DE655837T1 - Gate-Treiber-Verfahren für einen bidirektional blockierenden lateralen MOSFET. - Google Patents

Gate-Treiber-Verfahren für einen bidirektional blockierenden lateralen MOSFET.

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DE655837T1 DE0655837T DE94308841T DE655837T1 DE 655837 T1 DE655837 T1 DE 655837T1 DE 0655837 T DE0655837 T DE 0655837T DE 94308841 T DE94308841 T DE 94308841T DE 655837 T1 DE655837 T1 DE 655837T1
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Claims (12)

94308841.9 Siliconix Incorporated Patentansprüche
1. Gatesteuerschaltung zum Erzeugen einer Gatesteuerspannung an einem Gate eines Zweirichtungs-MOSFET, welcher Zweirichtungs-MOSFET einen Körperteil und einen ersten und einen zweiten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, die im Körperteil ausgebildet und durch einen Kanalbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps getrennt sind, der gleichfalls im Körperteil ausgebildet ist, wobei das Gate über dem Kanal angeordnet ist und vom Körperteil durch eine Gateoxidschicht getrennt ist, welcher Zweirichtungs-MOSFET weiterhin dadurch gekennzeichnet ist, daß der erste und der zweite Bereich elektrisch gegenüber dem Körperteil isoliert sind, welche Gatesteuerschaltung
eine eine Spannung erzeugende Schaltung umfaßt, die zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich und dem Gate des Zweirichtungs -MOSFET liegt, um die Gatesteuerspannung auf eine maximale Spannung zu begrenzen, die durch die Dicke der Gateoxidschicht bestimmt ist.
2. Gatesteuerschaltung nach Anspruch 1, bei der die eine Spannung erzeugende Schaltung
eine erste Diode, deren Anode mit dem ersten Bereich verbunden ist, welche erste Diode eine Kathode aufweist,
eine zweite Diode, deren Anode mit dem zweiten Bereich verbunden ist, welche zweite Diode eine Kathode aufweist, und
eine Ladungspumpe umfaßt, die mit den Kathoden der ersten und der zweiten Diode verbunden ist.
3. Gatesteuerschaltung nach Anspruch 2, bei der die Ladungspumpe so ausgebildet ist, daß sie eine Ausgangsspannung erzeugt, die am Gate des Zweirichtungs-MOSFELT liegt, und welche eine an Masse liegende Z-Diode umfaßt, an deren Kathode die Ausgangsspannung liegt, um den Pegel der Ausgangsspannung auf die Durchbruchsspannung der Z-Diode zu begrenzen.
4. Gatesteuerschaltung nach Anspruch 2 oder 3, welche weiterhin einen Schalter umfaßt, der zwischen die Ladungspumpe und das Gate des Zweirichtungs-MOSFET geschaltet ist.
5. Gatesteuerschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei der die Ausgangsspannung einen ersten Pegel hat, die Ladungspumpe mit dem Gate des Zweirichtungs-MOSFET verbunden ist und die erste und die zweite Diode Z-Dioden sind.
6. Gatesteuerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welche weiterhin einen oder mehrere weitere MOSFET umfaßt, die zwischen das Gate des Zweirichtungs-MOSFET und Masse geschaltet sind derart, daß dann, wenn der Schalter geöffnet ist, um die Ladungspumpe vom Zweirichtungs-MOSFET zu trennen, der oder jeder weitere MOSFET durchgeschaltet ist, um das Gate der Zweirichtungs-MOSFET mit Masse zu verbinden.
7. Gatesteuerschaltung nach einem vorhergehenden Anspruch, bei der die eine Spannung erzeugende Schaltung
eine Ladungspumpe zum Erzeugen einer Ausgangsspannung mit einer ersten Pegel,
einen zweiten MOSFET, der einen Drain, der mit der Ladungspumpe verbunden ist, eine Source, die mit der Ladungspumpe verbunden ist, und eine Source, die mit dem Gate des Zweirichtungs-MOSFET verbunden ist, aufweist,
eine erste Z-Diode, die eine Kathode, die mit einem Gate des zweiten MOSFET verbunden ist, und eine Anode aufweist, die mit dem ersten Bereich verbunden ist, und
eine zweite Z-Diode umfaßt, die eine Kathode, die mit dem Gate des zweiten MOSFET verbunden ist, und eine Anode aufweist, die mit dem zweiten Bereich verbunden ist.
8. Gatesteuerschaltung nach Anspruch 7, bei der die eine Spannung erzeugende Schaltung weiterhin eine Stromquelle umfaßt,
die zwischen die Ladungspumpe und der Kathoden der ersten und der zweiten Z-Diode geschaltet ist.
9. Gatesteuerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die eine Spannung erzeugende Schaltung
eine Ladungspumpe zum Erzeugen einer Ausgangsspannung mit einem ersten Pegel,
einen ersten Verarmungs-MOSFET, der einen Drain, der mit der Ladungspumpe verbunden ist, ein Gate, das mit dem zweiten Bereich verbunden ist, und eine Source aufweist, und
einen zweiten Verarmungs-MOSFET umfaßt, der einen Drain, der mit der Source des ersten Bereiches verbunden ist, und eine Source aufweist, die mit dem Gate des Zweirichtungs-MOSFET verbunden ist.
10. Gatesteuerschaltung nach Anspruch 1, bei der die eine Spannung erzeugende Schaltung
eine Ladungspumpe zum Erzeugen einer Ausgangsspannung mit einem ersten Pegel,
einen ersten Verarmungs-MOSFET, der einen Drain, der mit der Ladungspumpe verbunden ist, ein Gate, das mit dem zweiten Bereich verbunden ist, und eine Source aufweist,
eine zweiten Verarmungs-MOSFET, der einen Drain, der mit der Source des ersten MOSFET verbunden ist, ein Gate, das mit dem ersten Bereich verbunden ist, und eine Source aufweist, und
einen dritten MOSFET umfaßt, der einen Drain, der mit der Ladungspumpe verbunden ist, und eine Source aufweist, die mit dem Gate des Zweirichtungs-MOSFET verbunden ist, wobei der dritte MOSFET gleichfalls ein Gate aufweist, das mit der Source des zweiten Verarmungs-MOSFET verbunden ist.
11. Verfahren zum Erzeugen einer Gatesteuerspannung an einer Gatesteuerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
12. Verfahren zum Erzeugen einer Gatesteuerspannung, welches die Herstellung von Verbindungen zur Bildung einer Gatesteuerschaltung nach einem der vorhergehenden Anspürche umfaßt.
DE0655837T 1993-11-30 1994-11-30 Gate-Treiber-Verfahren für einen bidirektional blockierenden lateralen MOSFET. Pending DE655837T1 (de)

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