KR101422127B1 - 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents

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노리유키 치기라
신이치 아베
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다이요 유덴 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 내부 전극의 팽창에 의한 유전체층의 크랙 발생을 억제하는 것이 가능한 적층 세라믹 콘덴서를 제공한다.
유전체 세라믹스로 이루어지는 복수의 적층된 유전체 세라믹층과, 상기 유전체 세라믹층 사이에 형성된 내부 전극과, 상기 내부 전극에 전기적으로 접속된 외부 전극을 구비한 적층 세라믹 콘덴서에서, 상기 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분에 유전체층을 구성하는 세라믹 그레인보다 결정 축비c/a가 높은 세라믹 그레인을 존재시켜, 그 도메인 스위칭에 의한 응력 완화 효과로 내부 전극의 팽창에 의한 유전체층의 크랙 발생을 억제한다.

Description

적층 세라믹 콘덴서{MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR}
본 발명은 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 내부 전극을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서에 이용되는 유전체 재료에 관한 것이다.
적층 세라믹 콘덴서는 복수의 유전체 세라믹층과, 상기 유전체 세라믹층을 개재하여 교호(交互)적으로 다른 단면(端面)에 인출(引出)되도록 형성된 복수의 내부 전극으로 구성되는 세라믹 적층체를 포함하고, 상기 세라믹 적층체의 양(兩) 단면 상에 내부 전극과 전기적으로 접속하도록 외부 전극이 형성되고 있다.
이와 같은 적층 세라믹 콘덴서에 이용되는 유전체 세라믹스로서는 주로 티탄산 바륨(BaTiO3)계의 재료가 있다. 이 티탄산 바륨계의 유전체 세라믹스는 환원 분위기 하에서 Ni 내부 전극과 동시에 소성(燒成)할 수 있고, 유전율ε이 7,000이상으로 높아 소형 형상화, 고용량화에 유리하다는 이점이 있다.
상기 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법은 대략 이하와 같다. 소성 후에 소정의 유전체 자기(磁器) 조성물이 되도록 유전체 원료 중의 각 산화물의 함유량을 결정하고, 얻어진 유전체 원료에 바인더 및 용제를 첨가·혼합하여 세라믹 유전체층용의 슬러리를 제작하고, 닥터 블레이드법에 의해 그린시트를 형성한다. 얻어진 그린시트의 표면에 Ni 내부 전극용 페이스트를 인쇄하여 내부 전극 패턴을 가지는 정전(靜電) 용량 형성 영역용 세라믹 시트를 준비하고, 상기 세라믹 시트를 각각의 적층체 칩에 절단하였을 때에 적층체 칩의 서로 대향하는 한 쌍의 단면에 상기 내부 전극 패턴의 단부(端部)가 교호적으로 노출하도록 복수층 중첩하고, 또한 그들의 상하에 내부 전극 패턴이 인쇄되지 않은 보호용 그린시트를 적층하고 압착하여 얻어진 적층체를 소정 사이즈로 절단하여 적층체 칩을 얻는다. 다음으로 얻어진 적층체 칩을 탈(脫)바인더 처리한 후, 소성하고 또한 어닐링하여 소결체(燒結體)를 얻는다. 다음으로 얻어진 소결체의 단면을 연마하여 외부 전극을 도포·소부(燒付)하여 적층 세라믹 콘덴서를 얻는다.
종래 적층 세라믹 콘덴서에 이용되는 내부 전극용 Ni 페이스트에는 BaTiO3 등의 세라믹스 분말이 배합된다. 그 이유는 적층된 유전체층이 내부 전극과의 밀착이 약해지면 취득 용량의 저하가 발생하기 때문에, 세라믹스 분말의 첨가에 의해 내부 전극의 불연속부에 유전체 세라믹스를 형성하여 유전체와 전극의 밀착성을 높이기 위해서다.
한편, 적층 세라믹 콘덴서는 납땜에 의해 실장(實裝)될 때 열 충격을 받아 내부의 Ni 전극이 팽창한다. Ni의 팽창율은 BaTiO3 등의 유전체 재료보다 크기 때문에 내부 전극의 불연속 부분의 유전체 세라믹스의 강도가 불충분하면 콘덴서 내부에 크랙이 발생한다(도 2 참조).
상기 문제를 해결하는 것을 목적으로 하여, 특허문헌 1에는 내부 전극에 적층 방향으로 개재된 유전체 세라믹스의 그레인 지름이 80∼350nm이며 또한 상기 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분에 존재하는 유전체 세라믹스의 그레인 지름이 상기 내부 전극에 적층 방향으로 개재된 유전체 세라믹스의 그레인 지름에 대하여 2.0∼6.0배인 적층 세라믹 콘덴서가 제안되고, 상기 적층 세라믹 콘덴서는 불연속 부분에 존재하는 유전체 세라믹스의 그레인 지름 증대에 의해 기계적 강도를 증대시켜 내부 전극의 팽창에 의한 유전체층의 크랙 발생을 억제한다.
1. 일본 특개 2010-10157호 공보
도 2는 내부 전극으로서 Ni를 사용한 경우의 Ni 내부 전극의 팽창에 의한 유전체 세라믹스의 크랙 발생 메커니즘을 도시하는 도면이며, 도 3은 상기 특허문헌 1에서 Ni 내부 전극(11)의 불연속 부분에 그레인 지름이 큰 세라믹 그레인이 존재하는 것에 의해 크랙 발생이 방지되는 상태를 도시하는 도면이다. 도 2에 도시하는 바와 같이 실장 시에 급격한 온도 상승이 있으면, 도 2의 화살표로 나타내는 방향에 Ni 내부 전극(11)이 팽창하지만, 유전체 세라믹(12)층 사이의 Ni 내부 전극(11)의 불연속 부분에 존재하는 유전체 세라믹스(13)의 그레인 지름이 Ni 내부 전극(11)에 적층 방향에서 개재된 유전체 세라믹스(12)의 그레인 지름과 마찬가지의 크기이며, Ni 내부 전극의 두께보다 작은 경우에는 이 팽창에 추수(追隨)할 수 없어 굵은 선으로 나타낸 바와 같이 크랙이 발생한다.
이에 대하여, Ni 내부 전극(11)의 불연속 부분에 존재하는 유전체 세라믹스(13)의 그레인 지름이 Ni 내부 전극(11)에 적층 방향에서 개재된 유전체 세라믹스(12)의 그레인 지름보다 크고, 도 3에 도시되는 바와 같이 Ni 내부 전극(11)의 두께와 거의 같은 정도인 경우에는 유전체 세라믹스(13)의 기계적 강도가 증대하는 것과 함께, 그 그레인에 의해 Ni 내부 전극(11)의 팽창이 흡수되기 때문에 크랙의 발생이 억제된다. 하지만 기계적 강도를 증대시키는 것만으로는 유전체층의 크랙 발생을 억제하는 효과는 충분하지 않았다.
본 발명은 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어졌으며, 내부 전극의 팽창에 의한 유전체층의 크랙 발생을 억제하는 것이 가능한 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은 상기 문제점을 개선하기 위해서 검토를 거듭한 결과, 상기 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분에 유전체층을 구성하는 세라믹 그레인보다 높은 결정(結晶) 축비(軸比)c/a를 가지는 세라믹 그레인(이하, 단순히 「c/a가 높은 세라믹 그레인」이라고도 부른다)을 존재시키고, 그 도메인 스위칭에 의한 응력 완화 효과에 의해 내부 전극의 팽창에 의한 유전체층의 크랙 발생을 억제할 수 있다는 지견을 얻었다.
본 발명은 상기 지견에 기초하여 완성에 이르렀으며, 이하와 같다.
[1] 유전체 세라믹스로 이루어지는 복수의 적층된 유전체 세라믹층과, 상기 유전체 세라믹층 사이에 형성된 내부 전극과, 상기 내부 전극에 전기적으로 접속된 외부 전극을 구비한 적층 세라믹 콘덴서로서,
상기 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분에는 상기 유전체 세라믹층을 구성하는 세라믹 그레인보다 높은 결정 축비c/a를 가지는 세라믹 그레인이 상기 불연속 부분에서의 면적 비율로 15% 이상 존재하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
[2] 상기 불연속 부분에 존재하는 세라믹 그레인의 평균 입자 지름이 0.15∼3.00μm인 것을 특징으로 하는 [1]에 기재된 적층 세라믹 콘덴서.
[3] 상기 내부 전극 부분에서의 세라믹스가 차지하는 비율이 8∼40%인 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]에 기재된 적층 세라믹 콘덴서.
[4] 상기 유전체 세라믹스층이 티탄산 바륨계 페로브스카이트 고용체(固溶體)를 주성분으로 하는 유전체 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 적층 세라믹 콘덴서.
본 발명에 따르면, 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분에 유전체층을 구성하는 세라믹 그레인보다 결정 축비c/a가 높은 세라믹 그레인을 그 불연속 부분에서의 면적 비율로 15% 이상으로 하는 것에 의해, 그 도메인 스위칭에 의한 응력 완화 효과에 의해서 내부 전극의 팽창에 의한 유전체층의 크랙 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명에 대하여 모식적으로 설명하는 도면.
도 2는 내부 전극으로서 Ni를 사용한 경우의 Ni 내부 전극의 팽창에 의한 유전체 세라믹스의 크랙 발생 메커니즘을 도시하는 도면.
도 3은 특허문헌 1에서 그레인 지름이 큰 세라믹 그레인의 존재에 의해 크랙 발생이 방지되는 상태를 도시하는 도면.
도 1은 본 발명에 대하여 모식적으로 설명하는 도면이며, 유전체 세라믹층(2) 사이의 내부 전극(1)의 불연속 부분(3)을 구성하는 세라믹 그레인 중에 유전체 세라믹층을 구성하는 세라믹 그레인(4)의 결정 축비c/a보다 높은 결정 축비c/a를 가지는 세라믹 그레인(5)이 존재하다는 것을 도시한다.
도메인은 유전체 세라믹의 단면(斷面)을 TEM(투과 전자 현미경)으로 관찰하였을 때에 볼 수 있는 줄기 형상의 패턴을 가지며, 결정 입자의 자발 분극에 의해 드러난다. 세라믹 소결체 중에서 도메인이 랜덤 분극을 형성하는 경우, 외형의 변형에 대하여 분극의 90° 반전에 의해 내부 에너지가 개방된다(도메인 스위칭). 결정 축비c/a가 높은 그레인은 이 반전에 필요한 에너지가 낮고 비교적 용이하게 반전하기 때문에, 이 반전으로 인해 열팽창에 의해 발생하는 응력에 대하여 용이하게 변형하고 응력을 완화할 수 있다.
본 발명에서는 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분(3)에 이 높은 결정 축비c/a를 가지는 세라믹 그레인(5)을 불연속 부분에서의 면적 비율로 15% 이상 존재시키는 것에 의해, 그 도메인 스위칭에 의한 응력 완화 효과를 얻을 수 있고 유전체층의 파괴를 방지할 수 있으며, 이 면적 비율 15% 이하에서는 크랙의 발생수가 증가한다.
또한 본 발명에서는 내부 전극의 불연속 부분이 높은 c/a를 가지는 세라믹 그레인의 평균 입자 지름은 0.15∼3.00μm인 것이 바람직하고, 0.15μm보다 작아도, 또는 3.00μm보다 커도 크랙 발생수가 증가한다. 내부 전극의 불연속 부분이 높은 c/a를 가지는 세라믹 그레인의 평균 입자 지름은 Ni 전극 페이스트에 이용하는 출발 원료의 BaTiO3의 평균 입자 지름에 의해 결정되지만, 상기 BaTiO3의 평균 입자 지름이 작을수록 내부 전극의 불연속 부분이 높은 c/a를 가지는 세라믹 그레인의 평균 입자 지름은 커진다.
또한 본 발명에서는 내부 전극의 불연속 부분에서의 세라믹스가 차지하는 비율이 8∼40%라면 크랙의 발생을 방지할 수 있는 것과 함께, 30000이상의 충분히 높은 겉보기 유전율ε을 얻을 수 있다. 세라믹스가 차지하는 비율이 8%보다 적으면 크랙 발생수가 증가하고, 40%보다 많으면 겉보기 유전율ε이 저하한다.
또한 본 발명에서 적층 세라믹 콘덴서의 소성 후에서의 내부 전극의 두께는 1.0∼2.0μm이 바람직하다. 또한 내부 전극의 재질로서는 Ni가 바람직하다.
본 발명의 적층 세라믹 콘덴서는 유전체 재료에 부틸알계 또는 아크릴계 등의 바인더 및 톨루엔, 에틸알코올 등의 용제를 첨가하여 세라믹 그린시트를 제작하고, 얻어진 세라믹 그린시트의 표면에 소정 패턴으로 Ni 등의 내부 전극 페이스트를 인쇄하고, 인쇄한 시트를 적층하고 각각의 적층체로 절단한 후, 얻어진 적층체에 Ni, 에틸셀룰로오스, α-테르피네올 등으로 이루어지는 외부 전극을 형성하고, 탈바인더 처리를 수행하고, 소성하는 공정을 포함하는 통상적인 공정을 거쳐서 제조된다. 외부 전극을 형성한 후, 탈바인더 처리를 수행하고, 동시 소성하는 방법이 바람직하지만, 탈바인더 처리를 수행하고 소성한 후, 외부 전극을 형성하는 방법도 채용할 수 있다. 필요에 따라 재산화 처리를 수행한 후, 외부 전극 단자에 Cu, Ni, Sn 등의 도금 처리하여 적층 세라믹 콘덴서로 한다.
적층되는 세라믹 그린시트의 유전체 재료는 BaTixZr(1-x)O3(0.6
Figure 112013072271085-pat00001
x
Figure 112013072271085-pat00002
0.95)의 티탄산 바륨계 페로브스카이트 고용체를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 유전체 재료(유전체 세라믹스)에 희토류 금속 원소의 산화물을 상기 티탄산 바륨계 페로브스카이트 고용체 1몰에 대하여 희토류 금속 원소로서 0.01∼0.10몰 함유시키는 것에 의해 ε저하를 도모할 수 있다. 희토류 금속 원소의 산화물로서는 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 원소의 산화물이 바람직하다.
또한 유전체 재료(유전체 세라믹스)에 Mg의 산화물을 상기 티탄산 바륨계 페로브스카이트 고용체 1몰에 대하여 Mg원소로서 0.005∼0.050몰 함유시키는 것에 의해 ε저하를 도모할 수 있다.
또한 유전체 재료(유전체 세라믹스)에 소결 조제(助劑)로서 Si, Al, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, V로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 산화물을 함유시켜도 좋다.
또한 본 발명에서는 Ni 내부 전극용의 페이스트에 첨가하는 공생지(共生地)에 BaTiO3 분말을 이용하고, 내부 전극용 금속 분말과 BaTiO3 분말과 유기 비히클 및 용제를 배합하여 인쇄 페이스트로 한다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이와 같은 실시예에 한정되지 않는다.
[실시예1]
(유전체 재료의 작성)
티탄산 바륨 분말(평균 입자 지름이 0.31μm) 100wt% 및 Ho2O3(2wt%), MgO(0.2wt%), MnCO3(0.2wt%), SiO2(0.5wt%)을 칭량(秤量)하였다. 이에 배합 후의 Ba/Ti비가 1000이 되도록 BaCO3을 칭량하였다. 이들의 재료를 볼 밀로 충분히 습식 혼합 분쇄하여 혼합분(混合粉)을 얻었다. 이를 유전체 재료로 하였다.
(내부 전극 인쇄용 페이스트의 작성)
공생지용으로서 BaTiO3 분말을 준비하였다. SEM상(像)에 의해 분체(粉體)의 입자 지름을 산출한 결과, 평균 104nm이었다. 다음으로 분말 X선 회절(回折) 패턴으로부터 WPPD(whole-powder-pattern-decomposition)에 의해 격자 정수를 구하고 c/a를 계산한 결과, 1.0068이었다. 다음으로 0.3μm의 내부 전극용 Ni 금속 분말 100중량부에 이 BaTiO3 분말을 20중량부, 또한 에틸셀룰로오스 및 α테르피네올을 배합하고, 3개 롤러로 혼련(混鍊)하여 내부 전극 인쇄용 페이스트를 얻었다.
(적층 세라믹 콘덴서의 작성)
유전체 재료에 유기 바인더로서 아크릴계, 용제로서 톨루엔, 에탄올 혼합을 첨가하고 닥터 블레이드법으로 5μm의 그린시트를 작성하였다. 얻어진 시트에 내부 전극용 페이스트를 스크린 인쇄하여 내부 전극을 형성하였다. 내부 전극을 인쇄한 시트를 300매 중첩하고, 그 상하에 커버시트를 각각 200μm씩 적층하였다. 그 후, 열 압착에 의해 적층체를 얻어 소정의 형상으로 절단하였다. 얻어진 적층체에 Ni 외부 전극을 딥법으로 형성하고, N2분위기에서 탈바인더 처리를 한 후, 환원 분위기 하(O2분압: 10-5∼10-8atm), 1260℃로 소성하여 소결체를 얻었다. 형상 치수는 L=3.2mm, W=1.6mm, T=1.6mm이었다. 소결체를 N2분위기 하 800℃의 조건으로 재산화 처리를 수행한 후, 전계 도금 처리에 의해 외부 전극 단자의 표면에 Cu, Ni, Sn의 금속 코팅을 수행하여 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다. 또한 소성 후에서 Ni 내부 전극의 두께는 1.2μm이었다.
(얻어진 적층 세라믹 콘덴서의 평가)
얻어진 적층 세라믹 콘덴서에 대하여 내부 전극의 불연속 부분의 c/a가 높은 세라믹 그레인의 평균 입자 지름, 상기 c/a가 높은 세라믹 그레인의 결정 축비c/a, c/a가 높은 세라믹 그레인의 면적 비율(%), 내부 전극 부분의 세라믹스가 차지하는 비율(%), 크랙 발생률 및 겉보기 유전율(ε)을 각각 이하의 방법으로 평가하였다.
[결정 축비c/a의 측정 방법]
결정 축비c/a는 CBED[수속(收束) 전자 회절]법, 즉 투과 전자 현미경(TEM)에 의해 취득한 수속 전자 회절 패턴에 보이는 고차(高次) HOLZ선의 위치에 주목하여 격자 정수(결정 축의 값a, b, c)를 구하는 방법에 의해 측정하였다. 유전체층을 구성하는 세라믹 그레인의 c/a를 측정하고, 다음으로 불연속 부분에 있는 세라믹 그레인 전체에 대하여 c/a를 측정하고, 유전체층을 구성하는 세라믹 그레인의 c/a보다 높은 c/a를 가지는 세라믹 그레인을 특정하였다.
[높은 c/a를 가지는 세라믹 그레인의 입자 지름]
상기 불연속 부분이 높은 c/a를 가지는 세라믹 그레인의 입자 지름은 TEM상에 의해 측정하였다. N=100으로 평균 입자 지름을 산출하였다.
[세라믹 그레인의 면적]
세라믹 그레인의 면적은 내부 전극과 평행한 방향의 최대 지름A와 내부 전극과 직교하는 방향의 최대 지름B를 측정하고, (A+B)/2로 그레인 지름을 산출하고, 이 그레인 지름을 직경으로 하는 원의 면적을 세라믹 그레인의 면적으로 하였다.
[면적 비율의 산출]
불연속 부분에 있는 세라믹 그레인의 모든 면적을 합계한 것을 분모로 하고, c/a가 높은 세라믹 그레인의 면적을 합계한 것을 분자로 하여 면적 비율을 산출한다. 면적 비율의 측정은 적어도 20개소의 불연속 부분에 대하여 수행한다.
[내부 전극 부분의 세라믹스가 차지하는 비율]
적층 세라믹 콘덴서를 연마한 후, SEM 감찰을 수행하였다. Ni 내부 전극을 따라 (Ni 전극, 세라믹 부분, 포어 부분)의 치수를 측정하고, 산술 계산으로 전체에 대하여 세라믹이 차지하는 비율을 산출하였다.
[크랙 발생률]
납땜 내열성 평가로서 270℃로 3초간 융해한 납땜에 침지(浸漬)하였다. 납땜으로부터 취출(取出)한 후, ×50의 광학 현미경에 의해 콘덴서 표면에 발생한 크랙을 카운트하였다.
[유전율 평가 방법]
정전 용량을 휴렛팩커드사의 LCR미터4284A로 측정하였다. 이 측정값과, 시료(試料)가 되는 적층 콘덴서의 내부 전극의 교차 면적, 유전체 세라믹층 두께 및 적층 매수로부터 겉보기 유전율을 계산하였다. 시료수는 50개로 하였다.
얻어진 결과를 하기의 표 1에 기재한다.
Figure 112013072271085-pat00003
[실시예2∼7 및 비교예 1∼4]
공생지용의 BaTiO3 분말로서 표 1에 기재된 입자 지름 및 결정 축비c/a를 가지는 것을 이용한 것 외에는 실시예1과 마찬가지로 하여 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다. 얻어진 적층 세라믹 콘덴서에 대하여, 실시예1과 마찬가지로 하여 평가한 결과를 표 1에 기재한다.
표 1의 기재로부터 알 수 있듯이, Ni 내부 전극의 불연속 부분의 세라믹 그레인 중 유전체 세라믹층을 구성하는 세라믹 그레인보다 높은 결정 축비c/a를 가지는 세라믹 그레인이 상기 불연속 부분에서의 면적 비율로 15% 이상일 경우, 크랙의 발생을 방지할 수 있지만, 이보다 적으면 크랙 발생수가 증가한다. 그리고 유전체 세라믹층을 구성하는 세라믹 그레인보다 높은 결정 축비c/a를 가지는 세라믹 그레인의 면적 비율은 BaTiO3 원료의 c/a에 의해 정해지고, 이 c/a가 높으면, 면적 비율이 증가한다는 것을 알 수 있다. 상기 실시예에서는 BaTiO3 원료의 c/a가 1.0050이상 필요하였다.
또한 Ni 내부 전극의 불연속 부분의 c/a가 높은 세라믹 그레인의 평균 입자 지름은 0.15∼3.00μm이며, 이보다 작거나 커도 크랙 발생수가 증가하는 것을 알 수 있다. 그리고 상기 평균 입자 지름은 출발 BaTiO3 원료의 평균 입자 지름에 의해 정해지고, BaTiO3 원료의 입자 지름이 작을수록 c/a가 높은 세라믹 그레인의 평균 입자 지름은 크고, 본 실시예에서는 BaTiO3 원료의 평균 입자 지름이 약 125μm이하였다.
[실시예8, 9 및 비교예5, 6]
내부 전극용 Ni 금속 분말 100중량부에 대한 BaTiO3 분말의 첨가량(중량부)을 표 1에 기재된 양으로 변경한 것 외에는 실시예1과 마찬가지로 하여 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다. 얻어진 적층 세라믹 콘덴서에 대하여, 실시예1과 마찬가지로 하여 평가한 결과를 표 1에 기재한다.
표 1의 기재로부터 알 수 있듯이, Ni 내부 전극 부분에서의 세라믹스가 차지하는 비율이 8∼40%이면 크랙의 발생을 방지할 수 있고, 또한 충분히 높은 겉보기 유전율ε(이 조성의 경우는 3000이상)이 얻어지지만, 이것보다 적으면 크랙 발생수가 증가하고, 이보다 많으면 겉보기 유전율ε이 저하한다. 그리고 세라믹스가 차지하는 비율은 공생지의 첨가량에 의해 정해지고, 상기 실시예에서는 내부 전극용 Ni 금속 분말 100중량부에 대하여 BaTiO3 분말의 첨가량은 7∼30중량부였다.
1: 내부 전극 2: 유전체 세라믹층
3: 내부 전극의 불연속 부분 4: 세라믹 그레인
5: c/a가 높은 세라믹 그레인 11: Ni 내부 전극
12: Ni 내부 전극에 적층 방향으로 개재된 유전체 세라믹스
13: 유전체 세라믹층 사이의 Ni 내부 전극의 불연속 부분에 존재하는 유전체 세라믹스

Claims (4)

  1. 유전체 세라믹스로 이루어지는 복수의 적층된 유전체 세라믹층과, 상기 유전체 세라믹층 사이에 형성된 내부 전극과, 상기 내부 전극에 전기적으로 접속된 외부 전극을 구비한 적층 세라믹 콘덴서로서,
    상기 유전체 세라믹층 사이의 내부 전극의 불연속 부분에는 상기 유전체 세라믹층을 구성하는 세라믹 그레인보다 높은 결정(結晶) 축비(軸比)c/a를 가지는 세라믹 그레인이 상기 불연속 부분에서의 면적 비율로 15% 이상 존재하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불연속 부분에 존재하는 세라믹 그레인의 평균 입자 지름이 0.15∼3.00μm인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부 전극 부분에서의 세라믹스가 차지하는 비율이 8∼40%인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유전체 세라믹스층이 티탄산 바륨계 페로브스카이트 고용체(固溶體)를 주성분으로 하는 유전체 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5462962B1 (ja) * 2013-01-31 2014-04-02 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6312633B2 (ja) 2014-08-01 2018-04-18 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
US9881739B2 (en) * 2014-09-30 2018-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
JP6823976B2 (ja) 2016-09-06 2021-02-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP6823975B2 (ja) 2016-09-06 2021-02-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR102587765B1 (ko) * 2017-08-10 2023-10-12 다이요 유덴 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법
CN111517780B (zh) * 2019-02-01 2023-07-25 三星电机株式会社 介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器
JP2022191911A (ja) * 2021-06-16 2022-12-28 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096010A (ja) 2002-09-03 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP3527899B2 (ja) 2001-06-28 2004-05-17 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその製法
JP2005101301A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Kyocera Corp 積層型電子部品およびその製法
KR20130049295A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4141298B2 (ja) 2003-03-24 2008-08-27 太陽誘電株式会社 ペロブスカイト構造を有する誘電体セラミック粉末の製造方法と、セラミック電子部品の製造方法と、積層セラミックコンデンサの製造方法
JP4587924B2 (ja) * 2005-09-27 2010-11-24 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP4998222B2 (ja) * 2007-11-14 2012-08-15 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP2010010157A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ及び、その製造方法
JP5157799B2 (ja) * 2008-10-02 2013-03-06 住友金属鉱山株式会社 導電性ペースト、並びにこの導電性ペーストを用いた乾燥膜及び積層セラミックコンデンサ
JP5141708B2 (ja) * 2010-03-29 2013-02-13 Ｔｄｋ株式会社 電子部品および電子部品の製造方法
KR101141417B1 (ko) * 2010-11-22 2012-05-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR20120066942A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 삼성전기주식회사 내부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3527899B2 (ja) 2001-06-28 2004-05-17 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその製法
JP2004096010A (ja) 2002-09-03 2004-03-25 Murata Mfg Co Ltd 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP2005101301A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Kyocera Corp 積層型電子部品およびその製法
KR20130049295A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

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