ES2292846T3 - Sustrato transparente provisto de un electrodo. - Google Patents

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Abstract

Sustrato vítreo (1) dotado de un electrodo que comprende al menos una capa transparente conductora (3) a base de óxido(s) metálico(s), caracterizado porque dicha capa presenta una rugosidad RMS de al menos 3 nm, en particular de al menos 5 nm y/o un tamaño medio de los motivos de esta rugosidad de al menos 50 nm, estando dicha capa dispuesta directamente o no sobre una cara (A) de dicho sustrato, presentando dicha cara (A) de por sí una rugosidad R.M.S de al menos 100 nm, siendo la rugosidad de la cara A del sustrato vítreo (1) no uniforme/aleatoria de manera que se obtiene una superficie Lambertiana.

Description

Sustrato transparente provisto de un electrodo.
La invención se refiere a un sustrato transparente, en particular de vidrio, que está dotado de un electrodo. Ese sustrato conductor está más particularmente destinado a formar parte de células solares. Se trata en particular de utilizarlo como ``cara anterior de célula solar, es decir, la que se va a encontrar directamente expuesta a las radiaciones solares a convertir en electricidad.
La invención se interesa en particular por células solares del tipo Si o CiS. Se recuerda de ellas brevemente la estructura:
Se comercializa generalmente ese tipo de producto en forma de células solares montadas en serie y dispuestas entre dos sustratos rígidos transparentes de tipo vítreo. Las células se mantienen entre los sustratos por un material polímero (o varios). Según un modo de realización de la invención que se describe en la patente EP-739 042, las células solares se pueden colocar entre los dos sustratos, después el espacio cóncavo entre los sustratos se rellena con un polímero colado apto para endurecer, muy particularmente a base de poliuretano resultante de la reacción de un pre-polímero de isocianato alifático y de un poliéter-poliol. El endurecimiento del polímero se puede realizar en caliente (30 a 50ºC) y eventualmente a sobrepresión ligera, por ejemplo en un autoclave. Se pueden utilizar otros polímeros, como acetato de etilenvinilo EVA, y son posibles otros montajes (por ejemplo con un hojaldrado entre los dos vidrios de las células con ayuda de una o varias láminas de polímero termoplástico).
Es el conjunto de los sustratos, del polímero y de las células solares lo que se designa y se vende con el nombre de "módulo solar".
Por tanto la invención tiene también como objetivo dichos módulos.
Aunque se sabe que los módulos solares no se venden por metros cuadrados, sino por la potencia eléctrica liberada (aproximadamente se puede calcular que un metro cuadrado de célula solar puede suministrar alrededor de 130 Watt), cada tanto por ciento de rendimiento suplementario aumenta el rendimiento óptimo eléctrico, y por tanto el precio, de un módulo solar de dimensiones dadas.
La invención tiene entonces como objetivo investigar medios para mejorar el rendimiento de conversión fotoeléctrica de esos módulos, medios que se refieren más específicamente a los vidrios "anteriores" dotados de electrodos mencionados anteriormente. Convenientemente se investigarán los medios simples a utilizar a escala industrial, sin perturbar las estructuras y configuraciones conocidas para ese tipo de producto.
La invención tiene ciertamente como objetivo un sustrato vítreo tal como se ha definido en la reivindicación 1, dotado de un electrodo que comprende al menos una capa transparente conductora a base de óxido(s) metálico(s), dicha capa presenta una rugosidad RMS de al menos 3 nm. Preferentemente es de al menos 5 nm, y en particular a lo sumo 30 nm. Una gama de rugosidad preferida se sitúa en los alrededores de 5 a 15 nm.
Ese tipo de capa conductora se conoce con la abreviatura inglesa T.C.O. por "Oxido Conductor Transparente". Se utiliza mucho en el dominio de las células solares y de la electrónica.
La rugosidad R.M.S significa rugosidad "Media Cuadrática". Se trata de una medida consistente en medir el valor de la desviación cuadrática media de la rugosidad. Esta rugosidad R.M.S, concretamente, cuantifica por tanto en promedio la altura de los picos y huecos de rugosidad con relación a la altura media. Así, una rugosidad R.M.S de 3 nm significa una amplitud de pico doble.
Se puede medir de diferentes maneras: por ejemplo, por microscopía de fuerza atómica, por un sistema mecánico de punta (utilizando por ejemplo los instrumentos de medida comercializados por la sociedad VEECO bajo la denominación DEKTAK), por interferometría óptica. La medida se hace generalmente sobre un micrómetro cuadrado por microscopía de fuerza atómica, y sobre una superficie más importante, del orden de 50 micrómetros a 2 milímetros, para los sistemas mecánicos de punta.
Rugosidades RMS de al menos 3 o 5 nm corresponden a valores relativamente elevados. La capa conductora de acuerdo con la invención tiene una naturaleza química conocida, es de tipo óxido metálico dopado. Por el contrario, tiene la especificidad de ser muy rugosa. Preferentemente esta rugosidad es aleatoria, en el sentido de que no presenta motivos de una geometría precisa. Además, está dispersa, según el tamaño de la superficie medida.
Alternativamente o acumuladamente, la rugosidad de esta capa conductora se puede elegir también de manera que el tamaño medio de los motivos de esta rugosidad sea de al menos 50 nm, medida hecha en la dimensión paralela a la superficie del sustrato. Convenientemente se elige de al menos 100 nm, y preferentemente de a lo sumo 500 nm. Se da preferencia a un tamaño medio de motivos comprendidos entre 200 y 400 nm. Este tamaño medio se puede evaluar, en particular, por microscopía electrónica de barrido. Cuando la rugosidad de la capa se presenta en forma de picos (de forma irregular), que es el caso de las capas cristalizadas que presentan un crecimiento en columna, este tamaño medio corresponde por tanto al tamaño (la dimensión mayor) de la base de esos picos.
Esta rugosidad particular (rugosidad R.M.S y/o tamaño de motivos) se presenta muy eficaz. Permite en realidad, en las interfases entre la capa y los materiales que la enmarcan, una difusión mayor de la luz incidente, que "obliga" a ésta a tener una trayectoria mucho más larga a través de la célula solar.
Alargando así el trayecto óptico se multiplican las posibilidades de absorción de la luz por los elementos activos de la célula, y al final se aumenta el porcentaje de conversión fotoeléctrica de la célula solar. Así se atrapa mejor la luz.
La rugosidad definida anteriormente se puede obtener de modo viable a escala industrial por varios medios alternativos o acumulativos.
Por supuesto se puede depositar la capa, grabarla después por ejemplo por grabado químico o por enarenado. También se puede depositarla directamente de manera rugosa, lo que es más conveniente bajo el punto de vista industrial porque ello evita una etapa de tratamiento suplementario, discontinuo, en medio de una sucesión de etapas de depósito de las diferentes capas constitutivas de la célula solar.
Se puede, en los dos casos de figura, depositar la capa por diferentes técnicas. Se puede depositarla por ejemplo por una técnica de pirolisis, en particular en fase gaseosa (técnica frecuentemente designada por la abreviatura inglesa de C.V.D, por "Depósito Químico en fase de Vapor"). Esta técnica es interesante para la invención porque regulaciones apropiadas de los parámetros de depósito permiten obtener una cierta rugosidad.
También se puede depositar la capa por una técnica de depósito a vacío, en particular por pulverización catódica asistida por campo magnético. La pulverización puede ser reactiva (partiendo de blancos metálicos o suboxidados, en atmósfera oxidante) o no reactiva (partiendo de blancos cerámicos, en atmósfera inerte).
Además, modificaciones en los parámetros de depósitos pueden permitir obtener una cierta porosidad y/o rugosidad. Se puede ajustar también de manera apropiada la presión dominante en la cámara de depósito: una presión relativamente elevada permite generalmente obtener capas bastante porosas y rugosas en superficie. Una posibilidad consiste en modular ese parámetro durante el depósito para que eventualmente la capa sea relativamente densa sobre un cierto espesor, y además más porosa/rugosa en superficie.
De acuerdo con la invención, y se volverá a ello con detalle posteriormente, se deposita la capa conductora sobre una superficie de por sí rugosa, en particular sobre un vidrio que presenta de por sí una cierta rugosidad, lo que puede provocar o amplificar su rugosidad.
La capa conductora presenta preferentemente un espesor de como máximo 1000 ó 700 ó 650 nm. Su espesor es particularmente al menos 400 nm, y por ejemplo comprendido entre 400 y 800 nm.
La capa conductora se puede elegir convenientemente de los materiales siguientes: óxido de estaño dopado, particularmente de flúor o de antimonio (los precursores utilizables en caso de depósito por CVD pueden ser organometálicos o haluros de estaño asociados con un precursor de flúor del tipo ácido fluorhídrico o ácido trifluoroacético), óxido de cinc dopado, particularmente de aluminio (los precursores utilizables, en caso de depósito por CVD, pueden ser organometálicos o haluros de cinc y de aluminio), o también óxido de indio dopado, particularmente de estaño (los precursores utilizables en caso de depósito por CVD pueden ser organometálicos o haluros de estaño y de indio).
De acuerdo con una variante, se puede utilizar como barrera a las especies susceptibles de difundirse del vidrio, en particular los alcalinos, muy particularmente en caso de tratamiento térmico simultáneo o posterior al depósito de la capa conductora. Su papel puede también ser óptico: disminuyendo el nivel de reflexión luminosa del sustrato permite aumentar la transmisión luminosa a través de la capa.
Puede tratarse de una capa a base de óxido, de oxicarburo, de oxinitruro o de nitruro de silicio. Se puede depositarla por el mismo tipo de técnica que la capa conductora, por ejemplo por pirolisis (CVD) o por pulverización catódica, de manera conocida.
Se puede también depositarla de manera que presente también una cierta rugosidad.
Convenientemente la capa conductora presenta una resistencia por cuadrado de a lo sumo 30 ohmios/cuadrado, particularmente a lo sumo 20 ohmios/cuadrado, preferentemente a lo sumo 10 ó 15 ohmios/cuadrado. Está comprendida generalmente entre 5 y 12 ohmios/cuadrado.
Como se ha mencionado anteriormente, de acuerdo con la invención la cara A del sustrato vítreo sobre la que se ha dispuesto directa o indirectamente (por mediación de otra(s) capa(s) como las capas barrera pre-mencionadas) la capa conductora presenta de por sí una rugosidad particular.
La rugosidad R.M.S de esta cara A puede variar de 100 nm a 5000 nm y es convenientemente de 100 a 2000 nm y de una manera preferible de al menos 500 ó 1000 nm, para obtener una superficie llamada Lambertiana en la literatura. Esta rugosidad R.M.S tiene el mismo significado y se puede medir de la misma manera que la de la capa conductora descrita anteriormente. Alternativa o acumuladamente, la rugosidad de esta cara A es tal que el tamaño medio de los motivos, medido según una dimensión paralela a la superficie del sustrato, sea de al menos 5 micrómetros. Convenientemente está comprendido entre 5 y 100 micrómetros, en particular entre 10 y 50 micrómetros.
Esta rugosidad no es uniforme, es aleatoria. No hay motivos regulares en la superficie del vidrio, sino tamaños variables de protuberancia y/o de hueco en la superficie del vidrio, repartido(s) al azar sobre la totalidad de dicha superficie. Convenientemente esta rugosidad va a permitir una difusión importante de la luz transmitida por el sustrato y mayoritariamente "hacia adelante", es decir, de manera que se haga difundir la luz, pero mayoritariamente hacia el interior de la célula solar.
El objetivo es además "atrapar" del mejor modo los rayos solares incidentes, y ello de diferentes maneras.
Se crea una interfase difusa entre el vidrio y el material que le es contiguo, y esta rugosidad, al menos en parte, va a repercutir sobre las capas que van a depositarse sucesivamente sobre esta superficie rugosa: la capa tiende a adaptarse a la rugosidad del sustrato sobre el cual está depositada.
En un modo de realización preferido de la invención, la rugosidad del sustrato es muy superior a la que puede tener la capa misma: la capa, depositada sobre una superficie rugosa, presenta así una rugosidad de dos órdenes.
Creando una superficie rugosa se puede crear así, en cascada, otras interfases difusoras sucesivas, cada una de las capas siguientes se adaptan más o menos a esta rugosidad. Combinar un sustrato vítreo rugoso esmerilado con una capa conductora que puede, ella también, tener una rugosidad intrínseca o provocada, permite aumentar muy significativamente la parte de difusión en la luz transmitida al interior de la célula. Se tiene entonces una ganancia de rendimiento de conversión netamente mejorado, viniendo a añadirse las rugosidades de los diferentes materiales, a combinarse de manera muy interesante.
El "atrapamiento" de la luz se puede mejorar así porque la estructura irregular en superficie de la capa conductora crea esta difusión hacia adelante (en asociación con la diferencia de índice de refracción que existe entre la capa conductora y la capa siguiente a base de silicio), y/o porque la superficie irregular eventual del vidrio crea también una difusión hacia adelante (en asociación con la diferencia de índice de refracción que existe también entre el vidrio y la capa conductora).
La rugosidad de la cara A del sustrato vítreo se puede obtener por diferentes tipos de grabado, por ejemplo por enarenado o por grabado químico. En este último caso puede por ejemplo tratarse de una operación de esmerilado con ayuda de una disolución que comprende sosa y ácido fluorhídrico, o ácido fluorhídrico solo. Generalmente se obtiene un aspecto de superficie que recuerda una sucesión de "cráteres" ensamblados o no, con ese tipo de esmerilado con ácido. Ese esmerilado se puede hacer en varias etapas, poniendo en contactos sucesivos la cara a tratar por disoluciones diferentes. Para un esmerilado poco acentuado se puede utilizar una disolución de ácido fluorhídrico solo. La concentración de los elementos activos de la disolución y/o el tiempo de inmersión del y/o el número de etapas durante el grabado permiten regular el tamaño y la profundidad de los "agujeros" creados en la superficie del vidrio. Convenientemente el sustrato vítreo "rugoso" al menos sobre esta cara presenta una transmisión luminosa global de al menos 70 ó 75%, en particular de alrededor de 80% de acuerdo con l'Illuminant D65. La parte de transmisión difusa puede ser de al menos 40 a 45%, en particular alrededor de 50%.
Convenientemente aun, la capa conductora está mayoritariamente cristalizada, particularmente con un tamaño medio de cristalitos comprendido entre 5 y 200 nm, principalmente entre 50 y 150 nm.
Según una variante, acumulativa o alternativa con la precedente, se puede elegir la cara B del sustrato vítreo (la que es opuesta a la cara A citada anteriormente) de manera que presente una cierta rugosidad también. Esta rugosidad puede ser aleatoria, no uniforme, similar a la rugosidad de la cara A descrita anteriormente. Pero también se puede elegirla regular, puede presentar motivos de tipo regular: se está entonces en presencia de una superficie llamada texturada. Se comprende por texturación una pluralidad de motivos geométricos en relieve, cóncavos o convexos con relación al plano general de la cara texturada del sustrato.
Se puede definir de la manera siguiente un tipo de texturación interesante: el sustrato está texturado sobre al menos una de sus caras por una pluralidad de motivos geométricos en relieve con relación al plano general de dicha cara, estando la cara texturada colocada en el lado de recepción de la luz, comprendiendo la superficie de cada uno de dichos motivos al menos dos puntos tales que existen dos planos secantes entre ellos que contienen, cada uno, uno de los dos puntos referidos y reuniendo las dos condiciones siguientes:
-
esos planos son todos perpendiculares al plano general de la cara texturada de la placa, y
-
esos planos contienen cada uno una de las dos rectas perpendiculares a dicha superficie y que pasan por uno de los dos puntos mencionados.
Convenientemente los puntos están cada uno sobre una superficie plana diferente, y los motivos son pirámides que tienen un semi-ángulo en el vértice.
\newpage
La base de las pirámides puede ser cuadrada. Los motivos pueden ser también conos que tienen un semi-ángulo en el vértice, por ejemplo inferior a 70º o a 60º, en particular comprendido entre 25 y 50º.
Convenientemente, el círculo más pequeño que puede contener la base de los motivos se inscribe en un círculo de diámetro comprendido entre 0,001 mm y 5 mm.
El punto del motivo más alejado del plano general de la cara texturada del sustrato está convenientemente distante de dicho plano a una distancia que varía de 0,25 D a D, representando D el diámetro del círculo más pequeño contenido en el plano general de la cara texturada del sustrato y que puede contener la base de dicho motivo.
La cara texturada puede comprender motivos ensamblados.
De acuerdo con un modo de realización, la cara texturada comprende, por tanto, motivos ensamblados que terminan en punta.
Convenientemente, el sustrato vítreo puede ser de tipo extra-claro, es decir, muy pobre en óxidos colorantes como los óxidos de hierro. Un ejemplo es el vidrio comercializado con el nombre de DIAMANT por la sociedad Saint-Gobain Glass. El interés de tal vidrio es que presenta una transmisión luminosa muy alta, lo que va en el sentido de una transmisión tan importante como posible de los rayos solares en el seno de la célula solar.
La invención tiene también por objetivo la utilización del sustrato descrito anteriormente en una célula solar, así como la célula solar misma, y el módulo solar del que ella puede formar parte.
La invención se detallará más adelante con ayuda de ejemplos no limitantes y de las figuras siguientes:
- figuras 1a, 1b, 1c y 1d: clichés obtenidos por MEB (microscopía electrónica de barrido) de muestras de acuerdo con la invención.
- figuras 2a y 2b: esquemas simplificados de una parte de célula solar de acuerdo con la invención, vista en sección, según dos variantes.
Las figuras 2a y 2b muestran muy esquemáticamente, y sin respeto de las escalas para facilitar la lectura de ello, en sección, una célula solar en donde el vidrio "delantero" es rugoso (figura 2a) o liso (figura 2b) sobre su cara interna. Se llama "cara interna" la cara en donde se encuentran, unas sobre otras, todas las capas de la célula.
En los dos casos se tiene sucesivamente:
-
un vidrio 1, de vidrio claro, 1-3 mm de espesor.
-
una capa conductora 3, a base de óxido de estaño dopado con flúor, obtenida por pirolisis a partir de los precursores (el depósito de la capa se ha efectuado de manera conocida, por CVD de repetición, sobre un vidrio calentado hacia 600ºC
-
un revestimiento 4 a base de silicio y germanio, que es una superposición de capas: p.a Si / i.a.Si / n.a Si / p.a SiGe / i.aSiGe / n.a SiGe
-
una capa de plata 5
Ejemplo 1
El vidrio 1 es un vidrio estándar silico-sódico-cálcico, comercializado por Saint- Gobain Glass France bajo la denominación Planilux, sin tratamiento particular alguno. La capa 3 de SnO_{2}:F tiene un espesor de 500 nm. Presenta una rugosidad R.M.S de alrededor de 5 +/- 2 nm.
Ejemplo 2
Con relación al ejemplo 1, el vidrio 1 es un vidrio que ha sido esmerilado, se ha hecho difusor por grabado químico sobre su cara B. El grabado se ha hecho del siguiente modo: se ataca la cara en cuestión por una disolución acuosa de NaOH/F (o HF solo) a pH 2 durante 1 hora a 1 hora 30. Se obtiene un esmerilado en forma de especies de cráteres más bien ensamblados, creando aristas en la superficie del vidrio. Se mide una rugosidad R.M.S del orden de 1,8 micrómetros y un tamaño de motivos del orden de 50 micrómetros.
Ejemplo 3
Es idéntico al ejemplo 2, pero esta vez es la cara A del vidrio la que se ha esmerilado/hecho difusora (como la cara B del ejemplo precedente). En ese caso de figura se tiene por tanto la capa Sn02: F que se deposita sobre el vidrio rugoso y que "sigue", al menos en parte, esta rugosidad, aparte de su rugosidad propia que se puede modular en particular por modificación de sus parámetros de depósito.
Las figuras 1a y 1b representan la capa SnO_{2}:F vista según su espesor (1a), y vista desde arriba (1b), cuando se deposita sobre sustrato liso, de acuerdo con los ejemplos 1 y 2: se ve una capa bien cristalizada, con un crecimiento esencialmente en columna, y una superficie rugosa con un tamaño de motivo (medido según un plano paralelo al vidrio portador de la capa) que es aproximadamente de alrededor de 200 a 300 nm en promedio.
La figura 1c y la figura 1d muestran la cara rugosa del vidrio recubierta por la capa de SnO_{2}:F de acuerdo con el ejemplo 3, vista desde arriba (1c) y desde su espesor (1d): se ve el perfil de cráter de la rugosidad del vidrio según motivos en hueco, ensamblados, que es "seguido" por la capa, que presenta de por sí una rugosidad, pero a una escala mucho menor: se tiene, por tanto, una rugosidad de la capa que es de dos órdenes.
La tabla 1 más adelante reagrupa para cada uno de los tres ejemplos los datos siguientes: (de acuerdo con el montaje, de manera conocida e idéntica para los tres ejemplos de la célula).
-
Jsc: el valor en mA/Cm^{2} de densidad de corriente generado por el módulo solar, a cero voltios (es la densidad de corriente correspondiente a un cortocircuito).
-
FF (%): es la abreviatura inglesa para "Fill Factor", que se define como la potencia máxima de la célula dividida por el valor de Jsc y de Voc, que es la abreviatura inglesa para "open circuit voltage", es decir, la tensión en circuito abierto.
-
\eta (%): Es la eficacia solar de la célula, definida como la potencia máxima de la célula dividida por la potencia máxima luminosa de la célula a 1000 W/m^{2}, a 25ºC y según un espectro AM 1,5.
TABLA 1
1
Se ve que utilizar un vidrio del que una al menos de las caras es rugosa conduce a una ganancia de rendimiento no despreciable. Los mejores resultados se obtienen cuando es sobre esta cara rugosa en donde se deposita la capa conductora: sin haber explicado completamente las razones de ello, parece en efecto que entre la rugosidad del vidrio y la rugosidad intrínseca de la capa se produce una sinergia muy favorable. Se difunde así un máximo de luz transmitida por el vidrio 1, permitiendo a la luz atravesar varias veces, según los ángulos de incidencia variables, los materiales a base de silicio en donde se efectúa la conversión fotoeléctrica.
Ni que decir tiene que la invención se aplica de la misma manera a las células solares utilizando otros semiconductores aparte de los basados en silicio, como CiS, CdTe, Ga As o Gal n P, Ge, GaSb, InP, Gax Iny As, o CuInSe_{2}.
La invención puede utilizar también como vidrio 1 vidrio extraclaro, para aumentar aún el porcentaje de luz transmitida por el vidrio.
La invención se refiere por tanto a electrodos en los que el vidrio 1 no es rugoso, y en los que es la capa conductora 3 la que es rugosa, y recíprocamente. La realización preferida de la invención consiste en combinar sus rugosidades, como lo ilustran las figuras 1c y 1d.
Cuando, como en el ejemplo 3, se tiene una superposición de dos rugosidades, entonces puede llegar a ser difícil tener en cuenta la influencia, en la superficie de la capa conductora, entre la rugosidad conferida por el sustrato y la que la capa tendría si hubiera sido depositada en las mismas condiciones pero sobre vidrio liso, sobre el rendimiento óptimo de la célula solar: se tiene verdaderamente una combinación de efectos. Las capas conductoras de ZnO dopado, en particular con aluminio son alternativas muy interesantes a las capas de óxido de estaño dopado con flúor utilizadas en los ejemplos.
La presente no se limita a los ejemplos de realización anteriormente descritos, sino que engloba también las variantes siguientes:
-
se dispone entre el sustrato vítreo 1 y la capa conductora 3 al menos una capa 2 con función de barrera a las especies susceptibles de difundirse del vidrio, en particular los alcalinos y/o con función óptica.
-
la cara A del sustrato vítreo 1 sobre la que se dispone directamente o no la capa conductora 3 presenta de por sí una rugosidad R.M.S de al menos 100 nm., a saber, comprendida entre 1000 y 5000 nm, en particular comprendida entre 1500 y 2000 nm.
Por otra parte, ese sustrato vítreo 1 dotado de un electrodo que comprende al menos una capa transparente conductora 3 a base de óxido(s) metálico(s) se caracteriza porque la cara A del sustrato vítreo 1 sobre la que se dispone directamente o no la capa conductora 3 presenta una rugosidad R.M.S de al menos 1000 nm, en particular comprendida entre 1000 y 5000 nm, y/o una rugosidad tal que el tamaño medio de los motivos es de al menos 5 \mum, en particular comprendido entre 5 y 100 \mum.
Se señala también que la rugosidad de la cara B es una texturación regular, en particular con motivos que tienen la forma de cono o de pirámide de base triangular o cuadrada, siendo dichos motivos cóncavos o convexos.

Claims (23)

1. Sustrato vítreo (1) dotado de un electrodo que comprende al menos una capa transparente conductora (3) a base de óxido(s) metálico(s), caracterizado porque dicha capa presenta una rugosidad RMS de al menos 3 nm, en particular de al menos 5 nm y/o un tamaño medio de los motivos de esta rugosidad de al menos 50 nm, estando dicha capa dispuesta directamente o no sobre una cara (A) de dicho sustrato, presentando dicha cara (A) de por sí una rugosidad R.M.S de al menos 100 nm, siendo la rugosidad de la cara A del sustrato vítreo (1) no uniforme/aleatoria de manera que se obtiene una superficie Lambertiana.
2. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la rugosidad R.M.S de la capa conductora (3) está comprendida entre 3 nm y 30 nm, en particular entre 5 y 15 nm.
3. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 1 o la reivindicación 2, caracterizado porque los motivos de la rugosidad de la capa conductora tienen un tamaño medio de al menos 100 nm, y en particular a lo sumo 500 nm.
4. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque los motivos de la rugosidad de la capa conductora tienen un tamaño medio comprendido entre 200 y 400 nm.
5. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa conductora (3) está depositada por pirolisis, en particular en fase gaseosa.
6. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque la capa (3) está depositada por pulverización catódica.
7. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa conductora (3) está elegida entre el óxido de estaño dopado, en particular con flúor o antimonio, óxido de cinc dopado, en particular con aluminio, y óxido de indio dopado, en particular con estaño.
8. Sustrato de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque entre el sustrato vítreo (1) y la capa conductora (3) está dispuesta al menos una capa (2) con función de barrera a las especies susceptibles de difundirse del vidrio, en particular alcalinos, y/o con función óptica.
9. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 8, caracterizado porque la capa barrera (2) es a base de óxido, de oxicarburo, de oxinitruro o de nitruro de silicio, en particular depositada por pirolisis o por pulverización catódica.
10. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa conductora (3) tiene una resistencia por cuadrado de a lo sumo 30 ó 20 \Omega/\Box, en particular de a lo sumo 15 \Omega/\Box.
11. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa conductora (3) tiene un espesor de al menos 1000 nm, y preferentemente de al menos 400 nm.
12. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la cara A del sustrato vítreo presenta de por sí una rugosidad R.M.S comprendida entre 100 y 5000 nm, en particular comprendida entre 1500 y 2000 nm.
13. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la cara A del sustrato vítreo (1) sobre la que se deposita directamente o no la capa conductora (3) presenta de por sí una rugosidad con un tamaño medio de motivos de al menos 5 \mum, en particular de al menos 10 \mum.
14. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 13, caracterizado porque la cara A del sustrato vítreo (1) presenta una rugosidad con un tamaño medio de motivos comprendido entre 5 y 100 \mum, en particular comprendido entre 10 y 50 \mum.
15. Sustrato vítreo (1) dotado de un electrodo que comprende al menos una capa transparente conductora (3) a base de óxido(s) metálico(s), caracterizado porque la cara A del sustrato vítreo (1) sobre la que se dispone directamente o no la capa conductora (3) presenta una rugosidad R.M.S de al menos 100 nm, en particular comprendida entre 100 y 1000 nm, y/o una rugosidad tal que el tamaño medio de los motivos es de al menos 5 \mum, en particular comprendido entre 5 y 100 \mum, siendo la rugosidad de la cara A del sustrato vítreo (1) no uniforme/aleatoria de manera que se obtiene una superficie Lambertiana.
16. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 15, caracterizado porque la rugosidad de la cara A del sustrato vítreo (1) se obtiene por grabado químico o por abrasión mecánica de tipo enarenado.
17. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la cara B del sustrato vítreo (1) que es opuesta a la cara A sobre la que se dispone directamente o no la capa conductora (3) presenta una rugosidad aleatoria o no aleatoria.
\newpage
18. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 17 y la reivindicación 1 o la reivindicación 15, caracterizado porque la rugosidad de la cara B del sustrato vítreo (1) es aleatoria, similar a la de la cara A de éste.
19. Sustrato de acuerdo con la reivindicación 17, caracterizado porque la rugosidad de la cara B es una texturación regular, en particular con motivos que tienen la forma de cono o de pirámide con base triangular o cuadrada, siendo dichos motivos cóncavos o convexos.
20. Substrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 15, caracterizado porque la cara A del sustrato vítreo (1) presenta una rugosidad que provoca una difusión de la luz transmitida hacia adelante, presentando el sustrato particularmente una transmisión luminosa global de al menos 70 a 75%, y de la cual una transmisión luminosa difusa de al menos 40 a 50%.
21. Sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa conductora(s) es mayoritariamente, en particular esencialmente, cristalizada.
22. Utilización del sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes en una célula solar.
23. Célula solar caracterizada porque comprende el sustrato de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 21.
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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1302988A3 (de) * 2001-10-12 2007-01-24 Bayer MaterialScience AG Photovoltaik-Module mit einer thermoplastischen Schmelzklebeschicht sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4195936B2 (ja) * 2004-03-17 2008-12-17 独立行政法人産業技術総合研究所 拡散性の反射面を持つ反射型調光素子
FR2870007B1 (fr) 2004-05-10 2006-07-14 Saint Gobain Feuille transparente texturee a motifs pyramidaux inclines
KR100659044B1 (ko) 2004-07-05 2006-12-19 전자부품연구원 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법
JP4716701B2 (ja) * 2004-09-30 2011-07-06 株式会社エンプラス 色素増感太陽電池の光電極及び色素増感太陽電池、並びに有機太陽電池の光電極
FR2891269B1 (fr) 2005-09-23 2007-11-09 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
KR100728194B1 (ko) * 2005-11-11 2007-06-13 삼성에스디아이 주식회사 염료 감응형 태양 전지 및 이의 제조 방법
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7736750B2 (en) * 2006-12-14 2010-06-15 Ppg Industries Ohio, Inc. Coated non-metallic sheet having a brushed metal appearance, and coatings for and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
EP2141992A1 (en) * 2007-03-29 2010-01-13 Merck & Co., Inc. Combination therapy for the treatment-of lower urinary tract symptoms
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
FR2924863B1 (fr) * 2007-12-07 2017-06-16 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere.
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
GB0803702D0 (en) 2008-02-28 2008-04-09 Isis Innovation Transparent conducting oxides
JP5174900B2 (ja) * 2008-06-09 2013-04-03 三菱電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
CN101308882A (zh) * 2008-07-22 2008-11-19 东莞宏威数码机械有限公司 透明导电氧化物绒面的制备方法
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
FR2939239B1 (fr) * 2008-12-03 2010-12-31 Ecole Polytech Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module
JP2010205804A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置
KR101134595B1 (ko) * 2009-07-29 2012-04-09 삼성코닝정밀소재 주식회사 태양전지 기판, 태양전지 기판 제조 방법 및 태양전지
GB0915376D0 (en) 2009-09-03 2009-10-07 Isis Innovation Transparent conducting oxides
FR2950878B1 (fr) 2009-10-01 2011-10-21 Saint Gobain Procede de depot de couche mince
TWI440193B (zh) * 2009-10-20 2014-06-01 Ind Tech Res Inst 太陽能電池裝置
DE102009050234A1 (de) * 2009-10-21 2011-05-05 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit einer TCO-Schicht und Dünnschichtsolarzelle
US8896077B2 (en) * 2009-10-23 2014-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Optoelectronic semiconductor device and method of fabrication
US8502066B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110168252A1 (en) * 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110126890A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Nicholas Francis Borrelli Textured superstrates for photovoltaics
TW201123508A (en) * 2009-12-22 2011-07-01 Univ Nat Chiao Tung Antireflection layer, method for fabricating antireflection surface, and photovoltaic device applying the same
KR101084985B1 (ko) * 2010-03-15 2011-11-21 한국철강 주식회사 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법
CN102194947B (zh) * 2010-03-17 2015-11-25 Lg伊诺特有限公司 发光器件和发光器件封装
KR101194243B1 (ko) * 2010-04-20 2012-10-29 한국철강 주식회사 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법
US9312417B2 (en) * 2010-10-22 2016-04-12 Guardian Industries Corp. Photovoltaic modules, and/or methods of making the same
EP2646895B1 (en) * 2010-11-30 2017-01-04 Corning Incorporated Display device with light diffusive glass panel
US20120152346A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light absorption-enhancing substrate stacks
EP2523227A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-14 Applied Materials, Inc. Thin-film solar fabrication process, deposition method for TCO layer, and solar cell precursor layer stack
US8628996B2 (en) 2011-06-15 2014-01-14 International Business Machines Corporation Uniformly distributed self-assembled cone-shaped pillars for high efficiency solar cells
TWI443846B (zh) * 2011-11-01 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 透明導電層結構
KR101293647B1 (ko) * 2012-07-27 2013-08-13 삼성코닝정밀소재 주식회사 투명 전도성 산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 광전지
WO2014026109A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Ultra thin film nanostructured solar cell
US8889456B2 (en) 2012-08-29 2014-11-18 International Business Machines Corporation Method of fabricating uniformly distributed self-assembled solder dot formation for high efficiency solar cells
JP5934073B2 (ja) * 2012-10-03 2016-06-15 ナショナル サイエンス アンド テクノロジー ディベロップメント エイジェンシーNational Science and Technology Development Agency 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2016029675A (ja) * 2012-12-18 2016-03-03 株式会社カネカ 薄膜太陽電池用透光性絶縁基板、及び集積型薄膜シリコン太陽電池
CN103508679B (zh) * 2013-06-04 2016-06-15 漳州旗滨玻璃有限公司 一种透明导电氧化膜玻璃生产方法及镀膜装置
JP6037967B2 (ja) * 2013-07-31 2016-12-07 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 画像形成装置
JP6803018B2 (ja) * 2019-03-05 2020-12-23 株式会社Nsc ガラス用エッチング液およびガラス基板製造方法
JP2022099748A (ja) 2020-12-23 2022-07-05 Tpr株式会社 CrN被膜、及び摺動部材

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419533A (en) * 1982-03-03 1983-12-06 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device having incident radiation directing means for total internal reflection
US4514582A (en) * 1982-09-17 1985-04-30 Exxon Research And Engineering Co. Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate
GB2188924B (en) * 1986-04-08 1990-05-09 Glaverbel Matted glass, process of producing matted glass, photo-voltaic cell incorporating a glass sheet, and process of manufacturing such a cell
US4808462A (en) * 1987-05-22 1989-02-28 Glasstech Solar, Inc. Solar cell substrate
JPH05198830A (ja) * 1992-06-12 1993-08-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
JP2504378B2 (ja) * 1993-10-22 1996-06-05 株式会社日立製作所 太陽電池基板の製造方法
WO1995012897A1 (fr) * 1993-11-05 1995-05-11 Citizen Watch Co., Ltd. Dispositif a pile solaire et sa production
DE19514908C1 (de) 1995-04-22 1996-04-18 Ver Glaswerke Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls
JPH1168131A (ja) * 1997-08-25 1999-03-09 Citizen Watch Co Ltd 太陽電池の製造方法
AUPP699798A0 (en) * 1998-11-06 1998-12-03 Pacific Solar Pty Limited Thin films with light trapping
JP4017281B2 (ja) * 1999-03-23 2007-12-05 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP4397451B2 (ja) * 1999-03-30 2010-01-13 Hoya株式会社 透明導電性薄膜及びその製造方法
JP2001060708A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明積層体およびこれを用いたガラス物品
US6787692B2 (en) * 2000-10-31 2004-09-07 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology Solar cell substrate, thin-film solar cell, and multi-junction thin-film solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040064285A (ko) 2004-07-16
MXPA04005088A (es) 2004-08-19
KR100970428B1 (ko) 2010-07-15
CN1596230A (zh) 2005-03-16
CN1596230B (zh) 2012-04-04
FR2832706B1 (fr) 2004-07-23
FR2832706A1 (fr) 2003-05-30
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US7923626B2 (en) 2011-04-12
EP1448490B1 (fr) 2007-08-22
US20050016583A1 (en) 2005-01-27
BR0214368B1 (pt) 2011-08-09
JP2005515955A (ja) 2005-06-02
PT1448490E (pt) 2007-11-29
ATE370921T1 (de) 2007-09-15
DE60222004D1 (de) 2007-10-04
BR0214368A (pt) 2004-11-30
DE60222004T2 (de) 2008-05-15
JP2013136510A (ja) 2013-07-11
WO2003064344A1 (fr) 2003-08-07

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