JP2000068110A - サーミスタ用組成物 - Google Patents

サーミスタ用組成物

Info

Publication number
JP2000068110A
JP2000068110A JP10232630A JP23263098A JP2000068110A JP 2000068110 A JP2000068110 A JP 2000068110A JP 10232630 A JP10232630 A JP 10232630A JP 23263098 A JP23263098 A JP 23263098A JP 2000068110 A JP2000068110 A JP 2000068110A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
thermistor
mol
constant
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10232630A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3430023B2 (ja
Inventor
Goro Takeuchi
吾郎 武内
Hirokazu Kobayashi
寛和 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP23263098A priority Critical patent/JP3430023B2/ja
Priority to US09/369,894 priority patent/US6063311A/en
Priority to KR1019990033022A priority patent/KR100315737B1/ko
Publication of JP2000068110A publication Critical patent/JP2000068110A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3430023B2 publication Critical patent/JP3430023B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/016Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on manganites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
    • H01C7/043Oxides or oxidic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3272Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3279Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3281Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】高温高湿使用下におけるも抵抗変化率の小さ
い、熱的強度の強い、しかもB定数が2000〜300
0Kの範囲のマンガン−ニッケル酸化物系のNTCサー
ミスタ組成物を提供すること。 【解決手段】金属元素だけの比率が、マンガン50〜9
0モル%、ニッケル10〜50モル%でその合計が10
0モル%からなる金属酸化物に、酸化コバルト0.01
〜20wt%、酸化銅5〜20wt%、酸化鉄0.01
〜20wt%、酸化ジルコニウム0.01〜5.0wt
%を添加することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はサーミスタ用組成物
に係り、特に温度検知用NTC(Negative T
emperature Coefficient)サー
ミスタ用組成物に関し、そのB定数が2000〜300
0Kであって更に抵抗値の経時変化が小さい高信頼性サ
ーミスタを実現化するためのサーミスタ用組成物に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来の温度検知用NTCサーミスタとし
ては、酸化マンガンを主成分とする酸化物半導体から成
るサーミスタ用組成物として、マンガン、コバルト、ニ
ッケルを含有するものが知られている。
【0003】さらにマンガン、コバルト、ニッケルの酸
化物を主成分とする上記のサーミスタ用組成物の抵抗値
の高温高湿使用下の経時変化率を小さいものにするため
に、ZrO2 、CuO等のうちの一種以上を一定量添加
するものが提案されている(例えば特開平6−2319
05号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところがマンガン、ニ
ッケルの2種の金属元素の酸化物からなるサーミスタ用
組成物や、これらの酸化物にZrO2 、CuO等を添加
したサーミスタ用組成物においては、そのB定数が30
00K以上と大きく、TCXO(温度補償型水晶発振
器)の温度補償用としては適用が困難であった。
【0005】ところで温度補償型の水晶発振器には、温
度補償として低温側用(−30〜25℃)と高温側用
(25〜+85℃)の2個のサーミスタが使用されてい
るのが一般的である。
【0006】しかし、最近の機器の使用環境から低温側
でも発振器の温度による変化を最小とする為にサーミス
タのB定数も特定の範囲のものでないと水晶発振器の温
度補償が十分にできないという問題が有る。
【0007】そのサーミスタのB定数が「2000〜3
000K」が非常に好ましいと言われている。
【0008】また高温高湿使用下の抵抗変化率が大きい
という問題点がある。
【0009】従って本発明の目的は、前記B定数が20
00〜3000Kで、更に、高温高湿の雰囲気での抵抗
値の経時変化が小さい、しかも熱的強度の強い、高信頼
性のサーミスタを実現するためのサーミスタ用組成物を
提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、金属元素だけの比率
がマンガン50〜90モル%、ニッケル10〜50モル
%で、その合計が100モル%からなる酸化物に、 酸化コバルト :0.01〜20wt% 酸化銅 :5〜20wt% 酸化鉄 :0.01〜20wt% 酸化ジルコニウム:0.01〜5.0wt%を添加する
サーミスタ用組成物により、前記問題点を解決すること
を見出した。
【0011】そしてこのサーミスタ用組成物を用いるこ
とにより、そのB定数が2000〜3000Kの範囲と
し、更に高温高湿使用下の抵抗変化率を従来のものに比
較して著しく小さくすることができ、しかも熱的強度の
強いものを提供することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を説明する。
【0013】市販の四三酸化マンガン、酸化ニッケル、
酸化コバルト、酸化銅、酸化鉄、酸化ジルコニウムを、
焼結後の組成が後掲の表1に示す通りの組成比になるよ
うに秤量配合し、ボールミルで16時間湿式混合する。
なおこれらの市販材料は、Fe、Si、Na、K、Ca
等の金属化合物を微量含有している。
【0014】その後、脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用いて
粉体にする。次にこの粉体をアルミナ匣鉢に入れ、80
0〜1200℃で2時間仮焼成する。この仮焼成体をボ
ールミルで微粉砕後、脱水乾燥し、バインダーとしてポ
リビニルアルコール(PVA)を加え、乳鉢、乳棒で顆
粒に造粒した後、直径16mm、厚さ2.5mmの円板
状に加圧成形する。
【0015】次に大気中で600℃2時間加熱し、バイ
ンダーを除脱した後に、大気中で1000〜1400℃
で2時間本焼成して試料を得る。このようにして得られ
た試料の両面に銀ペーストをスクリーン印刷し、850
℃で焼付けを行い、電極を形成する。完成した各試料を
直流4端子法を用いて、25℃の抵抗値(R25)、−
30℃の抵抗値(R−30)を測定し、後述の数式1を
用いて、25℃で比抵抗(ρ25)を算出する。そして
後述の数式2を用いてB定数(B25/−30)を算出
し、後掲の表1に示す結果を得た。
【0016】さらに各試料を100℃の沸騰純水中に入
れ、50時間煮沸後に抵抗値(R25′)を測定し、後
述の数式3を用いて、25℃での初期抵抗値(R25)
との抵抗変化率(ΔR25)を算出し、また350℃の
溶融高温はんだに3秒浸せきさせて熱的強度試験を行
い、後掲の表1〜表3に示す結果を得た。
【0017】
【数1】 ただし ρ25:25℃での比抵抗(Ω・cm) S :電極面積(cm2 ) t :試料の厚み(cm) R25:25℃での抵抗値(Ω)
【0018】
【数2】 ただし B25/−30:B定数(K) R25:25℃での抵抗値(Ω) R−30:−30℃での抵抗値(Ω)
【0019】
【数3】 ただし R25′:煮沸試験後の抵抗値(Ω) R25:煮沸試験前の抵抗値(Ω) ΔR25:煮沸試験後の抵抗変化率(%)
【0020】
【表1】
【0021】
【表2】
【0022】
【表3】 なお、表1〜表3において丸印のついた試料No.2、
3、4、8、11、14、15、18、19、22、2
3、26、27、30、31、34、35が本発明の範
囲内のものであり、×印を付した試料No.1、5、
6、7、9、10、12、13、16、17、20、2
1、24、25、28、29、32、33、36は比較
例のために示した本発明の範囲外の組成比のものであ
る。
【0023】表1より明らかなように、本発明の組成物
は、ρ25が1.5〜637Ω・cm、B25/−30
が2000〜3000Kで実用的であり、しかもサーマ
ルクラックが発生せず熱的強度が強いものである。×印
を付した組成物は、B定数が3000KあるいはΔR2
5が5.0%を超えている。なお本発明の組成物ではΔ
R25が1.4%〜4.9%と非常に小さく安定してい
る。
【0024】次に本発明における数値限定の理由につい
て説明する。
【0025】マンガンの比率が50モル%未満である
と、B定数が3000Kを超え、ΔR25が5%を超え
てしまい、高温高湿下での使用が不適切になる(例えば
表1の試料No.5参照)。またマンガンの比率が90
モル%を超えると、B定数が3000Kを超えるのみな
らずΔR25がやはり5%を超えてしまう(例えば表1
の試料No.1参照)。
【0026】次にニッケルの比率が10モル%未満であ
ると、B定数が3000Kを超え、ΔR25が5%を超
えてしまう(例えば表1の試料No.1参照)。またニ
ッケルの比率が50モル%を超えると、ΔR25がやは
り5%を超えてしまう(例えば表1の試料No.7参
照)。
【0027】添加物の酸化コバルトの添加量が0.01
wt%未満の場合、B定数が3000Kよりも大きくな
る(例えば表1の試料No.13参照)。また酸化コバ
ルトの添加等が20wt%を超えるとΔR25が5%よ
りも大きくなったり(例えば表2の試料No.16参
照)、B定数が3000Kよりも大きくなる(例えば表
1の試料No.28参照)。
【0028】添加物の酸化銅の量が5wt%未満の場
合、B定数が3000Kよりも大きくなる(例えば試料
No.21参照)。また酸化銅の添加量が20wt%を
超えるとΔR25が5%よりも大きくなる(例えば表2
の試料No.24参照)。
【0029】添加物の酸化鉄の量が0.01wt%未満
の場合、ΔR25が5%を超え、かつ前記熱的強度試験
においてサーマルクラックが発生する(例えば試料N
o.17、No.29参照)。また酸化鉄の添加量が2
0wt%を超えると、これまたΔR25が5%よりも大
きくなる(例えば試料No.20、No.32参照)。
【0030】添加物の酸化ジルコニウムの量が0.01
wt%未満の場合、ΔR25が5%を超えてしまう(例
えば試料No.7、No.10参照)。また酸化ジルコ
ニウムの添加量が5.0wt%を超えると、B定数が3
000Kよりも大きくなる(例えば試料No.9、N
o.12参照)。
【0031】なお、ΔR25は、サーミスタ組成物の信
頼性の評価の為の、代用特性で有り、従来から温度補償
型水晶発振器の抵抗変化率は、5%以下が望ましいと言
われている。
【0032】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によればMn
−Ni系酸化物を主成分とする組成物に対し、酸化コバ
ルト、酸化銅、酸化鉄、酸化ジルコニウムを適正量添加
することにより高温高湿使用下の抵抗変化率が非常に小
さい、信頼性の高い、熱的強度の強い、しかもB定数が
2000〜3000Kとすることにより、低温側でも発
振器の温度による変化を最小とすることにより従来使用
できなかった低温側での環境状態で使用可能となるとい
う、実用的な範囲の特性をもつサーミスタ用組成物を得
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G030 AA17 AA25 AA27 AA28 AA29 AA31 BA06 GA14 PA21 5E034 BA09 BB01 BC02 DA03 5G301 CA02 CA14 CA28 CA30 CD07

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属だけの比率が、マンガン50〜90モ
    ル%、ニッケル10〜50モル%でその合計が100モ
    ル%からなる金属酸化物に、 酸化コバルト :0.01〜20wt% 酸化銅 :5〜20wt% 酸化鉄 :0.01〜20wt% 酸化ジルコニウム:0.01〜5.0wt% を添加したことを特徴とするサーミスタ用組成物。
JP23263098A 1998-08-19 1998-08-19 サーミスタ用組成物 Expired - Lifetime JP3430023B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23263098A JP3430023B2 (ja) 1998-08-19 1998-08-19 サーミスタ用組成物
US09/369,894 US6063311A (en) 1998-08-19 1999-08-09 Composition for thermister
KR1019990033022A KR100315737B1 (ko) 1998-08-19 1999-08-12 서미스터용 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23263098A JP3430023B2 (ja) 1998-08-19 1998-08-19 サーミスタ用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000068110A true JP2000068110A (ja) 2000-03-03
JP3430023B2 JP3430023B2 (ja) 2003-07-28

Family

ID=16942333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23263098A Expired - Lifetime JP3430023B2 (ja) 1998-08-19 1998-08-19 サーミスタ用組成物

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6063311A (ja)
JP (1) JP3430023B2 (ja)
KR (1) KR100315737B1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150289A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Tdk Corp サーミスタ用組成物及びサーミスタ素子
WO2008041481A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Porcelaine de thermistance ntc et thermistance ntc l'utilisant
WO2009119681A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 株式会社 村田製作所 Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ
US8115587B2 (en) 2008-03-28 2012-02-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor
CN102586811A (zh) * 2012-03-23 2012-07-18 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心 一种熔盐电解氧化物制取电容器级粉末的阴极块的制备方法
WO2014196486A1 (ja) 2013-06-05 2014-12-11 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2014196488A1 (ja) 2013-06-05 2014-12-11 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2015012414A1 (ja) 2013-07-25 2015-01-29 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2015012413A1 (ja) 2013-07-25 2015-01-29 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
CN104370526A (zh) * 2013-08-15 2015-02-25 中国振华集团云科电子有限公司 一种具有电阻负温度系数铁浆的制备方法
WO2015029914A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2015029915A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
US9754706B2 (en) 2013-06-05 2017-09-05 Mitsubishi Materials Corporation Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor
CN107857575A (zh) * 2017-09-27 2018-03-30 重庆材料研究院有限公司 一种用于寻热式热敏电缆的热敏材料及其制备方法
CN111116173A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 深圳顺络电子股份有限公司 一种低温烧结ntc热敏电阻器陶瓷材料及制备方法
CN112047722A (zh) * 2020-07-21 2020-12-08 深圳顺络电子股份有限公司 一种负温度系数玻封热敏电阻材料及其制备方法和应用

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5510479B2 (ja) * 2012-03-03 2014-06-04 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物
KR101355397B1 (ko) * 2012-05-18 2014-01-28 가우스텍 주식회사 센서소자용 조성물, 이를 포함하는 온도센서 및 이의 제조방법
CN104051094A (zh) * 2014-06-30 2014-09-17 句容市博远电子有限公司 一种添加氧化锶的多元系热敏电阻
CN110698189B (zh) * 2019-11-15 2021-11-02 中国科学院新疆理化技术研究所 一种镧离子掺杂的深低温热敏电阻材料及制备方法
CN111499355B (zh) * 2019-12-16 2022-05-03 南京先正电子股份有限公司 一种ntc热敏电阻

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3202278B2 (ja) * 1991-09-24 2001-08-27 ティーディーケイ株式会社 サーミスタ用組成物
JP3202273B2 (ja) * 1991-09-24 2001-08-27 ティーディーケイ株式会社 サーミスタ用組成物

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150289A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Tdk Corp サーミスタ用組成物及びサーミスタ素子
WO2008041481A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Porcelaine de thermistance ntc et thermistance ntc l'utilisant
JPWO2008041481A1 (ja) * 2006-09-29 2010-02-04 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ磁器とそれを用いたntcサーミスタ
US8258915B2 (en) 2006-09-29 2012-09-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. NTC thermistor ceramic and NTC thermistor using the same
WO2009119681A1 (ja) * 2008-03-28 2009-10-01 株式会社 村田製作所 Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ
US8115587B2 (en) 2008-03-28 2012-02-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor
JP5083639B2 (ja) * 2008-03-28 2012-11-28 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ
CN102586811A (zh) * 2012-03-23 2012-07-18 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心 一种熔盐电解氧化物制取电容器级粉末的阴极块的制备方法
US9842675B2 (en) 2013-06-05 2017-12-12 Mitsubishi Materials Corporation Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor
WO2014196486A1 (ja) 2013-06-05 2014-12-11 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2014196488A1 (ja) 2013-06-05 2014-12-11 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
US9754706B2 (en) 2013-06-05 2017-09-05 Mitsubishi Materials Corporation Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor
KR20160021103A (ko) 2013-06-05 2016-02-24 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서
WO2015012413A1 (ja) 2013-07-25 2015-01-29 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2015012414A1 (ja) 2013-07-25 2015-01-29 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
US10054497B2 (en) 2013-07-25 2018-08-21 Mitsubishi Materials Corporation Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film-type thermistor sensor
CN104370526A (zh) * 2013-08-15 2015-02-25 中国振华集团云科电子有限公司 一种具有电阻负温度系数铁浆的制备方法
WO2015029914A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
WO2015029915A1 (ja) 2013-08-30 2015-03-05 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
KR20160046788A (ko) 2013-08-30 2016-04-29 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서
US10304597B2 (en) 2013-08-30 2019-05-28 Mitsubishi Materials Corporation Metal nitride material for thermistor, method for producing same, and film type thermistor sensor
CN107857575A (zh) * 2017-09-27 2018-03-30 重庆材料研究院有限公司 一种用于寻热式热敏电缆的热敏材料及其制备方法
CN111116173A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 深圳顺络电子股份有限公司 一种低温烧结ntc热敏电阻器陶瓷材料及制备方法
CN112047722A (zh) * 2020-07-21 2020-12-08 深圳顺络电子股份有限公司 一种负温度系数玻封热敏电阻材料及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
US6063311A (en) 2000-05-16
KR20000017261A (ko) 2000-03-25
KR100315737B1 (ko) 2001-12-12
JP3430023B2 (ja) 2003-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3430023B2 (ja) サーミスタ用組成物
EP2966050B1 (en) Semiconductor ceramic composition and ptc thermistor
JP3202273B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP2008205384A (ja) サーミスタ組成物及びサーミスタ素子
JP3650560B2 (ja) チップサーミスタ用組成物
JP3202278B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP3757794B2 (ja) サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタ
JP4850330B2 (ja) サーミスタ組成物およびその製造方法、サーミスタ素子
JP2572312B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP3202275B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP2001328862A (ja) チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物
JP3202276B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP3642184B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP3202274B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP2948933B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP2948934B2 (ja) サ−ミスタ用組成物
JPH0766007A (ja) 高温用サーミスタ
JPH1197217A (ja) 低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造方法
JPH03271154A (ja) サーミスタ用組成物
JP3559405B2 (ja) サーミスタ用組成物
JP4183100B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
US6270693B1 (en) Thermistor composition
KR100335290B1 (ko) 엔티시 써미스타의 조성물 및 제조 방법
SU801117A1 (ru) Резистивный материал
JPH0582310A (ja) サーミスタ用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030430

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080516

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term