DE69933639T2 - Chipverbindungsdüse - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Chipverbindungsdüse, mittels derer, wenn Halbleiterschaltkreiselemente oder Ähnliches hergestellt werden, ein Chip des Halbleiters, ein SAW-Element oder ein ähnliches Element aus einer Bereitstellungsvorrichtung entnommen wird und durch Hochfrequenzbonden oder Ähnlichem auf einer Leiterplatte montiert wird.
  • Solch eine Chipverbindungsdüse ist bereits aus dem Dokument US-A-4.667.879 bekannt. Dieses Dokument offenbart eine Chipverbindungsdüse, die die einander gegenüberliegende Schrägen, in Parallelkontakt mit den Kanten zweier Seiten eines Chips, der um eine Düsenmitte zentriert ist und eine Ansaugöffnung, die in der Düsenmitte geöffnet ist, umfasst.
  • Im Folgenden wird die Situation beschrieben, wenn Halbleiterschaltkreiselemente oder Ähnliche hergestellt werden und dabei herkömmlicherweise eine Konstruktionsvorrichtung und ein Verfahren angewendet werden, mit denen ein Chip aus der Bereitstellungsvorrichtung entnommen wird und auf der Leiterplatte montiert wird. Im Übrigen ist der Chip des Objektes ein Chip, der durch ein Flip-Chip-Verfahren mit der aktiven Seite nach unten montiert wird.
  • Ein Chip der Halbleiter, der SAW-Elemente oder Ähnlichem, die in der Bereitstellungsvorrichtung aufbereitet werden, wird einzeln herausgenommen und mittels einer beweglichen Düse, die mit einer Vorrichtung bereitgestellt ist, die den Chip in X-, Y-, Z-Richtung bewegen kann, zu einer Platte für vorrübergehendes Ablegen bewegt. Wenn in diesem Fall der Chip, der in der Bereitstellungsvorrichtung aufbereitet wird, ein Chip mit der aktiven Seite nach oben ist, wird der Chip gedreht („geflippt"), so dass der Chip dann eine Position mit der aktiven Seiten nach unten zwischen der beweglichen Vorrichtung und dem Bewegungsweg einnimmt, und wenn der Chip ein Chip mit der aktiven Seite nach unten ist, wird lediglich der Bewegungsprozess durchgeführt.
  • Der Chip 1 wird zu der Platte für vorrübergehendes Ablegen 10, so wie in 20(A) dargestellt, bewegt. Anschließend wird die Position des Chips 1, so wie in 20(B) dargestellt, mittels vier Zentrierklemmen 11, wobei eine jeweils auf der Vorderseite, auf der Rückseite, sowie auf der linken und auf der rechten Seite auf der Platte für vorrübergehendes Ablegen angeordnet ist, bewegt. Anschließend wird, wie in 20(C) dargestellt, der Chip 1, der auf der Platte für vorrübergehendes Ablegen 10 platziert ist, so wie in 20(D) dargestellt, mittels einer Chipverbindungsdüse 20, die an einer Schwingungsvorrichtung befestigt ist, welche im Gegensatz zu der beweglichen Düse mit einer beweglichen Vorrichtung für die Richtung X, Y und Z bereitgestellt ist und Ultraschall erzeugt, aufgenommen, bewegt, und an dem oberen Abschnitt einer Zielposition einer Leiterplatte 30 positioniert, um, so wie in 20(E) dargestellt ist, verbunden zu werden. Ausgehend von dieser Situation wird die Chipverbindungsdüse 20, so wie in 20(F) dargestellt, zu einer Position bewegt, an der ein Kontakthügel 2 (Leitmetall), der auf der Oberfläche des Chips 1, der an der unteren Vorderkante der Verbindungsdüse 20 platziert ist, in Kontakt mit einer Leiterstruktur (Leitmetall) 31 auf der Leiterplatte kommt, sie legt einen Druck auf den Chip 1, so wie in 20(G) dargestellt an, und es wird durch Ultraschall eine Verbindung an der Vorderkante der Chipverbindungsdüse 20 hergestellt. So kann als typisches Verbindungsverfahren beispielsweise ein Gold-zu-Gold-Verbindungs-Prozess GGI (Gold to Gold Interconnection) oder Ähnliches angewendet werden. Als ein weiteres Verbindungsverfahren für eine andere Montage des Chips mit der aktiven Seite nach unten können ein auf Erhitzen basierendes Verfahren, ein Hitzedruckverfahren, bei dem ein spezielles Verbindungsmedium zwischen den Chip und die Leiterplatte eingesetzt wird oder ein ähnliches Verfahren angewendet werden.
  • Die Vorrichtung zum Verbinden unter Verwendung von Ultraschallschwingung wie oben beschrieben, wird darüber hinaus auch in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift JP59-208844 vorgeschlagen. Der eingebuchtete Abschnitt der Düse wird jedoch als kegelförmig in Betracht gezogen.
  • Im Übrigen ist, so wie dies in 20 dargestellt ist, in einer allgemeinen Chipverbindungsdüse 20, ihre untere Oberfläche 21 zum Aufnehmen des Chips 1 eine einfache ebene Oberfläche, wobei eine Ansaugöffnung 22 in der Düsenmitte ausgebildet ist. Bei der Chipverbindung, die eine solche Chipverbindungsdüse 20 verwendet, erweist es sich als schwierig, dass Parallelität zwischen der Oberfläche des zu verbindenden Chips 1, oder zwischen der Höhe des Kontakthügels 2, der auf der Oberfläche des Chips ausgebildet ist, und der Leiterstruktur 31 der zu verbindenden Leiterplatte 31 auf genaue Weise erzielt wird. Insbesondere aufgrund eines in der letzten Zeit zu verzeichnenden Anstieges der Anzahl von Kontakthügeln des Chips und einer Zunahme der Filigranität, da das Maß an Spielraum für die Deformation des Kontakthügels selbst, welche mit dem Verbindungsprozess einhergeht, kleiner wird, erweist sich bereits eine kleine Abweichung in der Parallelität zwischen einer Spitze des Kontakthügels 2 und der Leiterplatte 30 als Problem. Wenn beispielsweise, wie dies in 21 dargestellt ist, der Chip 1 unter Verwendung der Verbindungsdüse 20 in der Situation gedrückt wird, in der die Neigung mehrere μm beträgt (Neigung = h1 – h2), wird durch die Gleichförmigkeit der Beanspruchung durch Gewicht an der Verbindungsstelle Absplitterung und Rissbildung an dem Chip 1 hervorgerufen, oder darüber hinaus wird in der Verbindung aufgrund der Erzeugung des Ultraschalls just im Anschluss daran die Festigkeit, die für die Verbindung erforderlich ist, aufgrund der Ungleichmäßigkeit der Festigkeit des verbundenen Abschnittes oder Ähnlichem nicht erzielt. Insbesondere das Nicht-Zustandekommen der Verbindung aufgrund der Neigung des Chips 1 und der Leiterplatte 30 geschieht oftmals dann, wenn diese parallel zu der Schwingungsrichtung zum Erzeugen des Ultraschalls liegen (dieser Fall ist in 21 dargestellt).
  • Die herkömmliche Chipverbindungsdüse 20 wird so betrieben, dass der Chip 1, der verbunden werden soll, durch einen Negativdruck angesaugt wird und der Chip eng an die Oberfläche des unteren Endes 21 der Chipverbindungsdüse angedrückt wird. Dementsprechend kann Wärme, die von dem Substrat während dem Chipverbindungsprozess erzeugt wird, oder Wärme die durch die Ultraschallschwingung erzeugt wird, nicht abgestrahlt werden, und die Temperatur des Chips steigt an, und darüber hinaus besteht die Möglichkeit, dass Ungleichmäßigkeiten in dem Chip auftreten.
  • In Anbetracht der oben beschriebenen Probleme ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Chipverbindungsdüse bereitzustellen, mittels derer die Verbindung stets unter Beibehaltung von Parallelität zu der Leiterstruktur der Leiterplatte, die verbunden werden soll, erzeugt werden kann, und der Chip mit einer gleichmäßigen und hohen Verbindungsfestigkeit montiert werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Chipverbindungsdüse gemäß Anspruch 1 erfüllt.
  • In Übereinstimmung mit einer solchen Struktur werden in dem Prozess, bei dem die Chipverbindungsdüse den Chip aufnimmt und der Chip auf der Leiterplatte platziert wird, die Oberfläche in dem unteren Bereich des Chips oder die Höhe der Spitze eines jeden Leitmetalls, die als Kontakthügel bezeichnet wird, einer Positionskorrektur unterzogen, so dass sich diese in Parallelität zu der oberen Oberfläche der Leiterplatte befinden, und, darüber hinaus, können die Oberfläche des Chips, der verbunden werden soll, oder die Höhe der Spitze eines jeden Leitmetalls und die Oberfläche der Leiterstruktur der Leiterplatte miteinander in Kontakt kommen, wobei sie jederzeit Parallelität aufrechterhalten, sie können zusammengedrückt werden, und die Verbindung kann mittels Ultraschall erzeugt werden.
  • In der Chipverbindungsdüse ist die Oberflächenhärte der Spiegelfläche vorzugsweise nicht weniger als 40 HRC.
  • Die Schräge ist vorzugsweise eine ebene Fläche oder eine Kreisbogenoberfläche.
  • 1 ist eine perspektivische Darstellung, die das erste Ausführungsbeispiel einer Chipverbindungsdüse in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 2 ist eine Vorderansicht, die das erste Ausführungsbeispiel einer Chipverbindungsdüse in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 3 ist eine Unteransicht, die das erste Ausführungsbeispiel einer Chipverbindungsdüse in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 4 ist eine Seitenansicht, die das erste Ausführungsbeispiel einer Chipverbindungsdüse in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • Die 5(A) bis 5(G) sind Darstellungen, die eine Chipmontageoperation durch die Chipverbindungsdüse, die in dem ersten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, illustriert;
  • 6 ist eine Querschnittsdarstellung von vorn, die die Montageoperation erklärt, wenn eine leichte Abweichung zwischen einer Senkrechten der Leiterstrukturoberfläche der Leiterplatte und einer Achse der Düsenmitte der Chipverbindungsdüse vorliegt;
  • 7 ist ein Graph, der die Verbindungsfestigkeit (Scherfestigkeit) eines Kontakthügels für jedes der Produktbeispiele (1), (2) und (3) darstellt, wenn die Feinheit einer schrägen Ebene der Chipverbindungsdüse keine Spiegelfläche sondern eine leicht grobe Fläche erreicht;
  • 8 ist ein Graph, der eine Häufigkeitsrate der Haarrissbildung und der Absplitterung für jede Kontakthügeleinheit für jedes Produktbeispiels (1), (2) und (3) darstellt, wenn die Feinheit einer schrägen Ebene der Chipverbindungsdüse keine Spiegelfläche sondern eine leicht grobe Fläche erreicht;
  • 9 ist ein Graph, der die Verbindungsfestigkeit (Scherfestigkeit) eines Kontakthügels für jedes Produktbeispiel (1), (2) und (3) darstellt, wenn die schräge Ebene der Chipverbindungsdüse eine Spiegelfläche ist;
  • 10 ist ein Graph, der eine Häufigkeitsrate der Haarrissbildung und der Absplitterung für jede Kontakthügeleinheit für jedes Produktbeispiels (1), (2) und (3) darstellt, wenn eine schräge Ebene der Chipverbindungsdüse eine Spiegelfläche ist;
  • 11 ist eine Vorderansicht, die das zweite Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 12 ist eine Vorderansicht, die das dritte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 13 ist eine Seitenansicht, die das vierte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 14 ist eine Vorderansicht, die das vierte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 15 ist eine Vorderansicht des Zeitpunktes des Aufnehmens des Chips in dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 16 ist eine Vorderansicht des Zeitpunktes der Montage des Chips in dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 17 ist eine Seitenansicht, die das sechste Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 18 ist eine Seitenansicht, die das siebente Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • 19 ist eine Seitenansicht, die das achte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung illustriert;
  • Die 20(A) bis 20(G) sind Darstellungen, die eine Chipmontageoperation mittels der herkömmlichen Chipverbindungsdüse illustriert;
  • 21 ist eine Querschnittsdarstellung von vorn, die die Montageoperation erklärt, wenn eine leichte Abweichung zwischen einer Senkrechten der Leiterstrukturoberfläche der Leiterplatte und der Achse der Düsenmitte bei der herkömmlichen Chipverbindungsdüse illustriert; und
  • 22 zeigt eine Beziehung zwischen der Rautiefe der Spiegelfläche und der Häufigkeit von Absplitterung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Im Folgenden werden in Bezug auf die Zeichnungen die Ausführungsbeispiele der Chipverbindungsdüse in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ausführlich beschrieben.
  • Im Folgenden wird in Bezug auf die 1 bis 4 eine Vorderkanten-Struktur der Verbindungsdüse in Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Wie in diesen Zeichnungen dargestellt ist, hat die Chipverbindungsdüse 40 gegenüberliegende Schrägen 43, in Parallelkontakt mit den Kanten zweier Seiten des Chips, der um eine Düsenmitte zentriert ist, und als Ergebnis wird ein vertieft liegender Abschnitt 44, in den der obere Abschnitt des Chips teilweise hineinragt, auf der Oberfläche der Vorderkante der Düse ausgebildet. Eine Ansaugöffnung 42 ist in der Düsenmitte, das heißt, an der mittigen Position des vertieft liegenden Abschnittes 44 geöffnet. Die Schräge 43 ist in einer Spiegelfläche ausgebildet, und vorzugsweise wird, wenn die Oberflächenrautiefe der Spiegeloberfläche durch die gemittelte Rautiefe der Mittelinie ausgedrückt wird, die gemittelte Rautiefe der Mittellinie bei nicht größer als 1,6 μm eingestellt. Darüber hinaus ist das Material der Chipverbindungsdüse 40 Kohlenstoffstahl oder Ähnliches, und vorzugsweise wird ein DLC- (diamond like carbon [diamantharter Kohlenstoff]) Verfahren als Oberflächenbehandlung angewendet. Im Übrigen ist der Neigungswinkel θ der Schräge 43 zu der Achse der Düsenmitte 30 ° ≤ θ ≤ 60 ° und wird beispielsweise bei 45 ° eingestellt.
  • Die Oberflächenhärte der Spiegeloberfläche der Chipverbindungsdüse kann größer als 40 HRC sein, und auch die Oberflächenbehandlung ist nicht auf das DLC-Verfahren beschränkt, es kann nämlich auch eine Oberflächenbehandlung durchgeführt werden, bei der eine Filmschicht beispielsweise aus TiC oder TiN auf der Oberfläche ausgebildet wird. Darüber hinaus kann ein Material, wobei das Material der Düse selbst eine Oberflächenhärte von mehr als 40 HRC besitzt, ebenfalls verwendet werden, oder es kann auch die Oberflächenhärte durch Wärmebehandlung des Kohlenstoffstahls oder Ähnlichem auf mehr als 40 HRC eingerichtet werden.
  • Im Folgenden werden in Bezug auf 5 die Montageoperationen des Chips mit der aktiven Seite nach unten auf die Leiterplatte unter Verwendung der Chipverbindungsdüse 40 des ersten Ausführungsbeispiels beschrieben.
  • Wie in 5(A) dargestellt, wird zu Beginn der Chip 1, der verbunden werden soll, auf die Platte für vorrübergehendes Ablegen 10 platziert. Als Nächstes wird, wie in 5(B) dargestellt ist, die Position des Chips 1 durch die 4 Klemmen 11 zum Zentrieren aus der Richtung von vorn, vorn hinten, von rechts und von links aus auf der Platte für vorrübergehendes Ablegen 10 so korrigiert, dass die Mitte des Chips 1 genau über der Mitte der Chipverbindungsdüse 40 liegt. Die Chipverbindungsdüse 40 wird mit einer beweglichen Vorrichtung in X-, Y- und Z-Richtung bereitgestellt und ist darüber hinaus an der Schwingungsvorrichtung befestigt, die Ultraschall erzeugt; die Form der Vorderkante der Verbindungsdüse 40 hat, wie dies in den 1 bis 4 dargestellt ist, einander gegenüberliegende Schrägen 43, die in Parallelkontakt mit den Kanten zweier Seiten des Chips stehen, der um eine Düsenmitte zentriert ist, und die Schräge 43 wird so zu einer Spiegelfläche oberflächenbehandelt, dass die Abnutzung der Kante des Chips 1 so gering wie möglich gehalten wird, und darüber hinaus wird sie einer Oberflächenbehandlung gemäß DLC-Verfahren unterzogen. Daran anschließend wird, wie dies in 5(C) dargestellt ist, die Chipverbindungsdüse 40 nach unten zu einer Position bewegt, an der sie in Kontakt mit den Kanten zweier Seiten der oberen Oberfläche des Chips 1 kommt, und der Chip 1 wird durch die Ansaugkraft, die an der Vorderkante der Düse erzeugt wird, angesaugt und gehalten. In diesem Aufnahmeprozess gleitet die Kante des Chips auf der Schräge 43 entlang, wodurch, selbst wenn die Achse P der Düsenmitte der Chipverbindungsdüse 40 nicht vertikal zu der Chipplatzierungsfläche der Platte für vorrübergehendes Ablegen 10 liegt, die Verbindungsdüse 40 den Chip 1 mit aufrechterhaltener Parallelität zu der Chipplatzierungsfläche ansaugen und aufnehmen kann.
  • Anschließend wird der Chip 1, der, so wie dies in 5(D) dargestellt ist, durch die Chipverbindungsdüse angesaugt und gehalten wird, nach oben und zu einer Zielposition auf der Leiterplatte 30, so wie dies in 5(E) dargestellt ist, bewegt, um dort verbunden zu werden.
  • Als Nächstes wird, so wie dies in 5(F) dargestellt ist, die Chipverbindungsdüse 40 zu einer Position nach unten bewegt, an der die Höhe der Spitze eines jeden Kontakthügels 2 auf der Chipoberfläche in Kontakt mit der Leiterstruktur 31 auf der Leiterplatte 30 kommt, und darüber hinaus wird der Chip 1 aus einer Richtung von oben nach unten gedrückt. In diesem Fall kommt die Schräge 43 der Chipverbindungsdüse 40 in Kontakt mit den Kanten der 2 Seiten des Chips 1 und gleitet, und bewirkt die Bewegung, bei der die Stellung des Chips 1 so beibehalten wird, dass der Chip parallel zu der Verbindungsfläche der Leiterplatte 30 ist. Wenn zwischen der Platzierungsfläche für den Chip der Platte für vorrübergehendes Ablegen 10 und der Verbindungsfläche der Leiterplatte 30 eine perfekte Parallelität hergestellt ist, sollte die Spitze eines jeden Kontakthügels 2 des Chips 1 gleichmäßig mit der Verbindungsfläche der Leiterplatte 30 in Kontakt kommen. Selbst wenn jedoch eine Abweichung in der Parallelität zwischen der Platzierungsfläche für den Chip der Platte für vorrübergehendes Ablegen 10 und der Verbindungsfläche der Leiterplatte 30 vorliegt, wird dennoch, in Übereinstimmung mit dieser Chipverbindungsdüse 40, eine Parallelität zwischen dem Chip 1, der verbunden werden soll und der Leiterplatte 30, die verbunden werden soll, beibehalten, und es kann, wie dies in 5(G) dargestellt ist, wenn Ultraschallschwingung über die Chipverbindungsdüse 40 auf den Chip 1 aufgebracht wird, die Verbindung, bei der die jeweiligen Kontakthügel 2 und die Verbindungsfläche der Leiterstruktur gleichmäßige Verbindungsfestigkeiten haben, erzielt werden.
  • 6 zeigt die Funktionsweise der Chipverbindungsdüse 40, wenn eine leichte Neigung α ° zwischen der Achse P der Düsenmitte der Chipverbindungsdüse 40 und der Senkrechten Q zu der Verbindungsfläche mit der Leiterstruktur 31 der Leiterplatte 30 vorliegt, und, da die Schräge 43 der Chipverbindungsdüse 40 eine Spiegelfläche mit geringem Abnutzungsgrad und einer harten Oberfläche ist, kann sie, selbst wenn sie mit den Kanten der 2 Seiten des Chips 1 in Kontakt kommt, reibungslos gleiten, und die Lücken h1 und h2 zwischen der linken und der rechten Seite des Chips und der Verbindungsfläche der Platte sind gleich, das heißt, es ist zu sehen, dass eine Parallelität zwischen dem Chip 1 und der Verbindungsfläche der Platte so hergestellt ist, dass h1 – h2 = 0 ist.
  • Die 7 bis 10 zeigen, wie die Verbindungsfestigkeit des Kontakthügels (im Folgenden als Scherfestigkeit bezeichnet) gemessen wird, und wie sich die Häufigkeitsrate von Haarrissbildung und Absplitterung für jede Kontakthügeleinheit ändert, wenn die Schräge 43 der Chipverbindungsdüse 40 nicht zu einer Spiegelfläche sondern zu einer leicht groben Fläche ausgebildet wird, und wenn sie zu einer Spiegelfläche ausgebildet wird.
  • In den 7 und 8 wird die Chipverbindungsdüse 40, bei der die Schräge 43 des geneigten 45 °-Winkels, die symmetrisch zu der Achse P der Düsenmitte ist, durch Schleifen durch eine Schleifmaschine gebildet wird, verwendet, und, wenn die Oberflächenrautiefe durch die gemittelte Rautiefe der Mittellinie ausgedrückt wird, beträgt die gemittelte Rautiefe der Mittelinie ungefähr 3,2 μm. 7 zeigt die Scherfestigkeit, und
  • 8 zeigt die Häufigkeitsrate der Haarrissbildung und der Absplitterung für jede Kontakthügeleinheit. Darüber hinaus werden 20 Messbeispiele für jedes Produktbeispiel (1), (2) und (3), das jeweils eine unterschiedliche Form aufweist, vorbereitet und gemessen.
  • Anhand von 7 kann gesehen werden, dass hinsichtlich der Scherfestigkeit große Schwankungen zwischen den einzelnen Produktformen und den gemessenen Produkten vorliegen, dass es viele Fälle gibt, in denen die Scherfestigkeit weit unterhalb von 500 GF liegt, und dass ein Problem dahingehend besteht, dass mit großer Häufigkeit eine unzureichende Scherfestigkeit erzeugt wird. Darüber hinaus kann anhand von 8 gesehen werden, dass auch die Haarrissbildung und das Absplittern mit großer Häufigkeit erzeugt werden, was sich als Problem erweist.
  • Die 9 und 10 zeigen, dass die Chipverbindungsdüse 40, deren Schräge 43 des geneigten Winkels von 45 °, die zu der Achse P der Düsenmitte symmetrisch ist, nach dem Schleifen mit einer Spiegeloberfläche fertigbearbeitet wird (Endbearbeitung durch Hochglanzpolieren), verwendet wird, und dass, wenn die Oberflächenrautiefe durch die gemittelte Rautiefe der Mittelinie ausgedrückt wird, die gemittelte Rautiefe der Mittellinie ungefähr 0,2 μm beträgt. 9 zeigt die Scherfestigkeit, und 10 zeigt die Häufigkeitsrate, mit der Haarrissbildung und Absplittung für jede Kontakthügeleinheit erzeugt wird. Darüber hinaus sind die Messbeispiele die gleichen wie in 7 und in 8.
  • Anhand von 9 kann gesehen werden, dass die Schwankungen der Scherfestigkeit für sämtliche gemessenen Produkte sämtlicher Produktformen klein sind, diese Produkte eine Scherfestigkeit von mehr als 500 GF gewährleisten, und eine unzureichende Scherfestigkeit nicht vorzufinden ist. Darüber hinaus kann anhand von 10 gesehen werden, dass in den Produktbeispielen (1) und (3) keine Haarrissbildung und keine Absplitterung auftritt, und dass demzufolge keinerlei Probleme in diesem Produktformen auftreten.
  • 22 zeigt eine Beziehung zwischen der Rautiefe der Mittellinie und der Häufigkeitsrate der Absplitterung, wenn das oben erwähnte Produktbeispiel (2) gemessen wird. Wie anhand des Graphen gesehen werden kann, sind, wenn die Rautiefe der Mittelinie 0,2 μm, 1,6 μm, 3,2 μm und 4,8 μm ist, die Häufigkeitsrate für Absplitterung jeweils 2 %, 10 %, 23 % und 52 %. Wenn ein Toleranzbereich für die Häufigkeitsrate von Absplitte rung mit weniger als 10 % definiert wird, beträgt die Rautiefe der Mittellinie vorzugsweise weniger als 1,6 μm.
  • In Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel können die folgenden Effekte erzielt werden.
    • (1) Die Chipverbindungsdüse 40 hat einander gegenüberliegende Schrägen 43 als Spiegelflächen, in Parallelkontakt mit den Kanten von 2 Seiten des Chips 1, der um eine Düsenmitte zentriert ist, wodurch die Kante des Chips 1 reibungslos auf der Schräge 43 entlang gleitet und die Stellung des Chips 1 ändern kann. Dementsprechend kann, wenn bei der Montage des Flip-Chips mit der aktiven Seite nach unten, der Chip 1 mit der Leiterplatte 30 verbunden wird, der Chip 1 immer in einer Situation verbunden werden, in der zwischen dem zu verbindenden Chip 1 und der Leiterstruktur 31 der Leiterplatte, die verbunden werden soll, Parallelität hergestellt ist, und demzufolge kann eine Montage mit einer gleichmäßigen und hohen Verbindungsfestigkeit durchgeführt werden. Insbesondere ist diese in dem Fall der Ultraschallverbindung effektiv.
    • (2) Auf der Schräge 43, die als Spiegelfläche fertigbearbeitet wird, wird ein DLC-Verfahren durchgeführt, und die Oberfläche wird als eine harte Oberfläche ausgebildet, deren Oberflächenhärte größer als 40 HRC ist, wodurch die Widerstandsfähigkeit gegenüber Abnutzung sowie eine hohe Lebensdauer sichergestellt werden können.
    • (3) Es können einander gegenüberliegende Schrägen 43 ausgebildet werden, die zu der Achse der Düsenmitte symmetrisch sind, wobei die Verarbeitung einfach ist.
    • (4) Beide Seitenoberflächen des vertieft liegenden Abschnittes 44, in denen die Schrägen 43 ausgebildet sind, werden geöffnet, ohne dass sie zu eng auf den Chip 1 gedrückt werden, wodurch Luft strömen kann, der Kühleffekt groß ist und ein Anstieg der Temperatur des Chips 1 auf einem angemessen niedrigen Niveau gehalten werden kann. Darüber hinaus kann die Änderung der Temperatur des vorstehenden Abschnittes der Chipverbindungsdüse 40 klein gehalten werden. Des Weiteren kann von dem geöffneten Abschnitt der Seitenoberfläche aus, die Parallelität zwischen dem Chip 1 und der Leiterplatte 30 sowie ein Zerdrückungsgrad des Kontakthügels überwacht werden, und darüber hinaus kann auch eine Abnormalität der Chipverbindungsdüse 40 oder der Leiterplatte 30 durch Überwachen erfasst werden.
  • 11 zeigt das zweite Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In diesem Fall umfasst eine Chipverbindungsdüse 40A einander gegenüberliegende Schrägen 43A und 43B, die zu der Achse P der Düsenmitte asymmetrisch sind. Das bedeutet, dass ein Winkel θ1, bei dem die Schräge 43A zu der Plattenoberfläche angeordnet ist (eine Ebene, die zu der Achse der Düsenmitte vertikal ist) und ein Winkel θ2, bei dem die Schräge 43B zu der Plattenoberfläche angeordnet ist, voneinander abweichen, und dabei θ1 > θ2 ist. Auf der Schräge 43A des Winkels θ1 kann die Kante des Chips leichter entlanggleiten, und eine Seitenkante des Chips kann als Bezugpunkt verwendet werden.
  • Im Übrigen sind die anderen Strukturen die gleichen wie die des ersten Ausführungsbeispiels, derselbe entsprechende Abschnitt wird mit jeweils mit derselben Nummer bezeichnet, und auf seine Beschreibung wird an der jeweiligen Stelle verzichtet.
  • 12 zeigt das dritte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In diesem Fall umfasst eine Chipverbindungsdüse 40B einander gegenüberliegende kreisbogenförmige Schrägen 45, die zur Achse P der Düsenmitte symmetrisch sind. Das bedeutet, dass der Radius der Krümmung der linken und der rechten kreisbogenförmigen Schräge 45 so eingestellt wird, dass beiden Radien einander entsprechen. In diesem Fall fungieren beide kreisbogenförmigen Schrägen 45 als Gleitflächen für die Kanten des Chips. Da es sich darüber hinaus um kreisbogenförmige Oberflächen handelt, erweist sich die Produktion als relativ einfach.
  • Im Übrigen sind die anderen Strukturen die gleichen wie die des ersten Ausführungsbeispiels, derselbe entsprechende Abschnitt wird mit jeweils mit derselben Nummer bezeichnet, und auf seine Beschreibung wird an der jeweiligen Stelle verzichtet.
  • Die 13 und 14 zeigen das vierte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In diesem Fall ist der Punkt, an dem eine Chipverbindungsdüse 40C einander gegenüberliegende Schrägen 43 umfasst, die zu der Achse P der Düsenmitte symmetrisch sind, der gleiche, wie der in dem ersten Ausführungsbeispiel, jedoch ist die Seitenober flächenbreite W der Chipverbindungsdüse 40C, wenn diese in 13 von der Seitenoberfläche aus betrachtet wird, enger, als die Seitenoberflächenbreite Wc des Chips 1.
  • In dem Fall dieses vierten Ausführungsbeispiels beeinträchtigen sich angrenzende Chips, wenn die Chips 1 auf den Leiterplatten platziert und montiert werden, nicht gegenseitig, was sich für eine Montage mit hoher Bauelementdichte als sehr geeignet erweist. Darüber hinaus weist der Wärmeabstrahlungseffekt ausgezeichnete Eigenschaften auf, und der Temperaturanstieg des Chips 1 kann auf einem angemessen niedrigen Niveau gehalten werden. Im Übrigen sind die anderen Strukturen die gleichen wie die des ersten Ausführungsbeispiels, derselbe entsprechende Abschnitt wird mit jeweils mit derselben Nummer bezeichnet, und auf seine Beschreibung wird an der jeweiligen Stelle verzichtet.
  • Die 15 und 16 zeigen das fünfte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In diesem Fall ist der Punkt, an dem eine Chipverbindungsdüse 40D einander gegenüberliegende Schrägen 43 umfasst, die zu der Achse P der Düsenmitte symmetrisch sind, der gleiche, wie der in dem ersten Ausführungsbeispiel, jedoch wird ein Federelement 50 wie beispielsweise eine Blattfeder oder Ähnliches auf dem außenliegenden peripheren Abschnitt befestigt, und ihr unterer Teil ragt durch die einander gegenüberliegenden Schrägen 43 in den vertieft liegenden Abschnitt 44 hinein.
  • In diesem Fall schiebt das Federelement 50 den Chip 1 in Richtung der nach unten gerichteten Schiebebewegung, wodurch, wenn der Chip 1 auf die Leiterstrukturoberfläche der Leiterplatte 30, wie in 16 dargestellt ist, montiert wird, die Reibung zwischen dem Chip 1 und der Schräge 43 reduziert wird, wodurch die Kante des Chips 1 noch reibungsloser entlanggleitet und die Stellung des Chips 1 korrigiert werden kann. Im Übrigen sind die anderen Strukturen die gleichen wie die des ersten Ausführungsbeispiels, derselbe entsprechende Abschnitt wird mit jeweils mit derselben Nummer bezeichnet, und auf seine Beschreibung wird an der jeweiligen Stelle verzichtet.
  • Die 17 bis 19 zeigen jeweils das sechste, das siebente und das achte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In diesem Fall ist der Punkt, an dem eine Chipverbindungsdüse 40E, 40F und 40G jeweils einander gegenüberliegende Schrägen 43 umfasst, die zu der Achse P der Düsenmitte symmetrisch sind, der gleiche, wie der in dem ersten Ausführungsbeispiel, jedoch wird die Breite der Chipverbindungsdüse, betrachtet von der Seitenoberfläche, an der Position der Höhenrichtung geändert. Dementsprechend sind die Breiten W1, W2 und W3 der Chipverbindungsdüsen, mit denen die Kanten der Chips in Kontakt kommen, jeweils voneinander unterschiedlich, und der Scheinwiderstand bei der Montage des Chips, betrachtet von der Schwingungsvorrichtung, die die Chipverbindungsdüse hält und Ultraschall erzeugt, wird verändert, und demzufolge kann eine Scheinwiderstandsanpassung angestrebt werden. Im Übrigen sind die anderen Strukturen die gleichen wie die des ersten Ausführungsbeispiels, derselbe entsprechende Abschnitt wird mit jeweils mit derselben Nummer bezeichnet, und auf seine Beschreibung wird an der jeweiligen Stelle verzichtet. Das heißt, dass durch Ändern der natürlichen Schwingungsfrequenz der Chipverbindungsdüse die Übertragung der Schwingungsenergie auf den Chip effektiv durchgeführt werden kann.
  • Im Übrigen wird in dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel die Schräge der Chipverbindungsdüse, die als Spiegelfläche fertigbearbeitet wird, zu einer Schräge ausgebildet, die aufgrund des angewendeten DLC-Verfahrens eine sehr hohe Oberflächenhärte aufweist, jedoch ist die Endverarbeitung nicht auf das DLC-Verfahren beschränkt; wenn es sich bei der Schräge allerdings um ein Düsenmaterial mit einer Oberflächenhärte von mehr als 40 HRC handelt, oder wenn eine Oberflächenbehandlung erfolgte, kann die Widerstandsfähigkeit gegenüber Abnutzung, die für die Verwendung in der Praxis ausreichend ist, immer noch gewährleistet werden.
  • Darüber hinaus wird in dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel die Oberflächenrautiefe der Schräge der Chipverbindungsdüse so eingerichtet, dass die gemittelte Rautiefe der Mittellinie ungefähr 0,2 μm beträgt, was eine sehr glatte Spiegeloberfläche darstellt, wenn jedoch die Oberflächenrautiefe so eingerichtet wird, dass sie, verglichen mit der Oberflächenrautiefe, die in den 7 und 8 gemessen wurde, um eine Stufe glatter ist, das heißt, dass die gemittelte Rautiefe der Mittelinien nicht mehr als 1,6 μm beträgt, die Schräge praktisch als Spiegelfläche fertigbearbeitet wird und die Widerstandsfähigkeit gegenüber Abnutzung zwischen der Kante des Chips und der Schräge auf ein ausreichendes Maß reduziert werden kann.
  • Voranstehend wurden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese beschränkt, und es wird der Person mit gewöhnlicher Erfahrung auf dem Gebiet der Technik offensichtlich sein, dass die offenbarten Ausführungsbeispiele durch eine Person mit gewöhnlicher Erfahrung auf dem Gebiet der Technik modifiziert werden können, ohne dabei vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • Wie oben beschrieben, kann, in Übereinstimmung mit der Chipverbindungsdüse der vorliegenden Erfindung, wenn der Chip bei dem Montageverfahren des Chips mit der aktiven Seite nach unten auf der Leiterplatte befestigt wird, der Chip in der Situation verbunden werden, in der zwischen dem Chip und der Leiterstruktur der Leiterplatte, die verbunden werden soll, stets Parallelität hergestellt ist, wodurch eine Montage mit einer gleichmäßigen und hohen Verbindungsfestigkeit erzielt werden kann.
  • Dieser Effekt ist für alle die Fälle von großem Nutzen, in denen Verbindungen insbesondere durch Verwendung von Druck als Verbindungselement bei dem Montieren mit Hilfe des Flip-Chip-Verfahrens durchgeführt werden, und es kann noch ein größerer Effekt erzielt werden, wenn Ultraschall als Verbindungselement verwendet wird.

Claims (4)

  1. Chipverbindungsdüse (40), die umfasst: einander gegenüberliegende Schrägen (43), in Parallelkontakt mit zwei Seiten eines Chips (1), der um eine Düsenmitte zentriert ist, und eine Ansaugöffnung (42), geöffnet in der Düsenmitte, dadurch gekennzeichnet, dass die Schräge in einer Spiegelfläche ausgebildet ist, und wenn die Oberflächenrautiefe der Spiegeloberfläche durch die gemittelte Rautiefe der Mittellinie ausgedrückt wird, die gemittelte Rautiefe der Mittellinie nicht größer als 1,6 μm ist.
  2. Chipverbindungsdüse nach Anspruch 1, wobei die Oberflächenhärte der Spiegelfläche nicht weniger als 40 HRC ist.
  3. Chipverbindungsdüse nach Anspruch 1, wobei die Schräge (43) eine ebene Fläche oder eine Kreisbogenfläche ist.
  4. Ultraschallverbindungsvorrichtung zum Verbinden eines Chipelementes auf einem Substrat durch Ultraschall, die umfasst: eine Chipverbindungsdüse nach den Ansprüchen 1 bis 3, einen Ultraschallschwinger, ein Horn, das mit dem Schwinger verbunden ist, und an dessen Vorderkante die Düse befestigt ist, und eine Ansaugvorrichtung, durch die das Chipelement in die Düse gesaugt wird.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69934243T2 (de) * 1998-09-01 2007-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Gerät und methode zur auswertung eines lothöckerzusammenmbaus, und dazu gehörende halbleiterherstellungsvorrichtung und verfahren
JP3556498B2 (ja) * 1998-12-14 2004-08-18 Tdk株式会社 チップ接合用ノズル
US6885522B1 (en) * 1999-05-28 2005-04-26 Fujitsu Limited Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation
JP2003197686A (ja) * 2001-10-18 2003-07-11 Nec Corp 電子部品実装装置及び電子部品実装方法
JP3855973B2 (ja) 2002-08-29 2006-12-13 株式会社村田製作所 超音波接合方法および超音波接合装置
JP2005159061A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Fujitsu Ltd 超音波ツール及び超音波接合装置
JP4507941B2 (ja) * 2005-03-28 2010-07-21 パナソニック電工株式会社 超音波接合装置の製造方法
US7868440B2 (en) 2006-08-25 2011-01-11 Micron Technology, Inc. Packaged microdevices and methods for manufacturing packaged microdevices
JP5237900B2 (ja) * 2009-08-11 2013-07-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5890960B2 (ja) * 2011-02-21 2016-03-22 積水化学工業株式会社 フリップチップ実装方法
JP5741299B2 (ja) * 2011-08-02 2015-07-01 日産自動車株式会社 超音波溶接工具のローレット面再加工方法
JP5838637B2 (ja) * 2011-08-02 2016-01-06 日産自動車株式会社 超音波溶接装置及び超音波溶接装置で使用される超音波接合工具のローレット面加工方法
US20140069989A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Texas Instruments Incorporated Thin Semiconductor Chip Mounting
JP6201373B2 (ja) * 2013-03-29 2017-09-27 日本電気株式会社 吸着コレット、ピックアップ装置、及びピックアップ方法
JP6379447B2 (ja) * 2013-04-16 2018-08-29 凸版印刷株式会社 Icチップの実装方法
JP2021132138A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 日機装株式会社 半導体発光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3575333A (en) * 1968-11-21 1971-04-20 Kulicke & Soffa Ind Inc Beam-lead bonding apparatus
US3700155A (en) * 1970-05-20 1972-10-24 Mech El Ind Inc Apparatus for improving alignment of beam leaded bonding tools
JPS59208844A (ja) 1983-05-13 1984-11-27 Hitachi Ltd フエイスダウンボンダ−
US4667870A (en) * 1984-09-20 1987-05-26 American Telephone And Telegraph Company Registering articles to sites with recessed ultrasonic bonding tool head
US4628584A (en) * 1985-01-28 1986-12-16 The Dow Chemical Company Method of removing fibers protruding into bores
JPH01244630A (ja) * 1988-03-26 1989-09-29 Nec Corp 半導体ペレットのボンディング方法
JPH04170035A (ja) * 1990-11-02 1992-06-17 Nec Yamagata Ltd スクラブ用半導体チップ吸着ノズル
JPH04216641A (ja) 1990-12-17 1992-08-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> リードボンディング装置用ステージ
JP2500778B2 (ja) 1993-08-11 1996-05-29 日本電気株式会社 ボンディングツ―ル及びボンディング方法
JPH07115109A (ja) 1993-10-15 1995-05-02 Nec Corp フリップチップボンディング方法及び装置
EP0908932B1 (de) * 1997-09-03 2003-11-19 Nippon Pillar Packing Co., Ltd. Halbleiterscheibenträger mit CVD-Filmbeschichtung aus Siliciumcarbid
JP3556498B2 (ja) * 1998-12-14 2004-08-18 Tdk株式会社 チップ接合用ノズル
US6706130B1 (en) * 1999-10-04 2004-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and device for frictional connection and holding tool used for the frictional connection device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000183115A (ja) 2000-06-30
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DE69933639D1 (de) 2006-11-30
EP1011127A3 (de) 2001-08-22
US6382495B2 (en) 2002-05-07
JP3556498B2 (ja) 2004-08-18
EP1011127B1 (de) 2006-10-18
US20010011668A1 (en) 2001-08-09

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