BR0214368B1 - estrutura compósita de substrato transparente e eletrodo. - Google Patents
estrutura compósita de substrato transparente e eletrodo. Download PDFInfo
- Publication number
- BR0214368B1 BR0214368B1 BRPI0214368-2A BR0214368A BR0214368B1 BR 0214368 B1 BR0214368 B1 BR 0214368B1 BR 0214368 A BR0214368 A BR 0214368A BR 0214368 B1 BR0214368 B1 BR 0214368B1
- Authority
- BR
- Brazil
- Prior art keywords
- roughness
- structure according
- substrate
- electrode
- layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 45
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims abstract description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- -1 tin halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Inorganic materials [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 1
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M propyromazine bromide Chemical compound [Br-].C12=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1C(=O)C(C)[N+]1(C)CCCC1 OANVFVBYPNXRLD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/77—Coatings having a rough surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Description
"ESTRUTURA COMPÓSITA DE SUBSTRATO TRANSPARENTE EELETRODO"
A invenção se refere a um substrato transparente, notadamenteem vidro, que é provido de um eletrodo. Este substrato condutor é maisparticularmente destinado a fazer parte de células solares. Trata-senotadamente de utilizar como «face frontal» de célula solar, ou seja aquelaque vai se encontrar diretamente exposta às radiações solares a converter emeletricidade.
A invenção se interessa notadamente pelas células solares dotipo Si ou CiS. Lembra-se brevemente a sua estrutura:
Comercializa-se geralmente este tipo de produto sob forma decélulas solares montadas em série e dispostas entre dois substratos rígidostransparentes do tipo vidro. As células são mantidas entre os substratos porum material polímero (ou vários). De acordo com um modo de realização dainvenção que é descrita na patente EP-739 042, as células solares podem sercolocadas entre os dois substratos, e depois o espaço oco entre os substratos épreenchido com um polímero vazado apto a endurecer, muito particularmenteà base de poliuretano proveniente da reação de um pré-polímero de isocianatoalifático e de um poliéter poliol. O endurecimento do polímero pode ser feitoa quente (30 a 5O0C) e eventualmente em leve sobrepressão, por exemplo, emum autoclave. Outros polímeros podem ser usados, como o etilenovinilacetato EVA, e outras montagens são possíveis (por exemplo com umlaminado entre os dois vidros das células com a ajuda de uma ou de váriasfolhas de polímero termoplástico).
É o conjunto dos substratos, do polímero e das células solaresque se designa e que se vende sob o nome de «módulo solar».
A invenção tem também por objeto os ditos módulos.
Quando se sabe que os módulos solares não são vendidos pormetro quadrado, mas pela potência elétrica liberada (aproximadamente, pode-se estimar que um metro quadrado de célula solar pode fornecer cerca de 130Watts), cada porcentagem de rendimento suplementar aumenta o desempenhoelétrico, e logo o preço, de um módulo solar de dimensões dadas.
A invenção tem então por objetivo procurar meios paramelhorar o rendimento de conversão fotoelétrica destes módulos, meios quetêm mais especificamente relação com os vidros «frontais» munidos deeletrodos mencionados acima. Vantajosamente, procurar-se-á os meiossimples para empregar em escala industrial, sem alterar as estruturas econfigurações conhecidas para este tipo de produto.
A invenção tem inicialmente por objeto um substrato vítreomunido de um eletrodo que compreende pelo menos uma camada transparentecondutora a base de óxido(s) metálico(s), a dita camada apresenta umarugosidade RMS de pelo menos 3 nm. Ela é de preferência de pelo menos 5nm, e notadamente de no máximo 30 nm. Uma gama de rugosidade preferidase situa nas cercanias de 5 a 15 nm.
Este tipo de camada condutora sob a abreviação inglesa T.C.O.para «Transparent Conductive Oxide». Ela é largamente usada no domíniodas células solares e da eletrônica.
A rugosidade R.M.S. significa rugosidade «Root MeanSquare». Trata-se de uma medida que consiste em medir o valor do desvioquadrático médio da rugosidade. Esta rugosidade R.M.S., concretamente,quantifica pois em média, a altura dos picos e vazios de rugosidade, emrelação à altura média. Assim, uma rugosidade R.M.S. de 3 nm significa umaamplitude de pico dupla.
Ela pode ser medida de diferentes modos: por exemplo, pormicroscopia com força atômica, por um sistema mecânico com ponta (usandopor exemplo os instrumentos de medida comercializados pela empresaVEECO sob a denominação DEKTAK), por interferometria óptica. A medidaacontece geralmente sobre um micrômetro quadrado por microscopia comforça atômica, e sobre uma superfície maior, da ordem de 50 micrômetros a 2milímetros para os sistemas mecânicos com ponta.
Rugosidades R.M.S. de pelos menos 3 ou 5 nm correspondema valores relativamente elevados. A camada condutora de acordo com ainvenção tem uma natureza química conhecida, ela é de tipo óxido metálicodopado. Em contrapartida, ela tem a especificidade de ser altamente rugosa.De preferência, esta rugosidade é aleatória no sentido de que ela nãoapresenta motivos de uma geometria precisa. Além disso, ela é dispersa, deacordo com o tamanho da superfície medida.
De modo alternativo ou cumulativo, a rugosidade destacamada condutora pode ser igualmente escolhida de modo que o tamanhomédio dos motivos desta rugosidade seja de pelo menos 50 nm, medida feitana dimensão paralela à superfície do substrato. Vantajosamente, ela éescolhida em pelo menos 100 nm, e de preferência de no máximo 500 nm.Privilegia-se um tamanho médio de motivos compreendido entre 200 e 400nm. Este tamanho médio pode ser avaliado, notadamente, por microscopiacom varredura eletrônica. Quando a rugosidade da camada se apresenta sob aforma de picos (de forma irregular), o que é o caso das camadas cristalizadasque apresentam um crescimento colunar, este tamanho médio corresponde,pois, ao tamanho (a maior dimensão) da base destes picos.
Esta rugosidade particular (rugosidade R.M.S. e/ou tamanhode motivos) se revelou muito eficaz. Ela possibilita, de fato, nas interfacesentre a camada e os materiais que a enquadram, uma difusão aumentada daluz incidente, que «obriga» esta última a ter uma trajetória muito mais longaatravés da célula solar.
Alongando, assim, o trajeto óptico, multiplica-se as chances deabsorção da luz pelos elementos ativos da célula, e finalmente aumenta-se ataxa de conversão fotoelétrica da célula solar. Capta-se assim melhor a luz.
A rugosidade definida anteriormente pode ser obtida de modoviável em escala industrial, por vários meios alternativos ou cumulativos.
Inicialmente, pode-se depositar a camada, e depois gravá-la,por exemplo, com gravação química ou por areação. Pode-se assim depositá-la diretamente de modo rugoso, o que é mais vantajoso no plano industrial,pois isto evita uma etapa de tratamento suplementar, descontínua, por meio deuma sucessão de etapas de depósito das diferentes camadas constitutivas dacélula solar.
Pode-se, nos dois casos em questão, depositar a camada pordiferentes técnicas. Pode-se depositá-la, por exemplo, por uma técnica depirólise, notadamente em fase gasosa (técnica freqüentemente designada pelaabreviação inglesa de C.V.D. para "Chemical Vapor Deposition"). Estatécnica é interessante para a invenção, pois regulagens apropriadas dosparâmetros de depósito permitem obter uma certa rugosidade.
Pode-se também depositar a camada por uma técnica dedepósito sob vácuo, notadamente por pulverização catódica assistida porcampo magnético. A pulverização pode ser reativa (partindo de alvosmetálicos ou sub-oxidados, em atmosfera oxidante) ou não reativa (partindode alvos de cerâmica, em atmosfera inerte).
Aqui ainda, modificações nos parâmetros de depósitos podempermitir obter uma certa porosidade e/ou rugosidade. Pode-se assim ajustar demodo apropriado a pressão reinante na câmara de depósito: uma pressãorelativamente elevada permite geralmente obter camadas bastante porosas erugosas na superfície. Uma possibilidade consiste em modular este parâmetroem curso de depósito para que a camada seja eventualmente relativamentedensa em uma certa espessura, e depois ainda mais porosa/ rugosa nasuperfície.
Pode-se também, e será retomado em detalhes posteriormente,provocar ou amplificar a rugosidade da camada condutora ao depositá-lasobre uma superfície ela própria rugosa, notadamente sobre um vidro queapresenta por sua vez mesmo uma certa rugosidade.
A camada condutora apresenta de preferência uma espessurade no máximo 1000 ou 700 ou 650 nm. Sua espessura é notadamente de pelomenos 400 nm, e por exemplo compreendida entre 400 e 800 nm.
A camada condutora pode ser vantajosamente escolhida nosseguintes materiais: óxido de estanho dopado, notadamente com flúor ou comantimônio (os precursores utilizáveis em caso de depósito por CVD podemser organo-metálicos ou halogenetos de estanho associados com um precursorde flúor do tipo ácido fluorídrico ou ácido trifluoroacético), o óxido de zincodopado, notadamente com alumínio (os precursores utilizáveis, em caso dedepósito por CVD, podem ser organo-metálicos ou halogenetos de zinco e dealumínio), ou ainda o óxido de índio dopado, notadamente com estanho (osprecursores utilizáveis em caso de depósito por CVD podem ser organo-metálicos ou halogenetos de estanho ou de índio).
De acordo com uma variante, é possível, que ela possa serutilizada enquanto barreira às espécies suscetíveis de difundir o vidro,notadamente os alcalinos, muito particularmente em caso de tratamentotérmico simultâneo ou posterior ao depósito da camada condutora. Seu papelpode igualmente ser óptico: diminuindo o nível de reflexão luminosa dosubstrato, ela permite aumentar a transmissão luminosa através da camada.
Pode-se tratar de uma camada a base de óxido, oxicarboneto,de oxinitreto ou de nitreto de silício. Pode-se depositá-la pelo mesmo tipo detécnica que a camada condutora, por exemplo por pirólise (CVD) ou porpulverização catódica, de modo conhecido.
Pode-se também deposita-la de modo que ela apresenteigualmente uma certa rugosidade.
Vantajosamente, a camada condutora apresenta umaresistência por quadrado de no máximo 30 ohms/quadrado, notadamente deno máximo 20 ohms/quadrado, de preferência de no máximo 10 ou 15ohms/quadrado. Ela é geralmente compreendida entre 5 e 12 ohms/quadrado.
Como evocado acima, uma variante particularmente vantajosada invenção consiste em que a face A do substrato vítreo sobre a qual édisposta diretamente ou indiretamente (pelo intermédio de outra(s) camada(s)como as camadas barreiras pré-mencionadas) a camada condutora apresentapor sua vez uma rugosidade particular.
A rugosidade R.M.S. desta face A pode ir de 100 nm a 5000nm e é vantajosamente de 100 a 2000 nm e de uma maneira preferível de pelomenos 500 ou 1000, o que significa que se está na presença de uma superfíciechamada Lambertiana na literatura. Esta rugosidade R.M.S. tem o mesmosignificado e pode ser medida da mesma maneira que aquela da camadacondutora descrita acima. De modo alternativo ou cumulativo, a rugosidadedesta face A é tal que o tamanho médio dos motivos, medido de acordo comuma dimensão paralela à superfície do substrato, seja de pelo menos 5micrômetros. Vantajosamente, ele é compreendido entre 5 e 100 micrômetros,notadamente entre 10 e 50 micrômetros.
Esta rugosidade é de preferência não uniforme, ela é aleatória.Não há motivos regulares na superfície do vidro, mas tamanhos variáveis deprotuberâncias e/ou de vazios na superfície do vidro, repartida(o)s ao acasosobre toda a dita superfície. Vantajosamente, esta rugosidade vai permitir umadifusão da luz transmitida pelo substrato grande, e majoritariamente "parafrente", ou seja de modo a difundir a luz, mas majoritariamente para o interiorda célula solar.
O objetivo é, aí ainda, de «captar» melhor os raios solaresincidentes, e isto de diferentes modos.
Cria-se uma interface difusa entre o vidro e o material que lheé contíguo, e esta rugosidade, pelo menos em parte, vai repercutir sobre ascamadas que vão ser depositadas sucessivamente sobre esta superfícierugosidade: a camada tende a acompanhar a rugosidade do substrato sobre oqual ela é depositada.
Em um modo de realização preferido da invenção, arugosidade do substrato é bem superior àquela que pode ter a própria camada:a camada, depositada sobre uma superfície rugosa, apresenta assim umarugosidade de duas ordens.
Criando uma superfície rugosa, pode-se assim criar, emcascata, outras interfaces difusoras sucessivas, cada uma das camadasseguintes acompanha mais ou menos esta rugosidade. Combinar um substratovítreo rugoso, despolido com uma camada condutora que pode, ela também,ter uma rugosidade intrínseca ou provocada, permite aumentar muitosignificativamente a parte de difusão na luz transmitida no interior da célula.Há então um ganho de rendimento de conversão nitidamente melhorado, asrugosidades dos diferentes materiais vindo se adicionar e se combinar demodo muito interessante.
A «captação» da luz pode assim ser melhorada, porque aestrutura irregular em superfície da camada condutora cria esta difusão parafrente (em associação com a diferença de índice de refração que existe entre acamada condutora e a camada seguinte à base de silício), e/ou porque asuperfície irregular eventual do vidro cria igualmente uma difusão para frente(em associação com a diferença de índice de refração que existe igualmenteentre o vidro e a camada condutora).
A rugosidade da face A do substrato vítreo pode ser obtida pordiferentes tipos de gravura, por exemplo areação ou por gravura química.Neste último caso, pode se por exemplo tratar de uma operação dedespolimento com a ajuda de uma solução que compreende a soda e o ácidofluorídrico, ou o ácido fluorídrico sozinho. Geralmente, obtém-se um aspectode superfície que lembra a uma sucessão de "crateras" adjacentes ou não, comeste tipo de despolimento com o ácido. Este despolimento pode ser feito emvárias etapas, com colocações em contato sucessivas da face a tratar porsoluções diferentes. Para um despolimento pouco acentuado, uma solução deácido fluorídrico sozinho pode ser usada. A concentração dos elementosativos da solução e/ou o tempo de imersão do e/ou o número de etapasdurante a gravação permitem regular o tamanho e a profundidade dos "furos"criados na superfície do vidro. Vantajosamente, o substrato vítreo "rugoso"pelo menos sobre esta face, apresenta uma transmissão luminosa global depelo menos 70 ou 75%, notadamente de cerca de 80% segundo o iluminanteD65. A parte de transmissão difusa pode ser de pelo menos 40 a 45%,notadamente cerca de 50%.
Vantajosamente ainda, a camada condutora é majoritariamentecristalizada, com notadamente um tamanho de cristálitos médiocompreendido entre 5 e 200 nm, notadamente entre 50 e 150 nm.
De acordo com uma variante, cumulativa ou alternativa com aprecedente, pode-se escolher a face B do substrato vítreo (aquela que é opostaà face A acima citada) de modo que ela apresente uma certa rugosidadeigualmente. Esta rugosidade pode ser aleatória, não uniforme, similar àrugosidade da face A descrita acima. Mas pode-se também escolhê-la regular,ela pode apresentar motivos do tipo regulares: está-se então em presença deuma superfície dita texturizada. Compreende-se por texturação umapluralidade de motivos geométricos em relevo, côncavos ou convexos emrelação ao plano geral da face texturizada do substrato.
Um tipo de texturação interessante pode ser definida doseguinte modo: o substrato é texturizado sobre ao menos uma de suas facespor uma pluralidade de motivos geométricos em relevo em relação ao planogeral da dita face, a face texturizada sendo colocada do lado da recepção daluz, a superfície dos ditos motivos compreendendo, cada um, pelo menos doispontos tais que existem dois planos secantes entre si contendo, cada um. umdos ditos pontos e reunindo as seguintes duas condições:
- estes planos são todos perpendiculares ao plano geral daface texturizada da placa, e
- estes planos contêm, cada um, uma das duas retasperpendiculares à dita superfície e que passa por um dos ditosdois pontos.
Vantajosamente, os pontos ficam, cada um, sobre umasuperfície plana diferente, e, os motivos são pirâmides que têm um semi-ângulo no vértice.
A base das pirâmides pode ser quadrada. Os motivos podemtambém ser cones que têm um semi-ângulo no vértice por exemplo inferior a70° ou a 60°, notadamente compreendido entre 25 e 50°.
Vantajosamente, o menor círculo que pode conter a base dosmotivos se inscreve em um círculo de diâmetro compreendido entre 0,001mm a 5 mm.
O ponto do motivo mais afastado do plano geral da facetexturizada do substrato é vantajosamente distante do dito plano de umadistância que vai de 0,15 D a D, D representando o diâmetro do menor círculocontido no plano geral da face texturizada do substrato e podendo conter abase do dito motivo.
A face texturizada pode compreender motivos adjacentes.
De acordo com um modo de realização, a face texturizadacompreende pois motivos adjacentes que terminam em ponta.
Vantajosamente, o substrato vítreo pode ser de tipo extra-claro, ou seja, muito pobre em óxidos colorantes como os óxidos de ferro. Umexemplo é o vidro comercializado sob o nome de DIAMANT pela empresaSaint-Gobain Glass. O interesse de um tal vidro é que ele apresenta umatransmissão luminosa muito alta, o que vai no sentido de uma transmissão tãogrande quanto possível dos raios solares no interior da célula solar.
A invenção tem igualmente por objeto a utilização do substratodescrito acima em uma célula solar, assim como a própria célula solar, e omódulo solar da qual ela pode fazer parte.
A invenção será detalhada abaixo com a ajuda de exemplosnão limitativos e das figuras seguintes:
- figuras 1a, 1b, 1c e 1d: clichês obtidos por MEB(microscopia eletrônica com varredura) de amostras de acordo com ainvenção.
- figuras 2a e 2b: esquemas simplificados de uma parte decélula solar de acordo com a invenção, em corte, conforme duas variantes.
As figuras 2a e 2b mostram muito esquematicamente e semrespeito às escalas para facilitar a sua leitura, em corte, uma célula solar emque o vidro "frontal" é rugoso(figura 2a) ou liso (figura 2b) sobre sua faceinterna. Chama-se «face interna» a face em que se encontram, as umas sobreas outras, todas as camadas da célula.
Nos dois casos, tem-se sucessivamente:
- um vidro 1, em vidro claro, l-3mm de espessura.
- uma camada condutora 3, a base de óxido de estanho dopado com flúor,obtida por pirólise a partir dos precursores (o depósito da camada foiefetuado, de modo conhecido, por CVD em retomada sobre um vidroaquecido até 600°C
- um revestimento 4 à base de silício e de germânio, que é uma superposiçãode camadas: p.a Si/ i.a.Si/n.a Si/p.a SiGe/i.aSiGe/n.a SiGe.
- uma camada de prata 5.
Exemplo 1
O vidro 1 é um vidro standard silico-sodo-cálcico,comercializado pela Saint-Gobain Glass France sob o nome Planilux5 semnenhum tratamento particular.
A camada 3 em SnO2:F tem uma espessura de 500 um. Elaapresenta uma rugosidade R.M.S. de cerca de 5 +/-2 nm.
Exemplo 2Em relação ao exemplo 1, o vidro 1 é um vidro que foidespolido, tornado difusor por gravura química sobre sua face Β. A gravurafoi feita da seguinte maneira: ataca-se a face em questão por uma soluçãoaquosa de NaOH/HF (ou HF sozinho) com pH 2 durante 1 hora a 1 hora e 30.
Obtém-se um despolimento sob forma de tipos de crateras antes adjacentes,criando arestas na superfície do vidro. Mede-se uma rugosidade R.M.S. daordem de 1,8 micrômetro, e um tamanho de motivos da ordem de 50micrômetros.
Exemplo 3
Ele é idêntico ao exemplo 2, mas esta vez é a face A do vidroque foi despolida/tornada difusora (como a face B do exemplo anterior).Neste caso em tela, tem-se, pois, a camada SnO2: F que é depositada sobre ovidro rugoso e que "segue", pelo menos em parte, esta rugosidade, além desua rugosidade própria que pode ser modulada, notadamente por modificaçãode seus parâmetros de depósito.
As figuras Ia e Ib representam a camada SnO2:F vista atravésde sua espessura (la), e vista de cima (Ib) quando ela é depositada sobresubstrato liso, conforme os exemplos 1 e 2: vê-se uma camada bemcristalizada, com um crescimento essencialmente colunar, e uma superfícierugosa, com um tamanho de motivo (medido de acordo com um planoparalelo ao vidro portador da camada) que é aproximadamente de cerca de200 a 300 nra em média.
A figura Ic e a figura Id mostram a face rugosa do vidrorecoberta da camada em Sn02:F segundo o exemplo 3, vista de cima (lc)e emsua espessura (ld): vê-se o perfil de cratera da rugosidade do vidro, conformemotivos em vazio, adjacentes, que é "seguido"pela camada, que apresenta porsua vez uma rugosidade, mas em uma escala bem menor: tem-se pois umarugosidade da camada que é de duas ordens.
A tabela 1 abaixo reagrupa para cada um dos três exemplos, osdados seguintes: (após montagem, de modo conhecido e idêntico para os trêsexemplos da célula).
- Jsc: o valor em mA/cm de densidade de corrente gerado pelomódulo solar, a zero volt (é a densidade de corrente correspondente a umcurto circuito).
- FF (%): é a abreviação inglesa para "Fill Factor". Que édefinido como a potência máxima da célula dividida pelo valor de Jsc e deVoe, que é a abreviação inglesa para "open circuit voltage", ou seja, a tensãoem circuito aberto.
- η (%) : é a eficácia solar da célula, definida como a potência
máxima da célula dividida pela potência máxima luminosa da célula1000W/m^2, a 25°C e de acordo com um espectro AM 1,5.
Tabela 1
<table>table see original document page 13</column></row><table>
Vê-se que a utilização de um vidro do qual pelo menos umadas faces é rugosa conduz a um ganho de rendimento não negligenciável. Osmelhores resultados são obtidos quando é sobre esta face rugosa que a camadacondutora é depositada: sem ter inteiramente explicado as suas razões,aparece com efeito que entre a rugosidade do vidro e a rugosidade intrínsecada camada, se opera uma sinergia muito favorável. Difunde-se assim ummáximo de luz transmitida pelo vidro 1, permitindo à luz atravessar váriasvezes, de acordo com os ângulos de incidência variáveis, os materiais à basede silício em que se efetua a conversão fotoelétrica.
Nota-se que a invenção se aplica da mesma maneira às célulassolares que usam outros semi-condutores que não aqueles à base de silício,como CSi, CdTe, GaAs ou GaInP, Ge, GaSb, InP, Gax Iny As, ou CuInSe2.A invenção se refere, pois, a eletrodos em que o vidro 1 não érugoso, e em que é a camada condutora 3 que é rugosa, e reciprocamente. Arealização preferida da invenção consiste em combinar suas rugosidades,como ilustra as figuras 1ce 1d.
Quando, como no exemplo 3, tem-se a superposição de duasrugosidades, pode se tornar difícil fazer a parte, sobre a superfície da camadacondutora, entre a rugosidade conferida pelo substrato e aquela que a camadateria se fosse depositada nas mesmas condições, mas sobre vidro liso, sobre odesempenho global da célula solar: tem-se verdadeiramente uma combinaçãode efeitos. As camadas condutoras em ZnO dopado, notadamente comalumínio são alternativas muito interessantes para as camadas em óxido deestanho dopado com flúor utilizadas nos exemplos.
A presente invenção não se limita aos exemplos de realizaçãoanteriormente descritos, mas engloba igualmente as seguintes variantes:
- deposita-se entre o substrato vítreo e a camada condutora 3pelo menos uma camada 2 com a função de barreira às espécies suscetíveis dedifundir do vidro, notadamente os alcalinos e/ou com função óptica.
- a face A do substrato vítreo sobre o qual é dispostodiretamente ou não a camada condutora 3 apresenta por sua vez umarugosidade R.M.S. de pelo menos 100 nm., a saber compreendida entre 1000e 5000 nm, notadamente compreendida entre 1500 e 2000 nm.
Além disso, este substrato vítreo 1 munido de um eletrodo quecompreende pelo menos uma camada transparente condutora 3 à base deóxido(s) metálico(s) se caracteriza pelo fato de que a face A do substratovítreo 1 sobre a qual é disposta ou não a camada condutora 3 apresenta umarugosidade R.M.S. de pelo menos 1000 nm notadamente compreendida entre1000 e 5000 nm e/ou uma rugosidade tal que o tamanho médio dos motivos éde pelo menos 5μm, notadamente compreendido entre 5 e 100 μm.
Nota-se igualmente que a rugosidade da face B é umatexturação regular, com notadamente motivos que têm a forma de cone ou depirâmide com base triangular ou quadrada, os ditos motivos sendo côncavosou convexos.
Claims (21)
1. Estrutura compósita de substrato transparente e eletrodo,compreendendo:um substrato vítreo (1); e,um eletrodo provido em tal substrato vítreo,onde:o eletrodo compreende pelo menos uma camada transparentecondutora (3) a base de óxido(s) metálico(s),caracterizada pelo fato de que:uma superfície (A) do substrato vítreo (1) sobre a qual oeletrodo é provido tem uma rugosidade R.M.S de pelo menos 100 nm;a superfície (A) do substrato vítreo (1) sobre a qual o eletrodoé provido tem uma rugosidade com tamanho médio dos motivos de pelomenos 5 μηι; e,uma superfície da pelo menos uma camada condutora opostaao substrato vítreo tem uma rugosidade RMS de pelo menos 3 nm e umtamanho médio dos motivos desta rugosidade é de pelo menos 50 nm.
2. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a superfície da pelo menos uma camada condutora oposta aosubstrato vítreo tem uma rugosidade RMS na faixa de 3 nm a 30 nm.
3. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que os motivos da rugosidade da camada condutora têm umtamanho médio de pelo menos 100 nm.
4. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que os motivos da rugosidade da camada condutora têm umtamanho médio compreendido entre 200 e 400 nm.
5. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a camada condutora (3) é depositada por pirólise.
6. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a camada (3) é depositada por pulverização catódica.
7. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a camada (3) é escolhida dentre o óxido de estanho dopado,notadamente com flúor ou com antimônio, o óxido de zinco dopado,notadamente com alumínio e o óxido de índio dopado, notadamente comestanho.
8. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de compreender ainda uma camada barreira (2) provida entre osubstrato vítreo (1) e o eletrodo, com a função de barreira para as espéciessuscetíveis de difundir do vidro e/ou com função óptica.
9. Estrutura de acordo com a reivindicação 8, caracterizadapelo fato de que a camada barreira (2) é a base de óxido, de oxicarboneto oude nitreto de silício, depositado por pirólise ou por pulverização catódica.
10. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a camada condutora (3) tem uma resistência por quadrado deno máximo 30 Ω/quadrado.
11. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a camada condutora (3) tem uma espessura de no máximo1000 nm.
12. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a superfície do substrato vítreo sobre a qual o eletrodo éprovido tem uma rugosidade R.M.S compreendida entre 100 e 5000 nm.
13. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a superfície do substrato vítreo sobre a qual o eletrodo éprovido tem uma rugosidade com um tamanho médio de motivos entre 5 e100 μm.
14. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a rugosidade da face A do substrato vítreo (1) é não uniforme/aleatória.
15. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a rugosidade da superfície do substrato vítreo sobre a qual oeletrodo é provido é obtida por gravura química, ou por abrasão mecânica dotipo areação.
16. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que uma superfície do vítreo (1) que é oposta ao eletrodoapresenta uma rugosidade, aleatória ou não aleatória.
17. Estrutura de acordo com a reivindicação 16, caracterizadapelo fato de que a rugosidade da superfície do vítreo (1) que é oposta ao eletrodo é aleatória.
18. Estrutura de acordo com a reivindicação 16, caracterizadapelo fato de que a rugosidade da superfície do vítreo (1) que é oposta aoeletrodo tem uma texturação regular com motivos côncavos ou convexos.
19. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a superfície do substrato vítreo (1) sobre a qual o eletrodo éprovido apresenta uma rugosidade que provoca uma difusão da luztransmitida para frente, o substrato apresentando uma transmissão luminosaglobal de pelo menos 70%, incluindo uma transmissão luminosa difusa depelo menos 40%.
20. Estrutura de acordo com a reivindicação 1, caracterizadapelo fato de que a(s) camada(s) condutora(s) é(são) majoritariamentecristalizada(s).
21. Estrutura de acordo com qualquer uma das reivindicações-1 a 20, caracterizada pelo fato de que é utilizada em uma célula solar.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0115353A FR2832706B1 (fr) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | Substrat transparent muni d'une electrode |
FR01/15353 | 2001-11-28 | ||
PCT/FR2002/004059 WO2003064344A1 (fr) | 2001-11-28 | 2002-11-27 | Substrat transparent muni d'une electrode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BR0214368A BR0214368A (pt) | 2004-11-30 |
BR0214368B1 true BR0214368B1 (pt) | 2011-08-09 |
Family
ID=8869857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BRPI0214368-2A BR0214368B1 (pt) | 2001-11-28 | 2002-11-27 | estrutura compósita de substrato transparente e eletrodo. |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7923626B2 (pt) |
EP (1) | EP1448490B1 (pt) |
JP (2) | JP2005515955A (pt) |
KR (1) | KR100970428B1 (pt) |
CN (1) | CN1596230B (pt) |
AT (1) | ATE370921T1 (pt) |
BR (1) | BR0214368B1 (pt) |
DE (1) | DE60222004T2 (pt) |
ES (1) | ES2292846T3 (pt) |
FR (1) | FR2832706B1 (pt) |
MX (1) | MXPA04005088A (pt) |
PT (1) | PT1448490E (pt) |
WO (1) | WO2003064344A1 (pt) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002301252B2 (en) * | 2001-10-12 | 2007-12-20 | Bayer Aktiengesellschaft | Photovoltaic modules with a thermoplastic hot-melt adhesive layer and a process for their production |
JP4195936B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2008-12-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 拡散性の反射面を持つ反射型調光素子 |
FR2870007B1 (fr) | 2004-05-10 | 2006-07-14 | Saint Gobain | Feuille transparente texturee a motifs pyramidaux inclines |
KR100659044B1 (ko) | 2004-07-05 | 2006-12-19 | 전자부품연구원 | 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법 |
JP4716701B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-07-06 | 株式会社エンプラス | 色素増感太陽電池の光電極及び色素増感太陽電池、並びに有機太陽電池の光電極 |
FR2891269B1 (fr) | 2005-09-23 | 2007-11-09 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
KR100728194B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2007-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응형 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
US7736750B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-06-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coated non-metallic sheet having a brushed metal appearance, and coatings for and method of making same |
US8334452B2 (en) | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
WO2008121268A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Merck & Co., Inc. | Combination therapy for the treatment-of lower urinary tract symptoms |
US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
FR2924863B1 (fr) * | 2007-12-07 | 2017-06-16 | Saint Gobain | Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere. |
US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
GB0803702D0 (en) | 2008-02-28 | 2008-04-09 | Isis Innovation | Transparent conducting oxides |
US9711669B2 (en) * | 2008-06-09 | 2017-07-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin-film photoelectric converter |
CN101308882A (zh) * | 2008-07-22 | 2008-11-19 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 透明导电氧化物绒面的制备方法 |
US8022291B2 (en) * | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
FR2939239B1 (fr) * | 2008-12-03 | 2010-12-31 | Ecole Polytech | Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module |
JP2010205804A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置 |
KR101134595B1 (ko) * | 2009-07-29 | 2012-04-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 태양전지 기판, 태양전지 기판 제조 방법 및 태양전지 |
GB0915376D0 (en) | 2009-09-03 | 2009-10-07 | Isis Innovation | Transparent conducting oxides |
FR2950878B1 (fr) | 2009-10-01 | 2011-10-21 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince |
TWI440193B (zh) * | 2009-10-20 | 2014-06-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池裝置 |
DE102009050234A1 (de) * | 2009-10-21 | 2011-05-05 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit einer TCO-Schicht und Dünnschichtsolarzelle |
WO2011050179A2 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Optoelectronic semiconductor device and method of fabrication |
US20110186120A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-08-04 | Guardian Industries Corp. | Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same |
US20110168252A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-07-14 | Guardian Industries Corp. | Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same |
US8502066B2 (en) * | 2009-11-05 | 2013-08-06 | Guardian Industries Corp. | High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same |
US20110126890A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Nicholas Francis Borrelli | Textured superstrates for photovoltaics |
TW201123508A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Antireflection layer, method for fabricating antireflection surface, and photovoltaic device applying the same |
KR101084985B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-11-21 | 한국철강 주식회사 | 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
US8604500B2 (en) * | 2010-03-17 | 2013-12-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
KR101194243B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-10-29 | 한국철강 주식회사 | 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
US9312417B2 (en) * | 2010-10-22 | 2016-04-12 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic modules, and/or methods of making the same |
WO2012075070A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | Corning Incorporated | Display device with light diffusive glass panel |
US20120152346A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light absorption-enhancing substrate stacks |
EP2523227A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | Applied Materials, Inc. | Thin-film solar fabrication process, deposition method for TCO layer, and solar cell precursor layer stack |
US8628996B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-01-14 | International Business Machines Corporation | Uniformly distributed self-assembled cone-shaped pillars for high efficiency solar cells |
TWI443846B (zh) * | 2011-11-01 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 透明導電層結構 |
KR101293647B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2013-08-13 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 투명 전도성 산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 광전지 |
WO2014026109A1 (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Ultra thin film nanostructured solar cell |
US8889456B2 (en) | 2012-08-29 | 2014-11-18 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating uniformly distributed self-assembled solder dot formation for high efficiency solar cells |
JP5934073B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2016-06-15 | ナショナル サイエンス アンド テクノロジー ディベロップメント エイジェンシーNational Science and Technology Development Agency | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2016029675A (ja) * | 2012-12-18 | 2016-03-03 | 株式会社カネカ | 薄膜太陽電池用透光性絶縁基板、及び集積型薄膜シリコン太陽電池 |
CN103508679B (zh) * | 2013-06-04 | 2016-06-15 | 漳州旗滨玻璃有限公司 | 一种透明导电氧化膜玻璃生产方法及镀膜装置 |
JP6037967B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2016-12-07 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置 |
JP6803018B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2020-12-23 | 株式会社Nsc | ガラス用エッチング液およびガラス基板製造方法 |
JP2022099748A (ja) | 2020-12-23 | 2022-07-05 | Tpr株式会社 | CrN被膜、及び摺動部材 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4419533A (en) * | 1982-03-03 | 1983-12-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device having incident radiation directing means for total internal reflection |
US4514582A (en) * | 1982-09-17 | 1985-04-30 | Exxon Research And Engineering Co. | Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate |
GB2188924B (en) * | 1986-04-08 | 1990-05-09 | Glaverbel | Matted glass, process of producing matted glass, photo-voltaic cell incorporating a glass sheet, and process of manufacturing such a cell |
US4808462A (en) * | 1987-05-22 | 1989-02-28 | Glasstech Solar, Inc. | Solar cell substrate |
JPH05198830A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
JP2504378B2 (ja) * | 1993-10-22 | 1996-06-05 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池基板の製造方法 |
US5782995A (en) * | 1993-11-05 | 1998-07-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar battery device and method of fabricating the same |
DE19514908C1 (de) | 1995-04-22 | 1996-04-18 | Ver Glaswerke Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls |
JPH1168131A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-09 | Citizen Watch Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
AUPP699798A0 (en) * | 1998-11-06 | 1998-12-03 | Pacific Solar Pty Limited | Thin films with light trapping |
JP4017281B2 (ja) * | 1999-03-23 | 2007-12-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
JP4397451B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2010-01-13 | Hoya株式会社 | 透明導電性薄膜及びその製造方法 |
JP2001060708A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明積層体およびこれを用いたガラス物品 |
US6787692B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-09-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Solar cell substrate, thin-film solar cell, and multi-junction thin-film solar cell |
-
2001
- 2001-11-28 FR FR0115353A patent/FR2832706B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-27 KR KR1020047007875A patent/KR100970428B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-27 CN CN028238095A patent/CN1596230B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-27 PT PT02796880T patent/PT1448490E/pt unknown
- 2002-11-27 EP EP02796880A patent/EP1448490B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-27 ES ES02796880T patent/ES2292846T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-27 WO PCT/FR2002/004059 patent/WO2003064344A1/fr active IP Right Grant
- 2002-11-27 AT AT02796880T patent/ATE370921T1/de active
- 2002-11-27 DE DE60222004T patent/DE60222004T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-27 JP JP2003563972A patent/JP2005515955A/ja active Pending
- 2002-11-27 MX MXPA04005088A patent/MXPA04005088A/es active IP Right Grant
- 2002-11-27 BR BRPI0214368-2A patent/BR0214368B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-11-27 US US10/495,438 patent/US7923626B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-24 JP JP2013011566A patent/JP2013136510A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1596230A (zh) | 2005-03-16 |
MXPA04005088A (es) | 2004-08-19 |
FR2832706B1 (fr) | 2004-07-23 |
JP2013136510A (ja) | 2013-07-11 |
JP2005515955A (ja) | 2005-06-02 |
PT1448490E (pt) | 2007-11-29 |
CN1596230B (zh) | 2012-04-04 |
US7923626B2 (en) | 2011-04-12 |
EP1448490A1 (fr) | 2004-08-25 |
EP1448490B1 (fr) | 2007-08-22 |
DE60222004D1 (de) | 2007-10-04 |
KR20040064285A (ko) | 2004-07-16 |
BR0214368A (pt) | 2004-11-30 |
WO2003064344A1 (fr) | 2003-08-07 |
FR2832706A1 (fr) | 2003-05-30 |
DE60222004T2 (de) | 2008-05-15 |
ATE370921T1 (de) | 2007-09-15 |
US20050016583A1 (en) | 2005-01-27 |
KR100970428B1 (ko) | 2010-07-15 |
ES2292846T3 (es) | 2008-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BR0214368B1 (pt) | estrutura compósita de substrato transparente e eletrodo. | |
US8119903B2 (en) | Method of manufacturing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell | |
US8017429B2 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion device | |
EP0360831A1 (en) | Solar cell substrate | |
BRPI1012893B1 (pt) | processo de obtenção de um substrato revestido sobre uma primeira face de pelo menos uma camada fina transparente e eletrocondutora à base de pelo menos um óxido | |
JP2003347572A (ja) | タンデム型薄膜光電変換装置とその製造方法 | |
KR20090015898A (ko) | 텍스쳐링된 투명 전도층 및 그 제조방법 | |
TWI521551B (zh) | 氧化鋅系透明導電膜及其製造方法與用途 | |
CN104969362A (zh) | 带表面电极的透明导电玻璃基板及其制造方法、以及薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
EP2728623A1 (en) | Thin film solar cell and method for manufacturing same | |
Brendel et al. | Sol—gel coatings for light trapping in crystalline thin film silicon solar cells | |
WO2011121922A1 (ja) | 透明導電膜付きガラス板およびその製造方法 | |
WO2012038592A1 (en) | Thin film photovoltaic module and process for its production | |
JP2005347444A (ja) | 光起電力素子 | |
JP2011014937A (ja) | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池の製造方法 | |
JP4412872B2 (ja) | シリコン基板の粗面化法及びそれを用いた太陽電池の形成方法 | |
WO2013031978A1 (ja) | 薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
JP2011129288A (ja) | 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置 | |
WO2011021615A1 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JP5588224B2 (ja) | 透明導電層付き透光性基板、透明導電層付き透光性基板の製造方法、および、その透明導電層付き透光性基板を用いた集積型薄膜光電変換装置 | |
JP2014038807A (ja) | 透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法 | |
Bunte et al. | HIGH RATE SPUTTERING OF ZNO: AL FROM ROTATING CATHODES AS FRONT CONTACT IN SILICON THIN FILM SOLAR CELLS | |
CN109346556A (zh) | 一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法 | |
JP2012044226A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2014093376A (ja) | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
B07A | Application suspended after technical examination (opinion) [chapter 7.1 patent gazette] | ||
B06A | Patent application procedure suspended [chapter 6.1 patent gazette] | ||
B09A | Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette] | ||
B16A | Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette] |
Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 20 (VINTE) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 27/11/2002, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS. |
|
B21F | Lapse acc. art. 78, item iv - on non-payment of the annual fees in time |
Free format text: REFERENTE A 12A ANUIDADE. |
|
B24J | Lapse because of non-payment of annual fees (definitively: art 78 iv lpi, resolution 113/2013 art. 12) |
Free format text: EM VIRTUDE DA EXTINCAO PUBLICADA NA RPI 2282 DE 30-09-2014 E CONSIDERANDO AUSENCIA DE MANIFESTACAO DENTRO DOS PRAZOS LEGAIS, INFORMO QUE CABE SER MANTIDA A EXTINCAO DA PATENTE E SEUS CERTIFICADOS, CONFORME O DISPOSTO NO ARTIGO 12, DA RESOLUCAO 113/2013. |