JP6766515B2 - セラミック電子部品および誘電体磁器組成物 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 16
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 45
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 BaCO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
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Description
本発明は、セラミック電子部品および誘電体磁器組成物に関し、詳しくは、幅広い温度領域で良好な温度特性を有するセラミック電子部品、およびそのセラミック電子部品に用いられる誘電体磁器組成物に関する。
近年、電子機器の小型・軽量化にともない、小型で大容量の積層セラミックコンデンサが広く用いられている。
そのような積層セラミックコンデンサとして、温度変化に対する静電容量変化が直線的である温度補償用積層セラミックコンデンサが知られている。
特許文献１には、温度補償用積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体磁器組成物、およびそれを用いて作製された温度補償用積層セラミックコンデンサが開示されている。また、特許文献１には、その実施例にかかる積層セラミックコンデンサの、２５℃から８５℃の範囲における温度係数が示されており、その温度範囲では良好な温度特性を有していることが開示されている。
しかしながら、２５℃以上８５℃以下の範囲では、積層セラミックコンデンサが使用される温度領域としては不十分な場合がある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、幅広い温度領域において良好な温度特性を有するセラミック電子部品、およびそのセラミック電子部品に用いられる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
本発明のセラミック電子部品は、
複数の誘電体層と、前記誘電体層を介して積層された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外部に設けられ、前記積層体の表面に引き出された内部電極と電気的に導通された一対の外部電極と、
を備えたセラミック電子部品であって、
前記積層体は、前記誘電体層と前記内部電極の積層方向である厚み方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記一対の外部電極が対向する方向である長さ方向に相対し、前記外部電極が設けられている第１の端面および第２の端面と、前記厚み方向および前記長さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面とを有し、
前記誘電体層は、第１元素群と第２元素群とを含み、
前記第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２０重量部以上４０重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上７５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で５重量部以上２０重量部以下、
の割合で含有し、
前記第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で１重量部以上３５重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上６重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、１重量部以上３５重量部以下
の割合で含有することを特徴とする。
複数の誘電体層と、前記誘電体層を介して積層された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外部に設けられ、前記積層体の表面に引き出された内部電極と電気的に導通された一対の外部電極と、
を備えたセラミック電子部品であって、
前記積層体は、前記誘電体層と前記内部電極の積層方向である厚み方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記一対の外部電極が対向する方向である長さ方向に相対し、前記外部電極が設けられている第１の端面および第２の端面と、前記厚み方向および前記長さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面とを有し、
前記誘電体層は、第１元素群と第２元素群とを含み、
前記第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２０重量部以上４０重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上７５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で５重量部以上２０重量部以下、
の割合で含有し、
前記第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で１重量部以上３５重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上６重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、１重量部以上３５重量部以下
の割合で含有することを特徴とする。
ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２５重量部以上３５重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上６５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で１０重量部以上１５重量部以下、
の割合で含有し、
ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で２重量部以上７重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で３重量部以上７重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．２５重量部以上２重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、３重量部以上７重量部以下
の割合で含有するように構成されていてもよい。
Ｂａを、ＢａＯ換算で２５重量部以上３５重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上６５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で１０重量部以上１５重量部以下、
の割合で含有し、
ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で２重量部以上７重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で３重量部以上７重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．２５重量部以上２重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、３重量部以上７重量部以下
の割合で含有するように構成されていてもよい。
また、前記内部電極は、積層された内部電極同士が対向する部分である対向電極部と、前記対向電極部から前記第１の端面または前記第２の端面まで引き出された部分である引出電極部とを有し、
前記幅方向における前記対向電極部と前記第１の側面との間の距離および前記対向電極部と前記第２の側面との間の距離は、５μｍ以上３０μｍ以下であり、
前記内部電極の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であるように構成されていてもよい。
前記幅方向における前記対向電極部と前記第１の側面との間の距離および前記対向電極部と前記第２の側面との間の距離は、５μｍ以上３０μｍ以下であり、
前記内部電極の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であるように構成されていてもよい。
また、前記セラミック電子部品の前記長さ方向の寸法は、０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、
前記セラミック電子部品の前記厚み方向の寸法は、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であり、
前記セラミック電子部品の前記幅方向の寸法は、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であるように構成されていてもよい。
前記セラミック電子部品の前記厚み方向の寸法は、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であり、
前記セラミック電子部品の前記幅方向の寸法は、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であるように構成されていてもよい。
また、前記セラミック電子部品の前記幅方向の寸法は、前記セラミック電子部品の前記厚み方向の寸法よりも大きくてもよい。
また、本発明の誘電体磁器組成物は、
第１元素群と第２元素群とを含み、
前記第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２０重量部以上４０重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上７５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で５重量部以上２０重量部以下、
の割合で含有し、
前記第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で１重量部以上３５重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上６重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、１重量部以上３５重量部以下
の割合で含有することを特徴とする。
第１元素群と第２元素群とを含み、
前記第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２０重量部以上４０重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上７５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で５重量部以上２０重量部以下、
の割合で含有し、
前記第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で１重量部以上３５重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上６重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、１重量部以上３５重量部以下
の割合で含有することを特徴とする。
本発明によれば、幅広い温度領域において良好な温度特性を有するセラミック電子部品を実現することができる。また、本発明による誘電体磁器組成物を用いて、例えばセラミック電子部品を作製することにより、幅広い温度領域において良好な温度特性を有するセラミック電子部品を作製することができる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに具体的に説明する。
以下では、本発明によるセラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを例に挙げて説明する。
図１は、一実施の形態における積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
図１〜図４に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として直方体形状を有する電子部品であり、積層体１１と一対の外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）とを有している。一対の外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）は、図１に示すように対向するように配置されている。
図２および図３に示すように、積層体１１は、交互に積層された誘電体層１２と、後述するように、積層体１１の第１の端面１５ａ側に引き出された第１の内部電極１３ａおよび第２の端面１５ｂ側に引き出された第２の内部電極１３ｂとを備える。すなわち、複数の誘電体層１２と複数の内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）とが交互に積層されて、積層体１１が形成されている。
ここでは、一対の外部電極１４が対向する方向を積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向と定義し、誘電体層１２と内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の積層方向を厚み方向と定義し、長さ方向および厚み方向のいずれの方向にも直交する方向を幅方向と定義する。
積層体１１は、長さ方向に相対する第１の端面１５ａおよび第２の端面１５ｂと、厚み方向に相対する第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂと、幅方向に相対する第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂとを有する。第１の端面１５ａには、外部電極１４ａが設けられており、第２の端面１５ｂには、外部電極１４ｂが設けられている。
積層体１１は、角部および稜線部に丸みを帯びていることが好ましい。ここで、角部は、積層体１１の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１１の２面が交わる部分である。
図２および図３に示すように、積層体１１を構成する誘電体層１２は、外層部誘電体層１２ａと内層部誘電体層１２ｂとを含む。外層部誘電体層１２ａは、積層体１１の第１の主面１６ａ側と第２の主面１６ｂ側、すなわち、積層体１１の厚み方向の両外側に位置する誘電体層である。すなわち、外層部誘電体層１２ａは、第１の主面１６ａと、第１の主面１６ａに最も近い第１の内部電極１３ａとの間、および、第２の主面１６ｂと、第２の主面１６ｂに最も近い第２の内部電極１３ｂとの間にそれぞれ位置する誘電体層である。
内層部誘電体層１２ｂは、第１の内部電極１３ａと、第２の内部電極１３ｂの間に位置する誘電体層である。
積層体１１を構成する内層部誘電体層１２ｂ、すなわち、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの間に位置する内層部誘電体層１２ｂの数は、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの数によって定まる。なお、外層部誘電体層１２ａは、上述の内層部誘電体層１２ｂとは別に必要になる。
内層部誘電体層１２ｂの厚みは、例えば１．０μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。また、外層部誘電体層１２ａの厚みは、例えば１０μｍ以上であることが好ましい。
誘電体層１２は、第１元素群と第２元素群とを含む。
第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部中に、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌをそれぞれ以下の割合で含有する。
・Ｂａの含有割合は、ＢａＯに換算して２０重量部以上４０重量部以下
・Ｓｉの含有割合は、ＳｉＯ2に換算して４８重量部以上７５重量部以下
・Ａｌの含有割合は、Ａｌ2Ｏ3に換算して５重量部以上２０重量部以下
・Ｂａの含有割合は、ＢａＯに換算して２０重量部以上４０重量部以下
・Ｓｉの含有割合は、ＳｉＯ2に換算して４８重量部以上７５重量部以下
・Ａｌの含有割合は、Ａｌ2Ｏ3に換算して５重量部以上２０重量部以下
第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部に対して、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇをそれぞれ以下の割合で含有する。
・ＴｉおよびＦｅのうちの１つの含有割合は、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2に換算して、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3に換算して、１重量部以上３５重量部以下である。なお、ＴｉおよびＦｅのうちの１つが含まれていればよいので、Ｔｉのみが含まれていてもよいし、Ｆｅのみが含まれていてもよい。
・Ｍｎの含有割合は、ＭｎＯに換算して１重量部以上１０重量部以下
・Ｓｒの含有割合は、ＳｒＯに換算して１重量部以上３５重量部以下
・Ｍｇの含有割合は、ＭｇＯに換算して０．１重量部以上６重量部以下
・ＴｉおよびＦｅのうちの１つの含有割合は、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2に換算して、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3に換算して、１重量部以上３５重量部以下である。なお、ＴｉおよびＦｅのうちの１つが含まれていればよいので、Ｔｉのみが含まれていてもよいし、Ｆｅのみが含まれていてもよい。
・Ｍｎの含有割合は、ＭｎＯに換算して１重量部以上１０重量部以下
・Ｓｒの含有割合は、ＳｒＯに換算して１重量部以上３５重量部以下
・Ｍｇの含有割合は、ＭｇＯに換算して０．１重量部以上６重量部以下
誘電体層１２がＢａ、Ｓｉ、およびＡｌからなる第１元素群と、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなる第２元素群とを含み、第１元素群に含まれるＢａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合と、第２元素群に含まれる、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇの含有割合が上記割合であるという条件（以下、「条件１」と呼ぶ）を満たすことにより、積層セラミックコンデンサ１０は、後述するように、幅広い温度範囲、例えば−５５℃以上１２５℃以下の温度範囲において、良好な温度特性を示す。
なお、誘電体層１２は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなる第１元素群と、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなる第２元素群とを含み、Ｂａ、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇの含有割合が上記条件１を満たす誘電体磁器組成物を用いて構成されているとも言える。
また、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部中におけるＢａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合、および、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部に対する、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇの含有割合はそれぞれ、以下の割合であるという条件（以下、「条件２」と呼ぶ）を満たすことがより好ましい。
・Ｂａの含有割合は、ＢａＯに換算して２５重量部以上３５重量部以下
・Ｓｉの含有割合は、ＳｉＯ2に換算して４８重量部以上６５重量部以下
・Ａｌの含有割合は、Ａｌ2Ｏ3に換算して１０重量部以上１５重量部以下
・ＴｉおよびＦｅのうちの１つの含有割合は、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2に換算して、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3に換算して、３重量部以上７重量部以下
・Ｍｎの含有割合は、ＭｎＯに換算して２重量部以上７重量部以下
・Ｓｒの含有割合は、ＳｒＯに換算して３重量部以上７重量部以下
・Ｍｇの含有割合は、ＭｇＯに換算して０．２５重量部以上２重量部以下
・Ｂａの含有割合は、ＢａＯに換算して２５重量部以上３５重量部以下
・Ｓｉの含有割合は、ＳｉＯ2に換算して４８重量部以上６５重量部以下
・Ａｌの含有割合は、Ａｌ2Ｏ3に換算して１０重量部以上１５重量部以下
・ＴｉおよびＦｅのうちの１つの含有割合は、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2に換算して、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3に換算して、３重量部以上７重量部以下
・Ｍｎの含有割合は、ＭｎＯに換算して２重量部以上７重量部以下
・Ｓｒの含有割合は、ＳｒＯに換算して３重量部以上７重量部以下
・Ｍｇの含有割合は、ＭｇＯに換算して０．２５重量部以上２重量部以下
第１元素群に含まれるＢａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合と、第２元素群に含まれる、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇの含有割合が上記条件２の割合を満たすことにより、積層セラミックコンデンサ１０は、後述するように、幅広い温度範囲において良好な温度特性を示すとともに、耐湿性がより向上する。
各元素の含有割合は、積層セラミックコンデンサ１０の誘電体層１２を溶剤により溶解処理して溶液化し、ＩＣＰ分析することにより求めることができる。各元素が誘電体層１２内のどの位置に存在したかについては、特別の制約はない。
また、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂが上記第１元素群および第２元素群を構成する元素を含んでいなければ、積層体１１を溶解処理して溶液化し、ＩＣＰ分析することにより、誘電体層１２に含まれる上述した各元素の含有割合、すなわち、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部中のＢａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合と、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部に対する、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇの含有割合をそれぞれ求めることができる。
ここで、積層体１１を溶液化する方法としては、例えば積層体１１を酸により溶解して溶液化する方法や、アルカリ融解した後、酸などに溶かして溶液化する方法がある。すなわち、溶解処理して溶液とする方法に特別の制約はない。
また、第１の内部電極１３ａ、第２の内部電極１３ｂ、および外部電極１４が上記第１元素群および第２元素群を構成する元素を含んでいなければ、積層セラミックコンデンサ１０を溶解処理して溶液化し、ＩＣＰ分析することにより、誘電体層１２に含まれる上述した各元素の含有割合を求めることができる。
積層体１１は、上述のように、第１の端面１５ａ側に引き出された第１の内部電極１３ａと、第２の端面１５ｂ側に引き出された第２の内部電極１３ｂとを備える。第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂは、厚み方向において、内層部誘電体層１２ｂを介して交互に配置されている。
第１の内部電極１３ａは、第２の内部電極１３ｂと対向する部分である対向電極部と、対向電極部から積層体１１の第１の端面１５ａまで引き出された部分である引出電極部とを備えている。また、第２の内部電極１３ｂは、第１の内部電極１３ａと対向する部分である対向電極部と、対向電極部から積層体１１の第２の端面１５ｂまで引き出された部分である引出電極部とを備えている。第１の内部電極１３ａの対向電極部と、第２の内部電極１３ｂの対向電極部とが内層部誘電体層１２ｂを介して対向することにより容量が形成され、これにより、コンデンサとして機能する。
積層セラミックコンデンサ１０を実装した状態において、実装姿勢に依存しない周波数特性を得るためには、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの幅方向における端部の位置は、積層方向において揃っていることが好ましい。
第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、およびＡｕなどの金属を含有している。特に、積層セラミックコンデンサ１０の周波数特性を良好なものにするために、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂとして、Ｃｕを用いることが好ましい。第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、さらに誘電体層１２に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。
また、積層体１１の幅方向において、内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の対向電極部と、第１の側面１７ａとの間の距離Ｗ１ａおよび第２の側面１７ｂとの間の距離Ｗ１ｂ（図４参照）は、３０μｍ以下であることが好ましい。積層体１１の幅方向において、内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の対向電極部と、第１の側面１７ａとの間の距離Ｗ１ａおよび第２の側面１７ｂとの間の距離Ｗ１ｂを３０μｍ以下とすることにより、内部電極１３の幅方向の寸法を大きくすることができるので、低抵抗化を実現することができ、積層セラミックコンデンサ１０の周波数特性を良好にすることができる。
ただし、通常は、上述の距離Ｗ１ａおよび距離Ｗ１ｂは、内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の幅方向の端部と、第１の側面１７ａあるいは第２の側面１７ｂとの間の距離が小さくなり過ぎたり、内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の幅方向の端部が、第１の側面１７ａあるいは第２の側面１７ｂに露出したりするおそれのないように、ある程度の大きさが確保されていることが望ましい。例えば、距離Ｗ１ａおよび距離Ｗ１ｂは、５μｍ以上であることが好ましい。
内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の対向電極部と、第１の側面１７ａとの間の距離Ｗ１ａおよび第２の側面１７ｂとの間の距離Ｗ１ｂは、以下の方法により計測することができる。すなわち、積層体１１の厚み方向および幅方向により規定される面、換言すると、積層体１１の長さ方向と直交する面である第１の端面１５ａあるいは第２の端面１５ｂを研磨して、内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）を露出させ、露出した内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）と、積層体１１の第１の側面１７ａとの間の距離および第２の側面１７ｂとの間の距離を、光学顕微鏡を用いて測長する。
複数の誘電体層１２の厚み、および、複数の内部電極１３（１３ａ，１３ｂ）の各々の厚みは、以下の方法により測定することができる。
まず、積層体１１の厚み方向および幅方向により規定される面、換言すると、積層体１１の長さ方向と直交する面を研磨することによって、断面を露出させて、その断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察する。次に、露出させた断面の中心を通る厚み方向に沿った中心線、および、この中心線から両側に等間隔に２本ずつ引いた線の合計５本の線上において、誘電体層１２の厚みを測定する。この５つの測定値の平均値を、誘電体層１２の厚みとする。
なお、より正確に求めるためには、厚み方向において、積層体１１を上部、中央部、および、下部に分けて、上部、中央部、および、下部のそれぞれにおいて、上述した５つの測定値を求め、求めた全ての測定値の平均値を、誘電体層１２の厚みとする。
上では、誘電体層１２の厚みを測定する方法について説明したが、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの厚みも、誘電体層１２の厚みを測定する方法に準じる方法で、誘電体層の厚みを測定した断面と同じ断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定することができる。
外部電極１４ａは、積層体１１の第１の端面１５ａの全体に形成されているとともに、第１の端面１５ａから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、および第１の側面１７ａ、第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。また、外部電極１４ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂの全体に形成されているとともに、第２の端面１５ｂから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、および第１の側面１７ａ、第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。
一方の外部電極１４ａは、第１の内部電極１３ａと電気的に接続されており、他方の外部電極１４ｂは、第２の内部電極１３ｂと電気的に接続されている。
外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）は、例えば、下地電極層と、下地電極層上に配置されためっき層とを備える。
下地電極層は、以下に説明するような、焼付け電極層、樹脂電極層、および、薄膜電極層などの層のうち、少なくとも１つを含む層とすることができる。
焼付け電極層は、ガラスと金属とを含む層であり、１層であってもよいし、複数層であってもよい。焼付け電極層に含まれる金属には、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、およびＡｕなどのうちの少なくとも１つが含まれる。
焼付け電極層は、ガラスおよび金属を含む導電ペーストを積層体に塗布して焼き付けることによって形成される。焼き付けは、積層体１１の焼成と同時に行ってもよいし、積層体１１の焼成後に行ってもよい。
また、下地電極層は、例えば、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂電極層であってもよい。樹脂電極層を形成する場合には、焼付け電極層を形成せずに、積層体上に直接形成するようにしてもよい。樹脂電極層は、１層であってもよいし、複数層であってもよい。
また、下地電極層は、上述のように、薄膜電極層を含む層であってもよい。薄膜電極層は、例えば、金属粒子が堆積した１μｍ以下の層であり、スパッタ法または蒸着法などの既知の薄膜形成法により形成される。
下地電極層上に配置されるめっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、および、Ａｕなどのうちの少なくとも１つを含む。めっき層は、１層であってもよいし、複数層であってもよい。ただし、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造とすることが好ましい。Ｎｉめっき層は、下地電極層が積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだによって侵食されるのを防止する機能を果たす。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだの濡れ性を向上させる機能を果たす。
なお、外部電極１４は、上述した下地電極層を備えず、積層体１１上に直接配置されるめっき層を備える構成であってもよい。この場合、めっき層が直接、第１の内部電極１３ａまたは第２の内部電極１３ｂと接続される。以下では、外部電極１４が上述した下地電極層を備えず、積層体１１上に直接形成されるめっき層を備える構成である場合のめっき層の詳細について説明する。
めっき層は、積層体１１上に形成された第１めっき層と、第１めっき層上に形成された第２めっき層とを含むことが好ましい。ただし、無電解めっき法によりめっき層を形成する場合には、積層体１１上に触媒を設けるようにしてもよい。
第１めっき層および第２めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ、および、Ｚｎからなる群より選ばれる１種の金属、または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
例えば、内部電極としてＮｉを用いた場合、第１めっき層としては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。また、第２めっき層としては、はんだ濡れ性のよいＳｎやＡｕを用いることが好ましい。また、第１めっき層として、はんだバリア性能を有するＮｉを用いるようにしてもよい。
第２めっき層は必要に応じて形成すればよい。したがって、外部電極１４は、第１めっき層だけを備える構成であってもよい。また、外部電極１４は、第１めっき層および第２めっき層に加えて、第２めっき層上に形成された別のめっき層をさらに備える構成としてもよい。
めっき層の単位体積あたりの金属の割合は、９９体積％以上であることが好ましい。また、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層は、厚み方向に沿って粒成長したものであり、柱状である。
積層体１１および外部電極１４を含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向の寸法を「長さＬ」、幅方向の寸法を「幅Ｗ」、厚み方向の寸法を「厚みＴ」としたときに、例えば、以下の寸法の積層セラミックコンデンサ１０を作製することができる。
（サイズ１）長さＬ：０．２３７ｍｍ以上０．２６３ｍｍ以下、幅Ｗ：０．１１２ｍｍ以上０．１３８ｍｍ以下、厚みＴ：０．１１２ｍｍ以上０．１３８ｍｍ以下
（サイズ２）長さＬ：０．３８ｍｍ以上０．４２ｍｍ以下、幅Ｗ：０．１８ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下、厚みＴ：０．１８ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下
（サイズ３）長さＬ：０．５７ｍｍ以上０．６３ｍｍ以下、幅Ｗ：０．２７ｍｍ以上０．３３ｍｍ以下、厚みＴ：０．２７ｍｍ以上０．３３ｍｍ以下
（サイズ４）長さＬ：０．９５ｍｍ以上１．０５ｍｍ以下、幅Ｗ：０．４５ｍｍ以上０．５５ｍｍ以下、厚みＴ：０．４５ｍｍ以上０．５５ｍｍ以下
（サイズ５）長さＬ：１．５ｍｍ以上１．７ｍｍ以下、幅Ｗ：０．７ｍｍ以上０．９ｍｍ以下、厚みＴ：０．７ｍｍ以上０．９ｍｍ以下
（サイズ６）長さＬ：１．８５ｍｍ以上２．１５ｍｍ以下、幅Ｗ：１．０５ｍｍ以上１．３５ｍｍ以下、厚みＴ：１．０５ｍｍ以上１．３５ｍｍ以下
（サイズ１）長さＬ：０．２３７ｍｍ以上０．２６３ｍｍ以下、幅Ｗ：０．１１２ｍｍ以上０．１３８ｍｍ以下、厚みＴ：０．１１２ｍｍ以上０．１３８ｍｍ以下
（サイズ２）長さＬ：０．３８ｍｍ以上０．４２ｍｍ以下、幅Ｗ：０．１８ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下、厚みＴ：０．１８ｍｍ以上０．２２ｍｍ以下
（サイズ３）長さＬ：０．５７ｍｍ以上０．６３ｍｍ以下、幅Ｗ：０．２７ｍｍ以上０．３３ｍｍ以下、厚みＴ：０．２７ｍｍ以上０．３３ｍｍ以下
（サイズ４）長さＬ：０．９５ｍｍ以上１．０５ｍｍ以下、幅Ｗ：０．４５ｍｍ以上０．５５ｍｍ以下、厚みＴ：０．４５ｍｍ以上０．５５ｍｍ以下
（サイズ５）長さＬ：１．５ｍｍ以上１．７ｍｍ以下、幅Ｗ：０．７ｍｍ以上０．９ｍｍ以下、厚みＴ：０．７ｍｍ以上０．９ｍｍ以下
（サイズ６）長さＬ：１．８５ｍｍ以上２．１５ｍｍ以下、幅Ｗ：１．０５ｍｍ以上１．３５ｍｍ以下、厚みＴ：１．０５ｍｍ以上１．３５ｍｍ以下
なお、積層セラミックコンデンサ１０の幅Ｗは、厚みＴよりも大きいことが好ましい。
長さＬ、幅Ｗ、および厚みＴは、光学顕微鏡を用いて測定することができる。
［実施例］
積層セラミックコンデンサ１０の誘電体層１２の主成分を構成する材料として、純度９９％以上のＳｉＯ2、ＢａＣＯ3、Ａｌ2Ｏ3、ＭｎＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2、および、ＺｒＯ2の各粉末素材を準備した。
積層セラミックコンデンサ１０の誘電体層１２の主成分を構成する材料として、純度９９％以上のＳｉＯ2、ＢａＣＯ3、Ａｌ2Ｏ3、ＭｎＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2、および、ＺｒＯ2の各粉末素材を準備した。
準備した各粉末素材を表１〜表３に示す仕込み値となるように秤量した。表１〜表３において、Ｓｉ、Ｂａ、およびＡｌの仕込み値は、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部中のＢａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合を重量部で示している。上述したように、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合は、ＢａＯ、ＳｉＯ2、およびＡｌ2Ｏ3にそれぞれ換算した数値である。
また、表１〜表３において、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＭｇの仕込み値は、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部に対するＭｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＭｇの含有割合を重量部で示している。上述したように、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＭｇの含有割合は、ＭｎＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、およびＭｇＯにそれぞれ換算した値である。
表１〜表３に示す仕込み値となるように秤量した各粉末素材を、ボールミルにより湿式混合し、その後乾燥、解砕して粉末を得た。そして、得られた粉末を大気中で７５０〜１０００℃の温度で１時間〜３時間仮焼した後、解砕して、原料粉末を得た。
なお、誘電体層１２の主成分の製造方法は、固相法、水熱法など特に制約はなく、粉末素材の形態についても、炭酸物、酸化物、水酸化物、塩化物など、特に制約はない。
また、誘電体層１２の原料粉末には、ＨｆＯ2などの不可避的不純物を含有していてもよい。また、ＳｒＣＯ3とＴｉＯ2を用いる代わりに、ＳｒＴｉＯ3を用いてもよい。
得られた原料粉末をＩＣＰ分析したところ、各元素の組成は、表１〜表３に示す組成と略同一であることが確認された。ただし、表１〜表３において、試料番号に＊を付した試料は、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇの含有割合が上記条件１の割合を満たさない試料であり、＊を付していない試料は、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇの含有割合が上記条件１の割合を満たす試料である。
なお、全組成のうち、ＣｒおよびＢの含有量についても調べてみたが、いずれも検出限界量以下であった。また、例えば原料の混合時にＹＳＺボールを用いると、ＹＳＺボールからの混入により、Ｚｒの含有量がごく微量であるが増加することがある。
この原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよびトルエン、エタノールなどの有機溶剤を加えてボールミルにより湿式混合し、スラリーを調製した。そして、スラリーをドクターブレード法によりシート成形した後、カットすることにより、長さ１５ｃｍ、幅１５ｃｍ、厚み４μｍの矩形のマザーセラミックグリーンシートを得た。
その後、マザーセラミックグリーンシート上にＣｕを主体とする導電ペーストを印刷し、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂを構成するための導電ペースト層である内部電極パターンを形成した。
続いて、導電ペースト層を形成したマザーセラミックグリーンシートを、導電ペーストが端部まで引き出されている側が長さ方向の異なる方向に交互に配置されるように複数枚積層し、マザー積層体であるセラミックグリーンシート積層体を得た。
このセラミックグリーンシート積層体を所定の位置でカットして個々のチップ素子に分割した後、大気中で、２５０℃の温度に加熱してバインダを燃焼させた後、３．３３〜２００℃／分の昇温速度、および９００〜１０４０℃の最高焼成温度で、窒素および水素を用いた非酸化性雰囲気中で焼成し、本発明の積層セラミックコンデンサにおける積層体１１となるセラミック焼結体を得た。
このセラミック焼結体をバレル研磨することによって、端面から内部電極を露出させ、内部電極が露出した部分に、外部電極用のＣｕペーストを塗布した。塗布したＣｕペーストを乾燥させた後、８００℃の最高焼成温度、還元雰囲気下で外部電極の焼き付けを行った。続いて、バレルめっき法により、外部電極上にＮｉめっき層を形成し、同様の方法により、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した。
なお、上述したように、下地電極層を形成せずに、セラミック焼結体に直接、めっき電極を形成するようにしてもよい。その場合、セラミック焼結体をバレル研磨することによって、端面から内部電極を露出させ、内部電極が露出した部分に、めっき電極用のめっき膜を形成する。めっきは、電解めっきおよび無電解めっきのうちのどちらを採用してもよいが、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒添加などの前処理が必要となり、工程が複雑化する。したがって、電解めっきを採用することが好ましい。また、めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。
セラミック焼結体に直接、めっき電極を形成した場合にも、必要に応じて、形成しためっき電極の表面にめっき層を形成する。
このようにして作製した積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ方向の寸法Ｌが２．０ｍｍ、幅方向の寸法Ｗが１．２ｍｍ、厚み方向の寸法Ｔが０．６ｍｍであり、誘電体層の厚みは３．２μｍであった。また、誘電体層の内層部誘電体層の総数は、４０層であった。
作製した積層セラミックコンデンサの外部電極を研磨により除去し、得られた積層体をアルカリ溶融法によって溶液化し、得られた溶液についてＩＣＰ分析を行ったところ、内部電極の構成成分であるＣｕを除いて、表１〜表３に示した調合組成と略同一であることが確認された。
［評価特性］
表１〜表３に示す試料番号１〜７１の各試料について、後述する焼結性、温度特性、および加速耐湿負荷試験後の不良の有無について確認した。
表１〜表３に示す試料番号１〜７１の各試料について、後述する焼結性、温度特性、および加速耐湿負荷試験後の不良の有無について確認した。
（焼結性）
作製した積層セラミックコンデンサの表面を研磨することによって断面を露出させ、走査型電子顕微鏡の観察倍率を３０００倍として断面を観察し、良好な焼結が行われているか否かを確認した。表１〜表３において、焼結性が「○」となっているものは、焼結体に形成される気孔（ポア）の存在率は５％未満であり、良好な焼結が行われていることを示す。一方、焼結性が「×」となっているものは、緻密な焼結体が得られなかったか、焼結体に形成される気孔（ポア）の存在率が５％以上であるか、または、過焼結状態であったことを示す。
作製した積層セラミックコンデンサの表面を研磨することによって断面を露出させ、走査型電子顕微鏡の観察倍率を３０００倍として断面を観察し、良好な焼結が行われているか否かを確認した。表１〜表３において、焼結性が「○」となっているものは、焼結体に形成される気孔（ポア）の存在率は５％未満であり、良好な焼結が行われていることを示す。一方、焼結性が「×」となっているものは、緻密な焼結体が得られなかったか、焼結体に形成される気孔（ポア）の存在率が５％以上であるか、または、過焼結状態であったことを示す。
（温度特性）
−５５℃以上１２５℃以下の範囲で、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの条件下で静電容量測定を行い、２５℃を基準として、−５５℃および１２５℃における静電容量温度係数（ＴＣＣ）を算出した。算出した静電容量温度係数が＋６０ｐｐｍ／℃より大きい試料、または、−６０ｐｐｍ／℃より小さい試料は、温度特性が好ましくない試料である。
−５５℃以上１２５℃以下の範囲で、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの条件下で静電容量測定を行い、２５℃を基準として、−５５℃および１２５℃における静電容量温度係数（ＴＣＣ）を算出した。算出した静電容量温度係数が＋６０ｐｐｍ／℃より大きい試料、または、−６０ｐｐｍ／℃より小さい試料は、温度特性が好ましくない試料である。
（加速耐湿負荷寿命試験（ＰＣＢＴ））
温度１２０℃、湿度１００％ＲＨ、気圧２ａｔｍ、印加電圧５０Ｖ、試料数１００個の条件で加速耐湿負荷寿命試験（以下、加速耐湿負荷試験と呼ぶ）を行い、２５０時間経過後に、ｌｏｇＩＲの値が６乗以下である試料の数をカウントし、カウントした数が総数の１０％以上となった試料を不良品と判定した。表１〜表３では、試料数１００個のうちの加速耐湿負荷試験の結果がＮＧの数、すなわち、ｌｏｇＩＲの値が６乗以下となる試料の数を示している。
温度１２０℃、湿度１００％ＲＨ、気圧２ａｔｍ、印加電圧５０Ｖ、試料数１００個の条件で加速耐湿負荷寿命試験（以下、加速耐湿負荷試験と呼ぶ）を行い、２５０時間経過後に、ｌｏｇＩＲの値が６乗以下である試料の数をカウントし、カウントした数が総数の１０％以上となった試料を不良品と判定した。表１〜表３では、試料数１００個のうちの加速耐湿負荷試験の結果がＮＧの数、すなわち、ｌｏｇＩＲの値が６乗以下となる試料の数を示している。
表１〜表３に示すように、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇの含有割合が上記条件１の割合を満たす試料、すなわち、試料番号に＊を付していない試料は全て、焼結が十分に行われており、加速耐湿負荷試験において不良品は発生せず、かつ、−５５℃および１２５℃の静電容量温度係数は、正常値である−６０ｐｐｍ／℃以上＋６０ｐｐｍ／℃以下となった。
すなわち、誘電体層１２がＢａ、Ｓｉ、およびＡｌからなる第１元素群と、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなる第２元素群とを含み、各元素の含有割合が上記条件１の割合を満たす積層セラミックコンデンサは、−５５℃以上１２５℃以下の幅広い温度範囲で良好な温度特性を示すことが確認された。
一方、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇの含有割合が上記条件１の割合を満たさない試料、すなわち、試料番号に＊を付した試料は、焼結性、加速耐湿負荷試験、および、−５５℃および１２５℃の静電容量温度係数の各項目のうち、少なくとも１つの項目において不良が発生した。
また、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇの含有割合が上記条件１の割合を満たす試料のうち、特に、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部中のＢａ、Ｓｉ、およびＡｌの含有割合と、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である第１元素群の１００重量部に対する、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇの含有割合がそれぞれ以下の条件を満たす試料は、加速耐湿負荷試験において２５０時間経過後に、−５５℃および１２５℃の静電容量温度係数が−３０ｐｐｍ／℃以上＋３０ｐｐｍ／℃以下となり、温度特性がＪＩＳ規格のＣＧ特性を満足することが分かった。なお、下記の条件を満たす試料とは、試料番号１０、１１、１２、２０、２１、２２、２９、３０、３３、３４、３５、３６、３７、４１、４２、４３、４４、６８、６９、７０、および７１の試料である。
・Ｓｉの含有割合は、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上６５重量部以下
・Ｂａの含有割合は、ＢａＯ換算で２５重量部以上３５重量部以下
・Ａｌの含有割合は、Ａｌ2Ｏ3換算で１０重量部以上１５重量部以下
・ＴｉおよびＦｅのうちの１つの含有割合は、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2に換算して、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3に換算して、３重量部以上１０重量部以下
・Ｍｎの含有割合は、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下
・Ｓｒの含有割合は、ＳｒＯ換算で３重量部以上１０重量部以下
・Ｍｇの含有割合は、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上４重量部以下
・Ｓｉの含有割合は、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上６５重量部以下
・Ｂａの含有割合は、ＢａＯ換算で２５重量部以上３５重量部以下
・Ａｌの含有割合は、Ａｌ2Ｏ3換算で１０重量部以上１５重量部以下
・ＴｉおよびＦｅのうちの１つの含有割合は、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2に換算して、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3に換算して、３重量部以上１０重量部以下
・Ｍｎの含有割合は、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下
・Ｓｒの含有割合は、ＳｒＯ換算で３重量部以上１０重量部以下
・Ｍｇの含有割合は、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上４重量部以下
さらに、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＭｇの含有割合が上記条件１を満たす試料のうち、特に、上記条件２を満たす試料は、加速耐湿負荷試験において２５０時間経過後に、ｌｏｇＩＲの値が６乗以下となる試料の数が総数の１％以下となり、耐湿性がより向上することが分かった。Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＭｇの含有割合が上記条件２を満たす試料とは、試料番号１０、１１、２０、２１、２９、３０、３４、３５、３６、４２、４３、６８、６９、７０、および７１の試料である。
上記実施例では、長さ方向の寸法Ｌが２．０ｍｍ、幅方向の寸法Ｗが１．２ｍｍ、厚み方向の寸法Ｔが０．６ｍｍの積層セラミックコンデンサを作製し、焼結性、温度特性、および加速耐湿負荷試験後の不良の有無について確認した。上記のサイズ以外に、上述したサイズ１〜サイズ６の試料を作製し、焼結性、温度特性、および加速耐湿負荷試験後の不良の有無について確認したところ、同様の結果を得ることができた。
すなわち、積層セラミックコンデンサの長さ方向の寸法Ｌが０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、厚み方向の寸法Ｔが０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であり、幅方向の寸法Ｗが０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である積層セラミックコンデンサであれば、−５５℃以上１２５℃以下の幅広い温度範囲で良好な温度特性を示すことが確認できた。
なお、上述した実施形態では、セラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを例に挙げて説明したが、セラミック電子部品が積層セラミックコンデンサに限定されることはない。例えば、セラミック電子部品は、ＬＣ複合部品、内部コンデンサなどを有する多層基板などであってもよい。
本発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ 積層体
１２ 誘電体層
１３ａ 第１の内部電極
１３ｂ 第２の内部電極
１４（１４ａ、１４ｂ） 外部電極
１５ａ 第１の端面
１５ｂ 第２の端面
１６ａ 第１の主面
１６ｂ 第２の主面
１７ａ 第１の側面
１７ｂ 第２の側面
１１ 積層体
１２ 誘電体層
１３ａ 第１の内部電極
１３ｂ 第２の内部電極
１４（１４ａ、１４ｂ） 外部電極
１５ａ 第１の端面
１５ｂ 第２の端面
１６ａ 第１の主面
１６ｂ 第２の主面
１７ａ 第１の側面
１７ｂ 第２の側面
Claims (6)
- 複数の誘電体層と、前記誘電体層を介して積層された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の外部に設けられ、前記積層体の表面に引き出された内部電極と電気的に導通された一対の外部電極と、
を備えたセラミック電子部品であって、
前記積層体は、前記誘電体層と前記内部電極の積層方向である厚み方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記一対の外部電極が対向する方向である長さ方向に相対し、前記外部電極が設けられている第１の端面および第２の端面と、前記厚み方向および前記長さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面とを有し、
前記誘電体層は、第１元素群と第２元素群とを含み、
前記第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２０重量部以上４０重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上７５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で５重量部以上２０重量部以下、
の割合で含有し、
前記第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で１重量部以上３５重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上６重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、１重量部以上３５重量部以下
の割合で含有することを特徴とするセラミック電子部品。 - ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２５重量部以上３５重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上６５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で１０重量部以上１５重量部以下、
の割合で含有し、
ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で２重量部以上７重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で３重量部以上７重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．２５重量部以上２重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、３重量部以上７重量部以下
の割合で含有することを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。 - 前記内部電極は、積層された内部電極同士が対向する部分である対向電極部と、前記対向電極部から前記第１の端面または前記第２の端面まで引き出された部分である引出電極部とを有し、
前記幅方向における前記対向電極部と前記第１の側面との間の距離および前記対向電極部と前記第２の側面との間の距離は、５μｍ以上３０μｍ以下であり、
前記内部電極の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック電子部品。 - 前記セラミック電子部品の前記長さ方向の寸法は、０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、
前記セラミック電子部品の前記厚み方向の寸法は、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であり、
前記セラミック電子部品の前記幅方向の寸法は、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 前記セラミック電子部品の前記幅方向の寸法は、前記セラミック電子部品の前記厚み方向の寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 第１元素群と第２元素群とを含み、
前記第１元素群は、Ｂａ、Ｓｉ、およびＡｌからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部中に、
Ｂａを、ＢａＯ換算で２０重量部以上４０重量部以下、
Ｓｉを、ＳｉＯ2換算で４８重量部以上７５重量部以下、
Ａｌを、Ａｌ2Ｏ3換算で５重量部以上２０重量部以下、
の割合で含有し、
前記第２元素群は、ＴｉおよびＦｅのうちの１つ、Ｍｎ、Ｓｒ、およびＭｇからなり、ＢａがＢａＯであり、ＳｉがＳｉＯ2であり、ＡｌがＡｌ2Ｏ3である前記第１元素群の１００重量部に対して、
Ｍｎを、ＭｎＯ換算で１重量部以上１０重量部以下、
Ｓｒを、ＳｒＯ換算で１重量部以上３５重量部以下、
Ｍｇを、ＭｇＯ換算で０．１重量部以上６重量部以下、
ＴｉおよびＦｅのうちの１つを、Ｔｉが含まれる場合にはＴｉＯ2換算で、Ｆｅが含まれる場合にはＦｅ2Ｏ3換算で、１重量部以上３５重量部以下
の割合で含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016156289A JP6766515B2 (ja) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | セラミック電子部品および誘電体磁器組成物 |
| KR1020170092604A KR101918036B1 (ko) | 2016-08-09 | 2017-07-21 | 세라믹 전자부품 및 유전체 자기 조성물 |
| US15/671,644 US10607780B2 (en) | 2016-08-09 | 2017-08-08 | Ceramic electronic component and dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016156289A JP6766515B2 (ja) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | セラミック電子部品および誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018024542A JP2018024542A (ja) | 2018-02-15 |
| JP6766515B2 true JP6766515B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=61160354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016156289A Active JP6766515B2 (ja) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | セラミック電子部品および誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10607780B2 (ja) |
| JP (1) | JP6766515B2 (ja) |
| KR (1) | KR101918036B1 (ja) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949642B1 (en) * | 1998-03-31 | 2010-11-03 | TDK Corporation | Chip-type electronic component and method for producing the same |
| JP3336967B2 (ja) | 1998-08-11 | 2002-10-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3567759B2 (ja) | 1998-09-28 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
| JP4400860B2 (ja) | 2002-08-30 | 2010-01-20 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| US7211533B2 (en) * | 2005-04-28 | 2007-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component |
| DE112007001868B4 (de) * | 2006-08-09 | 2013-11-07 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Glaskeramikzusammensetzung, gesinterter Glaskeramikkörper und elektronische Komponente aus monolithischer Keramik |
| WO2009025156A1 (ja) | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法 |
| EP2386528B1 (en) * | 2009-01-07 | 2016-08-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material for low-temperature sintering, and ceramic substrate |
| KR101241256B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2013-03-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판 |
| WO2012128307A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 固体酸化物形燃料電池用接合材、固体酸化物形燃料電池及び固体酸化物形燃料電池モジュール |
| DE102013006463B4 (de) * | 2013-04-15 | 2017-01-19 | Schott Ag | Durchführung |
| WO2016185921A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結セラミック材料、セラミック焼結体およびセラミック電子部品 |
| JP6795292B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2020-12-02 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
-
2016
- 2016-08-09 JP JP2016156289A patent/JP6766515B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-21 KR KR1020170092604A patent/KR101918036B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-08 US US15/671,644 patent/US10607780B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101918036B1 (ko) | 2018-11-13 |
| KR20180018322A (ko) | 2018-02-21 |
| JP2018024542A (ja) | 2018-02-15 |
| US20180047508A1 (en) | 2018-02-15 |
| US10607780B2 (en) | 2020-03-31 |
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