JPH05198830A - 光電変換装置作製方法 - Google Patents
光電変換装置作製方法Info
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- JPH05198830A JPH05198830A JP4179181A JP17918192A JPH05198830A JP H05198830 A JPH05198830 A JP H05198830A JP 4179181 A JP4179181 A JP 4179181A JP 17918192 A JP17918192 A JP 17918192A JP H05198830 A JPH05198830 A JP H05198830A
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- electrode
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- semiconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 透光性基板の主面に鋸状の凹凸表面を有せし
めることにより、その表面積を大きくし、光に対しては
長光路となり、キャリア特にホ−ルに対しては実質的に
短光路とならしめることにより、光照射光面側の光電変
換効率を向上させることを目的とする。 【構成】 離型材２を介して凹凸を有する母材１と基板
３とを接触させることにより凹凸を有する基板３を作製
した後、該基板上に第１の電極４、光照射により光起電
力を発生する半導体５、第２の電極を形成する。
めることにより、その表面積を大きくし、光に対しては
長光路となり、キャリア特にホ−ルに対しては実質的に
短光路とならしめることにより、光照射光面側の光電変
換効率を向上させることを目的とする。 【構成】 離型材２を介して凹凸を有する母材１と基板
３とを接触させることにより凹凸を有する基板３を作製
した後、該基板上に第１の電極４、光照射により光起電
力を発生する半導体５、第２の電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透光性基板の主面上に
透光性導電膜よりなる第一の電極と、該電極上にＰＩＮ
またはＰＮ接合を少なくともひとつ有する、光照射によ
り光起電力を発生する非単結晶半導体と、該半導体上に
第二の電極（裏面電極）を有する光電変換装置（以下Ｐ
ＶＣという）に関する。
透光性導電膜よりなる第一の電極と、該電極上にＰＩＮ
またはＰＮ接合を少なくともひとつ有する、光照射によ
り光起電力を発生する非単結晶半導体と、該半導体上に
第二の電極（裏面電極）を有する光電変換装置（以下Ｐ
ＶＣという）に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】従来ＰＶＣは図１にそ
の縦断面図を示すが、平坦な表面を有するガラス基板
（３）上にＣＴＦ（４）をＩＴＯ、ＳｎＯ2 等を、電子
ビ−ム蒸着法またはスプレ−法で、１層または２層に形
成することが知られている。このＣＴＦをスプレ−法で
形成する場合、ＩＴＯ（酸化インジュ−ム酸化スズ化合
物）を１５００〜２０００Åの平均厚さに形成し、さら
にこの上面に酸化スズを２００〜５００Åの厚さに形成
する。するとこのＣＴＦの表面は０．３〜０．７μの平
均粒径を有する凹（１４）、凸（１３）（但しその高低
差はその粒径の１／４程度しか生じさせることができな
い）を構成させることができる。このため半導体即ちＰ
型半導体例えばＳｉｘＣ1-x （０＜ｘ＜１）（５）Ｎ型
半導体（７）よりなるＰＩＮ接合を有する非単結晶半導
体（４）を積層して設け、さらに第二の電極（８）を形
成する時、入射光（１０）を半導体中で（２１）のごと
くに曲げることが可能である。その結果半導体中で入射
光（２１）を乱反射させることができるため、その結果
長波長光を有効に用いることができることが知られてい
る。
の縦断面図を示すが、平坦な表面を有するガラス基板
（３）上にＣＴＦ（４）をＩＴＯ、ＳｎＯ2 等を、電子
ビ−ム蒸着法またはスプレ−法で、１層または２層に形
成することが知られている。このＣＴＦをスプレ−法で
形成する場合、ＩＴＯ（酸化インジュ−ム酸化スズ化合
物）を１５００〜２０００Åの平均厚さに形成し、さら
にこの上面に酸化スズを２００〜５００Åの厚さに形成
する。するとこのＣＴＦの表面は０．３〜０．７μの平
均粒径を有する凹（１４）、凸（１３）（但しその高低
差はその粒径の１／４程度しか生じさせることができな
い）を構成させることができる。このため半導体即ちＰ
型半導体例えばＳｉｘＣ1-x （０＜ｘ＜１）（５）Ｎ型
半導体（７）よりなるＰＩＮ接合を有する非単結晶半導
体（４）を積層して設け、さらに第二の電極（８）を形
成する時、入射光（１０）を半導体中で（２１）のごと
くに曲げることが可能である。その結果半導体中で入射
光（２１）を乱反射させることができるため、その結果
長波長光を有効に用いることができることが知られてい
る。
【０００３】しかしかかる従来例においては、平坦な表
面を有する透光性基板上に単にスプレ−法によるディポ
ジッションのクラスタでできた凸部表面のなめらかな鱗
状（電子顕微鏡でみると魚の鱗のごとき形状を有するた
め鱗状という）の曲面を有するのみであり、凹凸の高低
差はその粒径の１／４程度しか生じさせることができな
いため、十分とはいえない。このためさらにこの形状を
積極的に用いることが求められている。さらにかかる従
来方法においては、基板（３）、ＣＴＦ（４）界面での
反射（２０）に対してまったく有効でないことが判明し
た。かかる従来方法ではその光電変換効率（以下単に効
率という）は７％（７〜７．９％）までであり、最高
７．９３％までしか得られなかった。
面を有する透光性基板上に単にスプレ−法によるディポ
ジッションのクラスタでできた凸部表面のなめらかな鱗
状（電子顕微鏡でみると魚の鱗のごとき形状を有するた
め鱗状という）の曲面を有するのみであり、凹凸の高低
差はその粒径の１／４程度しか生じさせることができな
いため、十分とはいえない。このためさらにこの形状を
積極的に用いることが求められている。さらにかかる従
来方法においては、基板（３）、ＣＴＦ（４）界面での
反射（２０）に対してまったく有効でないことが判明し
た。かかる従来方法ではその光電変換効率（以下単に効
率という）は７％（７〜７．９％）までであり、最高
７．９３％までしか得られなかった。
【０００４】
【発明の目的】本発明はこの透光性基板の主面に鋸状の
凹凸表面を有せしめることにより、その表面積を大きく
し、光に対しては長光路となり、キャリア特にホ−ルに
対しては実質的に短光路とならしめることにより、光照
射光面側の光電変換効率を向上させることを目的として
いる。
凹凸表面を有せしめることにより、その表面積を大きく
し、光に対しては長光路となり、キャリア特にホ−ルに
対しては実質的に短光路とならしめることにより、光照
射光面側の光電変換効率を向上させることを目的として
いる。
【０００５】
【問題を解決する手段】本発明は離型材を介して凹凸を
有する母材と基板とを接触させることにより凹凸を有す
る基板を作製した後、該基板上に第１の電極、光照射に
より光起電力を発生する半導体、第２の電極を形成する
ことを特徴としている。すなわち本発明は透光性基板上
に鋸状の凹凸を作るため、鋸状の凹凸を有する母材をス
タンプのごとくにして離型材を介在させて透光性基板表
面に転写せしめることにより、入射光面側の基板それ自
体に凹凸面を有せしめ、該基板上に光電変換装置を作製
するものである。本発明はかかる鋸状の凹凸を有せしめ
るため、特にその鋸状の角度を７０．５°またはその近
傍（±２０°以内）を有し、基板と透光性導電膜である
第一の電極の反射防止膜との界面に入射光が２回照射さ
れることにより、その界面での反射を少なくすることを
特徴としている。
有する母材と基板とを接触させることにより凹凸を有す
る基板を作製した後、該基板上に第１の電極、光照射に
より光起電力を発生する半導体、第２の電極を形成する
ことを特徴としている。すなわち本発明は透光性基板上
に鋸状の凹凸を作るため、鋸状の凹凸を有する母材をス
タンプのごとくにして離型材を介在させて透光性基板表
面に転写せしめることにより、入射光面側の基板それ自
体に凹凸面を有せしめ、該基板上に光電変換装置を作製
するものである。本発明はかかる鋸状の凹凸を有せしめ
るため、特にその鋸状の角度を７０．５°またはその近
傍（±２０°以内）を有し、基板と透光性導電膜である
第一の電極の反射防止膜との界面に入射光が２回照射さ
れることにより、その界面での反射を少なくすることを
特徴としている。
【０００６】本発明はかかる凸部／凹部は概略１とな
り、かつそのピッチは０．０１〜１０μ（高低差は０．
０５〜７μ）としている。このようにすることにより、
入射光側表面での照射光を複反射せしめることにより、
透光性基板上の第一の電極を構成する透光性導電膜（以
下ＣＴＦという）と半導体との界面での反射を少なく
し、加えて基板とＣＴＦとの界面での反射総量を少なく
することができる。その結果入射光の反射量をこれまで
の２０〜３０％より６〜８％にまで下げることができる
ようになり、そのため変換効率を１０〜１５％も向上さ
せることができた。
り、かつそのピッチは０．０１〜１０μ（高低差は０．
０５〜７μ）としている。このようにすることにより、
入射光側表面での照射光を複反射せしめることにより、
透光性基板上の第一の電極を構成する透光性導電膜（以
下ＣＴＦという）と半導体との界面での反射を少なく
し、加えて基板とＣＴＦとの界面での反射総量を少なく
することができる。その結果入射光の反射量をこれまで
の２０〜３０％より６〜８％にまで下げることができる
ようになり、そのため変換効率を１０〜１５％も向上さ
せることができた。
【０００７】さらに本発明は半導体中に入射した光の短
波長での量子効率を向上させることができる。すなわち
５００ｎｍ以下の短波長に対する光路を長くし、かつこ
の光励起で発生した電子・ホ−ル対のうちの一方特に好
ましくはホ−ルのドリフトする拡散長を短くすることに
より、キャリアのライフタイムより十分短い時間にＣＴ
Ｆを到達せしめることにより、その量子効率を４００ｎ
ｍにて従来の６０％、５００ｎｍにて８０％であったも
のを、４００ｎｍにて８５％、５００ｎｍにて９５％に
まで高めることができた。これらの効果が複合化して従
来の構造ではＡＭ１（１００ｍＷ／ｃｍ2 ）の照射下で
７％までしか得られなかったものを、一気に１０．３〜
１１．８％にまで高めることができた。
波長での量子効率を向上させることができる。すなわち
５００ｎｍ以下の短波長に対する光路を長くし、かつこ
の光励起で発生した電子・ホ−ル対のうちの一方特に好
ましくはホ−ルのドリフトする拡散長を短くすることに
より、キャリアのライフタイムより十分短い時間にＣＴ
Ｆを到達せしめることにより、その量子効率を４００ｎ
ｍにて従来の６０％、５００ｎｍにて８０％であったも
のを、４００ｎｍにて８５％、５００ｎｍにて９５％に
まで高めることができた。これらの効果が複合化して従
来の構造ではＡＭ１（１００ｍＷ／ｃｍ2 ）の照射下で
７％までしか得られなかったものを、一気に１０．３〜
１１．８％にまで高めることができた。
【０００８】本発明は（１００）面またはその近傍の面
（一般に（１１ｎ）面を有しｎ≧３例えばｎ＝５におい
ては（１１５）であるをもって近傍とする）好ましくは
（１００）面を有する珪素単結晶の表面をＡＰＷ（エチ
レンジアミン、ピロカテコ−ル、水の混合液）によりエ
ッチングをすることによりＶ型溝を有する、即ち７０．
５°またはその近傍の角度の鋸状表面を有する母材を作
り、この透光性基板の主面の「型」として透光性基板を
作ることにより、鋸状の表面を有するとともに、その凹
凸はすべてが概略同一形状の鋸状を有せしめた透光性基
板を形成したものである。さらに本発明はかかる鋸状の
主面に添ってＣＴＦが形成されるように、このＣＴＦを
減圧気相法またはプラズマ気相法により作製した。
（一般に（１１ｎ）面を有しｎ≧３例えばｎ＝５におい
ては（１１５）であるをもって近傍とする）好ましくは
（１００）面を有する珪素単結晶の表面をＡＰＷ（エチ
レンジアミン、ピロカテコ−ル、水の混合液）によりエ
ッチングをすることによりＶ型溝を有する、即ち７０．
５°またはその近傍の角度の鋸状表面を有する母材を作
り、この透光性基板の主面の「型」として透光性基板を
作ることにより、鋸状の表面を有するとともに、その凹
凸はすべてが概略同一形状の鋸状を有せしめた透光性基
板を形成したものである。さらに本発明はかかる鋸状の
主面に添ってＣＴＦが形成されるように、このＣＴＦを
減圧気相法またはプラズマ気相法により作製した。
【０００９】本発明はかくのごとく被形成面が鋸状の凹
凸表面を有するため、その後工程を電子ビ−ム蒸着法ま
たはスプレ−法等を用いるのではなくプラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法という）または減圧気相法（ＬＰＣＶＤ法
という）を用いて、ＣＴＦまたはこのＣＴＦ上に形成さ
れる非単結晶半導体膜を形成した。
凸表面を有するため、その後工程を電子ビ−ム蒸着法ま
たはスプレ−法等を用いるのではなくプラズマ気相法
（ＰＣＶＤ法という）または減圧気相法（ＬＰＣＶＤ法
という）を用いて、ＣＴＦまたはこのＣＴＦ上に形成さ
れる非単結晶半導体膜を形成した。
【００１０】本発明はかかる長波長光を乱反射させるこ
とにより、６００ｎｍ以上の長波長光の量子効率を高め
るのみでなく、短波長光を有効に用い、加えて基板─Ｃ
ＴＦ界面、ＣＴＦ−半導体界面での屈折率の差による反
射を複反射せしめることによりさらに短波長光による光
路長／キャリアの拡散長を従来の値１より１．５〜７に
まで高めることができた。
とにより、６００ｎｍ以上の長波長光の量子効率を高め
るのみでなく、短波長光を有効に用い、加えて基板─Ｃ
ＴＦ界面、ＣＴＦ−半導体界面での屈折率の差による反
射を複反射せしめることによりさらに短波長光による光
路長／キャリアの拡散長を従来の値１より１．５〜７に
まで高めることができた。
【００１１】特に３００〜５００ｎｍの短波長光は半導
体中で２０００Åまで９０％以上が光電変換するが、こ
のうちのキャリアであるホールは平坦面電極にまで到達
することができない。すなわち光路長（オプティカルレ
ングスＯＬ）／キャリアの拡散長（ディフュ−ジョンレ
ングスＤＬ）即ちＯ／Ｄ １においては、光励起された
キャリアはその光が侵入したと同じ長さを電極まで拡散
しなくてはならない。しかし本発明においては、このＯ
／Ｄ １．５〜７一般には２〜３とすることができるた
め、結果としての３００〜５００ｎｍにおける量子効率
を向上させることが可能となった。以下図面に沿って本
願発明の実施例を示す。
体中で２０００Åまで９０％以上が光電変換するが、こ
のうちのキャリアであるホールは平坦面電極にまで到達
することができない。すなわち光路長（オプティカルレ
ングスＯＬ）／キャリアの拡散長（ディフュ−ジョンレ
ングスＤＬ）即ちＯ／Ｄ １においては、光励起された
キャリアはその光が侵入したと同じ長さを電極まで拡散
しなくてはならない。しかし本発明においては、このＯ
／Ｄ １．５〜７一般には２〜３とすることができるた
め、結果としての３００〜５００ｎｍにおける量子効率
を向上させることが可能となった。以下図面に沿って本
願発明の実施例を示す。
【００１２】
【実施例】図１は本発明方法によって作製されたＰＶＣ
の一実施例のたて断面図を示している。図面において透
光性基板（１）はここではガラスを用いた。さらにこの
基板の主面は凸部（１３）、凹部（１４）の鋸状を有
し、その角度は７０．５°またはその近傍（±２０°以
内）を有している。さらに凸部の先端部または凹部の底
部は曲面（断面は円形状、曲率半径２００Å〜２μ）の
表面を有している。またこのピッチは０．１〜１０μ
（高低差は０．０５〜２μ）を有している。
の一実施例のたて断面図を示している。図面において透
光性基板（１）はここではガラスを用いた。さらにこの
基板の主面は凸部（１３）、凹部（１４）の鋸状を有
し、その角度は７０．５°またはその近傍（±２０°以
内）を有している。さらに凸部の先端部または凹部の底
部は曲面（断面は円形状、曲率半径２００Å〜２μ）の
表面を有している。またこのピッチは０．１〜１０μ
（高低差は０．０５〜２μ）を有している。
【００１３】さらにこの鋸状の表面にそって第一の電極
を構成し、反射防止膜も兼用したＣＴＦ（４）を１５０
０〜２０００Åの厚さとし、そのＣＴＦの表面は酸化ス
ズを主成分としている。
を構成し、反射防止膜も兼用したＣＴＦ（４）を１５０
０〜２０００Åの厚さとし、そのＣＴＦの表面は酸化ス
ズを主成分としている。
【００１４】さらにこのＣＴＦに密接してＰＣＶＤ法ま
たはＬＰＣＶＤ法で得られたＰ型非単結晶半導体例えば
約１００Åの厚さのＳｉｘＣ1-x （０＜ｘ＜１例えばｘ
＝０．８）（６）を有し、この上面をホウ素が１０15〜
１０17ｃｍ-3添加されたＩ型半導体（７）例えばグロ−
放電法により作られた珪素またはセミアモルファス珪素
半導体を平均厚さ０．４〜０．７μを有し、さらに約１
００〜２００Åの厚さのＮ型の多結晶または微結晶の珪
素半導体（８）よりなるひとつのＰＩＮ接合を有する非
単結晶半導体（５）を有し、さらにこの上面に第二の電
極（９）をＰＣＶＤ法又は電子ビ−ム蒸着法により第二
のＣＴＦ（１１）例えばＩＴＯを９００〜１３００Åの
平均厚さ好ましくは１０５０Åの厚さに形成し、その上
面の反射用電極（１２）はアルミニュ−ムまたは銀を主
成分として設けられている。かかる構造において得られ
た特性を図１の従来構造と比較すると表１のごとくであ
る。
たはＬＰＣＶＤ法で得られたＰ型非単結晶半導体例えば
約１００Åの厚さのＳｉｘＣ1-x （０＜ｘ＜１例えばｘ
＝０．８）（６）を有し、この上面をホウ素が１０15〜
１０17ｃｍ-3添加されたＩ型半導体（７）例えばグロ−
放電法により作られた珪素またはセミアモルファス珪素
半導体を平均厚さ０．４〜０．７μを有し、さらに約１
００〜２００Åの厚さのＮ型の多結晶または微結晶の珪
素半導体（８）よりなるひとつのＰＩＮ接合を有する非
単結晶半導体（５）を有し、さらにこの上面に第二の電
極（９）をＰＣＶＤ法又は電子ビ−ム蒸着法により第二
のＣＴＦ（１１）例えばＩＴＯを９００〜１３００Åの
平均厚さ好ましくは１０５０Åの厚さに形成し、その上
面の反射用電極（１２）はアルミニュ−ムまたは銀を主
成分として設けられている。かかる構造において得られ
た特性を図１の従来構造と比較すると表１のごとくであ
る。
【００１５】
【表１】
【００１６】上記効率は面積１．０５ｃｍ（３．５ｍｍ
×３ｃｍ）においてＡＭ１（１００ｍＷ／ｃｍ2 ）の照
射光を照射した場合の特性である。このことより本発明
方法においては、従来よりも７３％もその効率を向上さ
せることができるという大きな特徴を有する。
×３ｃｍ）においてＡＭ１（１００ｍＷ／ｃｍ2 ）の照
射光を照射した場合の特性である。このことより本発明
方法においては、従来よりも７３％もその効率を向上さ
せることができるという大きな特徴を有する。
【００１７】図３は本発明の効果を示す概要である。図
３においてガラス基板（３）の主面が鋸状の凸部（１
３）、凹部（１４）を有し、その上面にＣＴＦ（４）、
Ｐ層（６）、Ｉ層（７）、Ｎ層（８）よりなるＰＩＮ接
合を少なくともひとつ有する半導体（５）、裏面電極
（９）を有する。図において入射光（１０）は基板
（３）─ＣＴＦ（４）界面にて第一の反射（２０）をす
るが、再び他のガラス（３）─ＣＴＦ（４）界面に致
り、第二の反射（２３）をする。この二回の照射によ
り、半導体中に(21),(21')の入射がおき、半導体中に９
３％以上の光を入射させてしまうことができた。すなわ
ち反射は大気−ガラス界面の（２６）のみに実質的にす
ることができる。
３においてガラス基板（３）の主面が鋸状の凸部（１
３）、凹部（１４）を有し、その上面にＣＴＦ（４）、
Ｐ層（６）、Ｉ層（７）、Ｎ層（８）よりなるＰＩＮ接
合を少なくともひとつ有する半導体（５）、裏面電極
（９）を有する。図において入射光（１０）は基板
（３）─ＣＴＦ（４）界面にて第一の反射（２０）をす
るが、再び他のガラス（３）─ＣＴＦ（４）界面に致
り、第二の反射（２３）をする。この二回の照射によ
り、半導体中に(21),(21')の入射がおき、半導体中に９
３％以上の光を入射させてしまうことができた。すなわ
ち反射は大気−ガラス界面の（２６）のみに実質的にす
ることができる。
【００１８】この基板をその凹凸の鋸状（鋸の歯状）の
角度をすべて同じとし、その角度を約７０．５°とする
ため、入射光はすべて二回入射することにより、従来例
のごとく制御された凹凸を有さない一部のみの入射光が
乱反射するのに比べて、きわめて照射光の利用効率が高
いという大きな特徴を有する。
角度をすべて同じとし、その角度を約７０．５°とする
ため、入射光はすべて二回入射することにより、従来例
のごとく制御された凹凸を有さない一部のみの入射光が
乱反射するのに比べて、きわめて照射光の利用効率が高
いという大きな特徴を有する。
【００１９】さらに本発明構造は、この鋸状の形状が制
御されているため、上下の電極間がショ−トして歩留り
を低下させることがないという他の特徴を有する。また
ＣＴＦ（４）に入った光はＣＴＦ−半導体界面で反射
（２２）しても結局より高い屈折率の半導体中（２１）
に入り込んでしまう。
御されているため、上下の電極間がショ−トして歩留り
を低下させることがないという他の特徴を有する。また
ＣＴＦ（４）に入った光はＣＴＦ−半導体界面で反射
（２２）しても結局より高い屈折率の半導体中（２１）
に入り込んでしまう。
【００２０】また半導体中では光励起によって発生した
電子（１６），ホ−ル（１７）対のうち、電子は凹部
（１４）の中央部（１５）を通って（最も安定なエネル
ギ−レベル）第二の電極に致る。電子は拡散長がホ−ル
に比べて１０００倍もあるため、Ｉ層（６）が平均０．
３〜０．８μ例えば０．５μあっても、そのドリフトは
問題ない。さらにこの電子は裏面（９）の凹部（１４）
に致るため、そのドリフト距離を実効的にさらに短くす
ることができた。
電子（１６），ホ−ル（１７）対のうち、電子は凹部
（１４）の中央部（１５）を通って（最も安定なエネル
ギ−レベル）第二の電極に致る。電子は拡散長がホ−ル
に比べて１０００倍もあるため、Ｉ層（６）が平均０．
３〜０．８μ例えば０．５μあっても、そのドリフトは
問題ない。さらにこの電子は裏面（９）の凹部（１４）
に致るため、そのドリフト距離を実効的にさらに短くす
ることができた。
【００２１】他方電子の１／１０００程度しかないホ−
ルはそのドリフト距離が（２７）とＣＴＦのすぐ近くに
あるため、結果として再結合中心に捕獲され、消滅する
ことがまぬがれる。このためＯＬ／ＤＬ＞１特に２〜１
０とする本発明はきわめて重要なものであることがわか
った。
ルはそのドリフト距離が（２７）とＣＴＦのすぐ近くに
あるため、結果として再結合中心に捕獲され、消滅する
ことがまぬがれる。このためＯＬ／ＤＬ＞１特に２〜１
０とする本発明はきわめて重要なものであることがわか
った。
【００２２】すなわちこの基板の表面が鋸状を有するこ
とは、ホ−ルにとっても電子にとっても、そのドリフト
長をともに短くすることができ、さらにその電極との接
触面積を大きくすることにより電極−半導体界面での接
触抵抗を少なくすることができるという他の特徴をも有
する。
とは、ホ−ルにとっても電子にとっても、そのドリフト
長をともに短くすることができ、さらにその電極との接
触面積を大きくすることにより電極−半導体界面での接
触抵抗を少なくすることができるという他の特徴をも有
する。
【００２３】さらにこの基板での凹凸の表面がプラズマ
ＣＶＤまたはＬＰＣＶＤで作られる半導体（４）の表面
（半導体（７）−電極（８）界面）をも合わせて凹凸を
誘発し、この凹凸面が５００Å〜７μ一般には０．１〜
１μもの高低差を有するため、裏面での長波長光（２
４），（２４’）の反射光（２５），（２５’）もその
光路を長くすることができる。このため裏面電極での凹
凸は、結果的にさらにすぐれた効果の向上を促すことが
できる。特に６００ｎｍ以上の長波長光をより長時間
（長光路）半導体中にとじこめておくことができ、長波
長領域での量子効率の向上を促すことができた。
ＣＶＤまたはＬＰＣＶＤで作られる半導体（４）の表面
（半導体（７）−電極（８）界面）をも合わせて凹凸を
誘発し、この凹凸面が５００Å〜７μ一般には０．１〜
１μもの高低差を有するため、裏面での長波長光（２
４），（２４’）の反射光（２５），（２５’）もその
光路を長くすることができる。このため裏面電極での凹
凸は、結果的にさらにすぐれた効果の向上を促すことが
できる。特に６００ｎｍ以上の長波長光をより長時間
（長光路）半導体中にとじこめておくことができ、長波
長領域での量子効率の向上を促すことができた。
【００２４】また基板（３）の鋸状（鋸の歯状）の角度
（３３）は、母材を（１００）を有する珪素基板の角度
選択エッチを行うため、約７０．５°と一定であり、ま
たそのピッチ（３３）、高低差（３４）を基板のすべて
においてほぼ一様とすることができる。このため一部の
凸部が極端に大きく、そこでの上下電極間のシヨ−トに
よる歩留り低下がないという他の特徴を有する。
（３３）は、母材を（１００）を有する珪素基板の角度
選択エッチを行うため、約７０．５°と一定であり、ま
たそのピッチ（３３）、高低差（３４）を基板のすべて
においてほぼ一様とすることができる。このため一部の
凸部が極端に大きく、そこでの上下電極間のシヨ−トに
よる歩留り低下がないという他の特徴を有する。
【００２５】裏面電極（９）として金属を用いずＣＴＦ
のみとすると長波長光を裏面より外部に放出せしめるこ
とができ、この裏面上方に太陽熱利用の装置を併用する
ことが他の重要な応用として工業上効果的である。この
長波長光に関しては、図２に示すごとく裏面電極をＣＴ
Ｆと反射用電極とすることによりさらにその反射効率を
高めることができるの当然である。
のみとすると長波長光を裏面より外部に放出せしめるこ
とができ、この裏面上方に太陽熱利用の装置を併用する
ことが他の重要な応用として工業上効果的である。この
長波長光に関しては、図２に示すごとく裏面電極をＣＴ
Ｆと反射用電極とすることによりさらにその反射効率を
高めることができるの当然である。
【００２６】図４は本発明方法の製造工程の一実施例を
示したものである。母材（１）は（１００）面を有する
珪素単結晶をもちいた。さらにこの上面を十分清浄と
し、自然不純物を除去した。さらにこの上面に選択的に
酸化珪素をドット状または網目状に形成させた。ドット
状に形成させるには、塗付法にもちいられるガラス（酸
化珪素ガラス）溶液をアルコ−ルにて希釈して、スプレ
−法にて飛散塗付し、各ドットがその大きさを１００Å
〜０．３μ例えば５００Åの半球粒とし、この粒をその
間隔を０．０１〜０．５μ例えば約１０００Åとして形
成した。さらにこれを５００〜６００℃の空気中で焼成
して酸化珪素粒とした。
示したものである。母材（１）は（１００）面を有する
珪素単結晶をもちいた。さらにこの上面を十分清浄と
し、自然不純物を除去した。さらにこの上面に選択的に
酸化珪素をドット状または網目状に形成させた。ドット
状に形成させるには、塗付法にもちいられるガラス（酸
化珪素ガラス）溶液をアルコ−ルにて希釈して、スプレ
−法にて飛散塗付し、各ドットがその大きさを１００Å
〜０．３μ例えば５００Åの半球粒とし、この粒をその
間隔を０．０１〜０．５μ例えば約１０００Åとして形
成した。さらにこれを５００〜６００℃の空気中で焼成
して酸化珪素粒とした。
【００２７】この後この焼成を経ても粒のない部分の１
０〜５０Åの厚さの酸化珪素膜を１／１０弗酸（弗酸を
１０倍の水で希釈したもの）にて除去して出発材料とし
た。また網目状に形成させるには、以下のごとくとし
た。すなわち網の幅０．５〜２．５μ、短形鋸歯の開穴
は１〜１０μとし、この網目は＜１１０＞方向に配向さ
せた。すなわち（１００）面の珪素基板の表面を清浄に
した後、１１００℃の酸素中で熱酸化して、５００〜１
０００Åの厚さの酸化珪素膜を形成した。この後この上
面にフォトレジストを塗付し、フォトエッチング法にて
網目状のパタ−ンを形成した。さらにこのレジスト膜を
マスクとして、短形部の酸化珪素膜を１／１０弗酸にて
除去した。かくして網が＜１１０＞に配向して、網目状
の酸化珪素膜を形成した。
０〜５０Åの厚さの酸化珪素膜を１／１０弗酸（弗酸を
１０倍の水で希釈したもの）にて除去して出発材料とし
た。また網目状に形成させるには、以下のごとくとし
た。すなわち網の幅０．５〜２．５μ、短形鋸歯の開穴
は１〜１０μとし、この網目は＜１１０＞方向に配向さ
せた。すなわち（１００）面の珪素基板の表面を清浄に
した後、１１００℃の酸素中で熱酸化して、５００〜１
０００Åの厚さの酸化珪素膜を形成した。この後この上
面にフォトレジストを塗付し、フォトエッチング法にて
網目状のパタ−ンを形成した。さらにこのレジスト膜を
マスクとして、短形部の酸化珪素膜を１／１０弗酸にて
除去した。かくして網が＜１１０＞に配向して、網目状
の酸化珪素膜を形成した。
【００２８】かくして選択的に酸化珪素のマスクが形成
された珪素母材をＡＰＷにて異方性エッチングを行なっ
た。すなわちたとえばエチレンジアミン１７ｃｃ、ピロ
カテコ−ル３ｇｒ、水８ｃｃの溶液中、約１００℃ ±
５℃にて１０分〜１時間加熱し、空気中でバブルするこ
とにより、図４（Ａ）における母材（１）は（１００）
面（３５）に対し、（１１１）（３６）を有し、その角
度（３０）は７０．５°を得ることができた。（１０
０）の方法が少しずれると、この角度は７０．５°より
もずれ７０．５°近傍の角度を有する。
された珪素母材をＡＰＷにて異方性エッチングを行なっ
た。すなわちたとえばエチレンジアミン１７ｃｃ、ピロ
カテコ−ル３ｇｒ、水８ｃｃの溶液中、約１００℃ ±
５℃にて１０分〜１時間加熱し、空気中でバブルするこ
とにより、図４（Ａ）における母材（１）は（１００）
面（３５）に対し、（１１１）（３６）を有し、その角
度（３０）は７０．５°を得ることができた。（１０
０）の方法が少しずれると、この角度は７０．５°より
もずれ７０．５°近傍の角度を有する。
【００２９】さらにこのＡＰＷを水洗した後、マスクの
酸化珪素を弗酸液にて除去した。この後必要に応じてマ
スク部の平坦部を除去するため、０．１〜２分ＡＰＷ液
中にて再びエッチングをしてもよい。次にこの母材上に
離型材を０．０１〜０．３μの厚さに形成した。この離
型材としてはこの実施例では金属スズを真空蒸着した。
もちろんＳｎＣｌ4 のＬＰＣＶＤまたは ＰＣＶＤ法に
て金属スズをこの凹（１４），凸（１３）にそってさら
に一様に形成しても良い。金属スズは融点（ＭＰ）が２
３１．８４℃であるため、亜鉛（３２７．４℃）アンチ
モン（６３０．５℃）Ｉｎ（１５６．４℃）等を用いて
も、またこれらのいずれかとの混合物を用いることによ
り、離型材の表面張力を調整することは、ガラス質を異
ならせた場合にも、軟化点、融点が変化することに対す
る調整の可能性を大きくして有効である。
酸化珪素を弗酸液にて除去した。この後必要に応じてマ
スク部の平坦部を除去するため、０．１〜２分ＡＰＷ液
中にて再びエッチングをしてもよい。次にこの母材上に
離型材を０．０１〜０．３μの厚さに形成した。この離
型材としてはこの実施例では金属スズを真空蒸着した。
もちろんＳｎＣｌ4 のＬＰＣＶＤまたは ＰＣＶＤ法に
て金属スズをこの凹（１４），凸（１３）にそってさら
に一様に形成しても良い。金属スズは融点（ＭＰ）が２
３１．８４℃であるため、亜鉛（３２７．４℃）アンチ
モン（６３０．５℃）Ｉｎ（１５６．４℃）等を用いて
も、またこれらのいずれかとの混合物を用いることによ
り、離型材の表面張力を調整することは、ガラス質を異
ならせた場合にも、軟化点、融点が変化することに対す
る調整の可能性を大きくして有効である。
【００３０】かくして離型材ここでは金属スズが鋸状
（鋸の凹凸の歯状）の表面全面にわたって被覆形成させ
た。この後この上面に透光性基板例えば白板ガラス厚さ
０．０４〜２ｍｍ例えば１．２ｍｍ（３）を配置した。
この母材（１）、離型材（２）、ガラス基板（３）を不
活性雰囲気炉中にて６００〜７００℃にて加熱した。こ
の温度は基板の軟化温度以上であればよい。この時母材
側を下側にしてもまた母材側を上側にしても、またそれ
を上下交互に行っても有効である。かかる温度ではスズ
は液化しているため、液滴にならないうちに前記厚さと
し、かつその表面張力により鋸状表面のすべてに残存せ
しめることが重要である。
（鋸の凹凸の歯状）の表面全面にわたって被覆形成させ
た。この後この上面に透光性基板例えば白板ガラス厚さ
０．０４〜２ｍｍ例えば１．２ｍｍ（３）を配置した。
この母材（１）、離型材（２）、ガラス基板（３）を不
活性雰囲気炉中にて６００〜７００℃にて加熱した。こ
の温度は基板の軟化温度以上であればよい。この時母材
側を下側にしてもまた母材側を上側にしても、またそれ
を上下交互に行っても有効である。かかる温度ではスズ
は液化しているため、液滴にならないうちに前記厚さと
し、かつその表面張力により鋸状表面のすべてに残存せ
しめることが重要である。
【００３１】さらにこの図４（Ａ）の構造を３００〜３
５０℃に加熱して金属スズを溶融した後基板を母材より
分離した。かくして透光性基板（３）の一面を鋸状の凹
（１４）凸（１３）表面を有し、かつその角度を７
０．５°またはその近傍にすることができた。
５０℃に加熱して金属スズを溶融した後基板を母材より
分離した。かくして透光性基板（３）の一面を鋸状の凹
（１４）凸（１３）表面を有し、かつその角度を７
０．５°またはその近傍にすることができた。
【００３２】図４（Ｂ）は透光性基板であってかつその
主面が７０．５°またはその近傍の角度を有するもので
ある。またこの凹（１４）凸（１３）の表面上には、Ｌ
ＰＣＶＤ法またはＰＣＶＤ法により第一の電極を構成す
るＣＴＦをその面にそって形成させた。
主面が７０．５°またはその近傍の角度を有するもので
ある。またこの凹（１４）凸（１３）の表面上には、Ｌ
ＰＣＶＤ法またはＰＣＶＤ法により第一の電極を構成す
るＣＴＦをその面にそって形成させた。
【００３３】すなわちＬＰＣＶＤ法においては、３００
〜５５０℃の温度にてＩｎＣｌ3 とＳｎＣｌ4 またはＳ
ｂＣｌ3 とをインジュ−ム、スズ、またはアンチモンの
反応性気体としてもちいた。例えば酸化スズを作るに
は、ＳｎＣｌ4 と酸化物気体である空気とを混合し、
０．１〜１０ｔｏｒｒ例えば１ｔｏｒｒに保持された反
応炉中に基板を配置した。この基板を３００〜６００℃
例えば４５０℃に加熱して前記した反応性気体を流し
た。かくすると減圧下であるため、反応性気体の平均自
由工程は大きくなり、鋸状表面の斜部分にも均一に酸化
スズ膜を１０００〜３０００Åの厚さに作ることができ
た。
〜５５０℃の温度にてＩｎＣｌ3 とＳｎＣｌ4 またはＳ
ｂＣｌ3 とをインジュ−ム、スズ、またはアンチモンの
反応性気体としてもちいた。例えば酸化スズを作るに
は、ＳｎＣｌ4 と酸化物気体である空気とを混合し、
０．１〜１０ｔｏｒｒ例えば１ｔｏｒｒに保持された反
応炉中に基板を配置した。この基板を３００〜６００℃
例えば４５０℃に加熱して前記した反応性気体を流し
た。かくすると減圧下であるため、反応性気体の平均自
由工程は大きくなり、鋸状表面の斜部分にも均一に酸化
スズ膜を１０００〜３０００Åの厚さに作ることができ
た。
【００３４】ＩＴＯ（酸化スズが５％添加された酸化イ
ンジュ−ム）においては、反応性気体として塩化インジ
ュ−ムを塩化スズと２０：１とし同時に加えてもよい。
この圧力は２０ｔｏｒｒ以上においては、平均自由工程
が少なくなるため不均一性が目立ち特に大気圧でのＣＶ
Ｄ法以外に本発明の鋸状の表面が均一なＣＴＦを作るこ
とはできなかった。また０．１ｔｏｒｒ以下では被膜の
信頼度が小さく、実用化にとぼしかった。
ンジュ−ム）においては、反応性気体として塩化インジ
ュ−ムを塩化スズと２０：１とし同時に加えてもよい。
この圧力は２０ｔｏｒｒ以上においては、平均自由工程
が少なくなるため不均一性が目立ち特に大気圧でのＣＶ
Ｄ法以外に本発明の鋸状の表面が均一なＣＴＦを作るこ
とはできなかった。また０．１ｔｏｒｒ以下では被膜の
信頼度が小さく、実用化にとぼしかった。
【００３５】ＰＣＶＤ法を行う場合には、０．０１〜２
ｔｏｒｒとし、ＬＰＣＶＤ法と同じ出発材料を室温〜１
６０℃にて高周波例えば１３．５６ＭＨｚにて加えた。
かくして鋸状表面に均一な膜厚にて作ることができた。
このＣＴＦはこの後４００〜６００℃例えば５００℃に
て空気中での焼成をすることはその電気伝導度を高める
ために有効であった。ＰＣＶＤ法においても２ｔｏｒｒ
以上または ０．０１ｔｏｒｒ以下では放電が起きにく
くなり０．０１〜２ｔｏｒｒの圧力が有効であった。
ｔｏｒｒとし、ＬＰＣＶＤ法と同じ出発材料を室温〜１
６０℃にて高周波例えば１３．５６ＭＨｚにて加えた。
かくして鋸状表面に均一な膜厚にて作ることができた。
このＣＴＦはこの後４００〜６００℃例えば５００℃に
て空気中での焼成をすることはその電気伝導度を高める
ために有効であった。ＰＣＶＤ法においても２ｔｏｒｒ
以上または ０．０１ｔｏｒｒ以下では放電が起きにく
くなり０．０１〜２ｔｏｒｒの圧力が有効であった。
【００３６】かくしてＰＣＶＤ法においては、塩化イン
ジュ−ムと塩化スズとを酸化物気体と互いに反応炉内に
導入して、１３．５６ＭＨｚの電気エネルギ−を加えて
グロ−放電を用い、プラズマ反応で０．１ｔｏｒｒの圧
力にて行い、１０００〜２０００Åの膜厚に形成した。
さらにこの形成膜を真空中で３００〜５００℃で加熱
し、さらにこのＩＴＯの上面に２００〜５００Åの厚さ
に酸化スズを主成分とするＣＴＦを同様のＰＣＶＤ法に
て形成せしめた。このＣＴＦの形成にはＣＦ3 Ｂｒを含
有したＳｎＣｌ4 を酸化物気体とともに４５０〜６００
℃例えば５００℃で１〜３ｔｏｒｒで１０００〜２５０
０Åの厚さに形成してもよい。
ジュ−ムと塩化スズとを酸化物気体と互いに反応炉内に
導入して、１３．５６ＭＨｚの電気エネルギ−を加えて
グロ−放電を用い、プラズマ反応で０．１ｔｏｒｒの圧
力にて行い、１０００〜２０００Åの膜厚に形成した。
さらにこの形成膜を真空中で３００〜５００℃で加熱
し、さらにこのＩＴＯの上面に２００〜５００Åの厚さ
に酸化スズを主成分とするＣＴＦを同様のＰＣＶＤ法に
て形成せしめた。このＣＴＦの形成にはＣＦ3 Ｂｒを含
有したＳｎＣｌ4 を酸化物気体とともに４５０〜６００
℃例えば５００℃で１〜３ｔｏｒｒで１０００〜２５０
０Åの厚さに形成してもよい。
【００３７】さらにその後図４（Ｃ）に示すごとく、プ
ラズマ気相法により、シランとメタンを主成分としてＰ
型のＳｉｘＣ1-x （０＜ｘ＜１）を約１００Åの厚さに
形成した。さらにＢ2 Ｈ6 を０．５〜１ＰＰＭ添加して
シランを公知のプラズマ気相法で平均膜厚０．４〜０．
８μ例えば平均０．５μの厚さに形成した。この時非単
結晶半導体（７）の裏面は曲面を有し、その高低差は１
０００Å近くになっていた。さらにＮ型半導体をＰＨ／
ＳｉＨ＝１％ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＞１０としてプラズマ気相
法で１００〜３００Åの厚さに作った。
ラズマ気相法により、シランとメタンを主成分としてＰ
型のＳｉｘＣ1-x （０＜ｘ＜１）を約１００Åの厚さに
形成した。さらにＢ2 Ｈ6 を０．５〜１ＰＰＭ添加して
シランを公知のプラズマ気相法で平均膜厚０．４〜０．
８μ例えば平均０．５μの厚さに形成した。この時非単
結晶半導体（７）の裏面は曲面を有し、その高低差は１
０００Å近くになっていた。さらにＮ型半導体をＰＨ／
ＳｉＨ＝１％ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＞１０としてプラズマ気相
法で１００〜３００Åの厚さに作った。
【００３８】この後第二のＣＴＦ（９）をＩＴＯを公知
の電子ビ−ム蒸着法または第一のＣＴＦと同様のＰＣＶ
ＤまたはＬＰＣＶＤ法で９００〜１３００Å例えば平均
１０５０Åの厚さに形成させた。さらに必要に応じてこ
のＣＴＦ上に反射用のアルミニュ−ムを主成分とする電
極（１９）を真空蒸着法またはＴＭＡ（トリメチルアル
ミニュ−ム）を用いて ＬＰＣＶＤ法により形成させ
た。かくのごとくして、図４（Ｃ）の構造を得た。この
図４（Ｃ）で得られた特性を図２に対応して示してあ
る。
の電子ビ−ム蒸着法または第一のＣＴＦと同様のＰＣＶ
ＤまたはＬＰＣＶＤ法で９００〜１３００Å例えば平均
１０５０Åの厚さに形成させた。さらに必要に応じてこ
のＣＴＦ上に反射用のアルミニュ−ムを主成分とする電
極（１９）を真空蒸着法またはＴＭＡ（トリメチルアル
ミニュ−ム）を用いて ＬＰＣＶＤ法により形成させ
た。かくのごとくして、図４（Ｃ）の構造を得た。この
図４（Ｃ）で得られた特性を図２に対応して示してあ
る。
【００３９】以上の説明で明らかなごとく、本発明は透
光性基板上に鋸状の凹凸を作るため、母材を珪素の異方
性エッチを用いて作り、この母材をスタンプのごとくに
して離型材を介在させてガラス基板表面に転写せしめる
ことにより、入射光面側の基板それ自体に凹凸面を有せ
しめることができた。本発明においてＰＩＮをひとつ有
する半導体ではなく、ＰＩＮＰＩＮ・・・・ＰＩＮ接合
を有するタンデム構造としても有効である。
光性基板上に鋸状の凹凸を作るため、母材を珪素の異方
性エッチを用いて作り、この母材をスタンプのごとくに
して離型材を介在させてガラス基板表面に転写せしめる
ことにより、入射光面側の基板それ自体に凹凸面を有せ
しめることができた。本発明においてＰＩＮをひとつ有
する半導体ではなく、ＰＩＮＰＩＮ・・・・ＰＩＮ接合
を有するタンデム構造としても有効である。
【００４０】また半導体はプラズマ気相法による珪素を
主成分とする非単結晶半導体とした。しかしＳｉx Ｇｅ
1-x （０≦ｘ≦１），Ｓｉx Ｓｎ1-x （０＜ｘ＜１），
Ｓｉ3 Ｎ4-x （３≦ｘ≦４）としてもよい。
主成分とする非単結晶半導体とした。しかしＳｉx Ｇｅ
1-x （０≦ｘ≦１），Ｓｉx Ｓｎ1-x （０＜ｘ＜１），
Ｓｉ3 Ｎ4-x （３≦ｘ≦４）としてもよい。
【００４１】以上の説明より明らかなように、本発明は
透光性基板として０．５〜３ｍｍの厚さのガラス板をも
ちいた。しかしこの基板として０．１〜１０μの厚さの
可曲性のガラス（石英）を用いても有効である。さらに
この基板として透光性のポリイミド、ポリアミド等の有
機樹脂であってもよい。
透光性基板として０．５〜３ｍｍの厚さのガラス板をも
ちいた。しかしこの基板として０．１〜１０μの厚さの
可曲性のガラス（石英）を用いても有効である。さらに
この基板として透光性のポリイミド、ポリアミド等の有
機樹脂であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明方法により透光性基
板の主面に鋸状の凹凸表面を有せしめることにより、そ
の表面積を大きくし、光に対しては長光路となり、キャ
リア特にホ−ルに対しては実質的に短光路とならしめる
ことにより、光照射光面側の光電変換効率を飛躍的に向
上させることができた。
板の主面に鋸状の凹凸表面を有せしめることにより、そ
の表面積を大きくし、光に対しては長光路となり、キャ
リア特にホ−ルに対しては実質的に短光路とならしめる
ことにより、光照射光面側の光電変換効率を飛躍的に向
上させることができた。
【図１】 従来の光電変換装置の縦断面図をしめす。
【図２】 本発明方法による光電変換装置の実施例を示
す。
す。
【図３】 本発明方法による別な光電変換装置の実施例
を示す。
を示す。
【図４】 本発明の光電変換装置の作製方法の実施例を
示す。
示す。
１ 母材 ２ 離型材 ３ 透光性基板 ４ 透光性導電膜 ５ 半導体 ９ 裏面電極 １０ 入射光 １３ 凸部 １４ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 離型材を介して凹凸を有する母材と基板
とを接触させることにより凹凸を有する基板を作製した
後、該基板上に第１の電極、光照射により光起電力を発
生する半導体、第２の電極を形成することを特徴とする
光電変換装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4179181A JPH05198830A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 光電変換装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4179181A JPH05198830A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 光電変換装置作製方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003155A Division JPS59127878A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 凹凸を有する光電変換装置用基板作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198830A true JPH05198830A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=16061358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4179181A Pending JPH05198830A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 光電変換装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198830A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261302A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池 |
| JP2002299660A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池 |
| JP2005515955A (ja) * | 2001-11-28 | 2005-06-02 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を備えた透明基材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127878A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 凹凸を有する光電変換装置用基板作製方法 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4179181A patent/JPH05198830A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127878A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 凹凸を有する光電変換装置用基板作製方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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