JP6379447B2 - Icチップの実装方法 - Google Patents
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Description
一体化して強固な金属結合に至るが、表面に酸化膜が存在したり、汚れていると金属結合が生じない。超音波接合は、接合すべき界面を超音波振動により平行方向に接触しつつ往復運動させて酸化膜や汚染物質を除去して、金属粒界同士を原子間距離程度に近接させて接合させるもので、接合を加速するために融点の1/3程度の温度で行われるのが普通である。
ICチップと基板(ICカード、ICタグであればインレット基材)の端子部がそれぞれ接触・加圧された状態で、ICチップに超音波ホーンにより超音波振動を加えようとした場合、端子同士が接触する接触部における摩擦力がICチップとそれを吸着している超音波ホーンの摩擦力とくらべて同等か大きい場合、ICチップと超音波ホーンの界面で滑り(スリップ)が発生することがある。スリップが生じるとエネルギーロスが生じ、超音波エネルギーが、端子同士の接触部に十分伝達されず、両者を金属結合させることが困難となる場合がある。
い凹凸をつけて荒らす等の手法も考えられるが、その場合、ICチップには抗折強度の低下、超音波ホーンにはICチップ吸着時のエアー漏れによるIC吸着不良の発生といった問題が発生し好ましくはない。
ずれかもしくは両方を加圧して端子同士を当接させ、その状態のままホーン4を所定の条件(振動数、振幅、温度等)で振動させる(図5(c))。振動に伴う表面同士の摩擦によって互いに擦れあって酸化皮膜など汚染層が除去され、振動を停止すると速やかに金属粒界同士が金属結合するようになる。端子表面は、金属結合しやすい金メッキ層、あるいはニッケル下地金メッキ層で被覆しておくのが好ましい。
1a、接続用バンプ
2、積層された層
2a、最外層
2b、内層
3、基板
3a、接続用端子
3b、基材
4、超音波ホーン(コレット)
4a、吸着面
4b、振動方向
5、金床(アンビル)
6、凹み(吸着面の)
6a、凹みの底面
6b、テーパー部
7、欠損部
A:スリップ防止層の厚み
B:凹みの深さ
Claims (1)
- 金床の上に接続用端子を有するICチップ実装用基板を載置する工程と、
ICチップを超音波ホーンの平面状吸着面に吸着させる工程と、
ICチップの接続用端子とICチップ実装用基板の接続用端子が当接するようにICチップもしくはICチップ実装用基板を加圧する工程と、
超音波振動を加えて接続用端子同士を金属結合させる工程と、
超音波ホーンからICチップを分離する工程と、を有することを特徴とするICチップの実装方法であって、
該超音波ホーンの平面状吸着面が、ICチップの面積とほぼ同じ面積で吸着面周囲より凹んでいる凹みを有し、
一方の面にICチップの接続用端子を有するICチップが、ICチップの接続用端子を有する面と反対側の面上に、単層又は複層からなるスリップ防止層が積層されたICチップであって、該スリップ防止層はICチップのシリコン面に接着固定されてなり、単層からなるスリップ防止層がシリコンよりも軟質なガラスクロス入りエポキシ樹脂からなり、また複層からなるスリップ防止層の最上層がシリコンよりも軟質なガラスクロス入りエポキシ樹脂からなることを特徴とするICチップの実装方法であって、
該凹みの深さが、ICチップに積層されているスリップ防止層の総厚と同等かそれよりも小さいことを特徴とするICチップの実装方法。
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