Изобретение относитс к электротехнике , в частности к керамическим полупроводниковым материалам и может быть использовано дл изготовлени высокотемпературных термочувствитель ных резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивлени (ТКС) . Известны керамические материалы дл использовани в электронной технике на основе окиси висмута, которые имеют сравнительно низкую температуру обжига 1. Керамика ,, имеет низкую темпе ратуру плавлени Ьпл 817°С, однако Опекаетс очень плохо из-за большой летучести материала и растрескивани образцов. Кроме того, полученный керамический материал обладает высоким удельным объемным сопротивлением и примерно нулевЕлм ТКС в интервале .25БЗ С . Введение в небольших количеств (до 10 мол.%) легкоплавких окислов ванади , сурьмы, свинца или закиси меди оказывает чисто технологическое действие, способству более плотному и полному спеканию, приводит к возникновению высокого положи .тельного ТКС, но в узком интервале температур, причем величина ТКС зависит от режима обжига. Наиболее близок к предлагаемому по технической сущности резистивный материал, содержащий окись висмута и добавку, который достаточно хорошо спекаетс при температуре 740-780®С и обладает высоким положительным ТКС 10-20 %/град в интервале 20100°С 2. Недостатками этого материала вл ютс узкий интервал рабочих температур (20-100 С), что не позвол ет его использовать при высоких температу-pax , высокие значени удельного объемного электрического сопротивлени по всей рабочей области температур (р 10 -ю ОМСм) , что затрудн ет согласование р- зистора с электронными схемами и зависимость величины ТКС от режима обжига при изготовлении. Цель иэобретени -снижение удельного сопротивлени и уменьшение температурного коэффициента сопротивлени . Указанна цель достигаетс тем, что в известном резистивном материале , содержащем окись висмута и добавку, в качестве добавки использована смесь окислов вольфрама, титана и тантала
при следующем соотношении компонентов , вес.%:
Окись висмута 68,1 - 70,0 Вольфрамовый ангидрид 25,3 - 27,0 Двуокись титана 1,7 - 1,9 Танталовый ангидрид 2,8 - 3,0. Пример . Дл .получени 100 г резистивного материала была иэготов тена шихта, состо ща из следующих компонентов, ч: окись висмута 66,96 вольфрамовый ангидрид 26,27; танталовый ангидрид 2,95; двуокись титана 1,85.
В качестве исходных используют компоненты реактивной чистоты, при расчете шихты внос т поправки на содержание основного компонента. После помола и смешивани исходных компонентов полученную шихту в виде порошка подвергают обжигу при 750-800С в течение 4 ч. Затем в шихту добавл ют в качестве св зки водный раствор поливинилового спирта или крахмала и прессуют издели заданной формы и размера. Спрессованные издели помещают в печь и спекают при 870-900 С . в течение 1-2 ч. Скорость подъема температуры и а.хлаждени не более 200-ЗОО С в час. После шлифовки на издели нанос т электроды вжиганием Серебр ной пасты при 700-750С в течение 30 мин,
В таблице приведены основные характеристики полученных резистивных материалов в зависимости от содержани исходных компонентов. Характеристики изучены на образцах в виде дисков диаметром 10 мм и толщиной 1 мм,У