KR101918036B1 - 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물 - Google Patents

세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101918036B1
KR101918036B1 KR1020170092604A KR20170092604A KR101918036B1 KR 101918036 B1 KR101918036 B1 KR 101918036B1 KR 1020170092604 A KR1020170092604 A KR 1020170092604A KR 20170092604 A KR20170092604 A KR 20170092604A KR 101918036 B1 KR101918036 B1 KR 101918036B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
parts
less
terms
element group
Prior art date
Application number
KR1020170092604A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180018322A (ko
Inventor
타츠야 이즈미
토모타카 히라타
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20180018322A publication Critical patent/KR20180018322A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101918036B1 publication Critical patent/KR101918036B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/14—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3272—Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3272—Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
    • C04B2235/3274—Ferrites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

세라믹 전자부품이나 유전체 자기 조성물에서, 폭넓은 온도 영역에서의 온도 특성을 향상시킨다.
제1 원소군과 제2 원소군을 포함하며, 제1 원소군은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부 중에, Ba를 BaO 환산으로 20 이상 40중량부 이하, Si를 SiO2 환산으로 48 이상 75중량부 이하, Al을 Al2O3 환산으로 5 이상 20중량부 이하의 비율로 함유한다. 제2 원소군은 Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지고, Ba가 BaO, Si가 SiO2, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부에 대하여, Mn을 MnO 환산으로 1 이상 10중량부 이하, Sr을 SrO 환산으로 1 이상 35중량부 이하, Mg를 MgO 환산으로 0.1 이상 6중량부 이하, Ti를 TiO2 환산으로, Fe를 Fe2O3 환산으로, 1 이상 35중량부 이하의 비율로 함유한다.

Description

세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물{CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION}
본 발명은, 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물에 관한 것이며, 상세하게는, 폭넓은 온도 영역에서 양호한 온도 특성을 가지는 세라믹 전자부품, 및 그 세라믹 전자부품에 이용되는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형ㆍ경량화에 따라, 소형이며 대용량인 적층 세라믹 콘덴서가 널리 이용되고 있다.
그러한 적층 세라믹 콘덴서로서, 온도 변화에 대한 정전 용량 변화가 직선적인 온도 보상용 적층 세라믹 콘덴서가 알려져 있다.
특허문헌 1에는, 온도 보상용 적층 세라믹 콘덴서에 이용되는 유전체 자기 조성물, 및 그것을 이용하여 제작된 온도 보상용 적층 세라믹 콘덴서가 개시되어 있다. 또한 특허문헌 1에는, 그 실시예에 따른 적층 세라믹 콘덴서의, 25℃에서 85℃의 범위에서의 온도 계수가 나타나 있고, 그 온도 범위에서는 양호한 온도 특성을 가지고 있는 것이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2004-107202호
그러나 25℃ 이상 85℃ 이하의 범위에서는, 적층 세라믹 콘덴서가 사용되는 온도 영역으로는 불충분한 경우가 있다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하는 것이며, 폭넓은 온도 영역에서 양호한 온도 특성을 가지는 세라믹 전자부품, 및 그 세라믹 전자부품에 이용되는 유전체 자기 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 세라믹 전자부품은,
복수의 유전체층과, 상기 유전체층을 사이에 두고 적층된 복수의 내부전극을 가지는 적층체와,
상기 적층체의 외부에 마련되고, 상기 적층체의 표면에 인출된 내부전극과 전기적으로 도통(導通)된 한 쌍의 외부전극을 포함한 세라믹 전자부품으로서,
상기 적층체는, 상기 유전체층과 상기 내부전극의 적층방향인 두께방향으로 마주 보는 제1 주면(主面) 및 제2 주면과, 상기 한 쌍의 외부전극이 대향하는 방향인 길이방향으로 마주 보고, 상기 외부전극이 마련되어 있는 제1 단면(端面) 및 제2 단면과, 상기 두께방향 및 상기 길이방향에 직교하는 폭방향으로 마주 보는 제1 측면 및 제2 측면을 가지며,
상기 유전체층은 제1 원소군과 제2 원소군을 포함하고,
상기 제1 원소군은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부 중에,
Ba를, BaO 환산으로 20중량부 이상 40중량부 이하,
Si를, SiO2 환산으로 48중량부 이상 75중량부 이하,
Al을, Al2O3 환산으로 5중량부 이상 20중량부 이하의 비율로 함유하며,
상기 제2 원소군은 Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부에 대하여,
Mn을, MnO 환산으로 1중량부 이상 10중량부 이하,
Sr을, SrO 환산으로 1중량부 이상 35중량부 이하,
Mg를, MgO 환산으로 0.1중량부 이상 6중량부 이하,
Ti 및 Fe 중 적어도 하나를, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2 환산으로, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3 환산으로, 1중량부 이상 35중량부 이하의 비율로 함유하는 것을 특징으로 한다.
Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부 중에,
Ba를, BaO 환산으로 25중량부 이상 35중량부 이하,
Si를, SiO2 환산으로 48중량부 이상 65중량부 이하,
Al을, Al2O3 환산으로 10중량부 이상 15중량부 이하의 비율로 함유하고,
Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부에 대하여,
Mn을, MnO 환산으로 2중량부 이상 7중량부 이하,
Sr을, SrO 환산으로 3중량부 이상 7중량부 이하,
Mg를, MgO 환산으로 0.25중량부 이상 2중량부 이하,
Ti 및 Fe 중 적어도 하나를, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2 환산으로, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3 환산으로, 3중량부 이상 7중량부 이하의 비율로 함유하도록 구성되어 있어도 된다.
또한 상기 내부전극은, 적층된 내부전극끼리가 대향하는 부분인 대향전극부와, 상기 대향전극부로부터 상기 제1 단면 또는 상기 제2 단면까지 인출된 부분인 인출전극부를 가지며,
상기 폭방향에서의 상기 대향전극부와 상기 제1 측면 사이의 거리 및 상기 대향전극부와 상기 제2 측면 사이의 거리는 5㎛ 이상 30㎛ 이하이고,
상기 내부전극의 두께는 1.0㎛ 이상 5.0㎛ 이하인 바와 같이 구성되어 있어도 된다.
또한 상기 세라믹 전자부품의 상기 길이방향의 치수는 0.2㎜ 이상 2.0㎜ 이하이고,
상기 세라믹 전자부품의 상기 두께방향의 치수는 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하이며,
상기 세라믹 전자부품의 상기 폭방향의 치수는 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하인 바와 같이 구성되어 있어도 된다.
또한 상기 세라믹 전자부품의 상기 폭방향의 치수는, 상기 세라믹 전자부품의 상기 두께방향의 치수보다 커도 된다.
또한 본 발명의 유전체 자기 조성물은,
제1 원소군과 제2 원소군을 포함하고,
상기 제1 원소군은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부 중에,
Ba를, BaO 환산으로 20중량부 이상 40중량부 이하,
Si를, SiO2 환산으로 48중량부 이상 75중량부 이하,
Al을, Al2O3 환산으로 5중량부 이상 20중량부 이하의 비율로 함유하며,
상기 제2 원소군은 Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부에 대하여,
Mn을, MnO 환산으로 1중량부 이상 10중량부 이하,
Sr을, SrO 환산으로 1중량부 이상 35중량부 이하,
Mg를, MgO 환산으로 0.1중량부 이상 6중량부 이하,
Ti 및 Fe 중 적어도 하나를, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2 환산으로, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3 환산으로, 1중량부 이상 35중량부 이하의 비율로 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 폭넓은 온도 영역에서 양호한 온도 특성을 가지는 세라믹 전자부품을 실현할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 유전체 자기 조성물을 이용하여, 예를 들면 세라믹 전자부품을 제작함으로써, 폭넓은 온도 영역에서 양호한 온도 특성을 가지는 세라믹 전자부품을 제작할 수 있다.
도 1은 한 실시형태에서의 적층 세라믹 콘덴서의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서의 II-II선을 따른 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서의 III-III선을 따른 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서의 IV-IV선을 따른 단면도이다.
이하에 본 발명의 실시형태를 나타내고, 본 발명이 특징으로 하는 부분을 더 구체적으로 설명한다.
이하에서는, 본 발명에 의한 세라믹 전자부품으로서, 적층 세라믹 콘덴서를 예로 들어 설명한다.
도 1은, 한 실시형태에서의 적층 세라믹 콘덴서(10)의 사시도이다. 도 2는, 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 II-II선을 따른 단면도이다. 도 3은, 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 III-III선을 따른 단면도이다. 도 4는, 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 IV-IV선을 따른 단면도이다.
도 1~도 4에 나타내는 바와 같이, 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 전체적으로 직방체 형상을 가지는 전자부품이며, 적층체(11)와 한 쌍의 외부전극(14(14a, 14b))을 가지고 있다. 한 쌍의 외부전극(14(14a, 14b))은, 도 1에 나타내는 바와 같이 대향하도록 배치되어 있다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 적층체(11)는, 교대로 적층된 유전체층(12)과, 후술하는 바와 같이, 적층체(11)의 제1 단면(15a) 측으로 인출된 제1 내부전극(13a) 및 제2 단면(15b) 측으로 인출된 제2 내부전극(13b)을 포함한다. 즉, 복수의 유전체층(12)과 복수의 내부전극(13(13a, 13b))이 교대로 적층되어, 적층체(11)가 형성되어 있다.
여기서는, 한 쌍의 외부전극(14)이 대향하는 방향을 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이방향으로 정의하고, 유전체층(12)과 내부전극(13(13a, 13b))의 적층방향을 두께방향으로 정의하며, 길이방향 및 두께방향의 어느 방향에도 직교하는 방향을 폭방향으로 정의한다.
적층체(11)는, 길이방향으로 마주 보는 제1 단면(15a) 및 제2 단면(15b)과, 두께방향으로 마주 보는 제1 주면(16a) 및 제2 주면(16b)과, 폭방향으로 마주 보는 제1 측면(17a) 및 제2 측면(17b)을 가진다. 제1 단면(15a)에는, 외부전극(14a)이 마련되어 있고, 제2 단면(15b)에는, 외부전극(14b)이 마련되어 있다.
적층체(11)는, 각부(角部) 및 능선부가 둥그스름한 것이 바람직하다. 여기서, 각부는 적층체(11)의 3면이 교차하는 부분이며, 능선부는 적층체(11)의 2면이 교차하는 부분이다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 적층체(11)를 구성하는 유전체층(12)은, 외층부 유전체층(12a)과 내층부 유전체층(12b)을 포함한다. 외층부 유전체층(12a)은, 적층체(11)의 제1 주면(16a) 측과 제2 주면(16b) 측, 즉 적층체(11)의 두께방향의 양(兩) 외측에 위치하는 유전체층이다. 즉, 외층부 유전체층(12a)은, 제1 주면(16a)과, 제1 주면(16a)에 가장 가까운 제1 내부전극(13a) 사이, 및 제2 주면(16b)과, 제2 주면(16b)에 가장 가까운 제2 내부전극(13b) 사이에 각각 위치하는 유전체층이다.
내층부 유전체층(12b)은, 제1 내부전극(13a)과, 제2 내부전극(13b) 사이에 위치하는 유전체층이다.
적층체(11)를 구성하는 내층부 유전체층(12b), 즉 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b) 사이에 위치하는 내층부 유전체층(12b)의 수는, 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b) 수에 따라 정해진다. 또한 외층부 유전체층(12a)은, 상술한 내층부 유전체층(12b)과는 달리 필요해진다.
내층부 유전체층(12b)의 두께는, 예를 들면 1.0㎛ 이상 5.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한 외층부 유전체층(12a)의 두께는, 예를 들면 10㎛ 이상인 것이 바람직하다.
유전체층(12)은, 제1 원소군과 제2 원소군을 포함한다.
제1 원소군은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부 중에 Ba, Si, 및 Al을 각각 이하의 비율로 함유한다.
ㆍBa의 함유 비율은, BaO로 환산하여 20중량부 이상 40중량부 이하
ㆍSi의 함유 비율은, SiO2로 환산하여 48중량부 이상 75중량부 이하
ㆍAl의 함유 비율은, Al2O3으로 환산하여 5중량부 이상 20중량부 이하
제2 원소군은 Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부에 대하여, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg를 각각 이하의 비율로 함유한다.
ㆍTi 및 Fe 중 적어도 하나의 함유 비율은, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2로 환산하고, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3으로 환산하여, 1중량부 이상 35중량부 이하이다. 또한 Ti 및 Fe 중 적어도 하나가 포함되어 있으면 되므로, Ti만이 포함되어 있어도 되고, Fe만이 포함되어 있어도 된다. 또한 Ti 및 Fe의 양쪽이 포함되어 있어도 된다.
ㆍMn의 함유 비율은, MnO로 환산하여 1중량부 이상 10중량부 이하
ㆍSr의 함유 비율은, SrO로 환산하여 1중량부 이상 35중량부 이하
ㆍMg의 함유 비율은, MgO로 환산하여 0.1중량부 이상 6중량부 이하
유전체층(12)이 Ba, Si, 및 Al로 이루어지는 제1 원소군과, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지는 제2 원소군을 포함하고, 제1 원소군에 포함되는 Ba, Si, 및 Al의 함유 비율과, 제2 원소군에 포함되는, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg의 함유 비율이 상기 비율이라는 조건(이하, "조건 1"이라고 부름)을 만족시킴으로써, 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 후술하는 바와 같이 폭넓은 온도 범위, 예를 들면 -55℃ 이상 125℃ 이하의 온도 범위에서, 양호한 온도 특성을 나타낸다.
또한 유전체층(12)은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지는 제1 원소군과, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지는 제2 원소군을 포함하고, Ba, Si, Al, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg의 함유 비율이 상기 조건 1을 만족시키는 유전체 자기 조성물을 이용하여 구성되어 있다고도 할 수 있다.
또한 Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부 중에서의 Ba, Si, 및 Al의 함유 비율, 및 Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부에 대한, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg의 함유 비율은 각각, 이하의 비율이라는 조건(이하, "조건 2"라고 부름)을 만족시키는 것이 보다 바람직하다.
ㆍBa의 함유 비율은, BaO로 환산하여 25중량부 이상 35중량부 이하
ㆍSi의 함유 비율은, SiO2로 환산하여 48중량부 이상 65중량부 이하
ㆍAl의 함유 비율은, Al2O3으로 환산하여 10중량부 이상 15중량부 이하
ㆍTi 및 Fe 중 적어도 하나의 함유 비율은, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2로 환산하고, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3으로 환산하여, 3중량부 이상 7중량부 이하
ㆍMn의 함유 비율은, MnO로 환산하여 2중량부 이상 7중량부 이하
ㆍSr의 함유 비율은, SrO로 환산하여 3중량부 이상 7중량부 이하
ㆍMg의 함유 비율은, MgO로 환산하여 0.25중량부 이상 2중량부 이하
제1 원소군에 포함되는 Ba, Si, 및 Al의 함유 비율과, 제2 원소군에 포함되는, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg의 함유 비율이 상기 조건 2의 비율을 만족시킴으로써, 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 후술하는 바와 같이, 폭넓은 온도 범위에서 양호한 온도 특성을 나타냄과 함께, 내습성이 보다 향상된다.
각 원소의 함유 비율은, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 유전체층(12)을 용제에 의해 용해 처리하여 용액화하고 ICP 분석함으로써 구할 수 있다. 각 원소가 유전체층(12) 내의 어느 위치에 존재했는지에 대해서는, 특별한 제약은 없다.
또한 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)이 상기 제1 원소군 및 제2 원소군을 구성하는 원소를 포함하고 있지 않으면, 적층체(11)를 용해 처리하여 용액화하고 ICP 분석함으로써, 유전체층(12)에 포함되는 상술한 각 원소의 함유 비율, 즉 Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부 중 Ba, Si, 및 Al의 함유 비율과, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부에 대한, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg의 함유 비율을 각각 구할 수 있다.
여기서, 적층체(11)를 용액화하는 방법으로는, 예를 들면 적층체(11)를 산에 의해 용해하여 용액화하는 방법이나, 알칼리 융해한 후 산 등에 녹여 용액화하는 방법이 있다. 즉, 용해 처리하여 용액으로 하는 방법에 특별한 제약은 없다.
또한 제1 내부전극(13a), 제2 내부전극(13b), 및 외부전극(14)이 상기 제1 원소군 및 제2 원소군을 구성하는 원소를 포함하고 있지 않으면, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 용해 처리하여 용액화하고 ICP 분석함으로써, 유전체층(12)에 포함되는 상술한 각 원소의 함유 비율을 구할 수 있다.
적층체(11)는, 상술한 바와 같이, 제1 단면(15a) 측으로 인출된 제1 내부전극(13a)과, 제2 단면(15b) 측으로 인출된 제2 내부전극(13b)을 포함한다. 제1 내부전극(13a)과 제2 내부전극(13b)은, 두께방향에서 내층부 유전체층(12b)을 사이에 두고 교대로 배치되어 있다.
제1 내부전극(13a)은, 제2 내부전극(13b)과 대향하는 부분인 대향전극부와, 대향전극부로부터 적층체(11)의 제1 단면(15a)까지 인출된 부분인 인출전극부를 포함하고 있다. 또한 제2 내부전극(13b)은, 제1 내부전극(13a)과 대향하는 부분인 대향전극부와, 대향전극부로부터 적층체(11)의 제2 단면(15b)까지 인출된 부분인 인출전극부를 포함하고 있다. 제1 내부전극(13a)의 대향전극부와, 제2 내부전극(13b)의 대향전극부가 내층부 유전체층(12b)을 사이에 두고 대향함으로써 용량이 형성되고, 이에 따라 콘덴서로서 기능한다.
적층 세라믹 콘덴서(10)를 실장한 상태에서, 실장 자세에 의존하지 않는 주파수 특성을 얻기 위해서는, 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)의 폭방향에서의 단부의 위치는, 적층방향에서 정렬되어 있는 것이 바람직하다.
제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)은, 예를 들면 Ni, Cu, Ag, Pd, Ag와 Pd의 합금, 및 Au 등의 금속을 함유하고 있다. 특히, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 주파수 특성을 양호한 것으로 하기 위해, 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)으로서, Cu를 이용하는 것이 바람직하다. 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)은, 유전체층(12)에 포함되는 세라믹과 동일 조성계인 유전체 입자를 더 포함하고 있어도 된다.
제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)의 두께는 1.0㎛ 이상 5.0㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한 적층체(11)의 폭방향에서, 내부전극(13(13a, 13b))의 대향전극부와, 제1 측면(17a) 사이의 거리(W1a) 및 제2 측면(17b) 사이의 거리(W1b)(도 4 참조)는, 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 적층체(11)의 폭방향에서, 내부전극(13(13a, 13b))의 대향전극부와, 제1 측면(17a) 사이의 거리(W1a) 및 제2 측면(17b) 사이의 거리(W1b)를 30㎛ 이하로 함으로써, 내부전극(13)의 폭방향의 치수를 크게 할 수 있으므로 저(低)저항화를 실현할 수 있고, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 주파수 특성을 양호하게 할 수 있다.
단, 통상적으로는, 상술한 거리(W1a) 및 거리(W1b)는, 내부전극(13(13a, 13b))의 폭방향의 단부와, 제1 측면(17a) 혹은 제2 측면(17b) 사이의 거리가 지나치게 작아지거나, 내부전극(13(13a, 13b))의 폭방향의 단부가, 제1 측면(17a) 혹은 제2 측면(17b)에 노출될 우려가 없도록, 어느 정도의 크기가 확보되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 거리(W1a) 및 거리(W1b)는, 5㎛ 이상인 것이 바람직하다.
내부전극(13(13a, 13b))의 대향전극부와, 제1 측면(17a) 사이의 거리(W1a) 및 제2 측면(17b) 사이의 거리(W1b)는, 이하의 방법에 의해 계측할 수 있다. 즉, 적층체(11)의 두께방향 및 폭방향에 의해 규정되는 면, 환언하면 적층체(11)의 길이방향과 직교하는 면인 제1 단면(15a) 혹은 제2 단면(15b)을 연마하여, 내부전극(13(13a, 13b))을 노출시키고, 노출된 내부전극(13(13a, 13b))과, 적층체(11)의 제1 측면(17a) 사이의 거리 및 제2 측면(17b) 사이의 거리를, 광학 현미경을 이용하여 측장(測長)한다.
복수의 유전체층(12)의 두께, 및 복수의 내부전극(13(13a, 13b))의 각각의 두께는, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.
먼저, 적층체(11)의 두께방향 및 폭방향에 의해 규정되는 면, 환언하면 적층체(11)의 길이방향과 직교하는 면을 연마함으로써 절단면을 노출시키고, 그 절단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한다. 다음으로, 노출시킨 절단면의 중심을 통과하는 두께방향을 따른 중심선, 및 이 중심선으로부터 양측에 등간격으로 2개씩 그은 선의 합계 5개의 선상에서, 유전체층(12)의 두께를 측정한다. 이 5개의 측정치의 평균치를, 유전체층(12)의 두께로 한다.
또한 보다 정확하게 구하기 위해서는, 두께방향에서 적층체(11)를 상부, 중앙부, 및 하부로 나누고, 상부, 중앙부, 및 하부의 각각에서, 상술한 5개의 측정치를 구하고, 구한 모든 측정치의 평균치를, 유전체층(12)의 두께로 한다.
위에서는, 유전체층(12)의 두께를 측정하는 방법에 대해 설명했지만, 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)의 두께도, 유전체층(12)의 두께를 측정하는 방법에 준하는 방법으로, 유전체층의 두께를 측정한 절단면과 동일한 절단면에 대해, 주사형 전자 현미경(SEM)을 이용하여 측정할 수 있다.
외부전극(14a)은, 적층체(11)의 제1 단면(15a)의 전체에 형성되어 있음과 함께, 제1 단면(15a)으로부터, 제1 주면(16a), 제2 주면(16b), 및 제1 측면(17a), 제2 측면(17b)으로 돌아 들어가도록 형성되어 있다. 또한 외부전극(14b)은, 적층체(11)의 제2 단면(15b)의 전체에 형성되어 있음과 함께, 제2 단면(15b)으로부터, 제1 주면(16a), 제2 주면(16b), 및 제1 측면(17a), 제2 측면(17b)으로 돌아 들어가도록 형성되어 있다.
한쪽의 외부전극(14a)은, 제1 내부전극(13a)과 전기적으로 접속되어 있고, 다른 쪽의 외부전극(14b)은, 제2 내부전극(13b)과 전기적으로 접속되어 있다.
외부전극(14(14a, 14b))은, 예를 들면 하지전극층과, 하지전극층 상에 배치된 도금층을 포함한다.
하지전극층은, 이하에 설명하는 바와 같은, 베이킹전극층, 수지전극층, 및 박막전극층 등의 층 중 적어도 하나를 포함하는 층으로 할 수 있다.
베이킹전극층은, 유리와 금속을 포함하는 층이며, 1층이어도 되고, 복수층이어도 된다. 베이킹전극층에 포함되는 금속에는, 예를 들면 Cu, Ni, Ag, Pd, Ag와 Pd의 합금, 및 Au 등 중 적어도 하나가 포함된다.
베이킹전극층은, 유리 및 금속을 포함하는 도전 페이스트를 적층체에 도포하여 베이킹함으로써 형성된다. 베이킹은, 적층체(11)의 소성과 동시에 실시해도 되고, 적층체(11)의 소성 후에 실시해도 된다.
또한 하지전극층은, 예를 들면 도전성 입자와 열변화성 수지를 포함하는 수지전극층이어도 된다. 수지전극층을 형성하는 경우에는, 베이킹전극층을 형성하지 않고, 적층체 상에 직접 형성하도록 해도 된다. 수지전극층은 1층이어도 되고, 복수층이어도 된다.
또한 하지전극층은, 상술한 바와 같이, 박막전극층을 포함하는 층이어도 된다. 박막전극층은, 예를 들면 금속 입자가 퇴적한 1㎛ 이하의 층이며, 스퍼터링법 또는 증착법 등의 기지(旣知)의 박막 형성법에 의해 형성된다.
하지전극층 상에 배치되는 도금층은, 예를 들면 Cu, Ni, Ag, Pd, Ag와 Pd의 합금, 및 Au 등 중 적어도 하나를 포함한다. 도금층은 1층이어도 되고, 복수층이어도 된다. 단, 도금층은, Ni 도금층과 Sn 도금층의 2층 구조로 하는 것이 바람직하다. Ni 도금층은, 하지전극층이 적층 세라믹 콘덴서(10)를 실장할 때의 솔더에 의해 침식되는 것을 방지하는 기능을 한다. 또한 Sn 도금층은, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 실장할 때의 솔더의 습윤성을 향상시키는 기능을 한다.
또한 외부전극(14)은, 상술한 하지전극층을 포함하지 않고, 적층체(11) 상에 직접 배치되는 도금층을 포함하는 구성이어도 된다. 이 경우, 도금층이 직접, 제1 내부전극(13a) 또는 제2 내부전극(13b)과 접속된다. 이하에서는, 외부전극(14)이 상술한 하지전극층을 포함하지 않고, 적층체(11) 상에 직접 형성되는 도금층을 포함하는 구성인 경우의 도금층의 상세한 것에 대해 설명한다.
도금층은, 적층체(11) 상에 형성된 제1 도금층과, 제1 도금층 상에 형성된 제2 도금층을 포함하는 것이 바람직하다. 단, 무전해 도금법에 의해 도금층을 형성하는 경우에는, 적층체(11) 상에 촉매를 마련하도록 해도 된다.
제1 도금층 및 제2 도금층은, 예를 들면 Cu, Ni, Sn, Pb, Au, Ag, Pd, Bi, 및 Zn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 금속, 또는 해당 금속을 포함하는 합금을 포함하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 내부전극으로 Ni를 이용한 경우, 제1 도금층으로는, Ni와 접합성이 좋은 Cu를 이용하는 것이 바람직하다. 또한 제2 도금층으로는, 솔더 습윤성이 좋은 Sn이나 Au를 이용하는 것이 바람직하다. 또한 제1 도금층으로서, 솔더 배리어(barrier) 성능을 가지는 Ni를 이용하도록 해도 된다.
제2 도금층은 필요에 따라 형성하면 된다. 따라서 외부전극(14)은, 제1 도금층만을 포함하는 구성이어도 된다. 또한 외부전극(14)은, 제1 도금층 및 제2 도금층에 더하여, 제2 도금층 상에 형성된 다른 도금층을 더 포함하는 구성으로 해도 된다.
도금층의 단위 체적당 금속의 비율은, 99체적% 이상인 것이 바람직하다. 또한 도금층은, 유리를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 도금층은, 두께방향을 따라 입성장(粒成長)한 것이며 기둥상이다.
적층체(11) 및 외부전극(14)을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이방향의 치수를 "길이(L)", 폭방향의 치수를 "폭(W)", 두께방향의 치수를 "두께(T)"로 했을 때에, 예를 들면 이하의 치수의 적층 세라믹 콘덴서(10)를 제작할 수 있다.
(사이즈 1) 길이(L): 0.237㎜ 이상 0.263㎜ 이하, 폭(W): 0.112㎜ 이상 0.138㎜ 이하, 두께(T): 0.112㎜ 이상 0.138㎜ 이하
(사이즈 2) 길이(L): 0.38㎜ 이상 0.42㎜ 이하, 폭(W): 0.18㎜ 이상 0.22㎜ 이하, 두께(T): 0.18㎜ 이상 0.22㎜ 이하
(사이즈 3) 길이(L): 0.57㎜ 이상 0.63㎜ 이하, 폭(W): 0.27㎜ 이상 0.33㎜ 이하, 두께(T): 0.27㎜ 이상 0.33㎜ 이하
(사이즈 4) 길이(L): 0.95㎜ 이상 1.05㎜ 이하, 폭(W): 0.45㎜ 이상 0.55㎜ 이하, 두께(T): 0.45㎜ 이상 0.55㎜ 이하
(사이즈 5) 길이(L): 1.5㎜ 이상 1.7㎜ 이하, 폭(W): 0.7㎜ 이상 0.9㎜ 이하, 두께(T): 0.7㎜ 이상 0.9㎜ 이하
(사이즈 6) 길이(L): 1.85㎜ 이상 2.15㎜ 이하, 폭(W): 1.05㎜ 이상 1.35㎜ 이하, 두께(T): 1.05㎜ 이상 1.35㎜ 이하
또한 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭(W)은, 두께(T)보다도 큰 것이 바람직하다.
길이(L), 폭(W), 및 두께(T)는, 광학 현미경을 이용하여 측정할 수 있다.
[ 실시예 ]
적층 세라믹 콘덴서(10)의 유전체층(12)의 주성분을 구성하는 재료로서, 순도 99% 이상의 SiO2, BaCO3, Al2O3, MnCO3, SrCO3, TiO2, Fe2O3, Mg(OH)2, 및 ZrO2의 각 분말 소재를 준비했다.
준비한 각 분말 소재를 표 1~표 3에 나타내는 함유율값이 되도록 칭량했다. 표 1~표 3에서 Si, Ba, 및 Al의 함유율값은, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부 중 Ba, Si, 및 Al의 함유 비율을 중량부로 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, Ba, Si, 및 Al의 함유 비율은 BaO, SiO2, 및 Al2O3으로 각각 환산한 수치이다.
또한 표 1~표 3에서, Mn, Sr, Ti, Fe, 및 Mg의 함유율값은, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부에 대한 Mn, Sr, Ti, Fe, 및 Mg의 함유 비율을 중량부로 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, Mn, Sr, Ti, Fe, 및 Mg의 함유 비율은, MnO, SrO, TiO2, Fe2O3, 및 MgO로 각각 환산한 값이다.
Figure 112017070204656-pat00001
Figure 112017070204656-pat00002
Figure 112017070204656-pat00003
표 1~표 3에 나타내는 함유율값이 되도록 칭량한 각 분말 소재를, 볼 밀에 의해 습식 혼합하고, 그 후 건조, 해쇄(解碎)하여 분말을 얻었다. 그리고 얻어진 분말을 대기 중에서 750~1000℃의 온도에서 1시간~3시간 가소(假燒)한 후 해쇄하여 원료 분말을 얻었다.
또한 유전체층(12)의 주성분의 제조 방법은, 고상(固相)법, 수열법 등 특별히 제약은 없고, 분말 소재의 형태에 대해서도, 탄산물, 산화물, 수산화물, 염화물 등, 특별히 제약은 없다.
또한 유전체층(12)의 원료 분말에는, HfO2 등의 불가피적 불순물을 함유하고 있어도 된다. 또한 SrCO3과 TiO2를 이용하는 대신에, SrTiO3을 이용해도 된다.
얻어진 원료 분말을 ICP 분석한 바, 각 원소의 조성은, 표 1~표 3에 나타내는 조성과 대략 동일한 것이 확인되었다. 단, 표 1~표 3에서, 시료 번호에 *를 붙인 시료는, Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, Mg의 함유 비율이 상기 조건 1의 비율을 만족시키지 않는 시료이며, *를 붙이지 않은 시료는, Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, Mg의 함유 비율이 상기 조건 1의 비율을 만족시키는 시료이다.
또한 전(全) 조성 중 Cr 및 B의 함유량에 대해서도 조사해 봤지만, 모두 검출 한계량 이하였다. 또한 예를 들면 원료의 혼합 시에 YSZ볼을 이용하면, YSZ볼로부터의 혼입에 의해, Zr의 함유량이 극히 미량이지만 증가하는 경우가 있다.
이 원료 분말에, 폴리비닐부티랄계 바인더 및 톨루엔, 에탄올 등의 유기 용제를 더하고 볼 밀에 의해 습식 혼합하여 슬러리를 조제했다. 그리고 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 성형한 후 커팅함으로써, 길이 15㎝, 폭 15㎝, 두께 4㎛의 직사각형의 머더(mother) 세라믹 그린 시트를 얻었다.
그 후 머더 세라믹 그린 시트 상에 Cu를 주체로 하는 도전 페이스트를 인쇄하고, 제1 내부전극(13a) 및 제2 내부전극(13b)을 구성하기 위한 도전 페이스트층인 내부전극 패턴을 형성했다.
이어서, 도전 페이스트층을 형성한 머더 세라믹 그린 시트를, 도전 페이스트가 단부까지 인출되어 있는 측이 길이방향이 다른 방향으로 교대로 배치되도록 복수 매 적층하여, 머더 적층체인 세라믹 그린 시트 적층체를 얻었다.
이 세라믹 그린 시트 적층체를 소정 위치에서 커팅하여 각각의 칩 소자로 분할한 후 대기 중에서, 250℃의 온도로 가열하여 바인더를 연소시킨 후 3.33~200℃/분의 승온 속도, 및 900~1040℃의 최고 소성 온도에서, 질소 및 수소를 이용한 비산화성 분위기 중에서 소성하여, 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서에서의 적층체(11)가 되는 세라믹 소결체를 얻었다.
이 세라믹 소결체를 배럴 연마함으로써, 단면으로부터 내부전극을 노출시키고, 내부전극이 노출된 부분에, 외부전극용 Cu 페이스트를 도포했다. 도포한 Cu 페이스트를 건조시킨 후 800℃의 최고 소성 온도, 환원 분위기하에서 외부전극의 베이킹을 실시했다. 이어서, 배럴 도금법에 의해, 외부전극 상에 Ni 도금층을 형성하고, 동일한 방법에 의해 Ni 도금층 상에 Sn 도금층을 형성했다.
또한 상술한 바와 같이, 하지전극층을 형성하지 않고, 세라믹 소결체에 직접, 도금 전극을 형성하도록 해도 된다. 그 경우, 세라믹 소결체를 배럴 연마함으로써, 단면으로부터 내부전극을 노출시키고, 내부전극이 노출된 부분에, 도금 전극용 도금막을 형성한다. 도금은, 전해 도금 및 무전해 도금 중 어느 쪽을 채용해도 되지만, 무전해 도금은, 도금 석출 속도를 향상시키기 위해 촉매 첨가 등의 전처리가 필요해져, 공정이 복잡화된다. 따라서 전해 도금을 채용하는 것이 바람직하다. 또한 도금 공법으로는, 배럴 도금을 이용하는 것이 바람직하다.
세라믹 소결체에 직접, 도금 전극을 형성한 경우에도, 필요에 따라 형성한 도금 전극의 표면에 도금층을 형성한다.
이렇게 하여 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외형 크기는, 길이방향의 치수(L)가 2.0㎜, 폭방향의 치수(W)가 1.2㎜, 두께방향의 치수(T)가 0.6㎜이며, 유전체층의 두께는 3.2㎛였다. 또한 유전체층의 내층부 유전체층의 총수는, 40층이었다.
제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외부전극을 연마에 의해 제거하고, 얻어진 적층체를 알칼리 용융법에 의해 용액화하여, 얻어진 용액에 대해 ICP 분석을 실시한 바, 내부전극의 구성 성분인 Cu를 제외하고, 표 1~표 3에 나타낸 조합 조성과 대략 동일한 것이 확인되었다.
[평가 특성]
표 1~표 3에 나타내는 시료 번호 1~71의 각 시료에 대해, 후술하는 소결성, 온도 특성, 및 가속 내습 부하 시험 후의 불량의 유무에 대해 확인했다.
(소결성)
제작한 적층 세라믹 콘덴서의 표면을 연마함으로써 절단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경의 관찰 배율을 3000배로 하여 절단면을 관찰하여, 양호한 소결이 실시되었는지 여부를 확인했다. 표 1~표 3에서, 소결성이 "○"로 되어 있는 것은, 소결체에 형성되는 기공(포어)의 존재율은 5% 미만이며, 양호한 소결이 실시된 것을 나타낸다. 한편, 소결성이 "×"로 되어 있는 것은, 치밀한 소결체가 얻어지지 않았거나, 소결체에 형성되는 기공(포어)의 존재율이 5% 이상이거나, 또는 과소결 상태였던 것을 나타낸다.
(온도 특성)
-55℃ 이상 125℃ 이하의 범위에서, 주파수 1㎑, 전압 1Vrms의 조건하에서 정전 용량 측정을 실시하고, 25℃를 기준으로 하여, -55℃ 및 125℃에서의 정전 용량 온도 계수(TCC)를 산출했다. 산출한 정전 용량 온도 계수가 +60 ppm/℃보다 큰 시료, 또는 -60 ppm/℃보다 작은 시료는, 온도 특성이 바람직하지 않은 시료이다.
(가속 내습 부하 수명 시험(PCBT))
온도 120℃, 습도 100%RH, 기압 2atm, 인가 전압 50V, 시료 수 100개의 조건으로 가속 내습 부하 수명 시험을 실시하여, 250시간 경과 후에 log IR의 값이 6승 이하인 시료의 수를 카운트하고, 카운트한 수가 총수의 10% 이상이 된 시료를 불량품이라고 판정했다. 표 1~표 3에서는, 시료 수 100개 중 내습 부하 수명 시험의 결과가 NG인 수, 즉 log IR의 값이 6승 이하가 되는 시료의 수를 나타내고 있다.
표 1~표 3에 나타내는 바와 같이, Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, Mg의 함유 비율이 상기 조건 1의 비율을 만족시키는 시료, 즉 시료 번호에 *를 붙이지 않은 시료는 모두, 소결이 충분히 실시되었고, 가속 내습 부하 시험에서 불량품은 발생하지 않으면서, -55℃ 및 125℃의 정전 용량 온도 계수는 정상치이다 -60 ppm/℃ 이상 +60 ppm/℃ 이하가 되었다.
즉, 유전체층(12)이 Ba, Si, 및 Al로 이루어지는 제1 원소군과, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지는 제2 원소군을 포함하고, 각 원소의 함유 비율이 상기 조건 1의 비율을 만족시키는 적층 세라믹 콘덴서는, -55℃ 이상 125℃ 이하의 폭넓은 온도 범위에서 양호한 온도 특성을 나타내는 것이 확인되었다.
한편, Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, Mg의 함유 비율이 상기 조건 1의 비율을 만족시키지 않는 시료, 즉 시료 번호에 *를 붙인 시료는, 소결성, 가속 내습 부하 시험, 및 -55℃ 및 125℃의 정전 용량 온도 계수의 각 항목 중 적어도 하나의 항목에서 불량이 발생했다.
또한 Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, Mg의 함유 비율이 상기 조건 1의 비율을 만족시키는 시료 중 특히, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부 중 Ba, Si, 및 Al의 함유 비율과, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 제1 원소군의 100중량부에 대한, Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg의 함유 비율이 각각 이하의 조건을 만족시키는 시료는, 가속 내습 부하 시험에서 250시간 경과 후에 -55℃ 및 125℃의 정전 용량 온도 계수가 -30 ppm/℃ 이상+30 ppm/℃ 이하가 되고, 온도 특성이 JIS 규격의 CG 특성을 만족하는 것을 알 수 있었다. 또한 하기의 조건을 만족시키는 시료란, 시료 번호 10, 11, 12, 20, 21, 22, 29, 30, 33, 34, 35, 36, 37, 41, 42, 43, 44, 68, 69, 70, 및 71의 시료이다.
ㆍSi의 함유 비율은, SiO2 환산으로 48중량부 이상 65중량부 이하
ㆍBa의 함유 비율은, BaO 환산으로 25중량부 이상 35중량부 이하
ㆍAl의 함유 비율은, Al2O3 환산으로 10중량부 이상 15중량부 이하
ㆍTi 및 Fe 중 적어도 하나의 함유 비율은, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2로 환산하고, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3으로 환산하여, 3중량부 이상 10중량부 이하
ㆍMn의 함유 비율은, MnO 환산으로 1중량부 이상 10중량부 이하
ㆍSr의 함유 비율은, SrO 환산으로 3중량부 이상 10중량부 이하
ㆍMg의 함유 비율은, MgO 환산으로 0.1중량부 이상 4중량부 이하
또한, Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, 및 Mg의 함유 비율이 상기 조건 1을 만족시키는 시료 중 특히, 상기 조건 2를 만족시키는 시료는, 가속 내습 부하 시험에서 250시간 경과 후에 log IR의 값이 6승 이하가 되는 시료의 수가 총수의 1% 이하가 되어, 내습성이 보다 향상되는 것을 알 수 있었다. Si, Ba, Al, Mn, Sr, Ti, Fe, 및 Mg의 함유 비율이 상기 조건 2를 만족시키는 시료란, 시료 번호 10, 11, 20, 21, 29, 30, 34, 35, 36, 42, 43, 68, 69, 70, 및 71의 시료이다.
상기 실시예에서는, 길이방향의 치수(L)가 2.0㎜, 폭방향의 치수(W)가 1.2㎜, 두께방향의 치수(T)가 0.6㎜인 적층 세라믹 콘덴서를 제작하고, 소결성, 온도 특성, 및 가속 내습 부하 시험 후의 불량의 유무에 대해 확인했다. 상기 사이즈 이외에, 상술한 사이즈 1~사이즈 6의 시료를 제작하고, 소결성, 온도 특성, 및 가속 내습 부하 시험 후의 불량의 유무에 대해 확인한 바, 동일한 결과를 얻을 수 있었다.
즉, 적층 세라믹 콘덴서의 길이방향의 치수(L)가 0.2㎜ 이상 2.0㎜ 이하이고, 두께방향의 치수(T)가 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하이며, 폭방향의 치수(W)가 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하인 적층 세라믹 콘덴서이면, -55℃ 이상 125℃ 이하의 폭넓은 온도 범위에서 양호한 온도 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
또한 상술한 실시형태에서는, 세라믹 전자부품으로서, 적층 세라믹 콘덴서를 예로 들어 설명했지만, 세라믹 전자부품이 적층 세라믹 콘덴서에 한정되는 경우는 없다. 예를 들면, 세라믹 전자부품은, LC 복합 부품, 내부 콘덴서 등을 가지는 다층 기판 등이어도 된다.
본 발명은, 또한 그 밖의 점에서도 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서, 다양한 응용, 변형을 가하는 것이 가능하다.
10: 적층 세라믹 콘덴서 11: 적층체
12: 유전체층 13a: 제1 내부전극
13b: 제2 내부전극 14(14a, 14b): 외부전극
15a: 제1 단면 15b: 제2 단면
16a: 제1 주면 16b: 제2 주면
17a: 제1 측면 17b: 제2 측면

Claims (6)

  1. 복수의 유전체층과, 상기 유전체층을 사이에 두고 적층된 복수의 내부전극을 가지는 적층체와,
    상기 적층체의 외부에 마련되고, 상기 적층체의 표면에 인출된 내부전극과 전기적으로 도통(導通)된 한 쌍의 외부전극을 포함한 세라믹 전자부품으로서,
    상기 적층체는, 상기 유전체층과 상기 내부전극의 적층방향인 두께방향으로 마주 보는 제1 주면(主面) 및 제2 주면과, 상기 한 쌍의 외부전극이 대향하는 방향인 길이방향으로 마주 보고, 상기 외부전극이 마련되어 있는 제1 단면(端面) 및 제2 단면과, 상기 두께방향 및 상기 길이방향에 직교하는 폭방향으로 마주 보는 제1 측면 및 제2 측면을 가지며,
    상기 유전체층은, 제1 원소군과 제2 원소군을 포함하고,
    상기 제1 원소군은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부 중에,
    Ba를, BaO 환산으로 20중량부 이상 40중량부 이하,
    Si를, SiO2 환산으로 48중량부 이상 75중량부 이하,
    Al을, Al2O3 환산으로 5중량부 이상 20중량부 이하의 비율로 함유하며,
    상기 제2 원소군은 Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부에 대하여,
    Mn을, MnO 환산으로 1중량부 이상 10중량부 이하,
    Sr을, SrO 환산으로 1중량부 이상 35중량부 이하,
    Mg를, MgO 환산으로 0.1중량부 이상 6중량부 이하,
    Ti 및 Fe 중 적어도 하나를, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2 환산으로, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3 환산으로, 1중량부 이상 35중량부 이하의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  2. 제1항에 있어서,
    Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부 중에,
    Ba를, BaO 환산으로 25중량부 이상 35중량부 이하,
    Si를, SiO2 환산으로 48중량부 이상 65중량부 이하,
    Al을, Al2O3 환산으로 10중량부 이상 15중량부 이하의 비율로 함유하고,
    Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부에 대하여,
    Mn을, MnO 환산으로 2중량부 이상 7중량부 이하,
    Sr을, SrO 환산으로 3중량부 이상 7중량부 이하,
    Mg를, MgO 환산으로 0.25중량부 이상 2중량부 이하,
    Ti 및 Fe 중 적어도 하나를, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2 환산으로, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3 환산으로, 3중량부 이상 7중량부 이하의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 내부전극은, 적층된 내부전극끼리가 대향하는 부분인 대향전극부와, 상기 대향전극부로부터 상기 제1 단면 또는 상기 제2 단면까지 인출된 부분인 인출전극부를 가지며,
    상기 폭방향에서의 상기 대향전극부와 상기 제1 측면 사이의 거리 및 상기 대향전극부와 상기 제2 측면 사이의 거리는, 5㎛ 이상 30㎛ 이하이고,
    상기 내부전극의 두께는 1.0㎛ 이상 5.0㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세라믹 전자부품의 상기 길이방향의 치수는 0.2㎜ 이상 2.0㎜ 이하이고,
    상기 세라믹 전자부품의 상기 두께방향의 치수는 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하이며,
    상기 세라믹 전자부품의 상기 폭방향의 치수는 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 세라믹 전자부품의 상기 폭방향의 치수는, 상기 세라믹 전자부품의 상기 두께방향의 치수보다도 큰 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  6. 제1 원소군과 제2 원소군을 포함하고,
    상기 제1 원소군은 Ba, Si, 및 Al로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부 중에,
    Ba를, BaO 환산으로 20중량부 이상 40중량부 이하,
    Si를, SiO2 환산으로 48중량부 이상 75중량부 이하,
    Al을, Al2O3 환산으로 5중량부 이상 20중량부 이하의 비율로 함유하며,
    상기 제2 원소군은 Ti 및 Fe 중 적어도 하나, Mn, Sr, 및 Mg로 이루어지고, Ba가 BaO이며, Si가 SiO2이고, Al이 Al2O3인 상기 제1 원소군의 100중량부에 대하여,
    Mn을, MnO 환산으로 1중량부 이상 10중량부 이하,
    Sr을, SrO 환산으로 1중량부 이상 35중량부 이하,
    Mg를, MgO 환산으로 0.1중량부 이상 6중량부 이하,
    Ti 및 Fe 중 적어도 하나를, Ti가 포함되는 경우에는 TiO2 환산으로, Fe가 포함되는 경우에는 Fe2O3 환산으로, 1중량부 이상 35중량부 이하의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 유전체 자기 조성물.
KR1020170092604A 2016-08-09 2017-07-21 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물 KR101918036B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016156289A JP6766515B2 (ja) 2016-08-09 2016-08-09 セラミック電子部品および誘電体磁器組成物
JPJP-P-2016-156289 2016-08-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180018322A KR20180018322A (ko) 2018-02-21
KR101918036B1 true KR101918036B1 (ko) 2018-11-13

Family

ID=61160354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170092604A KR101918036B1 (ko) 2016-08-09 2017-07-21 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10607780B2 (ko)
JP (1) JP6766515B2 (ko)
KR (1) KR101918036B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058377A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2000103668A (ja) 1998-09-28 2000-04-11 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP5321066B2 (ja) 2007-08-17 2013-10-23 株式会社村田製作所 セラミック組成物およびセラミック基板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0949642B1 (en) * 1998-03-31 2010-11-03 TDK Corporation Chip-type electronic component and method for producing the same
JP4400860B2 (ja) 2002-08-30 2010-01-20 京セラ株式会社 誘電体磁器組成物
US7211533B2 (en) * 2005-04-28 2007-05-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component
DE112007001868B4 (de) * 2006-08-09 2013-11-07 Murata Mfg. Co., Ltd. Glaskeramikzusammensetzung, gesinterter Glaskeramikkörper und elektronische Komponente aus monolithischer Keramik
EP2386528B1 (en) * 2009-01-07 2016-08-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic material for low-temperature sintering, and ceramic substrate
KR101241256B1 (ko) * 2009-02-16 2013-03-15 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판
WO2012128307A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 株式会社村田製作所 固体酸化物形燃料電池用接合材、固体酸化物形燃料電池及び固体酸化物形燃料電池モジュール
DE102013006463B4 (de) * 2013-04-15 2017-01-19 Schott Ag Durchführung
WO2016185921A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 株式会社村田製作所 低温焼結セラミック材料、セラミック焼結体およびセラミック電子部品
JP6795292B2 (ja) * 2015-09-15 2020-12-02 Tdk株式会社 積層電子部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058377A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2000103668A (ja) 1998-09-28 2000-04-11 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
JP5321066B2 (ja) 2007-08-17 2013-10-23 株式会社村田製作所 セラミック組成物およびセラミック基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180018322A (ko) 2018-02-21
JP2018024542A (ja) 2018-02-15
US20180047508A1 (en) 2018-02-15
US10607780B2 (en) 2020-03-31
JP6766515B2 (ja) 2020-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9978524B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method therefor
KR101200129B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 콘덴서
CN111724992B (zh) 层叠陶瓷电容器
US9312069B2 (en) Laminated ceramic capacitor and manufacturing method therefor
KR980011542A (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터
KR20140007942A (ko) 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법
US10650968B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
JP2021015877A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
KR20180113457A (ko) 적층 세라믹 콘덴서
US8885320B2 (en) Laminated ceramic electronic component
KR102193834B1 (ko) 적층 세라믹 콘덴서
KR20140002030A (ko) 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법
US8941975B2 (en) Laminated ceramic electronic component
JP7209072B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
KR101918036B1 (ko) 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물
CN115403367A (zh) 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件
JP7493322B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US8531260B2 (en) Laminated ceramic electronic component
US8552826B2 (en) Laminated ceramic electronic component
JP2021068734A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
US20230386745A1 (en) Dielectric composition and multilayer ceramic electronic component
KR20190113332A (ko) 유전체 조성물 및 이를 포함하는 전자 부품
JP2023023701A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
CN115403368A (zh) 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件
KR101771715B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant