JP2500778B2 - ボンディングツ―ル及びボンディング方法 - Google Patents
ボンディングツ―ル及びボンディング方法Info
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープキ
ャリアのインナーリードと半導体素子の電極とを接合す
るためのボンディングツールに関する。
いられるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープキ
ャリアのインナーリードと半導体素子の電極とを接合す
るためのボンディングツールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＡＢテープのインナーリードと
半導体素子の電極を逐次方式で接合するシングルボンデ
ィング方法を図４に示す。図において、１１はインナー
リード、１２はＡＩ電極、１３はパッシペーション膜、
１４は半導体素子、２１はフラットボンディングツー
ル、２２はバンプである。図４に示すように半導体素子
１４のＡＩ電極１２又はＴＡＢのインナーリード１１の
先端部のいずれか一方にバンブ２２となる突起を形成し
た後、インナーリード１１と電極１２とをバンブ２２を
介してボンディングツール２１によって超音波と熱を併
用した方法で接合を行っていた。一般にバンプを形成す
るためにはリソグラフィ等の複雑な工程が必要であり、
しかも高価な設備が必要とされる。このため、バンプ形
成工程を必要とするＴＡＢインナーリードの接合方法で
は、実装コストが高くなるという課題があった。
半導体素子の電極を逐次方式で接合するシングルボンデ
ィング方法を図４に示す。図において、１１はインナー
リード、１２はＡＩ電極、１３はパッシペーション膜、
１４は半導体素子、２１はフラットボンディングツー
ル、２２はバンプである。図４に示すように半導体素子
１４のＡＩ電極１２又はＴＡＢのインナーリード１１の
先端部のいずれか一方にバンブ２２となる突起を形成し
た後、インナーリード１１と電極１２とをバンブ２２を
介してボンディングツール２１によって超音波と熱を併
用した方法で接合を行っていた。一般にバンプを形成す
るためにはリソグラフィ等の複雑な工程が必要であり、
しかも高価な設備が必要とされる。このため、バンプ形
成工程を必要とするＴＡＢインナーリードの接合方法で
は、実装コストが高くなるという課題があった。
【０００３】そこで、バンプが不要で半導体素子のＡｌ
電極とＴＡＢインナーリードを直接接合可能なダイレク
トシングルボンディング方式が提案されている（特開平
３−８５８９５）。図３（ａ）（ｂ）に従来のダイレク
トシングルボンディング方式を示す。図において、４は
超音波振動を示し、１１はインナーリード、１２はＡｌ
電極、１３はパッシベーション膜、１４は半導体素子、
１７は樹来のダイレクトボンディングのボンディングツ
ールであり、球面上の先端を有する。
電極とＴＡＢインナーリードを直接接合可能なダイレク
トシングルボンディング方式が提案されている（特開平
３−８５８９５）。図３（ａ）（ｂ）に従来のダイレク
トシングルボンディング方式を示す。図において、４は
超音波振動を示し、１１はインナーリード、１２はＡｌ
電極、１３はパッシベーション膜、１４は半導体素子、
１７は樹来のダイレクトボンディングのボンディングツ
ールであり、球面上の先端を有する。
【０００４】まず、図３に示すように、インナーリード
１１と、半導体素子１４のＡｌ電極１２との位置合わせ
を行った後、ボンディングツール１７をインナーリード
１１に押し込み、インナーリード１１にボンディングツ
ール１７の先端形状が転写された窪み１５と同時にイン
ナーリード１１の裏面に凸部１６が形成される。さら
に、ボンディングツール１７の先端とインナーリード１
１を密着させ、同時にインナーリード１１をＡＩ電極１
２に加圧させる。次に、このような接触状態を保ったま
ま、ボンディングツール１７に超音波振動４を印加して
インナーリード１１の凸部１６とＡｌ電極１２とを接合
する。この時、半導体素子は加熱ステージにより、２５
０℃程度に加熱されている。
１１と、半導体素子１４のＡｌ電極１２との位置合わせ
を行った後、ボンディングツール１７をインナーリード
１１に押し込み、インナーリード１１にボンディングツ
ール１７の先端形状が転写された窪み１５と同時にイン
ナーリード１１の裏面に凸部１６が形成される。さら
に、ボンディングツール１７の先端とインナーリード１
１を密着させ、同時にインナーリード１１をＡＩ電極１
２に加圧させる。次に、このような接触状態を保ったま
ま、ボンディングツール１７に超音波振動４を印加して
インナーリード１１の凸部１６とＡｌ電極１２とを接合
する。この時、半導体素子は加熱ステージにより、２５
０℃程度に加熱されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】超音波併用圧着による
ダイレクトシングルボインティング方法で安定した接合
強度を得るには、超音波振動によりＡＩ電極表面に存在
するＡｌの自然酸化膜を十分に破壊し、加熱ステージに
よる熱エネルギーより十分なインナーリード表面のＡｕ
とＡｌ電極表面のＡｌのＡｌとの合金層を形成すること
が条件となる。ここで、超音波の振動方向は、図３
（ａ）に示すようにインナーリードの長手方向に対して
平行にする。半導体素子１４が矩形で互いに対向する第
１辺及び第３辺に対応して設けられたインナーリード１
１の長手方向が図３（ａ）に示すようにボンディングツ
ール１７の超音波振動４の方向と平行すると、半導体素
子１４の第２辺及び第３辺に対応して設けられたインナ
ーリード１１の長手方向に対してボンディングツール１
７の超音波振動４の方向は直交してしまう。
ダイレクトシングルボインティング方法で安定した接合
強度を得るには、超音波振動によりＡＩ電極表面に存在
するＡｌの自然酸化膜を十分に破壊し、加熱ステージに
よる熱エネルギーより十分なインナーリード表面のＡｕ
とＡｌ電極表面のＡｌのＡｌとの合金層を形成すること
が条件となる。ここで、超音波の振動方向は、図３
（ａ）に示すようにインナーリードの長手方向に対して
平行にする。半導体素子１４が矩形で互いに対向する第
１辺及び第３辺に対応して設けられたインナーリード１
１の長手方向が図３（ａ）に示すようにボンディングツ
ール１７の超音波振動４の方向と平行すると、半導体素
子１４の第２辺及び第３辺に対応して設けられたインナ
ーリード１１の長手方向に対してボンディングツール１
７の超音波振動４の方向は直交してしまう。
【０００６】図３（ｂ）に示すように超音波振動４がイ
ンナーリード１１の長手方向に対して直交する方向に印
加された場合には、超音波振動をインナーリードとＡｌ
電極１２との接合界面に十分に伝達することができず、
Ａｌ酸化膜を十分に破壊することができなかった。この
ため、半導体素子の第２辺及び第４辺のリードと電極と
の接合強度は第１辺及び第３辺に比べ低下する課題があ
った。さらに、接合強度のばらつきを低減するために超
音波出力を高くした場合にはインナーリードの位置ずれ
が増大し、隣接するインナーリードと接触する恐れがあ
り、狭ピッチ化ＴＡＢ実装が困難であるという課題があ
った。
ンナーリード１１の長手方向に対して直交する方向に印
加された場合には、超音波振動をインナーリードとＡｌ
電極１２との接合界面に十分に伝達することができず、
Ａｌ酸化膜を十分に破壊することができなかった。この
ため、半導体素子の第２辺及び第４辺のリードと電極と
の接合強度は第１辺及び第３辺に比べ低下する課題があ
った。さらに、接合強度のばらつきを低減するために超
音波出力を高くした場合にはインナーリードの位置ずれ
が増大し、隣接するインナーリードと接触する恐れがあ
り、狭ピッチ化ＴＡＢ実装が困難であるという課題があ
った。
【０００７】本発明の目的はこのような課題を解決し、
接合強度にばらつきのない安定した接合を実現し、狭ピ
ッチ化が可能なＴＡＢインナーリードのボンディングツ
ールを提供することにある。
接合強度にばらつきのない安定した接合を実現し、狭ピ
ッチ化が可能なＴＡＢインナーリードのボンディングツ
ールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のボンディングツ
ールは、半導体素子の電極とＴＡＢテープのインナーリ
ードを直接接合するボンディングツールにおいて、先端
に前記インナーリードの幅より小さい第１の突起と、こ
の第１の突起の周囲の直径が前記インナーリードの幅よ
り大きい円周に沿ってもうけられた第２の突起とを設
け、前記第１の突起が前記第２の突起より突出している
ことを特徴とする。
ールは、半導体素子の電極とＴＡＢテープのインナーリ
ードを直接接合するボンディングツールにおいて、先端
に前記インナーリードの幅より小さい第１の突起と、こ
の第１の突起の周囲の直径が前記インナーリードの幅よ
り大きい円周に沿ってもうけられた第２の突起とを設
け、前記第１の突起が前記第２の突起より突出している
ことを特徴とする。
【０００９】本発明のボンディング方法は、半導体素子
の電極とＴＡＢテープのインナーリードを直接接合する
ボンディング方法において、ボンディンブツールの前記
インナーリードの幅より小さい第１の突起及びこの第１
の突起の周囲に直径が前記インナーリードの幅より大き
い円周に沿って設けられ前記第１の突起ほどは突出して
いない第２の突起を設けた先端を前起インナーリードに
押圧して前記ボンディングツールに振動方向が前記イン
ナーリードの長手方向に直角な方向の超音波振を印加す
ることを特徴とする。
の電極とＴＡＢテープのインナーリードを直接接合する
ボンディング方法において、ボンディンブツールの前記
インナーリードの幅より小さい第１の突起及びこの第１
の突起の周囲に直径が前記インナーリードの幅より大き
い円周に沿って設けられ前記第１の突起ほどは突出して
いない第２の突起を設けた先端を前起インナーリードに
押圧して前記ボンディングツールに振動方向が前記イン
ナーリードの長手方向に直角な方向の超音波振を印加す
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明のボンディングツールを使用したＴＡＢ
インナーリードのボンディング方法では、ボンディング
ツール先端部の丸みのある第１の突起により、接合部に
かかる圧力分布を均一にすることで機械的ストレスを減
少させクラックのない信頼性の高い接合を可能にした。
さらに、第１の突起の外周を囲む円周に沿って設けられ
た第２の突起によりインナーリードを押さえつける作用
が働き超音波振動によるインナーリードの位置ズレを防
止することができ狭ピッチ化が可能となった。
インナーリードのボンディング方法では、ボンディング
ツール先端部の丸みのある第１の突起により、接合部に
かかる圧力分布を均一にすることで機械的ストレスを減
少させクラックのない信頼性の高い接合を可能にした。
さらに、第１の突起の外周を囲む円周に沿って設けられ
た第２の突起によりインナーリードを押さえつける作用
が働き超音波振動によるインナーリードの位置ズレを防
止することができ狭ピッチ化が可能となった。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例のＴＡＢインナ
ーリード接合用のボンディングツールの側断面図であ
る。図２はインナーリードのボンディング方法を示し、
同図（ａ）は超音波の振動方向がインナーリードの長手
方向に対して平行な半導体素子の第１辺及び第３辺にお
ける接合方法を、同図（ｂ）は超音波の振動方向がイン
ナーリードの長手方向に対して直交する半導体素子の第
２辺及び第４辺における接合方法を示す断面図である。
ーリード接合用のボンディングツールの側断面図であ
る。図２はインナーリードのボンディング方法を示し、
同図（ａ）は超音波の振動方向がインナーリードの長手
方向に対して平行な半導体素子の第１辺及び第３辺にお
ける接合方法を、同図（ｂ）は超音波の振動方向がイン
ナーリードの長手方向に対して直交する半導体素子の第
２辺及び第４辺における接合方法を示す断面図である。
【００１３】図において、１はボンディングツール、２
は第１の突起、３は第２の突起、４は超音波振動、１１
はインナーリード、１２はＡＩ電極、１３はパッシペー
ション膜、１４は半導体素子を示す。ＴＡＢテープは、
インナーリード幅が８０μｍ、インナーリードピッチが
１８０μｍ、インナーリード厚さが３５μｍのＣｕリー
ドに０．６μｍのＡｕメッキが施されたものを用いた。
は第１の突起、３は第２の突起、４は超音波振動、１１
はインナーリード、１２はＡＩ電極、１３はパッシペー
ション膜、１４は半導体素子を示す。ＴＡＢテープは、
インナーリード幅が８０μｍ、インナーリードピッチが
１８０μｍ、インナーリード厚さが３５μｍのＣｕリー
ドに０．６μｍのＡｕメッキが施されたものを用いた。
【００１４】ボンディングツール１は、図１に示すよう
に先端部が円錐状でかつ円錐の先端にインナーリード１
１の幅よりも小さな丸みを有する例えば半径Ｒ１が３０
μｍの球状の第１の突起２と突起２の周囲の直径ａが１
２０μｍの円周に沿った断面が丸み（半径Ｒ２が１０μ
ｍ程度）を有する第２の特起を設ける。さらに突起２は
突起３より２０μｍ突出している（図１の寸法ｂ）。半
導体素子１４は４辺全てに電極が形成されており、電極
１２の開口部はインナーリード１１の幅よりも大きく形
成されたものを用いた。
に先端部が円錐状でかつ円錐の先端にインナーリード１
１の幅よりも小さな丸みを有する例えば半径Ｒ１が３０
μｍの球状の第１の突起２と突起２の周囲の直径ａが１
２０μｍの円周に沿った断面が丸み（半径Ｒ２が１０μ
ｍ程度）を有する第２の特起を設ける。さらに突起２は
突起３より２０μｍ突出している（図１の寸法ｂ）。半
導体素子１４は４辺全てに電極が形成されており、電極
１２の開口部はインナーリード１１の幅よりも大きく形
成されたものを用いた。
【００１５】本実施例１のボンディングツールを用いた
接合方法は、半導体素子１４の電極１２とインナーリー
ド１１との位置合わせを行った後、図２（ａ）に示すよ
うにボンディングツール１に荷重Ｆ＝１００ｇｆを印加
し、ボンディングツール１をインナーリード１１に押圧
した。この時、インナーリード１１にボンディングツー
ル１の先端形状が転写された窪み１５と同時にインナー
リード１１の裏面に凸部１６が形成される。次いで、超
音波振動４をボンディングツール１に印加しインナーリ
ード１１とＡｌ電極１２の接合を行った。なお接合時に
は、図面には記載されていないが半導体素子１４を加熱
装置により２８０℃に加熱保持した。
接合方法は、半導体素子１４の電極１２とインナーリー
ド１１との位置合わせを行った後、図２（ａ）に示すよ
うにボンディングツール１に荷重Ｆ＝１００ｇｆを印加
し、ボンディングツール１をインナーリード１１に押圧
した。この時、インナーリード１１にボンディングツー
ル１の先端形状が転写された窪み１５と同時にインナー
リード１１の裏面に凸部１６が形成される。次いで、超
音波振動４をボンディングツール１に印加しインナーリ
ード１１とＡｌ電極１２の接合を行った。なお接合時に
は、図面には記載されていないが半導体素子１４を加熱
装置により２８０℃に加熱保持した。
【００１６】インナーリードの接合順序は、図２（ａ）
に示すように超音波の振動方向がインナーリード１１の
長手方向に対して平行な半導体素子１４の第１辺につい
て行い、次いで、同図（ｂ）に示すような超音波の振動
方向がインナーリード１１の長手方向に対して直交する
半導体素子１４の第２辺、第１辺と同じ方向である第３
辺、第２辺と同じ方向である第４辺について接合を順次
行った。
に示すように超音波の振動方向がインナーリード１１の
長手方向に対して平行な半導体素子１４の第１辺につい
て行い、次いで、同図（ｂ）に示すような超音波の振動
方向がインナーリード１１の長手方向に対して直交する
半導体素子１４の第２辺、第１辺と同じ方向である第３
辺、第２辺と同じ方向である第４辺について接合を順次
行った。
【００１７】以上の操作を全てのインナーリード１１に
対して繰り返し行った後、接合強度の測定、および電極
面１２上のクラック発生の有無を観察した。その結果、
長音音波振動４の方向がインナーリード１１の長手方向
に直交及び平行に作用した接続部の平均プル強度はそれ
ぞれ６０ｇｆ以上であり、実用上十分な強度で接合する
ことができた。しかも電極面１２にはクラックの発生が
無いことを確認した。
対して繰り返し行った後、接合強度の測定、および電極
面１２上のクラック発生の有無を観察した。その結果、
長音音波振動４の方向がインナーリード１１の長手方向
に直交及び平行に作用した接続部の平均プル強度はそれ
ぞれ６０ｇｆ以上であり、実用上十分な強度で接合する
ことができた。しかも電極面１２にはクラックの発生が
無いことを確認した。
【００１８】次に本発明の他の実施例について説明す
る。本実施例ではインナーリード幅が４０μｍ、インナ
ーリードピッチが８０μｍ、インナーリード厚さが２０
μｍのＣｕリードに０．６μｍのＡｕメッキが施された
ＴＡＢテープを用いた接続を行った。半導体素子は４辺
全てに電極が形成されており、電極の開口部はインナー
リードの幅よりも大きく形成されたものを用いた。ボン
ディングツールは、図１に示すものと同形状のボンディ
ングツールを使用し、外形寸法は（図１に示される符号
を用いて説明する）、第１の突起２の半径Ｒ１は１５μ
ｍ、第２の突起３の半径Ｒ２は１０μｍ、直径ａは７０
μｍ、寸法ｂは１０μｍである。
る。本実施例ではインナーリード幅が４０μｍ、インナ
ーリードピッチが８０μｍ、インナーリード厚さが２０
μｍのＣｕリードに０．６μｍのＡｕメッキが施された
ＴＡＢテープを用いた接続を行った。半導体素子は４辺
全てに電極が形成されており、電極の開口部はインナー
リードの幅よりも大きく形成されたものを用いた。ボン
ディングツールは、図１に示すものと同形状のボンディ
ングツールを使用し、外形寸法は（図１に示される符号
を用いて説明する）、第１の突起２の半径Ｒ１は１５μ
ｍ、第２の突起３の半径Ｒ２は１０μｍ、直径ａは７０
μｍ、寸法ｂは１０μｍである。
【００１９】本実施例の接合方法は、半導体素子１４の
電極１２とインナーリード１１との位置合わせを行った
後、図２（ａ）に示すようにボンディングツール１に荷
重Ｆ＝５０ｇｆを印加し、ボンディングツール１をイン
ナーリード１１に押圧した。この時、インナーリード１
１にボンディングツール１の先端形状が転写された窪み
１５と同時にインナリード１１の裏面に凸部１６が形成
される。次いで、超音波振動４をボンディングツール１
に印加しインナーリード１１とＡｌ電極１２の接合を行
った。なお接合時には、図面には記載していないが半導
体素子１４を加熱装置により２８０℃に加熱保持した。
電極１２とインナーリード１１との位置合わせを行った
後、図２（ａ）に示すようにボンディングツール１に荷
重Ｆ＝５０ｇｆを印加し、ボンディングツール１をイン
ナーリード１１に押圧した。この時、インナーリード１
１にボンディングツール１の先端形状が転写された窪み
１５と同時にインナリード１１の裏面に凸部１６が形成
される。次いで、超音波振動４をボンディングツール１
に印加しインナーリード１１とＡｌ電極１２の接合を行
った。なお接合時には、図面には記載していないが半導
体素子１４を加熱装置により２８０℃に加熱保持した。
【００２０】インナーリードの接合順序は、図２（ａ）
に示すように超音波の振動方向がインナーリードの長手
方向に対して平行な半導体素子１４の第１辺について行
い、次いで同図（ｂ）に示すような超音波の振動方向が
インナーリードの長手方向に対して直交する半導体素子
１４の第２辺、第１辺と同じ方向である第３辺、第２辺
と同じ方向である第４辺について接合を順次行った。
に示すように超音波の振動方向がインナーリードの長手
方向に対して平行な半導体素子１４の第１辺について行
い、次いで同図（ｂ）に示すような超音波の振動方向が
インナーリードの長手方向に対して直交する半導体素子
１４の第２辺、第１辺と同じ方向である第３辺、第２辺
と同じ方向である第４辺について接合を順次行った。
【００２１】以上の操作の全てのインナーリード１１に
対して繰り返し行った後、接合強度の測定、および電極
面１２上のクラック発生の有無を観察した。其の結果、
超音波振動４の方向が、インナーリード１１の長手方向
に直交及び平行に作用した接続部の平均プル強度は１５
ｇｆ以上であり、実用上十分な強度で接合することがで
きた。しかも電極面１２にはクラックの発生が無いこと
を確認した。
対して繰り返し行った後、接合強度の測定、および電極
面１２上のクラック発生の有無を観察した。其の結果、
超音波振動４の方向が、インナーリード１１の長手方向
に直交及び平行に作用した接続部の平均プル強度は１５
ｇｆ以上であり、実用上十分な強度で接合することがで
きた。しかも電極面１２にはクラックの発生が無いこと
を確認した。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のボンディ
ングツールを使用したＴＡＢインナーツールのボンディ
ング方法では、超音波振動の伝達効率が向上し低出力で
接合が可能となり、インナーリードの位置ズレを防止す
ることができ狭ピッチ化が可能となった。また、、半導
体素子の電極面にクラック等の損傷を生じることなく、
しかも十分な強度で半導体素子の電極とインナーリード
とを信頼性高く接合できる効果がある。
ングツールを使用したＴＡＢインナーツールのボンディ
ング方法では、超音波振動の伝達効率が向上し低出力で
接合が可能となり、インナーリードの位置ズレを防止す
ることができ狭ピッチ化が可能となった。また、、半導
体素子の電極面にクラック等の損傷を生じることなく、
しかも十分な強度で半導体素子の電極とインナーリード
とを信頼性高く接合できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のボンディングツールの縦断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示すボンディングツールを用いたＴＡＢ
インナーリードのボンディング方法を示す図で、（ａ）
は超音波の振動方向がインナーリードの長手方向に対し
て平行な場合、（ｂ）は超音波の振動方向がインナーリ
ードの長手方向に対して直交する場合を示す断面図であ
る。
インナーリードのボンディング方法を示す図で、（ａ）
は超音波の振動方向がインナーリードの長手方向に対し
て平行な場合、（ｂ）は超音波の振動方向がインナーリ
ードの長手方向に対して直交する場合を示す断面図であ
る。
【図３】従来のダイレクトボンディング方法を示す断面
図で、（ａ）は超音波の振動方向がインナーリードの長
手方向に対して平行な場合、（ｂ）は超音波の振動方向
がインナーリードの長手方向に対して直交する場合を示
す断面図である。
図で、（ａ）は超音波の振動方向がインナーリードの長
手方向に対して平行な場合、（ｂ）は超音波の振動方向
がインナーリードの長手方向に対して直交する場合を示
す断面図である。
【図４】従来のバンプを用いたＴＡＢインナーリードの
ボンディング方法を示す断面図である。
ボンディング方法を示す断面図である。
１ ボンディングツール ２ 突起 ３ 突起 ４ 超音波振動 １１ インナーリード １２ Ａｌ電極 １３ パッシベーション膜 １４ 半導体素子 １５ 窪み １６ 凸部 １７ バンディングツール ２１ フラットボンディングツール ２２ バンプ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子の電極とＴＡＢテープのイン
ナーリードを直接接合するボンディングツールにおい
て、先端に前記インナーリードの幅より小さい第１の突
起と、この第１の突起の周囲の直径が前記インナーリー
ドの幅より大きい円周に沿ってもうけられた第２の突起
とを設け、前記第１の突起が前記第２の突起より突出し
ていることを特徴とするボンディングツール。 - 【請求項２】 第１の突起は直径がインナーリードの幅
より小さい球面の一部からなる請求項１記載のボンディ
ングツール。 - 【請求項３】 半導体素子の電極とＴＡＢテープのイン
ナーリードを直接接合するボンディング方法において、
ボンディングツールの前記インナーリードの幅より小さ
い第１の突起及びこの第１の突起の周囲に直径が前記イ
ンナーリードの幅より大きい円周に沿って設けられ前記
第１の突起ほどは突出していない第２の突起を設けた先
端を前起インナーリードに押圧して前記ボンディングツ
ールに振動方向が前記インナーリードの長手方向に直角
な方向の超音波振動を印加することを特徴とするボンデ
ィング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199407A JP2500778B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | ボンディングツ―ル及びボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199407A JP2500778B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | ボンディングツ―ル及びボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758155A JPH0758155A (ja) | 1995-03-03 |
| JP2500778B2 true JP2500778B2 (ja) | 1996-05-29 |
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ID=16407288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5199407A Expired - Fee Related JP2500778B2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | ボンディングツ―ル及びボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500778B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3556498B2 (ja) | 1998-12-14 | 2004-08-18 | Ｔｄｋ株式会社 | チップ接合用ノズル |
| JP2003007773A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Nec Corp | ボンディングツールおよびボンディング方法 |
| JP4276989B2 (ja) | 2004-09-29 | 2009-06-10 | 富士通株式会社 | 超音波接合用ボンディングツールおよび超音波接合方法 |
| US20060163315A1 (en) * | 2005-01-27 | 2006-07-27 | Delsman Mark A | Ribbon bonding tool and process |
| JP4977441B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-07-18 | 矢崎総業株式会社 | 超音波接合装置 |
| JP5667601B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2015-02-12 | 三菱電機エンジニアリング株式会社 | 超音波接合方法および超音波接合装置 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP5199407A patent/JP2500778B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758155A (ja) | 1995-03-03 |
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