JP2000103668A - 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents

誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

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JP2000103668A JP10273049A JP27304998A JP2000103668A JP 2000103668 A JP2000103668 A JP 2000103668A JP 10273049 A JP10273049 A JP 10273049A JP 27304998 A JP27304998 A JP 27304998A JP 2000103668 A JP2000103668 A JP 2000103668A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】焼成温度が１３００℃以下で、誘電率が２００
以上、高周波・高電圧交流下での損失が小さく、高電界
強度下での絶縁抵抗が高く、Ｂ特性およびＸ７Ｒ特性を
満足し、高温負荷特性に優れた、誘電体セラミック組成
物を提供する。 【解決手段】組成物は、チタン酸バリウム系固溶体と添
加成分からなり、これを一般式、ＡＢＯ3＋ａＲ＋ｂＭ
（ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系固溶体、ＲはＬａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちの金属元素の酸化
物、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｚｎの
うちの金属元素の酸化物であり、ａ，ｂは各酸化物を金
属元素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル
比）で表したとき、０．９５０≦Ａ／Ｂ（モル比）≦
１．０５０、０．１２＜ａ≦０．３０、０．０４≦ｂ≦
０．３０の範囲内にある主成分に対し、副成分として、
焼結助材を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体セラミック
組成物、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、静電容量の温度特性が平坦な
誘電体材料として、例えば特開平８−１５１２６０号公
報に示されるＢａＴｉＯ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｇＯ−ＭｎＯ
系材料や、特開平５−１０９３１９号公報に示されるＢ
ａＴｉＯ3−Ｔａ2Ｏ5−ＺｎＯ系材料などがある。これ
らは空気雰囲気で焼成され、誘電率は２０００以上にな
る。
【０００３】また、ＮｉおよびＮｉ合金を内部電極とし
て使用するために、低酸素分圧下で焼成しても、半導体
化せず、しかも静電容量の温度特性が平坦な積層コンデ
ンサ用誘電体材料として、例えば、特公昭６１−１４６
１１号公報に示されるＢａＴｉＯ3−（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系材料や、特開平７−
２７２９７１号公報に示される（Ｂａ，Ｍ，Ｌ）（Ｔ
ｉ，Ｒ）Ｏ3系（ただし、Ｍ＝Ｍｇ，Ｚｎ；Ｌ＝Ｃａ，
Ｓｒ；Ｒ＝Ｓｃ，Ｙ，希土類元素）材料などが報告され
ている。これらの誘電率は２０００以上と高い。
【０００４】また、希土類元素（Ｒｅ）を添加したＢａ
ＴｉＯ3−Ｒｅ2Ｏ3系誘電体材料には、特公昭６３−１
０５２６号公報に示されるのように、空気雰囲気で焼成
する材料もある。
【０００５】そして、従来、これらの誘電体セラミック
組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、低周波・
低電圧交流下で使用されることが多く、また、低電圧直
流下で使用されることが多かった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器の高集
積化、高機能化、低価格化が進展する中、積層セラミッ
クコンデンサの使用条件はますます厳しいものとなって
おり、積層セラミックコンデンサの低損失化、絶縁性の
向上、絶縁耐力の向上、信頼性の向上、大容量化の要求
が大きくなっている。また、低価格化の要求も強まって
いる。
【０００７】ところが、特開平８−１５１２６０号公報
や、特開平５−１０９３１９号公報および特公昭６３−
１０５２６号公報に示される誘電体材料は、大きな誘電
率が得られるものの、高周波、高電圧交流下での使用時
の、損失および発熱が大きいという欠点があった。ま
た、低コスト化を目的に、内部電極にＮｉまたはＮｉ合
金を使用することができる雰囲気で焼成した場合、セラ
ミックが半導体化してしまうため、内部電極には高価な
Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄなどの貴金属を使用しなければならな
かった。
【０００８】また、特公昭６１−１４６１１号公報や、
特開平７−２７２９７１号公報に示される誘電体材料の
誘電率は、それぞれ２０００以上、３０００以上と高
く、静電容量の温度変化率は小さいものの、高周波、高
電圧交流下での使用時の、損失および発熱が大きいとい
う欠点があった。また、これらの誘電体材料は耐還元性
を有するため、Ｎｉなどの卑金属を内部電極とする積層
セラミックコンデンサを得ることができるが、高電圧直
流下で使用したときには、絶縁抵抗値が低く、信頼性も
低いという欠点もあった。
【０００９】特に、電子機器の高集積化によって、積層
セラミックコンデンサの低損失、低発熱化が要求される
ようになってきた。近年、積層セラミックコンデンサは
高周波、高電圧交流下で使用されることが多くなってお
り、積層セラミックコンデンサの損失、発熱はコンデン
サ自体の寿命を低下させる。また、積層セラミックコン
デンサの損失、発熱によって、回路内の温度上昇が起こ
り、周辺部品の誤作動、寿命の短縮を引き起こす。しか
しながら、従来の誘電体セラミック組成物を用いた積層
セラミックコンデンサは、特に高周波、高電圧交流下で
の損失、発熱が大きく、高周波、高電圧交流下で使用さ
れる回路に用いることはできなかった。
【００１０】また、高電圧直流下での積層セラミックコ
ンデンサの使用も増えてきている。しかしながら、従来
の、特にＮｉを内部電極として使用している積層セラミ
ックコンデンサは耐直流電圧性に劣り、高い電界強度下
で使用すると絶縁性、絶縁耐力、および信頼性が極端に
低下するという問題が生じていた。
【００１１】そこで、本発明の目的は、焼成温度が１３
００℃以下で、誘電率が２００以上で、高周波・高電圧
交流下での損失および発熱の小さい、具体的には３００
ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件下での損失が０．７％以
下であり、また、高電圧直流、具体的には１０ｋＶ／ｍ
ｍの高い電界強度下での絶縁抵抗が静電容量との積（Ｃ
Ｒ積）で表したときに、室温で７０００Ω・Ｆ以上と高
く、また、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定する
Ｂ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足
し、さらに、高温負荷試験に対して優れた特性を示す、
誘電体セラミック組成物を提供することにある。
【００１２】また、上記誘電体セラミック組成物を誘電
体層とし、内部電極として、Ｐｔ、Ａｕ、ＰｄまたはＡ
ｇ−Ｐｄ合金などの貴金属だけでなく、ＮｉまたはＮｉ
合金などの卑金属を使用できる、積層セラミックコンデ
ンサを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体セラミック組成物は、チタン酸バリ
ウム系固溶体と添加成分からなり、これを一般式、ＡＢ
Ｏ3＋ａＲ＋ｂＭ（ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム
系固溶体をペロブスカイト構造を示す一般式で表わした
もの、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕか
ら選ばれる少なくとも１種の金属元素の酸化物、ＭはＭ
ｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ａｌ、ＣｒおよびＺｎから選ば
れる少なくとも１種の金属元素の酸化物であり、ａ、ｂ
はそれぞれの酸化物を金属元素が１元素含まれる化学式
に換算したときのモル比を示す）で表したとき、０．９
５０≦Ａ／Ｂ（モル比）≦１．０５０、０．１２＜ａ≦
０．３０、０．０４≦ｂ≦０．３０の範囲内にある主成
分に対し、副成分として、焼結助材を含有していること
を特徴とする。
【００１４】そして、前記焼結助材の含有量は、前記主
成分１００重量部に対して、０．８〜８．０重量部であ
ることを特徴とする。
【００１５】また、前記主成分中の添加成分として、さ
らに、Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3（ただし、ＸはＢａ、Ｓ
ｒ、Ｃａから選ばれる少なくとも１種の金属元素）、お
よびＤ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙお
よびＳｃから選ばれる少なくとも１種の金属元素の酸化
物）から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴
とする。
【００１６】そして、前記Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3の含有
量は、前記主成分中のＡＢＯ3で表わされるチタン酸バ
リウム固溶体１モルに対して、０．３５モル以下である
ことを特徴とする。
【００１７】また、前記Ｄの含有量は、前記主成分中の
ＡＢＯ3で表わされるチタン酸バリウム固溶体１モルに
対して、前記Ｄで表わされる酸化物を金属元素が１元素
含まれる化学式に換算して０．０２モル以下であること
を特徴とする。
【００１８】また、前記ＡＢＯ3で表わされるチタン酸
バリウム系固溶体は、｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝m
ＴｉＯ2（ただし、０≦ｘ＋ｙ≦０．２０、０．９５０
≦ｍ≦１．０５０）で表わされることを特徴とする。
【００１９】また、前記焼結助材は、Ｂ元素およびＳｉ
元素のうち少なくとも１種を含有する酸化物、または酸
化珪素であることを特徴とする。
【００２０】さらに、本発明の積層セラミックコンデン
サは、複数の誘電体セラミック層と、該誘電体セラミッ
ク層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に
接続された外部電極とを備える、積層セラミックコンデ
ンサにおいて、前記誘電体セラミック層が上記した誘電
体セラミック組成物で構成されていることを特徴とす
る。
【００２１】そして、前記外部電極は、導電性金属粉末
の焼結層、またはガラスフリットを含有する導電性金属
粉末の焼結層によって構成されていることを特徴とす
る。
【００２２】また、前記外部電極は、導電性金属粉末の
焼結層からなる第１層、またはガラスフリットを含有す
る導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上の
めっき層からなる第２層とを含むことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】まず、本発明の誘電体セラミック
組成物について説明する。本発明の誘電体セラミック組
成物は、チタン酸バリウム系固溶体、Ｒ（ＲはＬａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくと
も１種の金属元素の酸化物）、Ｍ（ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｇ，Ｆｅ，Ａｌ，ＣｒおよびＺｎから選ばれる少なくと
も１種の金属元素の酸化物）の組成比を、上述したよう
に調整し、副成分である焼結助材を含有させた誘電体セ
ラミック組成物である。このような構成を有することに
よって、焼成温度が１３００℃以下で、誘電率が２００
以上で、高周波・高電圧交流下での損失および発熱の小
さい、具体的には３００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件
下での損失が０．７％以下であり、また、高電圧直流、
具体的には１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度下で絶縁抵抗
が静電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温で７
０００Ω・Ｆ以上と高く、また、静電容量の温度特性が
ＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定す
るＸ７Ｒ特性を満足し、さらに高温負荷試験に対して優
れた、具体的には１５０℃、電界強度２５ｋＶ／ｍｍ条
件下での平均寿命が７００時間以上と優れた特性を持つ
誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【００２４】また、前記主成分中の添加成分として、さ
らに、Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3（ただし、ＸはＢａ，Ｓ
ｒ，Ｃａから選ばれる少なくとも１種の金属元素）およ
びＤ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙおよ
びＳｃから選ばれる少なくとも１種の金属元素の酸化
物）のうちの少なくとも１種を含有させることによっ
て、さらに特性を向上させることができる。
【００２５】なお、添加成分であるＸ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ
3におけるＺｒとＨｆの比率に関しては、特に規定しな
いが、焼結性の点からＨｆの比率が３０ｍｏｌ％以下で
あることが好ましい。
【００２６】次に、本発明の一実施形態による積層セラ
ミックコンデンサの基本的構造を図面により説明する。
図１は積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図、
図２は図１の積層セラミックコンデンサのうち、内部電
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図、図３
は図１の積層セラミックコンデンサのうち、セラミック
積層体部分を示す分解斜視図である。
【００２７】本実施形態による積層セラミックコンデン
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａ、２ｂを積層して得られた直
方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミック積
層体３の両端面上には、内部電極４の特定のものに電気
的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形成さ
れ、その上には、必要に応じて、第１のめっき層6、第
２のめっき層７が形成されている。
【００２８】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの成分となる、所定比率に
秤量し混合した原料粉末を用意する。
【００２９】次に、原料粉末に有機バインダを加えてス
ラリー化し、このスラリーをシート状に成形して、誘電
体セラミック層２ａ、２ｂのためのグリーンシートを得
る。その後、誘電体セラミック層２ｂとなるグリーンシ
ートの一方主面上に内部電極４を形成する。なお、内部
電極材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ
合金などの貴金属だけでなく、ＮｉまたはＮｉ合金など
の卑金属を使用できる。また、内部電極４を形成する方
法は、スクリーン印刷による方法でも、蒸着、めっき法
による形成でも構わない。
【００３０】次に、内部電極４を有する誘電体セラミッ
ク層２ｂのためのグリーンシートを必要枚数積層した
後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セラ
ミック層２ａのためのグリーンシートに挟んで圧着し、
生の積層体とする。その後、この積層体を所定の雰囲気
中、所定の温度にて焼成し、セラミック積層体３を得
る。
【００３１】次に、セラミック積層体３の両端面に、内
部電極４と電気的に接続するように、外部電極５を形成
する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と同
じ材料を使用することができる。また、Ａｇ、Ｐｄ、Ａ
ｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｕ合金などが使用可能であり、ま
た、これらの金属粉末にＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガ
ラス、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスなどのガラス
フリットを添加したものも使用できるが、積層セラミッ
クコンデンサの使用用途、使用場所などを考慮に入れて
適当な材料を選択する。また、外部電極５は、材料とな
る金属粉末ペーストを、焼成により得たセラミック積層
体３に塗布して、焼き付けることによって形成するが、
焼成前に塗布して、セラミック積層体３と同時に形成し
てもよい。
【００３２】その後、外部電極５上にＮｉ、Ｃｕなどの
めっきを施し、第１のめっき層６が形成される。最後
に、この第1のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１が
製造される。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
【００３３】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体
的に説明する。
【００３４】（実施例１）まず、出発原料として、Ｂａ
ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2を用意した。こ
れらの原料を、表１に示す組成物のうちの、ペロブスカ
イト構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わされるチタン酸バ
リウム系固溶体の１種である｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣ
ａy）Ｏ｝mＴｉＯ2の組成物が得られるように秤量し
た。その後、これら秤量済み原料をボールミルで湿式混
合し、粉砕した後乾燥し、空気中にて１１２０℃で２時
間仮焼して、チタン酸バリウム系固溶体を得た。
【００３５】
【表１】
【００３６】また、表１に示す、添加成分であるＲおよ
びＭの原料として、純度９９％以上のＬａ2Ｏ3、ＣｅＯ
2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2
Ｏ3、Ｔｂ4Ｏ7、 Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ
2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3および、ＭｎＯ、ＮｉＯ、Ｍ
ｇＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｎＯを準備し
た。
【００３７】また、副成分としての焼結助材として、Ｂ
元素を含有する酸化物の例として０．５５Ｂ2Ｏ3−０．
２５Ａｌ2Ｏ3−０．０３ＭｎＯ−０．１７ＢａＯ（ただ
し、係数はモル比であり、以下、焼結助材１と称す）、
Ｓｉ元素を含有する酸化物の例として０．２５Ｌｉ2Ｏ
−０．６５（０．３０ＴｉＯ2・０．７０ＳｉＯ2）−
０．１０Ａｌ2Ｏ3（ただし、係数はモル比であり、以
下、焼結助材２と称す）、ＳｉおよびＢ元素を含む酸化
物の例として０．２５Ｌｉ2Ｏ−０．３０Ｂ2Ｏ3−０．
０３ＴｉＯ2−０．４２ＳｉＯ2（ただし、係数はモル比
であり、以下、焼結助材３と称す）が得られるように、
各成分の酸化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合
粉砕して粉末を得た。この粉末を白金ルツボ中におい
て、１５００℃まで加熱した後、急冷し、粉砕すること
によって、平均粒径が１μｍ以下のそれぞれの酸化物粉
末を得た。また、Ｓｉ元素を含む酸化物のもう一つの例
として、酸化珪素をＳｉＯ2換算で３０重量％含有した
コロイドシリカ溶液も準備した（以下、焼結助材４と称
す）。
【００３８】次に、表１に示す組成物が得られるよう
に、以上準備したチタン酸バリウム系固溶体、添加成分
用原料および副成分としての焼結助剤を秤量した。な
お、添加成分Ｒ（ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の金属
元素の酸化物）の係数ａは、それぞれの酸化物を金属元
素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を示
す。また、添加成分Ｍ（ただし、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｇ，Ｆｅ，Ａｌ，ＣｒおよびＺｎから選ばれる少なくと
も１種の金属元素の酸化物）の係数ｂは、それぞれの酸
化物を金属元素が１元素含まれる化学式に換算したとき
のモル比を示す。また、焼結助材の含有量は、主成分
［｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2＋ａＲ＋ｂ
Ｍ］１００重量部に対する含有部数である。
【００３９】次に、この秤量物にポリビニルブチラール
系バインダーおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、スラリーを調製し
た。このスラリーをドクターブレード法によりシート成
形し、厚み２５μｍの矩形のグリーンシートを得た。
【００４０】次に、このグリーンシート上に、Ｎｉを主
成分とする導電ペーストを印刷し、内部電極を構成する
ための導電ペースト層を形成した。その後、導電ペース
ト層が形成されたグリーンシートを、導電ペースト層が
引き出されている側が互い違いとなるように複数枚積層
し、積層体を得た。この積層体を、Ｎ2雰囲気中にて３
５０℃の温度に加熱し、バインダーを除去した後、酸素
分圧１０-9〜１０-12ＭＰａのＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスから
なる還元性雰囲気中において表２に示す温度で２時間焼
成し、セラミック焼結体を得た。
【００４１】その後、得られたセラミック焼結体の両端
面にＢ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラスフリ
ットを含有するＡｇペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中に
おいて６００℃の温度で焼付け、内部電極と電気的に接
続された外部電極を形成した。
【００４２】次に、硫酸ニッケルおよび塩化ニッケル、
ホウ酸からなるニッケルめっき液を用意し、バレルめっ
き法にてＡｇ外部電極上にニッケルめっきした。最後
に、ＡＳ浴（アルカノールスルホン酸）からなるはんだ
めっき液を用意し、バレルめっき法にて、このニッケル
めっき被膜上にはんだめっきして、外部電極上にめっき
被膜された積層セラミックコンデンサを得た。
【００４３】このようにして得た積層セラミックコンデ
ンサの外形寸法は、幅３．２ｍｍ、長さ４．５ｍｍ、厚
さ１．０ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラ
ミック層の厚みは２０μｍであった。また、有効誘電体
セラミック層の総数は１０であり、一層当たりの対向電
極の面積は８．８×１０-6ｍ2であった。
【００４４】次に、以上得られた積層セラミックコンデ
ンサについて、電気的特性を測定した。静電容量（Ｃ）
および誘電損失（ｔａｎδ）は自動ブリッジ式測定器を
用いて、周波数１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて
測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出した。次に、
絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、
２００Ｖの直流電圧を２分間印加して２５℃での絶縁抵
抗（Ｒ）を測定し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）と
の積、すなわちＣＲ積を求めた。
【００４５】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした、−２５℃〜２
０℃間での静電容量の最大変化率（−２５℃（％））
と、２０℃〜８５℃間での静電容量の最大変化率（８５
℃（％））を求めた（ΔＣ／Ｃ２０）。また、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃〜２５℃間での静電
容量の最大変化率（−５５℃（％））と、２５℃〜１２
５℃間での静電容量の最大変化率（１２５℃（％））を
求めた（ΔＣ／Ｃ２５）。
【００４６】また、高温負荷試験として、各試料を３６
個づつ、温度１５０℃にて直流電圧を５００Ｖ印加し
て、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高温負
荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6Ω以下
になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間
を求めた。
【００４７】さらに、高周波・高電圧交流下での特性と
して、周波数３００ＫＨｚ、１００Ｖｐ−ｐ、温度２５
℃での誘電損失（ｔａｎδ）を測定した。
【００４８】これらの結果を表２に示す。なお、表２に
おいて、試料番号に＊印を付したものは、本発明の範囲
外のものであり、その他は本発明の範囲内のものであ
る。
【００４９】
【表２】
【００５０】表１、２の試料番号１、８〜１７から明ら
かなように、本発明によれば、内部電極にＮｉなどの卑
金属を用いることができ、誘電率が２００以上であっ
て、３００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件下での誘電損
失（ｔａｎδ）が０．７％以下と小さくて発熱が抑えら
れた、高周波・高電圧交流下での特性に優れた積層セラ
ミックコンデンサが得られる。さらに、試料番号１、１
０〜１７のように、焼結助剤の含有量を限定することに
より、１３００℃以下で焼結が可能であり、静電容量の
温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規
格で規定するＸ７Ｒ特性を満足する。さらにまた、試料
番号１０〜１７のように、チタン酸バリウム系固溶体を
｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2と表わしたと
きのｘ＋ｙの値を限定することにより、１０ｋＶ／ｍｍ
の電界強度下での絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）
で表した場合に、室温で７０００Ω・Ｆ以上と高い値を
示す。また、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍ印加の高温
負荷試験において、平均寿命時間が７００時間以上と長
い。
【００５１】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。試料番号２のように、Ｒの含有量ａが０．１２
以下の場合には、３００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐでのｔ
ａｎδが０．７％を超えて大きくなり、発熱が大きくな
るので好ましくない。一方、試料番号３のようにＲの含
有量ａが０．３０を超える場合には、焼結性が低下し、
焼成温度が１３００℃を超える。また、誘電率も小さく
なり、２００未満となるので好ましくない。
【００５２】試料番号４のように、Ｍの含有量ｂが０．
０４未満の場合、絶縁抵抗が低く、静電容量の温度特性
がＢ特性およびＸ７Ｒ特性を満足しないので好ましくな
い。一方、試料番号５のように、Ｍの添加量ｂが０．３
０を超えると、焼成温度が１３００℃を超えるので好ま
しくない。
【００５３】試料番号６のように、一般式ＡＢＯ3にお
けるＡ／Ｂモル比であるｍが０．９５０未満の場合、静
電容量の温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないの
で好ましくない。一方、試料番号７のように、ｍが１．
０５０を超える場合、焼結不足となり好ましくない。
【００５４】（実施例２）まず、出発原料として、Ｂａ
ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2を用意し、実施
例１と同様にして、表３に示す組成物のうちの、ペロブ
スカイト構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わされるチタン
酸バリウム系固溶体の１種である｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣ
ａy）Ｏ｝mＴｉＯ2を得た。
【００５５】
【表３】
【００５６】また、添加成分であるＲおよびＭの原料と
して、純度９９％以上のＬａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｐｒ
6Ｏ11、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ4Ｏ7、 Ｄｙ2Ｏ3、Ｈ
ｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3および、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3を準備した。
【００５７】また、添加成分であるＸ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ
3（ただし、ＸはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれる少なく
とも１種の金属元素）の原料として、ＢａＺｒＯ3、Ｓ
ｒＺｒＯ3およびＣａＺｒＯ3を準備した。
【００５８】さらに、実施例１と同様にして、焼結助材
１、２、３および４を準備した。
【００５９】次に、表３に示す組成物が得られるよう
に、以上準備したチタン酸バリウム系固溶体、添加成分
用原料、焼結助剤を秤量した。なお、添加成分Ｒ（ただ
し、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
ＨｏおよびＥｒから選ばれる少なくとも１種の金属元素
の酸化物）の係数ａは、それぞれの酸化物を金属元素が
１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を示す。
また、添加成分Ｍ（ただし、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｆ
ｅ，ＡｌおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属
元素の酸化物）の係数ｂは、それぞれの酸化物を金属元
素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を示
す。また、焼結助材の含有量は、主成分［｛（Ｂａ
1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2＋ａＲ＋ｂＭ＋ｃＸ
（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3］１００重量部に対する含有部数で
ある。
【００６０】その後、実施例１と同様にして、積層セラ
ミックコンデンサを得た。以上得られた積層セラミック
コンデンサの寸法形状は、実施例１と同様である。その
後、実施例１と同様にして、電気特性を測定した。これ
らの結果を表４に示す。
【００６１】
【表４】
【００６２】表３、４から明らかなように、主成分中の
添加成分として、さらにＸ（Ｚｒ、Ｈｆ）Ｏ3（ただ
し、ＸはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれる少なくとも１種
の金属元素）を含有させることにより、積層セラミック
コンデンサの内部電極としてＮｉなどの卑金属を用いる
ことができ、誘電率が３００以上で３００ｋＨｚ、１０
０Ｖｐ−ｐの条件下でのｔａｎδが０．７％以下で、静
電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性および
ＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足するものが得ら
れる。
【００６３】なお、Ｘ（Ｚｒ、Ｈｆ）Ｏ3の具体的な含
有量としては、試料番号１０１〜１０５で示すとおり、
主成分中のＡＢＯ3１モルに対して、０．３５モル以下
が好ましい。試料番号１０６、１０７のように、Ｘ（Ｚ
ｒ，Ｈｆ）Ｏ3の含有量が０．３５モルを超えると、静
電容量の温度特性がＢ特性、Ｘ７Ｒ特性を満足しなくな
る。
【００６４】（実施例３）まず、出発原料として、Ｂａ
ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2を用意し、実施
例１と同様にして、表５に示す組成物のうちの、ペロブ
スカイト構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わされるチタン
酸バリウム系固溶体の１種である｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣ
ａy）Ｏ｝mＴｉＯ2を得た。
【００６５】
【表５】
【００６６】また、添加成分であるＲおよびＭの原料と
して、純度９９％以上のＣｅＯ2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｅｕ
2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ4Ｏ7、 Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅ
ｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3および、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3を準備した。
【００６７】また、添加成分であるＤ（ただし、Ｄは
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる
少なくとも１種の金属元素の酸化物）として、純度９９
％以上のＶ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ3、Ｗ
Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3を準備した。
【００６８】さらに、実施例１と同様にして、焼結助材
１、２、３および４を準備した。
【００６９】次に、表５に示す組成物が得られるよう
に、以上準備したチタン酸バリウム系固溶体、添加成分
用原料および焼結助剤を秤量した。なお、添加成分Ｒ
（ただし、ＲはＣｅ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，ＥｒおよびＴｍから選ばれる少なくとも１種の金
属元素の酸化物）の係数ａは、それぞれの酸化物を金属
元素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を
示す。また、添加成分Ｍ（ただし、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｇ，Ｆｅ，ＡｌおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種
の金属元素の酸化物）の係数ｂは、それぞれの酸化物を
金属元素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル
比を示す。また、添加成分Ｄ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる少なくとも
１種の金属元素の酸化物）の係数ｄは、それぞれの酸化
物を前記金属元素が１元素含まれる化学式に換算したと
きのモル比を示す。また、焼結助材の含有量は、主成分
［｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2＋ａＲ＋ｂ
Ｍ＋ｄＤ］１００重量部に対する含有部数である。
【００７０】その後、実施例１と同様にして、積層セラ
ミックコンデンサを得た。以上得られた積層セラミック
コンデンサの寸法形状は、実施例１と同様である。その
後、実施例１と同様にして、電気特性を測定した。これ
らの結果を表６に示す。
【００７１】
【表６】
【００７２】表５、６から明らかなように、主成分中の
添加成分として、さらにＤ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる少なくとも１
種の金属元素の酸化物）を含有させることにより、積層
セラミックコンデンサの内部電極としてＮｉなどの卑金
属を用いることができ、誘電率が２００以上で３００ｋ
Ｈｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件下でのｔａｎδが０．７％
以下で、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ
特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足する
ものが得られる。しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強
度で使用したときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、室温で１１０００Ω・Ｆ以上と高
い値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの
加速試験において、平均寿命時間が９００時間以上と長
い。
【００７３】なお、添加成分としてのＤの具体的な含有
量としては、試料番号２０１〜２０５で示すとおり、主
成分中のＡＢＯ3１モルに対して、０．０２モル以下が
好ましい。試料番号２０６、２０７のように、Ｄの含有
量が０．０２モルを超えると、絶縁性と信頼性が低下す
る。
【００７４】（実施例４）まず、出発原料として、Ｂａ
ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2を用意し、実施
例１と同様にして、表７に示す組成物のうちの、ペロブ
スカイト構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わされるチタン
酸バリウム系固溶体の１種である｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣ
ａy）Ｏ｝mＴｉＯ2を得た。
【００７５】
【表７】
【００７６】また、添加成分であるＲおよびＭの原料と
して、純度９９％以上のＣｅＯ2、Ｎｄ2Ｏ3、Ｅｕ
2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、 Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙ
ｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、および、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、
Ｆｅ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3を準備した。
【００７７】また、添加成分であるＸ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ
3（ただし、ＸはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれる少なく
とも１種の金属元素）の原料として、ＢａＺｒＯ3、Ｓ
ｒＺｒＯ3およびＣａＺｒＯ3を準備した。
【００７８】また、添加成分であるＤ（ただし、Ｄは
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる
少なくとも１種の金属元素の酸化物）として、純度９９
％以上のＶ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ3、Ｗ
Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3を準備した。
【００７９】さらに、実施例１と同様にして、焼結助材
１、２、３および４を準備した。
【００８０】次に、表７に示す組成物が得られるよう
に、以上準備したチタン酸バリウム系固溶体、添加成分
用原料および焼結助剤を秤量した。なお、添加成分Ｒ
（ただし、ＲはＣｅ，Ｎｄ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，
Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の金
属元素の酸化物）の係数ａは、それぞれの酸化物を金属
元素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を
示す。また、添加成分Ｍ（ただし、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｇ，Ｆｅ，ＡｌおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種
の金属元素の酸化物）の係数ｂは、それぞれの酸化物を
金属元素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル
比を示す。また、添加成分Ｄ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる少なくとも
１種の金属元素の酸化物）の係数ｄは、それぞれの酸化
物を金属元素が１元素含まれる化学式に換算したときの
モル比を示す。また、焼結助材の含有量は、主成分
［｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2＋ａＲ＋ｂ
Ｍ＋ｃＸ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3＋ｄＤ］１００重量部に対
する含有部数である。
【００８１】その後、実施例１と同様にして、積層セラ
ミックコンデンサを得た。以上得られた積層セラミック
コンデンサの寸法形状は、実施例１と同様である。その
後、実施例１と同様にして、電気特性を測定した。これ
らの結果を表８に示す。
【００８２】
【表８】
【００８３】表７、８から明らかなように、主成分中の
添加成分として、さらにＸ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3（ただ
し、ＸはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれる少なくとも１種
の金属元素）、およびＤ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる少なくとも１
種の金属元素の酸化物）から選ばれる少なくとも１種を
含有させることにより、積層コンデンサの内部電極とし
てＮｉなどの卑金属を用いることができ、誘電率が３０
０以上で３００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件下でのｔ
ａｎδが０．７％以下で、、静電容量の温度特性がＪＩ
Ｓ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ
７Ｒ特性を満足するものが得られる。しかも、１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用したときに、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表した場合に、室温で１３０
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。さらに、１５０℃、Ｄ
Ｃ２５ｋＶ／ｍｍの加速試験において、平均寿命時間が
９００時間以上と長い。
【００８４】なお、添加成分としてのＸ（Ｚｒ、Ｈｆ）
Ｏ3の具体的な含有量としては、試料番号３０１〜３０
５で示すとおり、主成分中のＡＢＯ3１モルに対して、
０．３５モル以下が好ましい。また、添加成分としての
Ｄの具体的な含有量としては、試料番号３０１〜３０５
で示すとおり、主成分中のＡＢＯ3１モルに対して、
０．０２モル以下が好ましい。
【００８５】これに対して、試料番号３０６のように、
Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3の含有量ｃが０．３５よりも大き
いと、静電容量の温度特性がＢ特性、Ｘ７Ｒ特性を満足
しない。試料番号３０７のように、Ｄの含有量ｄが０．
０２よりも大きいと、絶縁性と信頼性が低下する。ま
た、試料番号３０８のように、Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3の
含有量ｃが０．３５を超え、かつ、Ｄの含有量がｄが
０．０２を超えると、静電容量の温度特性がＢ特性、Ｘ
７Ｒ特性を満足せず、さらに絶縁性と信頼性が低下す
る。
【００８６】（実施例５）まず、出発原料として、Ｂａ
ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2を用意し、実施
例１と同様にして、表９に示す組成物のうちの、ペロブ
スカイト構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わされるチタン
酸バリウム系固溶体の１種である｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣ
ａy）Ｏ｝mＴｉＯ2を得た。
【００８７】
【表９】
【００８８】また、添加成分であるＲおよびＭの原料と
して、純度９９％以上のＬａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｐｒ
6Ｏ11、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、 Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｔ
ｍ2Ｏ３および、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｆｅ２Ｏ3、
Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3を準備した。
【００８９】さらに、実施例１と同様にして、焼結助材
１、２、３および４を準備した。
【００９０】次に、表９に示す組成物が得られるよう
に、以上準備したチタン酸バリウム系固溶体、添加成分
用原料および焼結助剤を秤量した。なお、添加成分Ｒ
（ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，
ＨｏおよびＴｍから選ばれる少なくとも１種の金属元素
の酸化物）の係数ａは、それぞれの酸化物を金属元素が
１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を示す。
また、添加成分Ｍ（ただし、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｆ
ｅ，ＡｌおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属
元素の酸化物）の係数ｂは、それぞれの酸化物を金属元
素が１元素含まれる化学式に換算したときのモル比を示
す。また、焼結助材の含有量は、主成分［｛（Ｂａ
1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2＋ａＲ＋ｂＭ］１００
重量部に対する含有部数である。
【００９１】次に、この秤量物に、ポリビニルブチラー
ル系バインダーおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、スラリーを調製し
た。このスラリーをドクターブレード法によりシート成
形し、厚み２５μｍの矩形のグリーンシートを得た。
【００９２】次に、このグリーンシート上に、Ａｇ−Ｐ
ｄを主成分（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０重量比）とする導
電ペーストを印刷し、内部電極を構成するための導電ペ
ースト層を形成した。その後、導電ペースト層が形成さ
れたグリーンシートを、導電ペースト層が引き出されて
いる側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を
得た。この積層体を、空気雰囲気中にて３５０℃の温度
に加熱し、バインダーを除去した後、空気雰囲気中にお
いて表１０に示す温度で２時間焼成し、セラミック焼結
体を得た。
【００９３】その後、得られたセラミック焼結体の両端
面にＢ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラスフリ
ットを含有する銀ペーストを塗布し、空気雰囲気中にお
いて６００℃の温度で焼付け、内部電極と電気的に接続
された外部電極を形成した。
【００９４】次に、実施例１と同様にして、めっき処理
をして、外部電極上にめっき被膜された積層セラミック
コンデンサを得た。以上得られた積層セラミックコンデ
ンサの寸法形状は、実施例１と同様である。その後、実
施例１と同様にして、電気特性を測定した。これらの結
果を表１０に示す。
【００９５】
【表１０】
【００９６】表９、１０から明らかなように、本誘電体
セラミック組成物の組成の範囲内であれば、試料番号４
０１〜４０６のように、内部電極にＡｇ／Ｐｄなどの貴
金属を用いることができ、誘電率が２００以上で３００
ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件下でのｔａｎδが０．７
％以下で、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定する
Ｂ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足す
る。
【００９７】また、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で使
用したときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）で
表した場合に、室温で７０００Ω・Ｆ以上と高い値を示
す。また、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの加速試験に
おいて、平均寿命時間が７００時間以上と長い。さら
に、焼成温度も１３００℃以下と、比較的低温で焼成可
能である。
【００９８】以上、上記実施例１、２、３、４および５
では、チタン酸バリウム系固溶体として、固相法により
作製した粉末を用いたが、本発明は、これに限定される
ものではなく、シュウ酸法、アルコキシド法あるいは水
熱合成法などの湿式法により作製されたチタン酸バリウ
ム系粉末を用いることができる。これらの粉末を用いる
ことにより、本実施例で示した特性よりも向上すること
も有り得る。
【００９９】また、出発原料として、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ
2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2
Ｏ3、Ｔｂ4Ｏ7、 Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ
2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、
Ｆｅ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＢａＺｒ
Ｏ3、ＳｒＺｒＯ3、ＣａＺｒＯ3、Ｖ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、
Ｔａ2Ｏ5、ＭｏＯ3、ＷＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3の酸化物
の粉末を用いたが、これに限定されるものではなく、こ
の発明の範囲の誘電体セラミック組成物を構成するよう
に配合すれば、アルコキシド、金属有機化合物などを用
いても、得られる特性を何ら損なうものではない。
【０１００】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、焼成温度が１３００℃以下で、誘電率が２００
以上で、高周波・高電圧交流下での損失および発熱の小
さい、具体的には３００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件
下での損失が０．７％以下であり、また、高電圧直流、
具体的には１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度下での絶縁抵
抗が静電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温で
７０００Ω・Ｆ以上と高く、また、静電容量の温度特性
がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定
するＸ７Ｒ特性を満足し、さらに、高温負荷試験に対し
て優れた特性を示す、誘電体セラミック組成物を得るこ
とができる。
【０１０１】また、上記誘電体セラミック組成物を誘電
体層とすることにより、内部電極として、Ｐｔ、Ａｕ、
ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金などの貴金属だけでなく、Ｎ
ｉまたはＮｉ合金などの卑金属を使用した、積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックコン
デンサを示す断面図である。
【図２】図１の積層セラミックコンデンサのうち内部電
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
【図３】図１の積層セラミックコンデンサのうちセラミ
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１ 積層セラミックコンデンサ ２ａ、２ｂ 誘電体セラミック層 ３ セラミック積層体 ４ 内部電極 ５ 外部電極 ６、７ めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10 AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA19 AA21 AA23 AA26 AA29 AA30 AA39 BA09 CA03 5G303 AA01 AB06 AB07 AB11 AB20 BA12 CA01 CB01 CB02 CB03 CB06 CB08 CB10 CB13 CB15 CB17 CB18 CB21 CB22 CB23 CB26 CB30 CB32 CB33 CB35 CB36 CB37 CB38 CB39 CB40 CB41 CB43 CC03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チタン酸バリウム系固溶体と添加成分か
    らなり、これを一般式、 ＡＢＯ3＋ａＲ＋ｂＭ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系固溶体をペロ
    ブスカイト構造を示す一般式で表わしたもの、ＲはＬ
    ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
    ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選ばれる少
    なくとも１種の金属元素の酸化物、ＭはＭｎ，Ｎｉ，Ｍ
    ｇ，Ｆｅ，Ａｌ，ＣｒおよびＺｎから選ばれる少なくと
    も１種の金属元素の酸化物であり、ａ，ｂはそれぞれの
    酸化物を金属元素が１元素含まれる化学式に換算したと
    きのモル比を示す）で表したとき、 ０．９５０≦Ａ／Ｂ（モル比）≦１．０５０ ０．１２＜ａ≦０．３０ ０．０４≦ｂ≦０．３０ の範囲内にある主成分に対し、副成分として、焼結助材
    を含有していることを特徴とする、誘電体セラミック組
    成物。
  2. 【請求項２】 前記焼結助材の含有量は、前記主成分１
    ００重量部に対して、０．８〜８．０重量部であること
    を特徴とする、請求項１に記載の誘電体セラミック組成
    物。
  3. 【請求項３】 前記主成分中の添加成分として、さら
    に、Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3（ただし、ＸはＢａ，Ｓｒ，
    Ｃａから選ばれる少なくとも１種の金属元素）、および
    Ｄ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙおよび
    Ｓｃから選ばれる少なくとも１種の金属元素の酸化物）
    から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とす
    る、請求項１または請求項２に記載の誘電体セラミック
    組成物。
  4. 【請求項４】 前記Ｘ（Ｚｒ，Ｈｆ）Ｏ3の含有量は、
    前記主成分中のＡＢＯ3で表わされるチタン酸バリウム
    固溶体１モルに対して、０．３５モル以下であることを
    特徴とする、請求項３に記載の誘電体セラミック組成
    物。
  5. 【請求項５】 前記Ｄの含有量は、前記主成分中のＡＢ
    Ｏ3で表わされるチタン酸バリウム固溶体１モルに対し
    て、前記Ｄで表わされる酸化物を金属元素が１元素含ま
    れる化学式に換算して０．０２モル以下であることを特
    徴とする、請求項３に記載の誘電体セラミック組成物。
  6. 【請求項６】 前記ＡＢＯ3で表わされるチタン酸バリ
    ウム系固溶体は、 ｛（Ｂａ1-x-yＳｒxＣａy）Ｏ｝mＴｉＯ2 （ただし、０≦ｘ＋ｙ≦０．２０、０．９５０≦ｍ≦
    １．０５０）で表わされることを特徴とする、請求項１
    から５のいずれかに記載の誘電体セラミック組成物。
  7. 【請求項７】 前記焼結助材は、Ｂ元素およびＳｉ元素
    のうち少なくとも１種を含有する酸化物であることを特
    徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の誘電体セ
    ラミック組成物。
  8. 【請求項８】 前記焼結助材は、酸化珪素であることを
    特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の誘電体
    セラミック組成物。
  9. 【請求項９】 複数の誘電体セラミック層と、該誘電体
    セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に
    電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミッ
    クコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が請求
    項１から８のいずれかに記載の誘電体セラミック組成物
    で構成されていることを特徴とする、積層セラミックコ
    ンデンサ。
  10. 【請求項１０】 前記外部電極は、導電性金属粉末の焼
    結層、またはガラスフリットを含有する導電性金属粉末
    の焼結層によって構成されていることを特徴とする、請
    求項９に記載の積層セラミックコンデンサ。
  11. 【請求項１１】 前記外部電極は、導電性金属粉末の焼
    結層からなる第１層、またはガラスフリットを含有する
    導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のめ
    っき層からなる第２層とを含むことを特徴とする、請求
    項９に記載の積層セラミックコンデンサ。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252138A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 耐還元性誘電体セラミック及びその製造方法、それを用いた積層セラミックコンデンサ
US6544916B1 (en) 1999-10-05 2003-04-08 Tdk Corporation Manufacture method of dielectric ceramic composition
WO2003040058A1 (fr) * 2001-11-09 2003-05-15 Noritake Co.,Limited Materiau ceramique conducteur d'ions oxygene et son application
WO2005016845A1 (ja) * 2003-08-14 2005-02-24 Rohm Co., Ltd. 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品
WO2005082807A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ
JP2006169051A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ並びにこれらの製造方法
JP2006199534A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2006282483A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2006321670A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
US7271115B2 (en) 2004-07-08 2007-09-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor
JP2008162830A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
JPWO2006104026A1 (ja) * 2005-03-28 2008-09-04 松下電器産業株式会社 誘電体磁器組成物、およびこれを用いたコンデンサの製造方法
JP2012056840A (ja) * 2011-10-13 2012-03-22 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
WO2012057216A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 京セラ株式会社 コンデンサ
JP2013224433A (ja) * 2008-05-23 2013-10-31 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 赤外線反射材料及びそれを含有した塗料、樹脂組成物
KR20150052378A (ko) * 2013-10-31 2015-05-14 필코씨앤디(주) 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
JP2017119610A (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 誘電体組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシター
KR20180051219A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 엘지전자 주식회사 도전성 페이스트
WO2018088625A1 (ko) * 2016-11-08 2018-05-17 엘지전자 주식회사 도전성 페이스트 및 면상 발열체
KR101873418B1 (ko) * 2016-11-08 2018-07-02 엘지전자 주식회사 면상 발열체
KR101918036B1 (ko) 2016-08-09 2018-11-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3367479B2 (ja) * 1999-08-19 2003-01-14 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよび積層セラミック電子部品
JP3840869B2 (ja) * 1999-10-28 2006-11-01 株式会社村田製作所 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置
WO2002008147A1 (en) * 2000-07-26 2002-01-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dielectric ceramic barium titanate composition and electronic device
JP2002050536A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Murata Mfg Co Ltd 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
US6517626B2 (en) * 2000-08-14 2003-02-11 Gage Products Company Universal paint solvent
JP3991564B2 (ja) * 2000-08-25 2007-10-17 株式会社村田製作所 圧電磁器組成物及び圧電素子
KR100390468B1 (ko) * 2000-09-15 2003-07-04 한국과학기술연구원 초미립 유전체 세라믹스의 제조방법
JP4392821B2 (ja) * 2000-10-24 2010-01-06 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ
CN100497250C (zh) * 2000-11-15 2009-06-10 Tdk株式会社 压敏非线性电阻器陶瓷
KR100399800B1 (ko) * 2000-11-21 2003-09-29 주식회사에스지테크놀러지 고품질 고주파용 세라믹 유전체 조성물
JP2002164247A (ja) * 2000-11-24 2002-06-07 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP2002187770A (ja) * 2000-12-15 2002-07-05 Toho Titanium Co Ltd 誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP4898080B2 (ja) * 2001-05-08 2012-03-14 エプコス アクチエンゲゼルシャフト セラミックの多層デバイス及びその製造方法
TW569254B (en) * 2001-11-14 2004-01-01 Taiyo Yuden Kk Ceramic capacitor and its manufacturing method
TWI240288B (en) * 2003-01-31 2005-09-21 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic and the manufacturing method thereof, and the laminated ceramic condenser
JP2005145791A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
KR100861100B1 (ko) * 2003-11-21 2008-09-30 티디케이가부시기가이샤 적층형 세라믹 컨덴서
CN100583328C (zh) * 2004-04-23 2010-01-20 株式会社村田制作所 电子元件及其制造方法
JP4095586B2 (ja) * 2004-06-29 2008-06-04 Ｔｄｋ株式会社 積層型セラミックコンデンサおよびその製造方法
US7365958B2 (en) * 2004-10-27 2008-04-29 Kyocera Corporation Dielectric ceramics, multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same
CN100519474C (zh) * 2004-12-24 2009-07-29 株式会社村田制作所 电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器
JP4483597B2 (ja) * 2005-01-20 2010-06-16 Ｔｄｋ株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP3918851B2 (ja) * 2005-06-03 2007-05-23 株式会社村田製作所 積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法
WO2006109369A1 (ja) * 2005-04-12 2006-10-19 Murata Manufacturing Co., Ltd 電子部品モジュール
CN100456397C (zh) * 2005-11-21 2009-01-28 天津大学 钛酸钡陶瓷电容器介质的钛位先驱体掺杂改性方法
CN100378032C (zh) * 2005-11-21 2008-04-02 天津大学 钛酸钡基陶瓷电容器介质及其制备方法
JP2007230819A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Tdk Corp 誘電体磁器組成物、電子部品およびその製造方法
JP4839913B2 (ja) 2006-03-23 2011-12-21 Ｔｄｋ株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2007331956A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2007331958A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP4936825B2 (ja) * 2006-08-02 2012-05-23 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP5137429B2 (ja) * 2006-11-29 2013-02-06 京セラ株式会社 誘電体磁器およびコンデンサ
EP1980545B1 (en) 2007-04-12 2009-12-09 TDK Corporation Dielectric ceramic composition and electronic device
JP4967963B2 (ja) 2007-09-28 2012-07-04 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP5217405B2 (ja) 2007-12-11 2013-06-19 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
CN101503293B (zh) * 2009-03-06 2012-12-05 湖北大学 一种掺杂钛酸锶钡高介电性铁电陶瓷材料及其制备方法
JP5429299B2 (ja) * 2009-10-05 2014-02-26 株式会社村田製作所 扁平形状のＮｉ粒子の製造方法
JP2011162396A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
CN103288444A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 深圳光启创新技术有限公司 一种陶瓷复合材料及其制备的超材料
CN103848573B (zh) * 2012-12-06 2016-08-17 北京有色金属研究总院 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法
KR20140083509A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 유전체층으로 포함하는 적층 세라믹 커패시터
CN103408302B (zh) * 2013-07-19 2015-02-04 江苏大学 一种高介高温度稳定陶瓷电容器介质及其制备方法
CN104193328B (zh) * 2014-09-03 2015-11-18 鞍山信材科技有限公司 一种耐高功率型无铅环保陶瓷介质材料
KR102183423B1 (ko) * 2014-12-08 2020-11-26 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
CN104609852B (zh) * 2015-01-06 2017-02-22 福建火炬电子科技股份有限公司 一种线性高压低损耗电容器陶瓷材料及其制备方法
CN105384436B (zh) * 2015-11-10 2017-09-12 江苏科技大学 一种富钛型钛酸锶钡基电介质陶瓷材料及其制备方法
CN105801112A (zh) * 2016-03-23 2016-07-27 武汉理工大学 Nd、Al共掺杂取代Ba0.4Sr0.6TiO3巨介电陶瓷及其制备方法
TWI642074B (zh) * 2016-06-06 2018-11-21 村田製作所股份有限公司 Multilayer ceramic capacitor
CN106128758B (zh) * 2016-06-13 2018-02-13 吴江佳亿电子科技有限公司 一种改良型半导体陶瓷电容器材料及其制备方法
KR101853191B1 (ko) 2016-07-28 2018-04-27 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 제조 방법
JP7089402B2 (ja) * 2018-05-18 2022-06-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP7145652B2 (ja) * 2018-06-01 2022-10-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP7446705B2 (ja) * 2018-06-12 2024-03-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR101949082B1 (ko) * 2018-06-15 2019-05-02 이인우 선박용 로프커터
CN111517780B (zh) * 2019-02-01 2023-07-25 三星电机株式会社 介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器
KR102225451B1 (ko) * 2019-06-28 2021-03-09 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층형 전자 부품
CN110423116B (zh) * 2019-07-24 2021-07-02 桂林理工大学 一种x7r型陶瓷电容器介质材料及其制备方法
KR20190116141A (ko) * 2019-07-24 2019-10-14 삼성전기주식회사 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
TWI766181B (zh) * 2019-08-16 2022-06-01 興勤電子工業股份有限公司 陶瓷組成物用於熱敏電阻之用途、陶瓷燒結體用於熱敏電阻之用途、熱敏電阻及其製法
CN112759384B (zh) * 2019-11-06 2022-09-30 兴勤电子工业股份有限公司 陶瓷组成物用于热敏电阻器的用途、陶瓷烧结体用于热敏电阻器的用途及热敏电阻器
EP4211709A1 (en) * 2020-09-10 2023-07-19 Kemet Electronics Corporation Resonant multilayer ceramic capacitors
CN112645708B (zh) * 2020-12-24 2022-07-15 福建火炬电子科技股份有限公司 一种抗还原bme瓷介电容器及电容器用陶瓷材料
CN114956806B (zh) * 2021-09-02 2023-06-27 深圳先进电子材料国际创新研究院 共掺杂钛酸钡陶瓷介电材料、制备及其应用
CN113831123B (zh) * 2021-09-07 2022-08-12 成都宏科电子科技有限公司 钛酸钡基芯片电容器用介质陶瓷材料及其制备方法和应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69027394T2 (de) 1989-10-18 1997-02-06 Tdk Corp Keramischer Mehrschicht-Chipkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH05109319A (ja) * 1991-10-17 1993-04-30 Tdk Corp 高誘電率誘電体磁器組成物
JP3250923B2 (ja) * 1994-11-28 2002-01-28 京セラ株式会社 誘電体磁器組成物
US5650367A (en) * 1994-01-28 1997-07-22 Kyocera Corporation Dielectric ceramic composition
FR2718539B1 (fr) 1994-04-08 1996-04-26 Thomson Csf Dispositif d'amplification de taux de modulation d'amplitude d'un faisceau optique.
DE69503208T2 (de) * 1994-10-03 1999-01-07 Murata Manufacturing Co Herstellung von keramischen dielektrischen Pulvern
JP3161278B2 (ja) * 1995-04-26 2001-04-25 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物
TW321776B (ja) * 1995-07-21 1997-12-01 Tdk Electronics Co Ltd

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6544916B1 (en) 1999-10-05 2003-04-08 Tdk Corporation Manufacture method of dielectric ceramic composition
JP2002252138A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 耐還元性誘電体セラミック及びその製造方法、それを用いた積層セラミックコンデンサ
JP4660940B2 (ja) * 2001-02-22 2011-03-30 パナソニック株式会社 耐還元性誘電体セラミック及びその製造方法、それを用いた積層セラミックコンデンサ
WO2003040058A1 (fr) * 2001-11-09 2003-05-15 Noritake Co.,Limited Materiau ceramique conducteur d'ions oxygene et son application
US7442344B2 (en) 2001-11-09 2008-10-28 Chubu Electric Power Co., Inc. Ceramic member with oxygen ion conductivity and use thereof
WO2005016845A1 (ja) * 2003-08-14 2005-02-24 Rohm Co., Ltd. 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品
US7351676B2 (en) 2003-08-14 2008-04-01 Rohm Co., Ltd. Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component
GB2426515A (en) * 2004-02-27 2006-11-29 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic composition and laminated ceramic condenser
WO2005082807A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ
US7160827B2 (en) 2004-02-27 2007-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor
GB2426515B (en) * 2004-02-27 2007-10-24 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic composition and laminated ceramic condenser
US7271115B2 (en) 2004-07-08 2007-09-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor
JP2006169051A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ並びにこれらの製造方法
JP4622537B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-02 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2006199534A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
JPWO2006104026A1 (ja) * 2005-03-28 2008-09-04 松下電器産業株式会社 誘電体磁器組成物、およびこれを用いたコンデンサの製造方法
JP4935671B2 (ja) * 2005-03-28 2012-05-23 パナソニック株式会社 誘電体磁器組成物、およびこれを用いたコンデンサの製造方法
JP2006282483A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP2006321670A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP2008162830A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2013224433A (ja) * 2008-05-23 2013-10-31 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 赤外線反射材料及びそれを含有した塗料、樹脂組成物
US8906272B2 (en) 2008-05-23 2014-12-09 Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. Infra-red reflective material and production method thereof, and paint and resin composition containing the same
WO2012057216A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 京セラ株式会社 コンデンサ
JP2012056840A (ja) * 2011-10-13 2012-03-22 Tdk Corp 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
KR20150052378A (ko) * 2013-10-31 2015-05-14 필코씨앤디(주) 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
KR101589687B1 (ko) 2013-10-31 2016-01-29 알에프엠엔씨 주식회사 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
JP2017119610A (ja) * 2015-12-29 2017-07-06 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 誘電体組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシター
KR20170078064A (ko) 2015-12-29 2017-07-07 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터
KR101918036B1 (ko) 2016-08-09 2018-11-13 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물
KR20180051219A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 엘지전자 주식회사 도전성 페이스트
WO2018088625A1 (ko) * 2016-11-08 2018-05-17 엘지전자 주식회사 도전성 페이스트 및 면상 발열체
KR101873418B1 (ko) * 2016-11-08 2018-07-02 엘지전자 주식회사 면상 발열체
KR102003939B1 (ko) * 2016-11-08 2019-07-25 엘지전자 주식회사 도전성 페이스트

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