KR101194243B1 - 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 도전성 산화물층을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제1 단위전지, 상기 제1 단위전지 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제2 단위전지, 상기 제2 단위전지 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어지고, 상기 제2 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어지며, 상기 제1 전극의 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하이다.

Description

탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법{TANDEM PHOTOVOLTAIC APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지원에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양광 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
태양광 에너지를 전기 에너지로 직접 변환시켜주는 장치가 광기전력 장치, 즉 태양전지이다. 광기전력 장치는 주로 반도체 접합의 광기전력 현상을 이용한다. 즉, p형과 n형 불순물로 각각 도핑된 반도체 pin 접합에 빛이 입사되어 흡수되면 빛의 에너지가 반도체 내부에서 전자와 홀을 발생시키고 내부 전계에 의해 이들이 분리됨으로써 pin 접합 양단에 광기전력이 발생된다. 이 때 접합 양단에 전극을 형성하고 도선을 연결하면 전극 및 도선을 통하여 외부로 전류가 흐르게 된다.
석유와 같은 기존의 에너지원을 태양광 에너지원으로 대체해 가기 위해서는 광기전력 장치가 높은 광전변환효율을 제공해야 한다.
본 발명은 탠덤 p-i-n 타입 광기전력 장치에서 제1 전극의 표면 요철에 의한 제2 단위전지의 영향을 줄이기 위한 것이다.
본 발명의 광기전력 장치는 투명 도전성 산화물층을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제1 단위전지, 상기 제1 단위전지 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제2 단위전지, 상기 제2 단위전지상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어지고, 상기 제2 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어지며, 상기 제1 전극의 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하이다.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 기판 상에 투명 도전성 산화물층이 증착하고 상기 투명 도전성 산화물층의 표면을 에칭하여 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제1 단위전지를 형성하는 단계, 상기 제1 단위전지 상에 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제2 단위전지를 형성하는 단계 및 상기 제2 단위전지 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어지고, 상기 제2 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어지며, 상기 제1 전극의 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하이다.
본 발명은 제1 전극 형성시 에칭 공정을 수행함으로써 제1 전극이 마이크로 결정질 실리콘이나 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어진 제2 단위전지에 미치는 영향을 줄일 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 실시예에 따른 탄뎀형 광기전력 장치의 제조 과정을 나타낸다.
도 2는 에칭 공정이 이루어지지 않을 경우 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어진 제1 도전성 반도체층과 진성 반도체층을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제1 전극의 요철 피치를 나타낸다.
다음으로 도면을 참조하여 본 실시예가 상세히 설명된다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 실시예에 따른 탄뎀형 광기전력 장치의 제조 과정을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 레이저 패터닝 공정과 같이 단위 셀들의 직렬 연결 과정은 생략하도록 한다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 투명 도전성 산화물층이 증착된다. ZnO나 ITO와 같은 투명 도전성 산화물층이 증착될 경우 투명 도전성 산화물층의 표면에는 요철이 형성된다. 즉, 화학기상증착법 (CVD : Chemical Vapor Deposition)으로 투명 도전성 산화물층이 증착될 경우 투명 도전성 산화물층의 표면에는 도 1a과 같이 피라미드 모양의 날카로운 요철이 형성된다. 이 때 기판(100)은 우수한 광투과율을 지니며, 박막태양전지 내에서의 내부 단락을 방지할 수 있도록 투명절연성 재질로 이루어질 수 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 습식 에칭을 통하여 투명 도전성 산화물층의 표면 요철이 에칭된다. 이에 따라 표면의 요철이 완만하게 형성된 제1 전극(200)이 형성된다. 습식 에칭은 표면의 요철을 완만하게 하기 위한 공정 시간을 단축 시킬 수 있다. 즉, 습식 에칭은 건식 에칭에 비하여 에칭 속도가 빠르므로 제1 전극(200)의 형성 시간을 단축시킬 수 있다. 습식 에칭은 0.5% 이상 5% 이하 농도의 산성(acid) 수용액에 제1 전극(200)이 증착된 기판이 5 초 이상 20초 이하로 담궈짐으로써 이루어질 수 있다. 산성 수용액의 농도가 0.5%이하일 경우에는 식각율이 너무 낮게 되어 시간이 많이 소요되고, 5%이상일 경우에는 식각율이 너무 높아서 에칭을 제어하기 힘들어 표면 요철이 고르지 않게 되는 단점이 있다. 즉, 산성(acid) 수용액의 농도가 0.5% 이상 5% 이하이면, 식각이 제어되면서도 충분한 에칭이 이루어질 수 있다.
또한, 산성 수용액에 에칭이 이루어지는 시간이 5초 미만인 경우에는 에칭이 충분히 이루어지지 않을 수 있으며, 20초 초과인 경우에는 표면 요철이 너무 완만해져서 빛 가둠현상이 줄어들어 단락전류가 줄거나 산화아연이 너무 얇아져서 전도도가 줄게 되고, 곡선인자 또한 줄어들어 변환효율이 감소할 수 있다. 따라서 산성 수용액으로 식각하는 시간이 5 초 이상 20 초 이하인 경우, 짧은 시간 안에 완만한 표면 요철이 형성되면서도 빛 가둠 현상이나 단락 전류가 줄어들지 않고 전도도 및 곡선인자의 감소로 인한 변환효율의 감소가 방지될 수 있다.
이 때, 습식 에칭 공정으로 사용될 수 있는 산의 종류로는 염산(HCl), 인산(HPO3), 질산(HNO3), 아세트산(CH3COOH) 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
투명 도전성 산화물층의 에칭에 대해서는 이후에 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 제1 전극(200) 상에 제1 단위전지(300)가 형성된다. 제1 단위전지(300)는 순차적으로 적층된 제1 도전성 반도체층(310), 진성 반도체층(330) 및 제2 도전성 반도체층(350)을 포함한다. 본 발명의 실시예에서 제1 도전성 반도체층(310), 진성 반도체층(330) 및 제2 도전성 반도체층(350)은 각각 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층일 수 있다.
이 때 제1 전극(200) 상에 위치하는 제1 단위전지(300)의 진성 반도체층(330)은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 실시예에서 비정질 실리콘계 물질은 산소, 탄소 또는 질소와 같은 비실리콘계 원소를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 진성 반도체층(330)이 산소, 탄소 또는 질소를 포함할 경우, 진성 반도체층(330)은 수소화된 비정질 실리콘 옥사이드(a-SiO:H), 수소화된 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC:H) 또는 수소화된 비정질 실리콘 나이트라이드(a-SiN:H)를 포함할 수 있다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 제1 단위전지(300) 상에 제2 단위전지(400)가 형성된다. 제2 단위전지(400)는 순차적으로 적층된 제1 도전성 반도체층(410), 진성 반도체층(430) 및 제2 도전성 반도체층(450)을 포함한다. 본 발명의 실시예에서 제1 도전성 반도체층(410), 진성 반도체층(430) 및 제2 도전성 반도체층(450)은 각각 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층일 수 있다.
이 때 제2 단위전지(400)의 진성 반도체층(330)은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 실시예에서 마이크로 결정질 실리콘계 물질은 게르마늄과 같은 비실리콘계 원소를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 진성 반도체층(430)이 게르마늄을 포함할 경우, 진성 반도체층(430)은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 게르마늄(nc-SiGe:H)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서 제1 단위전지(300) 및 제2 단위전지(400)는 p-i-n 타입 단위전지이므로 빛은 기판(100)을 통하여 입사될 수 있다. 또한 제1 단위 전지(300)는 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질을 포함하고, 제2 단위전지(400)은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질을 포함한다.
도 1e에 도시된 바와 같이, 제2 단위전지(400) 상에 제2 전극(500)이 형성된다.
앞서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시예에서 투명 도전성 산화물층의 증착과 에칭이 이루어진다. 에칭 공정이 이루어지지 않을 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어진 진성 반도체층(330)을 포함하는 제1 단위전지(300)는 날카로운 피라미드 형상의 제1 전극(200)의 표면 상에 형성된다. 따라서 제1 전극(200) 상에 위치하는 제1 단위전지(300) 및 제2 단위전지(400)의 표면에 역시 날카로운 요철이 형성된다.
이 때 제2 단위전지(400)의 요철 중 'V'자형의 계곡 형상을 지닌 부분(600)은 크랙과 같이 작용하여 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질의 형성을 방해하고, 비정질의 인큐베이션막(700) 및 큰 체적의 입자경계(800)를 형성한다. 인큐베이션막(700) 및 입자경계(800)는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질에서 광생성된 전자-정공쌍 재결합의 중심으로 작용하여 광기전력 장치의 전체적인 특성을 저하시킨다.
따라서 본 발명의 실시예에서는 제1 전극(200) 표면에 요철이 형성된 후 에칭 공정이 이루어진다. 전극 표면의 요철에 대한 에칭이 이루어지면 도 3와 같은 광기전력 장치가 형성될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 피라미드 모양의 표면 요철이 에칭 공정을 통하여 완만하게 된다. 이에 따라 날카로운 피라미드 모양의 표면요철이 'U'자형의 완만한 표면요철로 변형된다. 이와 같이 완만한 표면요철을 지닌 제1 전극(200) 상에 제1 단위전지(300)가 형성되고 제1 단위전지(300) 상에 제2 단위전지(400)의 마이크로 결정질 실리콘이나 마이크로 결정질 실리콘계 물질이 증착될 경우 제2 단위전지(400)의 마이크로 결정질 실리콘이나 마이크로 결정질 실리콘계 물질의 형성이 원활하게 이루어지고 비정질의 인큐베이션막(400) 및 큰 체적의 입자경계(500)가 감소하므로 광기전력 장치의 특성이 향상된다.
이와 같이 에칭 공정에 의하여 형성된 제1 전극(200)의 표면에 형성된 요철의 평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기(Root Mean Square roughness)의 비는 0.05 이상 0.13 이하일 수 있다. 요철의 피치는 도 3에 도시된 바와 같이, 인접한 2개의 돌출부 사이의 거리(L)로서 요철의 평균 피치는 이러한 개별 피치들의 평균값이다. 실효 거칠기는 AFM (Atomic Force Microscope)으로 표면 단차를 일정 면적에서 측정한 후 다음 식을 통하여 구할 수 있다.
실효거칠기=
Figure 112010025128014-pat00001
이 때 Xi는 측정된 단차이고,
Figure 112010025128014-pat00002
는 평균 단차이다.
평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기가 0.05보다 작으면 투명 도전성 산화물층이 과도하게 평탄화되어 제1 전극(200)에 의한 빛 산란 효과가 감소할 수 있다. 또한 평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기가 0.13보다 크면 요철이 지나치게 거칠어져 큰 체적의 입자경계(500)가 형성될 수 있다.
이와 같이 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비가 0.05 이상 0.13 이하일 경우, 투명 도전성 산화물층의 두께는 1 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하일 수 있다.
에칭 공정에 따라 형성된 제1 전극(200) 에 대한 XRD (X-Ray Diffraction) θ-2θ geometry 측정시
Figure 112010025128014-pat00003
평면에 대한 피크(peak)가 (0002) 평면 및
Figure 112010025128014-pat00004
평면의 피크보다 우세할 경우 피라미드 형태의 요철이 형성되므로 에칭에 의하여 요철의 평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기(Root Mean Square roughness)의 비가 0.05 이상 0.13 이하일 수 있다.
에칭 공정에 따라 형성된 제1 전극(200)이 ZnO로 이루어진 경우, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)나 AUGER 전자분광기, SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometer)에 의하여 ZnO의 깊이에 대한 구조 및 조성 분석시 Zn/O의 비율은 1.1 이상 1.3 이하일 수 있다. Zn/O의 비율이 1.3 이하이며 빛의 투과율이 급격히 하락하는 것이 방지되고, Zn/O의 비율이1.1 이상이면 전기 전도도의 급격한 하락이 방지될 수 있다.
에칭에 따라 형성된 제1 전극(200)이 ZnO로 이루어진 경우, 제1 전극(200)의 수소함유농도는 1019/cm3 이상 1021/ cm3 이하일 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 수소는 ZnO의 얕은 준위 도너로서 ZnO의 전도도를 향상시키며 산소 공공(oxygen vacancy)과 같은 결함을 패시베이션시킬 수 있다. 수소함유농도는 1019/cm3 보다 작으면 ZnO의 전도도를 향상 및 패시베이션 작용이 저하될 수 있다. 수소함유농도가 1021/ cm3 보다 크면 불순물산란(impurity scattering)에 의한 이동도가 저하되고 자유 캐리어의 흡수에 의한 1000 nm 이상의 장파장 영역의 빛의 투과율이 감소할 수 있다.
증착 및 에칭 공정이 이루어질 경우 제1 전극(200)의 비저항은 2ⅹ10-3 Ωcm 이하이고, 이동도는 25 cm2/Vsec 이상일 수 있다. 또한 에칭에 따라 형성된 제1 전극(200)의 헤이즈 비(haze ratio)는 600 nm 의 빛에서 5 % 이상 20 % 이하일 수 있다. 또한 제1 전극(200)의 투과율은 400 nm 이상 800 nm 이하의 빛에서 80 % 이상일 수 있다.
한편 본 발명의 실시예는 p-i-n 타입 광기전력 장치일 수 있으며, 제1 단위전지(300)는 제2 단위전지(400)에 비하여 단파장 영역의 빛을 잘 흡수하고, 제2 단위전지(400)는 제1 단위전지(300)에 비하여 장파장 영역의 빛을 잘 흡수할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예와 같이 p-i-n 타입 탄뎀 광기전력 장치의 경우, 기판(100)을 통하여 빛이 입사되므로 제1 전극(200)은 투명 도전성 산화물층으로 이루어지고, 제1 단위전지(300)는 단파장 영역의 빛을 잘 흡수하기 위하여 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어질 수 있다. 이 때 투명 도전성 산화물층의 표면에 요철이 형성되고, 표면 요철에 의하여 이루어진 제2 단위전지(400)의 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질에 비정질의 인큐베이션막(700) 및 큰 체적의 입자경계(800)가 형성될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예의 경우 투명 도전성 산화물층 증착 후 에칭 공정이 실시됨으로써 p-i-n 타입 탄뎀 광기전력 장치의 특성이 향상될 수 있다.
다음으로 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치에 대해 설명된다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치는 기판(100), 제1 전극(200), 제1 단위전지(300), 제2 단위전지(400) 및 제2 전극(500)을 포함한다.
제1 전극(200)은 투명 도전성 산화물층을 포함하며, 제1 전극(200)의 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하일 수 있다.
제1 단위전지(300)는 제1 전극(200) 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함한다. 제1 단위전지(300)의 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어진다.
제2 단위전지(400)는 제1 단위전지(300) 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함한다. 제2 단위전지(400)의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어진다.
제2 전극(500)은 제2 단위전지(400) 상에 위치한다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 특징들은 앞서 설명되었으므로 생략된다.
100 : 기판 200 : 제1 전극
300 : 제1 단위전지 400 : 제2 단위전지
500 : 제2 전극

Claims (16)

  1. 투명 도전성 산화물층을 포함하는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제1 단위전지;
    상기 제1 단위전지 상에 위치하며 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제2 단위전지;
    상기 제2 단위전지상에 위치하는 제2 전극을 포함하며,
    상기 제1 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어지고,
    상기 제2 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어지며,
    상기 제1 전극의 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하이며,
    상기 투명 도전성 산화물층의 두께는 1 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화물층에 대한 XRD θ-2θ geometry 측정시
    Figure 112010025128014-pat00005
    평면에 대한 피크(peak)가 (0002) 평면 및
    Figure 112010025128014-pat00006
    평면의 피크보다 우세한 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명 도전성 산화물층을 포함하고, Zn/O의 비율은 1.1 이상 1.3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명 도전성 산화물층을 포함하고,
    상기 투명 도전성 산화물층의 수소함유농도는 1019/cm3 이상 1021/ cm3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화물층의 비저항은 2ⅹ10-3 Ωcm 이하이고, 이동도는 25 cm2/Vsec 이상인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  7. 삭제
  8. 기판 상에 투명 도전성 산화물층이 증착하고 상기 투명 도전성 산화물층의 표면을 에칭하여 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제1 단위전지를 형성하는 단계;
    상기 제1 단위전지 상에 순차적으로 적층된 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함하는 제2 단위전지를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 단위전지 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘 또는 수소화된 비정질 실리콘계 물질로 이루어지고,
    상기 제2 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로 결정질 실리콘 또는 수소화된 마이크로 결정질 실리콘계 물질로 이루어지며,
    상기 제1 전극의 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화물층의 두께는 1 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화물층에 대한 XRD θ-2θ geometry 측정시
    Figure 112010025128014-pat00007
    평면에 대한 피크(peak)가 (0002) 평면 및
    Figure 112010025128014-pat00008
    평면의 피크보다 우세한 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명 도전성 산화물층을 포함하고, Zn/O의 비율은 1.1 이상 1.3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명 도전성 산화물층을 포함하고,
    상기 투명 도전성 산화물층의 수소함유농도는 1019/cm3 이상 1021/ cm3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 투명 도전성 산화물층의 비저항은 2ⅹ10-3 Ωcm 이하이고, 이동도는 25 cm2/Vsec 이상인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제8항에 있어서,
    상기 에칭은 습식 에칭 공정에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 에칭은 0.5% 이상 5% 이하 농도의 산성 수용액에 상기 제1 전극이 증착된 기판이 5 초 이상 20초 이하로 담궈짐으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
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