FR2860918A1 - Procede de fabrication d'un substrat de matrice de transistors a couche mince - Google Patents
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Abstract
Un procédé de fabrication d'un transistor à couche mince capable de simplifier une structure de substrat et un procédé de fabrication sont décrits. Le procédé de fabrication d'un substrat de matrice de transistors à couche mince comprend un procédé de masquage en trois étapes, lequel comprend : la formation d'un motif de grille sur un substrat ; la formation d'un film d'isolation de grille sur le substrat ayant le motif de grille dessus ; la formation d'un motif de source/drain et d'un motif de semi-conducteur ; la formation d'un film de passivation pour protéger le transistor à couche mince sur la surface entière du substrat ; la formation d'un motif de résine photosensible sur le film de passivation ; le modelage du film de passivation en utilisant le motif de résine photosensible pour former un motif de film de passivation ; et la formation d'un motif d'électrode transparent s'étendant à partir d'une surface latérale du motif de film de passivation et formé dans une zone excluant le motif de film de passivation.
Description
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE
DE TRANSISTORS À COUCHE MINCE ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de matrice de transistors à couche mince, et plus particulièrement, un procédé de fabrication d'un substrat de matrice de transistors à couche mince capable de réduire l0 le nombre d'opérations de masquage.
DESCRIPTION DE L'ART APPARENTE
En général, un dispositif d'affichage à cristaux liquides représente une image par ajustement d'une transmittance d'un matériau de cristaux liquides en utilisant un champ électrique. À cette fin, le dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend un écran d'affichage à cristaux liquides, dans lequel les cellules de cristaux liquides sont disposées suivant un motif de matrice, et un circuit de commande pour commander l'écran d'affichage à cristaux liquides.
L'écran d'affichage à cristaux liquides comprend un substrat de matrice de transistors à couche mince et un substrat de matrice de filtre coloré placés l'un en face de l'autre, un espaceur placé pour maintenir de manière fixe un espace cellulaire entre deux substrats et un cristal liquide injecté dans l'espace cellulaire.
Le substrat de matrice de transistors à couche mince comprend des lignes de grille et des lignes de données, un transistor à couche mince formé en tant que dispositif de commutation à chaque croisement des lignes de grille et des lignes de données, une électrode de pixel connectée au transistor à couche mince définissant sensiblement une cellule de cristaux liquides, et un film d'alignement appliqué au substrat. Les lignes de grille et les lignes de données reçoivent un signal des circuits de commande par l'intermédiaire de chacune de leurs parties de connexion respec- tives. Le transistor à couche mince, en réponse à un signal de balayage fourni à une ligne de grille, fournit à l'électrode de pixel un signal de tension de pixel appliqué à une ligne de données.
Le substrat de matrice de filtre coloré comprend un filtre coloré formé pour correspondre aux cellules à cristaux liquides, une matrice noire pour refléter la lumière extérieure et séparer les filtres colorés, une électrode commune pour fournir une tension de référence commune aux cellules à cristaux liquides, et le film d'alignement appliqué au substrat.
R.\Brevets\22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 1/25 L'écran d'affichage à cristaux liquides est réalisé en combinant le substrat de matrice de transistors à couche mince et le substrat de matrice de filtre coloré, qui sont fabriqués séparément, en injectant le matériau de cristaux liquides entre les substrats, et en scellant les substrats entre lesquels se trouve le matériau de cristaux liquides.
Dans un tel dispositif d'affichage à cristaux liquides, la fabrication d'un substrat de matrice de transistors à couche mince implique de procéder avec des semi-conducteurs et nécessite une pluralité d'opérations de masquage, ce qui complique le procédé de fabrication. Ceci constitue un facteur majeur dans le coût de fabrication d'un écran d'affichage à cristaux liquides. Afin de résoudre ce problème, un substrat de matrice de transistors à couche mince a été mis au point dans le but de réduire le nombre d'opérations de masquage. Cela s'explique par le fait qu'une opération de masquage comprend une pluralité de sous- opérations telles que le dépôt d'un film fin, le nettoyage, la photolithographie, la gravure, le décapage de la résine photosensible, les opérations de contrôle et similaires. Des efforts de développement récents ont abouti à un procédé de masquage en quatre étapes qui a éliminé une opération de masquage d'un procédé standard déjà existant en cinq étapes.
La figure 1 est une vue de dessus illustrant un substrat de matrice de transistors à couche mince adoptant un procédé de masquage en quatre étapes de l'art apparenté, et la figure 2 est une vue en coupe illustrant le substrat de matrice de transistors à couche mince le long de la ligne I-I' sur la figure 1.
Le substrat de matrice de transistors à couche mince, représenté sur la figure 1 et la figure 2, comprend des lignes de grille 2 et des lignes de données 4 qui se croisent l'une l'autre et ayant un film d'isolation de grille entre elles sur un substrat inférieur 42, un transistor à couche mince 6 formé à chaque croisement, et une électrode de pixel 18 formée dans la zone de cellules sensiblement définie par le croisement des lignes de grille 2 et des lignes de données 4. En outre, le substrat de matrice de transistors à couche mince comprend un condensateur de stockage 20 formé au niveau d'une partie recouverte de l'électrode de pixel 18, une ligne de grille de niveau antérieur 2, une partie de connexion de grille 26 connectée à la ligne de grille 2, et une partie de connexion de données 34 connectée à la ligne de données 4.
Le transistor à couche mince 6 comprend une électrode de grille 8 connectée à la ligne de grille 2, une électrode source 10 connectée à la ligne de données 4, une électrode de drain 12 connectée à une électrode de pixel 18 et à une couche active 14 d'un motif de semi-conducteur 47, qui définit un canal entre l'électrode source 10 et l'électrode de drain 12, et qui recouvre l'électrode de grille 8. En référence à la figure 2, la couche active 14 recouvre à l'aide d'une électrode de connexion de données inférieure 36, une électrode de stockage 22, la ligne de données 4, R:\Brevets\ 22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 2/25 l'électrode source 10 et l'électrode de drain 12, et comprend en outre une partie formant canal définie entre l'électrode source 10 et l'électrode de drain 12. De plus, formées sur la couche active 14, se trouvent l'électrode de connexion de données inférieure 36, l'électrode de stockage 22, la ligne de données 4, l'électrode source 10, l'électrode de drain 12, et une couche de contact ohmique 48 du motif de semi-conducteur 47 pour créer un contact ohmique. Le transistor à couche mince 6 répond au signal de grille fourni à la ligne de grille 2 et applique un signal de tension de pixel fourni à la ligne de données 4 à l'électrode de pixel 18.
L'électrode de pixel 18 est connectée en général à l'électrode de drain 12 du transistor à couche mince 6 via un premier trou de contact 16 qui passe à travers un film de passivation 50. L'électrode de pixel 18 génère une différence de potentiel avec l'électrode commune formée sur le substrat supérieur (non représentée) lorsqu'une tension de pixel est appliquée à l'électrode. Grâce à cette différence de potentiel, les molécules de cristal liquide situées entre le substrat de matrice de transistors à couche mince et le substrat supérieur tournent sous l'effet de l'anisotropie diélectrique des molécules, et font se transmettre une lumière incidente à travers l'électrode de pixel 18 à partir de la lumière source (non représentée) au substrat supérieur.
Le condensateur de stockage 20 comprend une ligne de grille de niveau antérieur 2; une électrode de stockage 22 recouvrant la ligne de grille de niveau antérieur 2 ayant un film d'isolation de grille 44; la couche active 14 et la couche de contact ohmique 48 entre la couche active 14 et l'électrode de stockage 22. L'électrode de pixel 18, qui se connecte à l'électrode de stockage 22 à travers un trou de contact 24, est formée sur le film de passivation 50 et recouvre l'électrode de stockage 22. Le condensateur de stockage 20 maintient sensiblement la tension de pixel appliquée à l'électrode de pixel IP jusqu'à ce qu'une nouvelle tension de pixel soit appliquée.
La ligne de grille 2 est connectée à une commande de grille (non représentée) à travers la partie de connexion de grille 26. La partie de connexion de grille 26 comprend une électrode de connexion de grille inférieure 28 s'étendant à partir de la ligne de grille 2 et une électrode de connexion de grille supérieure 32 connectée à l'électrode de connexion de grille inférieure 28 via un troisième trou de contact 30 passant à la fois à travers le film d'isolation de grille 44 et le film de passivation 50.
La ligne de données 4 est connectée à la commande de ligne (non représentée) à travers la partie de connexion de données 34. La partie de connexion de données 34 comprend l'électrode de connexion de données inférieure 36 s'étendant à partir de la ligne de données 4 et une électrode de connexion de données supérieure 40 R:\Brevets\22900\22993. doc - 8 octobre 2004 - 3/25 connectée à l'électrode de connexion de données 36 via un quatrième trou de contact 38 passant à travers le film de passivation 50.
Le substrat de transistors à couche mince ayant la configuration mentionnée ci-dessus est formé grâce à l'utilisation d'un procédé de masquage en quatre étapes, 5 conformément à l'art apparenté.
Les figures 3A à 3D sont des vues en coupe illustrant séquentiellement un procédé de fabrication du substrat de transistors à couche mince.
En référence à la figure 3A, des motifs de grille sont formés sur le substrat inférieur 42.
Sur le substrat inférieur 42, une couche métallique de grille est formée par un procédé de dépôt tel qu'un procédé de pulvérisation. Ensuite, la couche métallique de grille est alors modelée par photolithographie et une opération de gravure utilisant un premier masque pour former ainsi les motifs de grille comprenant la ligne de grille 2, l'électrode de grille 8 et l'électrode de connexion de grille inférieure 28. Un métal de grille, qui peut comprendre du chrome (Cr), du molybdène (Mo), de l'aluminium (Al) et similaires, est utilisé sous la forme d'une structure à couche unique ou d'une structure à double couche.
En référence à la figure 3B, le film d'isolation de grille 44, la couche active 14, la couche de contact ohmique 48 et les motifs de source/drain sont formés 20 séquentiellement sur le substrat inférieur 42 pourvu du motif de grille.
Le film d'isolation de grille 44, une couche de silicium amorphe, une couche de silicium amorphe n+ et une couche de source/drain métallique sont formés séquentiellement sur le substrat inférieur 42 sur lequel se trouvent les motifs de grille, par une technique de dépôt telle que le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) ou la pulvérisation.
Un motif de résine photosensible est formé sur la couche de source/drain métallique par un procédé de photolithographie utilisant un second masque. Dans ce cas, un masque d'exposition par diffraction ayant une partie d'exposition par diffraction à une partie formant canal du transistor à couche mince est utilisé en tant que second masque, permettant ainsi à un motif de résine photosensible de la partie formant canal d'avoir une hauteur inférieure à celle des autres motifs de source/drain.
Ensuite, la couche de source/drain métallique est alors modelée par un procédé de gravure humide en utilisant le motif de résine photosensible pour former ainsi les motifs source/drain comprenant la ligne de données 4, l'électrode source 10, l'électrode de drain 12 étant intégrée à l'électrode source 10 et à l'électrode de stockage 22.
Ensuite, la couche de silicium amorphe et la couche de silicium amorphe n+ sont modelées en même temps par un procédé de gravure sèche qui utilise le même R:\Brevets\22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 4/25 motif de résine photosensible pour ainsi former le motif semi-conducteur 47 comprenant la couche de contact ohmique 48 et la couche active 14.
Le motif de résine photosensible ayant une hauteur relativement peu élevée est éliminé de la partie formant canal par une opération de calcination, puis le motif source/drain et la couche de contact ohmique 48 de la partie formant canal sont gravés par un procédé de gravure sèche. Par conséquent, la couche active 14 de la partie de canal est exposée pour séparer l'électrode source 10 de l'électrode de drain 12.
Ensuite, un résidu du motif de résine photosensible restant sur le motif 10 source/drain est éliminé en utilisant une opération de décapage.
Le film d'isolation de grille 44 est constitué d'un matériau d'isolation inorganique, tel que de l'oxyde de silicium (SiOX) ou du nitrure de silicium (SiNX). Un métal pour le motif source/drain comprend du molybdène (Mo), du titane (Ti), du tantale (Ta) ou un alliage de molybdène.
En référence à la figure 3C, le film de passivation 50 comprend les quatre premiers trous de contact 16, 24, 30 et 38, qui sont formés sur le film d'isolation de grille 44 comportant les motifs source/drain.
Le film de passivation 50 est entièrement formé sur le film d'isolation de grille 44 comportant les motifs source/drain par un procédé de dépôt tel qu'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Le film de passivation 50 est modelé par photolithographie et un procédé de gravure utilisant un troisième masque pour former ainsi les quatre premiers trous de contact 16, 24, 30 et 38. Le premier trou de contact 16 est formé de façon à passer à travers le film de passivation 50 et à exposer l'électrode de drain 12, alors que le second trou de contact 24 est formé de façon à passer à travers le film de passivation 50 et à exposer l'électrode de stockage 22. Le troisième trou de contact 30 est formé de façon à passer à travers le film de passivation 50 et le film d'isolation de grille 44 et à exposer l'électrode de connexion de grille inférieure 28, alors que le quatrième trou de contact 38 est formé de façon à passer à travers le film de passivation 50 et à exposer l'électrode de connexion de grille inférieure 36.
Le film de passivation 50 est généralement fait d'un matériau d'isolation inorganique comme un matériau du film d'isolation de grille 44 ou un matériau d'isolation organique ayant une petite constante diélectrique comme un composé organique acrylique, BCB (benzocyclobutène), ou PFCB (perfluorocyclobutane).
En référence à la figure 3D, les motifs d'électrode transparents sont formés sur le film de passivation 50. Plus précisément, un matériau d'électrode transparent est entièrement déposé sur le film de passivation 50 par une technique de dépôt telle que la pulvérisation et similaire. Ensuite, le matériau d'électrode transparent est modelé R:\Brevets\ 22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 5/25 par un procédé de photolithographie et de gravure en utilisant un quatrième masque, pour ainsi fournir les motifs d'électrode transparents comprenant l'électrode de pixel 18, l'électrode de connexion de grille supérieure 32, et l'électrode de connexion de données supérieure 40. L'électrode de pixel 18 est connectée électriquement via le premier trou de contact 16, à l'électrode de drain 12 et est connectée électriquement, via le second trou de contact 24, à l'électrode de stockage 22 recouvrant une ligne de grille de niveau antérieur 2. L'électrode de connexion de grille supérieure 32 est connectée électriquement, via le troisième trou de contact 30, à l'électrode de connexion de grille inférieure 28. L'électrode de connexion de données supérieure 40 est connectée électriquement, via le quatrième trou de contact 38 à l'électrode de connexion de données inférieure 36. Le matériau d'électrode transparent peut être fait d'oxyde d'indium et d'étain (ITO), d'oxyde d'étain (TO) ou d'oxyde d'indium et de zinc (IZO).
Comme décrit ci-dessus, le substrat de matrice de transistors à couche mince de l'art apparenté et le procédé de fabrication de celui-ci adopte un procédé de masquage en quatre étapes, réduisant ainsi le nombre d'opérations de fabrication comparé au procédé de masquage en cinq étapes et réduisant ainsi les coûts de fabrication en conséquence. Cependant, comme le procédé de masquage en quatre étapes a encore un procédé de fabrication complexe et une limite dans la réduction des coûts de fabrication, il y a besoin d'une approche qui soit capable de simplifier davantage le procédé de fabrication et de réduire davantage les coûts de fabrication.
Claims (28)
1. Un procédé de fabrication d'une matrice de transistors à couche mince comprenant: la formation d'un motif de grille sur un substrat; la formation d'un film d'isolation de grille sur le substrat; la formation d'un motif de source/drain et d'un motif de semi-conducteur sur le substrat; la formation d'un film de passivation sur le substrat; la formation d'un motif de résine photosensible sur le film de passivation; le modelage du film de passivation en utilisant le motif de résine photosensible pour former un motif de film de passivation, le modelage du film de passivation comprenant la surgravure du film de passivation; la formation d'un film d'électrode transparent sur le substrat; l'élimination du motif de résine photosensible et du film d'électrode transparent disposés sur le motif de résine photosensible; et la formation d'un motif d'électrode transparent.
2. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif 20 de film de passivation comprend la formation du motif de film de passivation ayant une largeur de ligne plus étroite que celle du motif de résine photosensible.
3. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend le modelage du film de passivation en utilisant un 25 gaz décapant dans lequel la proportion de l'hexafluorure de soufre SF6 est plus élevée que celle de l'oxygène 02.
4. Le procédé selon la revendication 3, dans lequel le rapport de l'hexafluorure de soufre SF6 sur l'oxygène 02 est d'environ de 3 à 1 (3:1) à environ 30 de 10 à 1 (10:1).
5. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend la gravure du film de passivation sous une pression d'environ 300 mtorr à 400 mtorr pour former le motif de passivation.
6. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend: R.\Brevets\22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 20/25 le modelage du film de passivation en utilisant de l'hexafluorure de soufre SF6, en utilisant le motif de résine photosensible comme masque; et le modelage du film d'isolation de grille en utilisant un mélange de gaz comprenant de l'hexafluorure de soufre SF6 et de l'oxygène 02.
7. Le procédé selon la revendication 6, dans lequel le mélange de gaz comprend de l'hexafluorure de soufre SF6 et de l'oxygène 02 avec un rapport de mélange d'environ 1 à 3 (1:3).
Io
8. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend le modelage du film de passivation et du film d'isolation de grille en utilisant de l'hexafluorure de soufre SF6 et en utilisant le motif de résine photosensible comme masque.
9. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de grille comprend: la formation d'une électrode de grille d'un transistor à couche mince; la formation d'une ligne de grille connectée à l'électrode de grille; et la formation d'une électrode de connexion de grille inférieure connectée à la ligne de grille, sur le substrat.
10. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel le motif d'électrode transparent comprend une électrode de pixel connectée au transistor à couche mince, une électrode de connexion de grille supérieure connectée à l'électrode de connexion de grille inférieure, et une électrode de connexion de données supérieure électriquement connectée à la ligne de données du motif de source/drain.
11. Le procédé selon la revendication 9, comprenant en outre: la formation d'une ligne de grille supplémentaire; et la formation d'une électrode de stockage recouvrant l'autre ligne de grille, dans laquelle une partie du motif de semi-conducteur est disposée entre l'autre ligne de grille et l'électrode de stockage, formant ainsi sensiblement un condensateur de stockage.
12. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de source/drain comprend: la formation d'une électrode source du transistor à couche mince; la formation d'une électrode de drain du transistor à couche mince; et R:\Brevets\22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 21/25 la formation d'une ligne de données connectée à l'électrode source.
13. Le procédé selon la revendication 12, dans lequel l'électrode de drain et l'électrode de stockage se connectent avec une électrode de pixel, et dans lequel 5 l'électrode de drain et l'électrode de stockage sont partiellement exposées par le motif de film de passivation.
14. Le procédé selon la revendication 12, comprenant en outre la formation d'une électrode de connexion de données inférieure et une électrode de connexion de données supérieure, l'électrode de connexion de données inférieure étant formée avec un matériau sensiblement similaire à celui de la ligne de données avec de la ligne de données, et s'étendant à partir de la ligne de données pour se connecter à l'électrode de connexion de données supérieure.
15. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du motif de semi-conducteur comprend la formation du motif de semi- conducteur au-dessous du motif de source/drain le long du motif de source/drain.
16. Le procédé selon la revendication 1, dans lequel l'élimination du motif de résine photosensible comprend l'élimination du motif de résine photosensible et du matériau d'électrode transparent sur le motif de résine photosensible en utilisant un procédé de décapage pour former le motif d'électrode transparent.
17. Le procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la formation d'une électrode de connexion de données inférieure et d'une électrode de connexion de données supérieure, l'électrode de connexion de données inférieure étant connectée à la ligne de données via l'électrode de connexion de données supérieure, et formée avec un matériau sensiblement similaire à celui du motif de grille dans le même plan et avec le motif de grille.
18. Un procédé de fabrication d'un substrat de matrice de transistors à couche mince comprenant: la formation d'un transistor à couche mince sur un substrat; la formation d'un film de passivation sur le substrat; la formation d'un motif de résine photosensible sur le film de passivation; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 22/25 le modelage du film de passivation en utilisant le motif de résine photosensible pour former un motif de film de passivation, le modelage comprenant la surgravure du film de passivation; et la formation d'une électrode de pixel s'étendant à partir d'une surface latérale 5 du motif de film de passivation et formée sur une zone sensiblement exclusive du motif de film de passivation.
19. Le procédé selon la revendication 18, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend la formation du motif de film de passivation l0 ayant une largeur de ligne plus étroite que celle du motif de résine photosensible.
20. Le procédé selon la revendication 18, dans lequel la formation de l'électrode de pixel comprend: la formation d'un matériau d'électrode transparent sur le substrat ayant un résidu du motif de film de passivation et du motif de résine photosensible laissé dessus; et l'élimination du motif de résine photosensible et du matériau d'électrode transparent sur le motif de résine photosensible en utilisant un procédé de décapage.
21. Un procédé de fabrication d'un substrat de matrice de transistors à couche mince comprenant: la formation d'un motif de grille sur un substrat; la formation d'un film d'isolation de grille sur le substrat; la formation d'un motif de source/drain et d'un motif de semi-conducteur sur le 25 substrat; la formation d'un film de passivation sur le substrat; la formation d'un motif de résine photosensible sur le film de passivation; le modelage du film de passivation en utilisant le motif de résine photosensible pour former un motif de film de passivation, le motif de film de passivation ayant une largeur de ligne plus étroite qu'une largeur de ligne du motif de résine photosensible; et la formation d'un motif d'électrode transparent sur le substrat.
22. Le procédé selon la revendication 21, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend le modelage du film de passivation en utilisant un gaz de gravure dans lequel la proportion de l'hexafluorure de soufre SF6 est plus élevée que la proportion de l'oxygène 02.
\\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\22900\22993.doc - 8 octobre 2004 - 23/25
23. Le procédé selon la revendication 22, dans lequel le rapport de l'hexafluorure de soufre SF6 sur l'oxygène 02 est approximativement de 3 à 1 (3:1) et de 10 à1(10:1).
24. Le procédé selon la revendication 21, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend la gravure du film de passivation sous une pression d'environ 300 mtorr à 400 mtorr.
25. Le procédé selon la revendication 21, dans lequel la formation du 1 o motif de film de passivation comprend: le modelage du film de passivation en utilisant de l'hexafluorure de soufre SF6 et l'utilisation du motif de résine photosensible comme masque; et le modelage du film d'isolation de grille en utilisant un mélange de gaz comprenant de l'hexafluorure de soufre SF6 et de l'oxygène 02.
26. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel le mélange de gaz a un rapport de mélange de l'hexafluorure de soufre SF6 sur l'oxygène 02 d'environ de 1 à 3 (1:3).
27. Le procédé selon la revendication 21, dans lequel la formation du motif de film de passivation comprend l'utilisation d'hexafluorure de soufre SF6 et l'utilisation du motif de résine photosensible comme masque.
28. Le procédé selon la revendication 21, dans lequel la formation d'un motif d'électrode transparent comprend: la formation d'un matériau d'électrode transparent sur le substrat ayant un résidu du motif de film de passivation et du motif de résine photosensible laissé dessus; et l'élimination du motif de résine photosensible et du matériau d'électrode 30 transparent disposés sur le motif de résine photosensible en utilisant un procédé de décapage.
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