆動のフ
ィードバック位置決め系の最適条件となる寸法にする。
出器２の吹出口端面とウェーハ３の上面の距離ａを流体
マイクロメータ感度特性が、例えば上記モータ駆動のフ
ィードバック位置決め系の最適条件となる寸法にする。
また、検出器２が露光域１６上の８寸法を保ったまま再
現良く移動するように移動機４ｉ！１１．例えばエアー
シリンダ１２をエアーシリンダ取付柱に配置し、架体８
に取付ける。しかる後、検出器２とウェーハ３の上面距
離ａが投影レンズ１による投影像が最も鮮明にウェーハ
３上に投影する位置で検出器２．エアーシリンダ１２の
取付けであるエアーシリンダ支持柱１３を架体８に固定
する。
現良く移動するように移動機４ｉ！１１．例えばエアー
シリンダ１２をエアーシリンダ取付柱に配置し、架体８
に取付ける。しかる後、検出器２とウェーハ３の上面距
離ａが投影レンズ１による投影像が最も鮮明にウェーハ
３上に投影する位置で検出器２．エアーシリンダ１２の
取付けであるエアーシリンダ支持柱１３を架体８に固定
する。
本方式によれば、投影レンズ１と検出器２を独立して調
整できるので個々の投影レンズの焦点。
整できるので個々の投影レンズの焦点。
特性に関係なく検出器２を調整することができる。
また、投影レンズ１を交換しても検出器２は、投影レン
ズ１の特性に合せたｉ！１１整を必要としない。
ズ１の特性に合せたｉ！１１整を必要としない。
さらに、第２図、第４図に示すように露光域１６の近傍
の焦点を検出するのではなく、露光域１６そのものを検
出するのでより正確に自動焦点制御を行うことができる
。また、検出器２が常時、露光域１６に配置されず焦点
検出を完了すると待避する機構となっているため、流体
マイクロメータに好適な間隙ａが数十ミクロンで常時配
置されないためウェーハ３と検出器２との干渉が少なく
なり安全で信頼性の高い自動焦点調整装置となる。
の焦点を検出するのではなく、露光域１６そのものを検
出するのでより正確に自動焦点制御を行うことができる
。また、検出器２が常時、露光域１６に配置されず焦点
検出を完了すると待避する機構となっているため、流体
マイクロメータに好適な間隙ａが数十ミクロンで常時配
置されないためウェーハ３と検出器２との干渉が少なく
なり安全で信頼性の高い自動焦点調整装置となる。
以上説明したように１本発明によれば、個々投影レンズ
固有の特性である焦点位置のばらつき。
固有の特性である焦点位置のばらつき。
像歪、像面歪、及び取付姿勢、ウェーハ表面の平面度、
ウェーハの平行度の影響が小さいため、また投影露光域
そのものの焦点検出を行うため常に流体マイクロメータ
検出器の最適条件に近い形で焦点位置を検出できるので
自動焦点調整がより正確な縮小投影露光装置をもたらす
という効果がある。
ウェーハの平行度の影響が小さいため、また投影露光域
そのものの焦点検出を行うため常に流体マイクロメータ
検出器の最適条件に近い形で焦点位置を検出できるので
自動焦点調整がより正確な縮小投影露光装置をもたらす
という効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は第１図図示
露光域と検出域との関係を示す図、第３図は従来の自動
焦点調整装置を示す図、第４図は第３図図示露光域と検
出器の検出域との関係を示す図である。 １・・・投影レンズ、２・・・流体マイクロメータ検出
器。
露光域と検出域との関係を示す図、第３図は従来の自動
焦点調整装置を示す図、第４図は第３図図示露光域と検
出器の検出域との関係を示す図である。 １・・・投影レンズ、２・・・流体マイクロメータ検出
器。
Claims (1)
- １、自動焦点合せ機構に流体マイクロメータ方式を応用
した縮小投影露光装置において、投影レンズと流体マイ
クロメータ検出器を機械的に独立して設け、かつ、前記
流体マイクロメータ検出器自身が移動機構を備え、投影
域そのものでの投影レンズの焦点を自動的に検出し、投
影露光時には投影光を防げない位置に検出器を移動する
手段を設けたことを特徴とする流体マイクロメータ方式
の自動焦点調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149532A JPS636511A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 自動焦点調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149532A JPS636511A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 自動焦点調整装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636511A true JPS636511A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15477194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149532A Pending JPS636511A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 自動焦点調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339662B2 (en) * | 1998-10-19 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| WO2012168272A1 (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Measuring system |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149532A patent/JPS636511A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339662B2 (en) * | 1998-10-19 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same |
| WO2012168272A1 (en) * | 2011-06-08 | 2012-12-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Measuring system |
| CN103608729A (zh) * | 2011-06-08 | 2014-02-26 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 测量系统 |
| JP2014517533A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-07-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 測定システム |
| US9482968B2 (en) | 2011-06-08 | 2016-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Measuring system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5153916A (en) | Method and apparatus for detecting focal plane | |
| US4444492A (en) | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer | |
| US4615621A (en) | Auto-focus alignment and measurement system and method | |
| US5209813A (en) | Lithographic apparatus and method | |
| JPH10303114A (ja) | 液浸型露光装置 | |
| US20070024831A1 (en) | A method and apparatus for correcting gravitational sag in photomasks used in the production of electronic devices | |
| US4580900A (en) | Auto focus alignment and measurement system and method | |
| JPH0257333B2 (ja) | ||
| JPS636511A (ja) | 自動焦点調整装置 | |
| US6043892A (en) | Exposure field sensor of a chip leveling apparatus having an aperture for changing at least one dimension of the incident light of the sensor | |
| JPH06260393A (ja) | 位置決め装置 | |
| JPH10294272A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPS6263428A (ja) | 縮小投影露光装置用自動焦点調整装置 | |
| JP2605644B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH0618168B2 (ja) | 原画パターンを半導体ウエハ上面に露光する露光方法 | |
| JP2759898B2 (ja) | フィルム露光装置における焦点検出方法 | |
| JPS58162844A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| JPS6144429Y2 (ja) | ||
| JPH04110855A (ja) | たわみ補正機構付きマスク支持装置 | |
| JPS6132816B2 (ja) | ||
| JPS6064433A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP4783521B2 (ja) | 面合わせ装置及び面合わせ方法 | |
| KR100589108B1 (ko) | 패터닝 에러를 방지할 수 있는 노광장치 | |
| JPS62134502A (ja) | 位置検出装置 | |
| CA1186810A (en) | Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer |